JP2016131181A - 表面処理装置およびウエハの表面処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】一面と他面とが表裏の関係にあるウエハをアッシングするにあたって、サセプタからウエハへの伝熱性を確保しつつ、ウエハの表裏両面を同時に表面処理する簡易な構成のアッシング装置を提供する。
【解決手段】一面１０１と他面１０２とが表裏の関係にあり一面１０１側に凸となるように反っているウエハ１００を用い、ウエハ１００が搭載される搭載面２１を有するサセプタ２０を備え、他面１０２が搭載面２１に対向するようにウエハ１００をサセプタ２０に搭載し、サセプタ２０からの伝導熱によりウエハ１００を温度調節した状態で、ウエハ１００の一面１０１側にガス媒体を接触させてアッシングする。搭載面２１のうちのウエハの投影領域２１ａに、当該投影領域からウエハ１００の外郭の外側まで延びる溝２２を形成し、ガス媒体を、溝２２を介してウエハ１００の他面１０２側に入り込ませるようにした。
【選択図】図１

Description

本発明は、シリコン半導体等よりなるウエハに対してアッシング等の表面処理を行う場合に用いる表面処理装置、および、ウエハの表面処理方法に関する。

半導体プロセスにおいては、用意されたウエハの表面（つまり素子形成面）に対して、トランジスタ等の素子や配線、保護膜等をフォトリソグラフ等により形成した後、チップ単位にダイシングカットを行う。そして、カットされたチップは、通常、基板等に対して樹脂等よりなる接着シートを介して組み付けられる。

ここで、半導体プロセスにおいて、たとえばフォトリソグラフ工程の後、ウエハ上に残るレジストや汚れ等の異物を除去するために、ウエハの表面をアッシングして異物の除去を行う。このアッシングは、酸素ガスを含むプラズマ等のガス媒体をウエハに接触させて、ウエハの表面からレジストを除去したり、ウエハの表面の汚れを除去したりするものである。

このようなアッシング装置として、従来では、主にバッチ式アッシング方式と枚葉式アッシング方式との２つの方式がある。

バッチ式アッシング方式は、石英ボート等に複数のウエハを立て掛けて並べて処理する方式で、ウエハの表面、裏面ともアッシングされるが、ウエハの温度調節は、輻射ヒータやプラズマ自体の熱によるため、温度の精度が低く、除去性能は低い。

一方、枚葉式アッシング方式は、ウエハを１枚ずつ表面処理するものである。具体的には、ウエハが搭載される搭載面を有するサセプタを備え、ウエハの表面を上に向けてウエハをサセプタに搭載し、サセプタからの伝導熱によりウエハを温度調節した状態で、ウエハの表面側にガス媒体を接触させるものである。

このように、枚葉式アッシング方式は、温度調節されたサセプタ上にウエハ載せるため、高精度でウエハを温度調節することができ、レジストや汚れの除去性能は高いが、アッシングされるのは、ウエハの表面のみである。一般的には、アッシングの主な用途はウエハ表面のレジストの除去であるため、現在では、枚葉式アッシング方式が主流となっている。

しかし、ウエハ表面の品質とウエハ裏面の品質との両方が要求される製品に対しては、従来の２つのアッシング方式では、当該両方の品質を満足できず、品質低下や歩留低下が発生する等の問題が生じていた。ここで、ウエハ表面の品質とは、たとえばレジスト残渣無く除去できること等であり、ウエハ裏面の品質とは、たとえば、後工程で貼付する接着シートとの接着性を低下させる汚れがないこと等である。

このような問題に対して、従来では、枚葉式アッシング装置として、サセプタ上のウエハを突起状の部材を用いて、上方に動かし、サセプタの搭載面とウエハの裏面とを離間させることで、ウエハの裏面をアッシングするようにしたものが提案されている（特許文献１参照）。

特開２０１１−３５２４０号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載のアッシング装置では、ウエハをサセプタの上方に移動させる機構を設けることから、装置構造の大幅な変更を要し、コスト面や技術面で問題が生じ得る。また、ウエハの裏面にガス媒体を回り込ませるためにウエハとサセプタとを離間させることから、サセプタからの伝導熱によるウエハの温度調節の精度が低下しやすくなるおそれがある。

なお、このような問題は、ウエハをサセプタに搭載し、ガス媒体によりウエハを表面処理するものであれば、上記したアッシング以外の表面処理、たとえばエッチング等の場合でも共通の問題と考えられる。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、一面と他面とが表裏の関係にあるウエハを表面処理するにあたって、サセプタからウエハへの伝熱性を確保しつつ、ウエハの表裏両面を同時に表面処理する簡易な構成の表面処理装置を提供すること、および、そのような表面処理装置を用いた表面処理方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明者は、ウエハとして、一面と他面とが表裏の関係にあり該一面側に凸となるように反っているウエハを用いることに着目した。このウエハにおいては、凸面となる一面側が、素子や配線、保護膜等が形成される素子形成面としての表面であり、他面が裏面とされる。

このようなウエハの反り形状は、たとえばＳＯＩ（シリコン−オン−インシュレータ）等のウエハや、シリコンが１層のウエハにおいて、形成される。半導体プロセスにおいてウエハの一面に、素子や配線、保護膜等が形成されるが、その際の熱応力により反りが生じると推定される。また、ＳＯＩの場合には、シリコン酸化膜を介してシリコン層同士を貼り合わせるので、その際の熱応力によっても反りが生じると考えられる。

そして、本発明者は、このような一面（つまり素子形成面である表面）側に凸となる反り形状のウエハを用いた場合、サセプタの搭載面に溝を形成することにより、簡易な構成で、ウエハの一面だけでなく他面（裏面）も同時に表面処理できることを見出した。本発明は、このような本発明者の検討により創出されたものである。

請求項１に記載の発明は、一面（１０１）と他面（１０２）とが表裏の関係にあり該一面側に凸となるように反っているウエハ（１００）を用い、ウエハが搭載される搭載面（２１）を有するサセプタ（２０）を備え、
ウエハの他面が搭載面に対向するようにウエハをサセプタに搭載し、サセプタからの伝導熱によりウエハを温度調節した状態で、ウエハの一面側にガス媒体を接触させることにより、ウエハの一面側を表面処理する表面処理装置であって、さらに、以下の特徴点を有するものである。

・搭載面のうちのウエハの投影領域（２１ａ）には、当該投影領域からウエハの外郭の外側まで延びる溝（２２）が形成されていること。

・ガス媒体を、ウエハの外郭の外側から溝を介してウエハの他面側に入り込ませ、ウエハの一面とともに他面も表面処理されるようにしたこと。請求項１の表面処理方法は、これらの点を特徴としている。

それによれば、ウエハは一面側に凸となる反り形状とされているので、ウエハの他面とサセプタの搭載面との間には当該反りによる隙間が形成される。そして、サセプタの搭載面に設けられた溝によりウエハの他面側に入り込んだガス媒体は、この隙間に拡がり、ウエハの他面に接触するため、ウエハの一面と他面とが同時に表面処理される。

また、本発明によれば、サセプタの搭載面に対して溝を形成するだけなので、装置構造としては大幅な変更が不要となる。

また、本発明によれば、上記従来のようにウエハをサセプタの上方に移動させることが不要になり、ウエハはサセプタの搭載面に接触した状態を維持できる。そのため、ウエハとサセプタの搭載面との接触面積を十分に確保でき、サセプタからの伝導熱によるウエハの温度調節を精度よく行える。

よって、本発明によれば、一面と他面とが表裏の関係にあるウエハを表面処理するにあたって、サセプタからウエハへの伝熱性を確保しつつ、ウエハの表裏両面を同時に表面処理する簡易な構成の表面処理装置を提供することができる。

請求項４に記載の発明は、一面（１０１）と他面（１０２）とが表裏の関係にあり該一面側に凸となるように反っているウエハ（１００）を用い、ウエハが搭載される搭載面（２１）を有するサセプタ（２０）を備え、ガス媒体をウエハに接触させてウエハの表面処理を行う表面処理装置を用いたウエハの表面処理方法であって、さらに、以下の特徴点を有するものである。

・ウエハの表面処理工程は、ウエハの他面が搭載面に対向するようにウエハをサセプタに搭載し、サセプタからの伝導熱によりウエハを温度調節した状態で、ウエハの一面側にガス媒体を接触させることにより、ウエハの一面側を表面処理するものであること。

・さらにウエハの表面処理工程では、サセプタとして、搭載面のうちのウエハの投影領域（２１ａ）に、当該投影領域からウエハの外郭の外側まで延びる溝（２２）が形成されたものを用い、ガス媒体を、ウエハの外郭の外側から溝を介してウエハの他面側に入り込ませ、ウエハの一面とともに他面も表面処理されるようにしたこと。請求項４の表面処理方法はこれらの点を特徴としている。

本発明の表面処理方法は、上記請求項１に記載の表面処理装置と同様、反り形状のウエハを用い、溝を有するサセプタを用いるものである。そのため、本発明によれば、一面と他面とが表裏の関係にあるウエハを表面処理するにあたって、サセプタからウエハへの伝熱性を確保しつつ、ウエハの表裏両面を同時に表面処理する簡易な構成の表面処理方法を提供することができる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の第１実施形態にかかる表面処理装置としての枚葉式アッシング装置を示す概略断面図である。 図１中の丸で囲まれたＡ部の拡大図である。 図１中のサセプタの搭載面を示す概略平面図である。 本発明の第２実施形態にかかる表面処理装置におけるサセプタの搭載面を示す概略平面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる表面処理装置について、図１〜図３を参照して述べる。本実施形態では、表面処理装置を枚葉式アッシング装置に適用したものとして説明することとする。

本実施形態のアッシング装置は、大きくは、アッシングが行われる空間を区画するチャンバ１０と、チャンバ１０内に設けられ、ウエハ１００が搭載される搭載面２１を有するサセプタ２０と、サセプタ２０を温度調整するヒータブロック３０とを備えて構成されている。ここで、材質を限定するものではないが、サセプタ２０はアルミナ等のセラミックよりなり、チャンバ１０やヒータブロック３０は金属等よりなる。

チャンバ１０は、容器形状をなすものであり、ウエハ１００の表面処理すなわちアッシングを行うガス媒体を導入する導入口１１と、当該ガス媒体を排出する排気口１２とを備える。

サセプタ２０は、たとえば円板状のもので、一方の板面を搭載面２１としている。そして、サセプタ２０はヒータブロック３０と一体化されている。これら一体化されたサセプタ２０およびヒータブロック３０は、チャンバ１０内における導入口１１と排気口１２との間に配置されている。

ヒータブロック３０は通電等により加熱のオンオフが行われるもので、ヒータブロック３０によりサセプタ２０の温度が調整されるようになっている。そして、サセプタ２０からの伝導熱により、サセプタ２０に搭載されているウエハ１００が温度調節されるようになっている。

また、チャンバ１０内において、導入口１１からのガス媒体をウエハ１００へ導くための通路を構成する案内壁１３が設けられている。この案内壁１３を介して、ガス媒体は、図１中の矢印に示されるように、導入口１１からサセプタ２０上のウエハ１００に接触し、排気口１２へ導かれるようになっている。なお、排気口１２では、真空ポンプ等による排気なされ、これによりチャンバ１０内におけるガス媒体の流れが形成されるようになっている。

ここで、ガス媒体は、たとえば酸素ガスを含むガスであり、高周波を印加されてオゾンやラジカル等の活性種を含むガスとされたものである。そして、このガス媒体がウエハ１００に接触することにより、ウエハ１００に付着しているレジスト等の異物を除去する、つまり表面処理としてのアッシングが行われるようになっている。

ここで、本実施形態のウエハ１００は、一面１０１と他面１０２とが表裏の関係にあり、一面１０１側に凸となるように反っているものである。また、限定するものではないが、ここではウエハ１００は、円板形状のものとしている。

このウエハ１００においては、凸面となる一面１０１側が、半導体プロセスにおいて素子や配線、保護膜等が形成される素子形成面としての表面とされ、凹面となる他面１０２が裏面とされる。たとえばウエハ１００の他面１０２は、最終的にチップとされたときの基板等への接着面とされるものである。

このような反り形状のウエハ１００は、たとえばＳＯＩ（シリコン−オン−インシュレータ）等のウエハや、１層のシリコンのみよりなるウエハにおいて、さらに半導体プロセスにより一面１０１に素子や等が形成されたものとして構成されている。

そして、ウエハ１００は、ウエハ１００の他面１０２が搭載面２１に対向するようにサセプタ２０に搭載される。そのため、ウエハ１００は、外郭にて搭載面２１と接触した状態となり、凹面とされたウエハ１００の他面１０２と搭載面２１との間には、隙間が形成される。

ここにおいて、本実施形態のアッシング装置では、サセプタ２０の搭載面２１のうちのウエハ１００の投影領域２１ａには、投影領域２１ａから投影領域２１ａの外側、すなわちウエハ１００の外郭の外側まで延びる溝２２が形成されている。

ここで、図３では、ウエハ１００の外形を一点鎖線の円で示しており、搭載面２１のうち当該一点鎖線の円内が投影領域２１ａに相当する。つまり、搭載面２１の投影領域２１ａは、ウエハ１００の直下に位置する領域である。

ここでは、図３に示されるように、溝２２は、第１の方向ｘ（図３中の左右方向）に延びる複数本の溝２２と、第１の方向ｘと直交する第２の方向ｙ（図３中の上下方向）に延びる複数本の溝とにより、格子状の配置パターンを構成するものである。このような溝２２は、たとえば型成形等により作られる。

また、溝寸法を限定するものではないが、図２に示される溝２２の幅（開口幅）Ｗ１は、たとえば３ｍｍ、溝２２の深さＤ１は、たとえば２ｍｍとされる。また、図２に示される隣り合う溝２２の距離すなわち溝間隔Ｐ１は、たとえば１０ｍｍとされる。そして、図２では、各方向ｘ、ｙにそれぞれ１３本ずつの溝２２が配置されている。つまり溝２２は、１３本×１３本の格子状配置を構成している。

次に、本実施形態における表面処理装置としてのアッシング装置を用いたウエハ１００の表面処理方法、すなわちアッシング方法について述べる。ウエハ１００としては、原石から切り出されたもの、あるいは、ＳＯＩウエハとして貼り付け加工されたものを用意する。

そして、半導体プロセスにおいては、用意されたウエハ１００の一面１０１、つまりウエハ１００の素子形成面に対し、トランジスタ等の素子や配線、保護膜等をフォトリソグラフ等により形成する。その後、チップ単位にダイシングカットを行う。そして、カットされたチップについては、接着シートを介した基板等への組み付け工程等に供される。

ここで、上述したが、フォトリソグラフ工程の後、ウエハ１００に残るレジストや汚れ等の異物を除去するために、ウエハ１００の一面１０１および他面１０２をアッシングして異物の除去を行う。これが、本実施形態における表面処理工程としてのアッシング工程であり、この工程は上記図１に示したアッシング装置により行われる。

具体的に、アッシング工程では、図１に示されるように、サセプタ２０の搭載面２１に対し、他面１０２を向けた状態でウエハ１００を搭載する。このとき、溝２２とウエハ１００との位置関係は、上記図２、図３にて述べた通り、溝２２が投影領域２１ａからウエハ１００の外郭の外側まで延びる状態とする。

このとき、サセプタ２０はヒータブロック３０により所望の温度に調整され、このサセプタ２０からの伝導熱によりウエハ１００は温度調節されて所望の温度とされる。そして、導入口１１からチャンバ１０内に導入されたガス媒体は、案内壁１３によりウエハ１００の一面１０１に導かれ、ウエハ１００の一面１０１側に接触する。

これと同時に、ガス媒体は、ウエハ１００の外郭の外側から溝２２を介してウエハ１００の他面１０２側に入り込む。ここで、上述のように、ウエハ１００は一面１０１側に凸となる反り形状とされているので、ウエハ１００の他面１０２とサセプタ２０の搭載面２１との間には当該反りによる隙間が形成されている（図１、図２参照）。

そして、溝２２を介してウエハ１００の他面１０２側に入り込んだガス媒体は、この隙間に拡がり、ウエハ１００の他面１０２に接触する。このように、本実施形態では、ガス媒体がウエハ１００の一面１０１と他面１０２の両方に同時に接触するため、ウエハ１００の一面１０１とともに他面１０２もアッシングされる。

そして、ウエハ１００から除去された異物は、ガス媒体とともに排気口１２から排出される。以上が、本実施形態における表面処理工程としてのアッシング工程である。その後、表面処理が完了したウエハ１００は、チップ化するためのダイシング工程や、チップの組み付け工程等に供される。

このように、本実施形態のアッシング装置およびアッシング工程によれば、溝２２の作用により、ウエハ１００の一面１０１と他面１０２とを同時に表面処理することができる。また、本実施形態によれば、サセプタ２０の搭載面２１に対して溝２２を形成するだけなので、従来の様なウエハの裏面を処理するためにウエハを移動させる機構を設けるといった大幅な装置構造の変更が不要となり、コスト面、技術面で有利である。

また、本実施形態によれば、ウエハをサセプタの上方に移動させることが不要になるから、ウエハ１００はサセプタ２０の搭載面２１に接触した状態を維持することができる。そのため、ウエハ１００とサセプタ２０の搭載面２１との接触面積を十分に確保することができ、サセプタ２０からの伝導熱によるウエハ１００の温度調節を精度よく行うことが可能となる。

こうしたことから、本実施形態によれば、一面１０１と他面１０２とが表裏の関係にあるウエハ１００を表面処理するにあたって、サセプタ２０からウエハ１００への伝熱性を確保しつつ、ウエハ１００の表裏両面を同時に表面処理する簡易な構成のアッシング装置を提供することができる。また、本実施形態によれば、そのようなアッシング装置を用いたウエハ１００のアッシング方法を提供することができる。

ここで、本実施形態による効果を限定するものではないが、本実施形態による両面アッシングの効果の一具体例を示す。この例では、第１のサンプルとして、溝２２が、上記図３に示される１３本×１３本の格子状パターンであり、溝２２の幅Ｗ１が３ｍｍ、溝２２の深さＤ１が２ｍｍ、溝間隔Ｐ１が１０ｍｍであるものを用いた。

また、第２のサンプルとして、第１のサンプルにおいて溝間隔Ｐ１を２０ｍｍと大きくし、溝２２の本数を減らしたものを用いた。さらに、比較例として、サセプタ２０の搭載面２１に溝２２を設けないものを用いた。

これら第１のサンプル、第２のサンプル、比較例について上記した本実施形態のアッシング工程を行い、アッシング不良の発生度合を調べた。ここで、不良とは、ウエハ１００の他面１０２、つまりウエハ裏面のアッシングが不十分となることである。具体的には、アッシング後に接着シートによる基板等への貼り付けを行った際に、接着不良が発生した場合を不良とした。

そして、比較例における不良発生率を１と規格化したとき、第１のサンプルの不良発生率は１８％、第２のサンプルの不良発生率は８％であった。

このように、溝２２の本数が増えるとウエハ裏面のアッシングによる洗浄効果が大きくなる。ただし、サセプタ２０の搭載面２１に占める溝２２の面積は、サセプタ２０からウエハ１００への伝熱性を考慮して決めることが肝要である。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について、図４を参照して述べる。本実施形態は、サセプタ２０の搭載面２１における溝２２の配置パターンを変更したものである。上記第１実施形態では、上記図３に示したように、溝２２は格子状に配置されたパターンであったが、本実施形態のように、図４に示される配置パターンでもよい。

本実施形態の溝２２は、搭載面２１のうちのウエハ１００の投影領域２１ａの中央部から周辺部に向かって配置された複数の同心円状の溝２２と、投影領域２１ａの中央部から周辺部に向かって放射状に延びる複数の溝２２とよりなる。そして、複数の同心円状の溝２２が放射状に延びる複数の溝２２により接続されたものとなっている。

この場合も、溝寸法としては、たとえば上記第１実施形態における溝２２の幅Ｗ１、溝２２の深さＤ１を採用できる。そして、本実施形態によっても、サセプタ２０からウエハ１００への伝熱性を確保しつつ、ウエハ１００の表裏両面を同時に表面処理する簡易な構成のアッシング装置を提供することができ、そのようなアッシング装置を用いたウエハ１００のアッシング方法を提供することができる。

（他の実施形態）
なお、表面処理としては、ウエハをサセプタに搭載し、ガス媒体によりウエハを表面処理するものであれば、上記したアッシングに限定されるものではない。たとえば、ガス媒体によりウエハ１００の一面１０１、他面１０２を同時にエッチングするエッチングするものであってもよい。上記実施形態におけるアッシング装置、アッシング方法は、エッチング用のガス媒体を用いることにより、エッチング装置、エッチング方法としても適用することが可能である。

また、サセプタ２０の搭載面２１に設ける溝２２の配置パターンとしては、上記図３や図４に示したパターンにおいて溝２２の本数や各寸法を変更したものであってもよい。さらに、溝２２としては、サセプタ２０の搭載面２１におけるウエハ１００の投影領域２１ａからウエハ１００の外郭の外側まで延びるものであれば、上記図３や図４に示したパターンに限定されるものではない。たとえば、蛇行した溝２２やジグザグ状の溝２２、さらには、不定形状の溝２２等であってもよい。

また、複数本の溝２２の場合、個々の溝２２がすべて同じ幅Ｗ１や深さＤ１でなくてもよく、これら寸法の相違する溝２２が混在する構成であってもよい。また、溝２２としては、１本であってもよく、この場合、たとえば一筆書きの如く不定形をなす１本の溝２２をサセプタ２０の搭載面２１に設けたものにできる。

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。

２０ サセプタ
２１ サセプタの搭載面
２１ａ 搭載面におけるウエハの投影領域
２２ 溝
１００ ウエハ
１０１ ウエハの一面
１０２ ウエハの他面

Claims (4)

1. 一面（１０１）と他面（１０２）とが表裏の関係にあり該一面側に凸となるように反っているウエハ（１００）を用い、前記ウエハが搭載される搭載面（２１）を有するサセプタ（２０）を備え、
   前記ウエハの他面が前記搭載面に対向するように前記ウエハを前記サセプタに搭載し、前記サセプタからの伝導熱により前記ウエハを温度調節した状態で、前記ウエハの一面側にガス媒体を接触させることにより、前記ウエハの一面側を表面処理する表面処理装置であって、
   前記搭載面のうちの前記ウエハの投影領域（２１ａ）には、当該投影領域から前記ウエハの外郭の外側まで延びる溝（２２）が形成されており、
   前記ガス媒体を、前記ウエハの外郭の外側から前記溝を介して前記ウエハの他面側に入り込ませ、前記ウエハの一面とともに他面も表面処理されるようにしたことを特徴とする表面処理装置。
2. 前記溝は、第１の方向に延びる複数本の溝と、第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数本の溝とにより、格子状に配置されたパターンを構成するものであることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
3. 前記溝は、前記搭載面のうちの前記ウエハの投影領域の中央部から周辺部に向かって配置された複数の同心円状の溝と、当該投影領域の中央部から周辺部に向かって放射状に延びる複数の溝とよりなり、当該複数の同心円状の溝が当該放射状に延びる複数の溝により接続されたものであることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
4. 一面（１０１）と他面（１０２）とが表裏の関係にあり該一面側に凸となるように反っているウエハ（１００）を用い、前記ウエハが搭載される搭載面（２１）を有するサセプタ（２０）を備え、ガス媒体を前記ウエハに接触させて前記ウエハの表面処理を行う表面処理装置を用いたウエハの表面処理方法であって、
   前記ウエハの表面処理工程は、前記ウエハの他面が前記搭載面に対向するように前記ウエハを前記サセプタに搭載し、前記サセプタからの伝導熱により前記ウエハを温度調節した状態で、前記ウエハの一面側に前記ガス媒体を接触させることにより、前記ウエハの一面側を表面処理するものであり、
   さらに前記ウエハの表面処理工程では、前記サセプタとして、前記搭載面のうちの前記ウエハの投影領域（２１ａ）に、当該投影領域から前記ウエハの外郭の外側まで延びる溝（２２）が形成されたものを用い、前記ガス媒体を、前記ウエハの外郭の外側から前記溝を介して前記ウエハの他面側に入り込ませ、前記ウエハの一面とともに他面も表面処理されるようにしたことを特徴とするウエハの表面処理方法。

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