JP2003077779A - ウエハ加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ウエハサイズの大型化にともない、高精度の均
熱性能を要求されるウエハ加熱装置も、同様に大型化さ
れたために前記給電端子や制御用熱電対の必要本数も大
幅に増えてきた。このことから弾性的に押圧される力も
大幅に増えてしまい、これらの部材を取り付けた多層構
造部が大きく変形してしまう事態が発生するようになっ
てきた。 【解決手段】支持体内部に設置された複数の支持板から
なる多層構造部に、前記発熱抵抗体に電力を供給するた
めの導通端子および／または前記均熱板の温度制御を行
なうための温度検知素子を固定し、多層構造部を成す複
数の支持板間に、支持板の８０％の直径を持った同心円
内の範囲に３個以上の変形防止部材を備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主にウエハを加熱
するのに用いるウエハ加熱装置に関するものであり、例
えば、半導体ウエハや液晶装置あるいは回路基板等のウ
エハ上に薄膜を形成したり、前記ウエハ上に塗布された
レジスト液を乾燥焼き付けしてレジスト膜を形成するの
に好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体製造装置の製造工程にお
ける、半導体薄膜の成膜処理、エッチング処理、レジス
ト膜の焼き付け処理等においては、半導体ウエハ（以下
ウエハと略す）を加熱するためにウエハ加熱装置が用い
られている。

【０００３】従来の半導体製造装置は、まとめて複数の
ウエハを成膜処理するバッチ式のものが使用されてきた
が、ウエハの大きさが８インチから１２インチと大型化
するにつれ、処理精度を高めるために、一枚づつ処理す
る枚葉式と呼ばれる手法が近年実施されている。しかし
ながら、枚葉式にすると１回あたりの処理数が減少する
ため、ウエハの処理時間の短縮が必要とされている。こ
のため、ウエハ加熱装置に対して、ウエハの加熱時間の
短縮、ウエハの吸着・離脱の迅速化と同時に温度制度の
向上が要求されてきた。

【０００４】このうち半導体ウエハ上へのレジスト膜の
形成にあたっては、図７に示すようなアルミニウム合金
やステンレス鋼等の金属からなる均熱板４２の一方の主
面を、ウエハＷを載せる載置面４３とし、他方の主面に
は複数個のシーズヒータ４４を当接させ、押さえ板４５
にて保持してなるウエハ加熱装置４１が用いられてい
た。ここで、前記均熱板４２は支持枠４７によって保持
され、給電部４６から供給される電力によってシーズヒ
ータ４４を発熱させることにより、均熱板４２の温度を
調整するようになっていた。

【０００５】ところが図７に示すウエハ加熱装置４１で
は、均熱板４２の熱変形を押さえる観点から、その板厚
を１５ｍｍ以上と非常に厚くしているため熱容量が大き
く、ウエハＷを所定の処理温度に加熱するまでの時間
や、処理温度から室温付近に冷却するまでの時間が長く
なり生産性が悪かった。

【０００６】上記のようなウエハ加熱装置の処理温度の
時間短縮を目的として、均熱板にセラミックス材料を用
いたものが提案されている。例えば、特開平１１−４０
３３０号に記載されているセラミックヒーターを均熱板
として使用するウエハ加熱装置では、窒化物又は炭化物
セラミックからなる板状体の表面に金属粒子を焼結させ
発熱抵抗体を形成し、導通用の端子ピンを導電性ペース
トにて発熱体表面に取り付けられている。また、温度制
御のための熱電対は前記セラミック体に埋め込まれ固定
されている。

【０００７】しかしながら、このようなセラミックヒー
ターをウエハ加熱装置として使用した場合、加熱冷却の
温度サイクルにて繰り返し使用すると、発熱抵抗体上に
設けられた端子ピンの固定が不安定となり、そこに電気
的な接点不良を発生させ断線してしまうといった問題が
あった。また、発熱抵抗体上により強固に端子ピンを固
定しようと導電ペーストの量を多くすれば、その部分の
みが周囲と熱容量の差が生じてしまい、均熱板としてセ
ラミックのヒーターを使用した場合に温度分布が崩れ均
熱性に欠けるといった問題もあった。

【０００８】このような問題を解決するためのウエハ加
熱装置として、特開２００１−１８９２７６号には、図
８に示すようなウエハ加熱装置１が提案されている。こ
のウエハ加熱装置１は、セラミックスからなる均熱板２
の一方の主面を、ウエハＷを載せる載置面３とするとと
もに、他方の主面にガラス又は樹脂からなる絶縁層４を
介して発熱抵抗体５を形成したものである。このような
ウエハ加熱装置１はセラミックからなる均熱板２と金属
製の支持部３４有した構造をしており、支持部３４は側
壁部３５と多層構造部１０からなる。多層構造部１０に
は、均熱板２の発熱抵抗体５に給電するための給電部６
と導通するための導通端子１１、均熱板２を冷却するた
めのガス噴射口１２、均熱板２の温度を測定するための
熱電対９等が設置されている。

【０００９】このようなウエハ加熱装置１は、前述の図
７に示すようなアルミニウム合金やステンレス鋼等の金
属からなる均熱板４２を用いたウエハ加熱装置４１に比
べ、熱容量が小さいことや冷却のためのガス噴射口１２
を好適に有することからウエハＷの加熱時間の短縮が可
能となり、また、ウエハＷの吸着・離脱の迅速化と同時
に温度制度の向上といった課題に対して優れた性能をも
ったものである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
ウエハ加熱装置には次のような未解決の問題があった。
多層構造部には、前記した弾性的に押圧された給電端子
や制御用熱電対、冷却ガスを供給するガス噴射口、リフ
トピンを貫通させるピンガイド等の様々な部材が取り付
けられている。ウエハサイズの大型化にともない、高精
度の均熱性能を要求されるウエハ加熱装置も、同様に大
型化されたために前記給電端子や制御用熱電対の必要本
数も大幅に増えてきた。このことから弾性的に押圧され
る力も大幅に増えてしまい、これらの部材を取り付けた
多層構造部が大きく変形してしまう事態が発生するよう
になってきた。

【００１１】またそのような多層構造部の変形の影響に
より、均熱板の内周部と外周部では弾性的に押圧される
給電端子や制御用熱電対を押圧する力にばらつきが生
じ、給電端子の部分では接触不良を発生させて接触抵抗
が増大してしまう場合や、接触不良の状態のまま繰り返
し通電すると、給電端子部分がスパークし導通が得られ
なくなるといった問題が発生することもあった。

【００１２】また、制御用熱電対の部分では押圧される
熱電対の接触状態が不安定なため、均熱板を一定の温度
に保った定常状態においても温度ドリフトが発生してし
まい精密な温度制御ができないといった問題があった。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、円板状セラミ
ックスの一方の主面をウエハの載置面とし、他方の主面
もしくは内部に発熱抵抗体を備えた均熱板と、該均熱板
の周囲を支持する金属製の支持体とからなるウエハ加熱
装置において、前記支持体内部に設置された複数の支持
板からなる多層構造部に、前記発熱抵抗体に電力を供給
するための導通端子および／または前記均熱板の温度制
御を行なうための温度検知素子を固定し、多層構造部を
成す複数の支持板間に、支持板の８０％の直径を持った
同心円内の範囲に３個以上の変形防止部材を備えたこと
を特徴とする。

【００１４】また、円板状セラミックスの一方の主面を
ウエハの載置面とし、他方の主面もしくは内部に発熱抵
抗体を備えた均熱板と、該均熱板の周囲を支持する金属
製の支持体とからなるウエハ加熱装置において、発熱抵
抗体に通電して２５０℃まで加熱し冷却する熱サイクル
を１０サイクル掛けた際の初期の温度に対する温度ドリ
フトが、０．４℃以内であることを特徴とする。

【００１５】また、前記変形防止部材が筒状体からな
り、その貫通孔内にウエハを昇降させるためのリフトピ
ンを挿通したことを特徴とする。

【００１６】さらに、前記多層構造部が少なくとも２層
の支持板からなり、そのうち最も均熱板側に設置された
支持板の厚みが１〜４ｍｍであり、開口率が５〜７０％
となるような開口部を有し、これと対向して設置された
支持板の厚みが２〜７ｍｍであり、開口率が５〜４０％
となるような開口部を有することを特徴とする。

【００１７】そして、前記円板状セラミックスが、厚み
２〜７ｍｍの炭化珪素または窒化アルミニウムを主成分
とすることを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。

【００１９】図１は本発明に係るウエハ加熱装置１の一
例を示す断面図で、炭化珪素または窒化アルミニウムを
主成分とするセラミックスからなる均熱板２の一方の主
面を、ウエハＷを載せる載置面３とするとともに、他方
の主面にガラス又は樹脂等からなる絶縁層４を介して発
熱抵抗体５を形成したものである。

【００２０】載置面３の表面には有底孔を有し、その有
底孔内にはウエハＷと載置面３の距離を一定に保つため
に支持ピン８が挿入されている。支持ピン８の数は少な
くとも３点以上にて支持できるように３個以上設置して
ある。また、支持ピン先端はウエハＷに均熱板２からの
伝熱を受け部分的に加熱されないように、点接触となる
ように球形状や針形状に加工してある。

【００２１】発熱抵抗体５のパターン形状としては、円
弧状の電極部と直線状の電極部とからなる略同心円状を
したものや渦巻き状をしたものなど、載置面３を均一に
加熱できるパターン形状であれば良い。均熱性を改善す
るため、発熱抵抗体５を複数のパターンに分割すること
も可能である。

【００２２】発熱抵抗体５には、金や銀、パラジウム、
白金等の材質からなる給電部６が形成され、該給電部６
に導通端子１１を押しバネ２１より押圧して接触させる
ことにより、導通が確保されている。

【００２３】さらに、均熱板２と支持体７の外周にボル
ト１６を貫通させ、均熱板２と支持体７が直接当たらな
いように、断熱部１７を介在させ、支持体７側より弾性
体１８、座金１９を介在させてナット２０を螺着するこ
とにより弾性的に固定している。これにより、均熱板２
の温度が変動した場合に支持体７が変形しても、上記弾
性体１９によってこれを吸収し、これにより均熱板２の
反りを抑制し、ウエハ表面に、均熱板２の反りに起因す
る温度ばらつきが発生することを防止できるようにな
る。

【００２４】なお、金属製の支持体７は内部に複数の支
持板１０ａ、１０ｂからなる多層構造部１０を有し、均
熱板２はその多層構造部１０に対向する上部を覆うよう
に設置してある。また、多層構造部１０には均熱板２を
冷却するためのガス噴射口１２とその冷却ガスを排出す
るための開口部１４が施されている。

【００２５】また、均熱板２と対向する支持板１０ａに
は、発熱抵抗体５に給電するための導通端子１１、均熱
板２の温度を測定し制御するための熱電対９を複数設置
しており、これらは弾性的に押圧するよう固定してあ
る。

【００２６】この多層構造部１０間には弾性的に押圧固
定することによって生じる多層構造部１０の変形を防止
する変形防止部材１３、多層構造部間１０の外周部に設
置され多層構造部１０間を固定する支柱１５が設置され
ている。

【００２７】さらに、多層構造部１０は複数層からな
り、該多層構造部１０の均熱板２に最も近い支持板１０
ａは、均熱板２から５〜１５ｍｍの距離に設置すること
が望ましい。これは、均熱板２と多層構造部１０相互の
輻射熱により均熱化が容易となると同時に、他層との断
熱効果があるので、均熱となるまでの時間が短くなるた
めである。

【００２８】上記変形防止部材１３は多層構造部１０を
有する支持板１０ａの８０％の直径を持った同心円内の
範囲に、少なくとも１つ以上の略同心円状に３個以上備
え、多層構造部１０間に締着固定されていること好まし
い。

【００２９】変形防止部材１３の位置を、支持板１０ａ
の８０％の直径を持った同心円内の範囲以内とする理由
は、例えば変形防止部材１３が中心部に１個だけの場
合、中心部付近の多層構造部１０だけ部分的に変形防止
効果を得られて、中心部と外周部間においては前述した
ような変形による問題が残ってしまうためである。ま
た、２個の場合、変形防止部材１３を結ぶ線方向は多層
構造部１０の変形防止効果があるが、この線方向に直角
な方向は十分な効果を得られず、変形防止部材１３の無
い部分においては前述の問題が発生してしまうのであ
る。これより外側のみで多層構造部１０間を固定する
と、弾性体にて押圧固定された導通端子１１や熱電対９
のバネ力によって、多層構造部１０が変形してしまい、
均熱板２の内周部と外周部では弾性的に押圧される導通
端子１１や制御用の熱電対９を押圧する力にばらつきが
生じ、導通端子１１が接触不良を発生し接触抵抗が増大
してしまう場合がある。さらに、このような接触不良の
状態のまま繰り返し通電すると、導通端子１１の給電部
６との接触部分がスパークし導通が得られなってしまう
からである。

【００３０】また、制御用の熱電対９においても押圧さ
れる熱電対９の接触状態が不安定なため、均熱板２を一
定の温度に保った定常状態においても温度ドリフトが発
生してしまい精密な温度制御ができなくなってしまうか
らある。

【００３１】温度ドリフトとはある一定温度に均熱板２
の温度を保持した状態で、制御用の熱電対９の検知温度
を記録計などに記憶させたときに、均熱板２の温度が一
定にも関わらず熱電対の検知温度が変化してしまう現象
のことである。このような温度ドリフトが発生する原因
としては、熱電対９の接触状態や測定環境によるものが
考えられるが、ウエハ加熱装置１などの略密閉状態で加
熱され保持したものでは、熱電対９の接触状態の変化が
一番の原因であると考えられる。

【００３２】また、このように多層構造部１０が偏った
変形をしたものは、均熱板２にも影響を及ぼしてしまう
ことも試験の結果あらたに判明した。このようなウエハ
加熱装置１においては、均熱板２自体が加熱冷却スピー
ドを速めるために、極力薄くなるように設計されてい
る。こうした場合、弾性的に押圧される均熱板２はその
バネ力により、ウエハＷの載置面３となる方向に凸形状
に数百ミクロン変形が生じる。このような均熱板２自体
の変形を防止するために、あらかじめバネ力設定値を取
り付け位置によって変更するのだが、多層構造部１０が
偏った変形を有している場合には、目的の効果が得られ
ずに均熱板２にも偏った変形を発生させてしまう。均熱
板２の変形は、ウエハＷと載置面３の距離が部分的に変
わることになるため加熱時の温度ばらつきを生じさせ
る。

【００３３】この温度ドリフトに関しては、発熱抵抗体
５に通電して２５０℃まで加熱し冷却する熱サイクルを
１０サイクル掛けた際の初期の温度に対する温度ドリフ
トが、０．４℃以内となるようにすることが好ましい。
さらに好ましくは、０．２℃以内とすると良い。このよ
うな温度ドリフトが発生するものは、熱サイクルの数を
増やしていくと、温度ドリフトがさらに大きくなる傾向
を示す。このような温度ドリフトが発生すると、測定点
によって実際の温度を測定できなくなっているにも拘わ
らず、その指示された温度を基に温度を制御するので、
ウエハＷの温度が不均一になってしまう。上記のような
多層構造部１０が偏った変形を示すものは、熱処理を加
えれば０．４℃を越える温度ドリフトが発生するように
なる。これに対し、例えば本発明の請求項１に示したよ
うに、支持体７内部に設置された複数の支持板１０ａ、
１０ｂからなる多層構造部１０に、前記発熱抵抗体５に
電力を供給するための導通端子１１および／または前記
均熱板２の温度制御を行なうための温度検知素子９を固
定し、多層構造部１０を成す複数の支持板７間に、支持
板７の８０％の直径を持った同心円内の範囲に３個以上
の変形防止部材１３を備えることにより、温度ドリフト
を０．４℃以下にすることができる。また、このような
観点から、この温度ドリフトの有無を、ウエハ加熱装置
１の性能評価方法として使用することもできる。

【００３４】また、前記変形防止部材１３の配置につい
ては、少なくとも１つの略同心円上に略等間隔に設置す
ることが好ましい。

【００３５】また、これまで図１に示したような発熱抵
抗体５を均熱板２の表面に形成するタイプのウエハ加熱
装置１について説明してきたが、発熱抵抗体５は均熱板
２に内蔵されていても構わない。

【００３６】図２を例に説明すると、例えば主成分が窒
化アルミニウムからなる均熱板２を用いる場合、まず、
発熱抵抗体５の材料としては窒化アルミニウムと同時焼
結できる材料という観点から、タングステン又はタング
ステンカーバイドを用いる。均熱板２は窒化アルミニウ
ムを主成分とし焼結助剤を適宜含有する原料を十分混合
したのち円盤状に形成し、その表面にタングステンもし
くはタングステンカーバイドからなるペーストを発熱抵
抗体５のパターン形状にスクリーン印刷等の手法で形成
し、その上に別の窒化アルミニウム成型体を重ねて密着
した後、窒素ガス中１９００〜２１００℃の温度で一体
焼結させることにより得られる。また、発熱抵抗体から
の導通は、窒化アルミニウム質基材にスルーホール２２
を形成し、タングステン又はタングステンカーバイドか
らなるペーストを埋め込んだ後焼結させ、表面に電極を
引き出すようにすればよい。また、給電部６はウエハＷ
の加熱温度が高い場合には、金、銀等の貴金属を主成分
とするペーストを前記スルーホール２２の上に塗布し９
００〜１０００℃で焼き付けることにより、内部の抵抗
発熱体５の酸化を防止することができる。

【００３７】また、他の実施形態として、図３にはウエ
ハＷの取り替えや設定温度の変更の際に、ウエハＷを昇
降させるためのリフトピン２３を貫通させる貫通穴２４
を均熱板２に備え、かつ変形防止部材１３を筒状とし、
その中空部にリフトピン２３を挿通させたウエハ加熱装
置１を示している。このようなリフトピン２３を均熱板
２に挿通させて使用する場合には、多層構造部１０と均
熱板２の間にリフトピン２３のガイド２５を設ける。こ
のガイド２５は多層構造部１０に固定されたガス噴射口
１２から冷却時に噴射される冷却ガスが載置面３上に漏
れ出さないようにするために略密着させて設けなければ
ならない。

【００３８】このようなウエハ加熱装置１では、変形防
止部材１３によって、多層構造部１０の変形に伴う導通
端子１１や制御用の熱電対９に係わる種々の問題を防止
できるとともに、均熱板２を冷却するためにガス噴射口
１２から噴射された冷却ガスが、リフトピン２３の昇降
用の貫通穴２４からウエハＷを処理する処理室２７内に
漏れ出すことが無く、多層構造部１０に設けられた開口
部１４を通り処理室２７外へ排出されるため、処理室内
で乾燥、焼き付けされるウエハＷ上の形成膜に影響を及
ぼすことが無くなる。

【００３９】また、変形防止部材１３をリフトピン２３
のガイドと兼用としたことで多層構造部１０内のスペー
スを有効に活用できるとともに部品点数を削減できる。
このようなウエハ加熱装置１では高精度の温度制御を行
うために、均熱板２に近接する部品は極力少なく小型化
することが良い。その理由は、大型の部品を均熱板２に
近接すると、その部品自体に蓄熱され均熱板２の温度分
布に影響を与えたり、冷却時になかなか冷却されず降温
時間が遅くなったりするからである。このような理由か
ら変形防止部材１３はガイドと兼用させることが好まし
い。さらに取り付け位置も、導通端子１１や熱電対９、
ガス噴射口１２の取り付け位置の妨げにならない配置で
等間隔に設置可能な設計をするとよい。

【００４０】図４にガイド２５との変形防止部材１３を
一体化した場合の詳細図を示す。多層構造部１０間に変
形防止を目的として変形防止部材１３をネジ２６にて固
定する。この変形防止部材１３はガイド２５を一体化し
た筒状体であり、中空部分にリフトピン２３を挿入する
ようになっている。変形防止部材１３のガイド２５を均
熱板２と対向する多層構造部１０ａに予め設けた貫通穴
に通しネジ２６にて固定する。変形防止部材１３のガイ
ド２５の長さは均熱板２とガイド２５が略密着状態とな
るように設定する。

【００４１】図４に示した変形防止部材１３は実施例の
一例を示したものであり、変形防止効果、ガイド機能を
果たすものであれば、一体化成型されたものに限られる
ものではなく、また、形状も円筒状、筒状、中空Ｉ型状
などさまざまな形状であっても構わない。

【００４２】また、多層構造部１０の最も均熱板２側の
層に設置された支持板１０ａの厚みは１〜４ｍｍとする
ことが好ましい。１ｍｍ未満とすると、変形防止部材１
３を設置しても、支持板１０ａに設置された導通端子１
１や制御用の熱電対９を押圧固定した際に発生するバネ
力で、バネを用いた前記の各部品周辺の多層構造部１０
が部分的に変形してしまう。変形防止部材１３を無限に
取り付けることが可能であれば、多層構造部１０の変形
を防止できるのだが、実際には取り付けスペースの問題
やコスト、変形防止部材１３自体の熱容量による蓄熱効
果の影響で均熱性能が低下することなどから、無限に多
数設置することは現実的ではない。

【００４３】また、支持板１０ａの厚みを４ｍｍ以上と
すると均熱板２からの輻射熱が蓄熱され、例えば一定時
間ガス噴射口１２から冷却ガスを噴射しても、その後支
持板１０ａからの放熱によって再度均熱板２が温められ
てしまう。このような場合、支持板１０ａが均熱板２に
影響しない温度まで冷却されるように、冷却時間を長く
設定しなければならず、効率の良い温度設定変更の妨げ
となり十分な機能を得られない。そのため支持板１０ａ
は問題の発生しない範囲において極力薄く設計すること
が好ましい。

【００４４】さらに、均熱板２側に設けられた支持板１
０ａと対向して設置された支持板１０ｂの厚みは２〜７
ｍｍとすることが好ましい。支持板１０ｂは均熱板２側
に設置された支持板１０ａを、変形防止部材１３を用い
て固定する際のベース面となる。そのため２ｍｍより薄
くなってしまうと支持板１０ｂが支持板１０ａ側に引っ
張られる形で変形してしまうため好ましくない。

【００４５】また、支持板１０ｂを７．０ｍｍを越える
厚みとした場合、ベース面としての機能は十分に得られ
るのだが、ウエハ加熱装置１内の各部品の取り付けスペ
ースが無くなり好ましくない。十分な取り付けスペース
が得られるようにすると、ウエハ加熱装置１が大型化し
てしまうとともにウエハ加熱装置１の重量も重くなり、
半導体製造装置内に組み込む際に作業性が悪化するため
に問題となってしまう。このように支持板１０ｂの厚み
は、支持板１０ａを、変形防止部材１３を用いて固定す
る場合のベース面としての機能を十分に発揮させるため
に、支持板１０ａよりも厚く設定することが良い。

【００４６】多層構造部１０の材質は、熱的特性から耐
酸化性の金属やセラミックスとすることが良い。これは
ウエハ加熱装置１の加熱温度による変形を抑制できるこ
とや酸化による変色や変質もなくパーティクルの発生等
の問題が無いためである。

【００４７】しかし、セラミック製の多層構造部１０を
作製するためには、成型や焼成、穴加工やネジ加工等に
おいて金属加工のそれに比べ、非常に高コストとなるた
め、実質的には耐酸化性の金属材料にて製作することが
製品コストを安価にすることから好ましい。

【００４８】熱的特性に優れる耐酸化性の金属材料と
は、具体的にはステンレス（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金）、
ニッケル（Ｎｉ）等の耐酸化性金属や、一般鋼（Ｆ
ｅ）、チタン（Ｔｉ）にニッケルメッキやニッケルメッ
キ上に金メッキを重ねて耐酸化処理を施した金属材料の
ことである。

【００４９】また、ここで均熱板２を冷却するためにガ
ス噴射口１２から噴射された冷却ガスを処理室外に排出
するために支持板１０ｂには、その面積の５〜４０％の
開口率となるように開口部１４が形成されている。この
開口部１４の面積が５％未満であると、支持体７の容積
の中でガス噴射口１２から噴射されるガスと排出される
べきガスが混合されて、冷却効率が低下してしまう。ま
た、開口部１４の面積が４０％を越えると、導通端子１
１やガス噴射口１２を保持するスペースが不足するとと
もに強度が不足して、導通端子１１の電極パッド６への
押圧力が安定せず、接触状態が悪くなり断続使用時の耐
久性が悪くなる。

【００５０】このように、多層構造部１０に開口部１４
を設けることにより、冷却時はガス噴射口１２から噴射
された冷却ガスが均熱板２の表面の熱を受け取り、支持
体１１内部に滞留することなく開口部１４から順次層外
に排出され、ガス噴射口１２から噴射される新しい冷却
ガスで均熱板２表面を効率的に冷却できるので冷却時間
が短縮することができる。

【００５１】さらに、均熱板２を炭化珪素質焼結体又は
窒化アルミニウム質焼結体により形成してあることか
ら、熱を加えても変形が小さく、板厚を薄くできるた
め、所定の処理温度に加熱するまでの昇温時間及び所定
の処理温度から室温付近に冷却するまでの冷却時間を短
くすることができ、生産性を高めることができるととも
に、５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有することから、
薄い板厚でも発熱抵抗体５のジュール熱を素早く伝達
し、載置面３の温度ばらつきを極めて小さくすることが
できる。

【００５２】このとき均熱板２の厚みは、２〜７ｍｍと
することが好ましい。均熱板２の厚みが２ｍｍより薄い
と、均熱板２の強度が弱くなり発熱抵抗体５の発熱によ
る加熱時、ガス噴射口１２からの冷却流体を吹き付けた
際に、冷却時の熱応力に耐えきれず、均熱板２にクラッ
クが発生する。また、均熱板２の厚みが７ｍｍを越える
と、均熱板２の熱容量が大きくなるので加熱および冷却
時の温度が安定するまでの時間が長くなってしまい好ま
しくない。

【００５３】また、発熱抵抗体５への給電方法について
は、支持体７に設置した導通端子１１を均熱板２の表面
に形成した給電部６に導通端子１１をバネで押圧するこ
とにより接続を確保し給電する。これは、２〜７ｍｍの
厚みの均熱板２に金属からなる端子部を埋設して形成す
ると、該端子部の熱容量により均熱性が悪くなるからで
ある。そのため、本発明のように、導電端子１１をバネ
で押圧して電気的接続を確保することにより、均熱板２
とその支持体７の間の温度差による熱応力を緩和し、高
い信頼性で電気的導通を維持できる。さらに、接点が点
接触となるのを防止するため、弾性のある導体を中間層
として挿入しても構わない。この中間層は単に箔状のシ
ートを挿入するだけでも効果がある。そして、導通端子
１１の給電部６側の径は、１．５〜４ｍｍとすることが
好ましい。

【００５４】また、均熱板２の温度は、均熱板２にその
先端が埋め込まれた制御用の熱電対９により測定する。
熱電対９としては、その応答性と保持の作業性の観点か
ら、外径１．０ｍｍ以下のシース型の熱電対９を使用す
ることが好ましい。図５に示すように、この熱電対９の
先端部は、均熱板２に形成された孔の底面に略平行に設
置され、円筒状の金属体２９を介して、固定軸３１に取
り付けられたスリーブ３２、バネ材２８、ワッシャー３
３を多層構造部１０に固定板３０にてネジ止めしてあ
る。このようにバネ材２８により押圧固定することが測
温の信頼性を向上させるために好ましい。なお、ここに
示した熱電対９の取り付け構造は一例でありこの限りで
はない。

【００５５】さらに、レジスト膜形成用のウエハ加熱装
置１として使用する場合は、均熱板２の主成分を炭化珪
素にすると、大気中の水分等と反応してガスを発生させ
ることもないため、ウエハＷ上へのレジスト膜の貼付に
用いたとしても、レジスト膜の組織に悪影響を与えるこ
とがなく、微細な配線を高密度に形成することが可能で
ある。この際、焼結助剤に水と反応してアンモニアやア
ミンを形成する可能性のある窒化物を含まないようにす
ることが必要である。

【００５６】なお、均熱板２を形成する炭化珪素質焼結
体は、主成分の炭化珪素に対し、焼結助剤として硼素
（Ｂ）と炭素（Ｃ）を添加したり、もしくはアルミナ
（Ａｌ₂Ｏ₃）イットリア（Ｙ₂Ｏ₃）のような金属酸化物
を添加して十分混合し、平板状に加工したのち、１９０
０〜２１００℃で焼成することにより得られる。炭化珪
素はα型を主体とするものあるいはβ型を主体とするも
ののいずれであっても構わない。

【００５７】また、均熱板２を形成する窒化アルミニウ
ム質焼結体は、主成分の窒化アルミニウムに対し、焼結
助剤としてＹ₂Ｏ₃やＹｂ₂Ｏ₃等の希土類元素酸化物と必
要に応じてＣａＯ等のアルカリ土類金属酸化物を添加し
て十分混合し、平板状に加工した後、窒素ガス中１９０
０〜２１００℃で焼成することにより得られる。

【００５８】さらに、均熱板２の載置面３と反対側の主
面は、ガラスや樹脂からなる絶縁層４との密着性を高め
る観点から、平面度２０μｍ以下、面粗さを中心線平均
粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ〜０．５μｍに研磨しておく
ことが好ましい。

【００５９】一方、炭化珪素質焼結体を均熱板２として
使用する場合、半導電性を有する均熱板２と発熱抵抗体
５との間の絶縁を保つ絶縁層４としては、ガラス又は樹
脂を用いることが可能であり、ガラスを用いる場合、そ
の厚みが１００μｍ未満では耐電圧が１．５ｋＶを下回
り絶縁性が保てず、逆に厚みが４００μｍを越えると、
均熱板２を形成する炭化珪素質焼結体や窒化アルミニウ
ム質焼結体との熱膨張差が大きくなり過ぎるために、ク
ラックが発生して絶縁層４として機能しなくなる。その
為、絶縁層４としてガラスを用いる場合、絶縁層４の厚
みは１００〜４００μｍの範囲で形成することが好まし
く、望ましくは２００μｍ〜３５０μｍの範囲とするこ
とが良い。

【００６０】また、均熱板２を、窒化アルミニウムを主
成分とするセラミック焼結体で形成する場合は、均熱板
２に対する発熱抵抗体５の密着性を向上させるために、
ガラスからなる絶縁層４を形成する。ただし、発熱抵抗
体５の中に十分なガラスを添加し、これにより十分な密
着強度が得られる場合は、省略することが可能である。

【００６１】この絶縁層４を形成するガラスの特性とし
ては、結晶質又は非晶質のいずれでも良く、耐熱温度が
２００℃以上でかつ０℃〜２００℃の温度域における熱
膨張係数が均熱板２を構成するセラミックスの熱膨張係
数に対し−５〜＋５×１０^-7／℃の範囲にあるものを適
宜選択して用いることが好ましい。即ち、熱膨張係数が
前記範囲を外れたガラスを用いると、均熱板２を形成す
るセラミックスとの熱膨張差が大きくなりすぎるため、
ガラスの焼付け後の冷却時においてクラックや剥離等の
欠陥が生じ易いからである。

【００６２】なお、ガラスからなる絶縁層４を均熱板２
上に被着する手段としては、前記ガラスペーストを均熱
板２の中心部に適量落とし、スピンコーティング法にて
伸ばして均一に塗布するか、あるいはスクリーン印刷
法、ディッピング法、スプレーコーティング法等にて均
一に塗布したあと、ガラスペーストを６００℃以上の温
度で焼き付けすれば良い。また、絶縁層４としてガラス
を用いる場合、予め炭化珪素質焼結体又は窒化アルミニ
ウム質焼結体からなる均熱板２を８５０〜１３００℃程
度の温度に加熱し、絶縁層４を被着する表面を酸化処理
しておくことで、ガラスからなる絶縁層４との密着性を
高めることができる。

【００６３】さらに、絶縁層４上に被着する発熱抵抗体
５材料としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等の金属単体を、蒸着法やメ
ッキ法にて直接被着するか、あるいは前記金属単体や酸
化レニウム（Ｒｅ₂Ｏ₃）、ランタンマンガネート（Ｌａ
ＭｎＯ₃）等の導電性の金属酸化物や上記金属材料を樹
脂ペーストやガラスペーストに分散させたペーストを用
意し、所定のパターン形状にスクリーン印刷法等にて印
刷したあと焼付けして、前記導電材を樹脂やガラスから
成るマトリックスで結合すれば良い。マトリックスとし
てガラスを用いる場合、結晶化ガラス、非晶質ガラスの
いずれでも良いが、熱サイクルによる抵抗値の変化を抑
えるために結晶化ガラスを用いることが好ましい。

【００６４】ただし、発熱抵抗体５材料に銀（Ａｇ）又
は銅（Ｃｕ）を用いる場合、マイグレーションが発生す
る恐れがあるため、このような場合には、発熱抵抗体５
を覆うように絶縁層４と同一の材質からなるコート層を
４０〜４００μｍ程度の厚みで被覆しておけば良い。

【００６５】

【実施例】実施例 １ 熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋの炭化珪素質焼結体に研削加
工を施し、板厚３．５ｍｍ、外径３２０ｍｍの円盤状を
した均熱板２を複数製作し、各均熱板２の一方の主面に
絶縁層４を被着するため、ガラス粉末にエチルセルロー
スと有機溶剤のテルピネオールからなるバインダーを混
練して作製したガラスペーストをスクリーン印刷法にて
印刷した後、１５０℃に加熱して有機溶剤を乾燥させた
あと、５５０℃で３０分間脱脂処理を施し、さらに７０
０〜９００℃の温度で焼き付けを行うことにより、ガラ
スからなる厚み２００μｍの絶縁層４とした。

【００６６】次いで絶縁層４上に発熱抵抗体５を被着す
るため、導電材としてＡｕ粉末とＰｄ粉末と、前記同様
の組成からなるバインダーを添加したガラスペーストを
混練して作製した導電体ペーストをスクリーン印刷法に
て所定のパターン形状に印刷したあと、１５０℃に加熱
して有機溶剤を乾燥させ、さらに５５０℃で３０分間脱
脂処理を施したあと、７００〜９００℃の温度で焼き付
けを行うことにより、厚みが５０μｍの発熱抵抗体５を
形成した。発熱抵抗体５は図６に示すような中心部５ａ
と外周部を周方向に４分割した５パターン構成（５ｂ〜
５ｅ）とした。しかるのち発熱抵抗体５に給電部６を設
け、導通端子１１を押圧固定させることにより、均熱板
２を製作した。

【００６７】また、支持体７内には厚み２ｍｍのＳＵＳ
３０４からなる支持板１０ａと厚み３ｍｍの支持板１０
ｂからなる多層構造部１０を形成し、多層構造部１０
ａ、１０ｂ間に、種々の評価水準に基づいた数及び位置
に配置した変形防止部材１３、分割された発熱抵抗体５
の各パターンを制御するための５本の熱電対９、給電部
６に導通させるための１０本の導通端子１１を所定の位
置に形成し、評価用のウエハ加熱装置を準備した。また
２枚の多層構造部１０のうち、最上層の多層構造部１０
ａから均熱板２までの距離は８ｍｍ、下層の多層構造部
１０ｂから上層の多層構造部１０ａまでの距離は１２ｍ
ｍとした。

【００６８】その後、前記支持体７の上に、均熱板２を
重ね、その外周部にボルト１６を貫通させ、均熱板２と
支持体７が直接当たらないように、断熱部１７を介在さ
せ、支持体７側より弾性体１８、座金１９を介在させて
ナット２０を螺着することにより弾性的に固定すること
によりウエハ加熱装置１とした。

【００６９】変形防止部材１３の位置は、中心部、均熱
板２直径に対して、５０％〜９０％の同心円内の範囲に
略等間隔に設置したもの、及び、比較用として変形防止
部材１３を備えないものを準備した。

【００７０】評価条件としては、各ウエハ加熱装置１の
給電部６に通電して５分間で２５０℃まで昇温した後、
冷却ガスを均熱板２に噴射し５分間で５０℃まで冷却す
るといった温度履歴を１サイクルとするサイクル試験を
２０００サイクル行った。

【００７１】評価基準としては、均熱板２に設けられた
５つの発熱抵抗体５ａ〜５ｅのうち、最も抵抗変化した
パターンの３０００サイクル後に抵抗変化量が１％以下
であり、外観検査にて給電部６にスパーク等の不具合が
発生しなかったものをＯＫとした。抵抗変化とスパーク
等の外観不良の両方が無かったものは○、どちらか片方
でも不具合が発生したものは×とした。それぞれの評価
条件・結果は表１に示す通りである。

【００７２】

【表１】

【００７３】表１からわかるように、まず、変形防止部
材１３を有しないＮｏ．１のウエハ加熱装置は、２５０
℃から５０℃のサイクル評価後の抵抗変化量が３．２２
％と大きく変化した。このとき最も抵抗変化量が大きか
ったものは５ａのパターンであった。

【００７４】また、サイクル評価後の給電部６の外観確
認においては、５分割したパターンのうち中心部５ａの
給電部６ａ、６ｂと、分割された外周部の発熱抵抗体の
うち給電部６が均熱板２の中心に近い部分に設けられた
６ｃ、６ｄにおいて発生していた。さらに、その中で最
も損傷の激しかった給電部は６ａの給電部であった。こ
のように変形防止部材１３を設けていない場合、最も変
形の影響を受けやすい中心部付近であるといえる。

【００７５】次に、変形防止部材１３を中心部に１個だ
け設置したＮｏ．２にておいても、３０００サイクル後
の抵抗変化量は２．１８％と大きく変化し、外観確認に
おいて給電部６ｂが黒く変色しスパークした形跡が認め
られた。変形防止部材１３を中心部のみに設けても、多
層構造部１０全体の変形を防止できないことが判った。

【００７６】また、変形防止部材１３を支持板１０ａの
直径に対して５０％の位置に、直線上に並べて設置した
Ｎｏ．３のウエハ加熱装置においても、発熱抵抗体５ａ
において３０００サイクル後の抵抗変化量は２．３７％
と大きく変化してしまった。さらに、外観確認にてスパ
ーク跡を調査したところ発熱抵抗体５ａに設けられた給
電部６ｂと外周部の発熱抵抗体５ｃ、５ｅに備えられた
６ｆ、６ｈ給電部６ｂにスパークの形跡があった。

【００７７】これは、変形防止部材が２個の場合、変形
防止部材１３を結ぶ線方向は多層構造部１０の変形防止
効果があるが、この線方向に直角な方向は十分な効果を
得られず、変形防止部材１３の無い部分においては前述
の問題が発生してしまうためである。

【００７８】また、変形防止部材１３を支持板１０ａの
直径に対して９０％の位置に設置したものについても、
５ａのパターンにおいて３０００サイクル後の抵抗変化
量は１．２６％と大きく変化してしまった。外観確認に
てスパーク跡を調査したところ給電部６ａにスパークの
形跡があった。これは、変形防止部材１３が外周に近い
位置にあるため、その性能を十分に発揮できずに結果的
には、変形防止部材１３を設置しない状態のように、中
心部に近い給電部６ａにて問題を発生させたのであっ
た。

【００７９】これに対し、変形防止部材１３を均熱板２
直径の８０％以内の範囲で３個以上設けたＮｏ．４〜
７、Ｎｏ．９〜１２は、サイクル評価後の抵抗変化はい
ずれも０．６％以内で判定基準の１％を大きく下回る結
果となった。サイクル評価後の給電部の外観確認におい
ても問題となる変色や、スパーク等はなく良好な結果が
得られた。

【００８０】実施例 ２ 実施例１と同様の製造方法にて均熱板２及びウエハ加熱
装置１を製作した。実施例２として、実施例１と同様に
多層構造部１０間に変形防止部材１３を中心部、均熱板
２直径に対して、５０％〜９０％の同心円内の範囲に略
等間隔に設置したもの、及び、比較用として変形防止部
材１３を備えないものを準備した。また、図６に示すよ
うな５分割されたそれぞれの発熱抵抗体５ａ〜５ｅに制
御用の熱電対９ａ〜９ｅとしてφ０．５ｍｍのＫタイプ
シース型熱電対を設置した。

【００８１】評価条件としては、各ウエハ加熱装置１の
給電部６に通電して２５０℃保持時のウエハＷ表面の温
度ばらつきが±０．５℃となるように調整し、２５０℃
にて３０分間保持した後、ガス噴射口１２からの冷却ガ
スによって冷却するサイクルを１０サイクルおこない、
１０サイクル目の２５０℃保持時の温度ドリフトを各制
御用の熱電対９にて確認した。また、そのときのガス噴
射口１２への冷却ガス流量は６０Ｌ／Ｍｉｎにて行っ
た。

【００８２】それぞれの評価基準としては、２５０℃保
持時における制御用の熱電対９の温度ドリフト幅が０．
４℃（±０．２℃）以内のものをＯＫとし、０．４℃を
越えるものはＮＧとした。結果としてすべての制御用の
熱電対９ａ〜９ｅにおいて温度ドリフト幅が０．４℃以
内であったものを○、１箇所でも０．４℃を越える温度
ドリフトが発生したものは×とした。

【００８３】それぞれの評価条件・結果は表２に示す通
りである。

【００８４】

【表２】

【００８５】表２に示す通り、まず変形防止部材１３を
有しないＮｏ．１のウエハ加熱装置１は、２５０℃の保
持時に中心部の熱電対９ａが０．６６℃と大きな温度ド
リフトを示した。同時に分割された外周部の発熱抵抗体
５に設置された熱電対の１箇所で熱電対９ｃに０．４℃
を越える温度ドリフトが確認された。また、変形防止部
材１３を中心部のみに備えたＮｏ．２のものでも２５０
℃の温度保持時に分割された外周部の発熱抵抗体５に設
置された熱電対の１箇所で熱電対９ｂに０．４℃を越え
る温度ドリフトが確認された。

【００８６】このような問題は前記した実施例１の場合
と同様に、多層構造部１０の変形が中心部分に近づくほ
ど大きくなることや、中心部分に１個だけ設けた場合に
は全体の変形を防止できないことから発生しているとい
える。

【００８７】また、変形防止部材１３を均熱板２の直径
に対して５０％の位置に、直線上に並べて設置したＮ
ｏ．３のウエハ加熱装置においても、分割された外周部
の発熱抵抗体５に設置された熱電対の２箇所で熱電対９
ｂの温度ドリフトが確認された。これも実施例１の場合
と同様で変形防止部材が２個の場合、変形防止部材１３
を結ぶ線方向は多層構造部１０の変形防止効果がある
が、この線方向に直角な方向は十分な効果を得られず、
変形防止部材１３の無い部分においては前述の問題が発
生してしまうためだといえる。

【００８８】このように、制御用の熱電対９において押
圧される熱電対９の接触状態が不安定な状態では、均熱
板２を一定の温度に保った定常状態においても温度ドリ
フトが発生してしまい精密な温度制御ができなくなって
しまい製造上の問題を発生させてしまう。

【００８９】それに比べ、変形防止部材１３を均熱板２
直径の８０％以内の範囲で３個以上設けたＮｏ．４〜１
２は、２５０℃の温度保持時に発熱抵抗体５の中心部お
よび分割された外周部に設置された熱電対９ａ〜９ｅの
全ての箇所で熱電対９ｂの温度ドリフトが発生せず、良
好な結果が得られた。

【００９０】このように、前記多層構造部１０を備えた
ウエハ加熱装置において、多層構造部１０間に、前記均
熱板２の８０％の直径をもった範囲内に少なくとも１つ
以上の略同心円状に３個以上の柱状の変形防止部材１３
を備え、多層構造部１０間に締着固定したウエハ加熱装
置１は、変形防止部材１３を設置しないものと比較し
て、多層構造部１０が大きく変形してしまい、給電端子
６の部分では接触不良を発生させて接触抵抗が増大して
しまう場合や、給電端子６の部分がスパークし導通が得
られなくなるといった問題や、熱電対９の接触状態が不
安定なため温度リフトが発生してしまい精密な温度制御
ができないといった問題を解決できるという良好な結果
を得られた。

【００９１】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、多層構
造部に変形防止部材を有するウエハ加熱装置では高精度
の均熱性能を要求される大型化されたものでも、多層構
造部が大きく変形してしまうといった問題が防止でき
る。

【００９２】またそのことにより多層構造部の変形の影
響により、均熱板の内周部と外周部では弾性的に押圧さ
れる給電端子や制御用熱電対を押圧する力にばらつきが
生じ、給電端子の部分では接触不良を発生させて接触抵
抗が増大してしまう場合や、接触不良の状態のまま繰り
返し通電すると、給電端子の部分がスパークし導通が得
られなくなるといった問題も防止でき安定した電力供給
が可能となった。

【００９３】さらに、制御用熱電対の部分では押圧され
る熱電対の接触状態が不安定なため、均熱板を一定の温
度に保った定常状態においても温度ドリフトが発生して
しまい精密な温度制御ができないといった問題が防止で
き、精密な温度制御が可能となった。

【００９４】これにより、半導体素子の製造工程におい
て、例えば、ウエハＷの表面に均一なレジスト膜を形成
したり、均一な半導体薄膜を形成したり、また、均一な
エッチング処理を施すことが出来るといったような効果
が得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のウエハ加熱装置の一例を示す断面図で
ある。

【図２】本発明の他の実施形態を示す断面図である。

【図３】本発明の他の実施形態を示す断面図である。

【図４】本発明のウェハ加熱装置における変形防止部材
近傍の拡大断面図である。

【図５】本発明のウェハ加熱装置における熱電対設置部
の拡大断面図である。

【図６】本発明のウエハ加熱装置における発熱抵抗体の
一例を示す平面図である。

【図７】従来のウエハ加熱装置を示す断面図である。

【図８】従来のウエハ加熱装置を示す断面図である。

【符号の説明】

１：ウエハ加熱装置 ２：均熱板 ３：載置面
４：絶縁層 ５：発熱抵抗体 ６：給電部 ７：支持体 ８：
支持ピン ９：熱電対 １０：多層構造部 １１導通端子 １２：ガス噴射
口 １３：変形防止部材 １４：開口部 １５：支柱 １６：ボルト １
７：断熱部 １８：弾性体 １９：座金 ２０：ナット ２１：押しバネ ２
２：スルーホール ２３：リフトピン ２４：貫通孔 ２５：ガイド
２６：ネジ ２７：処理室 ２８：バネ材 ２９：金属体 ３
０：固定板 ３１：固定軸 ３２：スリーブ ３３：ワッシャー ３４：支持部
３５：側壁部 ４１：ウエハ加熱装置 ４２：均熱板 ４３：載置
面 ４４：シーズヒータ ４５：押さえ板 ４６：給電部 ４７：支持枠

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０５Ｂ 3/00 ３１０Ｄ ５Ｆ０４５ 21/68 3/02 Ｂ ５Ｆ０４６ Ｈ０５Ｂ 3/00 ３１０ 3/10 Ｃ 3/02 3/16 3/10 3/18 3/16 3/74 3/18 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ 3/74 21/30 ５６７ Ｆターム(参考） 3K058 AA22 BA19 CA12 CA23 CA69 3K092 PP20 QA05 QC18 QC42 RF03 RF11 RF22 RF27 SS18 VV26 4K030 CA04 FA10 GA02 JA10 KA23 LA15 5F004 AA01 AA16 BA00 BB18 BB26 BB29 BD01 BD04 5F031 CA02 HA02 HA03 HA08 HA09 HA17 HA33 HA37 HA38 HA39 HA50 JA08 JA17 JA46 MA30 PA07 PA08 PA11 5F045 DP02 EB03 EK09 EM06 GB05 5F046 KA04

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】円板状セラミックスの一方の主面をウエハ
   の載置面とし、他方の主面もしくは内部に発熱抵抗体を
   備えた均熱板と、該均熱板の周囲を支持する金属製の支
   持体とからなるウエハ加熱装置において、前記支持体内
   部に設置された複数の支持板からなる多層構造部に、前
   記発熱抵抗体に電力を供給するための導通端子および／
   または前記均熱板の温度制御を行なうための温度検知素
   子を固定し、多層構造部を成す複数の支持板間に、支持
   板の８０％の直径を持った同心円内の範囲に３個以上の
   変形防止部材を備えたことを特徴とするウエハ加熱装
   置。
2. 【請求項２】円板状セラミックスの一方の主面をウエハ
   の載置面とし、他方の主面もしくは内部に発熱抵抗体を
   備えた均熱板と、該均熱板の周囲を支持する金属製の支
   持体とからなるウエハ加熱装置において、発熱抵抗体に
   通電して２５０℃まで加熱し冷却する熱サイクルを１０
   サイクル掛けた際の初期の温度に対する温度ドリフト
   が、０．４℃以内であることを特徴とするウエハ加熱装
   置。
3. 【請求項３】前記変形防止部材が筒状体からなり、その
   貫通孔内にウエハを昇降させるためのリフトピンを挿通
   したことを特徴とする請求項1記載のウエハ加熱装置。
4. 【請求項４】前記多層構造部が少なくとも２層の支持板
   からなり、そのうち最も均熱板側に設置された支持板の
   厚みが１〜４ｍｍであり、開口率が５〜７０％となるよ
   うな開口部を有し、これと対向して設置された支持板の
   厚みが２〜７ｍｍであり、開口率が５〜４０％となるよ
   うな開口部を有することを特徴とする請求項１に記載の
   ウエハ加熱装置。
5. 【請求項５】前記円板状セラミックスが、厚み２〜７ｍ
   ｍで、炭化珪素または窒化アルミニウムを主成分とする
   ことを特徴とする請求項１記載のウエハ加熱装置。