DE102023129064A1

DE102023129064A1 - Anzeigevorrichtung mit einer reparaturverdrahtung

Info

Publication number: DE102023129064A1
Application number: DE102023129064.9
Authority: DE
Inventors: Sung Bin Shim; Sang Pil Park
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2022-12-30
Filing date: 2023-10-23
Publication date: 2024-07-11

Abstract

Es wird eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die eine Reparaturverdrahtung enthält. Die Anzeigevorrichtung kann mehrere Pixelflächen enthalten. Die Reparaturverdrahtung kann eine erste Reparaturverdrahtung in jeder Pixelfläche und eine zweite Reparaturverdrahtung, die sich über die entsprechende Pixelfläche hinaus erstreckt, enthalten. Die erste Reparaturverdrahtung jeder Pixelfläche kann einen Reparaturschneidbereich der entsprechenden Pixelfläche kreuzen. Die zweite Reparaturverdrahtung kann einen Bereich enthalten, der mit einem Reparaturverbindungsbereich einer von zwei benachbarten Pixelflächen überlappt. Jede der ersten Reparaturverdrahtung und der zweiten Reparaturverdrahtung kann eine Stapelstruktur einer unteren Verdrahtungsschicht und einer oberen Verdrahtungsschicht aufweisen. Die untere Verdrahtungsschicht und die obere Verdrahtungsschicht können ein relativ hohes Transmissionsmaß aufweisen. Die obere Verdrahtungsschicht kann eine höhere Energieabsorptionsrate als die untere Verdrahtungsschicht aufweisen. Die obere Verdrahtungsschicht der ersten Reparaturverdrahtung kann außerhalb des Reparaturschneidbereichs angeordnet sein. Somit kann in der Anzeigevorrichtung eine Verringerung des Öffnungsverhältnisses aufgrund der ersten Reparaturverdrahtung und der zweiten Reparaturverdrahtung ohne eine Verringerung des Prozesswirkungsgrads verhindert oder mindestens verringert werden.

Description

Diese Anmeldung beansprucht den Vorteil und die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2022-0191244 , eingereicht am 30. Dezember 2022.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Technisches Gebiet
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf Vorrichtungen und insbesondere z. B. ohne Beschränkung eine Anzeigevorrichtung, die eine Reparaturverdrahtung für einen Reparaturprozess einer fehlerhaften Pixelfläche enthält.
Diskussion des verwandten Gebiets
Im Allgemeinen stellt eine Anzeigevorrichtung einem Anwender ein Bild bereit. Zum Beispiel kann die Anzeigevorrichtung mehrere Pixelflächen enthalten. Jede der Pixelflächen kann eine bestimmte Farbe realisieren. Zum Beispiel können mindestens eine Pixelansteuerschaltung und eine lichtemittierende Einrichtung, die mit der Pixelansteuerschaltung elektrisch verbunden ist, in jeder Pixelfläche angeordnet sein.
Die Pixelansteuerschaltung kann einen Ansteuerstrom, der einem Datensignal entspricht, gemäß einem Gate-Signal zur lichtemittierenden Einrichtung liefern. Die lichtemittierende Einrichtung kann Licht abstrahlen, das eine Leuchtdichte aufweist, die dem Ansteuerstrom entspricht. Zum Beispiel kann die lichtemittierende Einrichtung eine untere Elektrode, eine lichtemittierende Schicht und eine obere Elektrode enthalten, die sequenziell gestapelt sind.
Die Pixelansteuerschaltung jeder Pixelfläche kann durch Fremdkörper wie z. B. Partikel, Feuchtigkeit usw., die während eines Prozesses oder einer äußeren Einwirkung erzeugt werden, beschädigt werden. Die Pixelfläche, in der die Pixelansteuerschaltung nicht normal arbeitet, kann durch den Anwender als eine dunkle Stelle erkannt werden und die dunkle Stelle kann im Zeitablauf zunehmend größer werden, was es unmöglich macht, das gewünschte Bild zu realisieren. Somit kann in der Anzeigevorrichtung ein Reparaturprozess des elektrischen Verbindens der lichtemittierenden Einrichtung der Pixelfläche, in der die Pixelansteuerschaltung beschädigt ist, mit der Pixelansteuerschaltung einer weiteren (z. B. benachbarten) Pixelfläche durchgeführt werden. Der Reparaturprozess kann einen Schneid-, Übertragungs-, Kontaktierungs- und/oder Verbindungsprozess unter Verwendung eines Lasers enthalten. Zum Beispiel kann die Reparaturverdrahtung ein bestimmtes Material wie z. B. Metall enthalten. Deshalb kann in der Anzeigevorrichtung in einer durchsichtigen Anzeigevorrichtung, in der jede der Pixelflächen eine durchlässige Fläche enthält, ein Öffnungsverhältnis durch den Reparaturprozess z. B. aufgrund des Materials der Reparaturverdrahtung verringert werden. Insbesondere können das Transmissionsmaß und das Öffnungsverhältnis durch die Reparaturverdrahtung wesentlich verringert werden.
Die Beschreibung, die im Abschnitt Diskussion des verwandten Gebiets bereitgestellt ist, sollte nicht lediglich, da sie in diesem Abschnitt erwähnt wird oder ihm zugeordnet ist, als Stand der Technik angenommen werden. Der Abschnitt Diskussion des verwandten Gebiets kann Informationen enthalten, die einen oder mehrere Aspekte der betreffenden Technologie beschreiben, und die Beschreibung in diesem Abschnitt beschränkt die Erfindung nicht.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Entsprechend ist eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung auf eine Anzeigevorrichtung gerichtet, die eine oder mehrere Problematiken aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen des verwandten Gebiets im Wesentlichen vermeidet.
Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die eine Verringerung eines Öffnungsverhältnisses aufgrund eines Reparaturprozesses verhindern oder verringern kann.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die einen Reparaturprozess vereinfachen kann.
Mindestens eine der Aufgaben wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Weitere Vorteile, Aufgaben und Merkmale der Offenbarung werden teilweise in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden teilweise für einschlägige Fachleute aufgrund einer Auseinandersetzung mit dem Folgenden ersichtlich oder können aus einem Praktizieren der Offenbarung gelernt werden. Die Aufgaben und weitere Vorteile der Offenbarung können durch die Struktur realisiert und erreicht werden, die insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und ihren Ansprüchen sowie den beigefügten Zeichnungen aufgezeigt wird.
Gemäß einem Aspekt wird eine Anzeigevorrichtung geschaffen, die ein Einrichtungssubstrat umfasst. Eine Pixelansteuerschaltung ist an einer Pixelfläche des Einrichtungssubstrats angeordnet. Die Pixelansteuerschaltung ist mit einer ersten Reparaturverdrahtung elektrisch verbunden. Die erste Reparaturverdrahtung kreuzt und/oder überlappt mit einem Reparaturschneidbereich der Pixelfläche. Die erste Reparaturverdrahtung ist mit einer Platzhalterverdrahtung elektrisch verbunden. Die Platzhalterverdrahtung enthält einen Bereich, der mit einem Reparaturverbindungsbereich der Pixelfläche überlappt. Eine zweite Reparaturverdrahtung ist zwischen dem Einrichtungssubstrat und der Platzhalterverdrahtung in der Reparaturverbindungsfläche angeordnet. Die zweite Reparaturverdrahtung erstreckt sich über die Pixelfläche hinaus. Die Platzhalterverdrahtung ist mit einer lichtemittierenden Einrichtung elektrisch verbunden. Die lichtemittierende Einrichtung weist eine Stapelstruktur einer unteren Elektrode, einer lichtemittierenden Schicht und einer oberen Elektrode auf. Jede der ersten Reparaturverdrahtung und der zweiten Reparaturverdrahtung weist eine Stapelstruktur einer unteren Verdrahtungsschicht und einer oberen Verdrahtungsschicht auf. Die obere Verdrahtungsschicht der ersten Reparaturverdrahtung ist außerhalb des Reparaturschneidbereichs angeordnet und/oder die untere Verdrahtungsschicht der ersten Reparaturverdrahtung ist im Reparaturschneidbereich angeordnet.
Die obere Verdrahtungsschicht kann eine höhere Energieabsorptionsrate als die untere Verdrahtungsschicht aufweisen.
Die untere Verdrahtungsschicht und/oder die obere Verdrahtungsschicht können ein höheres Transmissionsmaß als die untere Elektrode aufweisen.
Die untere Verdrahtungsschicht kann einen Oxidhalbleiter enthalten.
Die Pixelfläche kann eine Emissionsfläche und eine durchlässige Fläche enthalten. Die durchlässige Fläche kann mit einer durchlässigen Fläche einer benachbarten Pixelfläche verbunden sein. Mindestens ein Abschnitt der zweiten Reparaturverdrahtung kann an der durchlässigen Fläche angeordnet sein.
Die untere Elektrode kann in mehrere Bereiche unterteilt sein, die mit der ersten Reparaturverdrahtung oder der Platzhalterverdrahtung verbunden sind.
Die untere Verdrahtungsschicht der ersten Reparaturverdrahtung und die untere Verdrahtungsschicht der zweiten Reparaturverdrahtung können aus demselben Material hergestellt und/oder in derselben Schicht angeordnet sein. Die obere Verdrahtungsschicht der ersten Reparaturverdrahtung und die obere Verdrahtungsschicht der zweiten Reparaturverdrahtung können aus demselben Material hergestellt und/oder in derselben Schicht angeordnet sein.
Die untere Elektrode der lichtemittierenden Einrichtung kann mit der Platzhalterverdrahtung zwischen dem Reparaturschneidbereich und dem Reparaturverbindungsbereich verbunden sein.
Die Pixelansteuerschaltung kann mindestens einen Dünnschichttransistor enthalten. Der Dünnschichttransistor kann ein Halbleitermuster enthalten. Die untere Verdrahtungsschicht kann dasselbe Material wie ein Kanalbereich des Halbleitermusters enthalten.
Die untere Verdrahtungsschicht und der Kanalbereich des Halbleitermusters können einen Oxidhalbleiter enthalten.
Ein Source-Bereich bzw. ein Drain-Bereich des Halbleitermusters kann eine erste Halbleiterschicht und eine zweite Halbleiterschicht enthalten. Die erste Halbleiterschicht kann dasselbe Material wie der Kanalbereich enthalten. Die zweite Halbleiterschicht kann an der ersten Halbleiterschicht angeordnet sein. Die obere Verdrahtungsschicht kann dasselbe Material wie die zweite Halbleiterschicht enthalten.
Das Halbleitermuster kann durch eine Isolationszwischenschicht abgedeckt sein. Die Isolationszwischenschicht kann zwischen der zweiten Reparaturverdrahtung und der Platzhalterverdrahtung im Reparaturverbindungsbereich verlaufen.
Der Dünnschichttransistor kann eine Gate-Elektrode enthalten. Die Gate-Elektrode kann am Kanalbereich des Halbleitermusters angeordnet sein. Die Platzhalterverdrahtung kann dasselbe Material wie die Gate-Elektrode enthalten. Die Platzhalterverdrahtung kann einen Bereich enthalten, der zwischen der oberen Verdrahtungsschicht der ersten Reparaturverdrahtung und der unteren Elektrode der lichtemittierenden Einrichtung angeordnet ist.
Die erste Halbleiterschicht kann mit der zweiten Halbleiterschicht im Source-Bereich des Halbleitermusters in direktem Kontakt sein.
Die obere Verdrahtungsschicht kann einen niedrigeren spezifischen Widerstand als die untere Verdrahtungsschicht aufweisen.
Gemäß einem weiteren Aspekt wird eine Anzeigevorrichtung geschaffen, die ein Einrichtungssubstrat umfasst. Das Einrichtungssubstrat enthält eine erste Pixelfläche und eine zweite Pixelfläche. Eine Pixelansteuerschaltung und eine erste lichtemittierende Einrichtung sind an der ersten Pixelfläche des Einrichtungssubstrats angeordnet. Die erste lichtemittierende Einrichtung weist eine Stapelstruktur einer ersten unteren Elektrode, einer ersten lichtemittierenden Schicht und einer ersten oberen Elektrode auf. Eine zweite lichtemittierende Einrichtung ist an der zweiten Pixelfläche angeordnet. Die zweite lichtemittierende Einrichtung weist eine Stapelstruktur einer zweiten unteren Elektrode, einer zweiten lichtemittierenden Schicht und einer zweiten oberen Elektrode auf. Die Pixelansteuerschaltung und die erste untere Elektrode der ersten lichtemittierenden Einrichtung sind mit einer ersten Reparaturverdrahtung elektrisch verbunden. Die zweite untere Elektrode der zweiten lichtemittierenden Einrichtung ist mit einer Platzhalterverdrahtung elektrisch verbunden. Die Platzhalterverdrahtung verläuft an einer Reparaturverbindungsfläche der zweiten Pixelfläche. Eine zweite Reparaturverdrahtung, die mit der ersten Reparaturverdrahtung elektrisch verbunden ist, verläuft an der zweiten Pixelfläche. Die erste Reparaturverdrahtung enthält eine erste untere Verdrahtungsschicht und eine erste obere Verdrahtungsschicht. Die erste untere Verdrahtungsschicht kreuzt und/oder überlappt mit einem Reparaturschneidbereich der ersten Pixelfläche. Die erste obere Verdrahtungsschicht ist außerhalb des Reparaturschneidbereichs angeordnet. Die zweite Reparaturverdrahtung enthält eine zweite untere Verdrahtungsschicht und eine zweite obere Verdrahtungsschicht. Die zweite untere Verdrahtungsschicht und die zweite obere Verdrahtungsschicht sind zwischen dem Einrichtungssubstrat und der Platzhalterverdrahtung im Reparaturverbindungsbereich gestapelt.
Die erste Reparaturverdrahtung und die zweite Reparaturverdrahtung können ein höheres Transmissionsmaß als die erste untere Elektrode und/oder die zweite untere Elektrode aufweisen.
Die erste obere Verdrahtungsschicht und die zweite obere Verdrahtungsschicht können eine höhere Energieabsorptionsrate als die erste untere Verdrahtungsschicht und/oder die zweite untere Verdrahtungsschicht aufweisen.
Die erste obere Verdrahtungsschicht und die zweite obere Verdrahtungsschicht können einen kleineren Widerstand als die erste untere Verdrahtungsschicht und/oder die zweite untere Verdrahtungsschicht aufweisen.
Die zweite untere Verdrahtungsschicht kann dasselbe Material wie die erste untere Verdrahtungsschicht enthalten. Die zweite obere Verdrahtungsschicht kann dasselbe Material wie die erste obere Verdrahtungsschicht enthalten.
Die zweite untere Verdrahtungsschicht kann in Kontakt mit der ersten unteren Verdrahtungsschicht sein. Die zweite obere Verdrahtungsschicht kann in Kontakt mit der ersten oberen Verdrahtungsschicht sein.
Eine Pixelansteuerschaltung kann mindestens einen Dünnschichttransistor enthalten. Der Dünnschichttransistor kann eine Drain-Elektrode enthalten. Die Drain-Elektrode kann mit der ersten oberen Verdrahtungsschicht der ersten Reparaturverdrahtung verbunden sein.
Die Platzhalterverdrahtung kann dasselbe Material wie die Drain-Elektrode enthalten.
Die erste untere Elektrode und die zweite untere Elektrode können ein Metall enthalten. Die erste untere Verdrahtungsschicht, die zweite untere Verdrahtungsschicht, die erste obere Verdrahtungsschicht und die zweite obere Verdrahtungsschicht können ein leitfähiges Metalloxid enthalten.
Gemäß Ausführungsformen der Offenbarung kann eine Verringerung des Öffnungsverhältnisses aufgrund der Reparaturverdrahtung verhindert oder mindestens verringert werden. Gemäß Ausführungsformen der Offenbarung kann eine Verringerung des Prozesswirkungsgrads aufgrund des Reparaturprozesses unter Verwendung einer Reparaturverdrahtung minimiert oder verringert werden und kann die Produktionsenergie durch Prozessoptimierung verringert werden.
Gemäß Ausführungsformen der Offenbarung kann ein Gesamtblendenverhältnis durch eine Reparaturverdrahtung erhöht werden, die ein relatives hohes Transmissionsmaß aufweist, und kann eine Ansteuerung mit niedriger Energie möglich sein.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die begleitenden Zeichnungen, die enthalten sind, um ein besseres Verständnis der vorliegenden Offenbarung zu schaffen, und in die Offenbarung mit aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, veranschaulichen eine oder mehrere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung und dienen gemeinsam mit der Beschreibung dazu, Prinzipien der vorliegenden Offenbarung zu erläutern; es zeigen:

1 eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch zeigt;
2 eine Ansicht, die eine Schaltung einer i-ten Pixelfläche und einer (i+1)-te Pixelfläche in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
3 eine Draufsicht der i-ten Pixelfläche und der (i+1)-ten Pixelfläche in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
4 ein Beispiel einer Querschnittansicht, die entlang I-I' von 3 genommen wurde;
5 ein Beispiel einer Querschnittansicht, die entlang II-II' von 3 genommen wurde;
6 einen Graphen, der Energieabsorptionsraten einer Schicht, die aus IGZO, das ein Oxidhalbleiter ist, hergestellt ist, und einer Schicht, die aus IZO, das ein leitfähiges Metalloxid ist, hergestellt ist, gemäß einer Wellenlänge gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
7, 8 und 9 Beispiele von Querschnittansichten zum Erläutern eines Reparaturprozesses in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung; und
10 und 11 Beispiele von Querschnittansichten, die die Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigen.

GENAUE BESCHREIBUNG
Im Folgenden werden Details, die mit den oben beschriebenen Aufgaben, technischen Konfigurationen und operativen Wirkungen der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung in Beziehung stehen, durch die folgende genaue Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen, die einige beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung veranschaulichen, klar verstanden. Hier werden die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt, um zu ermöglichen, dass der technische Gedanke der vorliegenden Offenbarung Fachleuten ausreichend übermittelt wird, und somit kann die vorliegende Offenbarung in weiteren Formen verkörpert sein und ist nicht auf die beispielhaften unten beschriebenen Ausführungsformen beschränkt.
Zusätzlich können die gleichen oder ähnliche Elemente, Merkmale und Strukturen im Verlauf des Anmeldungstexts durch dieselben Bezugszeichen bezeichnet werden und können in den Zeichnungen die Längen und/oder die Dicken von Schichten und/oder Bereichen zweckmäßigerweise übertrieben sein. Es wird verstanden werden, dass dann, wenn die Positionsbeziehung zwischen zwei Teilen unter Verwendung von „an“, „über“, „unter“ und „oberhalb“, „unterhalb“, „neben“, „bei“ oder dergleichen beschrieben wird, ein oder mehrere weitere Teile zwischen den zwei Teilen angeordnet sein können, sofern nicht ein stärker beschränkender Begriff wie z. B. „genau“, „unmittelbar“, „direkt“ oder „nahe“ verwendet.
Hier können Begriffe wie z. B. „erste“ und „zweite“ verwendet werden, um verschiedene Elemente zu beschreiben, diese Elemente sollten nicht interpretiert werden, durch diese Begriffe beschränkt zu sein, da sie nicht verwendet werden, um eine bestimmte Reihenfolge oder Priorität zu definieren. Diese Begriffe werden lediglich verwendet, um ein Element von einem weiteren zu unterscheiden. Zum Beispiel könnte ein erstes Element als ein zweites Element bezeichnet werden und könnte entsprechend ein zweites Element als ein erstes Element bezeichnet werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
Die Begriffe, die im Anmeldungstext der vorliegenden Offenbarung verwendet werden, werden lediglich verwendet, um bestimmte Ausführungsformen zu beschreiben, und sind nicht dazu bestimmt, den Umfang der vorliegenden Offenbarung zu beschränken. Zum Beispiel ist beabsichtigt, dass ein Element, das in der Singularform beschrieben ist, mehrere Elemente enthält, sofern es der Kontext nicht klar anders angibt. Zusätzlich wird ferner verstanden werden, dass im Anmeldungstext der vorliegenden Offenbarung die Begriffe „umfassen“, „enthalten“, „besitzen“ und „aufweisen“ das Vorliegen von angegebenen Merkmalen, ganzen Zahlen, Schritten, Operationen, Elementen, Komponenten und/oder Kombinationen davon festlegen, jedoch das Vorliegen oder das Hinzufügen eines bzw. einer oder mehrerer weiterer Merkmale, ganzer Zahlen, Schritte, Operationen, Elemente, Komponenten und/oder Kombinationen nicht ausschließen.
Und sofern nicht ‚direkt‘ verwendet wird, können die Begriffe „verbunden“, „verklebt“ oder „gekoppelt“ enthalten, dass zwei Komponenten durch eine oder mehrere weitere Komponenten, die zwischen den zwei Komponenten angeordnet sind, „verbunden“, „verklebt“ oder „gekoppelt“ sind.
In der vorliegenden Offenbarung können die Wortverbindung ‚überlappt‘, ‚überlappen‘ und ähnliche Wortverbindungen als ‚überlappt und elektrisch und/oder physisch verbindet, z. B. durch Berührung von Oberflächen‘, ‚Überlappen und elektrisches und/oder physisches Verbinden, z. B. durch Berührung von Oberflächen‘ verstanden werden.
Sofern es nicht anders definiert ist, besitzen alle Begriffe (die technische und wissenschaftliche Begriffe enthalten), die hier verwendet werden, dieselbe Bedeutung, die durch einen auf dem Gebiet, dem beispielhafte Ausführungsformen angehören, einschlägigen Fachmann üblicherweise verstanden wird. Es wird ferner verstanden werden, dass Begriffe wie z. B. die, die in gängigen Wörterbüchern definiert sind, interpretiert werden sollen, als ob sie eine Bedeutung hätten, die mit ihrer Bedeutung im Kontext des relevanten Gebiets im Einklang ist, und nicht in einem idealisierten oder übermäßig formellen Sinn interpretiert werden sollen, sofern es hier nicht ausdrücklich derart definiert ist.
Im Folgenden werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen genau beschrieben.
1 ist eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch zeigt. 2 ist eine Ansicht, die eine Schaltung einer i-ten Pixelfläche und einer (i+1)-ten Pixelfläche in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
Unter Bezugnahme auf 1 und 2 kann die Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigetafel DP enthalten. Die Anzeigetafel DP kann ein Bild erzeugen, das an einem Anwender bereitgestellt wird. Zum Beispiel kann die Anzeigetafel DP mehrere Pixelflächen PA enthalten.
Verschiedene Signale können in jeder Pixelfläche PA durch Signalverdrahtungen GL_i, GL_(i+1), DL, PL, RL und dergleichen bereitgestellt werden. Zum Beispiel können die Signalverdrahtungen GL_i, GL_(i+1), PL und RL Gate-Leitungen GL_i und GL_(i+1), die ein Gate-Signal an jede Pixelfläche PA anlegen, Datenleitungen DL, die ein Datensignal an jede Pixelfläche PA anlegen, Spannungsversorgungsleitungen PL, die eine Versorgungsspannung zu jeder Pixelflächen PA zuführen, und Bezugsspannungsleitungen RL, die eine Bezugsspannung an jede Pixelfläche PA anlegen, enthalten, sind jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel können die Signalverdrahtungen außerdem Berührungsleitungen, Abtastleitungen oder eine Erfassungsleitung enthalten. Die Gate-Leitungen GL_i und GL_(i+1) können mit einem Gate-Treiber GD elektrisch verbunden sein. Die Datenleitungen DL können mit einem Datentreiber DD elektrisch verbunden sein. Der Gate-Treiber GD und der Datentreiber DD können durch eine Zeitablaufsteuereinheit TC gesteuert werden. Zum Beispiel kann der Gate-Treiber GD Taktsignale, Rücksetzsignale und Startsignale von der Zeitablaufsteuereinheit TC empfangen und kann der Datentreiber DD digitale Videodaten und ein Source-Zeitablaufsignal von der Zeitablaufsteuereinheit TC empfangen. Die Spannungsversorgungsleitungen PL und die Bezugsspannungsleitungen RL können mit einer Leistungseinheit PU elektrisch verbunden sein.
Die Anzeigetafel DP kann eine Anzeigevorrichtungsfläche AA, in der die Pixelflächen PA angeordnet sind, und eine Einfassungsfläche BZ (die auch als „Nichtanzeigefläche“ bezeichnet wird), die außerhalb der Anzeigevorrichtungsfläche AA angeordnet ist, enthalten. Der Gate-Treiber GD und/oder der Datentreiber DD und/oder die Leistungseinheit PU und/oder die Zeitablaufsteuereinheit TC können an der Einfassungsfläche BZ der Anzeigetafel DP angeordnet sein. Zum Beispiel kann die Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung des GIP-Typs (Gate-in-Tafel-Typ) sein, in der der Gate-Treiber GD in der Einfassungsfläche BZ der Anzeigetafel DP gebildet ist, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann die Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung z. B. auch eine Anzeigevorrichtung des Chip-auf-Glas-Typs (COG-Typ) oder des Chip-auf-dünner-Schicht-Typs (COF-Typ) sein.
Jede der Pixelflächen PA kann eine bestimmte Farbe wie z. B. rot, grün, blau, weiß, zyan, magenta oder gelb usw. realisieren. Zum Beispiel kann eine Pixelansteuerschaltung DC, die mit einer lichtemittierenden Einrichtung 300 elektrisch verbunden ist, in jeder Pixelfläche PA angeordnet sein. Der Pixelansteuerschaltung DC jeder Pixelfläche PA kann an einem Einrichtungssubstrat 100 angeordnet sein. Das Einrichtungssubstrat 100 kann ein Isolationsmaterial enthalten. Zum Beispiel kann das Einrichtungssubstrat 100 Glas, Kunststoff oder eine flexible dünne Polymerschicht enthalten. Zum Beispiel kann die flexible dünne Polymerschicht aus einem von Polyethylenterephthalat (PET), Polycarbonat (PC), Acrylnitrilbutadienstyrolcopolymer (ABS), Polymethylmethacrylat (PMMA), Polyethylennaphthalat (PEN), Polyethersulfon (PES), Cycloolefincopolymer (COC), eine dünne Triacetylcelluloseschicht (TAC-Schicht), eine dünne Polyvinylalkoholschicht (PVA-Schicht), eine dünne Polyimidschicht (PI) und Polystyrol (PS) hergestellt sein, was lediglich ein Beispiel ist und nicht notwendigerweise darauf beschränkt ist, jedoch nicht darauf beschränkt ist.
Der Pixelansteuerschaltung DC jeder Pixelfläche PA kann einen Ansteuerstrom, der dem Datensignal entspricht, zur lichtemittierenden Einrichtung 300 der entsprechenden Pixelfläche PA gemäß dem Gate-Signal für einen Rahmen zuführen. Zum Beispiel kann die Pixelansteuerschaltung DC jeder Pixelfläche PA z. B. einen ersten Dünnschichttransistor T1, einen zweiten Dünnschichttransistor T2, einen dritten Dünnschichttransistor T3 und einen Speicherkondensator Cst enthalten, was als eine 3T1C-Struktur bezeichnet wird, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel sind auch eine 2T1C-Struktur, eine 3T1C-Struktur, eine 4T1C-Struktur, eine 4T2C-Struktur usw. möglich. Und es können mehr oder weniger Transistoren und Kondensatoren enthalten sein.
3 ist eine Draufsicht einer i-ten Pixelfläche und einer (i+1)-ten Pixelfläche, die in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in einer ersten (z. B. vertikalen) Richtung nebeneinander angeordnet sind. 4 ist ein Beispiel einer Querschnittansicht, die entlang I-I' von 3 genommen wurde. 5 ist ein Beispiel einer Querschnittansicht, die entlang II-II' von 3 genommen wurde.
Unter Bezugnahme auf 2 bis 5 kann der erste Dünnschichttransistor T1 ein erstes Halbleitermuster, eine erste Gate-Isolationsschicht, eine erste Gate-Elektrode, eine erste Source-Elektrode und eine erste Drain-Elektrode enthalten. Der erste Dünnschichttransistor T1 kann das Datensignal zum zweiten Dünnschichttransistor T2 gemäß dem Gate-Signal senden. Zum Beispiel kann der erste Dünnschichttransistor T1 ein Schaltdünnschichttransistor sein. In der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wie in 3 gezeigt ist, kann die erste Gate-Elektrode mit einer der Gate-Leitungen GL_i elektrisch verbunden sein und GL_(i+1) und kann die erste Drain-Elektrode mit einer der Datumsleitungen DL elektrisch verbunden sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt, wobei die erste Gate-Elektrode mit weiteren Gate-Leitungen elektrisch verbunden sein kann.
Hier kann als Beispiel der zweite Dünnschichttransistor T2 ein zweites Halbleitermuster 210, eine zweite Gate-Isolationsschicht 220, eine zweite Gate-Elektrode 230, eine zweite Source-Elektrode 240 und eine zweite Drain-Elektrode 250 enthalten. Der zweite Dünnschichttransistor T2 kann den Ansteuerstrom erzeugen, der dem Datensignal entspricht. Zum Beispiel kann der zweite Dünnschichttransistor T2 ein Ansteuerdünnschichttransistor sein. Die zweite Gate-Elektrode 230 kann mit der ersten Source-Elektrode des ersten Dünnschichttransistors T1 elektrisch verbunden sein, die zweite Source-Elektrode 240 kann mit einer der Spannungsversorgungsleitungen PL elektrisch verbunden sein und zweite Drain-Elektrode 250 kann mit einer Anode einer lichtemittierenden Einrichtung 300 elektrisch verbunden sein.
Das zweite Halbleitermuster 210 kann einen Source-Bereich 210s, einen Kanalbereich 210c und einen Drain-Bereich 210d enthalten. Der Kanalbereich 210c kann zwischen dem Source-Bereich 210s und dem Drain-Bereich 210d angeordnet sein und mit der Gate-Elektrode 230 überlappen. Ein Widerstand des Source-Bereichs 210s und ein Widerstand des Drain-Bereichs 210d kann kleiner als ein Widerstand des Kanalbereichs 210c sein. Der Source-Bereich 210s und der Drain-Bereich 210d können eine Mehrschichtstruktur aufweisen. Zum Beispiel kann der Source-Bereich 210s eine Stapelstruktur aus einer ersten Halbleiterschicht 211s und einer zweiten Halbleiterschicht 212s aufweisen und kann der Drain-Bereich 210d eine Stapelstruktur aus einer ersten Halbleiterschicht 211d und einer zweiten Halbleiterschicht 212d aufweisen.
Der Kanalbereich 210c und die erste Halbleiterschicht 211s und 211d können ein Halbleitermaterial enthalten. Der Kanalbereich 210c und die erste Halbleiterschicht 211s und 211d können ein Material enthalten, das ein relatives hohes Transmissionsmaß aufweist. Zum Beispiel können der Kanalbereich 210c und die erste Halbleiterschicht 211s und 211d einen Oxidhalbleiter wie z. B. IGZO (Indiumgalliumzinkoxid), ITZO (Indiumzinnzinkoxid) enthalten, ITGZO (Indiumzinngalliumzinkoxid), Zinkoxid (ZnO), Zinkzinnoxid (ZTO), Zinkindiumoxid (ZIO), Indiumoxid (InO), Titanoxid (TiO), Indiumgalliumzinkoxid (IGZO), Indiumzinkzinn (IZTO), Indiumgalliumzinnoxid (IGTO), ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die erste Halbleiterschicht 211s und 211d kann dasselbe Material wie der Kanalbereich 210c enthalten. Zum Beispiel können die erste Halbleiterschicht 211s und 211d und der Kanalbereich 210c ein Bereich eines Oxidhalbleiters sein, der nichtleitend ist. Ein Widerstand der ersten Halbleiterschicht 211s und 211d kann gleich einem spezifischen Widerstand des Kanalbereichs 210c sein.
Die erste Halbleiterschicht 211s und 211d kann an derselben Schicht wie der Kanalbereich 210c angeordnet sein. Zum Beispiel können die erste Halbleiterschicht 211s des Source-Bereichs 210s und der ersten Halbleiterschicht 211d des Drain-Bereichs 210d mit dem Kanalbereich 210c gleichzeitig gebildet werden. Der Kanalbereich 210c kann mit der ersten Halbleiterschicht 211s des Source-Bereichs 210s und der ersten Halbleiterschicht 211d des Drain-Bereichs 210d in direktem Kontakt sein. Zum Beispiel können eine Grenzfläche zwischen der ersten Halbleiterschicht 211s des Source-Bereichs 210s und des Kanalbereichs 210c und eine Grenzfläche zwischen dem Kanalbereich 210c und der ersten Halbleiterschicht 211d des Drain-Bereichs 210d nicht erkannt werden. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Innenwiderstand des zweiten Halbleitermusters 210 minimiert oder verringert werden.
Die zweite Halbleiterschicht 212s und 212d kann an der ersten Halbleiterschicht 211s und 211d angeordnet sein. Zum Beispiel kann die erste Halbleiterschicht 211s und 211d zwischen dem Einrichtungssubstrat 100 und der zweiten Halbleiterschicht 212s und 212d angeordnet sein. Die zweite Halbleiterschicht 212s und 212d kann außerhalb des Kanalbereichs 210c in der horizontalen Richtung angeordnet sein. Zum Beispiel kann in der horizontalen Richtung der Kanalbereich 210c zwischen der zweiten Halbleiterschicht 212s des Source-Bereichs 210s und der zweiten Halbleiterschicht 212d des Drain-Bereichs 210d angeordnet sein.
Die zweite Halbleiterschicht 212s und 212d kann mit der ersten Halbleiterschicht 211s und 211d in direktem Kontakt sein. Zum Beispiel kann eine untere Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht 212s des Source-Bereichs 210s zum Einrichtungssubstrat 100 mit einer oberen Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 211s des Source-Bereichs 210s gegenüber dem Einrichtungssubstrat 100 in direktem Kontakt sein. Eine untere Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht 212d des Drain-Bereichs 210d zum Einrichtungssubstrat 100 kann mit einer oberen Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 211d des Drain-Bereichs 210d gegenüber dem Einrichtungssubstrat 100 in direktem Kontakt sein. Somit können in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Widerstand des Source-Bereichs 210s und der Widerstand des Drain-Bereichs 210d minimiert oder verringert werden.
Die zweite Halbleiterschicht 212s und 212d kann ein Material enthalten, das von der ersten Halbleiterschicht 211s und 211d verschieden ist. Die zweite Halbleiterschicht 212s und 212d kann ein Material enthalten, das ein relativ hohes Transmissionsmaß aufweist. Ein spezifischer Widerstand der zweiten Halbleiterschicht 212s und 212d kann kleiner als der spezifische Widerstand der ersten Halbleiterschicht 211s und 211d sein. Zum Beispiel kann die zweite Halbleiterschicht 212s und 212d ein leitfähiges Metalloxid wie z. B. ITO (Indiumzinnoxid), Indiumgalliumoxid (IGO), IZO (Indiumzinkoxid) usw. enthalten.
Das erste Halbleitermuster kann dieselbe Struktur wie das zweite Halbleitermuster 210 aufweisen. Zum Beispiel kann das erste Halbleitermuster einen Kanalbereich enthalten, der zwischen einem Source-Bereich und einem Drain-Bereich angeordnet ist, wobei der Source-Bereich bzw. der Drain-Bereich des ersten Halbleitermusters eine Doppelschichtstruktur aufweisen kann. Das erste Halbleitermuster kann mit dem zweiten Halbleitermuster 210 gleichzeitig gebildet werden. Zum Beispiel kann der Kanalbereich des ersten Halbleitermusters dasselbe Material wie der Kanalbereich 210c des zweiten Halbleitermusters 210 enthalten. Der Kanalbereich des ersten Halbleitermusters kann denselben spezifischen Widerstand wie der Kanalbereich 210c des zweiten Halbleitermusters 210 aufweisen. Der Kanalbereich des ersten Halbleitermusters kann dieselbe Dicke wie der Kanalbereich 210c des zweiten Halbleitermusters 210 aufweisen. Der Source-Bereich und der Drain-Bereich des ersten Halbleitermusters können denselben spezifischen Widerstand wie der Source-Bereich 210s und der Drain-Bereich 210d des zweiten Halbleitermusters 210 aufweisen.
Die zweite Gate-Isolationsschicht 220 kann am Kanalbereich 210c des zweiten Halbleitermusters 210 angeordnet sein. Zum Beispiel können der Source-Bereich 210s und der Drain-Bereich 210d des zweiten Halbleitermusters 210 in horizontaler Richtung außerhalb der zweiten Gate-Isolationsschicht 220 angeordnet sein. Die zweite Gate-Isolationsschicht 220 kann zwischen der zweiten Halbleiterschicht 212s des Source-Bereichs 210s und der zweiten Halbleiterschicht 212d des Drain-Bereichs 210d angeordnet sein. Die zweite Gate-Isolationsschicht 220 kann ein Isolationsmaterial enthalten. Zum Beispiel ist die zweite Gate-Isolationsschicht 220 eine Isolationsschicht zum Isolieren der aktiven Schicht 210 und der Gate-Elektrode 230 voneinander, die eine einzelne Schicht oder Mehrfachschichten eines anorganischen Isolationsmaterials wie z. B. Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxidnitrid (SiONx) usw. enthalten kann, jedoch nicht darauf beschränkt ist.
Die erste Gate-Isolationsschicht kann dasselbe Material wie die zweite Gate-Isolationsschicht 220 enthalten. Zum Beispiel kann die zweite Gate-Isolationsschicht 220 mit der ersten Gate-Isolationsschicht gleichzeitig gebildet werden. Eine Dicke der ersten Gate-Isolationsschicht kann dieselbe wie eine Dicke der zweiten Gate-Isolationsschicht 220 sein.
Die zweite Gate-Elektrode 230 kann ein Leitermaterial enthalten. Zum Beispiel kann die zweite Gate-Elektrode 230 ein Metall wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti) und Wolfram (W) oder eine Legierung davon enthalten, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die zweite Gate-Elektrode 230 kann an der zweiten Gate-Isolationsschicht 220 angeordnet sein. Zum Beispiel kann die zweite Gate-Elektrode 230 mit dem Kanalbereich 210c des zweiten Halbleitermusters 210 überlappen. Die zweite Gate-Elektrode 230 kann von dem zweiten Halbleitermuster 210 durch die zweite Gate-Isolationsschicht 220 isoliert sein. Zum Beispiel kann eine Seite der zweiten Gate-Isolationsschicht 220 mit einer Seite der zweiten Gate-Elektrode 230 kontinuierlich sein. Der Kanalbereich 210c des zweiten Halbleitermusters 210 kann eine elektrische Leitfähigkeit aufweisen, die einer Spannung entspricht, die an die zweite Gate-Elektrode 230 angelegt ist. In dieser Ausführungsform ist der zweite Dünnschichttransistor T2 durch ein Verfahren mit obenliegendem Gate gebildet, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann der zweite Dünnschichttransistor T2 ein Typ mit untenliegendem Gate oder ein Doppel-Gate-Typ sein.
Die erste Gate-Elektrode kann dasselbe Material wie die zweite Gate-Elektrode 230 enthalten. Zum Beispiel kann die zweite Gate-Elektrode 230 mit der ersten Gate-Elektrode gleichzeitig gebildet werden. Eine Dicke der ersten Gate-Elektrode kann gleich einer Dicke der zweiten Gate-Elektrode 230 sein.
Die zweite Source-Elektrode 240 kann ein Leitermaterial enthalten. Zum Beispiel kann die zweite Source-Elektrode 240 ein Metall wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Wolfram (W) oder eine Legierung davon enthalten, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die zweite Source-Elektrode 240 kann dasselbe Material wie die zweite Gate-Elektrode 230 enthalten. Zum Beispiel kann die zweite Source-Elektrode 240 mit der zweiten Gate-Elektrode 230 gleichzeitig gebildet werden. Die zweite Source-Elektrode 240 kann von der zweiten Gate-Elektrode 230 in der horizontalen Richtung beabstandet sein. Die zweite Source-Elektrode 240 kann mit dem Source-Bereich 210s des zweiten Halbleitermusters 210 elektrisch verbunden sein. Zum Beispiel kann die zweite Source-Elektrode 240 mit der zweiten Halbleiterschicht 212s des Source-Bereichs 210s des zweiten Halbleitermusters 210 in direktem Kontakt sein.
Die zweite Drain-Elektrode 250 kann ein Leitermaterial enthalten. Zum Beispiel kann die zweite Drain-Elektrode 250 ein Metall wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Wolfram (W) oder eine Legierung davon enthalten, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die zweite Drain-Elektrode 250 kann dasselbe Material wie die zweite Gate-Elektrode 230 enthalten. Zum Beispiel kann die zweite Drain-Elektrode 250 mit der zweiten Gate-Elektrode 230 gleichzeitig gebildet werden. Die zweite Drain-Elektrode 250 kann von der zweiten Gate-Elektrode 230 in der horizontalen Richtung beabstandet sein. Die zweite Drain-Elektrode 250 kann mit dem Drain-Bereich 210d des zweiten Halbleitermusters 210 elektrisch verbunden sein. Zum Beispiel kann die zweite Drain-Elektrode 250 mit der zweiten Halbleiterschicht 212d des Drain-Bereichs 210d des zweiten Halbleitermusters 210 in direktem Kontakt sein.
Die erste Source-Elektrode und die erste Drain-Elektrode können dasselbe Material wie die zweite Source-Elektrode 240 und die zweite Drain-Elektrode 250 enthalten. Zum Beispiel können die erste Source-Elektrode und die erste Drain-Elektrode mit der zweiten Source-Elektrode 240 und der zweiten Drain-Elektrode 250 gleichzeitig gebildet werden. Eine Dicke der ersten Source-Elektrode und eine Dicke der ersten Drain-Elektrode können gleich einer Dicke der zweiten Source-Elektrode 240 bzw. einer Dicke der zweiten Drain-Elektrode 250 sein.
Der dritte Dünnschichttransistor T3 kann ein drittes Halbleitermuster, eine dritte Gate-Isolationsschicht, eine dritte Gate-Elektrode, eine dritte Source-Elektrode und eine dritte Drain-Elektrode enthalten. Der dritte Dünnschichttransistor T3 kann mit dem zweiten Dünnschichttransistor T2 gleichzeitig gebildet werden. Zum Beispiel kann das dritte Halbleitermuster in derselben Struktur wie das zweite Halbleitermuster 210 gebildet sein. Die dritte Gate-Elektrode, die dritte Source-Elektrode und die dritte Drain-Elektrode können jeweils dasselbe Material wie die zweite Gate-Elektrode 230, die zweite Source-Elektrode 240 und die zweite Drain-Elektrode 250 enthalten. Der dritte Dünnschichttransistor T3 kann den Speicherkondensator Cst gemäß dem Gate-Signal zurücksetzen. Zum Beispiel kann die dritte Gate-Elektrode mit derselben Gate-Leitung (z. B. GL_i oder GL_(i+1) in 2) wie die erste Gate-Elektrode elektrisch verbunden sein, kann die dritte Source-Elektrode mit einer der Bezugsspannungsleitungen (z. B. RL in 2) elektrisch verbunden sein und kann die dritte Drain-Elektrode mit einer Elektrode des Speicherkondensators (z. B. Cst in 2) elektrisch verbunden sein.
Der Speicherkondensator Cst kann ein Signal, das an die zweite Gate-Elektrode 230 des zweiten Dünnschichttransistors T2 angelegt wird, für einen Rahmen aufrechterhalten. Zum Beispiel kann der Speicherkondensator Cst zwischen der zweiten Gate-Elektrode 230 und der zweiten Drain-Elektrode 250 des zweiten Dünnschichttransistors T2 elektrisch verbunden sein. Der Speicherkondensator Cst kann eine Stapelstruktur von Kondensatorelektroden aufweisen. Zum Beispiel kann der Speicherkondensator Cst eine erste Kondensatorelektrode, die mit der zweiten Gate-Elektrode 230 des zweiten Dünnschichttransistors T2 elektrisch verbunden ist, und eine zweite Kondensatorelektrode, die mit der zweiten Drain-Elektrode 250 des zweiten Dünnschichttransistors T2 elektrisch verbunden ist, enthalten. Die dritte Drain-Elektrode des dritten Dünnschichttransistors T3 kann mit derselben Kondensatorelektrode wie die zweite Drain-Elektrode 250 des zweiten Dünnschichttransistors T2 verbunden sein. Zum Beispiel kann die dritte Drain-Elektrode des dritten Dünnschichttransistors T3 mit der zweiten Kondensatorelektrode des Speicherkondensators Cst elektrisch verbunden sein.
Mehrere Isolationsschichten 110, 120, 130, 140 und 150 zum Verhindern einer unnötigen elektrischen Verbindung in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) können am Einrichtungssubstrat 100 angeordnet sein. Zum Beispiel können eine Einrichtungspufferschicht 110, eine Isolationszwischenschicht 120, eine Einrichtungspassivierungsschicht 130, eine Planarisierungsschicht 140 und eine Bankisolationsschicht 150 an oder über dem Einrichtungssubstrat 100 angeordnet sein, jedoch sind beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt und weitere Isolationsschichten, die nicht gezeigt sind, können am Einrichtungssubstrat 100 angeordnet sein und einige Isolationsschicht können nach Bedarf ausgelassen sein.
Die Einrichtungspufferschicht 110 kann in der Nähe des Einrichtungssubstrats 100 angeordnet sein. Die Einrichtungspufferschicht 110 kann eine Verschmutzung aufgrund des Einrichtungssubstrats 100 in einem Prozess des Bildens der Pixelansteuerschaltung DC jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) verhindern oder mindestens verringern. Zum Beispiel kann eine obere Oberfläche des Einrichtungssubstrats 100 zur Pixelansteuerschaltung DC jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) durch die Einrichtungspufferschicht 110 vollständig abgedeckt sein. Der Pixelansteuerschaltung DC jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann an oder über der Einrichtungspufferschicht 110 angeordnet sein. Die Einrichtungspufferschicht 110 kann ein Isolationsmaterial enthalten. Zum Beispiel kann die Einrichtungspufferschicht 110 ein anorganisches Isolationsmaterial wie z. B. Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxidnitrid (SiONx) usw. enthalten. Die Einrichtungspufferschicht 110 kann eine Mehrschichtstruktur enthalten. Zum Beispiel kann die Einrichtungspufferschicht 110 eine Stapelstruktur einer anorganischen Isolationsschicht, die aus Siliziumoxid (SiOx) hergestellt ist, und einer anorganischen Isolationsschicht, die aus Siliziumnitrid (SiNx) und Siliziumoxidnitrid (SiONx) hergestellt ist, aufweisen.
Mindestens eines lichtundurchlässiges Muster 105 kann zwischen dem Einrichtungssubstrat 100 und der Einrichtungspufferschicht 110 in jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Die Halbleitermuster 210 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) können mit dem lichtundurchlässigen Muster 105 der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) überlappen. Das lichtundurchlässige Muster 105 kann ein Material enthalten, das Licht blockieren kann. Zum Beispiel kann das lichtundurchlässige Muster 105 ein Metall wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Wolfram (W) und eine Legierung davon usw. enthalten. Externes Licht, das auf die Halbleitermuster 210 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) einfällt, kann durch das lichtundurchlässige Muster 105 in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) blockiert werden. Somit können in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Änderungen der Eigenschaften der Dünnschichttransistoren T1, T2 und T3 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) aufgrund des externen Lichts verhindert oder mindestens verringert werden.
Eine bestimmte Spannung kann an das lichtundurchlässige Muster 105 in jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angelegt werden. Zum Beispiel kann das lichtundurchlässige Muster 105, das mit dem zweiten Halbleitermuster 210 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) überlappt, mit der zweiten Drain-Elektrode 250 der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) elektrisch verbunden sein. Somit können in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Änderungen der Eigenschaften des zweiten Dünnschichttransistors T2 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) aufgrund des externen Lichts wirksam verhindert oder mindestens verringert werden.
Einige der Signalverdrahtungen GL_i, GL_(i+1), DL, PL und RL können dasselbe Material wie das lichtundurchlässige Muster 105 in jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) enthalten. Zum Beispiel kann ein Teil der Signalverdrahtungen GL_i, GL_(i+1), DL, PL und RL ein Metall wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Wolfram (W) oder eine Legierung davon usw. enthalten. Zum Beispiel können die Datenleitungen DL, die Spannungsversorgungsleitungen PL und die Bezugsspannungsleitungen RL dasselbe Material wie das lichtundurchlässige Muster 105 in jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) enthalten. Alternativ können die Signalverdrahtungen DL, PL und RL ein vom lichtundurchlässigen Muster 105 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) verschiedenes Material enthalten. Die Datenleitungen DL, die Spannungsversorgungsleitungen PL und die Bezugsspannungsleitungen RL können an derselben Schicht wie das lichtundurchlässige Muster jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Zum Beispiel können die Datenleitungen DL, die Spannungsversorgungsleitungen PL und die Bezugsspannungsleitungen RL mit dem lichtundurchlässigen Muster 105 in jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) im selben Prozess gleichzeitig gebildet werden. Die Datenleitungen DL, die Spannungsversorgungsleitungen PL und die Bezugsspannungsleitungen RL können parallel verlaufen.
Die Gate-Leitungen GL_i und GL_(i+1) können die Datenleitungen DL, die Spannungsversorgungsleitungen PL und die Bezugsspannungsleitungen RL schneiden. Die Gate-Leitungen GL_i und GL_(i+1) können an einer Schicht angeordnet sein, die von den Datenleitungen DL, den Spannungsversorgungsleitungen PL und den Bezugsspannungsleitungen RL verschieden ist. Zum Beispiel können die Gate-Leitungen GL_i und GL_(i+1) an derselben Schicht wie die zweite Gate-Elektrode 230 jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Die Gate-Leitungen GL_i und GL_(i+1) können dasselbe Material wie die zweite Gate-Elektrode 230 jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) enthalten. Zum Beispiel können die Gate-Leitungen GL_i und GL_(i+1) ein Metall wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti) und Wolfram (W) oder eine Legierung davon usw. enthalten. Zum Beispiel können die Gate-Leitungen GL_i und GL_(i+1) mit der zweiten Gate-Elektrode 230 jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) gleichzeitig gebildet werden. Alternativ können die Datenleitungen DL, die Spannungsversorgungsleitungen PL und die Bezugsspannungsleitungen RL an derselben Schicht angeordnet sein und dasselbe Material enthalten wie die zweite Gate-Elektrode 230 jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) und gleichzeitig mit ihr gebildet werden und können die Gate-Leitungen GL_i und GL_(i+1) an derselben Schicht angeordnet sein und dasselbe Material enthalten wie das lichtundurchlässige Muster 105 in jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) und gleichzeitig mit ihm gebildet werden. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Prozess des Bildens der Signalverdrahtungen GL_i, GL_(i+1), DL, PL und RL vereinfacht werden.
Die Isolationszwischenschicht 120 kann an oder über den Halbleitermustern 210 jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Die Isolationszwischenschicht 120 kann ein Isolationsmaterial enthalten. Die Source-Elektroden 240 und die Drain-Elektroden 250 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) können an der Isolationszwischenschicht 120 angeordnet sein. Zum Beispiel kann die Isolationszwischenschicht an derselben Schicht wie die zweite Gate-Isolationsschicht 220 jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Die Isolationszwischenschicht 120 kann dasselbe Material wie die zweite Gate-Isolationsschicht 220 jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) enthalten. Zum Beispiel kann die Isolationszwischenschicht 120 ein anorganisches Isolationsmaterial wie z. B. Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxidnitrid (SiONx) usw. enthalten. Zum Beispiel kann die Isolationszwischenschicht 120 mit der zweiten Gate-Isolationsschicht 220 jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) gleichzeitig gebildet werden.
Die Einrichtungspassivierungsschicht 130 kann an oder über der Isolationszwischenschicht 120 angeordnet sein. Die Einrichtungspassivierungsschicht 130 kann Beschädigungen der Pixelansteuerschaltung DC in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) aufgrund von Fremdkörpern wie z. B. externer Feuchtigkeit und eines Aufpralls verhindern oder mindestens verringern. Zum Beispiel können die Source-Elektroden 240 und die Drain-Elektroden 250 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) durch die Einrichtungspassivierungsschicht 130 abgedeckt sein. Die Einrichtungspassivierungsschicht 130 kann ein Isolationsmaterial enthalten. Zum Beispiel kann die Einrichtungspassivierungsschicht 130 ein anorganisches Isolationsmaterial wie z. B. Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxidnitrid (SiONx) usw. enthalten.
Die Planarisierungsschicht 140 kann an der Einrichtungspassivierungsschicht 130 angeordnet sein. Die Planarisierungsschicht 140 kann eine Dickendifferenz aufgrund der Pixelansteuerschaltung DC jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) entfernen. Zum Beispiel kann eine obere Oberfläche der Planarisierungsschicht 140 eine flache Oberfläche sein. Die Planarisierungsschicht 140 kann ein Isolationsmaterial enthalten. Die Planarisierungsschicht 140 kann ein Material enthalten, das von der Einrichtungspassivierungsschicht 130 verschieden ist. Zum Beispiel kann die Planarisierungsschicht 140 ein organisches Isolationsmaterial wie z. B. Fotoacryl, Benzocyclobuten (BCB), Acrylharz, Epoxidharz, Polyimid, Polyethylen, Siliziumoxokohlenstoff (SiOC) oder dergleichen enthalten, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
Die lichtemittierende Einrichtung 300 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann Licht abstrahlen, das eine bestimmte Farbe anzeigt. Zum Beispiel kann die lichtemittierende Einrichtung 300 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) eine Stapelstruktur einer unteren Elektrode 310, einer lichtemittierenden Schicht 320 und einer oberen Elektrode 330 aufweisen. Die lichtemittierende Einrichtung 300 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann an der Planarisierungsschicht 140 der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Zum Beispiel können die untere Elektrode 310, die lichtemittierende Schicht 320 und die obere Elektrode 330 der lichtemittierenden Einrichtung 300 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) auf die obere Oberfläche der Planarisierungsschicht 140 in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) sequenziell gestapelt sein.
Die untere Elektrode 310 kann ein Leitermaterial enthalten. Die untere Elektrode 310 kann ein Material enthalten, das eine relativ hohe Reflektivität aufweist. Zum Beispiel kann die untere Elektrode 310 ein Metall wie z. B. Aluminium (Al) und Silber (Ag) usw. sein. Die untere Elektrode 310 kann eine Mehrschichtstruktur aufweisen. Zum Beispiel kann die untere Elektrode 310 eine Struktur aufweisen, in der eine reflektierende Elektrode, die aus einem Metall wie z. B. Aluminium (Al) und Silber (Ag) usw. hergestellt ist, zwischen durchsichtigen Elektroden, die aus einem durchsichtigen Leitermaterial wie z. B. ITO und IZO, Indiumzinnzinkoxid (ITZO) oder dergleichen hergestellt sind, angeordnet ist. Die Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein oben abstrahlender Typ oder ein unten abstrahlender Typ sein und die untere Elektrode 310 kann durchsichtiges leitfähiges Metalloxid wie z. B. ITO (Indiumzinnoxid), Indiumgalliumoxid (IGO), IZO (Indiumzinkoxid) etc. sein, falls die Anzeigevorrichtung ein unten abstrahlender Typ ist.
Die lichtemittierende Schicht 320 kann Licht erzeugen, das eine Leuchtdichte aufweist, die einer Spannungsdifferenz zwischen der unteren Elektrode 310 und der oberen Elektrode 330 entspricht. Zum Beispiel kann die lichtemittierende Schicht 320 eine Emissionsmaterialschicht (EML) enthalten, die ein Emissionsmaterial aufweist. Das Emissionsmaterial kann ein organisches Material, ein anorganisches Material oder ein Hybridmaterial enthalten. Zum Beispiel kann die Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung sein, die ein organisches Emissionsmaterial enthält.
Die lichtemittierende Schicht 320 kann eine Mehrschichtstruktur aufweisen. Zum Beispiel kann die lichtemittierende Schicht 320 ferner eine Lochinjektionsschicht (HIL) und/oder eine Lochtransportschicht (HTL) und/oder eine Elektronentransportschicht (ETL) und/oder eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) enthalten. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Emissionswirkungsgrad der lichtemittierenden Schicht 320 verbessert werden.
Die obere Elektrode 330 kann ein Leitermaterial enthalten. Die obere Elektrode 330 kann ein Material enthalten, das von der unteren Elektrode 310 verschieden ist. Ein Transmissionsmaß der oberen Elektrode 330 kann höher als ein Transmissionsmaß der unteren Elektrode 310 sein. Zum Beispiel kann die obere Elektrode 330 eine lichtdurchlässige Elektrode sein, in der Metalle wie z. B. Ag und Mg dünn gebildet sind. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das Licht, das durch die lichtemittierende Schicht 320 erzeugt wird, zwischen der unteren Elektrode 310 und der oberen Elektrode 330 hin- und herbewegt werden. Das heißt, in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann das Licht, das durch die lichtemittierende Schicht 320 erzeugt wird, durch die Mikrokavitätswirkung verstärkt werden. Das Licht, das durch die Mikrokavitätswirkung verstärkt wird, kann durch die obere Elektrode 330 nach außen abgestrahlt werden. Deshalb kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Lichtextraktionswirkungsgrad verbessert werden.
Die lichtemittierende Einrichtung 300 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann mit dem zweiten Dünnschichttransistor T2 der Pixelansteuerschaltung DC in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) elektrisch verbunden sein. Zum Beispiel kann die zweite Drain-Elektrode 250 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) mit der unteren Elektrode 310 der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) elektrisch verbunden sein. Die untere Elektrode 310 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann mit der Pixelansteuerschaltung DC der entsprechenden Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) durch eine erste Reparaturverdrahtung 410 und dergleichen elektrisch verbunden sein. Zum Beispiel können die Einrichtungspassivierungsschicht 130 und die Planarisierungsschicht 140 Elektrodenkontaktlöcher enthalten, die mit einem Abschnitt der ersten Reparaturverdrahtung 410 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) überlappen. Die untere Elektrode 310 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann mit der entsprechenden ersten Reparaturverdrahtung 410 durch mindestens eines der Elektrodenkontaktlöcher elektrisch verbunden sein.
Die erste Reparaturverdrahtung 410 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann mit der zweiten Drain-Elektrode 250 und der unteren Elektrode 310 der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) elektrisch verbunden sein. Die erste Reparaturverdrahtung 410 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann ein relatives hohes Transmissionsmaß aufweisen. Zum Beispiel kann das Transmissionsmaß der ersten Reparaturverdrahtung 410 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) höher als das Transmissionsmaß der unteren Elektrode 310 in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) sein.
Die erste Reparaturverdrahtung 410 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann unter Verwendung eines Prozesses des Bildens der Pixelansteuerschaltung DC in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) gebildet werden. Zum Beispiel kann die erste Reparaturverdrahtung 410 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) durch einen Prozess des Bildens des zweiten Halbleitermusters 210 in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) gebildet werden. Die erste Reparaturverdrahtung 410 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann dieselbe Struktur wie das zweite Halbleitermuster 210 der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) aufweisen. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Verringerung eines Prozesswirkungsgrads aufgrund eines Prozesses des Bildens der ersten Reparaturverdrahtung 410 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) verhindert oder mindestens verringert werden.
Die erste Reparaturverdrahtung 410 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann eine erste untere Verdrahtungsschicht 411 und eine erste obere Verdrahtungsschicht 412 enthalten. Die erste untere Verdrahtungsschicht 411 kann an derselben Schicht wie die erste Halbleiterschicht 211s und 211d angeordnet sein. Die erste untere Verdrahtungsschicht 411 kann dasselbe Material wie die erste Halbleiterschicht 211s und 211d enthalten. Zum Beispiel kann die erste untere Verdrahtungsschicht 411 mit der ersten Halbleiterschicht 211s und 211d gleichzeitig gebildet werden. Die erste untere Verdrahtungsschicht 411 kann einen Oxidhalbleiter wie z. B. IGZO (Indiumgalliumzinkoxid), ITZO (Indiumzinnzinkoxid), ITGZO (Indiumzinngalliumzinkoxid) usw. enthalten. Die erste untere Verdrahtungsschicht 411 kann denselben spezifischen Widerstand wie die erste Halbleiterschicht 211s und 211d aufweisen. Zum Beispiel kann die erste untere Verdrahtungsschicht 411 ein Bereich eines Oxidhalbleiters sein, der nichtleitend ist.
Die erste obere Verdrahtungsschicht 412 kann an der ersten unteren Verdrahtungsschicht 411 angeordnet sein. Zum Beispiel kann die erste untere Verdrahtungsschicht 411 zwischen dem Einrichtungssubstrat 100 und der ersten oberen Verdrahtungsschicht 412 angeordnet sein. Die erste obere Verdrahtungsschicht 412 kann an derselben Schicht wie die zweite Halbleiterschicht 212s und 212d angeordnet sein. Die erste obere Verdrahtungsschicht 412 kann dasselbe Material wie die zweite Halbleiterschicht 212s und 212d enthalten. Zum Beispiel kann die erste obere Verdrahtungsschicht 412 ein durchsichtiges leitfähiges Metalloxid wie z. B. ITO (Indiumzinnoxid), Indiumgalliumoxid (IGO), IZO (Indiumzinkoxid) usw. enthalten. Die erste obere Verdrahtungsschicht 412 kann mit der zweiten Halbleiterschicht 212s und 212d gleichzeitig gebildet werden. Die erste obere Verdrahtungsschicht 412 kann denselben spezifischen Widerstand wie die zweite Halbleiterschicht 212s und 212d aufweisen. Zum Beispiel kann ein Widerstand der ersten oberen Verdrahtungsschicht 412 kleiner als ein Widerstand der ersten unteren Verdrahtungsschicht 411 sein. Somit können in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Verzögerung, der Verlust und die Verzerrung eines Signals aufgrund der ersten Reparaturverdrahtung 410 j eder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) verhindert oder mindestens verringert werden.
Die erste Reparaturverdrahtung 410 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann mit einem Reparaturschneidbereich CA_i und CA_(i+1) in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) kreuzen oder überlappen. Die erste obere Verdrahtungsschicht 412 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann außerhalb des Reparaturschneidbereichs CA_i und CA_(i+1) in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Zum Beispiel kann lediglich die erste untere Verdrahtungsschicht 411 der ersten Reparaturverdrahtung 410 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) an dem Reparaturschneidbereich CA_i und CA_(i+1) der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Die Isolationszwischenschicht 120, die an dem Reparaturschneidbereich CA_i und CA_(i+1) jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) angeordnet ist, kann mit der ersten unteren Verdrahtungsschicht 411 der ersten Reparaturverdrahtung 410 der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) in direktem Kontakt sein.
Die zweite Drain-Elektrode 250 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann mit der unteren Elektrode 310 durch die erste obere Verdrahtungsschicht 412 der ersten Reparaturverdrahtung 410 in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) elektrisch verbunden sein. Zum Beispiel kann der Reparaturschneidbereich CA_i und CA_(i+1) jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) außerhalb der Pixelansteuerschaltung DC der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Die zweite Drain-Elektrode 250 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann mit der ersten oberen Verdrahtungsschicht 412 der ersten Reparaturverdrahtung 410 in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) in direktem Kontakt sein. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Kontaktwiderstand zwischen der zweiten Drain-Elektrode 250 und der ersten Reparaturverdrahtung 410 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) minimiert oder verringert werden. Deshalb können in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Verzögerung, ein Verlust und eine Verzerrung eines Signals zwischen der zweiten Drain-Elektrode 250 und der ersten Reparaturverdrahtung 410 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) verhindert oder mindestens verringert werden.
Eine Platzhalterverdrahtung 510 und 520 kann zwischen der ersten Reparaturverdrahtung 410 und der unteren Elektrode 310 in jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Zum Beispiel kann die Platzhalterverdrahtung 510 und 520 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) mit einem Abschnitt der ersten Reparaturverdrahtung 410 und einem Abschnitt der unteren Elektrode 310, die mit dem Elektrodenkontaktloch der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) überlappen, in direktem Kontakt sein. Die untere Elektrode 310 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann mit der entsprechenden ersten Reparaturverdrahtung 410 durch die Platzhalterverdrahtung 510 und 520 der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) verbunden sein.
Die Platzhalterverdrahtung 510 und 520 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann ein Leitermaterial enthalten. Die Platzhalterverdrahtung 510 und 520 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann zwischen der Isolationszwischenschicht 120 und der Einrichtungspassivierungsschicht 130 in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Zum Beispiel kann die Platzhalterverdrahtung 510 und 520 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) an derselben Schicht wie die zweite Gate-Elektrode 230, die zweite Source-Elektrode 240 und die zweite Drain-Elektrode 250 der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Die Platzhalterverdrahtung 510 und 520 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann dasselbe Material wie die zweite Gate-Elektrode 230, die zweite Source-Elektrode 240 und die zweite Drain-Elektrode 250 der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) enthalten. Zum Beispiel kann die Platzhalterverdrahtung 510 und 520 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) ein Metall, wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti) und Wolfram (W) usw. enthalten. Zum Beispiel kann die Platzhalterverdrahtung 510 und 520 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) mit der zweiten Gate-Elektrode 230, der zweiten Source-Elektrode 240 und der zweiten Drain-Elektrode 250 der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) gleichzeitig gebildet werden.
Die Bankisolationsschicht 150 kann an der Planarisierungsschicht 140 angeordnet sein. Die Bankisolationsschicht 150 kann eine Emissionsfläche in jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) definieren. Zum Beispiel kann die Bankisolationsschicht 150 eine Kante der unteren Elektrode 310 in jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) abdecken. Die lichtemittierende Schicht 320 und die obere Elektrode 330 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann auf den Abschnitt der entsprechenden unteren Elektrode 310, der durch die Bankisolationsschicht 150 freigelegt ist, sequenziell gestapelt werden. Die Bankisolationsschicht 150 kann ein Isolationsmaterial enthalten. Zum Beispiel kann die Bankisolationsschicht 150 eine organische Isolationsschicht sein, die ein organisches Isolationsmaterial wie z. B. Fotoacryl, Benzocyclobuten (BCB), Acrylharz, Epoxidharz, Polyimid, Polyethylen, Siliziumoxokohlenstoff (SiOC) oder dergleichen enthält, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die Bankisolationsschicht 150 kann ein Material enthalten, das von der Planarisierungsschicht 140 verschieden ist. Die untere Elektrode 310 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann von der unteren Elektrode 310 von benachbarten Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) durch die Bankisolationsschicht 150 isoliert sein.
Eine Spannung, die an die obere Elektrode 330 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) angelegt wird, kann gleich einer Spannung sein, die an die obere Elektrode 330 einer benachbarten Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angelegt wird. Zum Beispiel kann die obere Elektrode 330 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) mit der oberen Elektrode 330 einer benachbarten Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) elektrisch verbunden sein. Die obere Elektrode 330 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann dasselbe Material wie die obere Elektrode 330 einer benachbarten Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) enthalten. Zum Beispiel kann die obere Elektrode 330 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) mit der oberen Elektrode 330 einer benachbarten Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) gleichzeitig gebildet werden. Die obere Elektrode 330 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kann mit der oberen Elektrode 330 einer benachbarten Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) in direktem Kontakt sein. Zum Beispiel kann die obere Elektrode 330 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) an der Bankisolationsschicht 150 verlaufen. Die Bankisolationsschicht 150 kann durch die obere Elektrode 330 abgedeckt sein. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Prozess des Bildens der oberen Elektrode 330 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) vereinfacht werden. Und in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Leuchtdichte des Lichts, das von der lichtemittierenden Einrichtung 300 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) abgestrahlt wird, durch das Datensignal eingestellt werden, das an den Pixelansteuerschaltung DC der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angelegt wird.
Eine Kapselungseinheit 600 kann an der lichtemittierenden Einrichtung 300 jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet sein. Die Kapselungseinheit 600 kann Beschädigungen der lichtemittierenden Einrichtungen 300 aufgrund von Fremdkörpern wie z. B. externer Feuchtigkeit und eines Aufpralls verhindern oder mindestens verringern. Die Kapselungseinheit 600 kann eine Mehrschichtstruktur aufweisen. Zum Beispiel kann die Kapselungseinheit 600 eine erste Kapselungsschicht 610, eine zweite Kapselungsschicht 620 und eine dritte Kapselungsschicht 630 enthalten, die sequenziell gestapelt sind. Die erste Kapselungsschicht 610, die zweite Kapselungsschicht 620 und die dritte Kapselungsschicht 630 können ein Isolationsmaterial enthalten. Die zweite Kapselungsschicht 620 kann ein Material enthalten, das von der ersten Kapselungsschicht 610 und der dritten Kapselungsschicht 630 verschieden ist. Zum Beispiel können die erste Kapselungsschicht 610 und die dritte Kapselungsschicht 630 ein anorganisches Isolationsmaterial wie z. B. Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxid (SiOx), Siliziumoxidnitrid (SiONx) etc. sein und kann die zweite Kapselungsschicht 620 ein organisches Isolationsmaterial wie z. B. Fotoacryl, Benzocyclobuten (BCB), Acrylharz, Epoxidharz, Polyimid, Polyethylen, Siliziumoxokohlenstoff (SiOC) oder dergleichen enthalten, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Somit können in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Beschädigungen der lichtemittierenden Einrichtungen 300 aufgrund von Fremdkörpern wie z. B. externer Feuchtigkeit und eines Aufpralls wirksam verhindert oder mindestens verringert werden.
Ein Reparaturverbindungsbereich WA kann in einer von zwei benachbarten Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) in der ersten Richtung angeordnet sein. Zum Beispiel kann der Reparaturverbindungsbereich WA in der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) angeordnet sein. Die Platzhalterverdrahtung 520 der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) kann am Reparaturverbindungsbereich WA verlaufen. Zum Beispiel kann die Platzhalterverdrahtung 520 in der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) ein Ende enthalten, das mit dem Reparaturverbindungsbereich WA überlappt. Die untere Elektrode 310 der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) kann mit der Platzhalterverdrahtung 520 der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) zwischen dem Reparaturschneidbereich CA_(i+1) und dem Reparaturverbindungsbereich WA in die (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) in direktem Kontakt sein. Zum Beispiel kann mittels der Platzhalterverdrahtung 520 der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) die untere Elektrode 310 der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) mit der Pixelansteuerschaltung DC der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) durch die erste Reparaturverdrahtung 410 der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) zwischen dem Reparaturschneidbereich CA_(i+1) und dem Reparaturverbindungsbereich WA in der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) elektrisch verbunden sein.
Eine zweite Reparaturverdrahtung 420 kann in der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) angeordnet sein. Die zweite Reparaturverdrahtung 420 kann ein relatives hohes Transmissionsmaß aufweisen. Zum Beispiel kann die zweite Reparaturverdrahtung 420 ein höheres Transmissionsmaß als die untere Elektrode 310 der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) aufweisen. Die zweite Reparaturverdrahtung 420 kann unter Verwendung eines Prozesses des Bildens der Pixelansteuerschaltung DC in die (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) gebildet werden. Zum Beispiel kann die zweite Reparaturverdrahtung 420 unter Verwendung eines Prozesses des Bildens des zweiten Halbleitermusters 210 in der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) gebildet werden. Die zweite Reparaturverdrahtung 420 kann mit der ersten Reparaturverdrahtung 410 jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) gleichzeitig gebildet werden. Die zweite Reparaturverdrahtung 420 kann dieselbe Struktur wie die erste Reparaturverdrahtung 410 jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) aufweisen. Zum Beispiel kann die zweite Reparaturverdrahtung 420 eine Stapelstruktur einer zweiten unteren Verdrahtungsschicht 421 und einer zweiten oberen Verdrahtungsschicht 422 aufweisen.
Die zweite untere Verdrahtungsschicht 421 kann an derselben Schicht wie die erste untere Verdrahtungsschicht 411 angeordnet sein. Die zweite untere Verdrahtungsschicht 421 kann dasselbe Material wie die erste untere Verdrahtungsschicht 411 enthalten. Zum Beispiel kann die zweite untere Verdrahtungsschicht 421 einen Oxidhalbleiter wie z. B. IGZO (Indiumgalliumzinkoxid), ITZO (Indiumzinnzinkoxid), ITGZO (Indiumzinngalliumzinkoxid) usw. enthalten. Die zweite untere Verdrahtungsschicht 421 kann mit der ersten unteren Verdrahtungsschicht 411 gleichzeitig gebildet werden. Die zweite untere Verdrahtungsschicht 421 kann denselben spezifischen Widerstand wie die erste untere Verdrahtungsschicht 411 aufweisen. Zum Beispiel kann die zweite untere Verdrahtungsschicht 421 ein Bereich eines Oxidhalbleiters sein, der nichtleitend ist.
Die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 kann an derselben Schicht wie die erste obere Verdrahtungsschicht 412 angeordnet sein. Zum Beispiel kann die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 zwischen dem Einrichtungssubstrat 100 und der zweiten unteren Verdrahtungsschicht 421 angeordnet sein. Die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 kann dasselbe Material wie die erste obere Verdrahtungsschicht 412 enthalten. Zum Beispiel kann die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 ein durchsichtiges leitfähiges Metalloxid wie z. B. ITO (Indiumzinnoxid), Indiumgalliumoxid (IGO), IZO (Indiumzinkoxid) usw. enthalten. Die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 kann mit der ersten oberen Verdrahtungsschicht 412 gleichzeitig gebildet werden. Die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 kann denselben spezifischen Widerstand wie die erste obere Verdrahtungsschicht 412 aufweisen. Zum Beispiel kann die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 einen kleineren spezifischen Widerstand als die zweite untere Verdrahtungsschicht 421 aufweisen. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Verzögerung, ein Verlust und eine Verzerrung eines Signals, das durch die zweite Reparaturverdrahtung 420 gesendet wird, verhindert oder mindestens verringert werden.
Die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 kann zur zweiten unteren Verdrahtungsschicht 421 parallel verlaufen. Zum Beispiel kann eine untere Oberfläche der zweiten oberen Verdrahtungsschicht 422 zum Einrichtungssubstrat 100 eine obere Oberfläche der zweiten unteren Verdrahtungsschicht 421, die dem Einrichtungssubstrat 100 gegenüberliegt, vollständig abdecken. Die zweite Reparaturverdrahtung 420 kann am Reparaturverbindungsbereich WA verlaufen. Die zweite untere Verdrahtungsschicht 421 und die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 der zweiten Reparaturverdrahtung 420 kann einen Bereich enthalten, der mit dem Reparaturverbindungsbereich WA überlappt. Zum Beispiel können die zweite untere Verdrahtungsschicht 421 und die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 der zweiten Reparaturverdrahtung 420 zwischen dem Einrichtungssubstrat 100 und einem Abschnitt der Platzhalterverdrahtung 520 der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1), die mit dem Reparaturverbindungsbereich WA überlappen, gestapelt sein. Die Platzhalterverdrahtung 520 der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) kann von der zweiten Reparaturverdrahtung 420 durch die Isolationszwischenschicht 120 isoliert sein. Zum Beispiel kann die Isolationszwischenschicht 120 zwischen der zweiten oberen Verdrahtungsschicht 422 der zweiten Reparaturverdrahtung 420 und der Platzhalterverdrahtung 520 der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) im Reparaturverbindungsbereich WA verlaufen.
Die zweite Reparaturverdrahtung 420 kann außerhalb die (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) verlaufen. Die zweite Reparaturverdrahtung 420 kann in der ersten Richtung verlaufen. Zum Beispiel kann die zweite Reparaturverdrahtung 420 an der i-ten Pixelfläche PA_i verlaufen. Die zweite Reparaturverdrahtung 420 kann mit der ersten Reparaturverdrahtung 410 der i-ten Pixelfläche PA_i elektrisch verbunden sein. Zum Beispiel kann die zweite Reparaturverdrahtung 420 mit der ersten Reparaturverdrahtung 410 der i-ten Pixelfläche PA_i in direktem Kontakt sein. Die zweite untere Verdrahtungsschicht 421 der zweiten Reparaturverdrahtung 420 kann mit der ersten unteren Verdrahtungsschicht 411 der ersten Reparaturverdrahtung 410 in der i-ten Pixelfläche PA_i in direktem Kontakt sein. Die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 der zweiten Reparaturverdrahtung 420 kann mit der ersten oberen Verdrahtungsschicht 412 der ersten Reparaturverdrahtung 410 in der i-ten Pixelfläche PA_i in direktem Kontakt sein. Eine Grenzfläche zwischen der zweiten unteren Verdrahtungsschicht 421 und der ersten unteren Verdrahtungsschicht 411 der i-ten Pixelfläche PA_i und eine Grenzfläche zwischen der zweiten oberen Verdrahtungsschicht 422 und der ersten oberen Verdrahtungsschicht 412 der i-ten Pixelfläche PA_i muss nicht erkannt werden. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die untere Elektrode 310 der i-ten Pixelfläche PA_i wahlweise mit der Pixelansteuerschaltung DC der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) durch die zweite Reparaturverdrahtung 420 verbunden sein, wie später genau beschrieben wird.
6 ist ein Graph, der Energieabsorptionsraten einer Schicht, die aus IGZO hergestellt ist, das ein Oxidhalbleiter ist, und einer Schicht, die aus IZO hergestellt ist, das ein leitfähiges Metalloxid ist, gemäß einer Wellenlänge gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
Unter Bezugnahme auf 6 kann die Schicht, die aus IZO hergestellt ist, das ein leitfähiges Metalloxid ist, in Bezug auf Licht, das eine Wellenlänge im Bereich von 250 nm bis 350 nm aufweist, eine höhere Energieabsorptionsrate aufweisen als die Schicht, die aus IGZO hergestellt ist, das ein Oxidhalbleiter ist. Das heißt, in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die erste obere Verdrahtungsschicht 412 und die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 eine höhere Energieabsorptionsrate als die erste untere Verdrahtungsschicht 411 und die zweite untere Verdrahtungsschicht 421 aufweisen. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dann, wenn ein kurzwelliger Laser auf die erste Reparaturverdrahtung 410 und die zweite Reparaturverdrahtung 420 eingestrahlt wird, ein Bereich, in dem lediglich die unteren Verdrahtungsschichten 411 und 421 angeordnet sind, durch den eingestrahlten Laser entfernt werden, wohingegen die obere Verdrahtungsschicht 412 und 422, die in einem Bereich angeordnet ist, in dem die untere Verdrahtungsschicht 411 und 421 und die obere Verdrahtungsschicht 412 und 422 gestapelt sind, durch die Energie des eingestrahlten Lasers verformt werden kann. Zum Beispiel können in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Prozess des Entfernens eines Abschnitts der ersten Reparaturverdrahtung 410, die mit der Reparaturschneidfläche CAi der i-ten Pixelfläche PA_i überlappt, und ein Prozesses des elektrischen Verbindens der zweiten Reparaturverdrahtung 420 mit der Platzhalterverdrahtung 520 in der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) durch Verformen eines Abschnitts der zweiten Reparaturverdrahtung 420, der mit der Reparaturverbindungsfläche WA überlappt, durch Einstrahlen des Lasers, der dieselbe Wellenlänge besitzt, auf die Reparaturschneidfläche CAi der i-ten Pixelfläche PA_i und die Reparaturverbindungsfläche WA in der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) gleichzeitig durchgeführt werden.
7, 8 und 9 sind Beispiele von Querschnittansichten zum Erläutern eines Reparaturprozesses in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Unter Bezugnahme auf 7 und 8 kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste untere Verdrahtungsschicht 411 der ersten Reparaturverdrahtung 410, die mit der Reparaturschneidfläche CAi der i-ten Pixelfläche PA_i überlappt, durch einen Laser entfernt werden, der auf die Reparaturschneidfläche CAi der i-ten Pixelfläche PA_i eingestrahlt wird. Das heißt, in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Luftspalt AG durch die Bestrahlung des Lasers gebildet werden und kann die elektrische Verbindung zwischen der unteren Elektrode 310 der i-ten Pixelfläche PA_i und der zweiten Drain-Elektrode 250 der i-ten Pixelfläche PA_i beschädigt werden. Der Laser kann ein Pikosekundenlaser oder ein Femtosekundenlaser sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Ein Laser verwendet Licht, das durch Verstärken von Licht, das durch Aufbringen von Energie auf ein bestimmtes Material erzeugt wird, eingeleitet und abgestrahlt wird.
Unter Bezugnahme auf 7 und 9 kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Verdrahtungsspitze 422p, die nach oben vorsteht, an der zweiten oberen Verdrahtungsschicht 422 der zweiten Reparaturverdrahtung 420, die mit dem Reparaturverbindungsbereich WA überlappt, durch einen Laser gebildet werden, der auf den Reparaturverbindungsbereich WA der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) eingestrahlt wird, und kann die Verdrahtungsspitze 422p der zweiten oberen Verdrahtungsschicht 422 mit der Platzhalterverdrahtung 520 der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1), mit dem Reparaturverbindungsbereich WA überlappt, in direktem Kontakt sein, indem sie die Isolationszwischenschicht 120 durchdringt. Das heißt, in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die untere Elektrode 310 der i-ten Pixelfläche PA_i mit der zweiten Drain-Elektrode 250 der (i+1)-ten Pixelfläche PA_(i+1) durch die zweite Reparaturverdrahtung 420, die die Verdrahtungsspitze 422p enthält, elektrisch verbunden sein.
Entsprechend kann die Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste Reparaturverdrahtung 410, die in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) getrennt angeordnet ist, und die zweite Reparaturverdrahtung 420, die durch benachbarte Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) in der ersten Richtung verläuft, enthalten, wobei die erste Reparaturverdrahtung 410 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) die erste untere Verdrahtungsschicht 411, die den Reparaturschneidbereich CA_i und CA_(i+1) der entsprechenden Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) kreuzt oder überlappt, und die erste obere Verdrahtungsschicht 412, die außerhalb des Reparaturschneidbereichs CA_i und CA_(i+1) in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) angeordnet ist, enthalten kann, die zweite Reparaturverdrahtung 420 eine Stapelstruktur der zweiten unteren Verdrahtungsschicht 421, die zwischen dem Einrichtungssubstrat 100 und der entsprechenden Platzhalterverdrahtung 520 im Reparaturverbindungsbereich WA angeordnet ist, und der zweiten oberen Verdrahtungsschicht 422 aufweisen kann und die erste untere Verdrahtungsschicht 411, die zweite untere Verdrahtungsschicht 421, die erste obere Verdrahtungsschicht 412 und die zweite obere Verdrahtungsschicht 422 ein höheres Transmissionsmaß als die untere Elektrode 310 jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) aufweisen können. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Verringerung eines Öffnungsverhältnisses und eines Transmissionsmaßes aufgrund der ersten Reparaturverdrahtung 410 und der zweiten Reparaturverdrahtung 420 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) verhindert oder mindestens verringert werden und kann ein Reparaturprozess unter Verwendung der ersten Reparaturverdrahtung 410 und der zweiten Reparaturverdrahtung 420 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) vereinfacht werden. Deshalb kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Verringerung des Öffnungsverhältnisses und des Transmissionsmaßes aufgrund des Reparaturprozesses verhindert oder mindestens verringert werden und kann der Prozesswirkungsgrad verbessert werden. Und in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Produktionsenergie durch Prozessoptimierung verringert werden.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Pixelfläche PA jeweils eine Emissionsfläche EA_i und EA_(i+1) und eine durchlässige Fläche TA enthalten, wie in 10 gezeigt ist. Die Emissionsfläche EA_i und EA_(i+1) kann durch die Bankisolationsschicht definiert sein. Die durchlässige Fläche TA kann mit der Emissionsfläche EA_i und EA_(i+1) nebeneinander angeordnet sein. Zum Beispiel kann die durchlässige Fläche TA jeder Pixelfläche PA mit der durchlässigen Fläche TA eines benachbarten Pixelflächen PA in der ersten Richtung verbunden sein. Zum Beispiel kann die Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine durchsichtige Anzeigevorrichtung sein, die als Glas erkannt wird, wenn das Bild nicht realisiert wird. In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann mindestens ein Abschnitt der zweiten Reparaturverdrahtung 420 an der durchlässigen Fläche TA angeordnet sein. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anordnungsfläche der zweiten Reparaturverdrahtung 420 für einen Reparaturprozess von zwei benachbarten Emissionsflächen EA_i und EA_(i+1) ohne eine Verringerung des Transmissionsmaßes der durchlässigen Fläche TA ausreichend sichergestellt werden. Das heißt, in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann der Reparaturprozess ohne eine Verringerung des Öffnungsverhältnisses und des Transmissionsmaßes durchgeführt werden. Deshalb kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Prozesswirkungsgrad verbessert werden.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die untere Elektrode 310 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) in mehrere Bereiche unterteilt sein. Zum Beispiel kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die untere Elektrode 310 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) in einen ersten Elektrodenbereich 311 und einen zweiten Elektrodenbereich 312 unterteilt sein, wie in 11 gezeigt ist. Der erste Elektrodenbereich 311 und der zweite Elektrodenbereich 312 jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) können mit der ersten Reparaturverdrahtung 410 oder der Platzhalterverdrahtung in der entsprechenden Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) verbunden sein. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dann, wenn ein Fehler im ersten Elektrodenbereich 311 der unteren Elektrode 310 in jeder Pixelfläche PA_i und PA_(i+1) auftritt, der zweite Elektrodenbereich 312 der entsprechenden Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) durch Brechen lediglich der elektrischen Verbindung zwischen der Pixelansteuerschaltung DC der entsprechenden Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) und dem entsprechenden ersten Elektrodenbereich 311 normal betrieben werden. Deshalb kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Freiheitsgrad der Form und der Konfiguration der unteren Elektrode 310 in jeder der Pixelflächen PA_i und PA_(i+1) verbessert werden.
Als Ergebnis kann die Anzeigevorrichtung gemäß den beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die erste Reparaturverdrahtung und die zweite Reparaturverdrahtung umfassen, die ein relativ hohes Transmissionsmaß aufweisen, wobei die erste Reparaturverdrahtung in jeder Pixelfläche die erste untere Verdrahtungsschicht, die den Reparaturschneidbereich der entsprechenden Pixelfläche kreuzt oder mit ihm überlappt, und die erste obere Verdrahtungsschicht, die außerhalb des Reparaturschneidbereichs angeordnet ist, enthalten kann, die zweite Reparaturverdrahtung, die sich über jede Pixelfläche hinaus erstreckt, die zweite untere Verdrahtungsschicht und die zweite obere Verdrahtungsschicht, die zwischen dem Einrichtungssubstrat und der Platzhalterverdrahtung im Reparaturverbindungsbereich, der außerhalb der entsprechenden Pixelfläche angeordnet ist, gestapelt sind, enthalten kann und jede der ersten oberen Verdrahtungsschicht und der zweiten oberen Verdrahtungsschicht eine höhere Energieabsorptionsrate als die erste untere Verdrahtungsschicht und die zweite untere Verdrahtungsschicht aufweisen kann. Somit kann in der Anzeigevorrichtung gemäß den beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine Verringerung des Öffnungsverhältnisses aufgrund der ersten Reparaturverdrahtung und der zweiten Reparaturverdrahtung verhindert oder mindestens verringert werden. Und in der Anzeigevorrichtung gemäß den beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können ein Prozess des Entfernens eines Abschnitts der ersten Reparaturverdrahtung, die mit der Reparaturschneidfläche überlappt, und ein Prozess des elektrischen Verbindens der zweiten Reparaturverdrahtung mit der Platzhalterverdrahtung im Reparaturverbindungsbereich gleichzeitig durchgeführt werden. Dadurch kann in der Anzeigevorrichtung gemäß den beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine Verringerung des Prozesswirkungsgrads aufgrund des Reparaturprozesses unter Verwendung der ersten Reparaturverdrahtung und der zweiten Reparaturverdrahtung minimiert oder verringert werden. Das heißt, in der Anzeigevorrichtung gemäß den beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann die Produktionsenergie durch Prozessoptimierung verringert werden. Ferner kann in der Anzeigevorrichtung gemäß den beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ein Gesamtblendenverhältnis durch die erste Reparaturverdrahtung und die zweite Reparaturverdrahtung, die ein relativ hohes Transmissionsmaß aufweisen, erhöht werden und kann eine Ansteuerung mit geringer Energie möglich sein.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

KR 1020220191244 [0001]

Claims

Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: eine Pixelansteuerschaltung (DC) an einer Pixelfläche (PA) eines Einrichtungssubstrats (100); eine erste Reparaturverdrahtung (410), die mit der Pixelansteuerschaltung (DC) elektrisch verbunden ist, wobei die erste Reparaturverdrahtung (410) mit einem Reparaturschneidbereich (CA) der Pixelfläche (PA) überlappt; eine Platzhalterverdrahtung (520), die mit der ersten Reparaturverdrahtung (410) elektrisch verbunden ist, wobei die Platzhalterverdrahtung (520) einen Bereich enthält, der mit einem Reparaturverbindungsbereich (WA) der Pixelfläche (PA) überlappt; eine zweite Reparaturverdrahtung (420), die zwischen dem Einrichtungssubstrat (100) und der Platzhalterverdrahtung (520) im Reparaturverbindungsbereich (WA) angeordnet ist; und eine lichtemittierende Einrichtung (300), die mit der Platzhalterverdrahtung (520) elektrisch verbunden ist, wobei die lichtemittierende Einrichtung (300) eine Stapelstruktur einer unteren Elektrode (310), einer lichtemittierenden Schicht (320) und einer oberen Elektrode (330) aufweist, wobei jede der ersten Reparaturverdrahtung (410) und der zweiten Reparaturverdrahtung (420) eine Stapelstruktur einer unteren Verdrahtungsschicht (411, 421) und einer oberen Verdrahtungsschicht (412, 422) aufweist, wobei die obere Verdrahtungsschicht (412, 422) jeweils eine höhere Energieabsorptionsrate als die untere Verdrahtungsschicht (411, 421) aufweist, und die obere Verdrahtungsschicht (412) der ersten Reparaturverdrahtung (410) außerhalb des Reparaturschneidbereichs (CA) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die untere Verdrahtungsschicht (411, 421) und/oder die obere Verdrahtungsschicht (412, 422) ein höheres Transmissionsmaß als die untere Elektrode (310) aufweisen.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Pixelfläche (PA_i) eine Emissionsfläche (EA) und eine durchlässige Fläche (TA) enthält, die durchlässige Fläche (TA_i) mit einer weiteren durchlässigen Fläche (Ta_i+1) einer benachbarten Pixelfläche (PA_i+1) verbunden ist und mindestens ein Abschnitt der zweiten Reparaturverdrahtung (420) an der weiteren durchlässigen Fläche (Ta_i+1) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die untere Elektrode (310) in mehrere Bereiche (311, 312) unterteilt ist, die mit der ersten Reparaturverdrahtung (410) oder mit der Platzhalterverdrahtung (520) verbunden sind.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die untere Elektrode (310) der lichtemittierenden Einrichtung (300) mit der Platzhalterverdrahtung (520) zwischen dem Reparaturschneidbereich (CA) und dem Reparaturverbindungsbereich (WA) verbunden ist.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Pixelansteuerschaltung (DC) mindestens einen Dünnschichttransistor (T2) enthält, wobei der Dünnschichttransistor (T2) ein Halbleitermuster (210) enthält und die untere Verdrahtungsschicht (411, 421) der ersten Reparaturverdrahtung (410) und/oder der zweiten Reparaturverdrahtung (420) dasselbe Material wie ein Kanalbereich (210c) des Halbleitermusters (210) enthält.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei die untere Verdrahtungsschicht (411, 421) und der Kanalbereich (210c) des Halbleitermusters (210) einen Oxidhalbleiter enthalten.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, wobei ein Source-Bereich (210s) bzw. ein Drain-Bereich (210d) des Halbleitermusters (210) eine erste Halbleiterschicht (211s, 211d), die dasselbe Material wie der Kanalbereich (210c) enthält, und eine zweite Halbleiterschicht (212s, 212d) an der ersten Halbleiterschicht (211s, 211d) enthält und die obere Verdrahtungsschicht (412, 422) dasselbe Material wie die zweite Halbleiterschicht (212s, 212d) enthält.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, 7 oder 8, die ferner eine Isolationszwischenschicht (120) umfasst, die das Halbleitermuster (210) abdeckt, wobei die Isolationszwischenschicht (120) zwischen der zweiten Reparaturverdrahtung (420) und der Platzhalterverdrahtung (520) im Reparaturverbindungsbereich (WA) verläuft.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, 7, 8 oder 9, wobei der Dünnschichttransistor (T2) eine Gate-Elektrode (230) am Kanalbereich (210c) des Halbleitermusters (210) enthält und die Platzhalterverdrahtung (520) dasselbe Material wie die Gate-Elektrode (230) enthält.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Platzhalterverdrahtung (520) einen Bereich enthält, der zwischen der oberen Verdrahtungsschicht (412) der ersten Reparaturverdrahtung (410) und der unteren Elektrode (310) der lichtemittierenden Einrichtung (300) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche in Kombination mit Anspruch 8, wobei die erste Halbleiterschicht (211s, 211d) in direktem Kontakt mit der zweiten Halbleiterschicht (212s, 212d) im Source-Bereich (210s) des Halbleitermusters (210) ist.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die obere Verdrahtungsschicht (412, 422) jeder der ersten Reparaturverdrahtung (410) und der zweiten Reparaturverdrahtung (420) einen niedrigeren spezifischen Widerstand als die jeweilige untere Verdrahtungsschicht (411, 421) aufweist.
Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: eine Pixelansteuerschaltung (DC) an einer ersten Pixelfläche (PA_i) eines Einrichtungssubstrats (100); eine erste lichtemittierende Einrichtung (300) an der ersten Pixelfläche (PA_i), wobei die erste lichtemittierende Einrichtung eine Stapelstruktur einer ersten unteren Elektrode (310), einer ersten lichtemittierenden Schicht (320) und einer ersten oberen Elektrode (330) aufweist; eine zweite lichtemittierende Einrichtung (300) an einer zweiten Pixelfläche (PA_i+1) des Einrichtungssubstrats (100), wobei die zweite lichtemittierende Einrichtung eine Stapelstruktur einer zweiten unteren Elektrode (310), einer zweiten lichtemittierenden Schicht (320) und einer zweiten oberen Elektrode (330) aufweist; eine erste Reparaturverdrahtung (410), die mit der Pixelansteuerschaltung (DC) und der ersten unteren Elektrode (310) der ersten lichtemittierenden Einrichtung (300) elektrisch verbunden ist; eine Platzhalterverdrahtung (520), die mit der zweiten unteren Elektrode (310) der zweiten lichtemittierenden Einrichtung (300) elektrisch verbunden ist, wobei die Platzhalterverdrahtung (520) an einem Reparaturverbindungsbereich (WA) der zweiten Pixelfläche (PA_i+1) verläuft; und eine zweite Reparaturverdrahtung (420), die mit der ersten Reparaturverdrahtung (410) elektrisch verbunden ist, wobei die zweite Reparaturverdrahtung (420) an der zweiten Pixelfläche (PA_i+1) verläuft, wobei die zweite Reparaturverdrahtung (420) eine zweite untere Verdrahtungsschicht (421) und eine zweite obere Verdrahtungsschicht (422), die zwischen dem Einrichtungssubstrat (100) und der Platzhalterverdrahtung (520) des Reparaturverbindungsbereichs (WA) gestapelt sind, enthält; die erste Reparaturverdrahtung (410) eine erste untere Verdrahtungsschicht (411), die mit einem Reparaturschneidbereich (CA_i) der ersten Pixelfläche (PA_i) überlappt, und eine erste obere Verdrahtungsschicht (412), die außerhalb des Reparaturschneidbereichs (CA_i) der ersten Pixelfläche (PA_i) angeordnet ist, enthält und jede der ersten oberen Verdrahtungsschicht (412) und der zweiten oberen Verdrahtungsschicht (422) eine höhere Energieabsorptionsrate als die erste untere Verdrahtungsschicht (411) und/oder die zweite untere Verdrahtungsschicht (421) aufweist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14, wobei die erste Reparaturverdrahtung (410) und/oder die zweite Reparaturverdrahtung (420) ein höheres Transmissionsmaß als die erste untere Elektrode (310) und die zweite untere Elektrode (310) aufweisen.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14 oder 15, wobei die erste obere Verdrahtungsschicht (412) und/oder die zweite obere Verdrahtungsschicht (422) einen kleineren spezifischen Widerstand als die erste untere Verdrahtungsschicht (411) und/oder die zweite untere Verdrahtungsschicht (421) aufweisen.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14, 15 oder 16, wobei die zweite untere Verdrahtungsschicht (421) dasselbe Material wie die erste untere Verdrahtungsschicht (411) enthält und/oder die zweite obere Verdrahtungsschicht (422) dasselbe Material wie die erste obere Verdrahtungsschicht (412) enthält.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei die zweite untere Verdrahtungsschicht (421) mit der ersten unteren Verdrahtungsschicht (411) in Kontakt ist und/oder die zweite obere Verdrahtungsschicht (422) mit der ersten oberen Verdrahtungsschicht (412) in Kontakt ist.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 18, wobei die Pixelansteuerschaltung (DC) mindestens einen Dünnschichttransistor (T2) enthält und eine Drain-Elektrode (250) des Dünnschichttransistors (T2) mit der ersten oberen Verdrahtungsschicht (412) der ersten Reparaturverdrahtung (410) verbunden ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 19, wobei die Platzhalterverdrahtung (520) dasselbe Material wie die Drain-Elektrode (250) enthält.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 20, wobei die erste untere Elektrode (310) und die zweite untere Elektrode (310) ein Metall enthalten und/oder die erste untere Verdrahtungsschicht (411) und/oder die zweite untere Verdrahtungsschicht (421) und/oder die erste obere Verdrahtungsschicht (412) und/oder die zweite obere Verdrahtungsschicht (422) ein leitfähiges Metalloxid enthalten.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 21, wobei die erste obere Verdrahtungsschicht (412) und die zweite obere Verdrahtungsschicht (422) denselben spezifischen Widerstand aufweisen.