KR101167692B1 - 웨이퍼 안착 장치 제조방법 - Google Patents

웨이퍼 안착 장치 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101167692B1
KR101167692B1 KR1020110082153A KR20110082153A KR101167692B1 KR 101167692 B1 KR101167692 B1 KR 101167692B1 KR 1020110082153 A KR1020110082153 A KR 1020110082153A KR 20110082153 A KR20110082153 A KR 20110082153A KR 101167692 B1 KR101167692 B1 KR 101167692B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass
vacuum
glass substrate
chuck
hole
Prior art date
Application number
KR1020110082153A
Other languages
English (en)
Inventor
조재승
김정호
유승민
윤혜진
육나라
Original Assignee
주식회사 비티엔아이티솔루션스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 비티엔아이티솔루션스 filed Critical 주식회사 비티엔아이티솔루션스
Priority to KR1020110082153A priority Critical patent/KR101167692B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101167692B1 publication Critical patent/KR101167692B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Abstract

본 발명은 웨이퍼 안착 장치를 제공한다. 상기 웨이퍼 안착 장치는 유리로 형성되며, 서로 분리 가능하고, 상단에 안착되는 웨이퍼를 흡착하기 위한 진공이 형성되는 다수의 진공홀을 갖는 안착부; 및 상단에 상기 안착부가 안착되며, 상기 다수의 진공홀로 진공 흡입력을 제공하는 진공 제공부를 구비한다. 또한, 본 발명은 상기 웨이퍼 안착 장치의 제조 방법도 제공한다.

Description

웨이퍼 안착 장치 제조방법{PREPARATION METHOD OF APPARATUS FOR RECEIVING WAFER}
본 발명은 웨이퍼 안착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 오염 물질의 발생을 억제하여 웨이퍼를 효율적으로 흡착할 수 있는 웨이퍼 안착 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 위에 물질막을 형성하는 증착공정, 패터닝 공정, 세정공정 등 여러 공정을 통해서 제조된다.
이러한 공정들을 통해서 웨이퍼 상에 형성된 각각의 칩들을 분할하고 패키징하여 반도체 소자가 제조된다.
이와 같이 제조되는 반도체 소자의 생산성을 증가시키기 위해서 웨이퍼를 사용하는데, 그 크기가 8인치~12인치 등의 크기의 웨이퍼를 사용하여 보다 많은 칩을 생산하고 있다.
여기서, 웨이퍼 로딩 단계를 거치는데 이 과정에서는, 웨이퍼를 프로세스 챔버 내부의 웨이퍼 받침대에 고정시켜야 한다.
고정 수단으로 진공을 통해서 웨이퍼 뒷면을 흡착하여 웨이퍼를 고정하는 진공척을 사용한다.
이와 관련된 종래의 배경 기술은 대한민국 등록 특허 제10-0718017호가 있으면, 상기 배경 기술에는 웨이퍼 또는 기판 등의 피지지물을 흡착지지 및 부상시키는 진공척이 개시된다.
상기와 같은 종래의 진공척은 세라믹이나 알루미늄으로 제작된다. 따라서, 일련의 반도체 제조 공정 시에 세라믹 또는 알루미늄으로 제작되는 진공척 상에서 오염 물질이 빈번하게 발생되고, 이로 인해 진공척에 안착되는 웨이퍼에 손상을 발생시키는 문제점을 갖는다.
또한, 진공척에 형성되는 진공홀들을 공정 상의 요구에 대응하여 홀의 형성 방향을 서로 다르게 형성하고자 하는 경우, 금형 틀 마련으로 인한 제작 상의 어려움이 따르는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 웨이퍼를 흡착하는 경우에 발생되는 파티클과 같은 오염 물질의 발생을 억제할 수 있는 웨이퍼 안착 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 오염 물질 발생 시에 클리닝을 용이하게 실시할 수 있는 웨이퍼 안착 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼 흡착을 위한 진공홀의 패턴을 다양한 형상으로 구현할 수 있는 웨이퍼 안착 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼를 흡착하기 위하여 양면을 선택적으로 사용할 수 있는 웨이퍼 안착 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼를 흡착하기 위한 진공홀을 미세하게 형성함으로써 웨이퍼 흡착력을 향상시키고, 흡착력 저감으로 인한 웨이퍼의 손상을 미연에 방지할 수 있는 웨이퍼 안착 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 받침대 상에 척을 안착시키고, 척 상에 웨이퍼를 진공 흡착시키는 경우에, 받침대와 척의 진공 흡착을 용이하게 하고, 웨이퍼 분리시 받침대와 척 사이의 정전기를 효율적으로 방지할 수 있는 웨이퍼 안착 장치를 제공함에 있다.
본 발명은 웨이퍼 안착 장치를 제공한다.
상기 웨이퍼 안착 장치는 유리로 형성되며, 서로 분리 가능하고, 상단에 안착되는 웨이퍼를 흡착하기 위한 진공이 형성되는 다수의 진공홀을 갖는 안착부; 및 상단에 상기 안착부가 안착되며, 상기 다수의 진공홀로 진공 흡입력을 제공하는 진공 제공부를 포함한다.
여기서, 상기 안착부는, 상기 진공 제공부의 상단에 안착되며, 상기 진공 제공부로부터 진공을 제공 받는 진공 제공홀이 형성되는 받침대와, 상기 받침대 상에 탈착 가능하도록 설치되며, 상기 진공 제공홀과 연결되는 상기 다수의 진공홀이 형성되는 척을 구비한다.
상기 받침대는, 중앙에 상기 진공 제공홀이 형성되는 원판 형상의 받침대 몸체와, 상기 받침대 몸체의 외측 둘레를 따라 상방으로 일정 높이를 이루도록 형성되는 외측 둘레 단턱과, 상기 외측 둘레 단턱에 에워 싸이고, 상기 진공 제공홀에 노출되는 중앙홈 부와, 상기 중앙홈의 상면부에 상부로 돌출 형성되며, 일정의 패턴 형상을 갖는 안착 돌기물을 구비하는 것이 바람직하다.
상기 척은, 상기 외측 둘레 단턱에 안착된다.
상기 척의 하단과 상기 중앙홈 부 사이의 공간은, 상기 다수의 진공홀과 연결되고, 상기 중앙홈 부의 테두리 모서리부에는, 안내홈이 더 형성되는 것이 바람직하다.
상기 척은 중앙을 경계로 양단이 휘어 굽은 형상을 이루고, 상기 진공홀은, 상기 척의 상단에서 하단을 따르는 직선홀 및 사선홀을 포함할 수 있다.
상기 유리는, 규산염유리, 붕산염유리 또는 감광성유리 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
본 발명은 웨이퍼 안착 장치의 제조 방법을 제공한다.
상기 웨이퍼 안착 장치의 제조 방법은 규산염유리, 붕산염유리 또는 감광성유리 중 어느 하나인 유리 기판을 준비하는 제 1단계와; 상기 유리 기판에 다수의 진공홀을 형성하는 제 2단계; 상기 유리 기판의 형상을 결정하는 제 3단계와; 상기 형상이 결정된 유리 기판을 일정 크기로 성형하여 척을 형성하는 제 4단계와; 규산염유리, 붕산염유리 또는 감광성유리 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 진공홀들과 연결되는 진공 제공홀을 갖고, 상기 척의 하단을 받치는 외측 둘레 단턱을 갖고, 상기 외측 둘레 내측에 상방으로 일정 패턴으로 돌출 형성되는 안착 돌기물을 갖는 받침대를 마련하는 제 5단계를 포함한다.
여기서, 상기 제 2단계는, 상기 유리 기판의 상면에 일정 두께의 포토 레지스트를 도포하고, 상기 유리 기판의 상부에 일정의 패턴홀을 이루는 마스크를 배치하고, 상기 패턴홀을 통해 상기 패턴홀에 상응하는 패턴이 형성되도록 상기 포토 레지스트를 노광하고, 상기 포토 레지스트에서 노광된 패턴을 통하여 유리 기판에 진공홀들이 형성되도록 식각하는 것이 바람직하다.
상기 제 3단계는, 상기 유리 기판의 형상을 굽어진 형상으로 변형 할지의 여부를 결정하고, 상기 변형이 결정되면, 일정 범위를 갖는 가열 온도 조건으로 상기 유리 기판을 열처리 하고, 상기 다수의 진공홀이 직선홀 및 사선홀을 포함하도록 상기 열처리되는 유리 기판의 양단을 벤딩하여 굽어진 형상으로 변형하여 형상을 결정하는 것이 바람직하다.
상기 제 4단계는, 상기 형상이 결정된 유리 기판을, 상기 진공홀이 포함되도록 일정 크기로 절단하여 척을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명은 웨이퍼를 흡착하는 경우에 발생되는 파티클과 같은 오염 물질의 발생을 억제할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 오염 물질 발생 시에 클리닝을 용이하게 실시할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 웨이퍼 흡착을 위한 진공홀의 패턴을 다양한 형상으로 구현할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 웨이퍼를 흡착하기 위하여 양면을 선택적으로 사용할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 웨이퍼를 흡착하기 위한 진공홀을 미세하게 형성함으로써 웨이퍼 흡착력을 향상시키고, 흡착력 저감으로 인한 웨이퍼의 손상을 미연에 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 안착 장치의 결합 전 상태를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 웨이퍼 안착 장치의 결합 전 상태를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 척을 보여주는 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따르는 척의 다른 예를 갖는 웨이퍼 안착 장치를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따르는 유리 기판이 준비되는 것을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 유리 기판 상에 포토레지스트가 도포된 것을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 유리 가판 상부에 마스크가 배치된 것을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 포토레지스트에 노광 공정이 진행된 것을 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 9의 유리 기판에 진공홀들이 형성된 것을 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 10의 유리 기판을 굽어진 형상으로 형성하는 것을 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 9의 굽어진 유리 기판에서 척을 형성하는 것을 보여주는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 웨이퍼 안착 장치를 설명한다.
도 1과 도 2는 본 발명의 웨이퍼 안착 장치를 보여 준다.
도 1 및 도 2를 참조 하면, 본 발명의 웨이퍼 안착 장치는 안착부(100)와, 진공 제공부(200)로 구성된다.
상기 안착부(100)는 웨이퍼가 안착되는 척(110)과, 받침대(120)로 구성된다.
도 3은 상기 척의 평면을 보여준다.
도 1 내지 도 3을 참조 하면, 상기 척(110)은 유리로 형성된다. 상기 척(110)은 원판 형상으로 형성된다.
상기 척(110)에는 상하를 관통하는 다수의 진공홀들(111)이 형성된다. 상기 다수의 진공홀(111)은 반도체 에칭 공정을 사용하여 형성할 수 있다. 이는 후술하기로 한다.
삭제
도 1 및 도 2를 참조 하면, 상기 받침대(120)는 상기 척(110)을 받치는 역할을 한다. 상기 받침대(120)는 유리로 형성된다.
상기 받침대(120)는 받침대 몸체(121)와, 외측 둘레 단턱(122)과, 중앙홈 부(123)와, 안착 돌기물(125)로 구성된다.
상기 받침대 몸체(121)는 원판 형상으로 형성된다. 상기 받침대 몸체(121)의 중앙부에는 상하를 관통하는 진공 제공홀(121a)이 형성된다. 상기 진공 제공홀(121a)은 하기의 중앙홈 부(123)와 연결된다.
상기 외측 둘레 단턱(122)은 상기 받침대 몸체(121)의 테두리를 따르고 상방으로 일정 높이를 이루도록 형성된다. 상기 외측 둘레 단턱(122)에 척(110)의 하단 테두리가 안착된다.
상기 중앙홈 부(123)는, 상기 외측 둘레 단턱(122)의 내측과 받침대 몸체(121)의 상면 사이에 형성된다.
상기 중앙홈 부(123)의 테두리 모서리부에는 안내홈(124)이 형성된다. 상기 안내홈(124)은 상기 중앙홈 부(123)의 테두리 모서리부에서 외측을 따라 일정 깊이를 이루고, 일정의 곡률을 이루어 형성된다.
여기서, 척(110)의 하단에는 상기 안내홈(124)과 맞물려 일정의 홈을 형성하는 보조 안내홈(110a)이 더 형성된다.
상기 안내홈(124)과 보조 안내홈(110a)은 진공이 중앙홈 부(123)로부터의 누설을 방지함과 아울러, 진공홀(111) 측으로 집중될 수 있도록 안내하는 역할을 할 수 있다.
상기 안착 돌기물(125)은 상기 중앙홈 부(123)의 상면부에서 상방으로 돌출되도록 형성된다. 상기 안착 돌기물(125)은 일정의 패턴을 이룬다.
상기 안착 돌기물(125) 사이에는 공기가 흐를 수 있는 유로가 형성된다.
상기 유로의 사이에는 진공 제공홀(121a)로 제공되는 진공이 형성된다.
상기 안착 돌기물(125)의 상면은 척(110)이 안착되도록 평평한 면을 이룬다.
여기서, 상기 받침대(125) 상에 척을 안착시키고, 척(110) 상에 웨이퍼(W)를 진공 흡착시키는 경우에, 상기 안착 돌기물(125)의 사이 유로를 통하여 형성되는 진공으로 인하여 받침대(120)와 척(110)의 진공 흡착이 용이하게 이루어질 수 있다.
또한, 웨이퍼(W) 분리시 받침대(120)와 척(110) 사이의 정전기를 효율적으로 방지할 수 있다.
또한, 상기 척(110)과 받침대는 규산염유리(소다석회유리, 납유리, 바륨유리, 붕규산유리, 알루미나규산유리, 리티아알루미나규산유리, 석영유리), 붕산염유리(납붕산유리, 알루미나붕산유리), 특수유리(각종 색유리, 젖빛유리, 자외선투과유리, 신종광학유리, 고유전율유리, 반도체유리, 감광성유리, 논브라우닝유리, 저융점유리) 중 어느 하나로 형성된다.
특히, 상기의 감광성유리를 사용할 경우 포토레지스트 도포 없이 바로 유리 위에 마스크를 올려놓고 노광을 하게 되면 패턴이 형성되게 되는데, 이는 포토레지스트의 공정 없이도 패턴 형성이 가능하기 때문에 전체적인 공정이 간단하게 이루어지게 되는 것이다.
도 1, 도 2를 참조 하면, 상기 진공 제공부(200)는 상기 진공 제공홀(121a)로 진공을 제공하는 진공 유로(a)가 형성되는 설치 몸체(210)로 형성된다.
상기 설치 몸체(210)는 상기 받침대(120)가 안착되는 제 1설치 몸체(211)와, 상기 제 1설치 몸체(211)와 연결되며, 외부의 진공 펌프(220)와 연결되는 제 2설치 몸체(212)로 구성된다.
한편, 본 발명에 따르는 척(110)에 형성되는 진공홀(112, 도 5 참조)은 서로 다른 방향을 따르도록 형성될 수도 있다.
도 5는 본 발명에 따르는 척의 다른 예를 보여준다.
도 5를 참조 하면, 척(110)에 형성되는 진공홀(112)은 직선홀(112a)과 사선홀(112b)을 포함한다.
상기 직선홀(112a)은 척(110)의 중앙부에서 상하를 관통하도록 형성된다.
상기 사선홀(112b)은 상기 척(110)의 중앙부를 경계로 대칭이 되도록 형성되며, 상기 척(110)의 상단에서 하단을 따라 벌어지도록 형성된다.
상기 사선홀(112b)의 기울어짐 정도는 하기에 기술될 척(110)의 제조 과정에서 후술하기로 한다.
따라서, 상기 진공홀(112)은 척(110)의 하부에서 진공을 유입하여 척(110)의 상단을 따라 진공이 집중되도록 할 수 있다. 척(110)의 상단에 안착되는 웨이퍼의 저면은 상기와 같이 집중되는 진공에 의하여 효율적으로 진공 흡착될 수 있다.
다음은, 도 6 내지 도 11을 참조 하여, 본 발명에 따르는 웨이퍼 안착 장치의 제조 과정을 설명한다.
본 발명에 따르는 웨이퍼 안착 장치는 척(110)을 제조하고, 받침대(120)를 제조함으로써 완성할 수 있다.
척의 제조 과정
도 6을 참조 하면, 규산염유리, 붕산염유리 또는 감광성유리 중 어느 하나인 유리 기판(110)을 준비한다(제 1단계). 여기서, 유리 기판은 척의 소재가 되기 때문에, 동일 부호를 명기하여 설명하도록 한다.
여기서, 상세하게 상기 유리 기판(110)은 규산염유리(소다석회유리, 납유리, 바륨유리, 붕규산유리, 알루미나규산유리, 리티아알루미나규산유리, 석영유리), 붕산염유리(납붕산유리, 알루미나붕산유리), 특수유리(각종 색유리, 젖빛유리, 자외선투과유리, 신종광학유리, 고유전율유리, 반도체유리, 감광성유리, 논브라우닝유리, 저융점유리) 중 어느 하나를 사용하여 제조한다.
상기 유리 기판(110)에 다수의 진공홀(112)을 형성한다(제 2단계).
상세하게는, 도 7에 도시되는 바와 같이, 상기 유리 기판(110)의 상면에 일정 두께의 포토레지스트(PR)를 도포한다.
도 8에 도시되는 바와 같이, 상기 포토레지스트(PR)가 도포된 유리 기판(110)의 상부에 일정의 패턴(P)이 형성되는 마스크(300)를 배치한다.
그리고, 상기 마스크(300) 상부에서 노광 장치(미도시)를 사용하여 상기 마스크(300)의 패턴(P)을 통하여 포토레지스트(PR) 상으로 UV광을 조사하여 노광 공정을 진행한다.
따라서, 도 9에 도시되는 바와 같이, 포토레지스트(PR) 상에는 마스크 패턴(P)과 일치되며 일정 깊이를 이루는 패턴홀(PR1)이 형성된다.
이어, 반도체 에칭 공정을 사용하여 상기 패턴홀(PR1)에 노출되는 유리 기판(110)을 에칭한다.
따라서, 도 10에 도시되는 바와 같이, 유리 기판(110)에는 다수의 비아홀이 형성되고, 상기 다수의 비아홀은 다수의 진공홀(112)이다.
상기 다수의 진공홀(112)은 상기 마스크 패턴(P)에 상응하도록 형성된다.
상기와 같이 유리 기판(210)에 다수의 진공홀(112)을 형성한 이후에, 유리 기판(110)의 형상을 결정한다(제 3단계).
상기 유리 기판(110)의 형상을 서로 나란하게 형성되는 직선 형상의 홀을 유지하는 경우에, 유리 기판이(110) 원판 형상을 이루도록 절개한다.
상기 절개 방법은 연마 또는 에칭의 방법을 사용할 수 있다, 이러한 경우 제조된 척은 도 1 및 도 2에 도시되는 척(110)과 실질적으로 동일할 수 있다.
반면에, 진공홀을 도 5에 도시되는 바와 같이 직선홀(112a) 및 사선홀(112b)을 포함하도록 척을 제조하는 경우에는, 유리 기판(110)을 굽은 형상으로 변형한다.
도 11을 참조 하면, 상기 유리 기판(110)을 일정의 가열 온도 조건으로 열처리한다.
다수의 진공홀(112)이 직선홀(112a) 및 사선홀(112b)을 포함하도록 상기 열처리되는 유리 기판(110)의 양단을 벤딩하여 굽어진 형상으로 변형하여 형상을 결정한다. 즉, 상기 유리 기판(110)을 열변형시킨다.
이어, 상기 형상이 결정된 유리 기판(110)을 일정 크기로 성형하여 척을 형성한다(제 4단계)
도 12에 도시되는 바와 같이, 상기 형상이 결정된 유리 기판(110)을, 상기 진공홀(112)이 포함되도록 일정 크기로 절단하여 척(110)을 형성한다.
상기 절단의 방식은 연마 또는 에칭의 방법을 사용할 수 있다.
따라서, 절단된 척(110)의 중앙부에는 직선홀(112a)이 형성되고, 직선홀(112a)을 경계로 하방을 따라 벌어지는 다수의 사선홀들(112b)이 형성된다.
이어, 규산염유리, 붕산염유리 또는 감광성유리 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 진공홀들(112)과 연결되는 진공 제공홀(112a)을 갖고, 상기 척(210)의 하단을 받치는 외측 둘레 단턱(122)을 갖는 받침대(120)를 마련한다. 상기 받침대(120)는 도 1에 도시된 바와 동일하다.
이에 따라, 상기 도 5에 도시되는 바와 같은 척(110) 및 받침대(120)를 제조할 수 있다.
상기 받침대(120)는 도 1, 도 2 및 도 4에 도시되는 바와 같이 안착 돌기물(125)을 갖는다.
상기 안착 돌기물(125)은 상기 중앙홈 부(123)의 상면부에서 상방으로 돌출되도록 형성된다. 상기 안착 돌기물(125)은 일정의 패턴을 이룬다.
상기 안착 돌기물(125) 사이에는 공기가 흐를 수 있는 유로가 형성된다.
상기 유로의 사이에는 진공 제공홀(121a)로 제공되는 진공이 형성된다.
상기 안착 돌기물(125)의 상면은 척(110)이 안착되도록 평평한 면을 이룬다.
본 발명에 따르는 실시예는 척을 유리로 형성함으로써 웨이퍼를 흡착하는 경우에 발생되는 파티클과 같은 오염 물질의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명에 따르는 실시예는 오염 물질 발생 시에 유리로 형성된 척에 대한 클리닝을 용이하게 실시할 수 있다.
본 발명에 따르는 실시예는 웨이퍼 흡착을 위한 진공홀의 패턴을 다양한 형상으로 구현할 수 있다.
본 발명에 따르는 실시예는 웨이퍼를 흡착하기 위하여 양면을 선택적으로 사용할 수 있다.
본 발명에 따르는 실시예는 웨이퍼를 흡착하기 위한 진공홀을 미세하게 형성함으로써 웨이퍼 흡착력을 향상시키고, 흡착력 저감으로 인한 웨이퍼의 손상을 미연에 방지할 수 있다.
본 발명에 따르는 실시예는 받침대 상에 척을 안착시키고, 척 상에 웨이퍼를 진공 흡착시키는 경우에, 받침대와 척의 진공 흡착을 용이하게 하고, 웨이퍼 분리시 받침대와 척 사이의 정전기를 효율적으로 방지할 수 있다.
본 발명에 따르는 실시예는 직선홀 및 사선홀을 포함하는 진공홀을 갖도록 척을 제조함으로써, 진공으로 웨이퍼를 흡착하는 용도 뿐 아니라 다른 부품으로도 사용할 수 있다.
100 : 안착부 110 : 척
111, 112 : 진공홀 112a : 직선홀
112b : 사선홀 120 : 받침대
121 : 받침대 몸체 121a : 진공 제공홀
122 : 외측 둘레 단턱 123 : 중앙홈 부
124 : 안내홈 125 : 안착 돌기물
200 : 진공 제공부 210 : 설치 몸체
211 : 제 1설치 몸체 212 : 제 2설치 몸체
220 : 진공 펌프 W : 웨이퍼

Claims (10)

  1. (삭제).
  2. (삭제).
  3. (삭제).
  4. (삭제).
  5. (삭제).
  6. 삭제
  7. 규산염유리, 붕산염유리 또는 감광성유리 중 어느 하나인 유리 기판을 준비하는 제 1단계;
    상기 유리 기판에 다수의 진공홀을 형성하는 제 2단계;
    상기 유리 기판의 형상을 결정하는 제 3단계;
    상기 형상이 결정된 유리 기판을 상기 진공홀이 포함되도록 일정 크기로 절단하여 척을 형성하는 제 4단계;
    규산염유리, 붕산염유리 또는 감광성유리 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 진공홀들과 연결되는 진공 제공홀을 갖고, 상기 척의 하단을 받치는 외측 둘레 단턱을 갖고, 상기 외측 둘레 내측에 상방으로 일정 패턴으로 돌출 형성되는 안착 돌기물을 갖는 받침대를 마련하는 제 5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 안착 장치의 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제 2단계는,
    상기 유리 기판의 상면에 일정 두께의 포토 레지스트를 도포하고,
    상기 유리 기판의 상부에 일정의 패턴홀을 이루는 마스크를 배치하고,
    상기 패턴홀을 통해 상기 패턴홀에 상응하는 패턴이 형성되도록 상기 포토 레지스트를 노광하고,
    상기 포토 레지스트에서 노광된 패턴을 통하여 유리 기판에 진공홀들이 형성되도록 식각하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 안착 장치의 제조 방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 제 3단계는,
    상기 유리 기판의 형상을 굽어진 형상으로 변형 할지의 여부를 결정하고,
    상기 변형이 결정되면, 일정 범위를 갖는 가열 온도 조건으로 상기 유리 기판을 열처리 하고,
    상기 다수의 진공홀이 직선홀 및 사선홀을 포함하도록 상기 열처리되는 유리 기판의 양단을 벤딩하여 굽어진 형상으로 변형하여 형상을 결정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 안착 장치의 제조 방법.
  10. 삭제
KR1020110082153A 2011-08-18 2011-08-18 웨이퍼 안착 장치 제조방법 KR101167692B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110082153A KR101167692B1 (ko) 2011-08-18 2011-08-18 웨이퍼 안착 장치 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110082153A KR101167692B1 (ko) 2011-08-18 2011-08-18 웨이퍼 안착 장치 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101167692B1 true KR101167692B1 (ko) 2012-07-20

Family

ID=46717237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110082153A KR101167692B1 (ko) 2011-08-18 2011-08-18 웨이퍼 안착 장치 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101167692B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109985828A (zh) * 2019-05-06 2019-07-09 山东泓瑞光电科技有限公司 一种led晶片自动分选机用真空孔托架
KR102584520B1 (ko) * 2023-05-03 2023-09-27 이해룡 고정지그 및 이를 포함하는 금속가공장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100835977B1 (ko) * 2007-02-28 2008-06-09 주식회사 고려반도체시스템 웨이퍼 절삭 장치용 척 테이블 및 그 제어방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100835977B1 (ko) * 2007-02-28 2008-06-09 주식회사 고려반도체시스템 웨이퍼 절삭 장치용 척 테이블 및 그 제어방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109985828A (zh) * 2019-05-06 2019-07-09 山东泓瑞光电科技有限公司 一种led晶片自动分选机用真空孔托架
KR102584520B1 (ko) * 2023-05-03 2023-09-27 이해룡 고정지그 및 이를 포함하는 금속가공장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010155298A (ja) 樹脂被覆方法および樹脂被覆装置
TWI566325B (zh) A substrate holding device and a close contact exposure device and a proximity exposure device
US20220084870A1 (en) Substrate bonding apparatus and substrate bonding method
JP4444843B2 (ja) 静電チャック
KR101167692B1 (ko) 웨이퍼 안착 장치 제조방법
JP2008041985A (ja) サポートプレート
JP6376871B2 (ja) 密着露光装置
US9633887B2 (en) Workpiece cutting method
KR102446726B1 (ko) 투명 플레이트 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
JP2002323752A (ja) ペリクル
KR100874207B1 (ko) 반도체 웨이퍼 인쇄장치용 마스크 진공흡착장치
TWI529793B (zh) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
JP2005148747A (ja) マスク固定装置、それを用いた露光装置及び露光方法
JPH0547906A (ja) 板状物保持手段およびそれを用いた装置
KR20160007372A (ko) 노광 마스크의 제조 방법
KR100570972B1 (ko) 플렉시블 기판 고정용 진공 척
JP2007019317A (ja) スピンチャック及びその製造方法
JP7305276B2 (ja) 被加工物の保持方法
JP2006269989A (ja) 基板保持具
KR101438334B1 (ko) 씨엠피 장치의 연마헤드
JP2012238645A (ja) 半導体装置の製造方法、及び、反射型露光マスク
JPH03163848A (ja) 真空吸着台
TWI541940B (zh) 半導體結構及其製造方法
JP5368001B2 (ja) Soi基板の製造方法
KR100781458B1 (ko) 웨이퍼 에지 노광장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160718

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171012

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180816

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200312

Year of fee payment: 8

R401 Registration of restoration