JP2009230990A - エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及びエレクトロルミネッセンスパネル - Google Patents
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Abstract
【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することを防止する。
【解決手段】基板2の上面に形成された画素電極20a及び画素トランジスタ21,22と、画素電極20aの外周部及び画素トランジスタ21,22を被覆するように形成された保護絶縁膜32と、保護絶縁膜32の上部に形成された隔壁6と、隔壁6の上部に形成された光吸収層8と、画素電極20aの上部に形成された有機化合物層20bと、有機化合物層20b、隔壁6及び光吸収層8の上部に形成された対向電極20eと、を備えるエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル10である。
【選択図】図3
【解決手段】基板2の上面に形成された画素電極20a及び画素トランジスタ21,22と、画素電極20aの外周部及び画素トランジスタ21,22を被覆するように形成された保護絶縁膜32と、保護絶縁膜32の上部に形成された隔壁6と、隔壁6の上部に形成された光吸収層8と、画素電極20aの上部に形成された有機化合物層20bと、有機化合物層20b、隔壁6及び光吸収層8の上部に形成された対向電極20eと、を備えるエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル10である。
【選択図】図3
Description
本発明は、エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及びエレクトロルミネッセンスパネルに関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子はアノードとカソードとの間に有機化合物層が介在した積層構造を為しており、アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されると、有機化合物層内で電子と正孔が再結合を引き起こして有機化合物層が発光する。それぞれ赤、緑、青に発光する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をサブピクセルとして基板上にマトリクス状に配列し、画像表示を行うエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが実現化されている。
アクティブ駆動の場合、画素トランジスタを基板上に形成した後、画素トランジスタを覆う保護絶縁膜を形成し、保護絶縁膜の上に画素電極を形成した後に画素電極上に有機化合物層を形成する構造が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2007−234391号公報
ところで、図17に示すように、製造プロセスの簡略化のために、基板上に画素トランジスタ121と画素電極120aとを形成し、画素トランジスタ121及び画素電極120aを覆う保護絶縁膜132に画素電極120aを露出させる露出孔33を形成し、画素電極120a上に有機化合物層120bを形成する構造が検討されている。
しかし、保護絶縁膜132は光を透過させるため、この構造では、図17に示すように、有機化合物層120bから側方に放出される光や絶縁基板102で反射した光が保護絶縁膜132に入射し、隔壁106を通過して対向電極120dで反射されて画素トランジスタ121に到達することが考えられる。このような場合、画素トランジスタ121に光劣化を引き起こすなどの不都合が考えられる。
本発明の課題は、有機エレクトロルミネッセンス素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することを防止することである。
請求項1に記載の発明は、エレクトロルミネッセンスパネルであって、基板の上面に形成された画素電極及び画素トランジスタと、前記画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁と、前記隔壁の上部に形成された光吸収層と、前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層、前記隔壁及び前記光吸収層の上部に形成された対向電極と、を備えることを特徴とする。
請求項2に記載の発明は、エレクトロルミネッセンスパネルであって、基板の上面に形成された画素電極及び画素トランジスタと、前記画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の上部に形成された光吸収層と、前記光吸収層の上部に形成された隔壁と、前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に形成された対向電極と、を備えることを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、画素電極を有する基板上に設けられた画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜上に形成された隔壁の上部に光吸収層を形成し、前記画素電極上に有機化合物層を形成し、前記有機化合物層、前記隔壁及び前記光吸収層の上部に対向電極を形成することを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、画素電極を有する基板上に設けられた画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜上の前記画素電極と対応しない部分に光吸収層を形成し、前記光吸収層の上部に隔壁を形成し、前記画素電極上に有機化合物層を形成し、前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に対向電極を形成することを特徴とする。
本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することを防止することができる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence)という用語をELと略称する。
図1は、本発明の実施形態に係るELディスプレイパネル10における1つのサブピクセルの回路図であり、図2は1つのサブピクセルの平面図であり、図3は図2のIII−III矢視断面図である。このELディスプレイパネル10においては、赤、青及び緑のサブピクセルによって1ドットの画素が構成され、このような画素がマトリクス状に配列されている。水平方向の配列に着目すると赤のサブピクセル、青のサブピクセル、緑のサブピクセルの順に繰り返し配列され、垂直方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
このELディスプレイパネル10においては、サブピクセルに各種の信号を出力するために、複数の走査線25、信号線24及び供給線26が設けられている。走査線25及び供給線26と、信号線24とは互いに直行する方向に延在している。
サブピクセルは、2つのnチャネル型トランジスタ21,22と、キャパシタ27と、有機EL素子20とを有する。2つのnチャネル型トランジスタ21,22及びキャパシタ27は、走査線25、信号線24及び供給線26の入力信号に応じて有機EL素子20に電圧を印加する。
図2、図3に示すように、透明な絶縁基板2の上にトランジスタ21,22のゲート電極21G,22Gが設けられるとともに、キャパシタ27の一方の電極27a、信号線24が設けられ、これらが共通のゲート絶縁膜31によって被覆されている。なお、図2に示すように、電極27aとゲート電極21とは一体に形成されている。
ゲート絶縁膜31の上には、図3に示すように、トランジスタ21,22の半導体膜21a,22a、チャネル保護膜21b,22b、不純物半導体膜21c,21d,22c,22d、ソース電極21S,22S及びドレイン電極21D,22D、キャパシタ27の他方の電極27b、走査線25及び供給線26が設けられている。なお、図2に示すように、ソース電極21Sと電極27bとは一体に形成されており、ドレイン電極21Dは供給線26と一体に形成されており、ソース電極22Sはコンタクトホール28aによりゲート電極21G及び電極27aと導通されており、信号線24はコンタクトホール28bによりドレイン電極22Dと導通されており、走査線25はコンタクトホール28cによりゲート電極22と導通されている。
また、ゲート絶縁膜31の上には、サブピクセル電極20a(画素電極)がマトリクス状に配列されている。なお、これらサブピクセル電極20aは、気相成長法によってゲート絶縁膜31上に成膜された導電性膜(例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)又はカドミウム−錫酸化物(CTO))をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。サブピクセル電極20aはトランジスタ21のソース電極21Sの一部と重なるように形成され、ソース電極21Sと導通している。
トランジスタ21,22のソース電極21S,22S及びドレイン電極21D,22D、キャパシタ27の他方の電極27b、走査線25及び供給線26、サブピクセル電極20aは共通の保護絶縁膜32によって被覆されている。保護絶縁膜32のサブピクセル電極20aの部分にはサブピクセル電極20aを露出させる露出孔33が形成されている。露出孔33が形成されることにより保護絶縁膜32はサブピクセル電極20aの間を縫うように網目状に形成されるとともにサブピクセル電極20aの一部外縁部に重なり、サブピクセル電極20aを囲繞している。露出孔33内に後述する有機EL層20bが形成される。
なお、絶縁基板2から保護絶縁膜32までの積層構造がトランジスタアレイパネル50である。
なお、絶縁基板2から保護絶縁膜32までの積層構造がトランジスタアレイパネル50である。
保護絶縁膜32上には、隔壁6が網目状に形成されている。隔壁6は、例えばポリイミド等の樹脂により形成されたものであり、トランジスタ21,22の各電極、走査線25、信号線24及び供給線26よりも十分に厚い。
隔壁6の上部には、有機EL素子20から放出される光を反射しない光吸収層8が設けられている。光吸収層8としては、有機EL素子20から放出される光を吸収する材料を用いることができ、例えば、TFT−LCDでブラックマトリックス(BM)として汎用されている樹脂BMを使用することができる。汎用型樹脂BMの多くはネガ型の感光性樹脂の中にカーボンブラックやチタンブラックなどの黒色顔料を分散させたものである。
あるいは、光吸収層8として、有機EL素子20から放射される光を透過し反射させない反射防止膜を設けてもよい。反射防止膜としては、例えば誘電体多層膜等を用いることができる。
サブピクセル電極20a上には正孔注入層20e、発光層20fが順に積層されて有機EL層20b(有機化合物層)が形成されている。正孔注入層20eは、導電性高分子であるPEDOT及びドーパントであるPSSからなり、発光層20fは、ポリフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料等の共役ポリマーからなる。なお、有機EL層20bは発光層の上にさらに電子輸送層を設けても良い。また、有機EL層20bはサブピクセル電極20aの上に形成された発光層、電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、担体輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に担体輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であっても良い。
正孔注入層20e及び発光層20fは、湿式塗布法(例えば、インクジェット法)によって成膜される。この場合、正孔注入層20eとなるPEDOT及びPSSを含有する有機化合物含有液をサブピクセル電極20aに塗布して成膜し、その後、発光層20fとなる共役ポリマー発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布して成膜するが、厚膜の隔壁6が設けられているので、隣り合うサブピクセル電極20aに塗布された有機化合物含有液が隔壁6を越えて混ざり合うことを防止することができる。
なお、サブピクセルが赤の場合には発光層20fが赤色に発光し、サブピクセルが緑の場合には発光層20fが緑色に発光し、サブピクセルが青の場合には発光層20fが青色に発光するように、それぞれの材料を設定する。
発光層20f上には、有機EL素子20のカソードを構成する電子注入層20cが成膜されている。電子注入層20cは、全てのサブピクセルに共通して形成される共通電極である。電子注入層20cは、サブピクセル電極20aよりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金より1〜10nmの厚さに形成されている。あるいは、電子注入層20cは、上記各種材料の層が積層された積層構造となっていても良い。
電子注入層20c、隔壁6及び光吸収層8の上部には、例えばアルミニウム、クロム、銀やパラジウム銀系の合金等の導電性材料を気相成長法によって100nm以上成膜することによって対向電極20dが形成されている。
サブピクセル電極20a、有機EL層20b、電子注入層20c、対向電極20dの順に積層されたものが有機EL素子20である。
サブピクセル電極20a、有機EL層20b、電子注入層20c、対向電極20dの順に積層されたものが有機EL素子20である。
なお、図示しないが、対向電極20dの上には、封止層が堆積されており、封止層は表示部3全体を被覆するように形成されている。つまり、封止層は、複数の有機EL素子10全体を被覆するように形成されている。封止層は、絶縁性を有し、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等からなり、これらの樹脂にシリカ充填材等を加えたものでもよい。封止層は有機EL素子20が外気に露出されることを防ぐ役割を果たす。
次に、ELディスプレイパネル10を製造する製造工程について説明する。まず、図4〜図13を用いてトランジスタアレイパネル50の製造方法について説明する。なお、図4〜図13において、(a)は図3と同じ断面の図であり、(b)はコンタクトホール28aにおける断面図である。
まず、図4に示すように、絶縁基板2の上部にべた一面にゲート金属35を成膜し、パターニングすることで、ゲート21G,22G及び電極27a、信号線24を形成する。次に、図5に示すように、これらを被覆するゲート絶縁膜31、半導体膜21a,22aとなるアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる半導体層36、及び、半導体層36の上に窒化シリコン又は酸化シリコンの層37をべた一面に形成する。次に、図6に示すように、窒化シリコン又は酸化シリコンの層37をパターニングすることでチャネル保護膜21b,22bを形成する。
次に、図7に示すように、不純物半導体膜21c,21d,22c,22dとなるn型の不純物イオンを含むアモルファスシリコンからなる層(n+シリコン層38)をべた一面に形成する。
次に、図8に示すように、コンタクトホール28a,28b,28cが形成される位置のゲート絶縁膜31、半導体層、及びn+シリコン層にゲート金属が露出するように孔を形成する。
次に、図9に示すように、ソース・ドレイン金属39をべた一面にする。このとき、ゲート絶縁膜31、半導体層36、及びn+シリコン層38に形成された孔の部分でゲート金属35とソース・ドレイン金属39とが接合され導通し、コンタクトホール28a,28b,28cが形成される。
次に、図8に示すように、コンタクトホール28a,28b,28cが形成される位置のゲート絶縁膜31、半導体層、及びn+シリコン層にゲート金属が露出するように孔を形成する。
次に、図9に示すように、ソース・ドレイン金属39をべた一面にする。このとき、ゲート絶縁膜31、半導体層36、及びn+シリコン層38に形成された孔の部分でゲート金属35とソース・ドレイン金属39とが接合され導通し、コンタクトホール28a,28b,28cが形成される。
次に、図10に示すように、ソース・ドレイン金属39をパターニングすることでソース電極21S,22S及びドレイン電極21D,22D、キャパシタ27の他方の電極27b、走査線25及び供給線26を形成する。
次に、図11に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることでサブピクセル電極20aを形成する。
次に、図11に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることでサブピクセル電極20aを形成する。
次に、図12に示すように、トランジスタ21,22のソース電極21S,22S及びドレイン電極21D,22D、キャパシタ27の他方の電極27b、走査線25及び供給線26、及びサブピクセル電極20aを覆う保護絶縁膜32をべた一面に形成し、サブピクセル電極20aの部分に露出孔33を形成する。次に、図13に示すように、ポリイミド等の樹脂をべた一面に塗布し、保護絶縁膜32の上部に残すようにパターニングすることで隔壁6を網目状に形成する。
その後、図14に示すように、光吸収層8を保護絶縁膜32の上部に形成する。以上により、トランジスタアレイパネル50が形成される。
その後、図14に示すように、光吸収層8を保護絶縁膜32の上部に形成する。以上により、トランジスタアレイパネル50が形成される。
次に、トランジスタアレイパネル50上へ有機EL素子20を形成し、ELディスプレイパネル10を製造する製造工程について説明する。
まず、トランジスタアレイパネル50を洗浄する。次に、サブピクセル電極20aの表面を、有機EL層20bの形成に使用する有機化合物含有液に対して親液化させる。例えば有機化合物含有液に親水性の溶剤を用いる場合には、酸素プラズマ処理やUVオゾン処理等を施すことにより親水化させる。
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料(例えば導電性高分子であるPEDOT及びドーパントとなるPSS)を水に溶解した有機化合物含有液をサブピクセル電極20aに塗布する。塗布方法としては、インクジェット法(液滴吐出法)、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。サブピクセル電極20aごとに独立して正孔注入層20eを成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料(例えば導電性高分子であるPEDOT及びドーパントとなるPSS)を水に溶解した有機化合物含有液をサブピクセル電極20aに塗布する。塗布方法としては、インクジェット法(液滴吐出法)、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。サブピクセル電極20aごとに独立して正孔注入層20eを成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
このように湿式塗布法により正孔注入層20eを形成した場合、厚膜の隔壁6が設けられているから、隣り合うサブピクセル電極20aに塗布された有機化合物含有液が隔壁6を越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセル電極20aごとに独立して正孔注入層20eを形成することができる。
正孔注入層20eを形成した後、正孔注入層20eを大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル50を160〜200℃の温度で乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。
次に、発光色が赤、緑、青の共役ポリマー発光材料をそれぞれ疎水性の有機溶剤(例えば、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン)に溶かし、赤、緑、青それぞれの有機化合物含有液を準備する。そして、赤のサブピクセルの正孔注入層20e上には赤の有機化合物含有液を塗布し、緑のサブピクセルの正孔注入層20e上には緑の有機化合物含有液を塗布し、青のサブピクセルの正孔注入層20e上には青の有機化合物含有液を塗布する。これにより、正孔注入層20e上に発光層20fを成膜する。塗布方法としてはインクジェット法(液滴吐出法)、その他の印刷方法を用いて、色ごとに塗り分けを行う。
このように湿式塗布法により正孔注入層20e及び発光層20fを形成した場合、厚膜の隔壁6が設けられているから、隣り合うサブピクセルに塗布された有機化合物含有液が隔壁6を越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセルごとに独立して発光層20fを形成することができる。
また、光吸収層8として用いる樹脂BMはネガ型の感光性樹脂であるため、エッジの仕上がりが直線的ではなく、少なくとも1μm程度の凹凸が生じる。これに対して、隔壁6に用いるポリイミドはポジ型の感光性樹脂であるため、エッジの仕上がりが直線的になる。したがって、正孔注入層20eや発光層20fとなる有機化合物含有液を印刷法で塗布形成する場合、図3に示すように隔壁6の上部にのみ光吸収層8を設けることで、隔壁6への有機化合物含有液の吸い上がり方が一様であり、ポリイミドの代わりに直接樹脂BMを隔壁6として使用した場合に比較して、均一の厚さで有機化合物含有液を塗布することができる。
次に、不活性ガス雰囲気(例えば、窒素ガス雰囲気)下でホットプレートによってトランジスタアレイパネル50を乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。なお、真空中でシーズヒータによる乾燥を行っても良い。
次に、気相成長法により電子注入層20cを成膜する。具体的には、真空蒸着法によってCa又はBaの薄膜を成膜する。次に、気相成長法により対向電極20dを電子注入層20c、保護絶縁膜32、隔壁6及び光吸収層8の上部に成膜する。
以上により、トランジスタアレイパネル50上に有機EL素子20が形成される。
以上により、トランジスタアレイパネル50上に有機EL素子20が形成される。
最後に、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等を対向電極20dの上部に塗布し、硬化させて封止層を形成する。
以上により、ELディスプレイパネル10が完成する。
以上により、ELディスプレイパネル10が完成する。
本実施形態によれば、隔壁6の上部に光吸収層8が設けられているため、有機EL素子20から保護絶縁膜32に入射し隔壁6を通過した光が光吸収層8により吸収されるため、対向電極20dにより反射されてトランジスタ21,22に到達することを防止することができる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行ってもよい。
例えば、プリンタヘッドの露光装置にも応用することができる。
<変形例1>
例えば、図15に示すように、隔壁6の上部全面を覆う光吸収層8を形成してもよい。図15の場合においても、有機EL素子20から保護絶縁膜32に入射し隔壁6を通過した光が光吸収層8により吸収されるため、対向電極20dにより反射されてトランジスタ21,22に到達することを防止することができる。
例えば、図15に示すように、隔壁6の上部全面を覆う光吸収層8を形成してもよい。図15の場合においても、有機EL素子20から保護絶縁膜32に入射し隔壁6を通過した光が光吸収層8により吸収されるため、対向電極20dにより反射されてトランジスタ21,22に到達することを防止することができる。
<変形例2>
あるいは、図16に示すように、隔壁6の下部に光吸収層8を形成してもよい。図16の場合においても、有機EL素子20から保護絶縁膜32に入射した光が光吸収層8で吸収されるため、対向電極20dにより反射されてトランジスタ21,22に到達することを防止することができる。
あるいは、図16に示すように、隔壁6の下部に光吸収層8を形成してもよい。図16の場合においても、有機EL素子20から保護絶縁膜32に入射した光が光吸収層8で吸収されるため、対向電極20dにより反射されてトランジスタ21,22に到達することを防止することができる。
なお、光吸収層8として用いる樹脂BMはネガ型の感光性樹脂であるため、エッジの仕上がりが直線的ではなく、少なくとも1μm程度の凹凸が生じる。しかし、光吸収層8を薄層化することで有機化合物含有液の吸い上がりの影響をほとんどなくすことができる。
また、隔壁6にポリイミドを用いることでエッジの仕上がりが直線的になり、隔壁6への有機化合物含有液の吸い上がり方が一様であるから、均一の厚さで有機化合物含有液を塗布することができる。
また、隔壁6にポリイミドを用いることでエッジの仕上がりが直線的になり、隔壁6への有機化合物含有液の吸い上がり方が一様であるから、均一の厚さで有機化合物含有液を塗布することができる。
2 基板
6 隔壁
9 光吸収層
10 ELディスプレイパネル
20 エレクトロルミネッセンス素子
21,22 画素トランジスタ
21a 画素電極
32 保護絶縁膜
33 露出孔
20b 有機化合物層
20d 対向電極
6 隔壁
9 光吸収層
10 ELディスプレイパネル
20 エレクトロルミネッセンス素子
21,22 画素トランジスタ
21a 画素電極
32 保護絶縁膜
33 露出孔
20b 有機化合物層
20d 対向電極
Claims (4)
- 基板の上面に形成された画素電極及び画素トランジスタと、
前記画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁と、
前記隔壁の上部に形成された光吸収層と、
前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層、前記隔壁及び前記光吸収層の上部に形成された対向電極と、を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネル。 - 基板の上面に形成された画素電極及び画素トランジスタと、
前記画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記保護絶縁膜の上部に形成された光吸収層と、
前記光吸収層の上部に形成された隔壁と、
前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に形成された対向電極と、を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネル。 - 画素電極を有する基板上に設けられた画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜上に形成された隔壁の上部に光吸収層を形成し、
前記画素電極上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層、前記隔壁及び前記光吸収層の上部に対向電極を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 画素電極を有する基板上に設けられた画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜上の前記画素電極と対応しない部分に光吸収層を形成し、
前記光吸収層の上部に隔壁を形成し、
前記画素電極上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に対向電極を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
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