TWI566325B - A substrate holding device and a close contact exposure device and a proximity exposure device - Google Patents

Description

基板之保持裝置及緊貼曝光裝置以及近接曝光裝置

本發明係關於一種基板之保持裝置及緊貼曝光裝置以及近接曝光裝置，更詳細而言，關於一種即便為具有翹曲或變形等之基板亦能以良好之平面度吸附保持之基板之保持裝置及緊貼曝光裝置以及近接曝光裝置。

為了應對行動機器等之小型化要求，於半導體之安裝技術中，進行有藉由晶圓級封裝使積體電路高密度化，並且將搭載有積體電路之晶片立體地積層，進而將經積層化之晶片切割(Die cutting)使其單片化。於製造此種晶片時，於利用樹脂(聚醯胺醯亞胺等)等覆蓋搭載於晶圓之積體電路及電氣配線之狀態下進行曝光，但由於必須將樹脂熱硬化，故有如下之虞：晶圓會產生翹曲(彎曲)等，於藉由保持裝置吸附保持基板時，保持力或平面度降低。

先前，揭示有如下之基板之吸附裝置及曝光裝置：具有正面形成有複數個局部之凸部之載置基板之載置面，且藉由將該凸部周邊之凹部較環境氣壓減壓而吸附基板之背面(例如，參照專利文獻1)。於該專利文獻1中，藉由將該凸部之分佈集中於在載置面與基板之間朝向環境氣壓開放之載置面之凹部周緣，而極力減小吸附基板時之翹曲，尤其是在有效之吸附力發揮作用之部分與未發揮作用之部分之鄰接部產生之翹曲。

又，已知有如下之基板保持器及曝光裝置：於複數個部位支持 基板之支持部包括相對於基板為點接觸或線接觸之由球體構成之複數個支持構件，由此容易使基板與焦平面一致，又，損傷之產生較少(例如，參照專利文獻2)。

[背景技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平10-50810號公報

[專利文獻2]日本專利特開平11-330216號公報

然而，於專利文獻1中，將形成於各凹部(環狀)且沿直徑方向排列之吸氣孔經由在保持器內沿直徑方向延伸之1個套筒狀之孔連接於真空源，對各凹部內之壓力進行減壓而吸附基板之背面，抑制容易產生於受到真空吸附力之部分與未受到真空吸附力之部分之鄰接部之平面度之劣化，而抑制因真空吸附而產生之翹曲或變形量。但是，於具有翹曲或變形等之基板之情形時，有無法充分地提高真空度而無法充分地矯正平面度之虞。

又，專利文獻2中，將基板以點接觸或線接觸之狀態支持於支持構件，降低於支持構件與基板之間介入塵埃之可能性，防止局部之平面度之劣化或載置面之損傷，但存在支持構件之構造複雜而使成本提高之問題。

本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種能以相對簡單之構成修正具有翹曲或變形等之基板之平面度之基板之保持裝置及緊貼曝光裝置以及近接曝光裝置。

本發明之上述目的係藉由下述構成而達成。

(1)一種基板之保持裝置，其特徵在於：其係將基板吸附保持於 基板保持部者，且上述基板保持部於載置上述基板之基板載置面具有相互獨立之複數個凹部，該基板之保持裝置包括減壓機構，該減壓機構係將上述各凹部內之空氣向下抽吸，而獨立地對上述各凹部內之壓力進行減壓。

(2)如(1)之基板之保持裝置，其特徵在於：上述基板載置面係含配置成俯視為大致同心圓狀之複數個環狀凸部而構成。

(3)如(1)之基板之保持裝置，其特徵在於：上述基板載置面係含配置成俯視為矩形狀之複數個環狀凸部而構成。

(4)如(1)至(3)中任一項之基板之保持裝置，其特徵在於：上述減壓機構分別具備於上述各凹部開口之至少一個抽吸孔，用以抽吸上述各凹部內之空氣，且上述各凹部中之上述抽吸孔之合計開口面積係根據上述各凹部之吸附面積之大小而變更。

(5)如(1)、(2)或(4)之基板之保持裝置，其特徵在於：如為存在上述基板之周邊部與上述基板載置面隔開之傾向之大致凹形狀之上述基板之情形，上述減壓機構自上述基板保持部中央之上述凹部向外周側之上述凹部依序地對上述各凹部內之壓力進行減壓，而將上述基板吸附保持於上述基板保持部。

(6)如(1)、(2)或(4)之基板之保持裝置，其特徵在於：如為存在上述基板之中央部與上述基板載置面隔開之傾向之大致凸形狀之上述基板之情形，上述減壓機構至少吸附保持上述中央之凹部，並且維持在上述中央之凹部之吸附下，解除上述中央之凹部以外之上述基板之吸附，進而，自上述中央之凹部向外周側之凹部依序地對上述各凹部內之壓力進行減壓，而將上述基板吸附保持於上述基板保持部。

(7)如(6)之基板之保持裝置，其特徵在於：如為存在上述基板之 中央部與上述基板載置面隔開之傾向之大致凸形狀之上述基板之情形，上述減壓機構自上述基板保持部之上述外周側之凹部向上述中央之凹部依序地對上述各凹部內之壓力進行減壓，而將上述基板吸附保持於基板保持部，其後，維持在上述中央之凹部之吸附下，自上述基板保持部之上述外周側之凹部向上述中央之凹部，依序地解除上述基板之吸附，進而，自上述中央之凹部向上述外周側之凹部，依序地對上述各凹部內之壓力進行減壓，而將上述基板吸附保持於上述基板保持部。

(8)一種緊貼曝光裝置，其特徵在於包括：如(1)至(7)中任一項之基板之保持裝置；遮罩保持部，其於下表面保持具有應曝光之圖案之遮罩，並且於上表面側保持覆蓋玻璃；加壓機構，其對由上述遮罩保持部、上述遮罩、及上述覆蓋玻璃劃分而成之密閉空間內之壓力進行增壓；及照明光學系統，其配設於相對於上述遮罩與上述基板為相反之側，且將圖案曝光之光隔著上述遮罩照射至上述基板；且藉由對上述密閉空間之壓力進行增壓而使上述遮罩以朝向上述基板側彎曲之狀態壓抵於上述基板，而使上述基板保持於上述基板保持部。

(9)如(8)之緊貼曝光裝置，其特徵在於：上述遮罩具備將上述基板按壓於成為上述基板側之上述遮罩之下表面且上述圖案以外之區域之凸形狀部，於上述凸形狀部按壓上述基板而使其保持於上述基板保持部。

(10)一種近接曝光裝置，其特徵在於包括：如(1)至(7)中任一項之基板之保持裝置；遮罩保持部，其於下表面保持具有應曝光之圖案之遮罩； 密封構件，其包圍上述遮罩及上述基板，且設置於上述遮罩保持部與上述基板保持部之間；加壓機構，其對由上述遮罩、上述遮罩保持部、上述基板保持部、及上述密封構件包圍之密封空間內之壓力進行增壓；及照明光學系統，其配設於相對於上述遮罩與上述基板為相反之側，將圖案曝光用之光隔著上述遮罩照射至上述基板；且藉由對上述密封空間之壓力進行增壓而使上述基板保持於上述基板保持部。

(11)一種近接曝光裝置，其特徵在於包括：如(1)至(7)中任一項之基板之保持裝置；遮罩保持部，其於下表面保持具有應曝光之圖案且具有可注入氣體之中空部之遮罩；氣體供給機構，其對上述遮罩之中空部供給氣體；及照明光學系統，其配設於相對於上述遮罩與上述基板為相反之側，將圖案曝光用之光隔著上述遮罩照射至上述基板；且藉由上述氣體供給機構對上述遮罩之中空部之壓力進行調整，由此對上述遮罩之平坦度進行調整。

根據本發明之基板之保持裝置，基板保持部於載置基板之基板載置面具有相互獨立之複數個凹部，該基板之保持裝置包括減壓機構，該減壓機構係將各凹部內之空氣向下抽吸，而獨立地對各凹部內之壓力進行減壓，因此將基板針對各凹部分割而獨立地進行抽吸，而能以相對簡單之構成將具有翹曲或變形等之基板以良好之平面度吸附保持。

又，本發明之緊貼曝光裝置包括：上述基板之保持裝置；遮罩保持部，其於下表面保持具有應曝光之圖案之遮罩，並且於上表面側 保持覆蓋玻璃；加壓機構，其對由遮罩保持部、遮罩、及覆蓋玻璃劃分而成之密封空間內之壓力進行增壓；及照明光學系統，其配設於相對於遮罩與基板為相反之側，將圖案曝光之光隔著遮罩照射至基板；藉由對密閉空間之壓力進行增壓而使遮罩以朝向基板側彎曲之狀態壓抵於基板，使基板保持於基板保持部，因此可更確實地使基板保持於基板保持部，可精度良好地進行曝光。

又，本發明之近接曝光裝置包括：上述基板之保持裝置；遮罩保持部，其於下表面保持具有應曝光之圖案之遮罩；密封構件，其包圍遮罩及基板，且設置於遮罩保持部與基板保持部之間；加壓機構，其對遮罩、遮罩保持部、基板保持部、及密封構件包圍之密封空間內之壓力進行增壓；及照明光學系統，其配設於相對於遮罩與基板為相反之側，將圖案曝光用之光隔著遮罩照射至基板；藉由對密封空間之壓力進行增壓，而使基板保持於基板保持部，因此可更確實地使基板保持於基板保持部，可精度良好地進行曝光。

又，本發明之近接曝光裝置包括：上述基板之保持裝置；遮罩保持部，其於下表面保持具有應曝光之圖案且具有可注入氣體之中空部之遮罩；氣體供給機構，其對遮罩之中空部供給氣體；及照明光學系統，其配設於相對於遮罩與基板為相反之側，將圖案曝光用之光隔著遮罩照射至基板；藉由利用氣體供給機構對遮罩之中空部之壓力進行調整，而調整遮罩之平坦度，因此可根據基板W之平坦度而改變遮罩M之平坦度，從而可精度良好地進行曝光。

10‧‧‧基板之保持裝置

13‧‧‧密封構件

16‧‧‧密閉空間

20‧‧‧緊貼曝光裝置

21‧‧‧基板保持部

22‧‧‧遮罩保持部

22a‧‧‧下表面

22b‧‧‧上表面

23‧‧‧加壓機構

24a‧‧‧環狀凸部

24b‧‧‧環狀凸部

24c‧‧‧環狀凸部

25‧‧‧肋

26a‧‧‧圓形槽(凹部)

26b‧‧‧環狀槽

26c‧‧‧環狀槽

26b1~26b4、26c1~26c4‧‧‧圓弧形槽(凹部)

27‧‧‧密封構件

28‧‧‧抽吸孔

29‧‧‧減壓機構

30‧‧‧覆蓋玻璃

31‧‧‧密封空間

32‧‧‧通氣孔

33‧‧‧貫通孔

34‧‧‧貫通孔

41‧‧‧積體電路

42‧‧‧矽晶圓

43‧‧‧樹脂

45‧‧‧防阻劑附著膜

60‧‧‧近接曝光裝置

61‧‧‧氣體供給機構

62‧‧‧氣體供給機構

72‧‧‧遮罩保持部

73‧‧‧遮罩保持部

M‧‧‧遮罩

M1‧‧‧遮罩

Ma‧‧‧凸形狀部

Mb‧‧‧中空部

P‧‧‧曝光圖案

Pa‧‧‧鍍鉻層

W‧‧‧基板

圖1係表示本發明之第1實施形態之緊貼曝光裝置之沿圖4之I-I線之剖面圖。

圖2係作為被曝光材之基板之剖面圖。

圖3係遮罩之剖面圖。

圖4係圖1所示之基板保持部之俯視圖。

圖5係表示本發明之第2實施形態之近接曝光裝置之剖面圖。

圖6係表示本發明之第3實施形態之近接曝光裝置之剖面圖。

圖7(a)、(b)係變化例之基板保持部之俯視圖。

圖8係另一變化例之遮罩之主要部分放大剖面圖。

以下，基於圖式，對本發明之基板之保持裝置及緊貼曝光裝置以及近接曝光裝置詳細地進行說明。

(第1實施形態)

如圖1所示，本實施形態之緊貼曝光裝置20包括保持基板W之保持裝置10、保持遮罩M之遮罩保持部22、加壓機構23、及未圖式之照明光學系統。

如圖2所示，於基板W，在矽晶圓42上形成CPU(Central Processing Unit，中央處理器)及記憶體等積體電路41，積體電路41之表面被聚醯胺醯亞胺等樹脂43覆蓋。於基板W，產生如下情形：因將樹脂43熱硬化時產生之翹曲或因積體電路41等之高度差所致之凹凸而導致表面之平面度並不良好。

又，如圖3所示，遮罩M係由熱膨脹係數較小、由熱而產生之翹曲較少、厚度為0.3~0.7mm左右之薄型之無鹼玻璃板或石英玻璃板等製作，於其下表面(基板W側)形成有應曝光之圖案P。又，於遮罩M之下表面進而設置有防阻劑附著膜45，該防阻劑附著膜45包含塗佈將氟樹脂溶劑化而成者而形成之氟系樹脂皮膜等防污性皮膜。

基板之保持裝置10包括保持基板W之基板保持部21、及減壓機構29。如圖1及圖4所示，基板保持部21例如具有較圓形板狀之基板W大之直徑，且由金屬或陶瓷材等形成，於載置基板W之基板載置面，複數個環狀凸部24a、24b、24c形成為同心圓狀。

相鄰之環狀凸部24a、24b、24c彼此由以90°間隔沿半徑方向延伸之4根肋件25而連接。又，於環狀凸部24a、24b、24c之上表面，配置有由橡膠等彈性材料構成之圓形且剖面中空之密封構件27環狀凸部24a、24b、24c及肋25之高度較佳為相同。又，密封構件27亦可設置於肋25之上表面。

換言之，於環狀凸部24a之中心部，形成作為本發明之凹部之圓形槽26a，於環狀凸部24a、24b間、及環狀凸部24b、24c間，分別形成有環狀槽26b、26c。環狀槽26b、26c進而形成被沿半徑方向延伸之肋25分割成4個部分且作為本發明之凹部之圓弧狀槽26b1~26b4、26c1~26c4。圓形槽26a、及各圓弧狀槽26b1~26b4、26c1~26c4相互獨立。

圓形槽26a、及被分割成4個部分之環狀槽26b、26c(圓弧狀槽26b1~26b4、26c1~26c4)之底部，抽吸孔28向下形成，且分別連接於真空泵等減壓機構29。減壓機構29藉由將圓形槽26a、及各圓弧狀槽26b1~26b4、26c1~26c4內之空氣向下抽吸，而使由載置於基板保持部21上之基板W與圓形槽26a、及各圓弧狀槽26b1~26b4、26c1~26c4包圍之空間成為負壓，將基板W均勻地吸附保持於圓形槽26a、及各圓弧狀槽26b1~26b4、26c1~26c4。

連接於圓形槽26a、及各圓弧狀槽26b1~26b4、26c1~26c4之減壓機構29可分別獨立地控制，而個別獨立地控制圓形槽26a、及各圓弧狀槽26b1~26b4、26c1~26c4內之各者之壓力。

再者，圓形槽26a、及各圓弧狀槽26b1~26b4、26c1~26c4亦可適當地群組化。

又，形成於各槽26a、26b1~26b4、26c1~26c4之抽吸孔28亦可由面向該等各槽26a、26b1~26b4、26c1~26c4之配管構成。

又，基板保持部21構成為可藉由未圖式之銷等使基板W升降。

於此種基板之保持裝置10中，在將基板W載置於基板保持部21上後，藉由減壓機構29使圓形槽26a及環狀槽26b、26c內之壓力為負壓而吸附保持基板W。

具體而言，如圖1所示，於存在基板W之周邊部與基板載置面隔開之傾向之大致凹形狀之基板W之情形時，減壓機構29自基板保持部21之中央之圓形槽26a朝向外周側之環狀槽26b、26c依序地將壓力減壓，而自基板保持部21之中央朝向周邊部將基板W吸附保持於基板保持部21。藉此，能以良好之平面度吸附保持基板W。

又，雖未圖式，但於存在基板W之中央部與基板載置面隔開之傾向之大致凸形狀之基板W之情形時，減壓機構29自基板保持部21之外周側之環狀槽26c(圓弧狀槽26c1~26c4)朝向中央之圓形槽26a依序地將壓力減壓，而將基板W自外周側吸附保持於基板保持部21。藉此，首先，將距離基板保持部21之上表面較近之基板W之外周側於環狀槽26c(圓弧狀槽26c1~26c4)吸附之後，依序朝向中央進行吸附，藉此吸附保持基板W正面。藉此，可吸附自與基板保持部21之上表面隔開之中央之圓形槽26a難以吸附之形狀之基板W。

但是，於該狀態下，有於被吸附之基板W上殘留吸附應變之虞，因此，維持在中心部之圓形槽26a之吸附之狀態，按照環狀槽26c、環狀槽26b之順序依序解除在環狀槽26b、26c之吸附而消除吸附應變之後，再次朝向外周側之環狀槽26c將壓力減壓，而將基板W整面吸附保持於基板保持部21。藉此，無吸附應變而能以平面度良好之狀態將基板W吸附保持於基板保持部21。

再者，只要根據基板W之應變等變形形狀而獨立地個別地控制圓形槽26a、及各圓弧狀槽26b1~26b4、26c1~26c4內之壓力，則可進一步調整基板W之平面度。例如，藉由未圖式之感測器，測定所吸附之區域之平面度，以平面度成為容許值以下之方式藉由減壓機構29調 整對應吸附槽內之壓力。繼而，於鄰接之吸附區域中亦重複進行同樣之操作，遍及基板W之整面而依次進行，藉此以良好之平面度吸附保持於基板保持部21。

再者，於上述實施形態中，對將圓形基板W吸附保持於圓形之基板保持部21之情形進行了說明，但為了在切割時有效率地製作晶片，基板W亦可為矩形。於此情形時，基板載置面由配置成俯視為矩形形狀之複數個凸部構成，將吸附區域設為矩形形狀之中心部、及配置於中心部之周圍之矩形形狀之環狀凹部，又，環狀凹部亦可由肋分割。

又，關於圓形槽26a及各圓弧狀槽26b1~26b4、26c1~26c4之個數及大小，以被吸附保持於基板保持部21之基板W之彎曲量成為容許彎曲量以下之方式決定圓形槽26a及環狀槽26b、26c之寬度及圓周方向分割數。基板W之彎曲量可藉由根據基板W之剛性、圓形槽26a及環狀槽26b、26c之壓力(負壓)、圓形槽26a及環狀槽26b、26c之寬度等進行計算而算出。

又，遮罩保持部22於下表面22a氣密地固定遮罩M，並且於上表面22b以覆蓋遮罩保持部22之開口之方式氣密地固定覆蓋玻璃30。藉此，由遮罩保持部22、遮罩M、及覆蓋玻璃30劃分成與外部閉鎖之密閉空間31。於遮罩保持部22形成與密閉空間31連通之通氣孔32，該通氣孔32連接於加壓機構23。

加壓機構23由送風泵等構成，藉由控制自加壓機構23送出之氣體之壓力，而對密閉空間31內之壓力進行增壓。

於如此構成之緊貼曝光裝置20中，首先，將基板W載置於基板保持部21上後，藉由減壓機構29使圓形槽26a及環狀槽26b、26c內之壓力為負壓而吸附保持基板W。此時，藉由獨立地控制圓形槽26a及環狀槽26b、26c之壓力，可矯正基板W之翹曲或變形。

繼而，藉由自加壓機構23送出氣體，對密閉空間31內之壓力進 行增壓而使遮罩M朝向基板W側彎曲，使遮罩保持部22下降而將遮罩M壓抵於基板W。此處，遮罩M因薄型而被設計成容易彎曲，因此可良好地仿效基板W上表面之表面形狀。又，於遮罩M設置有防阻劑附著膜45，因此即便使遮罩M附著於基板W亦可抑制遮罩M之污染。藉此，可確實地使基板W保持於基板保持部21。繼而，藉由照明光學系統，將圖案曝光用之光隔著遮罩M照射至基板W，由此可進行精度較高之曝光。

再者，亦可不使密閉空間31內為正壓而使遮罩M保持於基板W。

如以上所說明般，根據本實施形態之基板之保持裝置10，基板保持部21於載置基板W之基板載置面具有相互獨立之複數個各槽26a、26b、26c，且該基板之保持裝置10包括減壓機構29，該減壓機構29係將各槽26a、26b、26c內之氣體向下抽吸，而可獨立地對各槽26a、26b、26c內之壓力進行減壓；因此將基板W針對各槽26a、26b、26c分割而獨立地抽吸，可將具有翹曲或變形等之基板W以良好之平面度吸附保持。

又，基板載置面係由設置成俯視大致同心圓狀之複數個環狀凸部24a、24b、24c而構成，因此尤其可將圓形之基板W良好地吸附保持。

又，於存在基板W之周邊部與基板載置面隔開之傾向之大致凹形狀之基板之情形時，減壓機構29自基板保持部21之中央之圓形槽26a朝向外周側之圓弧狀槽26b1~26b4、26c1~26c4依序地對各槽26a、26b1~26b4、26c1~26c4內之壓力進行減壓，而將基板W吸附保持於基板保持部21。藉此，即便基板W為大致凹形狀，亦可平面度良好地且確實地吸附保持。

又，於存在基板W之中央部與基板載置面隔開之傾向之大致凸形狀之基板之情形時，減壓機構29自基板保持部21之外周側之圓弧狀槽 26c1~26c4朝向中央之圓形槽26a依序地對各槽26a、26b1~26b4、26c1~26c4內之壓力進行減壓，而將基板W吸附保持於基板保持部21後，在維持中央之圓形槽26a之吸附之狀態下，自外周側之圓弧狀槽26c1~26c4朝向中央之圓形槽26a依序解除基板W之吸附，進而自基板保持部21之中央之圓形槽26a朝向外周側之圓弧狀槽26c1~26c4，再次依序地對各槽26a、26b1~26b4、26c1~26c4內之壓力進行減壓，而將基板W吸附保持於基板保持部21。藉此，即便基板W為大致凸形狀，亦可平面度良好地且確實地吸附保持。

又，藉由使基板載置面由配置成俯視為矩形狀之複數個環狀凸部構成，而可將矩形之基板W良好地吸附保持。

又，於存在基板W之中央部與基板載置面隔開之傾向之大致凸形狀基板之情形時，基板W亦能以如下方式被吸附。即，首先，一次性吸附基板W之整個吸附範圍，於吸附完成時，維持中央之圓形槽26a之吸附之狀態，解除周圍之圓弧槽26b1~26b4、26c1~26c4之吸附。之後，依序朝向外周側之圓弧狀槽26c1~26c4，再次依序對各槽26b1~26b4、26c1~26c4內之壓力進行減壓，而將基板W吸附保持於基板保持部21。

再者，於無法一次性吸附基板W之整個吸附範圍之情形時，設為吸附錯誤。於此情形時，亦可於中央之圓形槽26a設置壓力計(未圖式)，藉由壓力而確認吸附狀態。

進而，本實施形態之緊貼曝光裝置20包括：基板之保持裝置10；遮罩保持部22，其於下表面22a保持具有應曝光之圖案之遮罩M，並且於上表面側22b保持覆蓋玻璃30；加壓機構23，其對由遮罩保持部22、遮罩M、及覆蓋玻璃30劃分而成之密閉空間31內之壓力進行增壓；及照明光學系統，其配設於相對於遮罩M與基板W為相反之側，將圖案曝光用之光隔著遮罩M照射至基板W；且藉由對密封空間 31內之壓力進行增壓而將遮罩M以朝向基板W彎曲之狀態壓抵於基板W，使基板W保持於基板保持部21，因此可更確實地使基板W保持於基板保持部21，可精度良好地進行曝光。

(第2實施形態)

如圖5所示，本實施形態之近接曝光裝置60包括：保持裝置10，其保持基板W；遮罩保持部72，其保持遮罩M；剖面中空之密封構件13，其包圍遮罩M及基板W，且設置於遮罩保持部72與基板保持部21之間；加壓機構61，其經由形成於遮罩保持部72之貫通孔33供給空氣，對由遮罩M、遮罩保持部72、基板保持部21、及密封構件13包圍之密閉空間16內之壓力進行增壓；及未圖式之照明光學系統。

本實施形態之近接曝光裝置60與緊貼曝光裝置20不同的是，藉由在遮罩M與基板W隔開特定間隙而對向之狀態下朝向遮罩M照射曝光之光，而進行曝光。即，本發明之基板之保持裝置10並不限定應用於緊貼曝光裝置20，亦可應用於近接曝光裝置60。又，於該近接曝光裝置60中，藉由利用加壓機構61對密閉空間16內之壓力進行增壓，可使基板W保持於基板保持部21，而可更確實地使基板W保持於基板保持部21，可精度良好地進行曝光。

(第3實施形態)

如圖6所示，本實施形態之近接曝光裝置60包括保持基板W之保持裝置10、保持遮罩M1之遮罩保持部73、及未圖式之照明光學系統。

於本實施形態中，使用具有應曝光之圖案且具有可注入氣體之中空部Mb之遮罩M1。並且，使形成於遮罩保持部73之貫通孔34與遮罩M1之中空部Mb連通，藉由氣體供給機構62對遮罩M1之中空部Mb供給氣體，調整中空部Mb之壓力(增壓或減壓)，藉此調整遮罩M1之平坦度。因此，可藉由與第1實施形態相同之基板W之保持裝置10， 使基板W以良好之平坦度保持於基板保持部21，又，對遮罩M1之中空部Mb供給氣體，可根據基板W之平坦度改變遮罩M1之平坦度，從而可精度更佳地進行曝光。

再者，本發明並不限定於上述實施形態及實施例，而可適當地變化、改良等。

於上述實施形態之基板保持部21中，針對各槽26a、26b1~26b4、26c1~26c4逐個設置開口面積相同之抽吸孔28，但例如亦可針對各槽26a、26b1~26b4、26c1~26c4設置至少一個抽吸孔28，且根據各槽26a、26b1~26b4、26c1~26c4之吸附面積之大小而變更各槽26a、26b1~26b4、26c1~26c4中之抽吸孔28之合計開口面積。

具體而言，亦可如圖7(a)所示，於各槽26a、26b1~26b4、26c1~26c4逐個設置開口面積不同之抽吸孔28。於此情形時，吸附面積以圓形槽26a、圓弧狀槽26b1~26b4、圓弧狀槽26c1~26c4之順序變大，抽吸孔28之開口面積亦以圓形槽26a、圓弧狀槽26b1~26b4、圓弧狀槽26c1~26c4之順序增大。

或者，亦可如圖7(b)所示，針對各槽26a、26b1~26b4、26c1~26c4改變開口面積相同之抽吸孔28之個數。於此情形時，抽吸孔28之個數以圓形槽26a、圓弧狀槽26b1~26b4、圓弧狀槽26c1~26c4之順序增多。

再者，於抽吸孔28由配管構成之情形時，只要變更配管直徑或配管數量即可。又，亦可變更配管直徑與配管數量之兩者，而適當地設定抽吸力。

例如，於上述實施形態中，當將遮罩M壓抵於基板W時，根據基板W之形狀，有產生遮罩M未接觸於基板W之部分之情形。因此，遮罩M亦可如圖8所示般無曝光圖案P，且對應於難以接觸於基板W之部分而於遮罩M之下表面設置凸形狀部Ma。再者，圖中，Pa表示形成 曝光圖案P之鍍鉻層。藉此，當將遮罩M壓抵於基板W時，以凸形狀部Ma按壓基板W之難以接觸之部分，而使其確實地保持於基板保持部21。

再者，凸形狀部Ma亦可於在遮罩M上燒附圖案後藉由接著等而形成。又，亦可於凸形狀部Ma之前端形成防阻劑附著膜45以防止光阻之附著。又，防阻劑附著膜45亦可設置於包含凸形狀部Ma在內之遮罩之整個下表面。

10‧‧‧基板之保持裝置

20‧‧‧緊貼曝光裝置

21‧‧‧基板保持部

22‧‧‧遮罩保持部

22a‧‧‧下表面

22b‧‧‧上表面

23‧‧‧加壓機構

24a‧‧‧環狀凸部

24b‧‧‧環狀凸部

24c‧‧‧環狀凸部

26a‧‧‧圓形槽(凹部)

26b‧‧‧環狀槽

26c‧‧‧環狀槽

27‧‧‧密封構件

28‧‧‧抽吸孔

29‧‧‧減壓機構

30‧‧‧覆蓋玻璃

31‧‧‧密封空間

32‧‧‧通氣孔

M‧‧‧遮罩

W‧‧‧基板

Claims (10)

1. 一種基板之保持裝置，其特徵在於：其係將基板吸附保持於基板保持部者，且上述基板保持部於載置上述基板之基板載置面具有相互獨立之複數個凹部，該基板之保持裝置包括減壓機構，該減壓機構係將上述各凹部內之空氣向下抽吸，而可獨立地對上述各凹部內之壓力進行減壓，上述減壓機構分別具有於上述各凹部開口之至少一個抽吸孔，用以抽吸上述各凹部內之空氣；且上述各凹部中之上述抽吸孔之合計開口面積係根據上述各凹部之吸附面積之大小而變更。
2. 如請求項1之基板之保持裝置，其中上述基板載置面係含配置成俯視為大致同心圓狀之複數個環狀凸部而構成。
3. 如請求項1之基板之保持裝置，其中上述基板載置面係含配置成俯視為矩形狀之複數個環狀凸部而構成。
4. 如請求項1之基板之保持裝置，其中如為存在上述基板之周邊部與上述基板載置面隔開之傾向之大致凹形狀之上述基板之情形，上述減壓機構自上述基板保持部之中央之上述凹部向外周側之上述凹部依序地對上述各凹部內之壓力進行減壓，而將上述基板吸附保持於上述基板保持部。
5. 如請求項1之基板之保持裝置，其中如為存在上述基板之中央部與上述基板載置面隔開之傾向之大致凸形狀之上述基板之情形，上述減壓機構至少吸附保持上述中央之凹部，並維持於上述中央之凹部之吸附下，解除上述中央之凹部以外之上述基板 之吸附，進而，自上述中央之凹部向上述外周側之凹部依序地對上述各凹部內之壓力進行減壓，而將上述基板吸附保持於上述基板保持部。
6. 如請求項5之基板之保持裝置，其中如為存在上述基板之中央部與上述基板載置面隔開之傾向之大致凸狀之上述基板之情形，上述減壓機構自上述基板保持部之上述外周側之凹部朝向上述中央之凹部依序地對上述各凹部內之壓力進行減壓，而將上述基板吸附保持於上述基板保持部後，維持在上述中央之凹部之吸附下，自上述基板保持部之上述外周側之凹部朝向上述中央之凹部依序地解除上述基板之吸附，進而，自上述中央之凹部朝向上述外周側之凹部，再次依序地對上述各凹部內之壓力進行減壓，而將上述基板吸附保持於上述基板保持部。
7. 一種緊貼曝光裝置，其特徵在於包括：如請求項1至6中任一項之基板之保持裝置；遮罩保持部，其於下表面保持具有應曝光之圖案之遮罩，並且於上表面側保持覆蓋玻璃；加壓機構，其對由上述遮罩保持部、上述遮罩、及上述覆蓋玻璃劃分而成之密閉空間內之壓力進行增壓；及照明光學系統，其配設於相對於上述遮罩與上述基板為相反之側，將圖案曝光之光隔著上述遮罩照射至上述基板；且藉由對上述密閉空間之壓力進行增壓而將上述遮罩以朝向上述基板側彎曲之狀態壓抵於上述基板，使上述基板保持於上述基板保持部。
8. 如請求項7之緊貼曝光裝置，其中上述遮罩具備將上述基板按壓於成為上述基板側之上述遮罩之下表面且上述圖案以外之區域之凸形狀部，且 於上述凸形狀部按壓上述基板而使其保持於上述基板保持部。
9. 一種近接曝光裝置，其特徵在於包括：如請求項1至6中任一項之基板之保持裝置；遮罩保持部，其於下表面保持具有應曝光之圖案之遮罩；密封構件，其包圍上述遮罩及上述基板，且設置於上述遮罩保持部與上述基板保持部之間；加壓機構，其對由上述遮罩、上述遮罩保持部、上述基板保持部、及上述密封構件包圍之密封空間內之壓力進行增壓；及照明光學系統，其配設於相對於上述遮罩與上述基板為相反之側，將圖案曝光用之光隔著上述遮罩照射至上述基板；且藉由對上述密封空間之壓力進行增壓，而使上述基板保持於上述基板保持部。
10. 一種近接曝光裝置，其特徵在於包括：如請求項1至6中任一項之基板之保持裝置；遮罩保持部，其於下表面保持具有應曝光之圖案且具有可注入氣體之中空部之遮罩；氣體供給機構，其對上述遮罩之中空部供給氣體；及照明光學系統，其配設於相對於上述遮罩與上述基板為相反之側，將圖案曝光用之光隔著上述遮罩照射至上述基板；且藉由利用上述氣體供給機構對上述遮罩之中空部之壓力進行調整，而調整上述遮罩之平坦度。