JP4930303B2

JP4930303B2 - 表示装置の製造方法

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Publication number: JP4930303B2
Application number: JP2007239327A
Authority: JP
Inventors: 稔熊谷
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2007-09-14
Filing date: 2007-09-14
Publication date: 2012-05-16
Anticipated expiration: 2027-09-14
Also published as: JP2009070729A

Description

本発明は、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた表示装置の製造方法に関する。

近年、液晶表示装置（ＬＣＤ）に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）等の自発光素子を２次元配列した発光素子型の表示パネルを備えた表示装置の本格的な実用化、普及に向けた研究開発が盛んに行われている。

有機ＥＬ素子は、アノード電極と、カソード電極と、これらの電極間に形成された電子注入層、正孔注入層、発光層等の有機ＥＬ層を備える。有機ＥＬ素子では、発光層において正孔注入層、電子注入層からそれぞれ供給された正孔と電子とが再結合することによって発生するエネルギーによって発光する。

このような有機ＥＬ素子において、多色発光する場合、互いに異なる色に発光する発光層となる材料を画素ごとに変えることによってなしている。発光層材料を含有させた液体を画素に塗布する湿式成膜では、発光層等を隣接する画素との間に混色を生じさせず、且つ画素内におけるこれらの層の膜厚を均一に形成するためには、画素電極間に形成する隔壁表面を選択的に撥液性とすることが有効である。このように隔壁表面を撥液性とすることにより、画素内に有機ＥＬ層を形成するために塗布した有機ＥＬ層含有液の隔壁側面への吸い上がりが抑制されるためである。

特許文献１では、フルオロアルキル基を有する材料からなる自己組織化膜を、基板上に形成し、画素電極上をフォトマスクを用いて選択的にUV照射を行うことにより、画素電極間を撥液化する方法が記載されている。
特開２００２−２３７３８３号公報

特許文献１ではフォトリソグラフィにより配線パターンを形成する方法と同様の手法であるため、位置精度を高くせねばならないという問題があった。

このように、画素電極間に形成する隔壁表面を良好に撥液性とすることが求められている。

本発明は、上述した実情に鑑みてなされたものであり、画素電極間に形成する隔壁表面を良好に撥液性とすることが可能な表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る表示装置の製造方法は、
基板上面に配列された電極の周囲を囲むように設けられたポリイミドを有する隔壁を活性な酸素が存在する雰囲気、又は紫外線に曝露して、前記隔壁のポリイミド環を開環させ、前記隔壁に、フッ化アルキルアルコール単体もしくは、フッ化アルキルアルコールをアルコールにて溶解した撥液性溶液を塗布し、前記隔壁のポリイミド環を開環させてなるポリイミドのカルボキシル基と、前記撥液性溶液のフッ化アルキルアルコールの水酸基とを、脱水反応させて、フッ化アルキル基を前記隔壁のポリイミドに修飾させることにより、前記隔壁の撥液処理を行う隔壁撥液処理工程と、
有機化合物含有液を前記電極上に塗布することにより、有機化合物層を形成する有機化合物層形成工程と、を備えることを特徴とする。

前記電極の周縁を覆うシリコン窒化膜からなる絶縁膜が形成されてもよい。

前記有機化合物層上に、対向電極を形成する対向電極形成工程を更に備えてもよい。

本発明によれば、簡易に良好な撥液性を備える隔壁を有する表示装置の製造方法を提供することができる。

本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法について図を用いて説明する。

なお、本明細書中に「撥液性」という表現を用いるが、本明細書において撥液性とは、正孔輸送層となる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液、もしくはこれらの溶液に用いる有機溶媒を絶縁性基板上等に滴下して接触角を測定した場合に当該接触角が３０°以上になる状態と規定する。また、撥液性とは対となる親液性とは、液になじむ性質を示し、接触角が３０°未満となる状態と規定する。

本実施形態の製造方法によって表示装置１０は、図１に示すように、有機ＥＬ素子（画素）を２次元配列した表示パネルと、表示パネルを外部から駆動する図示しない駆動回路とを有している。また、本実施の形態の表示パネルでは、図１に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の画素を一組として、この組が行方向（図１の左右方向）に繰り返し複数配列されるとともに、列方向（図１の上下方向）に同一色の画素が複数配列されている。

各画素３０の構成例を示す等価回路を図２に示す。各画素３０は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤをアクティブ動作する画素回路ＤＳとを備えており、画素回路ＤＳは、トランジスタ（選択トランジスタ）Ｔｒ１１と、トランジスタ（発光駆動トランジスタ）Ｔｒ１２と、キャパシタＣｓと、を備える。図２に示すトランジスタＴｒ１１及びトランジスタＴｒ１２は、いずれもｎチャネル型アモルファスシリコン薄膜トランジスタであるが、これに限らず、少なくとも一方がｐチャネル型でもよく、ポリシリコン薄膜トランジスタであってもよい。
表示パネルには、それぞれ所定行に配列された複数の画素回路ＤＳに接続された複数のアノードラインＬaと、それぞれ所定列に配列された複数の画素回路ＤＳに接続されたデータラインＬdと、それぞれ所定行に配列された複数の画素回路ＤＳのトランジスタＴｒ１１を選択する複数の走査ラインＬselと、が形成されている。

図２に示すように選択トランジスタＴｒ１１のゲート端子は走査ラインＬｓに、ドレイン端子が表示パネルの列方向に配設されたデータラインＬdに、ソース端子が接点Ｎ１１にそれぞれ接続される。また、発光駆動トランジスタＴｒ１２のゲート端子は接点Ｎ１１に接続されており、ドレイン端子は供給電圧ラインＬaに、ソース端子は接点Ｎ１２にそれぞれ接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート端子及びソース端子に接続されている。なお、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくはこれらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アノード端子（画素電極３４）が接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（対向電極４０）に基準電圧Ｖssが印加されている。なお、トランジスタＴｒ１１及びトランジスタＴｒ１２がｐチャネル型の電界効果型トランジスタの場合は、それぞれソース端子及びドレイン端子が図２とは逆に接続される。

走査ラインＬsは、表示パネルの周縁部に配置された走査ドライバ（図示せず）に接続されており、所定タイミングで表示パネルの行方向に配列された複数の画素３０を選択状態に設定するための選択電圧信号（走査信号）Ｓselが印加される。また、データラインＬdは、表示パネルの周縁部に配置されたデータドライバ（図示せず）に接続され、上記画素３０の選択状態に同期するタイミングで表示データに応じたデータ電圧（階調信号）Ｖpixが印加される。走査ドライバ及びデータドライバは別個のＩＣチップであってもよく、同一のＩＣチップでもよい。

各行ごとに配列された複数のトランジスタＴｒ１２が、当該トランジスタＴｒ１２に接続された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極（例えばアノード電極）に表示データに応じた発光駆動電流を流す状態に設定するように、複数のアノードラインＬa（供給電圧ライン）は、いずれも所定の高電位電源に直接又は間接的に接続されている。つまり、アノードラインＬaは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの対向電極４０に印加される基準電圧Ｖssより十分電位の高い所定の高電位（供給電圧Ｖdd）が印加される。また、対向電極４０は、例えば、所定の低電位電源に直接又は間接的に接続され、絶縁性基板１１上に２次元配列された全ての画素（有機ＥＬ素子）に対して単一の電極層により形成されており、所定の低電圧（基準電圧Ｖss，例えば接地電位ＧＮＤ）が共通に印加されるように設定されている。

すなわち、各画素において、直列に接続されたトランジスタＴｒ１２と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの組の両端（トランジスタＴｒ１２のドレイン端子と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子）にそれぞれ、供給電圧Ｖddと基準電圧Ｖssを印加して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに順バイアスを付与して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光できる状態にし、更に階調信号Ｖpixに応じて流れる発光駆動電流の電流値を画素回路ＤＳにより制御している。

次に、本実施形態の表示装置１０の画素３０の平面図を図３に示す。また、図４は図３に示すIV−IV線断面図である。なお、図３では対向電極４０の図示を省略している。また、本実施形態の表示装置１０は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが設けられている基板側から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション型である。

画素基板３１は、透光性を備える材料から形成され、例えばガラス基板である。また、画素基板３１上にはゲート電極５６ａ，５６ｂ及び絶縁膜３２が形成される。

絶縁膜３２は、絶縁性材料、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等から構成されであり、ゲート電極５６ａ，５６ｂを覆うように画素基板３１上に形成される。また、絶縁膜３２はゲート電極５６ａ，５６ｂが形成された領域においてトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２のゲート絶縁膜として機能する。

トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２は、それぞれｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）である。トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２は、それぞれ画素基板３１上に形成される。また、トランジスタＴｒ１１は半導体層５１ａと、ソース電極５２ｓと、ドレイン電極５３ｄと、オーミックコンタクト層５４ａ，５５ａと、ゲート電極５６ａと、保護膜５７ａと、を備える。トランジスタＴｒ１２は、トランジスタＴｒ１２と同様に半導体層５１ｂと、ドレイン電極５２ｄと、ソース電極５３ｓと、オーミックコンタクト層５４ｂ，５５ｂと、ゲート電極５６ｂと、保護膜５７ｂと、を備える。また、Ｔｒ１２のソース電極５３ｓは画素電極３４に接続される。

トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２において、ゲート電極５６ａ，５６ｂは、例えば、アルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）またはクロム（Ｃｒ）から形成される。また、ドレイン電極５３ｄ，５２ｄ、ソース電極５２ｓ，５３ｓはそれぞれ例えばアルミニウム−チタン（ＡｌＴｉ）／Ｃｒ、ＡｌＮｄＴｉ／ＣｒまたはＣｒから形成されている。また、それぞれのドレイン電極５３ｄ，５２ｄ及びソース電極５２ｓ，５３ｓと半導体層５１ａ，５１ｂとの間には低抵抗性接触のため、オーミックコンタクト層５４ａ，５５ａ，５４ｂ，５５ｂが形成される。

絶縁膜３２上に形成される画素電極（アノード電極）３４は、表示装置１０がボトムエミッション型であれば、透光性を備える導電材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ等から構成され、トップエミッション型であれば例えばＡｌ等の光反射性の金属層及びその上に積層された上述のＩＴＯ等の透明導電層の２層構造でもよい。画素電極３４は、画素領域に塗布される有機化合物含有液に対して親液性を有するように、表面処理が施されている。また、各画素電極３４は隣接する他の画素３０の画素電極３４と層間絶縁膜３５によって絶縁されている。

層間絶縁膜３５は、絶縁材料、例えばＳｉＮ等から形成される。層間絶縁膜３５は、画素電極３４間に形成され、隣接する画素電極３４、３４間を絶縁する。また、層間絶縁膜３５は、発光領域に対応する領域に開口３５ａを備える。このように層間絶縁膜３５の開口３５ａによって露出された画素電極３４上に、後述する正孔注入層３６、発光層３７等の有機ＥＬ層が成膜される。

正孔注入層３６は、画素電極３４上に形成され、発光層３７に正孔を供給する機能を有する。正孔注入層３６は正孔（ホール）注入、輸送が可能な有機高分子系の材料から構成される。また、本実施形態では正孔注入層３６を成膜する際に、正孔注入層３６となる有機高分子系のホール注入・輸送材料を含む有機化合物含有液として、導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とドーパントであるポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を水系溶媒に分散させた分散液であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液を用いている。

発光層３７は、正孔注入層３６上に形成されている。発光層３７は、アノード電極とカソード電極との間に所定の電圧を印加することにより光を発生する機能を有する。発光層３７は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の発光材料から構成される。また、これらの発光材料は、適宜水系溶媒あるいはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解（又は分散）した溶液（分散液）をノズルコート法やインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成する。

また、対向電極（カソード電極）４０は、導電材料、例えばＭｇ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃａ等から形成される。本実施形態では、対向電極４０は複数の画素３０に跨って形成される単一の電極層から構成され、ＧＮＤに接続されている。

隔壁３８は、樹脂、例えば感光性ポリイミドから構成され、層間絶縁膜３５上に形成される。図３及び図４に示すように、隔壁３８は横断面形状が方形に形成され、列方向に（図３に示す縦方向）延びるように、ストライプ状に形成される。隔壁３８に用いられる材料の一例としては、東レ株式会社製のフォトニースＰＷ−１０３０や、フォトニースＤＬ−１０００が挙げられる。また、隔壁３８の厚みは１〜５μｍ程度が好適である。

隔壁３８の表面には、図４に模式的に示すように撥液性を備える撥液層３８ａが形成される。撥液層３８ａによって、正孔注入層等の有機ＥＬ層を形成する際、これらの有機化合物を含有する溶液が隔壁側面への吸い上がることを抑制することができ、これらの溶液が隣接する画素に混ざることを防ぐことが出来る。また、隔壁側面への吸い上がりが抑制されることで、画素内に形成される有機ＥＬ層が隔壁側面近傍で厚くなるといった偏りが抑制され、全体的に均一な膜厚に形成することが可能である。

特に、本実施形態では、撥液層３８ａはポリイミドをＯ₂プラズマ処理することにより、図５に示すように、ポリイミドのイミド環を開環させ、カルボキシル基とアミノ結合を生成させる。ここに、図６に示すフッ素系アルキルアルコールを塗布することにより、ポリイミドのカルボキシル基とフッ素系アルキルアルコールの水酸基とを脱水重合させ、図７に示すように、フッ素系アルキル基をポリイミドに修飾させる。この、フッ素系アルキル基によって、ポリイミドは撥液性を備える。また、フッ素系アルキルアルコールは酸化膜、窒化膜金属酸化物、金属等とは撥液性を呈する程度には反応しないため、酸化膜や窒化膜からなる層間絶縁膜や、金属酸化物又は金属である画素電極３４とも撥液性を呈する程度には反応しない。従って、層間絶縁膜３５及び画素電極３４の表面の親水性を維持することができ、隔壁３８のみを選択的に撥液性とすることができる。なお、ポリイミドを含む隔壁３８の表面の官能基（ポリイミド中の側鎖基）において、Ｏ₂プラズマ処理及びフッ素系アルキルアルコール処理を施して、フッ素系アルキル基に置換させることによって撥液性を持たせてもよい。

次に、本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法について図を用いて説明する。

まず、ガラス基板等からなる画素基板３１を用意する。次にこの画素基板３１上に、スパッタ法、真空蒸着法等により金属膜を形成し、これをゲート電極５６ａ、５６ｂの形状にパターニングする。

続いて、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によりゲート電極５６ａ及び５６ｂ上に絶縁膜３２を形成する。次に絶縁膜３２上に、半導体層５１ａ，５１ｂを形成し、更に半導体層５１ａ，５１ｂの上面に保護膜５７ａ，５７ｂ、アモルファスシリコンに不純物イオンが含まれたｎ^＋オーミックコンタクト層５４ａ，５４ｂ,５５ａ，５５ｂを形成する。

次に、スパッタ法、蒸着等により、絶縁膜３２上に画素電極３４を形成する。

次に、スパッタ法、真空蒸着法等により、ドレイン電極５３ｄ，５２ｄ及びソース電極５２ｓ，５３ｓを形成する。

続いて、トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２等を覆うように窒化シリコン等の層間絶縁膜３５をＣＶＤ法等により形成する。次に、フォトリソグラフィ等により画素３０の発光領域に対応する領域に開口３５ａを形成し、画素電極３４を露出させる。

次に、層間絶縁膜３５上に、樹脂、例えば感光性ポリイミド層を形成した上で、ポリイミド層に隔壁に対応する形状に形成されたフォトマスクを形成し、パターニングすることによって図８（ａ）に示すように隔壁３８を形成する。

このようにして、画素基板３１上にはＴＦＴ回路、画素電極、層間絶縁膜、感光性ポリイミドで形成した隔壁が形成されている。隔壁３８に用いられる材料の一例としては、東レ株式会社製のフォトニースＰＷ−１０３０や、フォトニースＤＬ−１０００が挙げられる。また、隔壁３８の厚みは１〜５μｍ程度が好適である。

隔壁３８が形成された画素基板を純水を用いて洗浄した後、画素電極の親液化処理と、隔壁の表面改質を兼ねて、図８（ｂ）に示すように酸素プラズマ処理を行う。酸素プラズマ処理により、ポリイミド表面のイミド環を開環させ、ポリイミド表面に吸着、もしくは内部に吸湿した水に由来する水素を取り込み、カルボキシル基とアミノ結合を生成する（図５参照）。

酸素プラズマ処理は、例えばプラズマシステム社のバレル式アッシャＤＥＳ−１０６−２５４ＡＥＨを用いて、例えば真空度０．６Ｔｏｒｒ、高周波（ＲＦ）出力２５０Ｗ、酸素（Ｏ₂）ガス流量６０ｓｃｃｍ、処理時間５分に設定する。

次に、隔壁表面のポリイミド表面の撥液化処理を行う。この際、撥液処理用の薬液として、図６に示す２−（パーフルオロデシル）エタノールを、エタノールに溶解した溶液を用いる。２−（パーフルオロデシル）エタノールの濃度は、１×１０^-4〜１×１０^-2mol/Lの範囲が好適である。

酸素プラズマ処理後の画素基板３１を、前述の２−（パーフルオロデシル）エタノールの溶液に浸漬することにより、ポリイミド表面に生成されたカルボキシル基と、２−（パーフルオロデシル）エタノールとが脱水重合する（図５及び図７参照）。これにより、隔壁３８表面が撥液化され、図９（ｃ）に示すように撥液性の撥液層３８ａが形成される。このとき、溶液温度は２０〜６０℃が好適であり、画素基板３１を浸漬する時間は１〜３０分が好適である。

画素基板３１を２−（パーフルオロデシル）エタノール溶液に浸漬した後、純水にて洗浄を行い、Ｎ₂ブロにより、画素基板３１を乾燥させる。２−（パーフルオロデシル）エタノールは、酸化膜、窒化膜、金属酸化物、金属等とは撥液性を呈する程度には反応しないため、画素電極３４上及び層間絶縁膜３５上では親液性が保たれる。

撥液処理後に、正孔注入材料（導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を分散した水を主成分とする含有液（以下、ＰＥＤＯＴ含有液）を、複数の液滴を吐出するインクジェットや連続する液体を流すノズルコータ等の印刷方法で画素基板３１上に塗布する。画素電極３４及びその周辺の層間絶縁膜３５は親液性であるため、塗布されたＰＥＤＯＴ含有液は隣接する隔壁３８どうしの間に十分に広がるが、隔壁３８表面は撥液層３８ａが形成されており、撥液性であるため、塗布された含有液の吸い上げが抑制される。

ＰＥＤＯＴの塗布後、１００℃以上の温度にて乾燥を行う。次に、赤・緑・青色の発光材料（ポリフルオレン系）をテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン等の有機溶剤に溶かした発光材料含有液を、インクジェットやノズルコータ等の印刷方法により、正孔注入層３６上にそれぞれ成膜する。上述したように隔壁３８の表面は撥液層３８ａが形成されており、撥液性となっているため、隣接した画素との混色が防止され、赤・緑・青色の塗り分けが精度良く行える。

発光材料を成膜後、窒素雰囲気中の加熱乾燥、或いは真空中での加熱乾燥を行い、残留溶媒の除去を行う。

発光層３７まで形成した画素基板３１に、図９（ｄ）に示すように真空蒸着やスパッタリングで、Ｃａ，Ｂａ等の対向電極４０を形成する。対向電極４０は、表示装置１０がボトムエミッション型であれば、Ａｌ等の光反射性導電層に設定され、トップエミッション型であれば、ＩＴＯ等の光透過性導電層に設定される。最後にメタルキャップ（ボトムエミッション型のみ）やガラス等の封止基板に、ＵＶ硬化又は熱硬化接着剤を塗布したものと、画素基板とを貼り合わせした後、硬化させ、有機ＥＬ素子を完成させる。

本実施形態では、ポリイミドからなる隔壁３８の表面が撥液性となっているため、正孔注入層、発光層等を形成する際に、塗布された含有液の隔壁への吸い上がりが抑制され、更に画素電極上の膜厚プロファイルの均一性を向上できる。

図１０に、比較例としてポリイミド及びＩＴＯに酸素プラズマ処理のみを施した場合の親水性溶液、及び疎水性溶液に対する接触角と、ポリイミド及びＩＴＯに本実施形態の処理を施した場合の親水性溶液及び疎水性溶液に対する接触角を測定した結果を図に示す。なお、親水性溶液として純水を、疎水性溶液としてキシレンを用いた。また、上述したように純水は正孔注入層を形成する場合に一般に用いられる溶媒であり、キシレンは発光層を形成する際に一般に用いられる溶媒である。

まず、Ｏ₂プラズマ処理を施したポリイミドは、図１０に示すように純水に対して接触角が１０°であり、キシレンに対して１４°である。また、ＩＴＯの純水に対する接触角は５°である。

次に本実施形態の処理を施したポリイミドは、純水に対する接触角が７３°と、極めて高い撥液性を有し、同様にキシレンに対しても３４°という高い撥液性を有する。更に、ＩＴＯの純水に対する接触角は２３°であり、親水性を有する。

図１０から分かるように、本実施形態によれば親水性溶媒及び疎水性溶媒に対してポリイミドの接触角を高めることが可能であり、表面を撥液性とすることができる。一方で、上述したようにＩＴＯはアノード電極として用いられており、ＩＴＯの上面には正孔注入層が形成される。しかし、本方式によってはポリイミドのみが高い撥液性を付与されるもののＩＴＯ等、他の領域に対しては、親水性を保持できる。つまり、ポリイミド表面のみを選択的に撥液性とすることが可能である。

また、本実施形態では層間絶縁膜としてシリコン窒化膜を用いているが、撥液処理にフッ素系ガスプラズマ処理を用いる構成とは異なり、フッ素系ガスプラズマ処理によるシリコン窒化膜のオーバーエッチングを引き起こすことはない。

また、本実施形態の製造方法では、Ｏ₂プラズマ処理後に、撥液性溶液に浸漬することにより撥液処理を行うため、フォトマスクを用いて選択的に撥液性を施す方法と比較し、簡易に撥液処理を行うことができる。

また、本実施形態ではポリイミドの表面の脱水重合により撥液性を付与するため、加工が容易である。加工が容易な樹脂に撥液性を有する添加剤を付与する方法とは異なり、画素電極の親液化処理によってバインダ樹脂を親液化させ、撥液性を低下させることがない。

本発明は上述した実施形態に限られず、様々な変形及び応用が可能である。例えば、上述した実施形態では画素電極の親液化に酸素プラズマ処理を用いたが、ＵＶ−オゾン処理を用いても良い。

また、撥液処理用の薬液として、２−（パーフルオロヘキシル）エタノールや、３−（パーフルオロヘキシル）プロパノール等の、液状のフッ化アルキルアルコールを単体で用いることも可能である。

なお、上述の実施形態においては画素３０の画素回路ＤＳが２個のトランジスタを有して構成されるものとしたが、一例を示したに過ぎず、３個以上のトランジスタを有して構成されるものであってもよく、１個のトランジスタを有して構成されるものであってもよい。

本発明の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置の画素の等価回路図である。画素の要部を示す平面図である。図３に示すIV−IV線断面図である。ポリイミドの改質処理を示す図である。２−（パーフルオロデシル）エタノールを示す図である。脱水重合後のポリイミドを示す図である。本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す図である。本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す図である。Ｏ₂プラズマ処理のみを施した隔壁と、本実施形態の撥液処理を施した隔壁とにおける純水とキシレンの接触角を示す図である。

符号の説明

１０・・・表示装置、３０・・・画素、３１・・・画素基板、３２・・・絶縁膜、３４・・・画素電極、３５・・・層間絶縁膜、３６・・・正孔注入層、３７・・・発光層、３８・・・隔壁、４０・・・対向電極、Ｃｓ・・・キャパシタ、Ｌa・・・アノードライン、Ｌd・・・データライン、Ｌsel・・・セレクトライン、Ｔｒ１１，Ｔｒ１２・・・トランジスタ

Claims

基板上面に配列された電極の周囲を囲むように設けられたポリイミドを有する隔壁を活性な酸素が存在する雰囲気、又は紫外線に曝露して、前記隔壁のポリイミド環を開環させ、前記隔壁に、フッ化アルキルアルコール単体もしくは、フッ化アルキルアルコールをアルコールにて溶解した撥液性溶液を塗布し、前記隔壁のポリイミド環を開環させてなるポリイミドのカルボキシル基と、前記撥液性溶液のフッ化アルキルアルコールの水酸基とを、脱水反応させて、フッ化アルキル基を前記隔壁のポリイミドに修飾させることにより、前記隔壁の撥液処理を行う隔壁撥液処理工程と、
有機化合物含有液を前記電極上に塗布することにより、有機化合物層を形成する有機化合物層形成工程と、を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
前記電極の周縁を覆うシリコン窒化膜からなる絶縁膜が形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記有機化合物層上に、対向電極を形成する対向電極形成工程を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法。