DE102020128843A1

DE102020128843A1 - Flexible Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102020128843A1
Application number: DE102020128843.3A
Authority: DE
Inventors: Jaehyeong Kim; Jaesung Lee; Dojin Kim
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2019-11-04
Filing date: 2020-11-03
Publication date: 2021-05-06
Also published as: US11758777B2; CN112786652A; US20210134931A1; KR20210053610A

Abstract

Eine flexible Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Substrat, das in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeige-Bereich unterteilt ist; eine erste Pufferschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine zweite Pufferschicht, die unter dem Substrat angeordnet ist; ein Stützelement, das unter der zweiten Pufferschicht angeordnet ist; einen Transistor und ein Lichtemissionselement, die über der ersten Pufferschicht im Anzeigebereich angeordnet sind; eine leitfähige Schicht, die in der zweiten Pufferschicht im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist; und ein Verbindungselement, das auf der ersten Pufferschicht im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist und mit der leitfähigen Schicht durch ein Kontaktloch elektrisch verbunden ist, umfassen, so dass ein Effekt des Minimierens einer Luminanzungleichmäßigkeit eines Anzeigefeldes gemäß der Verwendung eines Polyimidsubstrats (PI-Substrats) durch Erden und Entfernen von Ladungen, die im PI-Substrat angesammelt sind, geschaffen werden kann.

Description

Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2019-0139419 , eingereicht am 4. November 2019.
HINTERGRUND
Technisches Gebiet
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine flexible Anzeigevorrichtung und insbesondere auf eine flexible Anzeigevorrichtung unter Verwendung eines flexiblen Substrats.
Beschreibung des Standes der Technik
Da die Gesellschaft in Richtung einer informationsorientierten Gesellschaft fortschreitet, ist in letzter Zeit das Gebiet von Anzeigevorrichtungen für das visuelle Ausdrücken von elektrischen Informationssignalen schnell fortgeschritten. Dementsprechend werden verschiedene Anzeigevorrichtungen mit ausgezeichneten Eigenschaften hinsichtlich der Dünnheit, Gewichtsreduktion und eines niedrigen Leistungsverbrauchs entwickelt.
Repräsentative Anzeigevorrichtungen können eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD), eine Feldemissionsanzeigevorrichtung (FED), eine Elektrobenetzungsanzeigevorrichtung (EWD), eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung (OLED) und dergleichen umfassen.
Eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, die durch eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung dargestellt wird, ist eine Eigenlichtemissionsanzeigevorrichtung und kann so hergestellt werden, dass sie leicht und dünn ist, da sie im Gegensatz zu einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einer separaten Lichtquelle keine separate Lichtquelle erfordert. Außerdem weist die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung Vorteile hinsichtlich des Leistungsverbrauchs aufgrund einer Ansteuerung mit niedriger Spannung auf und ist hinsichtlich einer Farbimplementierung, einer Ansprechgeschwindigkeit, eines Blickwinkels und eines Kontrastverhältnisses (CR) ausgezeichnet. Daher wird erwartet, dass Elektrolumineszenzanzeigevorrichtungen auf verschiedenen Gebieten verwendet werden.
In der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ist eine Emissionsschicht (EML) zwischen zwei Elektroden angeordnet, die aus einer Anode und einer Kathode gebildet sind. Wenn Löcher von der Anode in die Emissionsschicht injiziert werden und Elektronen von der Kathode in die Emissionsschicht injiziert werden, rekombinieren sich die injizierten Elektronen und Löcher miteinander unter Bildung von Exzitonen in der Emissionsschicht und emittieren Licht.
Ein Wirtsmaterial und ein Dotierungsmaterial sind in der Emissionsschicht enthalten und wirken miteinander zusammen. Ein Wirt erzeugt Exzitonen aus den Elektronen und den Löchern und überträgt Energie zu einem Dotierungsmaterial. Das Dotierungsmaterial ist ein organisches Material auf Farbstoffbasis, das in einer kleinen Menge zugegeben ist, und empfängt die Energie vom Wirt, um sie in Licht umzuwandeln.
Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ist mit Glas, Metall oder Film eingekapselt, um die Einführung von Feuchtigkeit oder Sauerstoff von der Außenseite in das Innere der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung zu blockieren, wodurch eine Oxidation der Emissionsschicht oder der Elektrode verhindert wird und sie vor externen mechanischen oder physikalischen Einwirkungen geschützt wird.
Unterdessen hat in letzter Zeit eine flexible Anzeigevorrichtung, die so hergestellt ist, dass sie ein Bild selbst dann anzeigen kann, wenn die Anzeigevorrichtung aufgerollt ist, durch Ausbilden eines Anzeigeelements, von Leitungen und dergleichen auf einem flexiblen Substrat wie z. B. einem Kunststoff, der ein flexibles Material ist, beträchtliche Anziehung als Anzeigevorrichtung der nächsten Generation erlangt.
ZUSAMMENFASSUNG
Eine durch die vorliegende Offenbarung zu lösende Aufgabe besteht darin, eine flexible Anzeigevorrichtung zu schaffen, in der eine Luminanzungleichmäßigkeit gemäß der Verwendung eines Polyimidsubstrats (PI-Substrats) minimiert ist.
Aufgaben der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die vorstehend erwähnten Aufgaben begrenzt und andere Aufgaben, die nicht vorstehend erwähnt sind, können durch den Fachmann auf dem Gebiet aus den folgenden Beschreibungen deutlich verstanden werden.
Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen gegeben.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung kann eine flexible Anzeigevorrichtung umfassen: ein Substrat, das in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeige-Bereich unterteilt ist; eine erste Pufferschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine zweite Pufferschicht, die unter dem Substrat angeordnet ist; ein Stützelement, das unter der zweiten Pufferschicht angeordnet ist; einen Transistor und ein Lichtemissionselement, die über der ersten Pufferschicht im Anzeigebereich angeordnet sind; eine leitfähige Schicht, die in der zweiten Pufferschicht im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist; und ein Verbindungselement, das auf der ersten Pufferschicht im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist und mit der leitfähigen Schicht durch ein Kontaktloch elektrisch verbunden ist.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung kann eine flexible Anzeigevorrichtung umfassen: ein Substrat, das in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeige-Bereich unterteilt ist; eine erste Pufferschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine zweite Pufferschicht, die unter dem Substrat angeordnet ist; ein Stützelement, das unter der zweiten Pufferschicht angeordnet ist; einen Transistor und ein Lichtemissionselement, die über der ersten Pufferschicht im Anzeigebereich angeordnet sind; eine leitfähige Schicht, die in der zweiten Pufferschicht im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist; und ein Verbindungselement, das mit der leitfähigen Schicht durch ein Kontaktloch verbunden ist, wobei das Substrat aus Polyimid besteht und das Verbindungselement Ladungen, die im Substrat aus Polyimid angesammelt sind, durch Erdung entfernt.
Andere detaillierte Gegenstände der beispielhaften Ausführungsformen sind in der ausführlichen Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
Die flexible Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schafft einen Effekt des Minimierens der Luminanzungleichmäßigkeit eines Anzeigefeldes gemäß der Verwendung eines Polyimidsubstrats (PI-Substrats) durch Erden und Entfernen von Ladungen, die im PI-Substrat angesammelt sind.
Die Effekte gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die vorstehend veranschaulichten Inhalte begrenzt und mehr verschiedene Effekte sind in der vorliegenden Patentbeschreibung enthalten.
Figurenliste
Die obigen und andere Aspekte, Merkmale und andere Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen deutlicher verstanden; es zeigen:

1 ein Blockdiagramm einer flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
2 ein Schaltplan eines Subpixels, das in der flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthalten ist;
3 eine Draufsicht der flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
4 eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 3;
5 eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II' von 3;
6 eine Querschnittsansicht, die einen Abschnitt eines Nicht-Anzeige-Bereichs in einer flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
7 eine Querschnittsansicht, die einen Abschnitt eines Anzeigebereichs in einer flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
8 eine Querschnittsansicht, die einen Abschnitt eines Nicht-Anzeige-Bereichs in der flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
9 eine Querschnittsansicht, die einen Abschnitt eines Nicht-Anzeige-Bereichs in einer flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
10 eine Draufsicht einer flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
11 eine Querschnittsansicht entlang der Linie III-III' von 10;
12 eine Draufsicht einer flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß einer sechsten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
13 eine Querschnittsansicht entlang der Linie IV-IV' von 12; und
14A und 14B perspektivische Ansichten der flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
Vorteile und Eigenschaften der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Erreichen der Vorteile und Eigenschaften sind durch Bezugnahme auf beispielhafte Ausführungsformen klar, die nachstehend im Einzelnen zusammen mit den begleitenden Zeichnungen beschrieben werden. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die hier offenbarten beispielhaften Ausführungsformen begrenzt, sondern wird in verschiedenen Formen implementiert. Die beispielhaften Ausführungsformen sind nur beispielhaft vorgesehen, so dass der Fachmann auf dem Gebiet die Offenbarungen der vorliegenden Offenbarung und den Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen kann. Daher wird die vorliegende Offenbarung nur durch den Schutzbereich der beigefügten Ansprüche definiert.
Die Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Zahlen und dergleichen, die in den begleitenden Zeichnungen zum Beschreiben der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, sind lediglich Beispiele und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen gleiche Elemente in der ganzen Patentbeschreibung. Ferner kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung auf eine ausführliche Erläuterung von bekannten verwandten Technologien verzichtet werden, um es zu vermeiden, den Gegenstand der vorliegenden Offenbarung unnötig unklar zu machen. Die Begriffe wie z. B. „umfassen“, „aufweisen“ und „bestehen aus“, die hier verwendet werden, sollen im Allgemeinen ermöglichen, dass andere Komponenten hinzugefügt werden, wenn nicht die Begriffe mit dem Begriff „nur“ verwendet werden. Irgendwelche Referenzen auf den Singular können den Plural umfassen, wenn nicht ausdrücklich anders angegeben.
Komponenten werden so interpretiert, dass sie einen gewöhnlichen Fehlerbereich umfassen, selbst wenn nicht ausdrücklich angegeben.
Wenn die Positionsbeziehung zwischen zwei Teilen unter Verwendung der Begriffe wie z. B. „auf“, „über“, „unter“ und „neben“ beschrieben wird, können ein oder mehrere Teile zwischen den zwei Teilen angeordnet sein, wenn nicht die Begriffe mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet werden.
Wenn ein Element oder eine Schicht „auf“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann eine andere Schicht oder ein anderes Element direkt auf dem anderen Element oder dazwischen eingefügt sein.
Obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ und dergleichen zum Beschreiben von verschiedenen Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe eingeschränkt. Diese Begriffe werden lediglich zum Unterscheiden von einer Komponente von den anderen Komponenten verwendet. Daher kann eine nachstehend zu erwähnende erste Komponente eine zweite Komponente in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung sein.
Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen in der ganzen Patentbeschreibung gleiche Elemente.
Eine Größe und eine Dicke von jeder in der Zeichnung dargestellten Komponente sind für die Zweckmäßigkeit der Beschreibung dargestellt und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und die Dicke der dargestellten Komponente begrenzt.
Die Merkmale von verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig aneinander gebunden oder miteinander kombiniert sein und können in technisch verschiedenen Weisen verzahnt sein und betrieben werden, und die Ausführungsformen können unabhängig von oder in Zusammenhang miteinander ausgeführt werden.
Nachstehend wird eine flexible Anzeigevorrichtung gemäß beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen im Einzelnen beschrieben.
1 ist ein Blockdiagramm einer flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Mit Bezug auf 1 kann eine flexible Anzeigevorrichtung 100 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Bildprozessor 151, eine Zeitablaufsteuereinheit 152, einen Datentreiber 153, einen Gate-Treiber 154 und ein Anzeigefeld 150 umfassen.
Der Bildprozessor 151 kann ein Datensignal DATA und ein Datenfreigabesignal DE durch ein Datensignal DATA ausgeben, die von außen zugeführt werden.
Der Bildprozessor 151 kann eines oder mehrere eines vertikalen Synchronisationssignals, eines horizontalen Synchronisationssignals und eines Taktsignals zusätzlich zum Datenfreigabesignal DE ausgeben.
Die Zeitablaufsteuereinheit 152 empfängt das Datenfreigabesignal DE oder das Datensignal DATA zusammen mit Ansteuersignalen, einschließlich des vertikalen Synchronisationssignals, des horizontalen Synchronisationssignals, des Taktsignals und dergleichen, vom Bildprozessor 151. Die Zeitablaufsteuereinheit 152 kann ein Gate-Zeitablaufsteuersignal GDC zum Steuern eines Betriebszeitpunkts des Gate-Treibers 154 und ein Datenzeitablaufsteuersignal DDC zum Steuern eines Betriebszeitpunkts des Datentreibers 153 auf der Basis der Ansteuersignale ausgeben.
Der Datentreiber 153 tastet das Datensignal DATA, das von der Zeitablaufsteuereinheit 152 zugeführt wird, in Reaktion auf das Datenzeitablaufsteuersignal DDC, das von der Zeitablaufsteuereinheit 152 zugeführt wird, ab und verriegelt es und wandelt das Datensignal DATA in eine Gammareferenzspannung um, um sie auszugeben. Der Datentreiber 153 kann das Datensignal DATA durch Datenleitungen DL1 bis DLn ausgeben.
Der Gate-Treiber 154 kann ein Gate-Signal ausgeben, während ein Pegel einer Gate-Spannung in Reaktion auf das Gate-Zeitablaufsteuersignal GDC, das von der Zeitablaufsteuereinheit 152 zugeführt wird, verschoben wird.
Der Gate-Treiber 154 kann das Gate-Signal durch Gate-Leitungen GL1 bis GLm ausgeben.
Das Anzeigefeld 150 kann ein Bild anzeigen, während ein Subpixel P Licht in Reaktion auf das Datensignal DATA und das Gate-Signal, die vom Datentreiber 153 und vom Gate-Treiber 154 zugeführt werden, emittiert. Eine detaillierte Struktur des Subpixels P wird in 2 und 4 im Einzelnen beschrieben.
2 ist ein Schaltplan eines Subpixels, das in der flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthalten ist.
Mit Bezug auf 2 kann das Subpixel P der flexiblen Anzeigevorrichtung 100 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Schalttransistor ST, einen Ansteuertransistor DT, eine Kompensationsschaltung 135 und ein Lichtemissionselement 130 umfassen.
Das Lichtemissionselement 130 kann arbeiten, um Licht gemäß einem Ansteuerstrom zu emittieren, der durch den Ansteuertransistor DT gebildet wird.
Der Schalttransistor ST kann eine Schaltoperation durchführen, so dass ein Datensignal, das durch eine Datenleitung 117 zugeführt wird, in Reaktion auf ein Gate-Signal, das durch eine Gate-Leitung 116 zugeführt wird, als Datenspannung in einem Kondensator gespeichert wird.
Der Ansteuertransistor DT kann arbeiten, so dass ein konstanter Ansteuerstrom zwischen einer Leistungsversorgungsleitung VDD mit hohem Potential und einer Leistungsversorgungsleitung GND mit niedrigem Potential in Reaktion auf die im Kondensator gespeicherte Datenspannung fließt.
Die Kompensationsschaltung 135 ist eine Schaltung zum Kompensieren einer Schwellenspannung oder dergleichen des Ansteuertransistors DT und die Kompensationsschaltung 135 kann einen oder mehrere Transistoren und Kondensatoren umfassen. Eine Konfiguration der Kompensationsschaltung 135 kann gemäß einem Kompensationsverfahren variieren.
Das in 2 gezeigte Subpixel ist beispielsweise so konfiguriert, dass es eine Struktur von 2T(Transistor)1C(Kondensator) mit dem Schalttransistor ST, dem Ansteuertransistor DT, einem Kondensator und dem Lichtemissionselement 130 aufweist. Das Subpixel kann jedoch eine Vielfalt von Strukturen aufweisen, wie z. B. 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C und dergleichen, wenn die Kompensationsschaltung 135 dazu hinzugefügt wird.
Unterdessen ist die vorliegende Offenbarung durch das Ausbilden einer dotierten Schicht (oder einer leitfähigen Schicht) in einer unteren Pufferschicht in einem Kantenbereich des Anzeigefeldes und Verbinden der dotierten Schicht mit der Leistungsversorgungsleitung GND mit niedrigem Potential durch ein Kontaktloch gekennzeichnet, um Ladungen, die in einem flexiblen Substrat aus Polyimid (PI) im Kantenbereich des Anzeigefeldes angesammelt sind, zu entfernen.
Aufrollbare Anzeigevorrichtungen und flexible Anzeigevorrichtungen wie z. B. Anzeigevorrichtungen mit biegsamer Einfassung, in denen ein Einfassungsbereich gebogen wird, und dergleichen können Polyimid als flexibles Substrat verwenden.
Die aufrollbaren Anzeigevorrichtungen können als Anzeigevorrichtungen bezeichnet werden, die in der Lage sind, ein Bild selbst dann anzuzeigen, wenn sie aufgerollt sind.
Im Fall der flexiblen Anzeigevorrichtung unter Verwendung von Polyimid als flexibles Substrat sammelt sich, wenn eine positive Vorspannungsbelastung an einen Transistor angelegt wird, eine große Menge an Ladungen im Polyimidsubstrat, was sich auf eine Ansteuerung des Anzeigefeldes auswirkt. Das heißt, wenn eine positive Vorspannungsbelastung an eine Gate-Elektrode des Transistors angelegt wird, werden negative Ladungen in einer Kanalregion angesammelt und positive Ladungen werden im Polyimidsubstrat unter dem Transistor angesammelt. Wenn das Anzeigefeld angesteuert wird, sammeln sich Ladungen in einem Kantenbereich des Anzeigefeldes an, da Konfigurationen einer GIP-Schaltungseinheit und des Transistors in einem Anzeigebereich unterschiedlich sind.
Folglich tritt ein Luminanzdefekt, in dem die Luminanz entlang des Kantenbereichs des Anzeigefeldes zunimmt, auf.
Daher ist die vorliegende Offenbarung durch Dotieren eines Abschnitts einer zweiten Pufferschicht (wobei ein Abschnitt einer zweiten Pufferschicht leitfähig gemacht wird) unter dem Polyimidsubstrat im Kantenbereich des Anzeigefeldes, um eine dotierte Schicht (oder eine leitfähige Schicht) als Entladungsbereich auszubilden, und Verbinden (Erden) der dotierten Schicht mit der Leistungsversorgungsleitung (GND) mit niedrigem Potential durch ein Kontaktloch gekennzeichnet, wodurch die Luminanzungleichmäßigkeit des Anzeigefeldes gemäß der Verwendung des Polyimidsubstrats minimiert wird.
3 ist eine Draufsicht der flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 3.
5 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II' von 3.
4 ist eine Querschnittsansicht, die eine detaillierte Struktur eines Anzeigebereichs zeigt, der in 3 dargestellt ist, und 5 ist eine Querschnittsansicht, die eine detaillierte Struktur eines Nicht-Anzeige-Bereichs zeigt, der in 3 beschrieben ist.
Mit Bezug auf 3 umfasst die flexible Anzeigevorrichtung 100 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Anzeigebereich AA und einen Nicht- Anzeige-Bereich.
Der Zweckmäßigkeit halber kann der Nicht-Anzeige-Bereich als Bereich definiert sein, der den Anzeigebereich AA ausschließt, und auf eine Beschreibung eines Bezugszeichens davon wird verzichtet.
Der Anzeigebereich AA kann im Zentrum des Anzeigefeldes angeordnet sein und kann ein Bereich sein, in dem ein Bild in der flexiblen Anzeigevorrichtung 100 angezeigt wird.
Anzeigeelemente und verschiedene Ansteuerelemente zum Ansteuern der Anzeigeelemente können im Anzeigebereich AA angeordnet sein. Das Anzeigeelement kann beispielsweise aus einem Lichtemissionselement mit einer ersten Elektrode, einer Lichtemissionsschicht und einer zweiten Elektrode konfiguriert sein, die später beschrieben werden. Außerdem können verschiedene Anzeigeelemente wie z. B. Transistoren, Kondensatoren und Leitungen zum Ansteuern der Anzeigeelemente im Anzeigebereich AA angeordnet sein.
Der Anzeigebereich AA kann mehrere Subpixel PX umfassen.
Das Subpixel PX ist eine minimale Einheit, die einen Bildschirm bildet, und jedes der mehreren Subpixel PX kann ein Lichtemissionselement und ein Ansteuerelement umfassen. Außerdem kann das Ansteuerelement einen Schalttransistor, einen Ansteuertransistor und dergleichen umfassen. Das Ansteuerelement kann mit Signalleitungen wie z. B. einer Gate-Leitung und einer Datenleitung elektrisch verbunden sein, die mit einem Gate-Treiber, einem Datentreiber und dergleichen verbunden sind, die im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sind. Eine ausführlichere Struktur des Subpixels PX wird später mit Bezug auf 4 beschrieben.
Die mehreren Subpixel PX können als Schnittbereiche von mehreren Gate-Leitungen, die in einer ersten Richtung angeordnet sind, und mehreren Datenleitungen, die in einer zweiten Richtung angeordnet sind, die von der ersten Richtung verschieden ist, definiert sein. Hier kann die erste Richtung eine horizontale Richtung von 3 sein und die zweite Richtung kann eine vertikale Richtung von 3 sein, aber sie sind nicht darauf begrenzt. Die mehreren Subpixel PX können ein rotes Subpixel, ein grünes Subpixel, ein blaues Subpixel und ein weißes Subpixel umfassen, die Licht mit unterschiedlichen Wellenlängen emittieren, sind jedoch nicht darauf begrenzt.
Der Nicht-Anzeige-Bereich entspricht dem Kantenbereich des Anzeigefeldes und kann ein Bereich sein, in dem ein Bild nicht angezeigt wird. Der Nicht-Anzeige-Bereich kann so angeordnet sein, dass er den Anzeigebereich AA umgibt. Verschiedene Komponenten zum Ansteuern der mehreren Subpixel PX, die im Anzeigebereich AA angeordnet sind, können im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sein. Eine Treiber-IC, die Signale zum Ansteuern der mehreren Subpixel PX zuführt, eine Ansteuerschaltung, eine Signalleitung, ein flexibler Film oder dergleichen kann beispielsweise im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sein. In diesem Fall kann die Treiber-IC einen Gate-Treiber, einen Datentreiber und dergleichen umfassen. Der Gate-Treiber und der Datentreiber können als Transistoren implementiert werden. Die Treiber-IC und die Ansteuerschaltung können in einer GIP-Weise (Weise eines Gates im Feld), einer COF-Weise (Weise eines Chips auf Film), einer TAB-Weise (Weise von automatisiertem Bandbonden), einer TCP-Weise (Bandträgerbaugruppenweise) oder einer COG-Weise (Weise eines Chips auf Glas) angeordnet sein oder können in das Anzeigefeld integriert sein.
Der Nicht-Anzeige-Bereich umfasst einen Kontaktstellenbereich. Der Kontaktstellenbereich kann beispielsweise an einem unteren Endabschnitt des Anzeigefeldes angeordnet sein. Der Kontaktstellenbereich kann mehreren Kontaktstellen 155 und Signalleitungen, die mit den mehreren Kontaktstellen 155 verbunden sind, umfassen. Eine Treiber-IC, eine Ansteuerschaltung oder ein flexibler Film kann mit dem Kontaktstellenbereich durch die mehreren Kontaktstellen 155 verbunden sein. Die Treiber-IC, die Ansteuerschaltung oder der flexible Film kann verschiedene Ansteuersignale, eine Spannung mit niedrigem Potential und eine Spannung mit hohem Potential zu den mehreren Kontaktstellen 155 übertragen.
Die mehreren Kontaktstellen 155 empfangen verschiedene Ansteuersignale zum Ansteuern der flexiblen Anzeigevorrichtung 100 und führen sie zu Komponenten der flexiblen Anzeigevorrichtung 100 wie z. B. den mehreren Subpixeln PX zu, wodurch die flexible Anzeigevorrichtung 100 angesteuert werden kann.
Die mehreren Kontaktstellen 155 umfassen eine Datenkontaktstelle zum Zuführen eines Datensignals zu jedem der mehreren Subpixel PX, eine Leistungsversorgungskontaktstelle mit hohem Potential zum Zuführen einer Spannung mit hohem Potential zur ersten Elektrode des Lichtemissionselements und eine Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential zum Zuführen einer Spannung mit niedrigem Potential zur zweiten Elektrode des Lichtemissionselements.
Die Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential kann beispielsweise an beiden Enden der mehreren Kontaktstellen 155 auf einer Basis der Reihe nach vorgesehen sein. Die Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential kann mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential elektrisch verbunden sein. In diesem Fall kann die Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential eine erste Leistungsversorgungsleitung sein. Die zweite Elektrode des Lichtemissionselements kann mit der Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential elektrisch verbunden sein. Daher kann die Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential eine Spannung mit niedrigem Potential zur zweiten Elektrode zuführen.
Außerdem kann eine Verbindungsleitung 126 mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential elektrisch verbunden sein. Die Verbindungsleitung 126 kann mit einer dotierten Schicht (oder leitfähigen Schicht) 145 einer unteren Pufferschicht elektrisch verbunden sein. Das heißt, die Verbindungsleitung 126 ist mit der dotierten Schicht 145 der unteren Pufferschicht durch mehrere Kontaktlöcher 140 elektrisch verbunden und kann unterdessen mit der Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential verbunden (oder geerdet) sein, so dass Ladungen, die im Polyimidsubstrat angesammelt sind, entfernt werden können.
Die Verbindungsleitung 126 kann mit den Kontaktstellen 155, das heißt der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential, in einer viereckigen Rahmenform verbunden sein.
Die Verbindungsleitung 126 kann aus einem Metallmaterial mit hoher Leitfähigkeit ausgebildet sein. Die Verbindungsleitung 126 kann aus einem Lichtsperrmuster des Anzeigebereichs AA, den Elektroden des Transistors oder der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode des Lichtemissionselements bestehen.
Um Luminanzdefekte im Kantenbereich des Anzeigefeldes aufgrund der Aufladung des Polyimidsubstrats zu verbessern, kann die dotierte Schicht (oder leitfähige Schicht) 145 mit einer viereckigen Rahmenform in der zweiten Pufferschicht unter dem Polyimidsubstrat ausgebildet sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt und die dotierte Schicht 145 kann selektiv nur innerhalb des Kontaktlochs 140 ausgebildet sein. Das heißt, wenn das Kontaktloch 140 ausgebildet wird, kann die dotierte Schicht 145 selektiv nur innerhalb des Kontaktlochs 140 durch Dotieren ausgebildet werden oder kann in einem Abschnitt der zweiten Pufferschicht in einer Region ausgebildet werden, in der das Kontaktloch 140 ausgebildet werden soll.
Die dotierte Schicht 145 kann durch selektives Dotieren der zweiten Pufferschicht ausgebildet werden.
Die dotierte Schicht 145 kann so ausgebildet werden, dass sie mit einem Abschnitt des Anzeigebereichs AA sowie dem Nicht-Anzeige-Bereich überlappt. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Für die Erdung wird das Kontaktloch 140, das die dotierte Schicht 145 der zweiten Pufferschicht durch das Polyimidsubstrat hindurch freilegt, im Kantenbereich des Anzeigefeldes ausgebildet und die Verbindungsleitung 126 kann mit der dotierten Schicht 145 der zweiten Pufferschicht durch das Kontaktloch 140 hindurch elektrisch verbunden werden.
Das Kontaktloch 140 kann mindestens ein Kontaktloch sein. 3 stellt einen Fall dar, in dem insgesamt sechs Kontaktlöcher 140 an vier Ecken des Anzeigefeldes und zwischen den Ecken vorgesehen sind, aber die Anzahl von Kontaktlöchern 140 in der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
Eine Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential kann auch mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit hohem Potential elektrisch verbunden sein. In diesem Fall kann die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential eine zweite Leistungsversorgungsleitung sein. Die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential kann sich in der zweiten Richtung des Substrats so erstrecken, dass sie zu den mehreren Datenleitungen parallel ist, die mit der Datenkontaktstelle verbunden sind. Die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential kann mit der ersten Elektrode des Lichtemissionselements durch den Transistor elektrisch verbunden sein. Das heißt, die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential kann mit der ersten Elektrode des Lichtemissionselements durch den Transistor elektrisch verbunden sein. Daher kann die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential eine Spannung mit hohem Potential zur ersten Elektrode zuführen. In 3 sind nur zwei Leistungsversorgungsleitungen 156 mit hohem Potential für die Zweckmäßigkeit der Beschreibung dargestellt, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt. Die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential und die Datenleitung können in mehrfachen Zahlen vorgesehen sein, so dass sie jeweils den mehreren Subpixeln PX entsprechen.
Mit Bezug auf 4 kann die flexible Anzeigevorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 110, einen Transistor 120, ein Lichtemissionselement 130, einen Einkapselungsteil 115h und ein Stützsubstrat 101 umfassen.
Das Substrat 110 ist ein Substrat zum Abstützen und Schützen von verschiedenen Komponenten der flexiblen Anzeigevorrichtung. Das Substrat 110 kann aus einem Kunststoffmaterial mit Flexibilität ausgebildet sein. Wenn das Substrat 110 aus einem Kunststoffmaterial ausgebildet ist, kann das Substrat 110 beispielsweise aus Polyimid ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Eine erste Pufferschicht 111a kann auf dem Substrat 110 angeordnet sein. Die erste Pufferschicht 111a kann die Haftung zwischen Schichten, die auf der ersten Pufferschicht 111a ausgebildet sind, und dem Substrat 110 verbessern und Alkalikomponenten und dergleichen, die vom Substrat 110 abgegeben werden, blockieren.
Die erste Pufferschicht 111a kann aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) oder mehreren Schichten aus Siliziumnitrid (SiNx) und Siliziumoxid (SiOx) ausgebildet sein. Die erste Pufferschicht 111a kann weggelassen werden. Die erste Pufferschicht 111a kann beispielsweise auf der Basis eines Typs und eines Materials des Substrats 110, einer Struktur und eines Typs des Transistors 120 oder dergleichen weggelassen werden.
Ein Lichtsperrmuster LS kann auf der ersten Pufferschicht 111a angeordnet sein. Das Lichtsperrmuster LS kann dazu dienen, Licht, das von einem unteren Abschnitt davon auf eine aktive Schicht 124 des Transistors 120 einfällt, zu sperren. Das Lichtsperrmuster LS kann weggelassen werden.
Eine erste Isolationsschicht 115a kann auf dem Lichtsperrmuster LS angeordnet sein.
Die erste Isolationsschicht 115a kann aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) oder mehreren Schichten aus Siliziumnitrid (SiNx) und Siliziumoxid (SiOx) ausgebildet sein.
Der Transistor 120 kann auf der ersten Isolationsschicht 115a angeordnet sein.
Der Transistor 120 kann die aktive Schicht 124, eine Gate-Elektrode 121, eine Drain-Elektrode 123 und eine Source-Elektrode 122 umfassen. Der in 4 dargestellte Transistor 120 ist ein Ansteuertransistor und ist ein Dünnschichttransistor mit einer Struktur mit oberem Gate, in der die Gate-Elektrode 121 über der aktiven Schicht 124 angeordnet ist. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt und der Transistor 120 kann als Dünnschichttransistor mit einer Struktur mit unterem Gate implementiert werden.
Die aktive Schicht 124 kann aus einem Oxidhalbleiter, amorphem Silizium oder polykristallinem Silizium ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt. Polykristallines Silizium weist eine höherwertige Mobilität als amorphes Silizium und einen niedrigen Energieleistungsverbrauch und eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit auf und kann somit auf einen Ansteuertransistor innerhalb des Pixels angewendet werden.
Der Oxidhalbleiter weist ausgezeichnete Mobilitäts- und Gleichmäßigkeitseigenschaften auf. Der Oxidhalbleiter kann aus einem quaternären Metalloxid wie z. B. einem Material auf Indiumzinngalliumzinkoxid-Basis (InSnGaZnO-Basis), einem ternären Metalloxid wie z. B. einem Material auf Indiumgalliumzinkoxid-Basis (InGaZnO-Basis), einem Material auf Indiumzinnzinkoxid-Basis (InSnZnO-Basis), einem Material auf Zinngalliumzinkoxid-Basis (SnGaZnO-Basis), einem Material auf Aluminiumgalliumzinkoxid-Basis (AlGaZnO-Basis), einem Material auf Indiumaluminiumzinkoxid-Basis (InAlZnO-Basis) und einem Material auf Zinnaluminiumzinkoxid-Basis (SnAlZnO-Basis) oder einem binären Metalloxid wie z. B. einem Material auf Indiumzinkoxid-Basis (InZnO-Basis), einem Material auf Zinnzinkoxid-Basis (SnZnO-Basis), einem Material auf Aluminiumzinkoxid-Basis (AlZnO-Basis), einem Material auf Zinkmagnesiumoxid-Basis (ZnMgO-Basis), einem Material auf Zinnmagnesiumoxid-Basis (SnMgO-Basis), einem Material auf Indiummagnesiumoxid-Basis (InMgO-Basis), einem Material auf Indiumgalliumoxid-Basis (InGaO-Basis), einem Material auf Indiumoxid-Basis (InO-Basis), einem Material auf Zinnoxid-Basis (SnO-Basis) und einem Material auf Zinkoxid-Basis (ZnO-Basis) ausgebildet sein. Zusammensetzungsverhältnisse von jeweiligen Elementen, die im Oxidhalbleiter enthalten sind, sind nicht begrenzt.
Die aktive Schicht 124 kann eine Source-Region mit einer Störstelle vom p-Typ oder vom n-Typ, eine Drain-Region und eine Kanalregion zwischen der Source-Region und der Drain-Region umfassen. Die aktive Schicht 124 kann ferner eine dotierte Region mit niedriger Konzentration zwischen der Source-Region und der Drain-Region benachbart zur Kanalregion umfassen.
In diesem Fall sind die Source-Region und die Drain-Region mit einer hohen Konzentration einer Störstelle dotiert und können jeweils mit der Source-Elektrode 122 und der Drain-Elektrode 123 des Transistors 120 verbunden sein.
Als Störstellenion kann eine Störstelle vom p-Typ oder eine Störstelle vom n-Typ verwendet werden. Die Störstelle vom p-Typ kann eine von Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga) und Indium (In) sein und die Störstelle vom n-Typ kann eine von Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb) sein.
Die Kanalregion der aktiven Schicht 124 kann mit der Störstelle vom n-Typ oder Störstelle vom p-Typ gemäß einer NMOS- oder PMOS-Transistorstruktur dotiert sein und der in der flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthaltene Transistor kann ein NMOS- oder PMOS-Transistor sein.
Eine zweite Isolationsschicht 115b ist eine Gate-Isolationsschicht, die aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) oder mehreren Schichten davon besteht, und kann auf der aktiven Schicht 124 angeordnet sein, so dass ein Strom, der durch die aktive Schicht 124 fließt, nicht zur Gate-Elektrode 121 fließt. Außerdem ist Siliziumoxid weniger formbar als Metall, aber ist in der Formbarkeit gegenüber Siliziumnitrid überlegen, so dass es als einzelne Schicht oder mehrere Schichten in Abhängigkeit von den Eigenschaften davon ausgebildet werden kann.
Die Gate-Elektrode 121 dient als Schalter zum Einschalten oder Ausschalten des Transistors 120 auf der Basis eines elektrischen Signals, das von der Außenseite durch die Gate-Leitung übertragen wird, und kann aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus einem leitfähigen Metall wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni) und Neodym (Nd) oder Legierungen davon bestehen. Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind jedoch nicht darauf begrenzt.
Die Source-Elektrode 122 und die Drain-Elektrode 123 sind mit der Datenleitung verbunden und können ermöglichen, dass das elektrische Signal, das von der Außenseite übertragen wird, vom Transistor 120 zum Lichtemissionselement 130 übertragen wird. Die Source-Elektrode 122 und die Drain-Elektrode 123 können aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus einem leitfähigen Metall wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni) und Neodym (Nd) oder Legierungen davon bestehen, sind jedoch nicht darauf begrenzt.
Um die Gate-Elektrode 121 und die Source-Elektrode 122 und die Drain-Elektrode 123 voneinander zu isolieren, kann eine dritte Isolationsschicht 115c, die aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) besteht, zwischen der Gate-Elektrode 121 und der Source-Elektrode 122 und der Drain-Elektrode 123 angeordnet sein.
Zu dieser Zeit können Kontaktlöcher zum elektrischen Verbinden der Drain-Elektrode 123 und der Source-Elektrode 122 mit der Drain-Region und der Source-Region der aktiven Schicht 124 jeweils in der zweiten Isolationsschicht 115b und der dritten Isolationsschicht 115c ausgebildet sein.
Eine Passivierungsschicht, die aus einer anorganischen Isolationsschicht wie z. B. Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) ausgebildet ist, kann ferner auf dem Transistor 120 angeordnet sein.
Die Passivierungsschicht kann unnötige elektrische Verbindungen zwischen Komponenten verhindern, die über und unter der Passivierungsschicht angeordnet sind, und eine Verunreinigung oder Beschädigung von der Außenseite verhindern. Die Passivierungsschicht kann in Abhängigkeit von Konfigurationen und Eigenschaften des Transistors 120 und des Lichtemissionselements 130 weggelassen werden.
Strukturen des Transistors 120 können in eine umgekehrt gestaffelte Struktur und eine koplanare Struktur gemäß Positionen von Elementen, die den Transistor 120 bilden, unterteilt werden. Der Transistor mit einer umgekehrt gestaffelten Struktur bezieht sich beispielsweise auf einen Transistor mit einer Struktur, in der eine Gate-Elektrode auf der Basis der aktiven Schicht entgegengesetzt zu einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode angeordnet ist. Wie in 4 bezieht sich der Transistor 120 mit einer koplanaren Struktur auf einen Transistor mit einer Struktur, in der die Gate-Elektrode 121 auf der Basis der aktiven Schicht 124 auf derselben Seite wie die Source-Elektrode 122 und die Drain-Elektrode 123 angeordnet ist.
Für die Zweckmäßigkeit der Beschreibung ist nur ein Ansteuertransistor unter verschiedenen Transistoren dargestellt, die in der flexiblen Anzeigevorrichtung 100 enthalten sein können. Und ein Schalttransistor, ein Kondensator oder dergleichen kann auch in der flexiblen Anzeigevorrichtung enthalten sein.
In diesem Fall überträgt, wenn ein Signal von einer Gate-Leitung an den Schalttransistor angelegt wird, der Schalttransistor das Signal von einer Datenleitung zu einer Gate-Elektrode des Ansteuertransistors. Der Ansteuertransistor kann einen Strom, der durch Leistungsversorgungsleitungen übertragen wird, zu einer ersten Elektrode 131 durch das Signal übertragen, das vom Schalttransistor übertragen wird, und die Lichtemission durch den Strom, der zur ersten Elektrode 131 übertragen wird, steuern.
Planarisierungsschichten 115d und 115e können auf dem Transistor 120 angeordnet sein, um den Transistor 120 zu schützen, um eine Stufe zu mildern, die durch den Transistor 120 verursacht wird, und um eine parasitäre Kapazität zu verringern, die zwischen dem Transistor 120 und der Gate-Leitung und der Datenleitung und den Lichtemissionselementen 130 erzeugt wird.
Die Planarisierungsschichten 115d und 115e können aus einem oder mehreren Materialien ausgebildet sein, die aus Acrylharz, Epoxidharz, Polyamidharz, Polyimidharz, ungesättigtem Polyesterharz, Phenolharz, Polyphenylenharz, Polyphenylensulfidharz und Benzocyclobuten ausgewählt sind, sind jedoch nicht darauf begrenzt.
Die flexible Anzeigevorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine erste Planarisierungsschicht 115d und eine zweite Planarisierungsschicht 115e umfassen, die sequentiell gestapelt sind. Das heißt, die erste Planarisierungsschicht 115d kann auf dem Transistor 120 angeordnet sein und die zweite Planarisierungsschicht 115e kann auf der ersten Planarisierungsschicht 115d angeordnet sein.
Eine Pufferschicht kann auf der ersten Planarisierungsschicht 115d angeordnet sein. Die Pufferschicht kann aus mehreren Schichten aus Siliziumoxid (SiOx) bestehen, um Komponenten zu schützen, die auf der ersten Planarisierungsschicht 115d angeordnet sind, und kann in Abhängigkeit von Konfigurationen und Eigenschaften des Transistors 120 und des Lichtemissionselements 130 weggelassen werden.
Eine Zwischenelektrode 125 kann mit dem Transistor 120 durch ein Kontaktloch verbunden sein, das in der ersten Planarisierungsschicht 115d ausgebildet ist. Die Zwischenelektrode 125 ist so gestapelt, dass sie mit dem Transistor 120 verbunden ist, und die Datenleitung kann auch in einer Mehrschichtstruktur ausgebildet sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die Datenleitung kann so ausgebildet sein, dass sie eine Struktur aufweist, in der eine untere Schicht, die aus demselben Material wie die Source-Elektrode 122 und die Drain-Elektrode 123 ausgebildet ist, und eine obere Schicht, die aus demselben Material wie die Zwischenelektrode 125 ausgebildet ist, miteinander verbunden sind. Das heißt, die Datenleitung kann in einer Struktur implementiert werden, in der zwei Schichten parallel miteinander verbunden sind, und in diesem Fall kann der Leitungswiderstand der Datenleitung verringert werden.
Unterdessen kann eine Passivierungsschicht, die aus einer anorganischen Isolationsschicht wie z. B. Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) ausgebildet ist, ferner auf der ersten Planarisierungsschicht 115d und der Zwischenelektrode 125 angeordnet sein. Die Passivierungsschicht kann dazu dienen, unnötige elektrische Verbindungen zwischen Komponenten zu verhindern und eine Verunreinigung oder Beschädigung von der Außenseite zu verhindern, und kann in Abhängigkeit von Konfigurationen und Eigenschaften des Transistors 120 und des Lichtemissionselements 130 weggelassen werden.
Das Lichtemissionselement 130 kann auf der zweiten Planarisierungsschicht 115e angeordnet sein.
Das Lichtemissionselement 130 kann die erste Elektrode 131, eine Lichtemissionseinheit 132 und eine zweite Elektrode 133 umfassen.
Die erste Elektrode 131, die eine Anode ist, kann auf der zweiten Planarisierungsschicht 115e angeordnet sein.
Die erste Elektrode 131 dient dazu, Löcher zur Lichtemissionseinheit 132 zuzuführen, und ist mit der Zwischenelektrode 125 durch ein Kontaktloch in der zweiten Planarisierungsschicht 115e verbunden, um dadurch mit dem Transistor 120 elektrisch verbunden zu sein.
Die erste Elektrode 131 kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder dergleichen ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Wenn die flexible Anzeigevorrichtung eine Anzeigevorrichtung vom Oberseitenemissionstyp ist, die Licht zu einem oberen Abschnitt davon emittiert, an dem die zweite Elektrode 133 angeordnet ist, kann sie ferner eine Reflexionsschicht umfassen, so dass das emittierte Licht von der ersten Elektrode 131 reflektiert wird, so dass es gleichmäßig in einer Richtung zum oberen Abschnitt hin emittiert wird, an dem die zweite Elektrode 133 angeordnet ist.
Das heißt, die erste Elektrode 131 kann eine Zweischichtstruktur, in der eine transparente leitfähige Schicht, die aus einem transparenten leitfähigen Material ausgebildet ist, und eine Reflexionsschicht sequentiell gestapelt sind, oder eine Dreischichtstruktur, in der eine transparente leitfähige Schicht, eine Reflexionsschicht und eine transparente leitfähige Schicht sequentiell gestapelt sind, sein. Die Reflexionsschicht kann aus Silber (Ag) oder einer Legierung mit Silber ausgebildet sein.
Eine Bank 115f, die auf der ersten Elektrode 131 und der zweiten Planarisierungsschicht 115e angeordnet ist, kann die Subpixel durch Unterteilen von Bereichen, die tatsächlich Licht emittieren, definieren. Nach dem Ausbilden eines Photoresists auf der ersten Elektrode 131 kann die Bank 115f durch Photolithographie ausgebildet werden. Der Photoresist bezieht sich auf ein lichtempfindliches Harz, dessen Löslichkeit in einem Entwickler durch die Einwirkung von Licht geändert wird, und ein spezielles Muster kann durch Belichten und Entwickeln des Photoresists erhalten werden. Typen von Photoresist können in einen positiven Photoresist und einen negativen Photoresist klassifiziert werden. Der positive Photoresist ist ein Photoresist, bei dem die Löslichkeit eines belichteten Abschnitts davon im Entwickler durch Belichtung erhöht wird. Wenn der positive Photoresist entwickelt wird, wird ein Muster, von dem belichtete Abschnitte entfernt sind, erhalten. Der negative Photoresist ist ein Photoresist, bei dem die Löslichkeit des belichteten Abschnitts davon im Entwickler durch die Belichtung signifikant verringert wird. Wenn der negative Photoresist entwickelt wird, wird ein Muster, von dem nicht belichtete Abschnitte entfernt sind, erhalten.
Eine feine Metallmaske (FMM), die eine Abscheidungsmaske ist, kann verwendet werden, um die Lichtemissionseinheit 132 des Lichtemissionselements 130 auszubilden.
Um eine Beschädigung zu verhindern, die aufgrund eines Kontakts mit der Abscheidungsmaske auftreten kann, die auf der Bank 115f angeordnet ist, und um einen konstanten Abstand zwischen der Bank 115f und der Abscheidungsmaske aufrechtzuerhalten, kann außerdem ein Abstandhalter 115g, der aus einem von Polyimid, das ein transparentes organisches Material ist, Photoacryl und Benzocyclobuten (BCB) ausgebildet ist, auf der Bank 115f angeordnet werden.
Die Lichtemissionseinheit 132 kann zwischen der ersten Elektrode 131 und der zweiten Elektrode 133 angeordnet sein.
Die Lichtemissionseinheit 132 dient zum Emittieren von Licht und kann eine Lochinjektionsschicht (HIL), eine Lochtransportschicht (HTL), eine Lichtemissionsschicht, eine Elektronentransportschicht (ETL) und eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) umfassen und einige Komponenten können in Abhängigkeit von einer Struktur oder Eigenschaften der flexiblen Anzeigevorrichtung weggelassen werden. Hier können eine Elektrolumineszenzschicht und eine anorganische Emissionsschicht als Lichtemissionsschicht verwendet werden.
Die Lochinjektionsschicht ist auf der ersten Elektrode 131 angeordnet, um eine Injektion von Löchern zu erleichtern.
Die Lochtransportschicht ist auf der Lochinjektionsschicht angeordnet, um Löcher gleichmäßig zur Lichtemissionsschicht zu transportieren.
Die Lichtemissionsschicht ist auf der Lochtransportschicht angeordnet und kann ein Material umfassen, das in der Lage ist, Licht mit einer speziellen Farbe zu emittieren, um dadurch Licht mit einer speziellen Farbe zu emittieren. Außerdem kann ein Lumineszenzmaterial unter Verwendung eines Phosphoreszenzmaterials oder eines Fluoreszenzmaterials ausgebildet werden.
Die Elektroneninjektionsschicht kann ferner auf der Elektronentransportschicht angeordnet sein. Die Elektroneninjektionsschicht ist eine organische Schicht, die eine Injektion von Elektronen von der zweiten Elektrode 133 erleichtert, und kann in Abhängigkeit von der Struktur und den Eigenschaften der flexiblen Anzeigevorrichtung weggelassen werden.
Unterdessen ist in einer Position benachbart zur Lichtemissionsschicht eine Elektronensperrschicht oder eine Lochsperrschicht, die einen Fluss von Löchern oder Elektronen sperrt, ferner angeordnet, um dadurch ein Phänomen, bei dem, wenn Elektronen in die Lichtemissionsschicht injiziert werden, die Elektronen sich von der Lichtemissionsschicht bewegen und zur benachbarten Lochtransportschicht hindurchtreten, oder ein Phänomen, bei dem, wenn Löcher in die Lichtemissionsschicht injiziert werden, die Löcher sich von der Lichtemissionsschicht bewegen und zur benachbarten Elektronentransportschicht hindurchtreten, zu verhindern, so dass die Leuchteffizienz verbessert werden kann.
Die zweite Elektrode 133, die eine Kathode ist, ist auf der Lichtemissionseinheit 132 angeordnet und dient zum Zuführen von Elektronen zur Lichtemissionseinheit 132. Da die zweite Elektrode 133 Elektronen zuführen muss, kann sie aus einem Metallmaterial wie z. B. Magnesium (Mg), Silber-Magnesium (Ag:Mg), das ein leitfähiges Material mit einer niedrigen Arbeitsfunktion ist, ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Wenn die flexible Anzeigevorrichtung eine Anzeigevorrichtung vom Oberseitenemissionstyp ist, kann die zweite Elektrode 133 ein transparentes leitfähiges Oxid wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Indiumzinnzinkoxid (ITZO), Zinkoxid (ZnO) und Zinnoxid (TO) sein.
Der Einkapselungsteil 115h kann auf dem Lichtemissionselement 130 angeordnet sein, um zu verhindern, dass der Transistor 120 und das Lichtemissionselement 130, die Komponenten der flexiblen Anzeigevorrichtung sind, aufgrund von Feuchtigkeit, Sauerstoff oder Verunreinigungen, die von außen eingeführt werden, oxidiert oder beschädigt werden.
Der Einkapselungsteil 115h kann durch Stapeln von mehreren Einkapselungsschichten, einer Fremdmaterialkompensationsschicht und mehreren Barrierenfilmen ausgebildet werden.
Die Einkapselungsschicht kann auf der ganzen Oberfläche eines oberen Abschnitts des Transistors 120 und des Lichtemissionselements 130 angeordnet sein und kann aus einem von Siliziumnitrid (SiNx) oder Aluminiumoxid (AlyOz) ausgebildet sein, das ein anorganisches Material ist. Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf begrenzt. Eine Einkapselungsschicht kann ferner auf der Fremdmaterialkompensationsschicht angeordnet sein, die auf der Einkapselungsschicht angeordnet ist.
Die Fremdmaterialkompensationsschicht ist auf der Einkapselungsschicht angeordnet und ein organisches Material wie z. B. Siliziumoxykohlenstoff (SiOCz), Acryl (Acryl) oder Harz auf Epoxidbasis kann für die Fremdmaterialkompensationsschicht verwendet werden. Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf begrenzt. Wenn ein Defekt aufgrund eines Risses auftritt, der durch ein Fremdmaterial oder Partikel erzeugt wird, die während eines Prozesses erzeugt werden können, kann er durch Bedecken einer Kurve und eines Fremdmaterials durch die Fremdmaterialkompensationsschicht kompensiert werden.
Ein Barrierenfilm kann auf der Einkapselungsschicht und der Fremdmaterialkompensationsschicht angeordnet sein, wodurch die flexible Anzeigevorrichtung die Eindringung von Sauerstoff und Feuchtigkeit von außen verzögern kann. Der Barrierenfilm ist in Form eines lichtdurchlässigen und doppelseitigen Klebefilms konfiguriert und kann aus irgendeinem von Isolationsmaterialien auf Olefinbasis, Acrylbasis und Siliziumbasis bestehen. Alternativ kann ein Barrierenfilm, der aus irgendeinem von COP (Cycloolefinpolymer), COC (Cycloolefincopolymer) und PC (Polycarbonat) besteht, ferner gestapelt sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Unterdessen kann ein Stützelement ferner unter dem Anzeigefeld, das wie vorstehend beschrieben konfiguriert ist, das heißt unter dem Substrat 110 angeordnet sein.
Wenn das Substrat 110 des Anzeigefeldes aus einem Kunststoffmaterial wie z. B. Polyimid ausgebildet ist, wird ein Herstellungsprozess der flexiblen Anzeigevorrichtung in einer Situation durchgeführt, in der das Stützsubstrat 101, das aus Glas ausgebildet ist, unter dem Anzeigefeld angeordnet ist. Nachdem der Herstellungsprozess vollendet ist, kann eine bestimmte Dicke des Stützsubstrats 101 geätzt werden, so dass es aufrollbar oder biegsam sein kann, und folglich kann das Stützsubstrat 101 als Stützelement verwendet werden. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt und das Stützsubstrat kann abgetrennt und gelöst werden. Da eine Konfiguration zum Abstützen des Anzeigefeldes erforderlich ist, selbst nachdem das Stützsubstrat gelöst ist, können ein Schutzfilm und ein Hilfssubstrat, die aus einem Kunststoffmaterial wie z. B. Polyimid bestehen, zusätzlich am Anzeigefeld als Stützelement befestigt werden.
Eine zweite Pufferschicht 111b kann zwischen dem Substrat 100 und dem Stützsubstrat 101 angeordnet sein.
Die zweite Pufferschicht 111b kann aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) oder mehreren Schichten aus Siliziumnitrid (SiNx) und Siliziumoxid (SiOx) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Das Stützsubstrat 101 und die zweite Pufferschicht 111b können verhindern, dass Fremdmaterialien an einem unteren Abschnitt des Substrats 110 angelagert werden, und können dazu dienen, Stöße von außen zu puffern.
5 ist eine Querschnittsansicht, die eine detaillierte Struktur des Nicht-Anzeige-Bereichs zeigt, der in 3 dargestellt ist.
Einige Komponenten in 5 sind im Wesentlichen dieselben wie und ähnlich zu jenen, die in 4 beschrieben sind, und folglich wird auf Beschreibungen davon verzichtet.
Mit Bezug auf 5 kann das Substrat 110 angeordnet sein, um verschiedene Komponenten der flexiblen Anzeigevorrichtung abzustützen und zu schützen.
Das Substrat 110 kann aus einem Kunststoffmaterial mit Flexibilität ausgebildet sein. Wenn das Substrat 110 aus einem Kunststoffmaterial ausgebildet ist, kann es beispielsweise aus Polyimid ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die zweite Pufferschicht 111b kann unter dem Substrat 110 angeordnet sein.
Das Stützsubstrat 101, das aus Glas besteht, kann unter der zweiten Pufferschicht 111b angeordnet sein.
Um Luminanzdefekte im Kantenbereich des Anzeigefeldes aufgrund der Aufladung des Polyimidsubstrats zu verbessern, kann die dotierte Schicht (oder leitfähige Schicht) 145 in der zweiten Pufferschicht 111b unter dem Substrat 110 ausgebildet sein.
Die dotierte Schicht 145 kann durch selektives Dotieren der zweiten Pufferschicht 111b ausgebildet werden.
Als Störstellenionen, die für die Dotierung verwendet werden, kann eine Störstelle vom p-Typ oder eine Störstelle vom n-Typ verwendet werden. Die Störstelle vom p-Typ kann eine von Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga) und Indium (In) sein und die Störstelle vom n-Typ kann eine von Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb) sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Anstelle der Dotierung unter Verwendung von Störstellenionen kann eine Metallschicht zusätzlich auf oder innerhalb der zweiten Pufferschicht 111b ausgebildet werden. Eine innere Metallschicht kann aus einem leitfähigen Metall wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Molybdän (Mo), Titan (Ti) und Nickel (Ni) bestehen oder kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder dergleichen bestehen.
Die dotierte Schicht 145 kann so, dass sie mit einem Abschnitt des Anzeigebereichs sowie dem Nicht-Anzeige-Bereich überlappt, in einer viereckigen Rahmenform ausgebildet sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt. Wie vorstehend beschrieben, kann die dotierte Schicht 145 selektiv nur innerhalb des Kontaktlochs 140 ausgebildet sein.
Unterdessen kann die erste Pufferschicht 111a auf dem Substrat 110 angeordnet sein.
Das Kontaktloch 140, das einen Abschnitt der dotierten Schicht 145 freilegt, kann in der ersten Pufferschicht lila und dem Substrat 110 im Nicht-Anzeige-Bereich ausgebildet sein. Das Kontaktloch 140 kann die erste Pufferschicht lila und das Substrat 110 durchdringen, um einen Abschnitt der dotierten Schicht 145 freizulegen.
Die Verbindungsleitung 126 kann auf der ersten Pufferschicht 111a im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sein.
Die Verbindungsleitung 126 kann mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential beispielsweise in einer viereckigen Rahmenform verbunden sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die Verbindungsleitung 126 kann aus einem Lichtsperrmuster des Anzeigebereichs, den Elektroden des Transistors oder der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode des Lichtemissionselements bestehen.
5 stellt ein Beispiel dar, in dem die Verbindungsleitung 126 aus einem leitfähigen Material ausgebildet ist, das das Lichtsperrmuster bildet, wenn das Lichtsperrmuster im Anzeigebereich ausgebildet ist, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
Die Verbindungsleitung 126 kann mit der dotierten Schicht 145 der zweiten Pufferschicht 111b durch das Kontaktloch 140 elektrisch verbunden sein.
Die erste Isolationsschicht 115a kann auf der Verbindungsleitung 126 angeordnet sein.
Komponenten, die auf der ersten Isolationsschicht 115a vorgesehen sind, sind im Wesentlichen dieselben wie und ähnlich zu in 4 beschriebenen Komponenten und folglich wird auf Beschreibungen davon verzichtet.
Unterdessen kann die Verbindungsleitung der vorliegenden Offenbarung aus den Elektroden des Transistors oder der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode des Lichtemissionselements zusätzlich zum Lichtsperrmuster bestehen. Eine zweite beispielhafte Ausführungsform, in der die Verbindungsleitung aus der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Transistors besteht, wird beispielsweise mit Bezug auf 6 im Einzelnen beschrieben.
6 ist eine Querschnittsansicht, die einen Abschnitt eines Nicht-Anzeige-Bereichs in einer flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
Die zweite beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung von 6 kann so konfiguriert sein, dass sie im Wesentlichen dieselben Komponenten wie die erste beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung abgesehen von Komponenten einer Verbindungsleitung 226 und eines Kontaktlochs 240 aufweist. Daher wird auf eine Beschreibung derselben Komponenten verzichtet.
6 ist eine Querschnittsansicht, die eine detaillierte Struktur des Nicht-Anzeige-Bereichs zeigt.
Mit Bezug auf 6 kann das Substrat 110 so angeordnet sein, dass es verschiedene Komponenten der flexiblen Anzeigevorrichtung abstützt und schützt.
Das Substrat 110 kann aus einem Kunststoffmaterial mit Flexibilität ausgebildet sein. Wenn das Substrat 110 aus einem Kunststoffmaterial ausgebildet ist, kann es beispielsweise aus Polyimid ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die zweite Pufferschicht 111b kann unter dem Substrat 110 angeordnet sein.
Das Stützsubstrat 101, das aus Glas ausgebildet ist, kann unter der zweiten Pufferschicht 111b angeordnet sein.
Um Luminanzdefekte im Kantenbereich des Anzeigefeldes aufgrund der Aufladung des Polyimidsubstrats zu verbessern, kann die dotierte Schicht (oder leitfähige Schicht) 145 in der zweiten Pufferschicht 111b unter dem Substrat 110 ausgebildet sein.
Die dotierte Schicht 145 kann durch selektives Dotieren der zweiten Pufferschicht 111b ausgebildet werden.
Als Störstellenionen, die für die Dotierung verwendet werden, kann eine Störstelle vom p-Typ oder eine Störstelle vom n-Typ verwendet werden. Die Störstelle vom p-Typ kann eine von Bor (B), Aluminium (A1), Gallium (Ga) und Indium (In) sein und die Störstelle vom n-Typ kann eine von Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb) sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Anstelle der Dotierung unter Verwendung von Störstellenionen kann eine Metallschicht zusätzlich auf oder innerhalb der zweiten Pufferschicht 111b ausgebildet sein. Eine innere Metallschicht kann aus einem leitfähigen Metall wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Molybdän (Mo), Titan (Ti) und Nickel (Ni) bestehen oder kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder dergleichen bestehen.
Die dotierte Schicht 145 kann so, dass sie mit einem Abschnitt des Anzeigebereichs sowie dem Nicht-Anzeige-Bereich überlappt, in einer viereckigen Rahmenform ausgebildet sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt. Wie vorstehend beschrieben, kann die dotierte Schicht 145 selektiv nur innerhalb des Kontaktlochs 240 ausgebildet sein oder kann in einem Abschnitt der zweiten Pufferschicht 111b in einer Region ausgebildet sein, in der das Kontaktloch 240 ausgebildet werden soll.
Unterdessen kann die erste Pufferschicht 111a auf dem Substrat 110 angeordnet sein.
Die erste Isolationsschicht 115a kann auf der ersten Pufferschicht lila angeordnet sein.
Die zweite Isolationsschicht 115b kann auf der ersten Isolationsschicht 115a angeordnet sein.
Die dritte Isolationsschicht 115c kann auf der zweiten Isolationsschicht 115b angeordnet sein.
In der zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann das Kontaktloch 240, das einen Abschnitt der dotierten Schicht 145 freilegt, in der ersten Pufferschicht lila, der zweiten Isolationsschicht 115b, der dritten Isolationsschicht 115c und dem Substrat 110 im Nicht-Anzeige-Bereich ausgebildet sein. In diesem Fall kann das Kontaktloch 240 die erste Pufferschicht 111a, die zweite Isolationsschicht 115b, die dritte Isolationsschicht 115c und das Substrat 110 durchdringen, um einen Abschnitt der dotierten Schicht 145 freizulegen.
Außerdem kann die Verbindungsleitung 226 auf der dritten Isolationsschicht 115c im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sein.
Die Verbindungsleitung 226 kann mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential beispielsweise in einer viereckigen Rahmenform verbunden sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die Verbindungsleitung 226 kann aus einem leitfähigen Material, das die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors bildet, im Anzeigebereich ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die Verbindungsleitung 226 kann mit der dotierten Schicht 145 der zweiten Pufferschicht 111b durch das Kontaktloch 240 elektrisch verbunden sein.
Die erste Planarisierungsschicht 115d kann auf der Verbindungsleitung 226 angeordnet sein.
Komponenten, die auf der ersten Planarisierungsschicht 115d vorgesehen sind, sind im Wesentlichen dieselben wie und ähnlich zu Komponenten der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die vorstehend beschrieben ist, und folglich wird auf eine Beschreibung davon verzichtet.
Unterdessen kann das Stützelement, das unter dem Polyimidsubstrat der vorliegenden Offenbarung vorgesehen ist, aus einem anderen Polyimidsubstrat zusätzlich zu geätztem Glas bestehen und dies wird mit Bezug auf 7 und 8 im Einzelnen beschrieben.
7 ist eine Querschnittsansicht, die einen Abschnitt eines Anzeigebereichs in einer flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
8 ist eine Querschnittsansicht, die einen Abschnitt eines Nicht-Anzeige-Bereichs in der flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
Mit Bezug auf 7 kann die flexible Anzeigevorrichtung gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 310a, einen Transistor 120, ein Lichtemissionselement 130, einen Einkapselungsteil 115h und ein Hilfssubstrat 310b umfassen.
Das Substrat 310a kann aus einem Kunststoffmaterial mit Flexibilität ausgebildet sein. Wenn das Substrat 310a aus einem Kunststoffmaterial ausgebildet ist, kann es beispielsweise aus Polyimid ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Eine erste Pufferschicht 311a kann auf dem Substrat 310a angeordnet sein. Die erste Pufferschicht 311a kann die Haftung zwischen Schichten, die auf der ersten Pufferschicht 311a ausgebildet sind, und dem Substrat 310a verbessern und kann Alkalikomponenten und dergleichen blockieren, die vom Substrat 310a abgegeben werden.
Die erste Pufferschicht 311a kann aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) oder mehreren Schichten aus Siliziumnitrid (SiNx) und Siliziumoxid (SiOx) ausgebildet sein. Die erste Pufferschicht 311a kann weggelassen werden. Die erste Pufferschicht 311a kann beispielsweise auf der Basis eines Typs und Materials des Substrats 310a, der Struktur und des Typs des Transistors 120 und dergleichen weggelassen werden.
Das Lichtsperrmuster LS kann auf der ersten Pufferschicht 311a angeordnet sein.
Die erste Isolationsschicht 115a kann auf dem Lichtsperrmuster LS angeordnet sein.
Der Transistor 120 kann auf der ersten Isolationsschicht 115a angeordnet sein.
Der Transistor 120 kann eine aktive Schicht 124, die Gate-Elektrode 121, die Drain-Elektrode 123 und die Source-Elektrode 122 umfassen.
Da der Transistor 120 im Wesentlichen derselbe wie jener der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist, die vorstehend beschrieben ist, wird auf eine Beschreibung davon verzichtet.
Die zweite Isolationsschicht 115b kann auf der aktiven Schicht 124 angeordnet sein.
Außerdem kann die dritte Isolationsschicht 115c zwischen der Gate-Elektrode 121 und der Source-Elektrode 122 und der Drain-Elektrode 123 angeordnet sein.
Die erste Planarisierungsschicht 115d kann auf dem Transistor 120 angeordnet sein und die zweite Planarisierungsschicht 115e kann auf der ersten Planarisierungsschicht 115d angeordnet sein.
Die Zwischenelektrode 125 kann mit dem Transistor 120 durch ein Kontaktloch, das in der ersten Planarisierungsschicht 115d ausgebildet ist, elektrisch verbunden sein.
Das Lichtemissionselement 130 kann auf der zweiten Planarisierungsschicht 115e angeordnet sein.
Das Lichtemissionselement 130 kann die erste Elektrode 131, die Lichtemissionseinheit 132 und die zweite Elektrode 133 umfassen und ist im Wesentlichen dasselbe wie jenes der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die vorstehend beschrieben ist. Folglich wird auf eine Beschreibung des Lichtemissionselements 130 verzichtet.
Die Bank 115f kann auf der ersten Elektrode 131 und der zweiten Planarisierungsschicht 115e angeordnet sein.
Der Abstandhalter 115g kann auch auf der Bank 115f angeordnet sein.
Der Einkapselungsteil 115h kann auf dem Lichtemissionselement 130 angeordnet sein.
Der Einkapselungsteil 115h kann durch Stapeln von mehreren Einkapselungsschichten, einer Fremdmaterialkompensationsschicht und von mehreren Barrierenfilmen ausgebildet werden.
Unterdessen kann ein Stützelement ferner unter dem Anzeigefeld, das wie vorstehend beschrieben konfiguriert ist, das heißt unter dem Substrat 310a angeordnet sein.
Das Stützelement gemäß der zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann einen Schutzfilm 312 und das Hilfssubstrat 310b umfassen, die aus einem Kunststoffmaterial wie z. B. Polyimid ausgebildet sind.
Eine zweite Pufferschicht 311b kann zwischen dem Substrat 310a und dem Hilfssubstrat 310b angeordnet sein.
Einige Komponenten in 8 sind im Wesentlichen dieselben wie und ähnlich zu jenen, die in 7 beschrieben sind, und folglich wird auf Beschreibungen davon verzichtet.
Mit Bezug auf 8 kann die zweite Pufferschicht 311b unter dem Substrat 310a im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sein.
Das Hilfssubstrat 310b und der Schutzfilm 312, die aus einem Kunststoffmaterial wie z. B. Polyimid ausgebildet sind, können sequentiell unter der zweiten Pufferschicht 311b angeordnet sein.
Um Luminanzdefekte im Kantenbereich des Anzeigefeldes aufgrund der Aufladung des Polyimidsubstrats 310a zu verbessern, kann eine dotierte Schicht (oder leitfähige Schicht) 345 in der zweiten Pufferschicht 311b unter dem Substrat 310a ausgebildet sein.
Die dotierte Schicht 345 kann durch selektives Dotieren der zweiten Pufferschicht 311b ausgebildet werden.
Als Störstellenionen, die zum Dotieren verwendet werden, kann eine Störstelle vom p-Typ oder eine Störstelle vom n-Typ verwendet werden. Die Störstelle vom p-Typ kann eine von Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga) und Indium (In) sein und die Störstelle vom n-Typ kann eine von Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb) sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Anstelle der Dotierung unter Verwendung von Störstellenionen kann eine Metallschicht zusätzlich auf oder innerhalb der zweiten Pufferschicht 311b ausgebildet sein. Eine innere Metallschicht kann aus einem leitfähigen Metall wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Molybdän (Mo), Titan (Ti) und Nickel (Ni) bestehen oder kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder dergleichen bestehen.
Die dotierte Schicht 345 kann so, dass sie mit einem Abschnitt des Anzeigebereichs sowie dem Nicht-Anzeige-Bereich überlappt, in einer viereckigen Rahmenform ausgebildet sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt. Wie vorstehend beschrieben, kann die dotierte Schicht 345 selektiv nur innerhalb eines Kontaktlochs 340 ausgebildet sein oder kann in einem Abschnitt der zweiten Pufferschicht 311b in einer Region ausgebildet sein, in der das Kontaktloch 340 ausgebildet werden soll.
Unterdessen kann die erste Pufferschicht 311a auf dem Substrat 310a angeordnet sein.
Das Kontaktloch 340, das einen Abschnitt der dotierten Schicht 345 freilegt, kann in der ersten Pufferschicht 311a und dem Substrat 310a im Nicht-Anzeige-Bereich ausgebildet sein. Das Kontaktloch 340 kann die erste Pufferschicht 311a und das Substrat 310a durchdringen, um einen Abschnitt der dotierten Schicht 345 freizulegen.
Eine Verbindungsleitung 326 kann auf der ersten Pufferschicht 311a im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sein.
Die Verbindungsleitung 326 kann mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential beispielsweise in einer viereckigen Rahmenform verbunden sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die Verbindungsleitung 326 kann aus einem Lichtsperrmuster des Anzeigebereichs, den Elektroden des Transistors oder der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode des Lichtemissionselements bestehen.
8 stellt ein Beispiel dar, in dem die Verbindungsleitung 326 aus einem leitfähigen Material ausgebildet ist, das das Lichtsperrmuster bildet, wenn das Lichtsperrmuster im Anzeigebereich ausgebildet ist, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
Die Verbindungsleitung 326 kann mit der dotierten Schicht 345 der zweiten Pufferschicht 311b durch das Kontaktloch 340 hindurch elektrisch verbunden sein.
Die erste Isolationsschicht 115a kann auf der Verbindungsleitung 326 angeordnet sein.
Komponenten, die auf der ersten Isolationsschicht 115a vorgesehen sind, sind im Wesentlichen dieselben wie und ähnlich zu Komponenten, die in 7 beschrieben sind, und folglich wird auf Beschreibungen davon verzichtet.
Unterdessen ist in der vorliegenden Offenbarung eine Metallschicht anstelle der dotierten Schicht innerhalb der zweiten Pufferschicht ausgebildet und ist folglich mit der Verbindungsleitung durch ein Kontaktloch elektrisch verbunden, das mit Bezug auf 9 im Einzelnen beschrieben wird.
9 ist eine Querschnittsansicht, die einen Abschnitt eines Nicht-Anzeige-Bereichs in einer flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
Einige Komponenten von 9 sind im Wesentlichen dieselben wie und ähnlich zu jenen, die in 8 beschrieben sind, und folglich wird auf Beschreibungen davon verzichtet.
Mit Bezug auf 9 kann eine zweite Pufferschicht 411b unter dem Substrat 310a im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sein.
Das Hilfssubstrat 310b und der Schutzfilm 312, die aus einem Kunststoffmaterial wie z. B. Polyimid ausgebildet sind, können sequentiell unter der zweiten Pufferschicht 411b angeordnet sein.
Um Luminanzdefekte im Kantenbereich des Anzeigefeldes aufgrund der Aufladung des Polyimidsubstrats 310a zu verbessern, kann eine Metallschicht 427 in der zweiten Pufferschicht 411b ausgebildet sein.
Das heißt, die zweite Pufferschicht 411b der vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine zweite obere Pufferschicht 411b' unter dem Substrat 310a und eine zweite untere Pufferschicht 411b'' unter der zweiten oberen Pufferschicht 411b' umfassen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt und die zweite Pufferschicht 411b kann aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus zwei oder mehr Schichten ausgebildet sein.
Außerdem kann die Metallschicht 427 an einer Grenzfläche zwischen der zweiten oberen Pufferschicht 411b' und der zweiten unteren Pufferschicht 411b'' ausgebildet sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt. Wenn die zweite Pufferschicht 411b aus einer einzelnen Schicht ausgebildet ist, kann die Metallschicht 427 in irgendeinem inneren Abschnitt der zweiten Pufferschicht 411b ausgebildet sein. Die Metallschicht 427 kann auch auf der zweiten Pufferschicht 411b ausgebildet sein.
Die Metallschicht 427 kann aus einem leitfähigen Metall wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (A1), Chrom (Cr), Gold (Au), Molybdän (Mo), Titan (Ti) und Nickel (Ni) oder einem transparenten leitfähigen Material wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder dergleichen bestehen.
Die Metallschicht 427 kann selektiv nur innerhalb eines Kontaktlochs 440 ausgebildet sein oder kann in einem Abschnitt der zweiten unteren Pufferschicht 411b'' in einer Region ausgebildet sein, in der das Kontaktloch 440 ausgebildet werden soll. Die Metallschicht 427 kann so, dass sie mit einem Abschnitt des Anzeigebereichs sowie dem Nicht-Anzeige-Bereich überlappt, in einer viereckigen Rahmenform ausgebildet sein.
Unterdessen kann die erste Pufferschicht 311a auf dem Substrat 310a angeordnet sein.
Das Kontaktloch 440, das einen Abschnitt der Metallschicht 427 freilegt, kann in der ersten Pufferschicht 311a, dem Substrat 310a und der zweiten oberen Pufferschicht 411b' im Nicht-Anzeige-Bereich ausgebildet sein. Das Kontaktloch 440 kann die erste Pufferschicht 311a, das Substrat 310a und die zweite obere Pufferschicht 411b' durchdringen, um einen Abschnitt der Metallschicht 427 freizulegen.
Eine Verbindungsleitung 426 kann auf der ersten Pufferschicht 311a im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sein.
Die Verbindungsleitung 426 kann mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential beispielsweise in einer viereckigen Rahmenform verbunden sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die Verbindungsleitung 426 kann aus einem Lichtsperrmuster des Anzeigebereichs, den Elektroden des Transistors oder der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode des Lichtemissionselements bestehen.
In diesem Fall kann die Verbindungsleitung 426 mit der Metallschicht 427 innerhalb der zweiten Pufferschicht 411b durch das Kontaktloch 440 elektrisch verbunden sein.
Unterdessen kann die Verbindungsleitung der vorliegenden Offenbarung aus der zweiten Elektrode des Lichtemissionselements konfiguriert sein, das mit Bezug auf 10 und 11 im Einzelnen beschrieben wird.
10 ist eine Draufsicht einer flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
11 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie III-III' von 10.
11 zeigt eine detaillierte Struktur eines Nicht-Anzeige-Bereichs, der mit Bezug auf 10 beschrieben ist.
Mit Bezug auf 10 umfasst eine flexible Anzeigevorrichtung 500 gemäß der fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Anzeigebereich AA und einen Nicht-Anzeige-Bereich.
Für die Zweckmäßigkeit kann der Nicht-Anzeige-Bereich als Bereich definiert sein, der den Anzeigebereich AA ausschließt, und auf eine Beschreibung eines Bezugszeichens davon wird verzichtet.
Der Anzeigebereich AA kann im Zentrum des Anzeigefeldes angeordnet sein und kann ein Bereich sein, in dem ein Bild in der flexiblen Anzeigevorrichtung 500 angezeigt wird.
Der Anzeigebereich AA kann mehrere Subpixel PX umfassen.
Der Nicht-Anzeige-Bereich entspricht dem Kantenbereich des Anzeigefeldes und kann ein Bereich sein, in dem ein Bild nicht angezeigt wird. Der Nicht-Anzeige-Bereich kann so angeordnet sein, dass er den Anzeigebereich AA umgibt.
Der Nicht-Anzeige-Bereich umfasst einen Kontaktstellenbereich. Der Kontaktstellenbereich kann beispielsweise an einem unteren Endabschnitt des Anzeigefeldes angeordnet sein. Der Kontaktstellenbereich kann die mehreren Kontaktstellen 155 und Signalleitungen, die mit den mehreren Kontaktstellen 155 verbunden sind, umfassen. Eine Treiber-IC, eine Ansteuerschaltung oder ein flexibler Film kann mit dem Kontaktstellenbereich durch die mehreren Kontaktstellen 155 verbunden sein. Die Treiber-IC, die Ansteuerschaltung oder der flexible Film kann verschiedene Ansteuersignale, eine Spannung mit niedrigem Potential und eine Spannung mit hohem Potential zu den mehreren Kontaktstellen 155 übertragen.
Die mehreren Kontaktstellen 155 empfangen verschiedene Ansteuersignale zum Ansteuern der flexiblen Anzeigevorrichtung 500 und führen sie zu Komponenten der flexiblen Anzeigevorrichtung 500 wie z. B. den mehreren Subpixeln PX zu, wodurch die flexible Anzeigevorrichtung 500 angesteuert werden kann.
Die mehreren Kontaktstellen 155 umfassen eine Datenkontaktstelle zum Zuführen eines Datensignals zu jedem der mehreren Subpixel PX, eine Leistungsversorgungskontaktstelle mit hohem Potential zum Zuführen einer Spannung mit hohem Potential zur ersten Elektrode des Lichtemissionselements und eine Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential zum Zuführen einer Spannung mit niedrigem Potential zur zweiten Elektrode des Lichtemissionselements.
Die Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential kann beispielsweise an beiden Enden der mehreren Kontaktstellen 155 vorgesehen sein. Die Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential kann mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential elektrisch verbunden sein. In diesem Fall kann die Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential eine erste Leistungsversorgungsleitung sein. Die zweite Elektrode des Lichtemissionselements kann mit der Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential elektrisch verbunden sein. Daher kann die Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential eine Spannung mit niedrigem Potential zur zweiten Elektrode zuführen.
Außerdem kann eine zweite Elektrode 533 mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential elektrisch verbunden sein.
Die zweite Elektrode 533 kann sich zum Nicht-Anzeige-Bereich erstrecken und kann mit der dotierten Schicht (oder leitfähigen Schicht) 145 der unteren Pufferschicht elektrisch verbunden sein. Das heißt, die zweite Elektrode 533, die sich durch mehrere Kontaktlöcher 540 hindurch erstreckt, ist mit der dotierten Schicht (oder leitfähigen Schicht) 145 der unteren Pufferschicht elektrisch verbunden und kann gleichzeitig auch mit der Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential verbunden (oder geerdet) sein.
Die zweite Elektrode 533 kann mit den Kontaktstellen 155, das heißt der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential, beispielsweise in einer rechteckigen Form verbunden sein.
Die zweite Elektrode 533 kann aus einem Metallmaterial mit hoher Leitfähigkeit ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 533 kann durch Verlängern der Kathode des Lichtemissionselements im Anzeigebereich AA ausgebildet werden.
In diesem Fall kann die zweite Elektrode 533 so ausgebildet sein, dass sie mit einem Abschnitt des Nicht-Anzeige-Bereichs sowie dem Anzeigebereich AA überlappt.
Die dotierte Schicht (oder leitfähige Schicht) 145 mit einer viereckigen Rahmenform kann in der zweiten Pufferschicht unter dem Polyimidsubstrat ausgebildet sein. Wie vorstehend beschrieben, kann die dotierte Schicht 145 selektiv nur innerhalb des Kontaktlochs 540 ausgebildet sein oder kann in einem Abschnitt der zweiten Pufferschicht in einer Region ausgebildet sein, in der das Kontaktloch 540 ausgebildet werden soll.
Die dotierte Schicht 145 kann durch selektives Dotieren der zweiten Pufferschicht ausgebildet werden.
Die dotierte Schicht 145 kann so ausgebildet sein, dass sie mit einem Abschnitt des Anzeigebereichs AA sowie dem Nicht-Anzeige-Bereich überlappt. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die zweite Elektrode 533 kann sich in einer Richtung zum Nicht-Anzeige-Bereich hin erstrecken, um mit einem Abschnitt der dotierten Schicht 145 zu überlappen.
Für die Erdung ist das Kontaktloch 540, das die dotierte Schicht 145 der zweiten Pufferschicht durch das Polyimidsubstrat hindurch freilegt, im Kantenbereich des Anzeigefeldes ausgebildet und die zweite Elektrode 533 kann mit der dotierten Schicht 145 der zweiten Pufferschicht durch das Kontaktloch 540 elektrisch verbunden sein.
Die Verbindungsleitungen 126, 226, 326 und 426, die vorstehend in der vorliegenden Offenbarung beschrieben sind, und die zweite Elektrode 533 gemäß der fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können als Verbindungselemente bezeichnet werden.
Das Kontaktloch 540 kann mindestens ein Kontaktloch sein. 10 zeigt ein Beispiel, in dem insgesamt sechs Kontaktlöcher 540 an vier Ecken des Anzeigefeldes und zwischen den Ecken vorgesehen sind, aber die Anzahl von Kontaktlöchern 540 in der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
Die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential kann auch mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit hohem Potential elektrisch verbunden sein. In diesem Fall kann die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential eine zweite Leistungsversorgungsleitung sein. Die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential kann sich in der zweiten Richtung des Substrats so erstrecken, dass sie zu den mehreren Datenleitungen parallel ist, die mit der Datenkontaktstelle verbunden sind. Die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential kann mit der ersten Elektrode des Lichtemissionselements elektrisch verbunden sein. Das heißt, die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential kann mit der ersten Elektrode des Lichtemissionselements durch den Transistor elektrisch verbunden sein. Daher kann die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential eine Spannung mit hohem Potential zur ersten Elektrode zuführen. In 10 sind nur zwei Leistungsversorgungsleitungen 156 mit hohem Potential für die Zweckmäßigkeit der Beschreibung dargestellt, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt. Die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential und die Datenleitung können in mehreren Zahlen vorgesehen sein, so dass sie jeweils den mehreren Subpixeln PX entsprechen.
Mit Bezug auf 11 kann die zweite Pufferschicht 111b unter dem Substrat 110 im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sein.
Das Substrat 110 kann aus einem Kunststoffmaterial mit Flexibilität ausgebildet sein. Wenn das Substrat 110 aus einem Kunststoffmaterial ausgebildet ist, kann es beispielsweise aus Polyimid ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Das Stützsubstrat 101, das aus Glas ausgebildet ist, kann unter der zweiten Pufferschicht 111b angeordnet sein.
Um Luminanzdefekte im Kantenbereich des Anzeigefeldes aufgrund der Aufladung des Polyimidsubstrats 110 zu verbessern, kann die dotierte Schicht (oder leitfähige Schicht) 145 in der zweiten Pufferschicht 111b unter dem Substrat 110 ausgebildet sein.
Die dotierte Schicht 145 kann durch selektives Dotieren der zweiten Pufferschicht 111b ausgebildet werden.
Als Störstellenionen, die für die Dotierung verwendet werden, kann eine Störstelle vom p-Typ oder eine Störstelle vom n-Typ verwendet werden. Die Störstelle vom p-Typ kann eine von Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga) und Indium (In) sein und die Störstelle vom n-Typ kann eine von Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb) sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Anstelle der Dotierung unter Verwendung von Störstellenionen kann eine Metallschicht zusätzlich auf oder innerhalb der zweiten Pufferschicht 111b ausgebildet sein. Eine innere Metallschicht kann aus einem leitfähigen Metall wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Molybdän (Mo), Titan (Ti) und Nickel (Ni) bestehen oder kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder dergleichen bestehen.
Die dotierte Schicht 145 kann so, dass sie mit einem Abschnitt des Anzeigebereichs sowie dem Nicht-Anzeige-Bereich überlappt, in einer viereckigen Rahmenform ausgebildet sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Unterdessen kann die erste Pufferschicht 111a auf dem Substrat 110 angeordnet sein.
Die erste Isolationsschicht 115a kann auf der ersten Pufferschicht lila angeordnet sein.
Die zweite Isolationsschicht 115b kann auf der ersten Isolationsschicht 115a angeordnet sein.
Die dritte Isolationsschicht 115c kann auf der zweiten Isolationsschicht 115b angeordnet sein.
Die erste und die zweite Planarisierungsschicht 115d und 115e können auf der dritten Isolationsschicht 115c angeordnet sein.
Die Bank 115f kann auf der zweiten Planarisierungsschicht 115e angeordnet sein.
Das Kontaktloch 540, das einen Abschnitt der dotierten Schicht 145 freilegt, kann in der ersten Pufferschicht 111a, der ersten Isolationsschicht 115a, der zweiten Isolationsschicht 115b, der dritten Isolationsschicht 115c, der ersten und der zweiten Planarisierungsschicht 115d und 115e, der Bank 115f und dem Substrat 110 ausgebildet sein. Das Kontaktloch 540 kann die erste Pufferschicht 111a, die erste Isolationsschicht 115a, die zweite Isolationsschicht 115b, die dritte Isolationsschicht 115c, die erste und die zweite Planarisierungsschicht 115d und 115e, die Bank 115f und das Substrat 110 durchdringen, um einen Abschnitt der dotierten Schicht 145 freizulegen.
Ein Lichtemissionselement mit der ersten Elektrode, der Lichtemissionseinheit und der zweiten Elektrode 533 kann im Anzeigebereich angeordnet sein. Die zweite Elektrode 533 des Anzeigebereichs kann sich auch auf der Bank 115f im Nicht-Anzeige-Bereich erstrecken.
Die zweite Elektrode 533 kann sich zum Nicht-Anzeige-Bereich erstrecken und mit der dotierten Schicht (oder leitfähigen Schicht) 145 der unteren Pufferschicht elektrisch verbunden sein. Das heißt, die zweite Elektrode 533, die sich durch die mehreren Kontaktlöcher 540 erstreckt, kann mit der dotierten Schicht (oder leitfähigen Schicht) 145 der unteren Pufferschicht elektrisch verbunden sein und kann gleichzeitig auch mit der Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential verbunden (oder geerdet) sein.
Die zweite Elektrode 533 kann mit den Kontaktstellen 155, das heißt der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential beispielsweise in einer rechteckigen Form verbunden sein.
Die zweite Elektrode 533 kann aus einem Metallmaterial mit hoher Leitfähigkeit ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 533 kann so ausgebildet sein, dass sie mit einem Abschnitt des Nicht-Anzeige-Bereichs sowie dem Anzeigebereich überlappt.
Der Einkapselungsteil 115h kann auf der zweiten Elektrode 533 angeordnet sein.
Wie vorstehend beschrieben, kann unterdessen die dotierte Schicht der vorliegenden Offenbarung selektiv nur innerhalb des Kontaktlochs ausgebildet sein, das mit Bezug auf 12 und 13 im Einzelnen beschrieben wird.
12 ist eine Draufsicht einer flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß einer sechsten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
13 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie IV-IV' von 12.
13 zeigt eine detaillierte Struktur eines Nicht-Anzeige-Bereichs, der mit Bezug auf 12 beschrieben ist.
Mit Bezug auf 12 umfasst eine flexible Anzeigevorrichtung 600 gemäß der sechsten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Anzeigebereich AA und einen Nicht- Anzeige-Bereich.
Für die Zweckmäßigkeit kann der Nicht-Anzeige-Bereich als Bereich definiert sein, der den Anzeigebereich AA ausschließt, und auf eine Beschreibung eines Bezugszeichens davon wird verzichtet.
Der Anzeigebereich AA kann im Zentrum des Anzeigefeldes angeordnet sein und kann ein Bereich sein, in dem ein Bild in der flexiblen Anzeigevorrichtung 600 angezeigt wird.
Der Anzeigebereich AA kann mehrere Subpixel PX umfassen.
Der Nicht-Anzeige-Bereich entspricht dem Kantenbereich des Anzeigefeldes und kann ein Bereich sein, in dem ein Bild nicht angezeigt wird. Der Nicht-Anzeige-Bereich kann so angeordnet sein, dass er den Anzeigebereich AA umgibt.
Der Nicht-Anzeige-Bereich umfasst einen Kontaktstellenbereich. Der Kontaktstellenbereich kann beispielsweise an einem unteren Endabschnitt des Anzeigefeldes angeordnet sein. Der Kontaktstellenbereich kann die mehreren Kontaktstellen 155 und Signalleitungen umfassen, die mit den mehreren Kontaktstellen 155 verbunden sind. Eine Treiber-IC, eine Ansteuerschaltung oder ein flexibler Film kann mit dem Kontaktstellenbereich durch die mehreren Kontaktstellen 155 verbunden sein. Die Treiber-IC, die Ansteuerschaltung oder der flexible Film kann verschiedene Ansteuersignale, eine Spannung mit niedrigem Potential und eine Spannung mit hohem Potential zu den mehreren Kontaktstellen 155 übertragen.
Die mehreren Kontaktstellen 155 empfangen verschiedene Ansteuersignale zum Ansteuern der flexiblen Anzeigevorrichtung 600 und führen sie zu Komponenten der flexiblen Anzeigevorrichtung 600 wie z. B. den mehreren Subpixeln PX zu, wodurch die flexible Anzeigevorrichtung 600 angesteuert werden kann.
Die mehreren Kontaktstellen 155 umfassen eine Datenkontaktstelle zum Zuführen eines Datensignals zu jedem der mehreren Subpixel PX, eine Leistungsversorgungskontaktstelle mit hohem Potential zum Zuführen einer Spannung mit hohem Potential zur ersten Elektrode des Lichtemissionselements und eine Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential zum Zuführen einer Spannung mit niedrigem Potential zur zweiten Elektrode des Lichtemissionselements.
Außerdem kann die Verbindungsleitung 126 mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential elektrisch verbunden sein.
Die Verbindungsleitung 126 kann mit einer dotierten Schicht (oder leitfähigen Schicht) 645 einer unteren Pufferschicht elektrisch verbunden sein. Das heißt, die Verbindungsleitung 126 ist mit der dotierten Schicht 645 der unterem Pufferschicht durch mehrere Kontaktlöcher 640 elektrisch verbunden und kann gleichzeitig mit der Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential verbunden (oder geerdet) sein.
Die Verbindungsleitung 126 kann mit den Kontaktstellen 155, das heißt der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential, in einer viereckigen Rahmenform verbunden sein.
Die Verbindungsleitung 126 kann aus einem Metallmaterial mit hoher Leitfähigkeit ausgebildet sein. Die Verbindungsleitung 126 kann aus einem Lichtsperrmuster des Anzeigebereichs AA, den Elektroden des Transistors oder der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode des Lichtemissionselements bestehen.
Die dotierte Schicht 645 kann in der zweiten Pufferschicht in einer Region, die dem Kontaktloch 640 entspricht, unter dem Polyimidsubstrat ausgebildet sein.
Die dotierte Schicht 645 kann durch selektives Dotieren der zweiten Pufferschicht ausgebildet werden.
Für die Erdung ist das Kontaktloch 640, das die dotierte Schicht 645 der zweiten Pufferschicht durch das Polyimidsubstrat hindurch freilegt, im Kantenbereich des Anzeigefeldes ausgebildet und die Verbindungsleitung 126 kann mit der dotierten Schicht 645 der zweiten Pufferschicht durch das Kontaktloch 640 elektrisch verbunden sein.
Das Kontaktloch 640 kann mindestens ein Kontaktloch sein. 12 zeigt ein Beispiel, in dem insgesamt sechs Kontaktlöcher 640 an vier Ecken des Anzeigefeldes und zwischen den Ecken vorgesehen sind, aber die Anzahl von Kontaktlöchern 640 in der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
Die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential kann mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit hohem Potential elektrisch verbunden sein. In diesem Fall kann die Leistungsversorgungsleitung 156 mit hohem Potential eine zweite Leistungsversorgungsleitung sein.
Mit Bezug auf 13 kann das Substrat 110 so angeordnet sein, dass es verschiedene Komponenten der flexiblen Anzeigevorrichtung abstützt und schützt.
Das Substrat 101 kann aus einem Kunststoffmaterial mit Flexibilität ausgebildet sein. Wenn das Substrat 110 aus einem Kunststoffmaterial ausgebildet ist, kann es beispielsweise aus Polyimid ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Eine zweite Pufferschicht 611b kann unter dem Substrat 110 angeordnet sein.
Das Stützsubstrat 101, das aus Glas ausgebildet ist, kann unter der zweiten Pufferschicht 611b angeordnet sein.
Um Luminanzdefekte im Kantenbereich des Anzeigefeldes aufgrund der Aufladung des Polyimidsubstrats 110 zu verbessern, kann die dotierte Schicht (oder leitfähige Schicht) 645 in der zweiten Pufferschicht 611b unter dem Substrat 110 ausgebildet sein.
Die dotierte Schicht 645 kann durch selektives Dotieren der zweiten Pufferschicht 611b ausgebildet werden.
Die dotierte Schicht 645 kann selektiv nur innerhalb des Kontaktlochs 640 ausgebildet sein. Das heißt, wenn das Kontaktloch 640 ausgebildet wird, kann die dotierte Schicht 645 selektiv nur innerhalb des Kontaktlochs 640 durch Dotieren ausgebildet werden. Alternativ kann die dotierte Schicht 645 in einem Abschnitt der zweiten Pufferschicht 611b in einer Region ausgebildet werden, in der das Kontaktloch 640 ausgebildet werden soll.
Als Störstellenionen, die für die Dotierung verwendet werden, kann eine Störstelle vom p-Typ oder eine Störstelle vom n-Typ verwendet werden. Die Störstelle vom p-Typ kann eine von Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga) und Indium (In) sein und die Störstelle vom n-Typ kann eine von Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb) sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Anstelle der Dotierung unter Verwendung von Störstellenionen kann eine Metallschicht zusätzlich auf oder innerhalb der zweiten Pufferschicht 611b ausgebildet sein. Eine innere Metallschicht kann aus einem leitfähigen Metall wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Molybdän (Mo), Titan (Ti) und Nickel (Ni) bestehen oder kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder dergleichen bestehen.
Unterdessen kann die erste Pufferschicht 111a auf dem Substrat 110 angeordnet sein.
Das Kontaktloch 640, das einen Abschnitt oder die Gesamtheit der dotierten Schicht 645 freilegt, kann in der ersten Pufferschicht 111a und im Substrat 110 im Nicht-Anzeige-Bereich ausgebildet sein. Das heißt, das Kontaktloch 640 kann die erste Pufferschicht 111a und das Substrat 110 durchdringen, um einen Abschnitt oder die Gesamtheit der dotierten Schicht 645 freizulegen.
Eine Verbindungsleitung 626 kann auf der ersten Pufferschicht lila im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sein.
Die Verbindungsleitung 126 kann mit der Leistungsversorgungskontaktstelle mit niedrigem Potential beispielsweise in einer rechteckigen Rahmenform verbunden sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die Verbindungsleitung 126 kann aus einem Lichtsperrmuster des Anzeigebereichs, den Elektroden des Transistors oder der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode des Lichtemissionselements ausgebildet sein.
13 stellt ein Beispiel dar, in dem die Verbindungsleitung 126 aus einem leitfähigen Material ausgebildet ist, das das Lichtsperrmuster bildet, wenn das Lichtsperrmuster im Anzeigebereich ausgebildet ist, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
Die Verbindungsleitung 126 kann mit der dotierten Schicht 645 der zweiten Pufferschicht 611b durch das Kontaktloch 640 elektrisch verbunden sein.
Die erste Isolationsschicht 115a kann auf der Verbindungsleitung 126 angeordnet sein.
Komponenten, die auf der ersten Isolationsschicht 115a vorgesehen sind, sind im Wesentlichen dieselben wie und ähnlich zu Komponenten, die in 4 beschrieben sind, und folglich wird auf Beschreibungen davon verzichtet.
Die flexiblen Anzeigevorrichtungen gemäß den ersten bis sechsten beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, die vorstehend beschrieben sind, können auf eine aufrollbare Anzeigevorrichtung angewendet werden, und nachstehend wird die aufrollbare Anzeigevorrichtung im Einzelnen beschrieben.
14A und 14B sind perspektivische Ansichten der flexiblen Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung.
Das heißt, 14A und 14B stellen eine aufrollbare Anzeigevorrichtung als flexible Anzeigevorrichtung als Beispiel dar, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
Die aufrollbare Anzeigevorrichtung kann auch als Anzeigevorrichtung, die in der Lage ist, ein Bild anzuzeigen, selbst wenn die Anzeigevorrichtung aufgerollt ist, bezeichnet werden. Die aufrollbare Anzeigevorrichtung kann hohe Flexibilität im Vergleich zu einer allgemeinen Anzeigevorrichtung des Standes der Technik aufweisen. In Abhängigkeit davon, ob die aufrollbare Anzeigevorrichtung in Gebrauch ist oder nicht, kann eine Form der aufrollbaren Anzeigevorrichtung frei verändert werden. Insbesondere wenn die aufrollbare Anzeigevorrichtung nicht in Gebrauch ist, kann die aufrollbare Anzeigevorrichtung aufgerollt werden, so dass sie mit verringertem Volumen aufbewahrt wird. Wenn dagegen die aufrollbare Anzeigevorrichtung in Gebrauch ist, kann die aufrollbare Anzeigevorrichtung ausgerollt werden, damit sie verwendet wird.
Mit Bezug auf 14A und 14B umfasst die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Anzeigeteil DP und einen Aufnahmeteil HP.
Der Anzeigeteil DP ist dazu konfiguriert, Bilder für einen Benutzer anzuzeigen. Anzeigeelemente, Schaltungen zum Ansteuern der Anzeigeelemente, Leitungen und andere Komponenten können beispielsweise im Anzeigeteil DP angeordnet sein.
Die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist eine aufrollbare Anzeigevorrichtung. Daher kann der Anzeigeteil DP so konfiguriert sein, dass er aufgewickelt und abgewickelt wird. Der Anzeigeteil DP kann beispielsweise ein Anzeigefeld und eine hintere Abdeckung umfassen, die flexibel sind, so dass sie aufgewickelt und abgewickelt werden können.
Der Aufnahmeteil HP dient als Gehäuse, in dem der Anzeigeteil DP untergebracht werden kann. Der Anzeigeteil DP kann aufgewickelt werden und dann innerhalb des Aufnahmeteils HP untergebracht werden, und der Anzeigeteil DP kann abgewickelt werden und kann dann außerhalb des Aufnahmeteils HP angeordnet werden.
Der Aufnahmeteil HP umfasst eine Öffnung HPO, durch die der Anzeigeteil DP sich in den und aus dem Aufnahmeteil HP bewegen kann. Der Anzeigeteil DP kann sich in einer vertikalen Richtung durch die Öffnung HPO des Aufnahmeteils HP hindurch bewegen.
Unterdessen kann der Anzeigeteil DP von einem vollständigen Abwickelzustand in einen vollständigen Aufwickelzustand oder umgekehrt übergehen.
14A zeigt einen vollständigen Abwickelzustand des Anzeigeteils DP der Anzeigevorrichtung 100. Der vollständige Abwickelzustand bezieht sich auf einen Zustand, in dem der Anzeigeteil DP der Anzeigevorrichtung 100 außerhalb des Aufnahmeteils HP angeordnet ist. Das heißt, der vollständige Abwickelzustand kann als Zustand definiert sein, in dem der Anzeigeteil DP abgewickelt und maximal außerhalb des Aufnahmeteils HP angeordnet ist, damit ein Benutzer Bilder auf der Anzeigevorrichtung 100 betrachtet. Und im vollständigen Abwickelzustand kann der Anzeigeteil DP nicht mehr abgewickelt werden.
14B zeigt einen vollständigen Aufwickelzustand des Anzeigeteils DP der Anzeigevorrichtung 100. Der vollständige Aufwickelzustand bezieht sich auf einen Zustand, in dem der Anzeigeteil DP der Anzeigevorrichtung 100 innerhalb des Aufnahmeteils HP untergebracht ist und nicht mehr aufgewickelt werden kann. Das heißt, der vollständige Aufwickelzustand kann als Zustand definiert sein, in dem der Anzeigeteil DP aufgewickelt und innerhalb des Aufnahmeteils HP untergebracht ist, wenn der Benutzer keine Bilder auf der Anzeigevorrichtung 100 betrachtet, da es hinsichtlich des externen Erscheinungsbildes bevorzugt ist, den Anzeigeteil DP nicht außerhalb des Aufnahmeteils HP anzuordnen. Ferner ist im vollständigen Aufwickelzustand, in dem der Anzeigeteil DP innerhalb des Aufnahmeteils HP untergebracht ist, die Anzeigevorrichtung 100 im Volumen verringert und leichter zu transportieren.
Unterdessen kann ein Antriebsteil zum Aufwickeln oder Abwickeln des Anzeigeteils DP, um den Anzeigeteil DP in den vollständigen Abwickelzustand oder den vollständigen Aufwickelzustand umzuschalten, angeordnet sein.
In der aufrollbaren Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die wie vorstehend konfiguriert ist, ist eine dotierte Schicht (oder leitfähige Schicht) in einer unteren Pufferschicht in einem Kantenbereich eines Anzeigefeldes ausgebildet und ist mit einer Leistungsversorgungsleitung mit niedrigem Potential durch ein Kontaktloch verbunden (geerdet), wodurch Ladungen, die in einem Polyimidsubstrat angesammelt sind, entfernt werden können, wodurch eine Luminanzungleichmäßigkeit des Anzeigefeldes gemäß der Verwendung des Polyimidsubstrats minimiert wird.
Die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden:
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine flexible Anzeigevorrichtung geschaffen. Die flexible Anzeigevorrichtung umfasst ein Substrat, das in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeige-Bereich unterteilt ist, eine erste Pufferschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist, eine zweite Pufferschicht, die unter dem Substrat angeordnet ist, ein Stützelement, das unter der zweiten Pufferschicht angeordnet ist, einen Transistor und ein Lichtemissionselement, die über der ersten Pufferschicht im Anzeigebereich angeordnet sind, eine leitfähige Schicht, die in der zweiten Pufferschicht im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist, und ein Verbindungselement, das auf der ersten Pufferschicht im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist und mit der leitfähigen Schicht durch ein Kontaktloch elektrisch verbunden ist.
Das Substrat kann aus Polyimid (PI) bestehen.
Das Stützelement kann aus geätztem Glas bestehen.
Das Stützelement kann ein Hilfssubstrat, das aus Polyimid besteht, und einen Schutzfilm unter dem Hilfssubstrat umfassen.
Der Transistor kann eine Gate-Elektrode, eine aktive Schicht, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode umfassen und das Verbindungselement kann aus einem leitfähigen Material, das die Gate-Elektrode oder die Source/Drain-Elektrode bildet, auf derselben Schicht wie die Gate-Elektrode oder die Source/Drain-Elektrode bestehen.
Die flexible Anzeigevorrichtung kann ferner ein Lichtsperrmuster umfassen, das unter der aktiven Schicht angeordnet ist, wobei das Verbindungselement aus einem leitfähigen Material, das das das Lichtsperrmuster bildet, auf derselben Schicht wie das Lichtsperrmuster bestehen kann.
Die flexible Anzeigevorrichtung kann ferner eine Kontaktstelle umfassen, die auf dem Substrat im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist.
Das Verbindungselement kann eine viereckige Rahmenform aufweisen und kann über drei Seiten des Nicht-Anzeige-Bereichs, ausschließlich des unteren Abschnitts davon, angeordnet sein.
Das Verbindungselement kann sich zur Kontaktstelle im unteren Abschnitt des Nicht-Anzeige-Bereichs erstrecken, um dadurch mit der Kontaktstelle elektrisch verbunden zu sein.
Die leitfähige Schicht kann mit dem Nicht-Anzeige-Bereich und einem Abschnitt des Anzeigebereichs in einer viereckigen Rahmenform überlappen.
Die leitfähige Schicht kann aus einer Schicht bestehen, die im Kontaktloch dotiert ist.
Die leitfähige Schicht kann aus einer Schicht bestehen, die in der zweiten Pufferschicht dotiert ist.
Das Kontaktloch kann in der ersten Pufferschicht und im Substrat angeordnet sein, um die leitfähige Schicht der zweiten Pufferschicht freizulegen.
Das Verbindungselement kann aus einer zweiten Elektrode des Lichtemissionselements bestehen.
Die zweite Elektrode kann sich zum Nicht-Anzeige-Bereich erstrecken, um mit einem Abschnitt der leitfähigen Schicht zu überlappen.
Das Verbindungselement kann mit einem Abschnitt des Anzeigebereichs und dem Nicht-Anzeige-Bereich in einer rechteckigen Form überlappen.
Die zweite Pufferschicht kann aus einer zweiten oberen Pufferschicht und einer zweiten unteren Pufferschicht bestehen, wobei die leitfähige Schicht aus einer Metallschicht bestehen kann, die zwischen der zweiten oberen Pufferschicht und der zweiten unteren Pufferschicht angeordnet ist.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine flexible Anzeigevorrichtung geschaffen. Die flexible Anzeigevorrichtung umfasst ein Substrat, das in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeige-Bereich unterteilt ist, eine erste Pufferschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist, eine zweite Pufferschicht, die unter dem Substrat angeordnet ist, ein Stützelement, das unter der zweiten Pufferschicht angeordnet ist, einen Transistor und ein Lichtemissionselement, die über der ersten Pufferschicht im Anzeigebereich angeordnet sind, eine leitfähige Schicht, die in der zweiten Pufferschicht im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist, und ein Verbindungselement, das mit der leitfähigen Schicht durch ein Kontaktloch verbunden ist, wobei das Substrat aus Polyimid besteht und das Verbindungselement Ladungen, die im Substrat aus Polyimid angesammelt sind, durch Erdung entfernt.
Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung im Einzelnen mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf begrenzt und kann in vielen verschiedenen Formen verkörpert sein, ohne vom technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher sind die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nur für Erläuterungszwecke vorgesehen, aber sollen das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung nicht begrenzen. Der Schutzbereich des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf begrenzt. Daher sollte selbstverständlich sein, dass die vorstehend beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen in allen Aspekten erläuternd sind und die vorliegende Offenbarung nicht begrenzen. Der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung sollte auf der Basis der folgenden Ansprüche aufgefasst werden und alle technischen Konzepte im äquivalenten Schutzbereich davon sollten als in den Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung fallend aufgefasst werden.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

KR 1020190139419 [0001]

Claims

Flexible Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein Substrat, das in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeige-Bereich unterteilt ist; eine erste Pufferschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine zweite Pufferschicht, die unter dem Substrat angeordnet ist; ein Stützelement, das unter der zweiten Pufferschicht angeordnet ist; einen Transistor und ein Lichtemissionselement, die über der ersten Pufferschicht im Anzeigebereich angeordnet sind; eine leitfähige Schicht, die in der zweiten Pufferschicht im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist; und ein Verbindungselement, das auf der ersten Pufferschicht im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist und mit der leitfähigen Schicht durch ein Kontaktloch elektrisch verbunden ist.
Flexible Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Substrat aus Polyimid (PI) besteht.
Flexible Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, wobei das Stützelement aus geätztem Glas besteht.
Flexible Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 und 3, wobei das Stützelement ein Hilfssubstrat, das aus Polyimid besteht; und einen Schutzfilm unter dem Hilfssubstrat umfasst.
Flexible Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Transistor eine Gate-Elektrode, eine aktive Schicht, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode umfasst, und das Verbindungselement aus einem leitfähigen Material, das die Gate-Elektrode oder die Source/Drain-Elektrode bildet, auf derselben Schicht wie die Gate-Elektrode oder die Source/Drain-Elektrode besteht.
Flexible Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, die ferner umfasst: ein Lichtsperrmuster, das unter der aktiven Schicht angeordnet ist, wobei das Verbindungselement aus einem leitfähigen Material, das das Lichtsperrmuster bildet, auf derselben Schicht wie das Lichtsperrmuster besteht.
Flexible Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, die ferner umfasst: eine Kontaktstelle, die auf dem Substrat im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist.
Flexible Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Verbindungselement eine viereckige Rahmenform aufweist und über drei Seiten des Nicht-Anzeige-Bereichs, ausschließlich eines unteren Abschnitts davon, angeordnet ist und/oder das Verbindungselement sich zur Kontaktstelle im unteren Abschnitt des Nicht-Anzeige-Bereichs erstreckt, um dadurch mit der Kontaktstelle elektrisch verbunden zu sein.
Flexible Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die leitfähige Schicht mit dem Nicht-Anzeige-Bereich und einem Abschnitt des Anzeigebereichs in einer viereckigen Rahmenform überlappt und/oder die leitfähige Schicht aus einer Schicht besteht, die im Kontaktloch dotiert ist; und/oder die leitfähige Schicht aus einer Schicht besteht, die in der zweiten Pufferschicht dotiert ist.
Flexible Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Kontaktloch in der ersten Pufferschicht und im Substrat angeordnet ist, um die leitfähige Schicht der zweiten Pufferschicht freizulegen.
Flexible Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Verbindungselement aus einer zweiten Elektrode des Lichtemissionselements besteht und/oder das Verbindungselement mit einem Abschnitt des Anzeigebereichs und dem Nicht-Anzeige-Bereich in einer rechteckigen Form überlappt.
Flexible Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei sich die zweite Elektrode zum Nicht-Anzeige-Bereich erstreckt, so dass sie mit einem Abschnitt der leitfähigen Schicht überlappt.
Flexible Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die zweite Pufferschicht aus einer zweiten oberen Pufferschicht und einer zweiten unteren Pufferschicht besteht, wobei die leitfähige Schicht aus einer Metallschicht besteht, die zwischen der zweiten oberen Pufferschicht und der zweiten unteren Pufferschicht angeordnet ist.
Flexible Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein Substrat, das in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeige-Bereich unterteilt ist; eine erste Pufferschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine zweite Pufferschicht, die unter dem Substrat angeordnet ist; ein Stützelement, das unter der zweiten Pufferschicht angeordnet ist; einen Transistor und ein Lichtemissionselement, die über der ersten Pufferschicht im Anzeigebereich angeordnet sind; eine leitfähige Schicht, die in der zweiten Pufferschicht im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet ist; und ein Verbindungselement, das mit der leitfähigen Schicht durch ein Kontaktloch verbunden ist, wobei das Substrat aus Polyimid besteht und das Verbindungselement Ladungen, die im Substrat aus Polyimid angesammelt sind, durch Erdung entfernt.