KR20080095765A - 유기 ｅｌ 장치 - Google Patents

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Abstract

유기 EL 장치로서, 기판과, 무기 재료에 의해 구성된 무기 격벽과 유기 재료에 의해 구성된 유기 격벽으로 이루어지는 적층 구조와, 무기 재료에 의해 구성되어 상기 유기 격벽의 표면을 덮는 무기 보호막을 갖고, 상기 기판 상에 형성된 화소 영역을 둘러싸는 격벽 구조와, 상기 격벽 구조에 접하는 화소 전극과, 상기 화소 전극 상에 배치된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층을 덮는 음극을 포함한다.
유기 EL, 격벽, 유기 발광층

Description

유기 ＥＬ 장치{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}
본 발명은, 2007년 4월 25일에 출원된 일본국특허출원 제2007-115137호, 2007년 4월 25일에 출원된 일본국특허출원 제2007-115138호에 대해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
본 발명은, 유기 EL 장치에 관한 것이다.
최근, 백라이트 등의 광원을 필요로 하지 않는 자발광 소자를 구비한 표시 장치로서, EL(Electro Luminessence) 소자를 구비한 유기 EL 장치가 주목되고 있다.
유기 EL 장치의 구성으로서는, 기판 상에 형성된 스위칭 소자(예를 들면 TFT 소자)와, TFT 소자의 형성에 기인하여 생기는 요철을 완화하는 평탄화층과, 평탄화층 상에 형성되어 TFT 소자에 전기적으로 접속되어 각 화소 영역에 대응하도록 형성된 화소 전극과, 음극과, 화소 전극과 음극과의 사이에 협지된 유기 발광층을 구비하는 구성이 알려져 있다. 또한, 이 구성에서는, 평탄화층에 콘택트홀이 형성되고, 콘택트홀을 통하여 화소 전극과 TFT 소자가 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 일본공개특허공보 평 5-275172호에 있어서는, 인접하는 화소 영역 간 에 있어서의 화소 전극의 접촉, 또는 화소 전극 및 음극의 접촉을 방지하기 위한 격벽(partition)을 구비한 유기 EL 장치가 개시되어 있다. 이러한 격벽의 형성 재료로서는, 상기의 평탄화층의 형성 재료와 동일한 아크릴 수지나 폴리이미드 등이 이용된다.
그런데, 유기 EL 장치의 제조 공정에 있어서는, 상기 화소 전극 상에 유기 발광층을 형성하기에 앞서, 예를 들면 ITO(인듐·주석 산화물)로 구성된 화소 전극 표면의 더러움을 제거하는 표면 세정 공정으로서 플라즈마 처리를 행한다.
그러나, 이러한 플라즈마 처리를 행하면, 상기의 격벽을 구성하는 아크릴 수지나 폴리이미드의 일부가 에칭됨으로써, 화소 전극 상에 이물이 부착하고, 화소 전극의 표면이 오염되어, 발광 특성이 저하할 우려가 있다.
그래서, 예를 들면, 일본공개특허공보 2005-216714호에 있어서는, 격벽을 구성하는 유기 재료를 개량함으로써, 플라즈마 처리에 기인하는 문제점의 방지를 도모한 기술이 개시되어 있다.
그런데, 화소 전극 표면의 더러움을 양호하게 제거하기 위해서는, 보다 강한 플라즈마를 이용한 처리를 행하는 것이 바람직하다.
그러나, 전술한 일본공개특허공보 2005-216714호에 개시되어 있는 격벽 재료는, 유기 재료로 구성되어 있기 때문에, 유기 재료의 플라즈마 내성과 관련해서 한도가 있다. 그 때문에, 상기 유기 재료는, 충분한 플라즈마 내성을 갖는다고는 말하기 어려웠다.
그 결과, 플라즈마 처리의 세기를 억제함으로써 화소 전극 표면의 세정 처리 가 불충분해진다. 반대로, 플라즈마 내성 이상의 플라즈마에 격벽이 쬐어져 플라즈마 처리가 시행됨으로써, 화소 전극의 표면이 오염된다. 이런 것에 기인하여, 유기 EL 장치의 발광 특성이 저하할 우려가 있었다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 플라즈마 표면 처리에 기인하는 문제점을 방지함으로써, 장기(長期)에 걸쳐서 양호한 발광 특성을 얻는 유기 EL 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제1 형태의 유기 EL 장치는, 기판과, 무기 재료에 의해 구성된 무기 격벽과 유기 재료에 의해 구성된 유기 격벽으로 이루어지는 적층 구조와, 무기 재료에 의해 구성되어 상기 유기 격벽의 표면을 덮는 무기 보호막을 갖고, 상기 기판 상에 형성된 화소 영역을 둘러싸는 격벽 구조와, 상기 격벽 구조에 접하는 화소 전극과, 상기 화소 전극 상에 배치된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층을 덮는 음극을 포함한다.
본 발명의 유기 EL 장치에 의하면, 유기 격벽의 표면을 덮는 무기 보호막이 형성되어 있기 때문에, 예를 들면 유기 발광층을 형성할 때에 화소 전극 표면을 플라즈마 처리에 의해 세정한 경우이어도, 유기 격벽에 플라즈마 대미지(damage)가 미치는 일이 무기 보호막에 의해 방지된다.
따라서, 유기 격벽의 형성 재료의 일부가 플라즈마 처리에 의해 에칭되어, 그 일부가 이물로서 화소 전극 표면에 부착하는 것에 의한 화소 전극의 오염이 생기는 일이 없다.
따라서, 화소 전극 상에 유기 발광층이 양호하게 형성되고, 장기에 걸쳐서 양호한 발광 특성을 얻을 수 있는 유기 EL 장치를 제공할 수 있다.
또한, 상기 유기 EL 장치에 있어서는, 상기 무기 보호막은, SiO, SiO2, SiON, SiN, AlO, AlN 및, Al2O3 중 어느 하나를 주체(主體)로 하여 구성되어 있는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 전술한 바와 같은 플라즈마 처리를 행했을 때에도, 유기 격벽에 대미지가 미치는 것을 양호하게 방지할 수 있다.
또한, 상기 유기 EL 장치에 있어서는, 상기 무기 보호막의 막두께가, 50nm 이상 200nm 이하인 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 무기 보호막의 막두께가 50nm 이상이기 때문에, 충분한 플라즈마 내성을 얻을 수 있다. 또한, 무기 보호막의 막두께가 200nm 이하이기 때문에, 막두께가 너무 두꺼운 것에 기인하여 무기 보호막에 균열이 생겨 버리는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기 유기 EL 장치에 있어서는, 상기 유기 발광층은 기상법(gas phase process)에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 전술한 바와 같이 세정 처리에 의한 오염이 방지된 화소 전극 상에, 예를 들면 증착법 등의 기상법에 의해 유기 발광층을 양호하게 형성할 수 있다. 그 때문에, 신뢰성이 높고 양호한 발광 특성이 얻어진 유기 EL 장치를 제공할 수 있다.
또한, 상기 유기 EL 장치에 있어서는, 상기 유기 격벽의 내측면이 단면(斷 面)에서 볼 때 테이퍼(taper) 형상의 경사면을 갖는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 예를 들면 유기 발광층이 증착법을 이용하여 기판 전면(全面)에 형성되는 경우에, 유기 격벽의 내측면이 테이퍼 형상의 경사면을 갖기 때문에, 유기 격벽 내측면과 유기 발광층과의 밀착성이 향상한다.
따라서, 유기 발광층 상에 형성되는 음극도 상기 테이퍼 형상의 내측면을 따라 형성되기 때문에, 단선(斷線)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제2 형태의 유기 EL 장치는, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어, 유기 재료로 구성된 평탄화층과, 상기 평탄화층 상에 형성된 화소 전극과, 상기 화소 전극의 상단부를 덮도록 상기 평탄화층 상에 형성되고, 상기 평탄화층을 노출시키는 제1 개구부가 형성된 무기 격벽과, 상기 무기 격벽 상에 형성되고, 상기 제1 개구부를 통하여 상기 평탄화층에 접촉하고, 제2 개구부를 갖고 무기 재료에 의해 구성된 무기 보호막에 의해 덮이고, 상기 제2 개구부를 통하여 노출된 유기 격벽과, 상기 화소 전극 상에 형성된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 상에 형성된 음극을 포함한다.
본 발명의 유기 EL 장치에 의하면, 유기 격벽의 표면을 덮는 무기 보호막이 형성되어 있기 때문에, 예를 들면 유기 발광층을 형성할 때에 화소 전극 표면을 플라즈마 처리에 의해 세정한 경우이어도, 유기 격벽에 플라즈마 대미지가 미치는 것이 무기 보호막에 의해 방지된다.
따라서, 유기 격벽의 형성 재료의 일부가 플라즈마 처리에 의해 에칭되어, 그 일부가 이물로서 화소 전극 표면에 부착하는 것에 의한 화소 전극의 오염이 생 기는 일이 없다.
또한, 유기 발광층의 형성 시에 있어서, 평탄화층 및 이 평탄화층에 제1 개구부를 통하여 접촉하는 유기 격벽으로부터 발생한 아웃 가스를, 무기 보호막에 형성된 제2 개구부를 통하여 외부로 방출할 수 있다.
따라서, 유기 EL 장치의 구동 시에 아웃 가스가 발생하는 일이 없고, 아웃 가스에 기인하는 발광 불량 등의 문제점이 방지되어, 높은 신뢰성을 갖는 유기 EL 장치를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 장치에 있어서는, 상기 제2 개구부는 상기 유기 격벽의 상면에 대응하는 위치에 형성되는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 유기 격벽의 측면에 비하여, 화소 전극면으로부터 제2 개구부를 이간(distance)시킬 수 있다. 그 때문에, 화소 전극 표면의 세정 공정으로서 상기의 플라즈마 처리를 행했을 때에 제2 개구부 내로 노출하는 유기 격벽에 대미지가 미치는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 장치에 있어서는, 상기 기판의 연직 방향에서 보아, 상기 제2 개구부는, 상기 제1 개구부의 적어도 일부와 겹치도록 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 제2 개구부는, 제1 개구부의 적어도 일부에 겹치도록 형성되어 있기 때문에, 평탄화층 중으로부터 제1 개구부를 통하여 유기 격벽 중으로 방출된 아웃 가스는, 유기 격벽 내에서 발생한 아웃 가스와 함께, 제2 개구부로부터 외부로 양호하게 방출된다.
따라서, 아웃 가스를 효율적으로 외부로 방출할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 장치에 있어서는, 상기 무기 보호막은, SiO, SiO2, SiON, SiN, AlO, AlN 및, Al2O3 중 어느 하나를 주체로 하여 구성되어 있는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 전술한 바와 같은 플라즈마 처리를 행했을 때에도, 유기 격벽에 대미지가 미치는 것을 양호하게 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 장치에 있어서는, 상기 무기 보호막의 막두께가, 50nm 이상 200nm 이하인 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 무기 보호막의 막두께가 50nm 이상이기 때문에, 충분한 플라즈마 내성을 얻을 수 있다.
또한, 무기 보호막의 막두께가 200nm 이하이기 때문에, 막두께가 너무 두꺼운 것에 기인하여 무기 보호막에 균열이 생겨 버리는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 장치에 있어서는, 상기 유기 발광층은 기상법에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 전술한 바와 같이 세정 처리에 의한 오염이 방지된 화소 전극 상에, 예를 들면 증착법 등의 기상법에 의해 유기 발광층을 양호하게 형성할 수 있다. 그 때문에, 신뢰성이 높고 양호한 발광 특성이 얻어진 유기 EL 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 장치에 의하면, 유기 격벽의 표면을 덮는 무기 보호막이 형성되어 있기 때문에, 예를 들면 유기 발광층을 형성할 때에 화소 전극 표면을 플라즈마 처리에 의해 세정한 경우이어도, 유기 격벽에 플라즈마 대미지가 미치는 일이 무기 보호막에 의해 방지된다.
(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)
(제1 실시 형태)
이하, 본 발명의 유기 EL(Electro Luminessence) 장치(이하, 유기 EL 장치라고 칭함)에 따른 제1 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.
도1 은, 제1 실시 형태의 유기 EL 장치의 회로 구성도이다. 도2 는, 동(同) 유기 EL 장치에 있어서의 각 화소 영역의 평면 구조(기판의 연직 방향에서 본 구조)를 나타내는 도로서 음극이나 유기 발광층을 제거한 구성을 나타내는 도이다.
또한, 도3 은 유기 EL 장치의 단면 구성의 개략을 나타내는 확대도이다.
도1 에 나타내는 바와 같이, 유기 EL 장치(1)에 있어서는, 복수의 주사선(31)과, 이들 주사선(31)에 대하여 교차하는 방향으로 연장하는 복수의 신호선(32)과, 이들 신호선(32)에 병렬로 연장하는 복수의 공통 급전선(33)이 각각 배선되어 있다. 또한, 주사선(31) 및 신호선(32)의 각 교점에 화소 영역(71)이 형성되어 있다.
신호선(32)에는, 시프트 레지스터, 레벨 시프터, 비디오 라인 및, 아날로그 스위치 등을 구비하는 데이터 구동회로(72)가 접속되어 있다. 한편, 주사선(31)에 는, 시프트 레지스터 및 레벨 시프터 등을 구비하는 주사 구동회로(73)가 접속되어 있다.
또한, 화소 영역(71)의 각각에는, 스위칭용 TFT(박막 트랜지스터)(42)와, 유지 용량(cap)과, 구동용 TFT(43)와, 화소 전극(양극)(41)과, 음극(54)과, 유기 발광층(40)이 형성되어 있다. 여기서, 스위칭용 TFT(42)에 있어서는, 주사선(31)을 통하여 주사 신호(전력)가 스위칭용 TFT(42)의 게이트 전극에 공급된다. 유지 용량(cap)은, 스위칭용 TFT(42)를 통하여 신호선(32)으로부터 공급되는 화상 신호를 유지한다. 구동용 TFT(43)에 있어서는, 유지 용량(cap)에 의해 유지된 화상 신호가 구동용 TFT(43)의 게이트 전극에 공급된다. 구동용 TFT(43)를 통하여 공통 급전선(33)에 전기적으로 접속했을 때에, 공통 급전선(33)으로부터 구동 전류가 화소 전극(41)으로 흐른다. 화소 전극(41)과 음극(54)과의 사이에, 유기 발광층(40)이 끼워 넣어져 있다. 상기 화소 전극(41), 음극(54) 및, 유기 발광층(40)에 의해 발광 소자가 구성되어 있다.
이러한 구성에 있어서, 주사선(31)이 구동되어 스위칭용 TFT(42)가 온이 되면, 그때의 신호선(32)의 전위(전력)가 유지 용량(cap)에 유지되고, 상기 유지 용량(cap)의 상태에 따라서 구동용 TFT(43)의 온·오프 상태가 정해진다. 그리고, 구동용 TFT(43)의 채널을 통하여 공통 급전선(33)으로부터 화소 전극(41)으로 전류(전력)가 흐르고, 또한 유기 발광층(40)을 통하여 음극(54)으로 전류가 흐름으로써, 유기 발광층(40)은, 이것을 흐르는 전류량에 따라서 발광한다.
다음으로, 도2 에 나타내는 바와 같이, 화소 영역(71)의 평면 구조에 있어 서, 대략 직사각 형상의 화소 전극(41)의 네 변(side)이, 신호선(32), 공통 급전선(33), 주사선(31) 및, 도시하지 않은 그 밖의 화소 전극용의 주사선에 의해 둘러싸이도록, 화소 전극(41)이 배치되어 있다. 화소 전극(41)은, 드레인 전극(36)에 도전 접속됨으로써, 구동용 TFT(43)에 전기적으로 접속된다.
(단면 구조)
또한, 도3 에 나타내는 바와 같이, 화소 영역(71)의 단면 구조에 있어서, 기판(P) 상에 구동용 TFT(43)가 형성되어 있으며, 구동용 TFT(43)를 덮어서 형성된 제1 층간 절연막(23) 상 및 제2 층간 절연막(24) 상에 발광 소자(200)가 배설되어 있다.
이 발광 소자(200)는, 기판(P) 상에 입설(立設)된 뱅크(bank) 구조(격벽 구조)(50)의 내부에 접하는 화소 전극(41)과, 이 화소 전극(41) 상에 배치되는 유기 발광층(40)과, 이 유기 발광층(40)을 덮는 음극(54)을 갖고 구성되어 있다.
또한, 상기 뱅크 구조(50)는, 각 화소 영역(71)을 구획하도록(둘러싸도록), 기판(P) 상에 형성되어 있다.
제1 실시 형태와 같은 톱 이미션(top-emission)형의 유기 EL 장치의 경우, 유기 EL 발광 소자(200)가 배설되는 면으로부터 빛을 외부로 취출하는 구성인 점에서, 상기 기판(P)으로서는 유리 등의 투명 기판 외에, 불투명 기판도 이용할 수 있다.
불투명 기판으로서는, 예를 들면 알루미나 등의 세라믹스, 스테인레스 스틸 등의 금속 시트에 표면 산화 등의 절연 처리가 시행된 기판, 또는 열경화성 수지나 열가소성 수지, 나아가서는 그 필름(플라스틱 필름) 등의 기판을 들 수 있다.
기판(P) 상에 형성된 상기 구동용 TFT(43)는, 반도체층(21)에 형성된 소스 영역(43a), 드레인 영역(43b) 및, 채널 영역(43c)과, 반도체층 표면에 형성된 게이트 절연막(22)을 통하여 채널 영역(43c)에 대향하는 게이트 전극(43A)을 주체로 하여 구성되어 있다.
제1 층간 절연막(23)은, 반도체층(21) 및 게이트 절연막(22)을 덮도록 형성되어 있다. 이 제1 층간 절연막(23)을 관통하여 반도체층(21)에 도달하는 콘택트홀(34, 35) 내에는, 각각 드레인 전극(36) 및 소스 전극(38)이 매설되어 있다. 드레인 전극(36) 및 소스 전극(38)은, 드레인 영역(43b), 소스 영역(43a)에 도전 접속되어 있다.
제1 층간 절연막(23)의 상층에는, 제2 층간 절연막(24)이 형성되어 있다. 이 제2 층간 절연막(24)에 관설된 콘택트홀(39)에는, 화소 전극(41)의 일부가 매설되어 있다.
그리고 화소 전극(41)과 드레인 전극(36)이 도전 접속됨으로써, 구동용 TFT(43)와 화소 전극(41)(발광 소자(200))이 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 상기 제1 층간 절연막(23) 및 제2 층간 절연막(24)은, 상기 구동용 TFT(43), 또는 상기 드레인 전극(36) 및, 소스 전극(38)에 의해 기판(P) 상에 생기는 요철을 평탄화하는 평탄화층의 기능을 겸하고 있다.
또한, 뱅크 구조(50)는, 무기 뱅크(무기 격벽)(50B)와, 유기 뱅크(유기 격벽)(50A)와의 적층 구조에 의해 구성되어 있다.
무기 뱅크(50B)는, SiO2나 SiN 등의 절연성 무기 재료에 의해 구성되어 있다.
유기 뱅크(50A)는, 상기 제1 층간 절연막(23) 및 제2 층간 절연막(24)의 형성 재료와 동일하게 아크릴이나 폴리이미드 등의 유기 재료에 의해 구성되어 있다.
구체적으로는, 상기 무기 뱅크(50B)는, 화소 전극(41)의 측면 및 상단부를 덮도록 상기 제2 층간 절연막(24) 상에 형성되어 있다. 또한, 무기 뱅크(50B)는, 화소 전극(41)의 일부(상면)를 노출시키고, 각 화소 영역(71)에 대응하여 배치되어 있다. 또한, 무기 뱅크(50B)는, 서로 인접하는 화소 전극(41)의 사이를 절연하고 있다. 그리고, 무기 뱅크(50B)는, 제2 층간 절연막(24)의 일부를 노출하도록 형성되어 있다.
또한, 상기 유기 뱅크(50A)는, 무기 뱅크(50B)로부터 노출한 제2 층간 절연막(24) 및, 무기 뱅크(50B)의 일부를 덮도록 형성되어 있다.
또한, 유기 뱅크(50A)의 막두께는, 2∼3㎛ 정도로 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 유기 뱅크(50A)의 표면을 덮도록 하여, SiN 등의 무기 재료로 구성되는 무기 보호막(44)이 형성되어 있다. 이 무기 보호막(44)의 막두께로서는, 50nm∼200nm 정도로 설정하는 것이 바람직하다.
무기 보호막(44)의 형성 재료로서는, 상기의 SiN에 한정되는 것은 아니고, SiO, SiO2, SiON, SiN, AlO, AlN, 및 Al2O3 중 어느 하나를 주체로 하는 재료를 이 용해도 좋다.
상기 뱅크 구조(50)의 저부에 접하는 화소 전극(41) 상에는, 유기 발광층(40)과 음극(54)이 적층되어 있으며, 이에 따라 발광 소자(200)가 구성된다.
제1 실시 형태에서는, 상기 유기 발광층(40) 및 상기 음극(54)이 뱅크 구조(50)(유기 뱅크(50A))의 상면을 덮도록 하여 기판(P)의 전면에 형성되어 있다.
또한, 유기 발광층(40)은 후술하는 바와 같이 진공 증착법(기상법)에 의해 형성되어 있다.
제1 실시 형태에서는, 상기 유기 발광층(40)의 형성 재료로서는, 백색의 형광 또는 인광(燐光)을 발광하는 것이 가능한 공지(公知)의 저분자 재료가 이용된다. 예를 들면 청색과 주황색 발광 소자를 적층한 2발광층 적층형 백색 소자나 적색, 녹색 및, 청색을 적층한 3발광층 적층형 백색 소자 등이 이용된다.
또한, 도시하지 않지만, 유기 발광층(40)은, 발광층에 더하여, 정공 주입/수송층 및, 전자 주입/수송층을 포함하여 구성되어 있다.
이 경우, 정공 주입/수송층, 발광층 및 전자 주입/수송층은, 각 층에 매우 적합한 증착 재료를 주지의 증착법에 기초하여 증착함으로써 형성된다.
제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(1)는, 봉지(sealing) 기판(27)으로부터 빛을 취출하는, 소위 톱 이미션 방식의 유기 EL 장치이다.
그 때문에, 음극(54)은 투명 재료에 의해 구성된다. 이 음극(54)을 형성하는 투명 도전 재료로서는 인듐·주석 산화물(ITO: Indium Tin Oxide), 알루미늄 박막, 마그네슘은의 박막 등을 이용할 수 있다. 구체적으로, 제1 실시 형태에 있어 서는, ITO를 이용했다.
또한, 화소 전극(41)은 금속 재료 등의 적절한 도전 재료에 의해 형성할 수 있다. 제1 실시 형태에서는 ITO를 주체로 하여 구성되어 있다. 또한, 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(1)는, 전술한 바와 같이 톱 이미션 방식의 유기 EL 장치이기 때문에, 외부에 빛을 효율적으로 취출할 수 있도록, 화소 전극(41)의 하층측에는 예를 들면 Al 등의 광반사성을 갖는 반사막(도시 안함)을 형성하고 있다.
또한, 상기 음극(54)의 상층측에는 음극 보호층(45)이 형성되어 있다.
이 음극 보호층(45)을 형성함으로써, 제조 프로세스 시에 음극(54)이 부식하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 음극 보호층(45)은, 음극(54)의 산화도 양호하게 방지할 수 있다.
음극 보호층(45)의 형성 재료로서는, 무기 화합물, 예를 들면, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 질산화물 등의 실리콘 화합물이 이용된다.
그런데, 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(1)에 있어서는, 유기 발광층(40), 음극(54) 및, 음극 보호층(45)이, 뱅크 구조(50)의 상면, 나아가서는 뱅크 구조(50)의 측면부를 덮도록 형성되어 있다.
여기서, 유기 뱅크(50A)의 내측면에는, 단면에서 볼 때 테이퍼 형상을 이루는 경사면이 형성되어 있다.
이 구성에 의해, 후술하는 바와 같이 증착법에 의해 형성되는 유기 발광층(40)을 유기 뱅크(50A)의 내측면에 양호하게 부착시킬 수 있다. 이에 따라, 유기 발광층(40)과 유기 뱅크(50A)는 서로 높은 밀착성을 갖고 형성되어 있다.
또한, 유기 발광층(40) 상에 적층하여 형성되는 음극(54)도 상기 테이퍼면을 따라 형성되어 있다. 이에 따라, 단선의 발생이 방지되어 있다.
제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(1)에 있어서는, 기판(P)과 대향하여 컬러 필터 기판(25)이 형성되어 있다.
이 컬러 필터 기판(25)에는, 삼원색의 각 색(R, G, B)에 대응하는 컬러 필터(26)와, 차광용의 BM(블랙 매트릭스) 패턴(28)이 형성되어 있다. 또한, 이 컬러 필터 기판(25)은, 기판(P)의 화소 영역(71)과 컬러 필터(26)가 대향하도록 형성되어 있다. 또한, 컬러 필터 기판(25) 상에 봉지 기판(27)이 형성되어 있다.
이 봉지 기판(27)은 예를 들면 유리 등의 투명성을 갖는 재료에 의해 형성되어 있다. 또한, 상기 봉지 기판(27)의 내면측(봉지 기판(27)과, 기판(P)과의 사이)에 오목부를 형성하여, 이 오목부에 물이나 산소를 흡수하는 게터(getter)제(예를 들면, CaO, BaO 등)를 배치해도 좋다. 이 경우, 유기 EL 장치(1) 내부에 침입한 물 또는 산소를 흡수할 수 있다.
여기서, 상기 유기 EL 장치(1)의 제조 방법을 기술함으로써, 이 유기 EL 장치(1)에 의하면 장기에 걸쳐서 양호한 발광 특성을 얻을 수 있는 이유에 대하여 설명한다.
(유기 EL 장치의 제조 방법)
이하, 유기 EL 장치(1)의 제조 방법에 대하여 도4A∼도4D 및 도5A∼도5C 를 참조하면서 설명한다.
또한, 이하의 설명에서는, 구동용 TFT(43) 및, 화소 전극(41) 등을 형성하는 공정에 대해서는, 주지의 공정과 동일하기 때문에, 이 이후의 공정에 대하여 상세하게 설명한다.
우선, 도4A 에 나타내는 바와 같이, 유리 기판 등의 기판(P) 상에, 구동용 TFT(43), 제1 층간 절연막(23), 제2 층간 절연막(24)을 순서대로 형성한다. 그 후, 상기 제2 층간 절연막(24)에 형성한 콘택트홀(39)을 통하여, 상기 구동용 TFT(43)에 대하여 전기적으로 접속된 화소 전극(41)을 형성한다. 그 후, 상기 제2 층간 절연막(24) 상에 무기 뱅크(50B)를 형성한다.
다음으로, 제2 층간 절연막(24), 화소 전극(41)의 전면에, 예를 들면, CVD법, 스퍼터법, 증착법 등에 의해 SiO2, TiO2, SiN 등의 무기물막을 형성한다. 또한, 제1 실시 형태에서는 SiO2를 이용하고 있다. 그 후, 이 무기막을 포토리소그래피법에 의해 패터닝함으로써, 무기 뱅크(50B)를 형성한다.
이 무기 뱅크(50B)는, 제2 층간 절연막(24) 상, 화소 전극(41)의 주연부(상단부 및 측면부) 상에만 형성되어 있다. 이에 따라, 화소 전극(41)의 중앙부에 위치하는 전극면(화소 전극(41)의 면)은 노출한다.
다음으로, 도4B 에 나타내는 바와 같이, 상기 무기 뱅크(50B) 상에 유기 뱅크(50A)를 형성한다.
유기 뱅크(50A)의 재료로서는, 예를 들면 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 유기 수지 재료를 이용할 수 있다.
아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 유기 수지를 용매에 녹인 재료(액체 재 료)를, 스핀코트(spin coat), 딥코트(dip coat) 등에 의해 도포함으로써, 유기 뱅크(50A)는 형성된다.
그리고, 포토리소그래피법에 의해 패터닝함으로써, 개구를 갖는 유기 뱅크(50A)를 형성한다.
유기 뱅크(50A)의 개구는, 도3 에 나타낸 바와 같이, 무기 뱅크(50B)의 개구보다 약간 넓게 형성한다.
이와 같이 하여 무기 뱅크(50B) 상에 유기 뱅크(50A)를 적층함으로써, 기판(P) 상에 뱅크 구조(50)가 형성된다. 이 뱅크 구조에 의해 화소 영역(71)이 구획된다.
(무기 보호층의 형성 공정)
다음으로, 도4C 에 나타내는 바와 같이, 유기 뱅크(50A)의 표면을 덮는 무기 보호막(44)을 형성한다.
구체적으로는, 유기 뱅크(50A)의 형성 영역에 대응하는 개구부를 갖는 마스크를 이용하여, CVD법, 스퍼터법, 증착법 등에 의해, SiN으로 이루어지는 무기막을 선택적으로 성막한다. 이에 따라 상기 무기 보호막(44)을 형성할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이 SiO, SiO2, SiON, SiN, AlO, AlN 및, Al2O3 중 어느 하나를 주체로 하는 그 밖의 무기 재료를 이용하여 무기 보호막(44)을 형성해도 좋다.
이 무기 보호막(44)의 막두께로서는, 50∼200nm로 설정하는 것이 바람직하 다(제1 실시 형태는 50nm로 했음).
이 이유로서는, 무기 보호막(44)의 막두께가 50nm보다도 작은 경우, 후술의 플라즈마 처리에 대하여 충분한 내성을 얻는 것이 어려워지기 때문이다.
또한, 무기 보호막(44)의 막두께가 200nm 이상이 되면, 무기 보호막(44)에 균열이 생길 우려가 있으며, 이에 따라 후술하는 플라즈마 처리에 대하여 충분한 내성이 얻어질 수 없게 되기 때문이다.
계속해서, 도4D 에 나타내는 바와 같이 플라즈마 처리를 행한다.
이 플라즈마 처리는, 화소 전극(41)의 전극면을 활성화시키는 처리이며, 화소 전극(41)의 전극면의 표면 세정을 주된 목적으로 하여 행해진다.
그런데, 화소 전극(41)의 표면 세정이 불충분한 경우, 이 화소 전극(41) 상에 형성되는 유기 발광층(40)의 평탄성이 저하하여, 발광 고르지 못함이 발생하고, 유기 EL 장치의 표시 품위가 저하할 우려가 있다.
그 때문에, 상기의 플라즈마 처리에 있어서는, 될 수 있는 한 플라즈마 파워를 세게 하는 것이 바람직하다.
전술한 아크릴 수지로 형성되어 있는 유기 뱅크(50A)는, 플라즈마 내성이 낮은 점에서, 플라즈마 처리에 의해, 그 일부가 파괴(에칭)될 우려가 있다.
한편, 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(1)에 있어서는, 전술한 바와 같이 유기 뱅크(50A)의 표면이 무기 보호막(44)에 의해 덮여 있다.
여기서, 무기 재료로 이루어지는 무기 보호막(44)은, 상기 플라즈마 처리에 대하여 충분한 내성을 구비하고 있다.
즉, 이 무기 보호막(44)은, 상기 플라즈마 처리에 의해 파괴(에칭)되는 일이 없다.
따라서, 이 무기 보호막(44)의 하층에 형성되어 있는 유기 뱅크(50A)에 대미지가 미치는 일이 없고, 화소 전극(41)의 표면 세정을 양호하게 행할 수 있다.
(유기 발광층의 형성 공정)
다음으로, 도5A 에 나타내는 바와 같이, 화소 전극(41) 및 뱅크 구조(50)의 전면에, 유기 발광층(40)을, 예를 들면 진공 증착법에 의해 형성한다.
이때, 상기 플라즈마 처리에 의한 표면 세정이 양호하게 행해지고 있기 때문에, 평탄성이 우수한 유기 발광층(40)을 화소 전극(41) 상에 형성할 수 있다.
또한, 뱅크 구조(50)를 구성하는 유기 뱅크(50A)의 내측면에는, 도2 에 나타낸 바와 같이 단면에서 볼 때 테이퍼 형상의 경사면이 형성되어 있다.
그 때문에, 유기 뱅크(50A)의 내측면을 따라, 유기 발광층(40)의 형성 재료를 양호하게 부착시킬 수 있다.
제1 실시 형태에서는, 정공 주입/수송층, 발광층, 전자 주입/수송층을 적층함으로써 유기 발광층(40)을 형성했다.
또한, 정공 주입/수송층, 발광층 및 전자 주입/수송층은, 전술한 바와 같은 각 층에 매우 적합한 증착 재료를 주지의 증착법에 기초하여 증착함으로써 형성된다.
상기 발광층의 증착 재료로서는, 예를 들면 안트라센이나 피렌, 8-히드록시퀴놀린알루미늄, 비스스티릴안트라센 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 쿠마린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 디스티릴벤젠 유도체, 피롤로피리딘 유도체, 페리논 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 티아디아조로피리딘 유도체, 또는 이들 저분자 재료에, 루브렌, 퀴나크리돈 유도체, 페녹사존 유도체, DCM, DCJ, 페리논, 페릴렌 유도체, 쿠마린 유도체, 디아자인다센 유도체 등을 도프하여 이용할 수 있다.
또한, 정공 주입/수송층의 증착 재료로서는, 예를 들면 스타버스트(starburst) 아민, 올리고아민, 트리페닐아민계 폴리머 등을 이용할 수 있다.
또한, 전자 주입/수송층의 증착 재료로서는, 예를 들면 옥사디아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 페난트롤린(phenanthroline) 유도체, 안트라퀴노디메탄 유도체, 벤조퀴논 유도체, 나프트퀴논 유도체, 안트라퀴논 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 유도체, 디페노퀴논 유도체 및, 히드록시퀴놀린 유도체의 금속 착체를 이용할 수 있다.
다음으로, 도5B 에 나타내는 바와 같이, 상기 유기 발광층(40)을 덮도록 기판 전면에 음극(54)을 형성한다.
음극(54)의 형성 공정에 있어서는, 톱 이미션 구조를 실현하기 위해, 예를 들면 이온 플레이팅법 등의 물리 기상 성장법에 의해, 투명한 ITO를 성막한다.
또는, 알루미늄의 박막, 마그네슘은의 박막을 증착법으로 형성함으로써 음극(54)을 형성해도 좋다.
이때, 유기 발광층(40)이 유기 뱅크(50A)의 표면을 따라 균일한 막두께로 형성되어 있는 점에서, 이 유기 발광층(40) 상에 형성되는 음극(54)도 균일한 막두께로 형성할 수 있다.
또한, 산소나 수분의 영향에 의한 유기 EL 소자의 열화를 방지하기 위해, 도5C 에 나타내는 바와 같이 음극(54) 상에, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 질산화물 등의 실리콘 화합물 등의 무기 화합물로 이루어지는 음극 보호층(45)을 형성한다.
이 음극 보호층(45)의 형성 방법으로서는, CVD법, 스퍼터법, 증착법 등을 예시할 수 있다.
그리고, 기판(P)에 컬러 필터 기판(25)을 서로 겹쳐, 기판(P)과 컬러 필터 기판(25)을 접합하고, 봉지 수지를 통하여 봉지 기판(27)에 의해 양 기판을 봉지함으로써, 유기 EL 장치(1)가 완성된다.
이상 기술한 바와 같이, 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(1)에 의하면, 유기 발광층(40)을 형성할 때에, 화소 전극(41)의 표면을 플라즈마 처리에 의해 세정한 경우에도, 유기 뱅크(50A)의 표면을 덮는 무기 보호막(44)에 의해 유기 뱅크(50A)가 대미지를 받는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 화소 전극(41)의 표면이 오염되는 일이 없다.
따라서, 화소 전극(41) 상에 유기 발광층(40)을 양호하게 형성할 수 있어, 장기에 걸쳐서 양호한 발광 특성을 얻을 수 있는 유기 EL 장치가 된다.
(제2 실시 형태)
다음으로, 본 발명의 유기 EL 장치에 따른 제2 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.
또한, 제2 실시 형태의 유기 EL 장치를 구성하는 부재 중, 상기의 제1 실시 형태의 유기 EL 장치(1)를 구성하는 부재와 공통되는 부재에는, 동일 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
제2 실시 형태의 유기 EL 장치의 무기 보호막은, 제1 실시 형태의 무기 보호막(44)의 구성과 다르게 되어 있다.
(단면 구조)
도6 에 나타내는 바와 같이, 무기 뱅크(50B)는, 상기 화소 전극(41)이 덮여져 있지 않는 제2 층간 절연막(24) 상에 제1 개구부(51)를 갖는다. 이 제1 개구부(51)를 통하여 상기 제2 층간 절연막(24)이 노출되어 있다.
그리고, 제2 층간 절연막(24) 상에 형성되는 유기 뱅크(50A)의 일부는, 제1 개구부(51) 내에 매설되어 있다.
이에 따라, 제1 개구부(51)를 통하여, 유기 뱅크(50A)는, 제2 층간 절연막(24)과 접촉하고 있다.
또한, 제1 실시 형태와 동일하게, 유기 뱅크(50A)의 막두께는 2∼3㎛ 정도로 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 유기 뱅크(50A)의 표면을 덮도록 하여, 무기 재료, 예를 들면 SiN으로 구성되는 무기 보호막(64)이 형성되어 있다. 무기 보호막(64)의 막두께 및 형성 재료는, 제1 실시 형태의 무기 보호막(44)과 동일하다.
무기 보호막(64)에는, 유기 뱅크(50A)를 노출시키는 제2 개구부(52)가 형성되어 있다.
구체적으로는, 제2 개구부(52)는 유기 뱅크(50A)의 상면에 대응하는 위치에 형성되어 있다.
도7 은, 무기 보호막(64)에 형성된 제2 개구부(52)의 평면도로서, 기판(P)의 연직 방향에서 본 도이다.
도7 에 나타내는 바와 같이, 제2 개구부(52)는, 화소 영역(71)의 장변(長邊)측을 구획하는 유기 뱅크(50A)의 상면을 노출시키는 장방형 형상의 공부(孔部)이다.
또한, 상기 기판(P)의 연직 방향에서 보아, 제2 개구부(52)는, 상기 제1 개구부(51)의 일부가 겹치는 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하다(도6 참조).
예를 들면, 제2 개구부(52)의 형성 영역 내에 제1 개구부(51)의 형성 영역이 포함되어 있는 구성, 즉 제2 개구부(52)의 면적이 제1 개구부(51)의 면적에 비하여 커지도록 제2 개구부(52)가 형성되어도 좋다.
그런데, 종래의 유기 EL 장치에 있어서는, 유기 발광층의 구동 시에 유기 재료로 이루어지는 유기 뱅크나 평탄화층 내로부터 아웃 가스가 발생한다. 그리고, 평탄화층을 덮도록 무기 뱅크가 형성되어 있는 것에 기인하여, 발광층에 악영향을 미치고, 발광 불량을 초래할 우려가 있다.
한편, 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(2)에 있어서는, 유기 발광층(40)의 형성 시에 제2 층간 절연막(24) 및 유기 뱅크(50A) 중으로부터 아웃 가스가 발생한다.
제2 층간 절연막(24) 중으로부터 발생한 아웃 가스는, 제1 개구부(51)를 빠져 나와 유기 뱅크(50A) 중으로 들어간다. 그리고, 유기 뱅크(50A) 중에서 발생한 아웃 가스와 함께 제2 개구부(52)를 통하여, 외부로 방출된다.
즉, 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(2)는, 제조 프로세스 중에 유기 재료로부터 발생하는 아웃 가스를 외부로 방출하는 구성을 갖는다. 따라서, 유기 EL 장치를 구동시켰을 때에 아웃 가스가 발생하는 일이 없어, 아웃 가스에 기인하는 발광 불량 등의 문제점의 발생을 방지할 수 있다.
(유기 EL 장치의 제조 방법)
이하, 유기 EL 장치(2)의 제조 방법에 대하여 도8A∼도8D 및 도9A∼도9C 를 참조하면서 설명한다.
또한, 이하의 설명에서는, 구동용 TFT(43) 및, 화소 전극(41) 등을 형성하는 공정에 대해서는, 주지의 공정과 동일하기 때문에, 이 이후의 공정에 대하여 상세하게 설명한다.
우선, 도8A 에 나타내는 바와 같이, 유리 기판 등의 기판(P) 상에, 구동용 TFT(43), 제1 층간 절연막(23), 제2 층간 절연막(24), 콘택트홀(39), 화소 전극(41) 및, 무기 뱅크(50B)를 형성한다. 도8A 에 나타내는 공정은, 제1 실시 형태의 도4A 와 동일하다.
이때, 무기 뱅크(50B)에는, 상기 화소 전극(41)을 덮지 않는 부분에 제2 층간 절연막(24)을 노출시키는 제1 개구부(51)가 형성된다.
다음으로, 도8B 에 나타내는 바와 같이, 상기 무기 뱅크(50B) 상에 유기 뱅크(50A)를 형성한다. 유기 뱅크(50A)의 형성 공정은, 제1 실시 형태의 도4B 와 동일하다.
그런데, 전술한 바와 같이 무기 뱅크(50B)에는 제1 개구부(51)가 형성되어 있으며, 그 내부에는 제2 층간 절연막(24)이 노출되어 있다. 그 때문에, 상기 유기 재료는 제1 개구부(51) 내에 매설되어 있다.
따라서, 유기 뱅크(50A)는 제1 개구부(51)를 통하여 제2 층간 절연막(24)에 접촉하도록 형성된다.
(무기 보호막의 형성)
다음으로, 도8C 에 나타내는 바와 같이 유기 뱅크(50A)의 표면을 덮는 무기 보호막(64)을 형성한다.
구체적으로는, 유기 뱅크(50A)의 형성 영역 및 후술하는 제2 개구부(52)의 형성 영역에 대응하는 개구부를 갖는 마스크를 이용하여, CVD법, 스퍼터법, 증착법 등에 의해, SiN으로 이루어지는 무기막을 선택적으로 성막함으로써 상기 무기 보호막(64)을 형성할 수 있다.
이 무기 보호막(64)에는, 상기 유기 뱅크(50A)의 상면에 대응하는 위치(도6 참조)에 제2 개구부(52)를 형성한다.
또한, 무기 보호막(64)의 형성 재료 및 막두께는, 제1 실시 형태의 무기 보호막(44)과 동일하다.
여기서, 제2 실시 형태에서는, 기판(P)의 연직 방향에서 보아, 제2 개구부(52)는, 제1 개구부(51)의 일부에 겹치는 위치에 형성되는 것이 바람직하다.
구체적으로 제2 실시 형태에서는, 제2 개구부(52)의 형성 영역 내에 제1 개구부(51)의 형성 영역이 포함되도록 제2 개구부(52)가 형성되어 있다(도6 참조).
계속해서, 도8D 에 나타내는 바와 같이 플라즈마 처리를 행한다.
그런데, 플라즈마 처리는, 뱅크 구조(50)로 구획된 개구 영역(화소 영역(71))의 저부에 노출하는 화소 전극(41)의 표면에 대하여 선택적으로 행하는 것이 바람직하다. 그렇지만, 이 경우에는 화소 전극(41)의 표면뿐만 아니라, 유기 뱅크(50A)의 내측면의 일부가 플라즈마에 쬐어져 버린다.
유기 뱅크(50A)는, 전술한 바와 같이 아크릴 수지로 형성되어 있으며, 충분한 플라즈마 내성을 구비하고 있다고는 말하기 어렵다.
그 때문에, 상기 플라즈마 처리에 의해, 그 일부가 파괴(에칭)됨으로써, 화소 전극(41)에 이물을 부착시켜, 오염이 생길 우려가 있다.
한편, 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(2)에서는, 전술한 바와 같이 유기 뱅크(50A)의 표면이 무기 보호막(64)에 의해 덮여 있다.
여기서, 무기 재료로 구성되는 무기 보호막(64)은, 충분한 플라즈마 내성을 구비하고 있기 때문에, 이 무기 보호막(64)에 의해 덮인 유기 뱅크(50A)는 상기 플라즈마 처리에 의해 파괴(에칭)되어 버리는 일이 없다.
따라서, 무기 보호막(64)의 하층에 형성되어 있는 유기 뱅크(50A)에 플라즈마 대미지가 미치는 일이 없어, 화소 전극(41)의 표면 세정을 양호하게 행할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이 상기 무기 보호막(64)에는 유기 뱅크(50A)를 노출시키는 제2 개구부(52)가 형성되어 있다. 그 때문에, 제2 개구부(52) 내에 노출하는 유기 뱅크(50A)가 플라즈마 처리에 쬐어질 우려가 있다.
그렇지만, 제2 실시 형태에 있어서는, 플라즈마 처리의 영향이 적은 유기 뱅크(50A)의 상면에 제2 개구부(52)를 형성하고 있기 때문에, 이 제2 개구부(52) 내에 노출하는 유기 뱅크(50A)가 에칭되는 것을 방지할 수 있다.
(유기 발광층의 형성 공정)
다음으로, 도9A 에 나타내는 바와 같이, 화소 전극(41) 및 뱅크 구조(50)의 전면에 유기 발광층(40)을 형성한다. 이 공정은, 제1 실시 형태의 도5A 와 동일하다.
그런데, 상기 유기 발광층(40)을 형성하는 진공 증착의 프로세스 중에, 아크릴 수지나 폴리이미드 등과 같은 유기 재료로 이루어지는 제2 층간 절연막(24) 및 유기 뱅크(50A) 중으로부터 아웃 가스가 발생해 버린다.
이때, 제2 층간 절연막(24) 중으로부터 발생한 아웃 가스는, 제1 개구부(51)를 통하여 접속하는 유기 뱅크(50A) 중으로 방출된다.
또한, 유기 뱅크(50A) 중으로부터도 동일하게 아웃 가스가 발생한다.
여기서, 유기 뱅크(50A)의 표면이 무기 보호막(64)에 의해 완전히 덮인 구성의 경우, 아웃 가스가 도망갈 곳이 없어진다. 그 때문에, 예를 들면 아웃 가스가 무기 보호막(64)을 파괴하는 것에 기인하여, 전술한 바와 같은 플라즈마 내성을 충분히 얻을 수 없게 될 우려가 있다.
그래서, 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(2)에서는, 무기 보호막(64)에 제2 개구부(52)를 형성함으로써, 제2 층간 절연막(24) 및 유기 뱅크(50A) 중으로부터 발생한 아웃 가스를 외부로 확실하게 방출할 수 있다.
또한, 도6 에 나타낸 바와 같이, 기판(P)의 연직 방향에서 보아, 제2 개구부(52) 및 제1 개구부(51)가 겹쳐 있기 때문에, 제1 개구부(51)를 지난 아웃 가스는, 제1 개구부(51)에 평면적으로 겹치는 제2 개구부(52)로부터 양호하게 외부로 방출되어, 효율적으로 아웃 가스를 외부로 방출할 수 있다.
다음으로, 도9B 에 나타내는 바와 같이 상기 유기 발광층(40)을 덮도록 기판 전면에 음극(54)을 형성한다.
또한, 도9C 에 나타내는 바와 같이, 음극 보호층(45)을 형성한다.
또한, 제2 실시 형태에 있어서의 음극(54) 및 음극 보호층(45)의 형성 공정은, 제1 실시 형태의 도5B 및 도5C 와 동일하다.
마지막으로, 기판(P)에 컬러 필터 기판(25)을 서로 겹쳐, 기판(P)과 컬러 필터 기판(25)을 접합하고, 봉지 수지를 통하여 봉지 기판(27)에 의해 양 기판을 봉지함으로써, 도6 에 나타낸 유기 EL 장치(2)가 완성된다.
이상 기술한 바와 같이, 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(2)에 의하면, 유기 뱅크(50A)의 표면이 무기 보호막(64)에 의해 덮여 있다. 그 때문에, 유기 발광층(40)을 형성할 때에, 화소 전극(41) 표면을 플라즈마 처리에 의해 세정한 경우이어도, 유기 뱅크(50A)에 플라즈마 대미지가 미치는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 유기 뱅크(50A)의 형성 재료의 일부가 플라즈마 처리에 의해 에칭되어, 그 일부가 이물로서 화소 전극(41)의 표면에 부착함으로써 화소 전극(41)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 화소 전극(41) 상에 유기 발광층(40)이 양호하게 형성되어, 장기에 걸쳐서 양호한 발광 특성을 얻는 유기 EL 장치(2)를 제공할 수 있다.
또한, 유기 발광층(40)의 형성 프로세스 시에, 제2 층간 절연막(24) 및 유기 뱅크(50A)로부터 발생한 아웃 가스를 외부로 방출할 수 있기 때문에, 구동 시에 아웃 가스에 기인한 발광 불량 등의 문제점이 방지되어, 신뢰성이 높은 유기 EL 장치(2)를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 EL 장치(2)는, 전술한 실시 형태에 한정되는 일은 없고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서, 적절히 변경이 가능하다.
예를 들면, 도10 에 나타내는 바와 같이 유기 뱅크(50A)의 상면 중, 격자 형상으로 형성되어 있는 유기 뱅크(50A)의 각 격자점에 대응하는 위치에 대략 타원형 형상의 제2 개구부(52)를 형성해도 좋다.
이 경우, 도7 에 나타낸 구성에 비하여, 화소 전극(41)으로부터 제2 개구부(52)를 이간시킬 수 있고, 전술한 플라즈마 처리 시에 제2 개구부(52) 내에 노출되어 있는 유기 뱅크(50A)에 플라즈마 대미지가 미치는 가능성을 저감할 수 있다.
(전자 기기)
다음으로, 본 발명의 유기 EL 장치에 따른 그 밖의 응용예로서, 유기 EL 장치를 구비한 전자 기기에 대하여 설명한다.
도11 은, 휴대전화의 표시부에 본 발명의 유기 EL 장치를 적용한 예에 대한 개략 구성도이다.
도11 에 나타내는 휴대전화(300)는, 상기 실시 형태의 유기 EL 장치를 소 (小) 사이즈의 표시부(301)로서 구비하고, 복수의 조작 버튼(302), 수화구(303) 및, 송화구(304)를 구비하여 구성되어 있다.
이 휴대전화(300)에 의하면, 전술한 바와 같이 플라즈마 처리에 기인하는 화소 전극의 오염이 방지됨과 함께, 아웃 가스에 기인하는 발광 불량의 발생이 방지됨으로써, 장기간에 걸쳐서 신뢰성이 높은 표시를 얻을 수 있는 유기 EL 장치를 표시부(301)로서 구비하고 있기 때문에, 고품질인 휴대전화(300)를 제공할 수 있다.
또한, 상기 각 실시 형태의 유기 EL 장치는, 상기 휴대전화에 한하지 않고, 전자책, 프로젝터, 퍼스널컴퓨터, 디지털 스틸 카메라, TV 수상기, 뷰파인더(viewfinder)형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 리코더, 카내비게이션 장치, 페이저(pager), 전자 수첩, 전자 계산기, 워드프로세서, 워크스테이션, TV 전화, POS 단말, 터치 패널을 구비한 기기 등등의 화상 표시 수단으로서 매우 적합하게 이용할 수 있다.
도1 은 본 발명의 제1 실시 형태의 유기 EL 장치의 회로 구성을 나타내는 도이다.
도2 는 본 발명의 제1 실시 형태의 유기 EL 장치에 있어서의 화소 영역의 평면 구조를 나타내는 도이다.
도3 은 본 발명의 제1 실시 형태의 유기 EL 장치의 단면 구성을 나타내는 개략도이다.
도4 는 본 발명의 제1 실시 형태의 유기 EL 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도이다.
도5 는 본 발명의 제1 실시 형태의 유기 EL 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도이다.
도6 은 본 발명의 제2 실시 형태의 유기 EL 장치의 단면 구성을 나타내는 개략도이다.
도7 은 본 발명의 제2 실시 형태의 유기 EL 장치에 있어서의 무기 보호막 상에 형성된 제2 개구부를 설명하기 위한 평면도이다.
도8 은 본 발명의 제2 실시 형태의 유기 EL 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도이다.
도9 는 본 발명의 제2 실시 형태의 유기 EL 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도이다.
도10 은 본 발명의 제2 실시 형태의 유기 EL 장치에 있어서의 무기 보호막 상에 형성된 제2 개구부의 변형예를 설명하기 위한 평면도이다.
도11 은 전자 기기의 일 실시 형태에 따른 휴대전화의 개략 구성도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
P: 기판
22: 게이트 절연막
23: 제1 층간 절연막
24: 제2 층간 절연막
40: 유기 발광층
41: 화소 전극(양극)
42: 스위칭용 TFT
43: 구동용 TFT
43A: 게이트 전극
44: 무기 보호막
45: 음극 보호층
50: 뱅크 구조(격벽 구조)
50A: 유기 뱅크
50B: 무기 뱅크
54: 음극

Claims (11)

  1. 기판과,
    무기 재료에 의해 구성된 무기 격벽과 유기 재료에 의해 구성된 유기 격벽으로 이루어지는 적층 구조와, 무기 재료에 의해 구성되어 상기 유기 격벽의 표면을 덮는 무기 보호막을 갖고, 상기 기판 상에 형성된 화소 영역을 둘러싸는 격벽 구조와,
    상기 격벽 구조에 접하는 화소 전극과,
    상기 화소 전극 상에 배치된 유기 발광층과,
    상기 유기 발광층을 덮는 음극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 무기 보호막은, SiO, SiO2, SiON, SiN, AlO, AlN 및, Al2O3 중 어느 하나를 주체(主體)로 하여 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 무기 보호막의 막두께는, 50nm 이상 200nm 이하인 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유기 발광층은, 기상법에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유기 격벽의 내측면은, 단면(斷面)에서 볼 때 테이퍼 형상의 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  6. 기판과,
    상기 기판 상에 형성되어, 유기 재료로 구성된 평탄화층과,
    상기 평탄화층 상에 형성된 화소 전극과,
    상기 화소 전극의 상단부를 덮도록 상기 평탄화층 상에 형성되어, 상기 평탄화층을 노출시키는 제1 개구부가 형성된 무기 격벽과,
    상기 무기 격벽 상에 형성되어, 상기 제1 개구부를 통하여 상기 평탄화층에 접촉하고, 제2 개구부를 갖고 무기 재료에 의해 구성된 무기 보호막에 의해 덮여, 상기 제2 개구부를 통하여 노출된 유기 격벽과,
    상기 화소 전극 상에 형성된 유기 발광층과,
    상기 유기 발광층 상에 형성된 음극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 개구부는 상기 유기 격벽의 상면에 대응하는 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 기판의 연직 방향에서 보아, 상기 제2 개구부는, 상기 제1 개구부의 적어도 일부와 겹치도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 무기 보호막은, SiO, SiO2, SiON, SiN, AlO, AlN 및, Al2O3 중 어느 하나를 주체로 하여 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 무기 보호막의 막두께는, 50nm 이상 200nm 이하인 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 유기 발광층은, 기상법에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140055606A (ko) * 2012-10-31 2014-05-09 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR20140079667A (ko) * 2012-12-18 2014-06-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20140087816A (ko) * 2012-12-31 2014-07-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR20140135355A (ko) * 2013-05-16 2014-11-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US9461200B2 (en) 2009-02-10 2016-10-04 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI607670B (zh) 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
WO2011064914A1 (ja) * 2009-11-26 2011-06-03 シャープ株式会社 有機ｅｌデバイス
KR101839930B1 (ko) 2010-12-29 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20120077470A (ko) 2010-12-30 2012-07-10 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20130025717A (ko) 2011-09-02 2013-03-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102059014B1 (ko) * 2013-05-28 2019-12-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP2808916B1 (en) * 2013-05-30 2018-12-12 LG Display Co., Ltd. Method of manufacturing an organic light emitting display device
KR102114314B1 (ko) * 2013-06-26 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP6685675B2 (ja) * 2015-09-07 2020-04-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子、それを用いた有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
JP2018129471A (ja) 2017-02-10 2018-08-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光パネルおよび発光装置
KR20200082753A (ko) * 2018-12-31 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20200096367A (ko) 2019-02-01 2020-08-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220091703A (ko) * 2020-12-23 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20240027935A (ko) * 2022-08-23 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5276380A (en) 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
US5701055A (en) * 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
JP3646510B2 (ja) * 1998-03-18 2005-05-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ
JP3705264B2 (ja) * 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
SG143063A1 (en) * 2002-01-24 2008-06-27 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TWI241148B (en) * 2003-05-21 2005-10-01 Pioneer Corp Organic electroluminescence display panel
JP2005216714A (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Denso Corp 有機ｅｌ用絶縁膜および有機ｅｌ素子ならびに有機ｅｌ素子の製造方法
JP4631683B2 (ja) * 2005-01-17 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及び電子機器
US20060197441A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Yaw-Ming Tsai Array substrates for electroluminescent displays and methods of forming the same
JP4483757B2 (ja) * 2005-09-30 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置及び光学装置
KR100927296B1 (ko) * 2007-05-28 2009-11-18 파나소닉 주식회사 유기 ｅｌ 디바이스 및 표시장치

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9461200B2 (en) 2009-02-10 2016-10-04 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
US9608051B2 (en) 2009-02-10 2017-03-28 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
US9954046B2 (en) 2009-02-10 2018-04-24 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
US10096666B2 (en) 2009-02-10 2018-10-09 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
US10522606B2 (en) 2009-02-10 2019-12-31 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
US10872946B2 (en) 2009-02-10 2020-12-22 Joled, Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
US11257890B2 (en) 2009-02-10 2022-02-22 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
KR20140055606A (ko) * 2012-10-31 2014-05-09 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR20140079667A (ko) * 2012-12-18 2014-06-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102000932B1 (ko) * 2012-12-18 2019-07-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20140087816A (ko) * 2012-12-31 2014-07-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR20140135355A (ko) * 2013-05-16 2014-11-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법

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Publication number Publication date
US20080303424A1 (en) 2008-12-11
US7863814B2 (en) 2011-01-04
KR101452370B1 (ko) 2014-10-21

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