CN202423213U - 等离子体约束装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种等离子体约束装置，其设置于等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间，等离子体约束装置包含环形本体，环形本体上设有若干导气通道；该环形本体沿其径向由内径向外径依次分为内径区域、中间区域和外径区域；分布在环形本体内径区域的导气通道的开口大小大于分布在中间区域的导气通道的开口大小，分布在外径区域的导气通道的开口大小大于分布在中间区域的导气通道的开口大小。本实用新型采用内外径区域导气通道大于中间区域导气通道的结构，不仅能将等离子体约束在处理区域内，减少因等离子体扩散而引起的反应腔污染问题，而且可以大大增加反应腔的排气效率，减少使用过的反应气体和副产品气体停留在反应腔内的时间。

Description

等离子体约束装置

技术领域

本实用新型涉及一种用来制造半导体芯片、平面显示器或者液晶显示器的等离子体处理装置，具体涉及一种等离子体约束装置。

背景技术

等离子处理装置利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂或淀积源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来点燃和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。举例来说，电容性等离子体反应器已经被广泛地用来加工半导体基片和显示器平板，在电容性等离子体反应器中，当射频功率被施加到二个电极之一或二者时，就在一对平行电极之间形成电容性放电。

等离子体是扩散性的，虽然大部分等离子体会停留在一对电极之间的处理区域中，但部分等离子体可能充满整个工作室。举例来说，等离子体可能充满真空反应室下方的处理区外面的区域（比如，排气区域）。若等离子体到达这些区域，则这些区域可能随之发生腐蚀、淀积或者侵蚀，这会造成反应室内部的颗粒玷污，进而降低等离子处理装置的重复使用性能，并可能会缩短反应室或反应室零部件的工作寿命。如果不将等离子体约束在一定的工作区域内，带电粒子将撞击未被保护的区域，进而导致半导体基片表面杂质和污染。

因此，业界一直不断地致力于产生被约束在处理区的因而更为稳定的等离子体。现有的一种思路是使用约束环来约束等离子体，例如，美国专利5534751描述了一种腔室结构，该腔室通过紧密排列形成窄缝隙的由绝缘材料制成的约束环抑止等离子体扩散。这些窄缝隙被设置成具有相同大小的宽度和深度（因而也具有相同的深宽比），以实现均匀地排气。当带电粒子，如离子或者电子通过窄缝隙时，他们中的大部分会撞击到约束环的表面进而防止等离子体的扩散。

此外，美国专利6178919公开了另外一种等离子体反应器中的多孔的等离子体密封环，该等离子体密封环将离子体反应器的反应腔分隔为处理区域和排气区域，该等离子体密封环由导电材料制成，环上设置有若干通孔以允许处理过程中的副产品气体通过这些通孔由处理区域排出至排气区域，这些通孔具有相同的深宽比，并且各通孔的直径大小相同，以实现均匀地排气，此导电的密封环被设置成接地，在等离子体处理过程中可以使等离子体中的电子通过该接地的密封环被导入大地，使等离子体中的电子从处理反应器中移除，因而降低等离子体的密度，以增强处理区内的离子密度。

但是，由于在等离子体处理过程中，使用过的反应气体和副产品气体是通过等离子体约束装置上设置的通孔而被排出反应区域。然而，使用前述等离子体约束装置也会对工艺和生产效率产生一些不利的影响，等离子体约束装置为了实现将等离子体约束在反应腔内，必须使设置于其上的通孔具有一定的深宽比，但该具有一定的深宽比的狭长通孔却使得使用过的副反应气体在排出处理区时受狭长通孔的阻挡而速度被减慢。

如图1所示，等离子体密封环上采用直径大小相同通孔时，由于边界效应的影响，等离子体密封环内外径处的通孔中反应气体和副产品气体流通的孔流速较小，导致等离子体密封环上通孔中导通流出的使用过的反应气体和副产品气体流速较慢，大大降低了排气的效率，进而导致多余的作用过的副反应气体过多时间地留存在反应腔内，稀释了反应气体。同时穿过等离子体密封环中间区域通孔的气体会经过反应腔内分布有等离子体浓度较高的区域，而穿过等离子体密封环两边内外径区域通孔的气体会经过分布等离子体浓度较低的区域，导致在通过通孔导出气体的同时带走了较多的等离子体，进一步稀释了反应腔内的反应气体，降低了工艺反应的效率，并且这些使用过的反应气体和副反应气体也会在被处理的基片和反应腔室的零部件上产生沉积形成聚合物，影响被处理基片的器件功能和使反应腔产生污染，不可避免地增加清洁反应腔的时间，降低了生产效率。

实用新型内容

本实用新型公开了一种等离子体约束装置，该等离子体约束装置不仅能将等离子体约束在处理区域内，减少因等离子体扩散而引起的反应腔污染问题，而且可以大大增加反应腔的排气效率，减少使用过的反应气体和副产品气体停留在反应腔内的时间。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种等离子体约束装置，其设置于等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间，该等离子体约束装置包含环形本体，该环形本体上设有若干导气通道；其特点是，该环形本体沿其径向由内径向外径依次分为内径区域、中间区域和外径区域；分布在环形本体内径区域的导气通道的开口大小大于分布在中间区域的导气通道的开口大小，分布在外径区域的导气通道的开口大小大于分布在中间区域的导气通道的开口大小。

上述的环形本体为一等离子密封环，其上设有导气通道，该导气通道为若干通孔；分布在等离子密封环内径区域的通孔的直径大于分布在中间区域的通孔的直径，分布在外径区域的通孔的直径大于分布在中间区域的通孔的直径。

上述等离子约束装置设置于等离子体处理装置的下电极基座和反应腔的内侧壁之间，若干个通孔沿水平方向相互平行间隔设置。

上述的环形本体包含相互间隔设置并形成若干个环形槽的若干个同心环，其导气通道为所述环形槽；内径区域中所形成的若干环形槽的宽度大于中间区域中所形成的若干环形槽的宽度；外径区域中所形成的若干环形槽的宽度大于中间区域中所形成的若干环形槽的宽度。

上述的等离子约束装置设置于等离子体处理装置的下电极基座和反应腔的内侧壁之间，若干个同心环围绕该下电极基座设置，并沿水平方向相互间隔形成平行的环形槽。

上述环形本体采用金属材料制成。

上述环形本体至少在接触或靠近等离子体处理装置内的等离子体的表面涂覆有可以抵抗处理区域内产生的等离子体腐蚀的材料。

上述等离子体约束装置在等离子体处理过程中电接地。

上述等离子体约束装置在等离子体处理过程中电浮地。

上述环形本体采用石英材料或碳化硅或氮化硅制成。

一种等离子体处理装置，其包含：

反应腔；

一对相互平行设置的上电极和下电极，设置于所述反应腔内，所述上电极与下电极之间构成一处理区域；

等离子体约束装置，其设置于等离子体处理装置的处理区域的外侧，等离子约束装置包含环形本体，该环形本体上设有若干导气通道；其特点是，环形本体沿其径向由内径向外径依次分为内径区域、中间区域和外径区域；分布在环形本体内径区域的导气通道的开口大小大于分布在中间区域的导气通道的开口大小，分布在外径区域的导气通道的开口大小大于分布在中间区域的导气通道的开口大小。

上述等离子约束装置设置于等离子体处理装置的下电极基座和反应腔的内侧壁之间，若干个导气通道沿水平方向相互间平行且间隔设置。

本实用新型等离子体约束装置和现有技术相比，其优点在于， 对于同一个等离子体约束装置内用于限制等离子体的环形本体而言，不同导气通道流过的气体流量近似于该导气通道的开口大小成正比，例如：导气通道为圆形的通孔，则该通孔的气体流量近似于该通孔的直径四次方成正比；又或者不同环形槽流过的气体流量近似与该环形槽的槽宽的立方及槽的中心线直径成正比，因而本实用新型中外径区域与内径区域的导气通道的开口大小要大于中间区域的开口大小的结构，使得外径区域和内径区域中导气通道通过的气体比中间区域多，实现等离子体约束装置导流通过的气体流量比现有技术中槽宽均匀分布的等离子体约束装置高；

本实用新型外径区域与内径区域的导气通道的开口大小要大于中间区域的开口大小，这种结构使等离子体约束装置中与反应腔中等离子分布密度较小区域相对应的外径区域和内径区域处的导气通道流过更多气体，而使与从等离子分布密度较高区域相对应的中间区域流过的气体流量减小或不提升或微小提升，整体上在提升离子体约束装置导流的同时不等幅度提高反应腔内等离子体由于气体流出而导致的泄漏，保证同样导流的同时具有较小的等离子体泄漏，或在气体流量提升的情况下也具有较小的等离子体泄漏，保证了工艺反应的效率。

附图说明

图1为现有技术中离子体约束装置上通孔导通气体的流量分布图；

图2为配置有本实用新型等离子体约束装置的等离子体处理装置的结构示意图；

图3为图2所示虚线14部分所示的等离子体约束装置的俯视图；

图4为本实用新型等离子体约束装置的另一种实施例的结构示意图；

图5为图4所示剖面线A-A处本实用新型等离子体约束装置的剖面图。

具体实施方式

以下结合附图，具体说明本实用新型的实施例。

本实用新型公开了一种等离子体约束装置，其不仅能有效地将等离子体约束在等离子体处理装置的处理区域内，减少因等离子体扩散而引起的处理腔室污染问题，而且可以大大增加处理腔室的排气效率，减少使用过的反应气体和副产品气体停留在反应腔内的时间，同时也有效减少了反应腔内等离子体的泄漏，在提高使用过的反应气体和副产品气体排气效率的同时，也保持反应腔内等离子体的浓度，保证了工艺反应的效率。

为了解决前述现有技术中的不足，发明人经过大量的研究和实验发现，一方面，为了较佳地将等离子体约束在处理区域内，需要将等离子体约束装置的导气通道的开口大小设置得越小越好（在导气通道的深度一定时），而另外一方面，等离子体约束装置的排气能力与导气通道的开口大小成反比，这根据所需的排气效率来设置其导气通道最小的开口大小，排气量的大小主要在于直径的变化，深宽比的影响较小。并且，在等离子体处理过程中，等离子体会延伸扩散，进而分布于等离子体约束装置的上游侧（即，靠近处理区域的一侧）表面，并且等离子体密度会在等离子体约束装置的上表面沿以被处理基片的中心为圆心沿径向方向向外逐渐衰减。换言之，对于分布在等离子体约束装置上表面的等离子体而言，在越靠近半导体基片或下电极外边缘的位置，等离子体密度越高；在越远离半导体基片或下电极外边缘的位置，等离子体的密度越低。根据等离子体在径向分布这一特性，本实用新型提供一种优化的、具有变深宽比和变导气通道开口大小的等离子体约束装置，同时平衡了等离子体约束的需求和高排气能力的需求，其不仅有效地将等离子体约束在处理区域内，而且可以使用过的反应气体和副产品气体能快速地离开反应腔。

如图2所示，为配置有本实用新型等离子体约束装置的等离子体处理装置的结构示意图。等离子体处理装置1包含反应腔11，反应腔11基本上为柱形，且反应腔11侧壁基本上竖直，反应腔11内具有相互平行设置的上电极12a和下电极12b，等离子体处理装置1还包含一基座12c，该下电极12b设置在基座12c上。通常，在上电极12a与下电极12b之间的区域2为处理区域，在该区域内将形成和维持等离子体3。在下电极12b上方放置待要加工的工件4，该工件4可以是待要刻蚀或加工的半导体基片或者待要加工成平板显示器的玻璃平板。反应气体从反应腔11的上方的气体注入口（图中未显示）被输入至反应腔11内，一个或多个射频电源5a可以被单独地施加在下电极12b上或同时被分别地施加在上电极12a与下电极12b上，再通过射频匹配器5b将射频功率输送到下电极12b上或上电极12a与下电极12b上，从而在反应腔11内部产生大的电场。大多数电场线被包含在上电极12a和下电极12b之间的处理区域2内，此电场对少量存在于反应腔11内部的电子进行加速，使之与输入的反应气体的气体分子碰撞。这些碰撞导致反应气体的离子化和等离子体的激发。反应气体的中性气体分子在经受这些强电场时失去了电子，留下带正电的离子。带正电的离子向着下电极12b方向加速，与被处理的工件4中的中性物质结合，激发工件4加工，即刻蚀、淀积等。

本实用新型等离子体约束装置设置于等离子体处理装置1的处理区域2与排气区域7之间，用于使反应腔11内的等离子体被基本约束在处理区域2内，而不会延伸至排气区域7内，而造成排气区域7内的腔室污染。该排气区域7与一个排气装置80相连通，通过排气装置80将反应腔11内的使用过的反应气体和副产品气体抽出去。更具体地，在图1所示的实施方式中，等离子体约束装置设置于反应腔11的内侧壁11a与下电极12b的基座12c的外周围40之间的间隙9内，该等离子体约束装置包含有环形本体8，该环形本体8用于将等离子体约束在反应腔11的处理区域2内，该环形本体8上设有若干导气通道，导气通道用于将反应腔11内的使用过的反应气体和副产品气体排出。

如图3所示，为本实用新型等离子约束装置的一种实施方式。图3显示的是图2中虚线14部分所示的等离子体约束装置的结构的俯视图。等离子约束装置包含一个环形本体8，该环形本体8为一个等离子密封环，该等离子密封环的宽度与反应腔11的内侧壁11a与下电极12b的基座12c的外周围40之间的间隙9相适配，等离子密封环的内径与下电极12b的基座12c的外周围40紧贴设置，同时该等离子密封环的外径与反应腔11的内侧壁11a紧贴设置，等离子密封环使反应腔11内处理区域2与排气区域7密封分隔。等离子密封环上设有若干个导气通道，该导气通道为若干个通孔84。该通孔84贯穿等离子密封环的上下表面，反应腔11内的使用过的反应气体和副产品气体通过通孔84由反应腔11内处理区域2排放至排气区域7。各通孔84沿等离子密封环水平方向相间隔且相互平行设置。

该等离子密封环沿其径向由中心向外依次分为三个区域：内径区域81、中间区域82和外径区域83。该等离子密封环上的通孔84分别分布在该三个区域中。其中，设置在内径区域81内的通孔84的直径大于设置在中间区域82内的通孔84的直径。而设置在外径区域83内的通孔84的直径也大于设置在中间区域82内的通孔84的直径。

应当说明的是，本实施例中影响气体流量和有效约束等离子体的因素主要在于通孔84的直径的变化，深宽比的影响较小。

本实施例中，增大等离子密封环内径区域81和外径区域83内通孔84的直径，由于一通孔流过的气体流量近似与该通孔直径四次方成正比，上述结构提高了等离子密封环内径区域81和外径区域83处使用过的反应气体和副产品气体的流通量，从而相比现有技术中设有孔径相等的通孔的等离子约束装置相比，其提高了等离子约束装置的气体流通量。

同时根据反应腔11内边界效应的影响，等离子密封环上其中间区域82等离子体的分布密度高，而内径区域81和外径区域83的等离子体分布密度低，即等离子密封环上中间区域82内通孔84所在区域等离子体浓度较高，而等离子密封环上内径区域81和外径区域83内通孔84所在区域等离子体浓度较低。所以本实施例中增大内径区域81和外径区域83内通孔84的孔径，而不增大中间区域82内通孔84的孔径，或者采用减小中间区域82内通孔84的孔径。在整体上提高等离子约束装置导流使用过的反应气体和副产品气体流量的同时，实现不等幅度提高等离子体随使用过的反应气体和副产品气体一起排出处理区域2所导致的等离子体泄漏，或与现有技术采用相等孔径通孔的等离子约束装置相比，在保证等同的气体流量的情况下，具有较小的等离子体泄漏。

如图4并结合图5所示，为本实用新型等离子约束装置的另一种实施例。等离子约束装置的环形本体8包含相互间隔设置并形成任意多个环形槽86a、86b、86c的若干个同心环85。该若干个同心环85围绕下电极基座12c设置，竖直地相互间隔开，相邻的环与环之间形成环形槽。与现有技术不同，本实施例说明了一种经过优化的、具有变深宽比和变通道宽的等离子体约束装置。环形本体8沿其径向由中心向外依次分为三个区域：内径区域81、中间区域82和外径区域83。环形本体8的内径与下电极12b的基座12c的外周围40紧贴设置，同时该等离子密封环的外径与反应腔11的内侧壁11a紧贴设置，等离子密封环使反应腔11内处理区域2与排气区域7密封分隔。

设置在内径区域81内的同心环85所形成的环形槽86c的宽度大于设置在中间区域82内的同心环85所形成的环形槽86b的宽度，等离子约束装置的内径区域81内所形成的环形槽86c的深宽比小于中间区域82内所形成的环形槽86b的深宽比。

设置在外径区域83内的同心环85所形成的环形槽86a的宽度大于设置在中间区域82内的同心环85所形成的环形槽86b的宽度，等离子约束装置的外径区域83内所形成的环形槽86a的深宽比小于中间区域82内所形成的环形槽86b的深宽比。

上述的每一环形槽的深宽比是指：环形槽在竖直方向的高度或深度与相邻两个环之间形成的通道沿径向方向的宽度之间的比值。为了不影响等离子体约束装置整体的约束效果，优选地，每一个环形槽的深宽比至少为5:1，具有这种深宽比的环形槽能使从处理区域2内离开的来自等离子体的带电粒子在离开此环形槽时，必须移动的距离大于该带电粒子的平均自由程，使得从处理区域中排出的用过的反应气体及副产品气体中的绝大部分带电粒子在通过这些环形槽86a、86b、86c时至少要与这些环形槽的侧壁碰撞一次，这些碰撞将带电粒子上的电荷中和，使得碰撞后离开环形槽的粒子都是中性的。结果是，使得在处理区以外的带电粒子数被大大减少，排出的气体不会使等离子体的放电延伸到处理区外的空间，处理区外的放电的趋势将大大减少，从而基本上消除空间以外的放电现象。

同时根据反应腔11内边界效应的影响，等离子体约束装置上其中间区域82所在处等离子体的分布密度高，而内径区域81和外径区域83所在处的等离子体分布密度低，即等离子密封环上中间区域82内通孔84所在区域等离子体浓度较高，而等离子密封环上内径区域81和外径区域83内通孔84所在区域等离子体浓度较低。所以本实施例中增大设置在内径区域81和外径区域83内环形槽的宽度，而不增大中间区域82内环形槽的宽度，或者采用减小中间区域82内环形槽的宽度。实现高的排气效率，但仍然能将等离子体约束住。经过这种优化，不仅能有效地将等离子体放电约束在处理区内，而且可以使用过的反应气体和副产品气体能快速地离开处理腔室。

根据本实用新型的构思和精神，应当理解，为了进一步优化本实用新型的实施效果，不同区域内形成的每一个环形槽的深度也可以设置成不一样的。通过改变深度来调节深宽比和/或通道宽度，来实现更佳的等离子体约束和排气能力。

应当说明的是，本实施例中影响气体流量和有效约束等离子体的因素主要在于环形槽宽度的变化，深宽比的影响较小。

在本实用新型的具体实施方式中，等离子体约束装置可以选用具有导电性的金属制成（例如铝、不锈钢、钨等）。优选地，等离子体约束装置由铝制成，还可以对其表面进行阳极化处理。阳极化处理是一种电解操作，该处理可以使金属表面形成一层氧化保护层。阳极化处理可用于多种目的，包括在金属表面形成坚硬的覆层，或者令金属具有电气绝缘性，并且使金属抗腐蚀。

更进一步地，在本实用新型的其它实施中，等离子体约束装置中的若干个环朝向处理区域或接触到等离子体的表面区域可以首先进行阳极化处理，随后再涂覆一层防止等离子体腐蚀的物质，比如：涂覆一种Y2O3材料,以进一步防止等离子体腐蚀。

作为本实用新型的一种具体的实施方式，本实用新型等离子体约束装置在等离子体处理过程中电接地。

当然，作为上述实施例的变形，所述等离子体约束装置在等离子体处理过程中也可以被设置成相对于大地是电悬浮的或浮地(electrically floated from the ground)的。这种架构会带来更多的优势。因为，通过使等离子体约束装置浮地，在等离子体处理装置处理过程中，等离子体约束装置上的电势与处理区域内的等离子体的电势大致上相等或为等电势，这种设置可以使得处理装置在处理的过程中，尽可能地减少用过的反应气体及副产品气体中或等离子体中的带电粒子加速冲向等离子体约束装置并在等离子体约束装置的表面产生溅射或碰撞，从而减少由此溅射或碰撞而产生的污染。

在本实用新型的另一种具体实施方式中，等离子体约束装置可以选用电介质材料（比如，石英材料或碳化硅或氮化硅(Si3N4)）制成。优选地，等离子体约束装置由石英圆环组成。

在具体加工等离子体约束装置的过程中，可以提供一块圆环板，在该板上开设有同心的环形槽，并且使通道的宽度和深宽比以前述描述设置；或者，也可以提供具有若干事先加工成形的环，将这些环以一定方式组装连接成所需等离子体约束装置。

根据本实用新型的实用新型构思，本实用新型还提供一种等离子体处理装置。该处理装置包括一反应腔11、设置于所述反应腔11内的一对相互平行设置的上电极12a和下电极12b、以及等离子体约束装置。上电极12a与下电极12b之间构成一处理区域2。所述等离子体约束装置设置于该处理区域2的外侧。等离子体约束装置实施方式可以采用上述的各种实施方式。

本实用新型所述的等离子体处理装置包括用于制造半导体芯片、平面显示器或者液晶显示器的使用等离子体处理半导体基片的各种设备，例如，等离子体处理的沉积设备、等离子体蚀刻设备等。

尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本实用新型的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (12)

1.一种等离子体约束装置，其设置于等离子体处理装置（1）的处理区域（2）和排气区域（7）之间，所述的等离子体约束装置包含环形本体（8），该环形本体（8）上设有若干导气通道；其特征在于，所述的环形本体（8）沿其径向由内向外依次分为内径区域（81）、中间区域（82）和外径区域（83）；分布在所述环形本体内径区域（81）的导气通道的开口大小大于分布在所述中间区域（82）的导气通道的开口大小，分布在所述外径区域（83）的导气通道的开口大小大于分布在所述中间区域（82）的导气通道的开口大小。

2.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，所述的环形本体（8）为一等离子密封环，其上设有若干导气通道，该导气通道为若干通孔（84）；分布在所述等离子密封环内径区域（81）的通孔（84）的直径大于分布在所述中间区域（82）的通孔（84）的直径，分布在所述外径区域（83）的通孔（84）的直径大于分布在所述中间区域（82）的通孔（84）的直径。

3.如权利要求2所述的等离子体约束装置，其特征在于，所述等离子约束装置设置于所述等离子体处理装置（1）的下电极基座（12c）和反应腔的内侧壁（11a）之间，若干个所述的通孔（84）沿水平方向相互平行间隔设置。

4.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，所述的环形本体（8）包含相互间隔设置并形成若干个环形槽的若干个同心环（85），其导气通道为所述环形槽；所述内径区域（81）中所形成的若干环形槽（86c）的宽度大于中间区域（82）中所形成的若干环形槽（86b）的宽度；所述外径区域（83）中所形成的若干环形槽（86a）的宽度大于中间区域（82）中所形成的若干环形槽（86b）的宽度。

5.如权利要求4所述的等离子体约束装置，其特征在于，所述的等离子约束装置设置于所述等离子体处理装置的下电极基座（12c）和反应腔的内侧壁（11a）之间，所述若干个同心环（85）围绕该下电极基座（12c）设置，并沿水平方向相互间隔形成平行的环形槽。

6.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，所述环形本体采用金属材料制成。

7.如权利要求1或6所述的等离子体约束装置，其特征在于，所述环形本体至少在接触或靠近等离子体处理装置内的等离子体的表面涂覆有可以抵抗所述处理区域内产生的等离子体腐蚀的材料。

8.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，所述等离子体约束装置在等离子体处理过程中电接地。

9.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，所述等离子体约束装置在等离子体处理过程中电浮地。

10.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，所述环形本体采用石英材料或碳化硅或氮化硅制成。

11.一种等离子体处理装置，其包含：

反应腔（11）；

一对相互平行设置的上电极（12a）和下电极（12b），设置于所述反应腔（11）内，所述上电极（12a）与下电极（12b）之间构成一处理区域（2）；

等离子体约束装置，其设置于等离子体处理装置的处理区域（2）的外侧，所述等离子约束装置包含环形本体（8），该环形本体（8）上设有若干导气通道；其特征在于，所述的环形本体（8）沿其径向由内径向外径依次分为内径区域（81）、中间区域（82）和外径区域（83）；分布在所述环形本体内径区域（81）的导气通道的开口大小大于分布在所述中间区域（82）的导气通道的开口大小，分布在所述外径区域（83）的导气通道的开口大小大于分布在所述中间区域（82）的导气通道的开口大小。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子约束装置设置于所述等离子体处理装置的下电极基座（12c）和反应腔的内侧壁（11a）之间，若干个所述的导气通道沿水平方向相互间平行且间隔设置。

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