CN100378923C - 磁控等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

磁控等离子体处理装置具有介入处理空间(S)和排气口(11)之间的挡板(10)，以便在处理室(1)内把等离子体封闭在处理空间(S)内，挡板(10)具有连通处理空间(S)和排气口(11)的多个贯通孔(10b)。挡板(10)沿着挡板(10)存在位置的磁场的磁力线配置。

Description

磁控等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及对半导体晶片等的被处理基板施以磁控蚀刻等的半导体处理的磁控等离子体处理装置。在这里，所谓半导体处理意味着为了通过以预定的图形在半导体晶片或LCD基板等被处理基板上形成半导体层、绝缘层、导电层等，在该被处理基板上制造包含半导体器件或与半导体器件连接的配线、电极等构造物而实施的种种处理。

背景技术

近年来，在较低压力环境气氛下生成高密度等离子体并进行微细加工的蚀刻的磁控等离子体蚀刻装置正在实用化。在该装置中形成RF(高频)电场(即，电场方向为垂直方向)，以便使电力线呈直角贯通半导体晶片。在本说明书，所谓「垂直方向」指重力方向。此外，在处理空间内通过永久磁铁形成磁场(即磁场方向为水平方向)，以便磁力线相对电力线正交。通过该正交电磁场产生伴随电子的漂移运动的磁控放电，进行极高效率的蚀刻。

磁控等离子体装置用磁铁的一例是偶极环形磁铁。偶极环形磁铁具有在处理室周围环状配置的多个各向异性柱状磁铁块(segment)。这些磁铁块的磁化方向稍微有点移位，作为全体形成均匀的水平磁场。

磁控等离子体装置用磁铁的其它例是多极(multi-pole)环形磁铁。多极环形磁铁具有环状且N及S磁极交替地邻接地配置的多个磁铁块，以便包围晶片。多极环形磁铁在晶片上面不形成磁场，而形成多极磁场以便包围晶片周围。上述的偶极磁场和多极磁场根据工艺过程选择使用。

不限于磁控等离子体蚀刻装置，在等离子体处理装置有必要防止等离子体到达处理室内下部产生异常放电。因此在载置晶片的载置台和处理室壁之间，在晶片下方位置上设置圆环状挡板，遮断等离子体。换言之，挡板介入在处理空间和排气口之间，以便使等离子体封入处理空间内。挡板具有连通处理空间和排气口的多个贯通孔。

可是，如后述所示，根据本发明者们的研究，在现有技术的磁控等离子体蚀刻装置上，发现向如上述所示配设的挡板下方的等离子泄漏或异常放电。

发明内容

本发明的目的是防止在磁控等离子体处理装置中等离子体向挡板下方的泄漏或异常放电。

本发明的第1视点是磁控等离子体处理装置，具备如下配置，即，收容被处理基板的气密的处理室，

把处理气体供给前述处理室内的气体供给系统，

在对前述处理室内进行排气的同时，将前述处理室内设定为真空的排气系统，前述排气系统具有在前述处理室下部形成的排气口，

在前述处理室内夹持比前述排气口更上侧上规定的处理空间而相互对置的上部及下部电极，前述下部电极作为用于载置前述被处理基板的载置台发挥功能，

在前述上部及下部电极之间施加功率并在前述处理空间内激励前述处理气体，形成转化为等离子体的电场的电场形成系统，

形成其中心磁力线指向前述处理室的径向的磁场的磁场形成系统，

介入在前述处理空间和前述排气口之间以便在前述处理室空间内关闭前述等离子体的挡板，前述挡板具有连通前述处理空间和前述排气口的多个贯通孔，前述档板沿着前述挡板存在位置的前述磁场的磁力线配置，所述贯通孔形成为相对所述挡板的表面和背面呈直角。

本发明的第2视点是磁控等离子体处理装置，具备如下配置，即，

收容被处理基板的气密的处理室，

把处理气体供给前述处理室内的气体供给系统，

在对前述处理室内进行排气的同时，将前述处理室内设定为真空的排气系统，前述排气系统具有在前述处理室下部形成的排气口，

在前述处理室内夹持比前述排气口更上侧上规定的处理空间而相互对置的上部及下部电极，前述下部电极作为用于载置前述被处理基板的载置台发挥功能，

在前述上部及下部电极之间施加功率并在前述处理空间内激励前述处理气体，形成转化为等离子体的电场的电场形成系统，

形成中心磁力线指向前述处理室的径向的磁场的磁场形成系统，

在前述处理空间和前述排气口之间介入挡板，以便在前述处理室空间内关闭前述等离子体，前述挡板具有连通前述处理空间和前述排气口的多个贯通孔，前述贯通孔相对前述挡板表面倾斜配置，以便对前述挡板存在位置的前述磁场的磁力线实质上成为直角。

本发明的第3视点是同装置的处理室及装置台上安装的挡板，以便介入磁控等离子体处理装置的处理空间和排气口之间，具备如下配置，即，

具有沿着安装前述挡板的位置的磁场的磁力线倾斜的截头圆锥形状的主体，前述主体具有连通前述处理空间和前述排气口的多个贯通孔，

在前述处理室上安装前述主体的外侧安装部，

在前述载置台上安装前述主体的内侧安装部。

本发明的第4视点是同装置的处理室及装置台上安装的挡板，以便介入磁控等离子体处理装置的处理空间和排气口之间，具有

平坦圆板主体，前述主体具有连通前述处理空间和前述排气口的多个贯通孔，前述贯通孔对前述主体表面倾斜配置，以便对前述挡板存在位置的前述磁场的磁力线实质上呈直角，

在前述处理室上安装前述主体的外侧安装部，

在前述载置台上安装前述主体的内侧安装部。

附图说明

图1是示出本发明的第1实施方式的、配备偶极环状磁铁的磁控RIE等离子体蚀刻装置截面图。

图2是示意地示出图1所示装置的偶极环状磁铁的水平截面图。

图3是示用于说明图1所示装置的处理室内形成的电场及磁场的示意图。

图4是局部切取图1装置的挡板的立体图。

图5是示出图1装置的挡板一部分的平面图。

图6是放大示出图1装置的挡板安装状态的截面图。

图7A是示出第1实施方式的挡板和磁力线之间关系的示意图。

图7B是示出现有技术的挡板和磁力线之间关系的示意图。

图8A是示出磁场方向的模拟结果与现有技术的挡板之间关系的图。

图8B是示出磁场方向的模拟结果与第1实施方式的挡板之间关系的图。

图9是示出第2实施方式的磁控RIE磁控蚀刻装置的挡板和磁力线之间关系的示意图。

图10是示意地示出多极环形磁铁的水平截面图。

具体实施方式

本发明者等对于在本发明的过程中，在处理空间和排气口之间配设挡板的现有技术的磁控等离子体蚀刻装置进行研究，其结果得到以下所述的观点。

在以磁控等离子体蚀刻装置为代表的磁控等离子体处理装置中，由于挡板配设在比通常晶片载置位置更下方，磁场的磁力线相对挡板倾斜地通过。由于电子沿磁力线作螺旋运动，所以挡板的贯通孔和磁力线之间构成的角度越小，则电子越容易通过贯通孔。因此，认为在现有技术的磁控等离子体处理装置中挡板不能充分地遮断等离子体，从而产生等离子体向挡板下方泄漏或产生异常放电。

以下，参照附图对根据这样的观点构成的本发明的实施方式加以说明。在以下的说明中，对于具有大体相同功能及构成的结构元件，附加同一符号，只在必要的情况下进行重复说明。

图1是示出本发明第1实施方式的、设置有偶极环形磁铁的磁控RIE等离子体蚀刻装置的截面图。该蚀刻装置具有气密的处理室(处理容器)1。处理室1构成由小直径上部1a和大直径下部1b形成的台阶状圆筒形。处理室1表面例如由经氧化铝膜处理过的铝构成，接地。

在处理室1内配设用于水平地支持作为被处理体基板的晶片W的载置台2。载置台2也作为下部电极发挥功能。载置台2具有例如由铝构成磁芯构件2a、覆盖磁芯构件2a侧部及底部的绝缘构件3、和由支持磁芯构件2a及绝缘构件3的导体构成的支持基体4。如图6所示，绝缘构件3分成构件3a、3b、3c。

在载置台2的上面配设用于静电吸附晶片W进行保持的静电吸盘6。静电吸盘6由绝缘体构成，在其中配设电极6a。直流电源16与电极6a连接，通过从直流电源16施加电压，由静电力，例如，库仑力吸附晶片W。在载置台2上的静电吸盘6的周围配设聚集环5。被静电吸盘6吸附的晶片W的上面和聚焦环5的上面作成一致。

在载置台2的磁芯构件2a的内部形成冷媒室17。冷媒经冷媒导入管17a导入冷媒室17的同时，从冷媒排出管17b排出进行循环。从冷媒带来的冷热经载置台2对晶片W进行传热，据此控制晶片W的处理面在所希望的温度。热传递气体，例如，He气，通过气体导入机构18经气体供给管19导入到静电吸盘6表面和晶片W背面之间。据此，即使通过排气系统12对处理室1排气并保持在真空下，维持在静电吸盘6和晶片W之间的热传导，在冷媒室17通过循环的冷媒可有效地冷却晶片W。

载置台2可通过包含滚珠丝杠7的滚珠丝杠机构升降。支持基体4的下方的驱动部分被不锈钢(SUS)制的波纹管8复盖。在波纹管8的外侧配设波纹管盖9。

在载置台2和处理室1内壁之间晶片W的下方位置上，配设截头圆锥形状挡板10。挡板10安装在载置台2外周的安装构件24及处理室1上，经处理室1接地。对于挡板10在后详述。

在处理室1下部1b的侧壁上形成排气孔11，排气孔11连接排气系统12。通过使排气系统12的真空泵工作，对排气室1内排气，可以减压直到预定的真空度。另一方面，在处理室1下部1b的侧壁上侧配设开闭半导体晶片的搬入搬出口的闸阀13。

经匹配器14，等离子体形成用RF(高频)电源15与载置台2连接。从RF电源15来的13.56MHz以上的预定频率(例如，13.56MHz或者40MHz)的RF功率供给至载置台2。另一方面，与载置台2对置，与载置台2平行地配设喷淋器20。喷淋器20作为上部电极发挥功能，接地。作为下部电极发挥功能的载置台2以及作为上部电极发挥功能的喷淋器20构成一对平行平板电极。

喷淋器20形成为处理室1的顶壁部份。在喷淋器20内部形成喷头空间21。在喷淋器20下面形成与喷头空间21连通的多个气体喷出孔22。在喷淋器20上部形成与喷头空间21连通的气体导入部20a。经气体供给配管23a，供给预定处理气体的处理气体供给系统23与气体导入部20a连接。

从处理气体供给系统23来的处理气体经气体供给配管23a，气体导入部20a供给到喷淋器20的喷头空间21。而且，处理气体从气体喷出孔22向处理室1内均匀地喷出。作为从处理气体供给系统23供给的处理气体可以使用卤素气体，Ar气，O₂气等通常在该领域内用的气体。

在处理室1的上部1a的周围上水平地配置偶极环形磁铁30，以便磁场中心磁力线来到比挡板10更上部，例如使中心磁力线与载置台2上的晶片W上面一致。偶极环形磁铁30通过旋转机构35在水平面内旋转。

图2是示意地示出偶极环形磁铁30的水平截面图。偶极环形磁铁30，如图2所示，在环状磁性体的外壳32上安装多个各向异性柱状磁铁块31构成。在该例中，作成圆柱状的16个各向异性柱状磁铁块(segment)31呈环状配置。图2中，磁铁块31中所示的箭头方向示出磁化方向。如图2所示，磁铁块31的磁化方向稍微偏移，作为整体在晶片W上形成向着一个方向均匀的水平磁场B。

图3是用于说明在处理室1内形成的电场及磁场的示意图。如图3所示，在载置台2和喷淋器20之间的处理空间S内通过由RF电源15施加到载置台2的RF功率形成垂直方向的RF电场E。此外，在处理空间S内通过偶极环形磁铁30在晶片W上形成水平磁场B。通过这样形成的正交电磁场进行磁控放电，据此形成高能量状态的蚀刻气体的等离子体，蚀刻晶片W上的预定的膜。

其次，详细说明挡板10。图4是示出局部切取挡板10的立体图。图5是示出挡板10一部分的平面图。图6是放大示出挡板10安装状态的截面图。

为了提高金属例如铝耐等离子体的腐蚀性，挡板10喷镀陶瓷，例如，氧化铝来形成。挡板10在中央具有插入载置台的圆形孔的同时，在其面上具有包含作成圆形的多个气体通过孔(贯通孔)10b的截头圆锥形状主体10a。在主体10a外周部上形成外侧安装部10c，它插入到处理室1的安装部1c的缺口部1d(参照图6)，进行安装。在主体10a的内周部上形成内侧安装部10d，它安装在载置台2周围的安装构件24上。

外侧安装部10c具有螺栓插入孔10e。外侧安装部10c和处理室安装部1c通过从处理室1上部插入的多个螺栓25安装。另一方面，内侧安装部10d具有螺栓插入孔10f。内侧安装部10d和安装构件24通过螺栓26安装。

如上述所示，由于挡板10的主体10a作成截头圆锥形状，所以在垂直截面上从中央侧向端部侧向上倾斜θ角度。这种情况下，如图7A所示，设定角度θ以便与在挡板10存在位置的磁场倾斜角(通过挡板10的磁力线倾斜角)大体相同，例如角度θ设定在10～45度。

决定气体通过孔10b的直径及长宽比以使等离子体极难通过且可以确保充分排气的传导。例如设定直径1.7mm，高度3mm(即挡板10的厚度)。气体通过孔10b的形状不限于圆形，也可以是椭圆形，隙缝形。

换言之，挡板10介入处理空间S和排气孔11之间，以便使等离子体封闭在处理空间S内。挡板10沿其存在位置的磁场的磁力线配置。挡板10具有连通处理空间S和排气孔11的多个气体通过孔(贯通孔)10b。如图6所示，气体通过孔10b形成为相对挡板10的表背面实质上呈直角。因此，气体通过10b配置为相对挡板10的存在位置的磁场的磁力线实质上呈直角。

其次，说明这样构成的磁控RIE等离子体蚀刻装置的动作。

首先，打开闸阀13，把晶片W搬入处理室1内，在载置台2上载置。其次，从直流电源16把预定电压施加到静电吸盘6的电极6a上，通过库仑力吸附保持晶片W在静电吸盘6上。其次，使载置台2上升直到图1图示的位置，通过排气系统12的真空泵经排气口11对处理室1内进行排气。

其次，边对处理室1内排气，边从处理体供给系统23把蚀刻用的预定处理气体导入处理室1内，保持处理室内的压力例如在1.33～13.3Pa左右。从RF电源15供给载置台2大于等于13.56MHz的预定RF功率。据此，在作为上部电极的喷淋器20和作为下部电极的载置台2之间形成RF电场。

其际，在晶片W上，通过偶极环形磁铁30形成水平磁场B。因此，在晶片W存在的电极间的处理空间S内形成正交电磁场，通过据此产生的电子漂移(drift)发生磁控放电。因此，通过由该磁控放电形成的蚀刻气体的等离子体对晶片W的预定膜进行蚀刻。

图7A是示出第1实施方式的挡板和磁力线之间关系的示意图。图7B是示出现有技术的挡板和磁力线之间关系的示意图。如图7A及图7B所示，向着通过偶极环形磁铁30形成的方向的水平磁场在从垂直截面看的情况下，在晶片W上面磁力线方向成为水平方向。可是，该水平磁场随着从晶片向垂直方向远离，垂直成分增加。

在这样的状况，如现有技术所示，水平配置的挡板10C的情况下，挡板10C和磁力线MFL之间的关系成为如图7B所示。即，挡板10是平坦圆板状，与磁力线MFL方向无关地水平配置。挡板的贯通孔10Cb形成为相对挡板10c的表背面实质上形成直角。

因此，在图7B所示的状态，磁力线MFL相对挡板10C倾斜地通过，在挡板10C的存在位置，较多地存在磁场的垂直成分。由于电子沿着磁力线MFL作螺旋运动，所以挡板的贯通孔10Cb和磁力线MFL之间构成的角度越小，则电子越容易通过贯通孔10Cb。因此，在现有的磁控等离子体处理装置中，挡板10C不能充分地遮断等离子体，产生向挡板10C下方的等离子体泄漏或异常放电。

与此相反，在第1实施方式的挡板10的情况下，挡板10和磁力线MFL之间的关系成为图7A所示。即：挡板10是截头圆锥体，沿磁力线MFL向径向外方上方倾斜配置。挡板的贯通孔10b形成为相对挡板10实质上形成直角。

因此，在图7A所示的状态，磁力线MFL相对挡板10平行地通过，在挡板10的存在位置，几乎不存在磁场的垂直成分。因此，沿磁力线MFL作螺旋运动的电子难以通过在挡板上形成的贯通孔10b，可以提高挡板的遮断效果。因此可以防止等离子体泄漏或异常放电。

由于挡板10是截头圆锥形，沿磁力线向径向外方向上倾斜配置，所以使那个部分挡板10的面积变大。因此在挡板10上与现有的平坦圆板状挡状10C比较，可以形成更多数目的气体通过孔(贯通孔)10b。据此，可以提高处理空间S和排气孔11之间的排气传导。

挡板10的倾斜角θ优选以与通过那里的磁力线垂直方向的倾斜角，即挡板10存在位置的磁场垂直方向的倾斜角大体相同的角度倾斜。据此成为实质上不存在磁场相对挡板10的垂直成分的状态，可以进一步提高等离子体的遮断效果。

其次，对通过磁场方向的模拟求出最佳挡板配置的结果加以说明。在这里，对于300mm晶片用装置，把晶片中心的磁通量密度设定在0.012T(120Gauss)。图8A是示出磁场方向的模拟结果和现有的挡板10C之间关系的图。图8B示出磁场方向的模拟结果和第1实施方式的挡板10之间关系的图。

图8A示出水平地配置挡板10C的情况，取晶片上面的垂直位置为Z＝0，厚度中心成为Z＝-50(mm)。可以看出，这种情况下，挡板10C存在位置的磁场的垂直成分较大，等离子体遮蔽效果小。与此相反，如图8B所示，可以看出，如果使挡板10的中央侧部分向下倾斜，使θ为23.85°，则大体与磁场的倾斜角度相同。

根据该结果，作成实际上具有这样倾斜角的截头圆锥形成的挡板，把它安装于装置内进行磁控等离子体试验。其结果确认，几手不发生等离子体泄漏，在挡板下方也几乎不发生异常放电。

图9是示出本发明第2实施方式的磁控RIE等离子体蚀刻装置的挡板和磁力线关系的示意图。该实施方式的装置的挡板以外部分是与前述实施方式的图1所示装置实质上是相同的。

即使在第2实施方式，挡板10X也介入处理空间S和排气口11(参照图1)之间，以便把等离子体封入处理空间S内。在挡板10X上形成连通处理空间S和排气口11的多个气体通过孔(贯通孔)10Xb。挡板10X实质上与图1所示的同一形态(通过外侧安装部10c及内侧安装部10d)安装在处理室1及载置台2上。为了提高对等离子体的承受性，对金属例如铝喷镀陶瓷例如氧化铝，形成挡板10X。

挡板10X是平坦圆板状，与其存在位置的磁场的磁力线无关地水平地配置。可是，气体通过孔(贯通孔)10Xb相对挡板10X的表背面倾斜地形成，以便在挡板10X的存在位置的磁场的磁力线实质上呈直角。因此，使沿着螺旋线作螺旋运动的电子难以通过在挡板上形成的贯通孔10Xb，可以提高等离子体遮断效果。因此，可以防止等离子体泄漏或异常放电。在这里，例如贯通孔10Xb相对挡板10X的表背面设定为例如45～80度的角度。

根据第2实施方式，挡板10X没有必要是水平的，气体通过孔(贯通孔)10Xb相对挡板10X存在位置的磁场的磁力线实质上直角倾斜地形成而成为重要部分。气体通过孔10Xb的形状不限于圆形，也可以是椭圆形，也可以是隙缝形。

本发明并不限于上述实施方式，各种变形是可能的。例如，作为磁场形成机构，不只是偶极环形磁铁，也可以用在晶片周围，即在处理室内壁附近形成磁场的多极环形磁铁。图10是示意地示出多极环形磁铁40的水平截面图。多极环形磁铁40具有以在处理室1的周围呈环状且N及S磁极交替地邻接(磁极的方向交替反转)的方式配置的多只磁铁块42。多极环状磁铁40形成多极磁场，其磁通密度在处理室1的内壁面上例如为0.02～0.2T(200～2000Gauss)程度，在晶片W的中心部分0.005T(5Gauss)程度。这种情况下，遵循图7A所示状态，可沿着晶片周围形成的多极磁场的磁力线配置挡板。代之以遵循图9所示的状态，可以形成挡板的气体通过孔，以便对多极磁场的磁力线呈直角倾斜。

在上述实施方式，使处理室呈圆筒状，载置台呈圆柱状，挡板呈截头圆锥形状或平坦圆板状作成。但是挡板可以作成适合于处理室及载置台形状的各种形状。

此外，在上述实施方式，以用于磁控等离子体蚀刻装置的例子，说明本发明。可是，本发明也可以用于其它等离子体处理。即，通过把处理气体从蚀刻用气体改变为众知的CVD用气体，也可以作成磁控等离子体CVD装置。通过配置靶，以便在处理室内与被处理基板相对，也可以作成磁控等离子体溅射装置。此外，作为被处理基板不仅可为半导体晶片，也可以是液晶显示器件(LCD)用基板等其它基板。

Claims (18)

1.一种磁控等离子体处理装置，具备以下配置，即

收容被处理体基板的气密的处理室；

把处理气体供给至所述处理室内的气体供给系统；

对所述处理室内进行排气并将所述处理室内设定为真空的排气系统，所述排气系统具有在所述处理室下部形成的排气口；

在所述处理室内，夹持比所述排气口更上侧上规定的处理空间而相互对置的上部及下部电极，所述下部电极作为用于载置所述被处理基板的载置台发挥功能；

在所述上部及下部电极间施加功率、在所述处理空间内激励所述处理气体并形成转化为等离子体电场的电场形成系统；

形成中心磁力线向着所述处理室的径向的磁场的磁场形成系统；

介入所述处理空间和所述排气口之间以便在所述处理空间内封入所述等离子体的挡板，所述挡板具有连通所述处理空间和所述排气口的多个贯通孔，所述挡板沿着所述挡板存在位置的所述磁场的磁力线配置，所述贯通孔形成为相对所述挡板的表面和背面呈直角。

2.根据权利要求1所述的装置，所述挡板在比所述中心磁力线更下侧且沿着所述挡板存在位置的磁场的磁力线向着径向外方向上倾斜配置。

3.根据权利要求1所述的装置，所述挡板具有截头圆锥形。

4.根据权利要求1所述的装置，所述贯通孔是圆形、椭圆形或隙缝形。

5.根据权利要求1所述的装置，所述磁场形成系统具有在所述处理室周围环状地配置多个各向异性磁铁块构成的偶极环状磁铁。

6.根据权利要求1所述的装置，所述磁场形成系统具有在所述处理室周围环状地且磁极方向交替地反转地配置多个磁铁块而构成的多极环形磁铁。

7.一种磁控等离子体处理装置，具备以下配置，即

收容被处理体基板的气密的处理室；

把处理气体供给至所述处理室内的气体供给系统；

对所述处理室内进行排气并将所述处理室内设定为真空的排气系统，所述排气系统具有在所述处理室下部形成的排气口；

在所述处理室内，夹持比所述排气口更上侧规定的处理空间而相互对置的上部及下部电极，所述下部电极作为用于载置所述被处理基板的载置台发挥功能；

在所述上部及下部电极间施加功率、在所述处理空间内激励所述处理气体并形成转化为等离子体的电场的电场形成系统；

形成中心磁力线向着所述处理室的径向的磁场的磁场形成系统；

介入所述处理空间和所述排气口之间以便在所述处理空间内封入所述等离子体的挡板，所述挡板具有连通所述处理空间和所述排气口的多个贯通孔，所述贯通孔相对所述挡板表面倾斜配置，以便相对所述挡板存在位置的磁场的磁力线实质上呈直角。

8.根据权利要求7所述的装置，所述挡板配置在比所述磁场的中心磁力线更下侧。

9.根据权利要求7所述的装置，所述挡板实质上水平地配置。

10.根据权利要求7所述的装置，所述贯通孔是圆形、椭圆形或隙缝形。

11.根据权利要求7所述的装置，所述磁场形成系统具备在所述处理室周围环状地配置多个各向异性磁铁块而构成的偶极环形磁铁。

12.根据权利要求7所述的装置，所述磁场形成系统具备在所述处理室周围环形地且磁极方向交替地反转地配置多个磁铁块而构成的多极环形磁铁。

13.一种挡板，安装在同装置的处理室及载置台上以便介入磁控等离子体处理装置的处理空间和排气口之间，具备以下配置，即：

具有沿所述挡板所安装的位置的磁场的磁力线倾斜的截头圆锥形状的主体，所述主体具有连通所述处理空间和所述排气口的多个贯通孔，

在所述处理室安装所述主体的外侧安装部，

在所述载置台安装所述主体的内侧安装部。

14.根据权利要求13所述的板，设定所述主体的倾斜角为10～45度。

15.根据权利要求13所述的板，所述贯通孔是圆形，椭圆形或隙缝形。

16.一种挡板，安装在同装置的处理室及载置台上以便介入磁控等离子体处理装置的处理空间和排气口之间，具备以下配置，即：

平坦圆板状主体，所述主体具有连通所述处理空间和所述排气口的多个贯通孔，所述贯通孔相对所述主体表面倾斜配置，以便对所述挡板的存在位置的所述磁场的磁力线实质上呈直角，

在所述处理室安装所述主体的外侧安装部，

在所述载置台安装所述主体的内侧安装部。

17.根据权利16所述的板，设定所述贯通孔相对所述主体的表面的倾斜角为45～80度。

18.根据权利16所述的板，所述贯通孔是圆形、椭圆形或隙缝形。

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