JP5056476B2 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

近年、液晶表示装置（ＬＣＤ）に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）等の自発光素子を２次元配列した発光素子型の表示パネルを備えた表示装置の本格的な実用化、普及に向けた研究開発が盛んに行われている。

有機ＥＬ素子は、アノード電極と、カソード電極と、これらの電極間に形成された電子注入層、正孔注入層、発光層等の有機ＥＬ層とを備える。有機ＥＬ素子では、発光層において正孔注入層、電子注入層からそれぞれ供給された正孔と電子とが再結合することによって発生するエネルギーによって発光する。

このような有機ＥＬ素子において、多色発光する場合、互いに異なる色に発光する発光層となる材料を画素ごとに変えることによってなしている。発光層材料を含有させた液体を画素に塗布する湿式成膜では、発光層等を隣接する画素との間に混色を生じさせず、且つ画素内におけるこれらの層の膜厚を均一に形成するためには、画素電極間に形成する隔壁表面を選択的に撥液性とすることが有効である。このように隔壁表面を撥液性とすることにより、画素内に有機ＥＬ層を形成するために塗布した有機ＥＬ層含有液の隔壁側面への吸い上がりが抑制される。

画素電極間に形成する隔壁表面を選択的に撥液性とする方法としては、フッ素含有ガス下におけるプラズマ洗浄により隔壁の表面を撥液化する方法、フッ素を含有する隔壁材料を使用する方法、フッ素含有置換基を隔壁に選択的に吸着させる方法、有機ＥＬパネル全面を一度撥液コーティングし、紫外線の照射にて選択的に親液処理を施す方法などが提案されている（特許文献１、２）。
特開２００７−５０５６号公報 特開２００３−２５７６５６号公報

ところで、上述した隔壁の撥液処理方法においては、プラズマ洗浄時に真空プロセスを必要とするため製造コストの増大を招いたり、隔壁のパターンニング不良により画素内に撥液効果を持たせてしまったり、あるいは照射する紫外線自体のムラにより隔壁の撥液性にムラを生じさせるなど問題点があった。

本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、画素電極間に形成する隔壁表面を良好に撥液性とした表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る表示装置の製造方法は、画素電極と前記画素電極の周辺領域に形成された隔壁とが形成された基板上に、溶質として撥液性を有する化合物を含む撥液性溶液を塗布する撥液性溶液塗布工程と、前記撥液性溶液を乾燥させる乾燥工程と、前記画素電極上に溶媒を塗布し、前記画素電極上に堆積された前記撥液性を有する化合物を溶解させる溶媒塗布工程と、前記溶媒塗布工程における溶媒によって溶解された前記撥液性を有する化合物を含む溶液を乾燥させることによって、前記撥液性を有する化合物を前記隔壁に移動させる溶媒乾燥工程と、を含むことを特徴とする。

また、前記溶媒塗布工程と、前記溶媒乾燥工程とは、複数回繰り返されてもよい。

また、前記撥液性の溶液の溶媒と、前記溶媒塗布工程で用いる前記溶媒とは同一としてもよい。

また、前記撥液性を有する化合物は、フッ素含有化合物としてもよい。

また、本発明に係る表示装置は、上記の製造方法によって製造されたことを特徴とする。

本発明の実施形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法について図を用いて説明する。

なお、本明細書中に「撥液性」という表現を用いるが、本明細書において撥液性とは、正孔注入層となる正孔注入材料を含有する有機化合物含有液、もしくはこれらの溶液に用いる有機溶媒を絶縁性基板上等に滴下して接触角を測定した場合に当該接触角が３０°以上になる状態と規定する。また、撥液性とは対となる親液性とは、液になじむ性質を示し、接触角が３０°未満となる状態と規定する。

本実施形態の製造方法によって表示装置１０は、図１に示すように、有機ＥＬ素子（画素）を２次元配列した表示パネルと、表示パネルを外部から駆動する図示しない駆動回路とを有している。また、本実施の形態の表示パネルでは、図１に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の画素を一組として、この組が行方向（図１の左右方向）に繰り返し複数配列されるとともに、列方向（図１の上下方向）に同一色の画素が複数配列されている。

各画素３０の構成例を示す等価回路を図２に示す。各画素３０は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤをアクティブ動作する画素回路ＤＳとを備えており、画素回路ＤＳは、トランジスタ（選択トランジスタ）Ｔｒ１１と、トランジスタ（発光駆動トランジスタ）Ｔｒ１２と、キャパシタＣｓと、を備える。図２に示すトランジスタＴｒ１１及びトランジスタＴｒ１２は、いずれもｎチャネル型アモルファスシリコン薄膜トランジスタであるが、これに限らず、少なくとも一方がｐチャネル型でもよく、ポリシリコン薄膜トランジスタであってもよい。
表示パネルには、それぞれ所定行に配列された複数の画素回路ＤＳに接続された複数のアノードラインＬaと、それぞれ所定列に配列された複数の画素回路ＤＳに接続されたデータラインＬdと、それぞれ所定行に配列された複数の画素回路ＤＳのトランジスタＴｒ１１を選択する複数の走査ラインＬselと、が形成されている。

図２に示すように選択トランジスタＴｒ１１のゲート端子は走査ラインＬｓに、ドレイン端子が表示パネルの列方向に配設されたデータラインＬdに、ソース端子が接点Ｎ１１にそれぞれ接続される。また、発光駆動トランジスタＴｒ１２のゲート端子は接点Ｎ１１に接続されており、ドレイン端子は供給電圧ラインＬaに、ソース端子は接点Ｎ１２にそれぞれ接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート端子及びソース端子に接続されている。なお、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくはこれらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アノード端子（画素電極３４）が接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（対向電極４０）に基準電圧Ｖssが印加されている。なお、トランジスタＴｒ１１及びトランジスタＴｒ１２がｐチャネル型の電界効果型トランジスタの場合は、それぞれソース端子及びドレイン端子が図２とは逆に接続される。

走査ラインＬsは、表示パネルの周縁部に配置された走査ドライバ（図示せず）に接続されており、所定タイミングで表示パネルの行方向に配列された複数の画素３０を選択状態に設定するための選択電圧信号（走査信号）Ｓselが印加される。また、データラインＬdは、表示パネルの周縁部に配置されたデータドライバ（図示せず）に接続され、上記画素３０の選択状態に同期するタイミングで表示データに応じたデータ電圧（階調信号）Ｖpixが印加される。走査ドライバ及びデータドライバは別個のＩＣチップであってもよく、同一のＩＣチップでもよい。

各行ごとに配列された複数のトランジスタＴｒ１２が、当該トランジスタＴｒ１２に接続された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極（例えばアノード電極）に表示データに応じた発光駆動電流を流す状態に設定するように、複数のアノードラインＬa（供給電圧ライン）は、いずれも所定の高電位電源に直接又は間接的に接続されている。つまり、アノードラインＬaは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの対向電極４０に印加される基準電圧Ｖssより十分電位の高い所定の高電位（供給電圧Ｖdd）が印加される。また、対向電極４０は、例えば、所定の低電位電源に直接又は間接的に接続され、絶縁性基板１１上に２次元配列された全ての画素（有機ＥＬ素子）に対して単一の電極層により形成されており、所定の低電圧（基準電圧Ｖss，例えば接地電位ＧＮＤ）が共通に印加されるように設定されている。

すなわち、各画素において、直列に接続されたトランジスタＴｒ１２と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの組の両端（トランジスタＴｒ１２のドレイン端子と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子）にそれぞれ、供給電圧Ｖddと基準電圧Ｖssを印加して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに順バイアスを付与して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光できる状態にし、更に階調信号Ｖpixに応じて流れる発光駆動電流の電流値を画素回路ＤＳにより制御している。

次に、本実施形態の表示装置１０の画素３０に着目した平面図を図３に示す。また、図４は図３に示すＩＶ−ＩＶ線断面図である。なお、図３では対向電極４０の図示を省略している。また、本実施形態の表示装置１０は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが設けられている基板側から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション型である。

画素基板３１は、透光性を備える材料から形成され、例えばガラス基板である。また、画素基板３１上にはゲート電極５６ａ，５６ｂ及び絶縁膜３２が形成される。

絶縁膜３２は、絶縁性材料、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等から構成され、ゲート電極５６ａ，５６ｂを覆うように画素基板３１上に形成される。また、絶縁膜３２はゲート電極５６ａ，５６ｂが形成された領域においてトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２のゲート絶縁膜として機能する。

トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２は、それぞれｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）である。トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２は、それぞれ画素基板３１上に形成される。また、トランジスタＴｒ１１は半導体層５１ａと、ソース電極５２ｓと、ドレイン電極５３ｄと、オーミックコンタクト層５４ａ，５５ａと、ゲート電極５６ａと、保護膜５７ａと、を備える。トランジスタＴｒ１２は、トランジスタＴｒ１１と同様に半導体層５１ｂと、ドレイン電極５２ｄと、ソース電極５３ｓと、オーミックコンタクト層５４ｂ，５５ｂと、ゲート電極５６ｂと、保護膜５７ｂと、を備える。また、Ｔｒ１２のソース電極５３ｓは画素電極３４に接続される。

トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２において、ゲート電極５６ａ，５６ｂは、例えば、アルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）またはクロム（Ｃｒ）から形成される。また、ドレイン電極５３ｄ，５２ｄ、ソース電極５２ｓ，５３ｓはそれぞれ例えばアルミニウム−チタン（ＡｌＴｉ）／Ｃｒ、ＡｌＮｄＴｉ／ＣｒまたはＣｒから形成されている。また、それぞれのドレイン電極５３ｄ，５２ｄ及びソース電極５２ｓ，５３ｓと半導体層５１ａ，５１ｂとの間には低抵抗性接触のため、オーミックコンタクト層５４ａ，５５ａ，５４ｂ，５５ｂが形成される。

絶縁膜３２上に形成される画素電極（アノード電極）３４は、表示装置１０がボトムエミッション型であれば、透光性を備える導電材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ等から構成され、トップエミッション型であれば例えばＡｌ等の光反射性の金属層及びその上に積層された上述のＩＴＯ等の透明導電層の２層構造でもよい。画素電極３４は、画素領域に塗布される有機化合物含有液に対して親液性を有するように、表面処理が施されている。また、各画素電極３４は隣接する他の画素３０の画素電極３４と層間絶縁膜３５によって絶縁されている。

層間絶縁膜３５は、絶縁材料、例えばＳｉＮ等から形成される。層間絶縁膜３５は、画素電極３４間に形成され、隣接する画素電極３４間を絶縁する。また、層間絶縁膜３５は、発光領域に対応する領域に開口３５ａを備える。このように層間絶縁膜３５の開口３５ａによって露出された画素電極３４上に、後述する正孔注入層３６、発光層３７等の有機ＥＬ層が成膜される。

正孔注入層３６は、画素電極３４上に形成され、発光層３７に正孔を供給する機能を有する。正孔注入層３６は正孔（ホール）注入、輸送が可能な有機高分子系の材料から構成される。また、本実施形態では正孔注入層３６を成膜する際に、正孔注入層３６となる有機高分子系のホール注入・輸送材料を含む有機化合物含有液として、導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とドーパントであるポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を水系溶媒に分散させた分散液であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液を用いている。

発光層３７は、正孔注入層３６上に形成されている。発光層３７は、アノード電極とカソード電極との間に所定の電圧を印加することにより光を発生する機能を有する。発光層３７は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の発光材料から構成される。また、これらの発光材料は、適宜水系溶媒あるいはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解（又は分散）した溶液（分散液）をノズルコート法やインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成する。

また、対向電極（カソード電極）４０は、導電材料、例えばＭｇ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃａ等から形成される。本実施形態では、対向電極４０は複数の画素３０に跨って形成される単一の電極層から構成され、ＧＮＤに接続されている。

隔壁３８は、樹脂、例えば感光性ポリイミドから構成され、層間絶縁膜３５上に形成される。図３及び図４に示すように、隔壁３８は横断面形状が方形に形成され、列方向に（図３に示す縦方向）延びるように、ストライプ状に形成される。隔壁３８の厚みは、１〜５μｍ程度が好適である。

隔壁３８の表面には、図４に模式的に示すように撥液性を備える撥液層４５が形成される。撥液層４５は、炭化水素基の水素部分を全てもしくはその一部をフッ素に置換したパーフルオロアルキル基を有する高分子化合物等所定の撥液性を有する化合物、例えばポリテトラフルオロエチレン等のフッ素含有化合物、から形成される。撥液層４５によって、正孔注入層等の有機ＥＬ層を形成する際、これらの有機化合物を含有する溶液が隔壁側面に吸収されることを防ぎ、また隔壁側面へ吸い上がることを抑制することができ、溶液が隣接する画素に混ざることを防ぐことが出来る。また、隔壁側面への吸い上がりが抑制されることで、画素内に形成される有機ＥＬ層が隔壁側面近傍で厚くなるといった偏りが抑制され、全体的に均一な膜厚に形成することが可能である。

特に、詳細に後述するように撥液層４５は、一旦、画素電極３４、層間絶縁膜３５、及び隔壁３８上にフッ素含有化合物からなる膜を形成した後、隔壁３８間に形成された溝３８ａに溶媒を塗布し、フッ素含有化合物を溶解させ、溶媒を乾燥させることにより、形成される。このような工程によることで画素電極３４及び層間絶縁膜３５上からフッ素含有化合物を除去し、隔壁３８の側面のみに撥液層４５を形成することができる。

次に、本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法について図を用いて説明する。

まず、ガラス基板等からなる画素基板３１を用意する。次にこの画素基板３１上に、スパッタ法、真空蒸着法等により金属膜を形成し、これをゲート電極５６ａ、５６ｂの形状にパターニングする。

続いて、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によりゲート電極５６ａ及び５６ｂ上に絶縁膜３２を形成する。次に絶縁膜３２上に、半導体層５１ａ，５１ｂを形成し、更に半導体層５１ａ，５１ｂの上面に保護膜５７ａ，５７ｂ、アモルファスシリコンに不純物イオンが含まれたｎ＋オーミックコンタクト層５４ａ，５４ｂ，５５ａ，５５ｂを形成する。

次に、スパッタ法、蒸着等により、絶縁膜３２上に画素電極３４を形成する。

次に、スパッタ法、真空蒸着法等により、ドレイン電極５３ｄ，５２ｄ及びソース電極５２ｓ，５３ｓを形成する。

続いて、トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２等を覆うように窒化シリコン等の層間絶縁膜３５をＣＶＤ法等により形成する。次に、フォトリソグラフィ等により画素３０の発光領域に対応する領域に開口３５ａを形成し、画素電極３４を露出させる。

次に、層間絶縁膜３５上に、樹脂、例えば感光性ポリイミド層を形成した上で、ポリイミド層に隔壁に対応する形状に形成されたフォトマスクを形成し、パターニングすることによって図５に示すように隔壁３８を形成する。

このようにして、画素基板３１上にはＴＦＴ回路、画素電極、層間絶縁膜、感光性ポリイミドで形成した隔壁が形成されている。

続いて、隔壁３８が形成された表示装置１０を純水で洗浄し、画素電極の親液化処理を行う。

次に、このように形成された表示装置１０に、図５に示すように、表示装置１０と対向する位置に配した吐出ノズル２０から、フッ素含有化合物をキシレンで溶解した溶液４５ａを、表示装置１０の一面に滴下する。この際、撥液層４５を隔壁３８上面にも形成するため、図に示すように溶液４５ａを画素電極３４、層間絶縁膜３５、及び隔壁３８上の全面に塗布する。次に、滴下した溶液４５ａを乾燥して、図６に示すように、フッ素含有化合物からなる撥液層４５を、画素電極３４、層間絶縁膜３５、及び隔壁３８上に形成する。

次に、図７に示すように、吐出ノズル２０から溝３８ａに、フッ素含有化合物を溶解させることが可能な溶媒１５を滴下する。溶媒１５としては、溶液４５ａの溶媒と同一のものを用いても良いし、違うものを用いても良い。溶媒１５としてはキシレン、トルエン、メシチレン、テトラリンなどの有機溶剤を用いることができる。本実施形態では溶媒１５として純溶媒であるキシレンを用いる。溶媒１５は、隔壁３８の側面に形成された撥液層４５のみを溶解させるため、隔壁３８を越えない程度に溝３８ａに充填させる。これにより、滴下された溶媒１５と接する画素電極３４、層間絶縁膜３５、及び隔壁３８上の撥液層４５は再溶解される。そして、溶媒を乾燥させる。この塗布した溶媒１５を乾燥する過程で、画素電極３４及び層間絶縁層３５上に形成していたフッ素含有化合物を、隔壁３８側に移動させることができ、層間絶縁膜３５及び画素電極３４上の撥液層４５を除去することが可能である。この現象は、以下に説明する「コーヒーステインの原理」と呼ばれる現象を利用したものである。

図１０（ａ）に示すように、紙６５上にコーヒーを滴下した場合、コーヒーの液滴６０の端部の方が、中心と比べて乾燥速度が速い。そのため、膜化は液滴６０の端部から始まる。これにより、液滴６０の内部に濃度差（端部＞中心）が発生する。この濃度差を緩和するため、溶媒は液滴６０の中心から端部側に移動する。この移動に伴い溶質も液滴６０の中心から端部側に移動する。そして、液滴６０が乾燥すると、図１０（ｂ）、（ｃ）に示すように、溶質は中心よりも端部により多く堆積することとなる。

この現象は、図７に示した隔壁３８間に形成された溝３８ａに溶媒１５を滴下させた場合にも同様に起こる。すなわち、溶媒１５に撥液層４５が溶け出した溶液を、コーヒーの液滴６０（図１０（ａ））と見立てることができる。上述したように溶媒１５に撥液層４５が溶け出した溶液の乾燥速度は、中央側より隔壁３８側の方が速いため、隔壁３８側から溶液の膜化が始まり、中央側の溶質（フッ素含有化合物）は、溶媒（キシレン）とともに隔壁３８側へ移動する。その結果、溶液が乾燥すると、図８に示すように、画素電極３４及び層間絶縁膜３５に形成されていた撥液層４５は薄くなり、隔壁３８の側面に形成されていた撥液層４５は厚みを増す。

特に本実施形態では、図８に示すように層間絶縁膜の厚みａは、例えば０．２μｍ程度であり、隔壁３８の厚みｂは、例えば３．５μｍ程度である。従って、隔壁３８の厚みｂに対して、層間絶縁膜の厚みａは極めて薄く、層間絶縁膜３５と画素電極３４との高さはほぼ同じとみなすことができる。このため、画素電極３４上を形成していた溶質は、支障なく隔壁３８側へ移動することができる。

そして、この溶媒１５の充填、乾燥からなる工程を複数回繰り返すことにより、隔壁３８の側面に凝集するフッ素含有化合物の量を増加することができ、画素電極３４及び層間絶縁膜３５に形成されていた撥液層４５を除去することができる。これにより、隔壁３８の表面を撥液性に、画素電極３４及び層間絶縁膜３５の表面には撥液層が残存しないパターンを、表示装置１０に形成することができる。

次に、表示装置１０の表面に親撥液性のパターンを形成した後、正孔注入材料（導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を分散した水を主成分とする含有液（以下、ＰＥＤＯＴ含有液）を、複数の液滴を吐出するインクジェットや連続する液体を流すノズルコータ等の印刷方法で画素基板３１上に塗布する。画素電極３４及びその周辺の層間絶縁膜３５は親液性であるため、塗布されたＰＥＤＯＴ含有液は隣接する隔壁３８どうしの間に十分に広がるが、隔壁３８表面は撥液層４５が形成されており、撥液性であるため、塗布された含有液の吸い上げが抑制される。

ＰＥＤＯＴの塗布後、１００℃以上の温度にて乾燥を行う。次に、赤・緑・青色の発光材料（ポリフルオレン系）をテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン等の有機溶剤に溶かした発光材料含有液を、インクジェットやノズルコータ等の印刷方法により、正孔注入層３６上にそれぞれ成膜する。上述したように隔壁３８の表面は撥液層４５が形成されており、撥液性となっているため、隣接した画素との混色が防止され、赤・緑・青色の塗り分けが精度良く行える。

発光材料を成膜後、窒素雰囲気中の加熱乾燥、或いは真空中での加熱乾燥を行い、残留溶媒の除去を行う。

発光層３７まで形成した画素基板３１に、図９に示すように真空蒸着やスパッタリングで、Ｃａ，Ｂａ等の対向電極４０を形成する。対向電極４０は、表示装置１０がボトムエミッション型であれば、Ａｌ等の光反射性導電層に設定され、トップエミッション型であれば、ＩＴＯ等の光透過性導電層に設定される。最後にメタルキャップ（ボトムエミッション型のみ）やガラス等の封止基板に、ＵＶ硬化又は熱硬化接着剤を塗布したものと、画素基板とを貼り合わせした後、硬化させ、有機ＥＬ素子を完成させる。

本発明の実施の形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法は、溶媒の滴下、乾燥を交互に繰り返す工程により、画素電極及び層間絶縁膜を成膜した撥液性物質を完全に除去して、隔壁の側面に付着させることができる。これにより、従来の表示パネルと比べ、所望の親撥液パターンが確実に形成され、発光層等を隣接する画素との間に混色を生じさせず、且つ画素内におけるこれらの層の膜厚を均一に形成した表示装置を提供することができる。

また、本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、撥液処理が施された表示パネルに、溶媒の滴下、乾燥を交互に繰り返す工程だけで、所望の親撥液性のパターンニングを行なえる。そのため、従来行なわれている製造方法と比べ、大掛かりな製造装置や複雑な工程を必要としないため、表示パネルの製作コストの低減や、製作時間の削減に寄与する。

（実施例）
出願人は、上述した「コーヒーステインの原理」を利用した画素電極３４及び層間絶縁膜３５上に形成された撥液層４５の除去効果を確認するため、ポリフルオレン系、またはポリフェニレンビニレン系の蛍光を示す発光材料を溶質としたキシレン溶液を用いて確認実験を行った。以下、詳細を記す。

図１１（ａ）は、図５に示す表示装置と対応するように、基板上に画素電極を形成し、更に画素電極上に層間絶縁膜を形成し、更に層間絶縁膜上にストライプ状に隔壁を形成した表示装置の平面図である。なお、トランジスタ等については省略した。

先ず、撥液処理を施してない表示装置を用意する。そして隔壁間に、発光材料をキシレンに溶解させたキシレン溶液を塗布し、溶媒を乾燥させて、画素電極、層間絶縁膜、及び隔壁の側面に発光材料を付着させる。
次に、隔壁間にキシレンの滴下、乾燥を交互に繰り返す工程を異なる回数実施して、それぞれの実施回数における発光材料の付着状況を確認した。

図１１（ｂ）は発光材料を可視化したもので、条件１は表示装置に溶媒を１回塗布、乾燥させた場合、条件２は表示装置に溶媒を３回塗布、乾燥させた場合、条件３は表示装置に溶媒を塗布しなかった場合を示している。

条件１と条件３とを比較すると、条件１の方が、隔壁側面に発光材料が凝集していることがわかる。また、隔壁のラインが条件３の方がぼやけており、条件３では発光材料が画素電極、層間絶縁膜、及び隔壁の側面に満遍なく塗布されていることが分かる。
次に、条件１と条件２とを比較すると、溶媒の塗布回数を増やすと、発光材料が隔壁側面に凝集しており（条件２）、画素電極及び層間絶縁膜に付着していた発光材料が除去されていることが分かる。

このように、本実施例から、隔壁間に溶媒を複数回塗布、乾燥を繰り返すことにより、画素電極及び層間絶縁膜上に形成された撥液層を完全に除去できることを確認することができた。また、溶媒を塗布する回数は、あるレベルまでは多いほど凝集の効果を得ることが可能であるが、それを越えると大差は生じない。

本発明は上述した実施形態に限られず、様々な変形及び応用が可能である。
例えば、上述した実施形態では、ノズルプリント法を用いて、フッ素を含有する化合物溶液のコーティング、及び溶媒の選択的な塗布を行なう場合について説明したが、ノズルプリント法と同様の処理ができる他の湿式印刷法を用いて処理を実施してもよい。例えば、インクジェットプリント法、スクリーン印刷法等が挙げられる。

また、上記実施形態では、隔壁がストライプ状に形成された表示装置について説明したが、例えば隔壁が格子状に形成された表示装置についても、本発明を利用することができる。

また、上記実施形態では、実施する溶媒の滴下、乾燥を交互に繰り返す工程の回数は製造する表示装置や、使用する材料により適宜調節することが可能である。

本発明の実施形態に係る表示装置の平面図である。 表示装置の画素の等価回路図である。 画素の要部を示す平面図である。 図３に示すＩＶ−ＩＶ線断面図である。 本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 コーヒーステインの原理を説明するための図で、（ａ）はコーヒーの液滴の断面図、（ｂ）はコーヒーの液滴が乾燥して残った溶質の断面図、（ｃ）は（ｂ）に示すＸｃ−Ｘｃ線断面図である。 表示装置に付着した蛍光材料の除去状況の確認実験を示す図で、（ａ）は表示装置の平面図、（ｂ）は蛍光材料の付着状況を可視化した平面図である。

符号の説明

１０ 表示装置
１５ 溶媒
３０ 画素
３１ 画素基板
３２ 絶縁膜
３４ 画素電極
３５ 層間絶縁膜
３６ 正孔注入層
３７ 発光層
３８ 隔壁
４０ 対向電極
４５ 撥液層
４５ａ 溶液（フッ素含有化合物溶液）
Ｃｓ キャパシタ
Ｌａ アノードライン
Ｌｄ データライン
Ｌsel セレクトライン
Ｔｒ１１，Ｔｒ１２ トランジスタ

Claims (5)

1. 画素電極と前記画素電極の周辺領域に形成された隔壁とが形成された基板上に、溶質として撥液性を有する化合物を含む撥液性溶液を塗布する撥液性溶液塗布工程と、
   前記撥液性溶液を乾燥させる乾燥工程と、
   前記画素電極上に溶媒を塗布し、前記画素電極上に堆積された前記撥液性を有する化合物を溶解させる溶媒塗布工程と、
   前記溶媒塗布工程における溶媒によって溶解された前記撥液性を有する化合物を含む溶液を乾燥させることによって、前記撥液性を有する化合物を前記隔壁に移動させる溶媒乾燥工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
2. 前記溶媒塗布工程と、前記溶媒乾燥工程とは、複数回繰り返されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記撥液性の溶液の溶媒と、前記溶媒塗布工程で用いる前記溶媒とは同一であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記撥液性を有する化合物は、フッ素含有化合物であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項の製造方法によって製造されたことを特徴とする表示装置。

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