JP6394400B2 - 表面処理装置およびウエハの表面処理方法 - Google Patents
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Description
ウエハの他面が搭載面に対向するようにウエハをサセプタに搭載し、サセプタからの伝導熱によりウエハを温度調節した状態で、ウエハの一面側にアッシングまたはエッチング用のガス媒体を接触させることにより、ウエハの一面側をガス媒体により表面処理する表面処理装置であって、さらに、以下の特徴点を有するものである。
本発明の第1実施形態にかかる表面処理装置について、図1〜図3を参照して述べる。本実施形態では、表面処理装置を枚葉式アッシング装置に適用したものとして説明することとする。
本発明の第2実施形態について、図4を参照して述べる。本実施形態は、サセプタ20の搭載面21における溝22の配置パターンを変更したものである。上記第1実施形態では、上記図3に示したように、溝22は格子状に配置されたパターンであったが、本実施形態のように、図4に示される配置パターンでもよい。
なお、表面処理としては、ウエハをサセプタに搭載し、ガス媒体によりウエハを表面処理するものであれば、上記したアッシングに限定されるものではない。たとえば、ガス媒体によりウエハ100の一面101、他面102を同時にエッチングするエッチングするものであってもよい。上記実施形態におけるアッシング装置、アッシング方法は、エッチング用のガス媒体を用いることにより、エッチング装置、エッチング方法としても適用することが可能である。
21 サセプタの搭載面
21a 搭載面におけるウエハの投影領域
22 溝
100 ウエハ
101 ウエハの一面
102 ウエハの他面
Claims (4)
- 一面(101)と他面(102)とが表裏の関係にあり該一面側に凸となるように反っているウエハ(100)を用い、前記ウエハが搭載される搭載面(21)を有するサセプタ(20)を備え、
前記ウエハの前記他面が前記搭載面に対向するように前記ウエハを前記サセプタに搭載し、前記サセプタからの伝導熱により前記ウエハを温度調節した状態で、前記ウエハの前記一面側にアッシングまたはエッチング用のガス媒体を接触させることにより、前記ウエハの前記一面側を前記ガス媒体により表面処理する表面処理装置であって、
前記搭載面のうちの前記ウエハの投影領域(21a)には、当該投影領域から前記ウエハの外郭の外側まで延びる溝(22)が形成されており、
前記一面側に凸となるように反っている前記ウエハを、凹面とされた前記他面と前記搭載面との間に前記ウエハの反りによる隙間が形成されるように前記外郭にて前記搭載面と接触した状態で、前記他面を前記搭載面に対向させつつ前記サセプタに搭載して、前記ガス媒体を、前記ウエハの前記外郭の外側から前記溝を介して前記ウエハの前記他面側に入り込ませて前記ウエハの前記他面と前記サセプタの前記搭載面との間に形成された前記隙間に拡がらせることで、前記ウエハの前記一面とともに前記他面も前記ガス媒体により表面処理されるようにしたことを特徴とする表面処理装置。 - 前記溝は、第1の方向に延びる複数本の溝と、第1の方向と直交する第2の方向に延びる複数本の溝とにより、格子状に配置されたパターンを構成するものであることを特徴とする請求項1に記載の表面処理装置。
- 前記溝は、前記搭載面のうちの前記ウエハの投影領域の中央部から周辺部に向かって配置された複数の同心円状の溝と、当該投影領域の中央部から周辺部に向かって放射状に延びる複数の溝とよりなり、当該複数の同心円状の溝が当該放射状に延びる複数の溝により接続されたものであることを特徴とする請求項1に記載の表面処理装置。
- 一面(101)と他面(102)とが表裏の関係にあり該一面側に凸となるように反っているウエハ(100)を用い、前記ウエハが搭載される搭載面(21)を有するサセプタ(20)を備え、アッシングまたはエッチング用のガス媒体を前記ウエハに接触させて前記ウエハの表面処理を行う表面処理装置を用いたウエハの表面処理方法であって、
前記ウエハの表面処理工程は、前記ウエハの前記他面が前記搭載面に対向するように前記ウエハを前記サセプタに搭載し、前記サセプタからの伝導熱により前記ウエハを温度調節した状態で、前記ウエハの前記一面側に前記ガス媒体を接触させることにより、前記ウエハの前記一面側を前記ガス媒体により表面処理するものであり、
さらに前記ウエハの表面処理工程では、前記サセプタとして、前記搭載面のうちの前記ウエハの投影領域(21a)に、当該投影領域から前記ウエハの外郭の外側まで延びる溝(22)が形成されたものを用い、前記一面側に凸となるように反っている前記ウエハを、凹面とされた前記他面と前記搭載面との間に前記ウエハの反りによる隙間が形成されるように前記外郭にて前記搭載面と接触した状態で、前記他面を前記搭載面に対向させつつ前記サセプタに搭載して、前記ガス媒体を、前記ウエハの前記外郭の外側から前記溝を介して前記ウエハの他面側に入り込ませて前記ウエハの前記他面と前記サセプタの前記搭載面との間に形成された前記隙間に拡がらせることで、前記ウエハの前記一面とともに前記他面も前記ガス媒体により表面処理されるようにしたことを特徴とするウエハの表面処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015004133A JP6394400B2 (ja) | 2015-01-13 | 2015-01-13 | 表面処理装置およびウエハの表面処理方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2016131181A JP2016131181A (ja) | 2016-07-21 |
JP6394400B2 true JP6394400B2 (ja) | 2018-09-26 |
Family
ID=56414823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2015004133A Active JP6394400B2 (ja) | 2015-01-13 | 2015-01-13 | 表面処理装置およびウエハの表面処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6394400B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1032233A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Seiko Epson Corp | シリコンウェーハ、ガラスウェーハ及びそれを用いたストレス測定方法 |
JP2002057209A (ja) * | 2000-06-01 | 2002-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式処理装置および枚葉式処理方法 |
US6634882B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-10-21 | Asm America, Inc. | Susceptor pocket profile to improve process performance |
JP2008198739A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造、これを用いた処理装置及びこの装置の使用方法 |
JP4836900B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2011-12-14 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 基板保持機構及びこの基板保持機構を用いる半導体装置の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016131181A (ja) | 2016-07-21 |
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