KR20160029243A - 유기발광표시패널 및 그 제조방법 - Google Patents
유기발광표시패널 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160029243A KR20160029243A KR1020140117986A KR20140117986A KR20160029243A KR 20160029243 A KR20160029243 A KR 20160029243A KR 1020140117986 A KR1020140117986 A KR 1020140117986A KR 20140117986 A KR20140117986 A KR 20140117986A KR 20160029243 A KR20160029243 A KR 20160029243A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- bank
- electrode
- opening
- pixel
- light emitting
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 43
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 28
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 19
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000090 poly(aryl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Abstract
본 발명에 따른 유기발광표시패널은, 일 측면에서, 복수의 화소를 포함하는 기판 상에 위치하고, 화소의 비발광영역에 형성된 제1개구부를 포함하는 평탄화층, 제1개구부를 통해 노출된 부분 및 평탄화층 상에 형성된 제1전극, 제1전극의 가장자리와 일부가 중첩되고, 제1전극에서 상기 화소의 발광영역에 대응되는 부분을 노출시키는 뱅크, 제1전극에서 화소의 발광영역에 대응되는 부분 상에 형성된 유기층 및 뱅크 및 상기 유기층 상에 형성된 제2전극을 포함할 수 있다.
여기서 뱅크는, 화소의 비발광영역에서 제1전극과 제2전극 사이를 절연시키는 제1뱅크 및 화소의 비발광영역에 제1개구부에 대응되도록 제2개구부가 형성된 제2뱅크를 포함할 수 있다.
여기서 뱅크는, 화소의 비발광영역에서 제1전극과 제2전극 사이를 절연시키는 제1뱅크 및 화소의 비발광영역에 제1개구부에 대응되도록 제2개구부가 형성된 제2뱅크를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 유기발광표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치가 널리 사용되어 왔으나, 액정표시장치는 스스로 빛을 생성하지 못하는 수광 소자(non-emissive device)여서, 휘도(brightness), 대조비(contrast ratio), 시야각(viewing angle) 및 대면적화 등에 단점이 있다.
이에 따라, 이러한 액정표시장치의 단점을 극복할 수 있는 새로운 평판표시장치의 개발이 활발하게 전개되고 있는데, 새로운 평판표시장치 중 하나인 유기발광표시장치는 스스로 빛을 생성하는 발광소자이므로, 액정표시장치에 비하여 휘도, 시야각 및 대조비 등이 우수하며, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다.
유기발광표시장치의 유기발광표시패널은 각 화소의 박막트랜지스터에 연결된 유기발광소자로부터 출사되는 빛을 이용하여 영상을 표시하는데, 유기 발광소자는 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 유기물로 이루어진 유기발광층을 형성하고 전기장을 가함으로 빛을 내는 소자로서, 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 전력 소모가 비교적 적고, 가볍고 연성(flexible) 기판 상부에도 제작이 가능한 특징을 갖는다.
유기발광표시장치의 대면적화의 필요에 따라, 용액 공정에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있는데, 이러한 유기발광표시장치의 뱅크의 형성 공정 상의 결함으로 인해, 휘도 저하나 얼룩 발생 등의 시감 특성의 저하가 발생하고, 수명이 저감되는 문제점이 발생한다.
본 발명의 목적은 휘도 저하나 얼룩 발생 등의 시감 특성의 저하를 방지하고, 수명의 저감을 방지하는 유기발광표시패널과 그 제조방법을 제공함에 있다.
전술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 유기발광표시패널은, 일 측면에서, 복수의 화소를 포함하는 기판 상에 위치하고, 화소의 비발광영역에 형성된 제1개구부를 포함하는 평탄화층, 제1개구부를 통해 노출된 부분 및 평탄화층 상에 형성된 제1전극, 제1전극의 가장자리와 일부가 중첩되고, 제1전극에서 상기 화소의 발광영역에 대응되는 부분을 노출시키는 뱅크, 제1전극에서 화소의 발광영역에 대응되는 부분 상에 형성된 유기층 및 뱅크 및 상기 유기층 상에 형성된 제2전극을 포함할 수 있다.
여기서 뱅크는, 화소의 비발광영역에서 제1전극과 제2전극 사이를 절연시키는 제1뱅크 및 화소의 비발광영역에 제1개구부에 대응되도록 제2개구부가 형성된 제2뱅크를 포함할 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명에 따른 유기발광표시패널의 제조방법은, 기판 상에, 화소의 비발광영역에 형성된 제1개구부를 포함하는 평탄화층을 형성하는 단계, 제1개구부를 통해 노출된 부분 및 평탄화층 상에 제1전극을 증착하는 단계, 제1전극 상에 무기물질을 증착하여 제1뱅크를 형성하는 단계, 제1뱅크 상에 소수성(Hydrophobic)을 갖는 광경화성 유기물질을 도포하는 단계, 마스크를 통해 노광하고 현상(Development)하여, 제1전극에서 화소의 발광영역에 대응되는 부분을 노출시키고, 화소의 비발광영역에 제1개구부에 대응되는 제2개구부가 형성된 제2뱅크를 형성하는 단계, 제1전극에서 상기 화소의 발광영역에 대응되는 부분 상에 유기층을 프린팅하는 단계 및 유기층, 제1뱅크 및 제2뱅크 상에 제2전극을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명은, 휘도 저하나 얼룩 발생 등의 시감 특성의 저하를 방지하고, 수명의 저감을 방지하는 효과가 있다.
도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광표시장치에 관한 시스템 구성도이다.
도 2a 및 도 2b는 일반적인 유기발광표시패널의 제조공정 중 일부의 예를 나타낸 도면들이다.
도 3은 실시예들에 따른 유기발광표시패널의 뱅크의 높이에 대한 광투과율을 나타낸 그래프이다.
도 4는 일실시예에 따른 유기발광표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 6은 도 4 및 도 5의 A 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 7a 내지 도 7c는 또다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 뱅크를 형성하는 공정 중 일부의 예를 나타낸 도면들이다.
도 8a 내지 도 8f는 또다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 제조방법을 나타내는 도면들이다.
도 9a 내지 도 9d는 또다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 제조방법을 나타내는 도면들이다.
도 2a 및 도 2b는 일반적인 유기발광표시패널의 제조공정 중 일부의 예를 나타낸 도면들이다.
도 3은 실시예들에 따른 유기발광표시패널의 뱅크의 높이에 대한 광투과율을 나타낸 그래프이다.
도 4는 일실시예에 따른 유기발광표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 6은 도 4 및 도 5의 A 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 7a 내지 도 7c는 또다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 뱅크를 형성하는 공정 중 일부의 예를 나타낸 도면들이다.
도 8a 내지 도 8f는 또다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 제조방법을 나타내는 도면들이다.
도 9a 내지 도 9d는 또다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 제조방법을 나타내는 도면들이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.
도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광표시장치에 관한 시스템 구성도이다.
도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광표시장치에 관한 시스템 구성도이다.
도 1을 참조하면, 유기발광표시장치(100)는 유기발광표시패널(140), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130), 타이밍 콘트롤러(110) 등을 포함한다.
우선, 타이밍 컨트롤러(110)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 수직/수평 동기신호(Vsync, Hsync)와 영상데이터(data), 클럭신호(CLK) 등의 외부 타이밍 신호에 기초하여 데이터 구동부(120)를 제어하기 위한 데이터 제어신호(Data Control Signal, DCS)와 게이트 구동부(130)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(Gate Control Signal, GCS)를 출력한다. 또한, 타이밍 컨트롤러(110)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 영상데이터(data)를 데이터 구동부(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식으로 변환하고 변환된 영상데이터(data')를 데이터 구동부(120)로 공급할 수 있다.
데이터 구동부(120)는 타이밍 컨트롤러(110)로부터 입력되는 데이터 제어신호(DCS) 및 변환된 영상데이터(data')에 응답하여, 영상데이터(data')를 계조 값에 대응하는 전압 값인 데이터신호(아날로그 화소신호 혹은 데이터 전압)로 변환하여 데이터 라인(D1~Dm)에 공급한다.
게이트 구동부(130)는 타이밍 컨트롤러(110)로부터 입력되는 게이트 제어신호(GCS)에 응답하여 게이트 라인(G1~Gn)에 스캔신호(게이트 펄스 또는 스캔펄스, 게이트 온신호)를 순차적으로 공급한다.
한편 유기발광표시패널(140) 상의 각 화소(P)는, 데이터라인들(D1~Dm)과 게이트라인들(G1~Gn)에 의해 정의된 영역에 형성되어 매트릭스 형태로 배치될 수 있고, 제1전극인 픽셀전극(anode), 제2전극인 공통전극(cathode), 유기층을 포함하는 적어도 하나의 유기발광소자일 수 있다.
각 화소(P)에는 게이트 라인(G1~Gn), 데이터라인(D1~Dm) 및 고전위전압을 공급하기 위한 고전위전압라인이 형성되어 있다. 또한, 각 화소(P)에는 게이트라인(G1~Gn) 및 데이터라인(D1~Dm) 사이에서 스위칭 트랜지스터(Switching Transistor)가 형성되어 있고, 양극, 음극 및 유기발광층으로 구성된 유기발광 다이오드와 스위칭 트랜지스터의 소스전극(혹은 드레인전극) 및 고전위전압라인 사이에서 구동 트랜지스터(Driving Transistor)가 형성되어 있다.
한편, 각 화소(P)의 뱅크(미도시)에는 비발광영역에 개구부(미도시)가 형성되는데, 이는 뱅크(미도시)의 하부층에 컨택홀과 같은 단차부가 존재하는 경우, 이러한 컨택홀과 같은 단차부의 위치에 대응되도록 형성된다.
전술한 뱅크(미도시)의 개구부(미도시)는, 광경화성 물질로 이루어진 뱅크(미도시)의 제조공정 중 노광 공정에 있어서, 뱅크(미도시)의 모든 부분을 균일하게 경화시키는 효과를 갖는다.
이하에서는 도면들을 참조하여, 이에 대해 보다 상세히 설명한다.
도 2a 및 도 2b는 일반적인 유기발광표시패널의 제조공정 중 일부의 예를 나타낸 도면들이고, 도 3은 실시예들에 따른 유기발광표시패널의 뱅크의 높이에 대한 광투과율을 나타낸 그래프이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 일반적인 유기발광표시패널(140)은, 기판(202) 상에 형성된 버퍼층(204), 버퍼층(204) 상에 형성되고 게이트전극(206)과 반도체층(210)과 소스/드레인전극(212)을 포함하는 트랜지스터를 포함할 수 있다. 게이트전극(206)과 반도체층(210) 사이에는 두 층을 절연시키는 게이트절연막(208)이 형성되고, 소스/드레인전극(212) 상에는 평탄화층(214)이 형성된다. 또한 평탄화층(214) 상에는 제1개구부(CH1)를 통해 소스/드레인전극(212)과 전기적으로 연결되는 제1전극(220)이 형성될 수 있다.
제1전극(220) 상에는, 제1전극(220)과 가장자리가 중첩되어 제1전극(220)의 일부(화소(P)의 발광영역에 해당하는 영역)를 노출시키는 뱅크(240)가 형성될 수 있다.
뱅크(240)는 유기물질로 형성될 수 있고, 예를 들면, 폴리스티렌(Polystylene), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리아미드(Polyamide), 폴리이마이드(Polyimide), 폴리아릴에테르(Polyarylether), 헤테로고리 폴리머(Heterocyclic Polymer), 불소계 고분자, 에폭시 수지(epoxy resin), 벤조사이클로부텐계 수지(benzocyclobuteneseries resin), 실록세인계 수지(siloxane series resin) 및 실란 수지(silane), 아크릴 수지(Acrylic Resin)로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질 또는 이들의 조합으로 형성될 수 있다.
다만, 일반적인 유기발광표시패널(140)의 제조공정에서, 뱅크(240)가 형성되는 공정 중 문제점이 발생할 수 있다.
구체적으로, 도 2a에 도시된 바와 같이, 제1전극(220) 상에 뱅크형성물질(240')을 도포한 후, 노광 처리를 한다. 여기서 노광 처리는, 투과부(252)와 차단부(254)로 이루어진 마스크(250)를 사용할 수 있다.
본 명세서에서 뱅크형성물질(240')은, 소수성(Hydrophobic)을 갖는 광경화성 유기물질(240')을 의미하고, 소수성 물질(240') 또는 광경화성 유기물질(240')으로도 기재될 수 있다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 유기발광표시패널(140)의 뱅크(240)의 경우, 일예로서, 광을 조사한 부분이 유기발광표시패널(140) 상에 남게 되는 네거티브 방식(Negative type)이 도시되었다. 다시 말해서, 뱅크형성물질(240')은 노광 되면, 내부에서 분자들이 연결(Linking)되어 경화가 일어나는 광경화성 물질로 이루어진다.
따라서 마스크(250)의 투과부(252)를 통해 광이 조사되면, 뱅크형성물질(240')은 광경화 반응에 의해 경화될 수 있다. 이 때, 뱅크형성물질(240')에 제1개구부(CH1)와 같은 단차가 존재하게 되면, 두께에 따라 광이 도달하는 비율이 달라질 수 있기 때문에, 미경화영역이 발생할 수 있다.
예를 들면, 도 2a에 도시된 바와 같이, 제1개구부(CH1)의 경우, 다른 영역에 비해 뱅크형성물질(240')의 두께가 두꺼울 수 있고, 광이 제1개구부(CH1)에서 제1전극(220)과 인접한 영역에 도달하지 않을 수 있다. 따라서 이러한 영역은 미경화영역이 될 수 있다.
한편, 뱅크(240)는 뱅크형성물질(240')의 노광 공정 이후, 현상 처리 단계가 수행된다. 현상 공정에서는 차단부(254)에 대응되는 영역의 뱅크형성물질(240')이 현상액에 의해 제거된다.
이러한 현상 공정 중, 광에 미경화된 부분의 뱅크형성물질(240')이 현상액과 접촉되면, 가스 또는 연기(Fume)가 발생하여 뱅크(240)가 부풀어 오르는 문제가 발생할 수 있다. 다시 말해서, 전술한 제1개구부(240)에서 미경화영역에 있는 뱅크형성물질(240')이 현상액과 만나 제1결함영역(F1)이 형성될 수 있다.
제1결함영역(F1)이 발생하면, 뱅크(240) 상에 형성되는 층들이, 뱅크(240) 표면의 형상에 대응하여 형성되고, 이는 유기발광표시패널(140)의 시감 특성을 저하시키거나, 접촉 상태가 불량해질 수 있고, 소자의 수명을 저하시킬 수 있다.
뿐만 아니라, 이러한 미경화영역을 제거하기 위해 과노광 시키게 되면, 마스크(250)의 차단부(254)에 대응하는 영역에 뱅크형성물질(240')이 잔존하는 문제가 발생할 수 있다.
구체적으로, 과노광을 하게 되면, 비스듬한 경로의 광의 양이 많아져 간섭 노광 현상이 발생할 수 있다. 즉, 도 2b의 제2결함영역(F2)과 같이, 차단부(254)에 대응하는 영역에서, 광경화 반응이 발생하여, 뱅크형성물질(240')이 제1전극(220) 상으로 퍼지는 현상이 발생할 수 있다.
이 경우, 제2결함영역(F2)에 의해, 개구율이 감소되고, 얼룩이나 휘도 저하와 같은 시감 특성의 저하가 일어날 수 있으며, 소자의 수명이 감소할 수 있다.
도 3을 참조하면, 유기물질로 이루어진 뱅크(240)의 두께에 따른 광투과율을 볼 수 있다. 두께가 5㎛가 되면, 광 투과율이 9.7%에 불과한 것을 볼 수 있다. 이에 따라 뱅크형성물질(240')의 두께가 다르다면, 광이 도달하는 비율에 차이가 발생하고, 전술한 문제점들이 발생하게 된다.
이하에서는, 이러한 문제점들이 개선된 유기발광표시패널(140)에 대해 설명한다.
이하에서 설명하는 유기발광표시패널(140)은, 설명의 편의를 위해 예를 든 것일 뿐, 본 발명은 이에 제한되지 않고, 다양한 구조와 형태로 형성될 수 있음에 유의하여야 한다.
도 4는 일실시예에 따른 유기발광표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 4를 참조하면, 유기발광표시패널(140)은, 복수의 화소(P)를 포함하는 기판(202) 상에 위치하고, 화소의 비발광영역(Non Emission Area, NEA)에 형성된 제1개구부(CH1)를 포함하는 평탄화층(214), 제1개구부(CH1)를 통해 노출된 부분 및 상기 평탄화층 상에 형성된 제1전극(220), 제1전극(220)의 가장자리와 일부가 중첩되고, 제1전극(220)에서 화소(P)의 발광영역(Emission Area, EA)에 대응되는 부분을 노출시키는 뱅크(230, 240), 제1전극(220)에서 화소(P)의 발광영역(EA)에 대응되는 부분 상에 형성된 유기층(242) 및 뱅크(230, 240) 및 유기층(242) 상에 형성된 제2전극(244)을 포함할 수 있다.
여기서 뱅크(230, 240)는, 화소(P)의 비발광영역(EA)에서 제1전극(220)과 제2전극(244) 사이를 절연시키는 제1뱅크(230) 및 화소(P)의 비발광영역(EA)에 제1개구부(CH1)에 대응되도록 제2개구부(CH2)가 형성된 제2뱅크(240)를 포함할 수 있다.
화소영역(P)의 발광영역(Emission Area, EA)은 노출된 제1전극(220) 상의 영역을 의미하고, 이 영역(EA)을 제외한 영역이 비발광영역(NEA)이 된다.
구체적으로, 유기발광표시패널(140)은, 기판(202) 상에 형성된 버퍼층(204), 버퍼층(204) 상에 형성되고 게이트전극(206)과 반도체층(210)과 소스/드레인전극(212)을 포함하는 트랜지스터를 포함할 수 있다. 게이트전극(206)과 반도체층(210) 사이에는 두 층을 절연시키는 게이트절연막(208)이 형성되고, 소스/드레인전극(212) 상에는 평탄화층(214)이 형성된다. 평탄화층(214) 상에는 제1개구부(CH1)를 통해 소스/드레인전극(212)과 전기적으로 연결되는 제1전극(220)이 형성될 수 있다.
우선, 기판(202)은, 글래스(Glass) 기판뿐만 아니라, PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등의 플라스틱 기판 등일 수 있다.
이러한 기판(202) 상에는 불순원소의 침투를 차단하기 위한 버퍼층(buffering layer, 204)구비될 수 있다. 버퍼층(204)은 예를 들어 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiOx)의 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.
게이트전극(206)은 게이트신호를 트랜지스터에 전달하는 기능을 수행하고, Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 적어도 하나 이상의 금속 또는 합금으로, 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다. 또한 반도체층(210)과 전기적으로 연결되는 소스/드레인전극(212)은, 크롬(Cr) 또는 탄탈륨(Ta) 등과 같은 고융점 금속으로 형성될 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
한편, 반도체층(210)은, 금속 산화물, 예를 들어 IGZO(Indium Galium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide) 중 어느 하나일 수 있으나 이에 제한되지 않고, 비정질 실리콘(a-Si)이나 다결정 실리콘(Polysilicon)으로 이루어질 수도 있다.
게이트절연막(208)은, SiOx, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT와 같은 무기절연물질 또는 예를 들어 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
게이트전극(206), 반도체층(210), 소스/드레인전극(212) 등을 포함하는 트랜지스터는, 일예로서, 바텀 게이트(Bottom gate) 방식으로 도시되었지만, 본 발명은 이에 제한되지 않고 탑 게이트(Top gate) 방식에 의할 수도 있다.
유기발광표시패널(140)은, 전술한 게이트절연막(208) 이외에도 다른 절연막들을 구비할 수 있다.
한편, 평탄화층(214)은 기계적 강도, 내투습성, 성막 용이성, 생산성 등을 고려하여, 소수성의 성질을 갖는 무기막으로서, 예를 들어, SiON, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx), 산화알루미늄(AlOx) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
이러한 평탄화층(214) 상에 형성된 제1전극(220)은, 애노드 전극(Anode, 양극)의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 크고, 투명한 도전성 물질, 예를 들면 ITO 또는 IZO와 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 혼합물, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등으로 이루어질 수 있고, 탄소나노튜브, 그래핀, 은나노와이어 등으로 이루어질 수도 있다.
또한 상부발광 방식(Top Emission)일 경우, 반사효율 향상을 위해 제1전극(220)의 상/하부에 반사효율이 우수한 금속물질, 예를 들면, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로써 반사판이 보조전극으로 더 형성될 수도 있다.
한편, 뱅크(230, 240)는 제1뱅크(230) 및 제2뱅크(240)를 포함할 수 있다. 일실시예에 따른 유기발광표시패널(140)의 경우, 제1뱅크(230)는 제1전극(220)에서 화소(P)의 비발광영역(NEA)에 대응되는 부분 상에 형성되고, 제2뱅크(240)는 제1뱅크(230) 상에 형성될 수 있다.
여기서, 제1뱅크(230)는 무기물질로 이루어지고, 제2뱅크(240)는 소수성(Hydrophobic)을 갖는 광경화성 유기물질로 이루어질 수 있다.
제1뱅크(230)는, 제1개구부(CH1)가 형성된 영역에서 제1전극(220)과 제2전극(244) 사이를 절연시키는 기능을 수행할 수 있다. 제1전극(220)과 제2전극(244)이 맞닿아 있는 경우, 쇼트(Short)가 발생하는 문제를 방지하기 위함이다.
또한 제1뱅크(230)는 무기물질을 증착(Deposition)하고, 에칭(Etching)하여 형성될 수 있다.
한편, 제2뱅크(240)는, 화소(P)의 발광영역(EA)을 정의하는 격벽으로서, 소수성을 가지는 유기물질로 이루어질 수 있고, 네거티브 방식의 공정에 적합한 광경화성 물질일 수 있다. 예를 들어, 제2뱅크(240)는 포토 아크릴 수지 또는 폴리이미드 계열의 물질로 이루어질 수 있다.
제2뱅크(240)는 소수성을 가짐으로써, 용액 공정으로 형성되는 유기층(242)이 발광영역(EA)에 균일하게 퍼져 형성될 수 있게 하고, 유기층(242)이 비발광영역(EA)으로 넘치지 않게 하는 기능을 수행할 수 있다.
제2뱅크(240)는, 소수성을 갖는 물질로 형성될 수도 있고, 제2뱅크(240)의 상부에 소수성을 갖는 물질을 포함하도록 형성될 수도 있다. 이에 관하여는, 도 7a 내지 도 7c와 관련된 부분에서 설명한다.
또한 제2뱅크(240)는 노광에 의해 분자들이 연결되는 광경화성 물질로 이루어질 수 있고, 비발광영역(EA)에서, 평탄화층(214)의 제1개구부(CH1)에 대응하여 형성된 제2개구부(CH2)를 포함할 수 있다.
제1개구부(CH1)는 제1전극(220)과 트랜지스터의 소스/드레인전극(212)을 연결하기 위한 구조일 수 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않고, 비발광영역(EA)에서 단차가 형성된 다른 부분을 의미할 수도 있다.
제2개구부(CH2)는, 노광 처리와 현상 처리를 포함하는 뱅크(230, 240)의 제조공정에 있어서, 두께의 차이에 따라 광에 의해 경화되지 않는 영역이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 즉, 평탄화층(214)에 단차가 존재하는 영역에 대응하여, 평탄화층(214) 상에 위치하는 제2뱅크(240)에도 제2개구부(CH2)를 형성하여, 제2뱅크(240)의 두께를 균일하게 형성할 수 있는 효과가 있다. 이에 따라, 미경화영역의 발생에 따라 발생할 수 있는 시감 특성 저하나 수명 저하 등을 방지할 수 있다.
한편, 제1전극(220)에서, 제1뱅크(230)와 제2뱅크(240)에 의해 정의된 발광영역(EA)에는 유기층(242)이 형성될 수 있다. 유기층(242)은 하나 이상의 층을 포함하는 다중층 구조로 이루어질 수 있고, 유기층(242) 중 적어도 하나의 층은 용액공정에 의해 형성될 수 있다.
이러한 유기층(242)에는, 정공과 전자가 원활히 수송되어 엑시톤(exciton)을 형성할 수 있도록, 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층(Hole Transfer Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, EL), 전자수송층(Electron Transfer Layer, ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL) 등이 차례로 적층되어 포함될 수 있다.
유기층(242)은 용액공정에 의해 형성될 수 있고, 예를 들면, 잉크젯 프린팅(Inkjet Printing) 공정에 의할 수 있고, 용액공정에 적합한 고분자 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
유기발광표시패널(140)의 각 화소(P)에서 유기층(242)은, 예를 들어, 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue)을 발광하여 색상을 조절하는 RGB 방식에 의할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
또한 유기층(242)에서, 예를 들면, 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층(Hole Transfer Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, EL)은 용액공정에 의해 형성되고, 전자수송층(Electron Transfer Layer, ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL)은 증착공정에 의해 형성될 수도 있다.
잉크는 용매(Solvent)와 용매가 건조되고 난 후에 남아 있는 고형물로 이루어지고, 친수성을 가질 수 있다. 반면 제2뱅크(240)는 소수성을 가지기 때문에, 잉크는 비발광영역(EA)으로 퍼지지 않을 수 있다.
한편, 용액공정에 의해 형성된 유기층(242)의 경우, 뱅크(230, 240)로 둘러싸인 영역 내의 중앙부 대비 뱅크(230, 240)와 인접하는 가장자리 부분의 두께가 두껍게 형성되는 현상이 발생될 수 있고, 이에 따라 뱅크(230, 240)에 인접한 영역이 어둡게 나타나는 얼룩이 발생할 수 있다.
하지만, 제2뱅크(240)보다 하부층에 위치하는 제1뱅크(230)에 의해, 화소(P)의 발광영역(EA)의 중앙부로 유기층 물질이 모이도록 하여 뱅크(230, 240)와 인접하는 부분에서의 유기층(242)의 두께가 두꺼워 지는 현상을 저감시킬 수 있다.
한편, 뱅크(230, 240)와 유기층(242) 상에는 제2전극(244)이 형성될 수 있다. 제2전극(244)은, 캐소드 전극(음극)일 수 있고, 일함수 값이 비교적 작은 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 하부발광 방식인 경우, 반사율이 높은 금속일 수 있고, 제1금속, 예를 들어 Ag 등과 제2금속, 예를 들어 Mg 등이 일정 비율로 구성된 합금의 단일층 또는 이들의 다수층일 수도 있다.
한편, 제2전극(244) 상에 형성되는 보호층(246)은, 금속 박막으로 형성될 수도 있고, 프릿(Frit)을 이용한 구조일 수도 있으나, 이에 제한되지 않고 다양한 방식에 의할 수 있다.
이하에서는, 전술한 유기발광표시패널(140)의 구조와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
도 5는 다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 5를 참조하면, 유기발광표시패널(140)은, 트랜지스터 상에 형성되고, 비발광영역(EA)에 형성된 제1개구부(CH1)를 포함하는 평탄화층(214)과, 제1개구부(CH1)를 통해 트랜지스터의 소스/드레인전극(212)에 전기적으로 연결되는 제1전극(220)을 포함할 수 있다. 또한 유기발광표시패널(140)은, 비발광영역(EA)에서 제1개구부(CH1)와 대응되도록 중첩하여 형성된 제2개구부(CH2)를 포함하는 제2뱅크(240)와, 제1개구부(CH1)와 제2개구부(CH2)에 의해 노출된 부분에 형성된 제1뱅크(230)를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1개구부(CH1)의 위치는, 설명의 편의를 위해 예로 든 것일 뿐이고, 유기발광표시패널(140)의 비발광영역(EA)의 다른 위치에 형성될 수 있음에 유의해야 한다. 제2개구부(CH2)는 이러한 제1개구부(CH1)의 위치에 대응되도록 형성된다.
여기서, 제1뱅크(230)는 열경화성 유기물질로 이루어지고, 제2뱅크(240)는 소수성을 갖는 광경화성 유기물질로 이루어질 수 있다. 또한 제1뱅크(230)는 용액공정에 의해 형성될 수 있다.
제1뱅크(230)는 제1개구부(CH1)와 제2개구부(CH2)가 형성된 영역에서 있어서, 제1전극(220)과 제2전극(244) 사이를 절연시키는 기능을 수행한다. 제1뱅크(230)의 두께는 도 5에 도시된 것에 제한되지 않고, 다양하게 형성될 수 있다.
또한 제1뱅크(230)는 용액공정, 예를 들어, 잉크젯 프린팅에 의해 형성될 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 따라서 다른 실시예에 따른 유기발광표시패널(140)의 경우, 도 4의 유기발광표시패널(140)에 비해, 무기물질층의 증착 및 에칭 공정이 제거되기 때문에, 공정 시간이 단축되고, 무기물질층 사용에 따른 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
제1뱅크(230)는 열경화성 유기물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이에 따라 제1뱅크(230)의 내열성, 내용제성, 내약품성, 기계적 성질 및 전기절연성 등의 특성이 향상될 수 있다. 특히 열경화성 유기물질로 이루어진 제1뱅크(230)는 제1전극(220)과 제2전극(244) 사이를 효과적으로 절연시킬 수 있게 된다.
한편, 제2뱅크(240)는 소수성을 띄는 광경화성 유기물질로 이루어지거나, 상부에 소수성 처리를 함으로써, 친수성을 띄는 유기물용액(유기층(242)형성물질)이 비발광영역으로 넘치는 것을 방지하는 격벽의 역할을 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광표시패널(140)의 제1뱅크(230)는, 제1전극(220)과 제2전극(244) 사이의 절연의 기능을 수행할 수 있다면, 도 4 및 도 5에 도시된 실시예에 제한되지 않고, 다양하게 형성될 수 있다.
또한 제2뱅크(240) 또한, 소수성을 갖는 격벽의 역할을 수행한다면, 다양한 형태와 재질로 형성될 수 있다.
도 6은 도 4 및 도 5의 A 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 6은, 도 4 및 도 5에 도시된 유기발광표시패널(140)의 제2뱅크(240)의 A 영역을 도시한 도면이고, A 영역은 제2뱅크(240)의 상부를 소수성 처리를 한 경우에 있어서의 제2뱅크(240)를 의미한다.
도 6을 참조하면, 제2뱅크(240)의 상부에는, 소수성 물질(240a)이 서로 연결되어 위치할 수 있다. 이렇게 소수성 처리가 된 제2뱅크(240)의 상부는, 친수성인 유기물용액이 프린팅되는 경우, 유기물용액이 비발광영역(EA)으로 퍼지는 것을 방지할 수 있다.
이러한 소수성 처리에 대한 것은 이하에서 설명한다.
도 7a 내지 도 7c는 또다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 뱅크를 형성하는 공정 중 일부의 예를 나타낸 도면들이다.
도 7a 내지 도 7c를 참조하면, 뱅크형성물질(240')이 하부층 상에 도포되고, 이러한 뱅크형성물질(240') 에는 소수성 물질(240a)이 포함되어 있을 수 있다.
뱅크형성물질(240')은, 예를 들어, 포토 아크릴 계열의 수지 또는 폴리이미드 계열의 물질일 수 있다. 소수성 물질(240a)은 플루오린(Fluorene)일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
뱅크형성물질(240')의 하부층은, 예를 들어 금속, 유기절연막 또는 무기절연막일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
전술한 뱅크형성물질(240')에 베이크(Bake) 공정을 수행하면, 소수성 물질(240a)이 뱅크형성물질(240')의 상부로 이동하게 된다. 이후, 뱅크형성물질(240')에 노광 처리를 하면, 뱅크형성물질(240')을 이루는 분자들이 광에 의해 서로 결합(Linking)하고, 소수성 물질(240a) 또한 서로 결합할 수 있다.
이러한 과정에 따라 제2뱅크(240)의 상부 부분에 대한 소수성 처리가 가능하고, 유기물용액에 대한 격벽의 역할을 수행할 수 있게 된다.
이하에서는, 도면을 참조하여 실시예들에 따른 유기발광표시패널의 제조방법과 그 효과에 대해서 설명한다.
도 8a 내지 도 8f는 또다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 제조방법을 나타내는 도면들이다.
도 8a 내지 도 8f를 참조하면, 유기발광표시패널(140)은 기판(202) 상에, 화소의 비발광영역에 형성된 제1개구부(CH1)를 포함하는 평탄화층(214)을 형성하는 단계, 제1개구부(CH1)를 통해 노출된 부분 및 평탄화층(214) 상에 제1전극(220)을 증착하는 단계, 제1전극(220) 상에 무기물질을 증착하여 제1뱅크(230)를 형성하는 단계, 제1뱅크(230) 상에 소수성(Hydrophobic)을 갖는 광경화성 유기물질(240')을 도포하는 단계, 마스크(250)를 통해 노광하고 현상(Development)하여, 제1전극(220)에서 화소(P)의 발광영역(EA)에 대응되는 부분을 노출시키고, 화소(P)의 비발광영역(EA)에 제1개구부(CH1)에 대응되는 제2개구부(CH2)가 형성된 제2뱅크(240)를 형성하는 단계, 제1전극(220)에서 화소(P)의 발광영역(EA)에 대응되는 부분 상에 유기층(242)을 프린팅하는 단계 및 유기층(242), 제1뱅크(230) 및 제2뱅크(240) 상에 제2전극(244)을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 제1개구부(CH1)를 포함하는 평탄화층(214)을 형성하는 단계 및 평탄화층(214) 상에 제1전극(220)을 증착하는 단계가 수행된다. 평탄화층(214)은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 공정 또는 물리기상증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 공정에 의해 형성될 수 있다. 또한 제1개구부(CH1)는 광 마스크를 사용한 포토리소그래피(Photolithography) 공정에 의해 형성될 수 있다.
제1전극(220) 또한 화학기상증착 또는 물리기상증착 방식에 의해 증착되고, 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝(Patterning) 될 수 있다.
도 8b에는 무기물질로 이루어진 제1뱅크(230)의 형성이 도시된다. 제1뱅크(230)는 화학기상증착 또는 물리기상증착 방식에 의해 증착되고, 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝될 수 있다. 이러한 제1뱅크(230)는, 제1개구부(CH1)가 형성된 영역에서, 제1전극(220)과 제2전극(244) 사이를 절연하여 쇼트를 방지하는 기능을 수행한다.
또한 제1뱅크(230)는 화소(P)의 발광영역(EA)의 중앙부로 유기층 물질이 모이도록 하여 뱅크(230, 240)와 인접하는 부분에서의 유기층(242)의 두께가 두꺼워 지는 현상을 저감시킬 수 있다.
이후, 도 8c에 도시된 바와 같이, 제1뱅크(230) 상에 소수성(Hydrophobic)을 갖는 광경화성 유기물질(240')을 도포하는 단계가 수행된다.
소수성 특성을 갖는 광경화성 유기물질(240')은, 예를 들면, 스티렌(styrene), 메틸마사크릴레이트(methyl mathacrylate), 폴리테트라플로우틸렌(polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나 또는 둘 이상이 혼합된 물질이거나, 전술한 바와 같이 상부에 소수성 처리가 될 수 있다. 소수성 특성을 갖는 광경화성 유기물질(240')은 전술한 뱅크형성물질(240')과 같은 의미로 사용되었다.
이어서, 도 8d를 참조하면, 마스크(250)를 통해 노광하고 현상(Development)하여, 제1전극(220)에서 화소(P)의 발광영역(EA)에 대응되는 부분을 노출시키고, 화소(P)의 비발광영역(EA)에 제1개구부(CH1)에 대응되는 제2개구부(CH2)가 형성된 제2뱅크(240)를 형성하는 단계가 도시된다.
도 8d에 있어서, 광경화성 유기물질(240')은, 현상 후 빛을 받은 부분이 남게되는 네거티브 타입이 일예로 도시되었다. 또한 마스크(250)는 광이 통과할 수 있는 투과부(252)와, 광이 차단되는 차단부(254)로 이루어질 수 있다.
제2뱅크(240)는 소수성 물질로 이루어지거나, 상부에 소수성 처리가 이루어지기 때문에, 친수성인 유기물용액에 대해 격벽의 기능을 수행할 수 있다.
한편, 제2개구부(CH2)는 제1개구부(CH1)에 대응되도록 형성되고, 제2뱅크(240)의 두께를 균일하게 유지하는 효과를 갖는다. 다시 말해서, 광경화 반응에 대해 미경화영역의 발생을 방지함으로써, 시감 특성의 저하나 수명 저감을 방지한다.
도 8e에는 유기층(242) 형성 공정이 도시된다. 도 8e에 도시된 방식은 잉크젯 프린팅으로서, 이는 설명의 편의를 위해 일예로서 도시된 것이고, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
잉크젯 헤드(262)에서, 용매와 고형물로 이루어진 유기물용액(242')이 드롭핑(Dropping)되어 뱅크(230, 240)까지 퍼지게 되고, 이후 열에 의한 건조 과정을 거쳐 유기층(242)이 형성된다. 이때, 제1뱅크(230)가 유기층(242)의 두께가 균일하게 건조될 수 있도록 하는 기능을 수행할 수 있다.
이어서, 제2전극(244)이 증착되고, 보호층(246)을 형성하여, 도 8f에 도시된 유기발광표시패널(140)이 완성될 수 있다.
도 9a 내지 도 9d는 또다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 제조방법을 나타내는 도면들이다.
도 9a 내지 도 9d를 참조하면, 유기발광표시패널(140)은, 기판(202) 상에, 화소(P)의 비발광영역(EA)에 형성된 제1개구부(CH1)를 포함하는 평탄화층(214)을 형성하는 단계, 제1개구부(CH1)를 통해 노출된 부분 및 평탄화층(214) 상에 제1전극을 증착하는 단계, 제1전극(220) 상에 소수성(Hydrophobic)을 갖는 광경화성 유기물질(240')을 도포하는 단계, 마스크(250)를 통해 노광하고 현상(Development)하여, 제1전극(220)에서 화소(P)의 발광영역(EA)에 대응되는 부분을 노출시키고, 화소(P)의 비발광영역(EA)에 제1개구부(CH1)에 대응되는 제2개구부(CH2)가 형성된 제2뱅크(240)를 형성하는 단계, 제1전극(220)에서 화소(P)의 발광영역(EA)에 대응되는 부분 상에 유기층(242)을 프린팅하는 단계, 제1개구부(CH1) 및 제2개구부(CH2)를 통해 노출된 부분에 제1뱅크(230)를 프린팅(Printing)하는 단계 및 유기층(242), 제1뱅크(230) 및 제2뱅크(240) 상에 제2전극(244)을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 제1전극(220)에서 화소(P)의 발광영역(EA)에 대응되는 부분 상에 유기층(242)을 프린팅하는 단계, 제1개구부(CH1) 및 제2개구부(CH2)를 통해 노출된 부분에 제1뱅크(230)를 프린팅(Printing)하는 단계는 순서가 임의로 바뀔 수 있음에 유의하여야 한다.
이하에서, 도 8a 내지 8f와 관련된 부분에서 설명된 내용과 동일한 내용에 대한 기재는 생략한다.
도 9a를 참조하면, 비발광영역(EA)에 위치하는 제1개구부(CH1)를 포함하는 평탄화층(214)이 형성되고, 평탄화층(214) 상에 제1전극(220)이 증착되며, 마스크(250)를 사용하여 제2개구부(CH2)를 포함하는 제2뱅크(240)를 형성할 수 있다. 이후 잉크젯 프린팅을 통해, 유기물용액(242')을 발광영역(EA)의 제1전극(220) 상에 드롭핑하고 건조시키는 단계가 수행된다.
이후, 도 9b 및 도 9c에 도시된 바와 같이, 제1뱅크(230)를 잉크젯 프린팅에 의해 형성할 수 있다. 잉크젯 헤드(260)를 통해 제1뱅크형성물질(230')을 드롭핑하고, 건조하는 단계가 수행된다.
여기서, 제1뱅크(230)는 유기절연물질로 이루어질 수 있고, 제1전극(220)과 제2전극(244) 사이를 절연하는 역할을 수행한다.
이 경우, 제1뱅크(230)를 증착하거나 에칭으로 패터닝하는 공정이 제거되므로, 공정 시간이 단축되고, 제조 원가가 절감되는 효과를 갖는다.
제1뱅크(230)를 잉크젯 프린팅으로 형성하는 공정은 설명의 편의를 위한 것이고, 본 발명은 이에 제한되지 않고, 다양한 용액 공정에 의할 수 있다.
이어서 도 9d에 도시된 바와 같이, 제2전극(244)을 전면에 증착하고, 보호층(246)을 형성하여, 유기발광표시패널(140)을 완성할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 효과를 정리한다.
유기층(242)을 용액 공정으로 형성하는 유기발광표시패널(140)에 있어서, 광경화성 물질로 이루어진 뱅크(230, 240)를 형성하는 경우, 단차로 인한 미경화영역이 발생으로 가스 등이 형성되어, 휘도 저하 또는 얼룩발생과 같은 시감 특성의 저하가 발생하고, 소자의 수명이 저감되는 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광표시패널(140)은, 평탄화층(214)에 형성된 제1개구부(CH1)에 대응하여, 제2뱅크(240)에 제2개구부(CH2)를 형성함으로써, 미경화영역의 발생을 방지한다. 또한 제2개구부(CH2)로 인해 제1전극(220)과 제2전극(244) 사이에 발생할 수 있는 쇼트를 방지하기 위해, 제1뱅크(230)를 형성하여, 절연시키는 기능을 수행할 수 있다.
이러한 제1뱅크(230)는 제2뱅크(240) 하부에 증착 공정으로 형성되거나, 제1개구부(CH1) 및 제2개구부(CH2)가 형성된 영역에 용액 공정으로 형성될 수 있다. 제1뱅크(230)를 용액 공정으로 형성하는 경우에는, 증착 공정과 패터닝 공정이 생략되므로 제조 원자가 절감되고, 공정 시간이 단축되는 효과가 있다.
이상 도면을 참조하여 실시예들을 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
202: 기판 204: 버퍼층
206: 게이트전극 210: 반도체층
212: 소스/드레인전극 220: 제1전극
206: 게이트전극 210: 반도체층
212: 소스/드레인전극 220: 제1전극
Claims (11)
- 복수의 화소를 포함하는 기판 상에 위치하고, 상기 화소의 비발광영역에 형성된 제1개구부를 포함하는 평탄화층;
상기 제1개구부를 통해 노출된 부분 및 상기 평탄화층 상에 형성된 제1전극;
상기 제1전극의 가장자리와 일부가 중첩되고, 상기 제1전극에서 상기 화소의 발광영역에 대응되는 부분을 노출시키는 뱅크;
상기 제1전극에서 상기 화소의 발광영역에 대응되는 부분 상에 형성된 유기층; 및
상기 뱅크 및 상기 유기층 상에 형성된 제2전극을 포함하되,
상기 뱅크는,
상기 화소의 비발광영역에서 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이를 절연시키는 제1뱅크 및
상기 화소의 비발광영역에 상기 제1개구부에 대응되도록 제2개구부가 형성된 제2뱅크를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제 1항에 있어서,
상기 유기층은 하나 이상의 층을 포함하는 다중층 구조로 이루어지고,
상기 유기층 중 적어도 하나의 층은 용액공정에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제 1항에 있어서,
상기 제1뱅크가 상기 제1전극에서 상기 화소의 비발광영역에 대응되는 부분 상에 형성되고,
상기 제2뱅크가 상기 제1뱅크 상에 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제 3항에 있어서,
상기 제1뱅크는 무기물질로 이루어지고,
상기 제2뱅크는 소수성(Hydrophobic)을 갖는 광경화성 유기물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제 1항에 있어서,
상기 제1뱅크는 상기 제1개구부 및 상기 제2개구부를 통해 노출된 부분에 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제 5항에 있어서,
상기 제1뱅크는 열경화성 유기물질로 이루어지고,
상기 제2뱅크는 소수성을 갖는 광경화성 유기물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제 5항에 있어서,
상기 제1뱅크는 용액공정에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제 1항에 있어서,
상기 제2뱅크의 상부에 소수성을 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제 1항에 있어서,
상기 기판과 상기 평탄화층 사이에 위치하는 트랜지스터를 포함하고,
상기 제1전극은, 상기 제1개구부를 통해 상기 트랜지스터의 소스전극 또는 드레인전극에 연결된 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 기판 상에, 화소의 비발광영역에 형성된 제1개구부를 포함하는 평탄화층을 형성하는 단계;
상기 제1개구부를 통해 노출된 부분 및 상기 평탄화층 상에 제1전극을 증착하는 단계;
상기 제1전극 상에 무기물질을 증착하여 제1뱅크를 형성하는 단계;
상기 제1뱅크 상에 소수성(Hydrophobic)을 갖는 광경화성 유기물질을 도포하는 단계;
마스크를 통해 노광하고 현상(Development)하여, 상기 제1전극에서 상기 화소의 발광영역에 대응되는 부분을 노출시키고, 상기 화소의 비발광영역에 상기 제1개구부에 대응되는 제2개구부가 형성된 제2뱅크를 형성하는 단계;
상기 제1전극에서 상기 화소의 발광영역에 대응되는 부분 상에 유기층을 프린팅하는 단계; 및
상기 유기층, 상기 제1뱅크 및 상기 제2뱅크 상에 제2전극을 증착하는 단계를 포함하는 유기발광표시패널의 제조방법. - 기판 상에, 화소의 비발광영역에 형성된 제1개구부를 포함하는 평탄화층을 형성하는 단계;
상기 제1개구부를 통해 노출된 부분 및 상기 평탄화층 상에 제1전극을 증착하는 단계;
상기 제1전극 상에 소수성(Hydrophobic)을 갖는 광경화성 유기물질을 도포하는 단계;
마스크를 통해 노광하고 현상(Development)하여, 상기 제1전극에서 상기 화소의 발광영역에 대응되는 부분을 노출시키고, 상기 화소의 비발광영역에 상기 제1개구부에 대응되는 제2개구부가 형성된 제2뱅크를 형성하는 단계;
상기 제1전극에서 상기 화소의 발광영역에 대응되는 부분 상에 유기층을 프린팅하는 단계;
상기 제1개구부 및 상기 제2개구부를 통해 노출된 부분에 제1뱅크를 프린팅(Printing)하는 단계; 및
상기 유기층, 상기 제1뱅크 및 상기 제2뱅크 상에 제2전극을 증착하는 단계를 포함하는 유기발광표시패널의 제조방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140117986A KR102151475B1 (ko) | 2014-09-04 | 2014-09-04 | 유기발광표시패널 및 그 제조방법 |
| US14/582,912 US9305983B2 (en) | 2014-09-04 | 2014-12-24 | Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same |
| CN201410817753.1A CN105448952B (zh) | 2014-09-04 | 2014-12-24 | 有机发光显示面板及其制造方法 |
| TW103145937A TWI543360B (zh) | 2014-09-04 | 2014-12-27 | 有機發光顯示面板及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140117986A KR102151475B1 (ko) | 2014-09-04 | 2014-09-04 | 유기발광표시패널 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160029243A true KR20160029243A (ko) | 2016-03-15 |
| KR102151475B1 KR102151475B1 (ko) | 2020-09-04 |
Family
ID=55438264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140117986A KR102151475B1 (ko) | 2014-09-04 | 2014-09-04 | 유기발광표시패널 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9305983B2 (ko) |
| KR (1) | KR102151475B1 (ko) |
| CN (1) | CN105448952B (ko) |
| TW (1) | TWI543360B (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10840315B2 (en) | 2018-10-05 | 2020-11-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US10943962B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-03-09 | Lg Display Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104638147B (zh) * | 2015-03-04 | 2017-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素界定层及oled器件 |
| US11362431B1 (en) * | 2015-06-16 | 2022-06-14 | Oceanit Laboratories, Inc. | Optically transparent radar absorbing material (RAM) |
| TWI794812B (zh) | 2016-08-29 | 2023-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及控制程式 |
| JP6494580B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2019-04-03 | シャープ ライフ サイエンス （イーユー） リミテッド | 微小流体装置 |
| KR102387859B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2022-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20180076813A (ko) | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
| CN109698215A (zh) * | 2017-10-23 | 2019-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| KR102421769B1 (ko) * | 2017-11-13 | 2022-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시장치 |
| CN108091777B (zh) * | 2017-12-20 | 2019-11-12 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制备方法 |
| TWI678009B (zh) * | 2018-06-22 | 2019-11-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製作方法 |
| KR20200066959A (ko) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명표시장치 |
| CN110634929B (zh) * | 2019-09-26 | 2022-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、亮度补偿方法、显示装置 |
| CN111554812B (zh) * | 2020-05-14 | 2022-04-22 | 苏州大学 | 图案化有机晶体阵列的制备方法及有机场效应晶体管 |
| CN111640882B (zh) * | 2020-06-30 | 2022-09-16 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种显示面板及其制造方法、显示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070098879A1 (en) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device and electronic apparatus |
| KR20120134043A (ko) * | 2011-05-31 | 2012-12-11 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 장치 |
| KR20130007006A (ko) * | 2011-06-28 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG130013A1 (en) * | 2002-07-25 | 2007-03-20 | Semiconductor Energy Lab | Method of fabricating light emitting device |
| JP4977561B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-07-18 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
| KR20140034960A (ko) * | 2012-09-10 | 2014-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101927848B1 (ko) * | 2012-09-17 | 2018-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20140067645A (ko) * | 2012-11-27 | 2014-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
-
2014
- 2014-09-04 KR KR1020140117986A patent/KR102151475B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-24 CN CN201410817753.1A patent/CN105448952B/zh active Active
- 2014-12-24 US US14/582,912 patent/US9305983B2/en active Active
- 2014-12-27 TW TW103145937A patent/TWI543360B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070098879A1 (en) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device and electronic apparatus |
| KR20120134043A (ko) * | 2011-05-31 | 2012-12-11 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 장치 |
| KR20130007006A (ko) * | 2011-06-28 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10943962B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-03-09 | Lg Display Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus |
| US10840315B2 (en) | 2018-10-05 | 2020-11-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI543360B (zh) | 2016-07-21 |
| US9305983B2 (en) | 2016-04-05 |
| US20160071913A1 (en) | 2016-03-10 |
| CN105448952B (zh) | 2017-03-01 |
| TW201611260A (zh) | 2016-03-16 |
| KR102151475B1 (ko) | 2020-09-04 |
| CN105448952A (zh) | 2016-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102151475B1 (ko) | 유기발광표시패널 및 그 제조방법 | |
| US10651249B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
| US9748317B2 (en) | Organic light emitting display device, organic light emitting display panel and method of manufacturing the same | |
| US9236419B2 (en) | Organic light emitting display device having electrodes of subpixels with different thicknesses and method of manufacturing the same | |
| KR102038817B1 (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
| US8106583B2 (en) | Organic light emitting display apparatus | |
| US9577215B2 (en) | Display device with glass frit sealing portion | |
| US7535169B2 (en) | Organic electroluminescent device, method for producing the same, and electronic appliance | |
| EP2744008A1 (en) | Array substrate, method for fabricating the same, and OLED display device | |
| US8816341B2 (en) | Organic electroluminescent display and method of manufacturing the same | |
| US20190189728A1 (en) | Display and method of manufacturing the same | |
| TW200935968A (en) | Display panel and manufacturing method of display panel | |
| KR20160033804A (ko) | 유기발광표시패널 및 유기발광표시장치 | |
| WO2014020850A1 (en) | Light emitting device, display unit including the same, and electronic apparatus | |
| TWI462635B (zh) | 有機電致發光裝置 | |
| KR102255063B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
| CN110212111B (zh) | 显示基板及制作方法、显示面板、显示装置 | |
| US9099408B2 (en) | Organic light-emitting diode (OLED) display | |
| US9299754B2 (en) | Organic light emitting display and manufacturing method thereof | |
| US10910582B2 (en) | Light emitting display device and method for fabricating the same | |
| JP2011191606A (ja) | 発光装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
| KR20160042679A (ko) | 유기전계 발광소자 | |
| US9842781B2 (en) | Electrostatic chuck system and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same | |
| JP2012174356A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| KR102317821B1 (ko) | 유기발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |