JP2009245644A - 発光装置の製造装置及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光装置の製造装置100は、発光層形成装置107と、カソード形成装置108と、封止装置110と、を備える。発光層形成装置107とカソード形成装置108と封止装置110とはそれぞれ接続されており、各工程間で画素基板が大気に暴露されることがない。これにより、製造装置100で行われる製造工程中に画素基板が大気に曝されることが抑制され、水分の付着等によるダークスポットの発生を抑制することができる。
【選択図】図1
Description
画素電極が形成された画素基板上に、有機層を形成する有機層形成装置と、
前記有機層上に対向電極を形成する対向電極形成装置と、
を備え、
前記有機層形成装置と、前記対向電極形成装置とは、各工程間で前記画素基板が大気に曝露されないよう接続されていることを特徴とする。
前記電荷輸送層形成装置は、前記画素基板が大気に曝露されることがないよう、前記有機層形成装置と、接続されていてもよい。
前記焼成装置は、前記画素基板が大気に曝露されることがないよう、前記有機層形成装置と、接続されてもよい。
前記焼成装置では、水素を添加した不活性ガス雰囲気としてもよい。
画素電極と半導体素子とが形成された画素基板上に形成された絶縁層を水素を不活性ガス雰囲気下で焼成する焼成装置を備えることを特徴とする。
画素電極が形成された画素基板上に、有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層上に対向電極を形成する対向電極形成工程と、
を備え、
前記有機層形成工程を行う有機層形成装置と、前記対向電極形成工程を行う対向電極形成装置とは、接続されており、各工程間で前記画素基板が大気に曝露されないことを特徴とする。
前記電荷輸送層形成工程を行う電荷輸送層形成装置は、前記画素基板が大気に曝露されることがないよう、前記有機層形成装置と接続されていてもよい。
前記焼成工程を行う焼成装置は、前記画素基板が大気に曝露されることがないよう、前記有機層形成装置と、接続されていてもよい。
画素電極と半導体素子とが形成された画素基板上に形成された絶縁層を、水素を添加した不活性ガス雰囲気下で焼成する焼成工程を備えることを特徴とする。
第1実施形態に係る発光装置の製造装置及び製造方法では、正孔輸送層として無機系の材料を用い、発光層として高分子材料を用いた有機EL素子を配列させた発光装置を製造する場合を例に挙げて説明する。
本実施形態では、まず、画素基板31上へのトランジスタTr11,12の形成から隔壁35の露光、現像までを本実施形態の製造装置100外で行い、隔壁35の焼成工程から製造装置100によって製造する。
封止装置110にて封止工程を終えた後、アンローダ111内に発光装置10が搬入されてからアンローダ111内で真空雰囲気から常圧に戻してアンローダ111から発光装置10を搬出させる。
第2実施形態に係る発光装置の製造装置及び製造方法を図を用いて説明する。本実施形態が上述した各実施形態と異なるのは、正孔輸送層が有機系の溶媒に溶解させた有機系材料を用いて形成される点にある。上述した実施形態と共通する部分については、詳細な説明を省略する。
本実施形態の製造工程は第1実施形態と同様に、画素基板31上へのトランジスタTr11,12の形成から隔壁35の露光、現像までを本実施形態の製造装置200外で行い、隔壁35の焼成工程から製造装置200によって製造する。
封止装置210にて封止工程を終えた後、アンローダ211から常圧に戻されて発光装置を搬出させる。
第3実施形態に係る発光装置の製造装置及び製造方法を図を用いて説明する。本実施形態では、正孔輸送層が無機または低分子系の材料から形成され、発光層も低分子系の材料から形成され、いずれも乾式成膜によって形成される。上述した実施形態と共通する部分については、詳細な説明を省略する。
正孔輸送層形成装置304は、真空蒸着装置、スパッタ装置等からなり、正孔輸送材料である。
発光層形成装置305は、真空蒸着装置等からなり、例えばAlq3等の発光材料を正孔輸送層36上に成膜する装置である。
本実施形態の製造工程は第1実施形態と同様に、画素基板31上へのトランジスタTr11,12の形成から隔壁35の露光、現像までを本実施形態の製造装置300外で行い、隔壁35の焼成工程から製造装置300によって製造する。
封止装置308にて封止工程を終えた後、アンローダ309から発光装置を搬出させる。
第4実施形態に係る発光装置の製造装置及び製造方法を図を用いて説明する。本実施形態が上述した各実施形態と異なるのは、正孔輸送層が水系の溶媒に溶解させた正孔輸送材料を用いて形成される点にある。上述した実施形態と共通する部分については、詳細な説明を省略する。
本実施形態の製造方法では、画素基板31上へのトランジスタTr11,12の形成から隔壁35を形成する工程までを本実施形態の製造装置400外で行い、正孔輸送層の塗布工程から製造装置400によって製造する。
封止装置409にて封止工程を終えた後、アンローダ410から発光装置を搬出させる。
第5実施形態に係る発光装置の製造装置及び製造方法を図を用いて説明する。本実施形態では、正孔輸送層は有機低分子材料から形成され、発光層は有機低分子材料から形成される。また、本実施形態が上述した各実施形態と異なるのは、ベーキング処理を水素を添加した雰囲気下で行う点にある。上述した実施形態と共通する部分については、詳細な説明を省略する。
発光層形成装置504は、真空蒸着装置等からなり、例えばAlq3等の発光材料を正孔輸送層36上に成膜する装置である。
本実施形態の製造工程は第1実施形態と同様に、画素基板31上へのトランジスタTr11,12の形成から隔壁35の露光、現像までを本実施形態の製造装置500外で行い、隔壁35の焼成工程から製造装置500によって製造する。
封止装置507にて封止工程を終えた後、アンローダ508から発光装置を搬出させる。
上述した第1実施形態及び第3実施形態では、正孔輸送層として無機系の材料を用いる構成を例に挙げて説明したが、これに限られず有機系の低分子材料を用いることも可能である。
Claims (14)
- 画素電極が形成された画素基板上に、有機層を形成する有機層形成装置と、
前記有機層上に対向電極を形成する対向電極形成装置と、
を備え、
前記有機層形成装置と、前記対向電極形成装置とは、各工程間で前記画素基板が大気に曝露されないよう接続されていることを特徴とする発光装置の製造装置。 - 電荷輸送材料からなる電荷輸送層を形成する電荷輸送層形成装置を更に備え、
前記電荷輸送層形成装置は、前記画素基板が大気に曝露されることがないよう、前記有機層形成装置と、接続されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造装置。 - 前記画素基板上に形成された絶縁層を焼成する焼成装置を更に備え、
前記焼成装置は、前記画素基板が大気に曝露されることがないよう、前記有機層形成装置と、接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置の製造装置。 - 前記画素基板上には、半導体素子が形成されており、
前記焼成装置では、水素を添加した不活性ガス雰囲気とすることを特徴とする請求項3に記載の発光装置の製造装置。 - 前記電荷輸送層形成装置では、PEDOT/PSSを溶解させた溶液を塗布することを特徴とする請求項2に記載の発光装置の製造装置。
- 前記PEDOT/PSSを溶解させた前記溶液の前記溶媒の乾燥は、酸素を添加した不活性ガス乾燥雰囲気、または乾燥大気雰囲気下とすることを特徴とする請求項5に記載の発光装置の製造装置。
- 画素電極と半導体素子とが形成された画素基板上に形成された絶縁層を、水素を添加した不活性ガス雰囲気下で焼成する焼成装置を備えることを特徴とする発光装置の製造装置。
- 画素電極が形成された画素基板上に、有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層上に対向電極を形成する対向電極形成工程と、
を備え、
前記有機層形成工程を行う有機層形成装置と、前記対向電極形成工程を行う対向電極形成装置とは、接続されており、各工程間で前記画素基板が大気に曝露されないことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 電荷輸送材料からなる電荷輸送層を形成する電荷輸送層形成工程を更に備え、
前記電荷輸送層形成工程を行う電荷輸送層形成装置は、前記画素基板が大気に曝露されることがないよう、前記有機層形成装置と接続されていることを特徴とする請求項8に記載の発光装置の製造方法。 - 前記画素基板上に形成された絶縁層を焼成する焼成工程を更に備え、
前記焼成工程を行う焼成装置は、前記画素基板が大気に曝露されることがないよう、前記有機層形成装置と、接続されていることを特徴とする請求項8又は9に記載の発光装置の製造方法。 - 前記焼成工程では、水素を添加した不活性ガス雰囲気下で焼成を行うことを特徴とする請求項10に記載の発光装置の製造方法。
- 前記電荷輸送層形成工程では、PEDOT/PSSを溶解させた溶液を塗布することを特徴とする請求項9に記載の発光装置の製造方法。
- 前記PEDOT/PSSを溶解させた前記溶液の前記溶媒の乾燥は、酸素を添加した不活性ガス乾燥雰囲気、または乾燥大気雰囲気下で行われることを特徴とする請求項12に記載の発光装置の製造方法。
- 画素電極と半導体素子とが形成された画素基板上に形成された絶縁層を、水素を添加した不活性ガス雰囲気下で焼成する焼成工程を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
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