KR20210157939A

KR20210157939A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Info

Publication number: KR20210157939A
Application number: KR1020200075704A
Authority: KR
Inventors: 안재헌; 김장수; 김종훈; 이성연; 전시완; 홍석준
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2020-06-22
Filing date: 2020-06-22
Publication date: 2021-12-30
Also published as: US20210399254A1; US20230371300A1; EP3929995A1; US11751420B2; CN114122282A

Abstract

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 제1 기판 상에 배치되는 제2 기판, 제2 기판 상에 배치되는 제1 격벽 및 제1 격벽보다 외측에 배치되는 제2 격벽, 제1 격벽 내부에 배치되고 제1 폭을 갖는 제1 트렌치, 제1 격벽 및 제2 격벽 사이에 배치되고 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 제2 트렌치, 제2 트렌치에 중첩 배치되는 얼라인 키, 얼라인 키 상에 배치되는 제1 스페이서, 및 제1 기판 및 제2 기판 사이에서 가장자리를 따라 배치되며, 얼라인 키와 비중첩하는 실링 부재를 포함하되, 제1 스페이서는 제1 격벽, 제2 격벽 및 실링 부재와 부분적으로 중첩한다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{Display device and method of fabricating the same}

본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.

표시 장치 중, 자발광 표시 장치는 자발광 소자, 예시적으로 유기 발광 소자를 포함한다. 자발광 소자는 대향하는 두 개의 전극 및 그 사이에 개재된 발광층을 포함할 수 있다. 자발광 소자가 유기 발광 소자인 경우, 두 개의 전극으로부터 제공된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 광이 방출될 수 있다.

이러한 자발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하기 때문에 소비 전력이 낮고 경량의 박형으로 구성할 수 있을 뿐만 아니라 넓은 시야각, 높은 휘도와 콘트라스트 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 가져 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 전면에서 얼라인 키를 용이하게 시인할 수 있어 기판 합착을 용이하게 할 수 있는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 배치되는 제2 기판; 상기 제2 기판 상에 배치되는 제1 격벽 및 상기 제1 격벽보다 외측에 배치되는 제2 격벽; 상기 제1 격벽 내부에 배치되고 제1 폭을 갖는 제1 트렌치; 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 사이에 배치되고 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 제2 트렌치; 상기 제2 트렌치에 중첩 배치되는 얼라인 키; 상기 얼라인 키 상에 배치되는 제1 스페이서; 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서 가장자리를 따라 배치되며, 상기 얼라인 키와 비중첩하는 실링 부재를 포함하되, 상기 제1 스페이서는 상기 제1 격벽, 상기 제2 격벽 및 상기 실링 부재와 부분적으로 중첩한다.

상기 얼라인 키는 상기 실링 부재의 내측에 배치될 수 있다.

상기 실링 부재는 상기 제1 격벽과 비중첩할 수 있다.

상기 제1 트렌치에는 파장 제어 패턴이 배치될 수 있다.

상기 제1 격벽의 일부 영역 상에 배치되는 제2 스페이서를 더 포함할 수 있다.

상기 제1 스페이서 및 상기 제2 스페이서는 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다.

상기 제1 스페이서는 투명한 물질을 포함할 수 있다.

상기 파장 제어 패턴은 파장 변환 물질 및 산란 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서, 상기 실링 부재의 내측에 배치되는 충진제를 더 포함할 수 있다.

상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 배치되는 제2 기판; 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서 상기 제1 기판의 가장 자리를 따라 배치되는 실링 부재; 상기 제2 기판 상에 배치되는 제1 격벽 및 상 제1 격벽을 둘러싸며 배치되는 제2 격벽; 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 사이에 배치되며, 상기 실링 부재와 비중첩하는 얼라인 키; 상기 얼라인 키 상에 배치되며, 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽과 부분적으로 중첩하는 제1 스페이서를 포함하되, 상기 실링 부재는 상기 제1 스페이서 및 상기 제2 격벽에 걸쳐 배치된다.

상기 제1 스페이서는 투명한 물질을 포함할 수 있다.

상기 실링 부재는 상기 제1 격벽과 비중첩할 수 있다.

상기 얼라인 키는 상기 실링 부재의 내측에 배치될 수 있다.

상기 다른 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역, 상기 표시 영역을 둘러싸며 배치되는 더미 영역 및 상기 더미 영역을 둘러싸며 배치되는 실링 영역이 정의되는 제1 기판 및 제2 기판을 준비하는 단계; 상기 제2 기판의 상기 더미 영역에 제1 격벽을 형성하고, 상기 실링 영역에 제2 격벽을 형성하는 단계; 상기 제1 격벽의 외측면, 상기 제2 기판의 상면 및 상기 제2 격벽의 내측면에 의해 정의되는 트렌치에 제1 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제2 기판의 가장 자리를 둘러싸며, 상기 제2 격벽 및 상기 제1 스페이서에 걸쳐 실링 부재를 배치하는 단계; 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 합착하는 단계를 포함하되, 상기 제1 스페이서는 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽과 부분적으로 중첩한다.

상기 트렌치에 제1 스페이서를 형성하는 단계 이전에 상기 트렌치에 얼라인 키를 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 트렌치에 상기 제1 스페이서를 형성하는 단계는 적어도 하나의 상기 제1 격벽의 상면에 제2 스페이서를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 의하면, 비표시 영역에 배치되며, 얼라인 키가 배치되는 트렌치를 포함할 수 있다. 상기 트렌치의 내부에는 얼라인 키와 중첩하도록 스페이서가 배치될 수 있다. 스페이서는 투명한 물질을 포함하여 기판의 전면에서 얼라인 키를 용이하게 시인할 수 있어 기판 합착을 용이하게 할 수 있다.

실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 표시 영역을 부분적으로 자른 단면도이다.
도 5는 도 3의 V-V' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 6 내지 도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 개략도이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 13은 도 13의 XIV-XIV'선을 따라 자른 단면도이다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 15는 도 15의 XVI-XVI'선을 따라 자른 단면도이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.

도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 화면을 제공하는 모든 전자 장치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 표시 화면을 제공하는 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 전자 시계, 스마트 워치, 워치 폰, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 네비게이션, 게임기, 디지털 카메라, 사물 인터넷 등이 표시 장치(1)에 포함될 수 있다.

도면에 예시된 표시 장치(1)는 텔레비전이다. 표시 장치(1)는 이에 제한되는 것은 아니지만, HD, UHD, 4K, 8K 등의 고해상도 내지 초고해상도를 가질 수 있다.

표시 장치(1)는 평면상 직사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 표시 장치(1)의 평면 형상은 예시된 것에 제한되지 않고, 원형이나 기타 다른 형상으로 적용될 수도 있다.

표시 장치(1)는 영상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 영상을 표시하지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 주변에 위치할 수 있으며, 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 대한 상세한 내용은 도 3 내지 도 5를 참조하여 후술하기로 한다.

도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 자른 개략적인 단면도이다.

도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 제1 기판(10), 및 제1 기판(10)과 대향하는 제2 기판(20)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)는 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 결합하는 실링 부재(50), 제1 기판(10)과 제2 기판(20) 사이에 채워진 충진층(70)을 더 포함할 수 있다.

제1 기판(10)은 영상을 표시하기 위한 소자 및 회로들, 예컨대 스위칭 소자 등과 같은 화소 회로, 발광 영역 및 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막(PDL, 도 4 참조) 및 자발광 소자(self-light emitting element)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 자발광 소자는 유기발광소자(Organic Light Emitting Diode), 양자점 발광소자(Quantum dot Light Emitting Diode), 무기물 기반의 마이크로 발광다이오드(예컨대 Micro LED), 무기물 기반의 나노 발광 다이오드(예컨대 nano LED) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이하에서는 상기 자발광 소자가 유기 발광 소자인 경우를 예로 하여 설명한다.

제2 기판(20)은 제1 기판(10) 상에 배치되고 제1 기판(10)과 대향할 수 있다. 제2 기판(20)은 입사광의 색을 변환하는 컬러 제어 구조물을 포함할 수 있다. 상기 컬러 제어 구조물은 입사광의 파장을 제어할 수 있으며, 이에 따라, 입사광의 색을 변환할 수 있다.

비표시 영역(NDA)에서 제1 기판(10)과 제2 기판(20) 사이에는 실링 부재(50)가 위치할 수 있다. 실링 부재(50)는 비표시 영역(NDA)에서 제1 기판(10)과 제2 기판(20)의 가장자리를 따라 배치되며, 평면도 상 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다

실링 부재(50)에 의해 둘러싸인 제1 기판(10)과 제2 기판(20) 사이의 공간에는 충진층(70)이 배치될 수 있다. 충진층(70)은 제1 기판(10)과 제2 기판(20) 사이를 채울 수 있다.

도 3은 도 1의 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다. 도 4는 도 3의 표시 영역을 부분적으로 자른 단면도이다. 도 5는 도 3의 V-V' 선을 따라 자른 단면도이다. 도 5는 표시 장치의 더미 영역의 일부 및 실링 영역을 자른 단면도이다.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 표시 장치(1)에는 상술한 바와 같이 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)이 정의될 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소들(PX)을 포함하여 실질적인 영상 표시에 기여하는 영역일 수 있다. 본 명세서에서, '화소(pixel)'는 평면 시점에서 영상 표시 또는 색 표시를 위해 표시 영역(DA)이 구획되어 정의되는 단일 영역을 의미하며, 하나의 화소는 미리 정해진 하나의 기본색을 표현할 수 있다. 즉, 하나의 화소는 다른 화소와 서로 독립적으로 색을 표현할 수 있는 최소 단위 영역일 수 있다. 상기 기본 색의 예로는 적색, 녹색 및 청색을 들 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.

복수의 화소들(PX)은 서로 다른 색을 표시할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 복수의 화소들(PX)은 제1 색을 표시하는 제1 화소, 제1 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제2 색을 표시하는 제2 화소 및 제2 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제3 색을 표시하는 제3 화소를 포함할 수 있다. 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소는 하나의 반복 단위를 이루어 상기 반복 단위가 제1 방향(DR1)을 따라 반복 배열될 수 있다. 또, 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소는 각각 제2 방향(DR2)을 따라 반복되어, 복수의 화소들(PX)은 평면상 매트릭스 형상으로 배열될 수 있다.

표시 영역(DA)의 주변에는 비표시 영역(NDA)이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 전부 또는 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)과 다르게 영상 표시에 기여하지 않을 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 장치(1)의 베젤을 구성할 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 표시 장치(1)의 구동에 필요한 구성요소들, 예컨대 접속 패드, 구동 회로 등이 위치할 수 있다.

비표시 영역(NDA)은 실링 부재(50)가 위치하는 실링 영역(SA) 및 실링 영역(SA)에 비해 내측(즉, 표시 영역(DA) 측)에 위치하는 더미 영역(DMA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 더미 영역(DMA)에 의해 둘러싸일 수 있다. 또한, 더미 영역(DMA)은 실링 영역(SA)에 의해 둘러싸일 수 있다.

더미 영역(DMA)은 복수의 더미 화소(DX)들을 포함할 수 있다. 더미 영역(DMA)에 배치되는 더미 화소(DX)들은 영상 표시에 기여하지 않으나, 더미 화소 전극(PXEd)을 포함할 수 있다.

표시 영역(DA)에서, 표시 장치(1)는 제1 베이스 기판(11), 제1 베이스 기판(11)의 화소(PX)마다 배치된 화소 전극(PXE), 제1 베이스 기판(11)의 화소(PX)의 경계를 따라 배치된 화소 정의막(PDL), 화소 정의막(PDL)에 의해 노출된 개구부 내에 위치하며 화소 전극(PXE) 상에 배치된 발광층(EML), 발광층(EML) 및 화소 정의막(PDL) 상에 배치되며 복수의 화소(PX)에 걸쳐 배치된 공통 전극(CME), 공통 전극(CME) 상에 배치된 봉지 구조물(ECL)을 포함할 수 있다.

화소 정의막(PDL)은 화소 전극(PXE)의 에지 부분과 중첩할 수 있다. 발광층(EML)은 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)의 유기 발광 물질은 색 화소(PX)와 무관하게 동일한 색을 발광할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 적색 화소(PX), 녹색 화소(PX), 청색 화소(PX)에서 모두 청색의 빛을 발광할 수 있다. 그러나, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 화소 정의막(PDL)은 화소 전극(PXE)을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 표시 영역(DA) 및 후술할 더미 영역(DMA)에 걸쳐 제1 베이스 기판(11) 상에 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

봉지 구조물(ECL)은 적어도 하나의 박막 봉지층을 포함할 수 있다. 봉지 구조물(ECL)은 표시 영역(DA) 및 후술할 더미 영역(DMA)과 실링 영역(SA)에 걸쳐 제1 베이스 기판(11) 상에 전면적으로 배치될 수 있다. 봉지 구조물(ECL)은 제1 베이스 기판(11) 상에 배치된 부재들을 외부 환경에 대하여 보호하는 기능을 할 수 있다. 예를 들어, 박막 봉지층은 제1 무기막(17), 유기막(18) 및 제2 무기막(19)을 포함할 수 있다. 제1 무기막(17) 및 제2 무기막(19)은 무기물 절연성 물질을 포함하며, 유기막(18)은 유기물 절연성 물질을 포함할 수 있다.

표시 영역(DA)에서, 제2 기판(20)은 제2 베이스 기판(21), 제1 베이스 기판(11)을 향하는 제2 베이스 기판(21)의 일면 상에 배치된 차광 부재(BML), 차광 부재(BML)에 의해 정의된 개구부 내의 제2 베이스 기판(21)의 일면 상에 배치된 컬러 필터층(CFL), 컬러 필터층(CFL) 상에 배치된 제1 캡핑층(22), 제1 캡핑층(22) 상에 배치되며, 차광 부재(BML)와 중첩하는 제1 격벽(PTL1), 제1 격벽(PTL1)에 의해 둘러싸인 공간으로 정의되는 제1 트렌치(TR1), 제1 트렌치(TR1) 내에 배치된 파장 변환층(WCL)과 투광층(TPL) 및 제1 격벽(PTL1)의 적어도 일부 영역 상에 배치되는 제1 스페이서(CS1)를 포함할 수 있다. 또한, 표시 영역(DA)에서, 제2 기판(20)은 제1 격벽(PTL1), 파장 변환층(WCL), 투광층(TPL) 및 제1 스페이서(CS1)를 덮는 제2 캡핑층(23)을 더 포함할 수 있다.

차광 부재(BML)는 화소 정의막(PDL)과 중첩하며, 차광 영역(BA)에 위치하며, 투광 영역(TA)과 중첩하는 제2 베이스 기판(21)의 일면을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 차광 부재(BML)는 표시 영역(DA) 뿐만 아니라, 후술하는 더미 영역(DMA) 및 실링 영역(SA)에 걸쳐 제2 베이스 기판(21) 상에 배치될 수 있다.

컬러 필터층(CFL)은 제1 색 화소(PX)에 배치되는 제1 컬러 필터층(CFL1), 제2 색 화소(PX)에 배치되는 제2 컬러 필터층(CFL2) 및 제3 색 화소(PX)에 배치되는 제3 컬러 필터층(CFL2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 컬러 필터층(CFL1)은 적색 컬러 필터층이고, 제2 컬러 필터층(CFL2)은 녹색 컬러 필터이고, 제3 컬러 필터층(CFL3)은 청색 컬러 필터층일 수 있다.

제1 캡핑층(22)은 차광 부재(BML) 및 컬러 필터층(CFL)을 커버할 수 있다. 제1 캡핑층(22)은 표시 영역(DA) 뿐만 아니라, 후술하는 더미 영역(DMA) 및 실링 영역(SA)에 걸쳐 제2 베이스 기판(21) 상에 배치될 수 있다.

제1 격벽(PTL1)은 제1 격벽(PTL1)을 두께 방향으로 관통하는 복수의 제1 트렌치(TR1)를 포함할 수 있다. 각 제1 트렌치(TR1)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 격벽(PTL1)은 후술하는 제2 격벽(PTL2)과 일체로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

파장 변환층(WCL)은 제1 색 화소(PX)에 배치되는 제1 파장 변환 패턴(WCL1)과 제2 색 화소(PX)에 배치되는 제2 파장 변환 패턴(WCL2)을 포함할 수 있다. 제3 색 화소(PX)에는 투광층(TPL)이 배치될 수 있다.

제1 파장 변환 패턴(WCL1)은 제1 베이스 수지(BRS1) 및 제1 베이스 수지(BRS1) 내에 배치된 제1 파장 변환 물질(WCP1)을 포함할 수 있다. 제2 파장 변환 패턴(WCL2)은 제2 베이스 수지(BRS2) 및 제2 베이스 수지(BRS2) 내에 배치된 제2 파장 변환 물질(WCP2)을 포함할 수 있다. 투광층(TPL)은 제3 베이스 수지(BRS3) 및 그 내부에 배치된 산란체(SCP)를 포함할 수 있다.

제1 내지 제3 베이스 수지(BRS1, BRS2, BRS3)는 투광성 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 베이스 수지(BRS1, BRS2, BRS3)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 제1 내지 제3 베이스 수지(BRS1, BRS2, BRS3)는 모두 동일한 물질로 이루어질 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.

산란체(SCP)는 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등이 예시될 수 있고, 상기 유기 입자 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등이 예시될 수 있다.

제1 파장 변환 물질(WCP1)은 제3 색을 제1 색으로 변환하고, 제2 파장 변환 물질(WCP2)은 제3 색을 제2 색으로 변환하는 물질일 수 있다. 제1 파장 변환 물질(WCP1)과 제2 파장 변환 물질(WCP2)은 양자점, 양자 막대, 형광체 등일 수 있다. 상기 양자점은 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 제1 파장 변환 패턴(WCL1)과 제2 파장 변환 패턴(WCL2)은 파장 변환 효율을 증가시키는 산란체(SCP)를 더 포함할 수 있다.

제3 색 화소(PX)에 배치되는 투광층(TPL)은 발광층(EML)에서 입사되는 제3 색의 빛의 파장을 유지한 채 투과시킨다. 투광층(TPL)의 산란체(SCP)는 투광층(TPL)을 통해 출사되는 빛의 출사 경로를 조절하는 역할을 할 수 있다. 투광층(TPL)은 파장 변환 물질을 불포함할 수 있다.

제1 스페이서(CS1)는 제1 격벽(PTL1)의 일부 영역 상에 배치되며, 또한 차광 영역(BA) 내에 배치될 수 있다. 제1 스페이서(CS1)는 표시 영역(DA)에서 제1 기판(10)과 제2 기판(20)의 간격을 유지하는 역할을 수행할 수 있다. 제1 스페이서(CS1)는 노광 및 현상 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 스페이서(CS1)는 유기 물질을 포함하며, 상기 유기 물질은 감광성 유기 물질일 수 있다. 이 경우, 제1 스페이서(CS1)는 스페이서용 유기 물질층을 도포한 후, 노광 및 현상을 통해 형성될 수 있다. 상기 스페이서용 유기 물질층은 광이 조사된 부위에서 경화가 발생하는 네거티브 감광성 물질일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 스페이서(CS1)는 투명한 물질로 이루어질 수 있다.

제1 기판(10)과 제2 기판(20) 사이에는 충진층(70)이 배치될 수 있다. 충진층(70)은 제1 기판(10)과 제2 기판(20) 사이의 공간을 충진하는 한편, 이들을 상호 결합하는 역할을 할 수 있다. 충진층(70)은 제1 기판(10)의 봉지 구조물(ECL)과 제2 기판(20)의 제2 캡핑층(23) 사이에 배치될 수 있다.

더미 영역(DMA)에서, 제1 기판(10)은 제1 베이스 기판(11), 제1 베이스 기판(11)의 더미 화소(DX)마다 배치된 더미 화소 전극(PXEd), 제1 베이스 기판(11)의 더미 화소(DX)의 경계를 따라 배치된 화소 정의막(PDL), 화소 정의막(PDL)에 의해 노출된 개구부 내에 위치하며 더미 화소 전극(PXEd) 상에 배치된 더미 발광층(EMLd) 및 화소 정의막(PDL) 상에 배치되며 복수의 더미 화소(DX)에 걸쳐 배치된 공통 전극(CME), 공통 전극(CME) 상에 배치된 봉지 구조물(ECL)을 포함할 수 있다. 비표시 영역(NDA)에서 더미 영역(DMA)과 실링 영역(SA)은 공통 전극(CME)의 에지에서 수직하는 가상선을 기준으로 구분될 수 있다. 예를 들어, 공통 전극(CME)의 에지에서 수직하는 가상선을 기준으로 일측에는 더미 영역(DMA)이 배치되고, 타측에는 실링 영역(SA)이 배치될 수 있다.

더미 영역(DMA) 내 배치되는 더미 화소 전극(PXEd), 화소 정의막(PDL), 더미 발광층(EMLd) 및 공통 전극(CME)에 대한 설명은 각각 표시 영역(DA) 내 배치되는 화소 전극(PXE), 화소 정의막(PDL), 발광층(EML) 및 공통 전극(CME)과 동일하다. 더미 영역(DMA)에서 제1 기판(10)은 더미 화소 전극(PXEd), 화소 정의막(PDL), 더미 발광층(EMLd) 및 공통 전극(CME)을 모두 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 일부 생략될 수도 있다.

더미 영역(DMA)에서, 제2 기판(20)은 제2 베이스 기판(21), 제1 베이스 기판(11)을 향하는 제2 베이스 기판(21)의 일면 상에 배치된 차광 부재(BML), 차광 부재(BML)에 의해 정의된 개구부 내의 제2 베이스 기판(21)의 일면 상에 배치된 더미 컬러 필터층(CFLd), 더미 컬러 필터층(CFLd) 상에 배치된 제1 캡핑층(22), 제1 캡핑층(22) 상에 배치되며, 차광 부재(BML)와 중첩하는 제2 격벽(PTL2), 제2 격벽(PTL2)에 의해 둘러싸인 공간으로 정의되는 제2 트렌치(TR2), 제2 트렌치(TR2) 내에 배치된 더미 파장 변환층(WCLd)과 더미 투광층(TPLd) 및 적어도 일부의 제2 격벽(PTL2) 상에 배치되는 제2 스페이서(CS2)를 포함할 수 있다. 제2 기판(20)은 더미 파장 변환층(WCLd), 더미 투광층(TPLd), 제2 격벽(PTL2) 및 제2 스페이서(CS2) 상에 배치된 제2 캡핑층(23)을 더 포함할 수 있다.

차광 부재(BML)는 화소 정의막(PDL)과 중첩하며, 차광 영역(BAd)에 위치하며, 투광 영역(TAd)과 중첩하는 제2 베이스 기판(21)의 일면을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다.

더미 컬러 필터층(CFLd)은 제1 더미 컬러 필터층(CFL1d), 제2 더미 컬러 필터층(CFL2d) 및 제3 더미 컬러 필터층(CFL2d)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 더미 컬러 필터층(CFL1d, CFL2d, CFL3d)에 대한 설명은 상술한 제1 내지 제3 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)에 대한 설명과 동일하므로 생략하기로 한다.

제2 격벽(PTL2)은 제2 격벽(PTL2)을 두께 방향으로 관통하는 복수의 제2 트렌치(TR2)를 포함할 수 있다. 각 제2 트렌치(TR2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 각 제2 트렌치(TR2)는 제1 폭(W1)을 가질 수 있다. 상술한 바와 같이, 제2 격벽(PTL2)은 제1 격벽(PTL1)과 일체로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 격벽(PTL2)의 상면은 제1 격벽(PTL1)의 상면과 동일 평면 상이 위치할 수 있다.

더미 파장 변환층(WCLd)은 제1 색 더미 화소(DX)에 배치되는 제1 더미파장 변환 패턴(WCL1d)과 제2 색 더미 화소(DX)에 배치되는 제2 더미 파장 변환 패턴(WCL2d)을 포함할 수 있다. 제3 색 더미 화소(DX)에는 더미 투광층(TPLd)이 배치될 수 있다.

더미 영역(DMA)의 더미 파장 변환층(WCLd) 및 더미 투광층(TPLd)에 대한 설명은 상술한 표시 영역(DA)의 파장 변환층(WCL) 및 투광층(TPL)에 대한 설명과 동일하므로 생략하기로 한다. 더미 영역(DMA)에서 제2 기판(20)은 차광 부재(BML), 더미 컬러 필터층(CFLd), 제2 격벽(PTL2), 더미 파장 변환층(WCLd), 더미 투광층(TPLd) 및 제2 스페이서(CS2)를 모두 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 일부 생략될 수도 있다.

제2 스페이서(CS2)는 제2 격벽(PTL2) 상에 배치되며, 또한 차광 영역(BAd) 내에 배치될 수 있다. 제2 스페이서(CS2)는 더미 영역(DMA)에서 제1 기판(10)과 제2 기판(20)의 간격을 유지하는 역할을 수행할 수 있다. 제2 스페이서(CS2)에 대한 다른 사항은 제1 스페이서(CS1)에 대해 상술한 내용과 같으므로 생략하기로 한다.

더미 영역(DMA)의 외측에는 실링 영역(SA)이 배치될 수 있다. 실링 영역(SA)에서, 제1 기판(10)은 제1 베이스 기판(11), 제1 베이스 기판(11) 상에 배치되는 봉지 구조물(ECL)을 포함할 수 있다. 실링 영역(SA)에 배치되는 봉지 구조물(ECL)은 표시 영역(DA) 및 더미 영역(DMA)에 배치되는 봉지 구조물(ECL)과 같이 제1 무기막(17), 유기막(18) 및 제2 무기막(19)을 포함할 수 있다.

실링 영역(SA)에서, 제2 기판(20)은 제2 베이스 기판(21), 제1 베이스 기판(11)을 향하는 제2 베이스 기판(21)의 일면 상에 배치된 차광 부재(BML), 차광 부재(BML) 상에 배치된 제1 캡핑층(22), 제1 캡핑층(22) 상에 배치되며 차광 부재(BML)와 중첩하는 제3 격벽(PTL3)의 내측면, 및 최외곽 제2 격벽(PTL2)의 외측면, 제3 격벽(PTL3)과 제1 캡핑층(22)의 상면에 의해 정의되는 제3 트렌치(TR3), 제3 트렌치(TR3) 내에 배치되는 제3 스페이서(CS3)를 포함할 수 있다. 또한, 실링 영역(SA)에서 제2 기판(20)은 제3 격벽(PTL3) 및 제3 스페이서(CS3)를 덮는 제2 캡핑층(23)을 더 포함할 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 최외곽 제2 격벽(PTL2)의 외측면, 제3 격벽(PTL3)의 내측면 및 제1 캡핑층(22)의 상면에 의해 정의되는 공간인 제3 트렌치(TR3)를 포함할 수 있다. 제3 트렌치(TR3)는 비표시 영역(NDA) 내 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제3 트렌치(TR3)는 더미 영역(DMA) 및 실링 영역(SA)에 걸쳐 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제3 트렌치(TR3)는 제2 트렌치(TR2)의 제1 폭(W1)보다 큰 제2 폭(W2)을 가질 수 있다.

제3 트렌치(TR3)는 제1 캡핑층(22)을 부분적으로 노출할 수 있다. 제3 트렌치(TR3) 내부에는 제3 스페이서(CS3)가 배치될 수 있다. 제3 스페이서(CS3)는 실링 영역(SA)에서 제1 기판(10)과 제2 기판(20)의 간격을 유지하는 역할을 수행할 수 있다. 제3 스페이서(CS3)는 제1 스페이서(CS1) 및 제2 스페이서(CS2)와 동일한 물질로 이루어지며 함께 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

제3 스페이서(CS3)는 최외곽 제2 격벽(PTL2) 및 제3 격벽(PTL3)과 부분적으로 중첩할 수 있다. 제3 스페이서(CS3)는 최외곽 제2 격벽(PTL2)의 상면 및 제3 격벽(PTL3)의 상면의 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 제3 스페이서(CS3)의 최외곽 제2 격벽(PTL2)과 중첩하는 영역 및 제3 격벽(PTL3)과 중첩하는 영역 사이에는 평탄한 영역이 배치될 수 있다. 제3 스페이서(CS3)에서 최외곽 제2 격벽(PTL2) 및 제3 격벽(PTL3)과 중첩하는 영역은 상기 평탄한 영역에 비해 돌출된 형상을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 제3 트렌치(TR3) 내부에 배치되는 얼라인 키(AK)를 더 포함할 수 있다. 얼라인 키(AK)는 제1 기판(10) 및 제2 기판(20) 합착 시 얼라인을 맞추기 위해 배치될 수 있다. 얼라인 키(AK)는 제3 트렌치(TR3)에 중첩 배치될 수 있다. 예를 들어, 얼라인 키(AK)는 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 얼라인 키(AK)는 패터닝되어 십자가 형상을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

실링 영역(SA)에서, 제1 기판(10) 및 제2 기판(20) 사이에는 실링 부재(50)가 배치될 수 있다. 제1 기판(10)과 제2 기판(20)은 실링 부재(50)를 매개로 상호 결합될 수 있다. 실링 부재(50)는 유기 물질을 포함할 수 있다. 실링 부재(50)는 에폭시계 레진으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실링 부재(50)는 제3 스페이서(CS3) 및 제3 격벽(PTL3)에 걸쳐 배치될 수 있다. 실링 부재(50)는 제3 스페이서(CS3) 및 제3 격벽(PTL3)과 부분적으로 중첩할 수 있다. 실링 부재(50)는 얼라인 키(AK)보다 외측에 배치되어 얼라인 키(AK)와 비중첩할 수 있다. 실링 부재(50)의 내측에는 충진층(70)이 배치될 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 영역(DA) 내에서 제1 격벽(PTL1)의 사이 공간에 잔사 현상이 발생하여 표시 장치(1)의 표시 품질이 저하되는 것을 방지하기 위해 표시 영역(DA)의 외측에 더미 화소(DX)를 포함하는 더미 영역(DMA)을 배치할 수 있다.

또한, 제2 기판(20)은 제1 기판(10) 및 제2 기판(20)의 합착 시 얼라인을 맞추기 위해 얼라인 키(AK)를 포함할 수 있다. 얼라인 키(AK)가 더미 영역(DMA) 내에 배치될 경우, 더미 화소(DX)에 의해 제2 기판(20)의 전면에서 얼라인 키(AK)를 용이하게 시인하는 것이 어려울 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)에 포함되는 제2 기판(20)은 비표시 영역(NDA)에 배치되는 제3 트렌치(TR3)를 포함하며, 제3 트렌치(TR3)에는 얼라인 키(AK)가 배치될 수 있다. 또한, 제3 트렌치(TR3)의 내부에는 얼라인 키(AK)와 중첩하도록 제3 스페이서(CS3)가 배치될 수 있다. 제3 스페이서(CS3)는 투명한 물질을 포함하여 제2 기판(20)의 전면에서 얼라인 키(AK)를 용이하게 시인할 수 있다.

이하에서, 표시 장치(1)의 제조 방법에 대해 설명한다.

도 6 내지 도 11는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 개략도이다. 도 6 내지 도 11은 제2 기판(20)을 제조하는 공정에서 비표시 영역(NDA)을 도시한다. 도 6 내지 도 11에서는 설명의 편의를 위해, 도 4 및 도 5의 제2 기판(20)이 상하 반전된 형상으로 도시한다.

도 6을 참조하면, 제2 기판(20)의 제2 베이스 기판(21)의 일면 상에 차광 부재(BML) 및 차광 부재(BML)를 형성한다. 차광 부재(BML) 및 차광 부재(BML)는 빛을 차단하는 물질을 포함하는 차광 물질을 도포한 후, 노광 및 현상을 통해 형성될 수 있다. 차광 부재(BML) 및 차광 부재(BML)는 하나의 공정으로 함께 형성될 수 있다. 패턴화된 차광 부재(BML)는 부분적으로 제2 베이스 기판(21)을 노출할 수 있다.

도 7을 참조하면, 제2 베이스 기판(21)을 노출하는 각 차광 부재(BML) 사이에는 더미 컬러 필터층(CFLd)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 더미 컬러 필터층(CFLd)은 제1 더미 컬러 필터층(CFL1d), 제2 더미 컬러 필터층(CFL2d) 및 제3 더미 컬러 필터층(CFL3d)을 포함할 수 있다. 더미 컬러 필터층(CFLd)은 제1 내지 제3 더미 컬러 필터층(CFL1d, CFL2d, CFL3d)은 특정 색의 색재를 포함하는 감광성 유기물을 도포한 후, 노광 및 현상을 통해 형성될 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니지만, 제1 내지 제3 더미 컬러 필터층(CFL1d, CFL2d, CFL3d)은 제3 더미 컬러 필터층(CFL3d), 제1 더미 컬러 필터층(CFL1d) 및 제2 더미 컬러 필터층(CFL2d)의 순서로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

이어, 패턴화된 더미 컬러 필터층(CFLd) 상부에 이를 커버하는 제1 캡핑층(22)이 형성될 수 있다. 제1 캡핑층(22)은 제2 베이스 기판(21) 전 영역에 걸쳐 배치될 수 있다.

이어, 도 8을 참조하면, 제1 캡핑층(22)상에 제2 격벽(PTL2) 및 제3 격벽(PTL3)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 캡핑층(22) 상에 패턴화된 제2 격벽(PTL2) 및 제3 격벽(PTL3)을 형성할 수 있다. 제2 격벽(PTL2) 및 제3 격벽(PTL3)은 하나의 공정으로 함께 형성될 수 있다. 제2 격벽(PTL2) 및 제3 격벽(PTL3)은 차광 부재(BML) 상에 배치될 수 있다. 패턴화된 제2 격벽(PTL2) 및 제3 격벽(PTL3)은 노광 및 현상 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 격벽(PTL2) 및 제3 격벽(PTL3)은 유기 물질을 포함할 수 있으며, 상기 유기 물질을 감광성 유기 물질일 수 있다. 이 경우, 패턴화된 제2 격벽(PTL2) 및 제3 격벽(PTL3)은 격벽용 유기 물질층을 도포한 후, 노광 및 현상을 통해 형성될 수 있다. 상기 격벽용 유기 물질층은 광이 조사된 부위에서 경화가 발생하는 네거티브 감광성 물질일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

도 9를 참조하면, 패턴화된 제2 격벽(PTL2)의 일부 영역의 상면에 제2 스페이서(CS2)가 형성되고, 최외곽 제2 격벽(PTL2)의 외측면, 제3 격벽(PTL3)의 내측면 및 제1 캡핑층(22)의 상면에 의해 정의되는 제3 트렌치(TR3)에 제3 스페이서(CS3)가 형성될 수 있다. 제2 스페이서(CS2) 및 제3 스페이서(CS3)는 하나의 공정으로 함께 형성될 수 있다. 제2 스페이서(CS2) 및 제3 스페이서(CS3)는 스페이서용 유기 물질층을 도포한 후, 노광 및 현상을 통해 형성될 수 있다. 상기 스페이서용 유기 물질층은 광이 조사된 부위에서 경화가 발생하는 네거티브 감광성 물질일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 스페이서용 유기 물질층은 투명한 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 반투명한 물질로 이루어질 수도 있다.

도 10을 참조하면, 제2 트렌치(TR2)에 더미 파장 제어층(WCLd, TPLd)이 형성될 수 있다. 더미 파장 제어층(WCLd, TPLd)은 잉크젯 장치(IZD)를 이용한 잉크젯 프린팅 공정에 의해 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 더미 파장 변환 패턴(WCL1d, 도 11 참조)은 제1 투광 영역(TA1d)에 제1 더미 파장 변환 패턴(WCL1d)에 포함된 물질을 포함하는 잉크(IK)를 분사하여 형성될 수 있다. 잉크(IK)는 제1 투광 영역(TA1d)과 중첩되는 영역에서 제2 격벽(PTL2)에 의해 정의되는 제2 트렌치(TR2)로 분사될 수 있다. 즉, 제2 격벽(PTL2)은 제1 더미 파장 변환 패턴(WCL1d)을 형성하기 위하여 잉크(IK)를 원하는 위치에 안정적으로 위치시키는 가이드 역할을 할 수 있다.

마찬가지로, 제2 파장 변환 패턴(WCL2)은 제2 투광 영역(TA2d)에 제2 파장 변환 패턴(WCL2)에 포함된 물질을 포함하는 잉크(IK)를 분사하여 형성될 수 있다. 잉크(IK)는 제2 투광 영역(TA2d)과 중첩되는 영역에서 제2 격벽(PTL2)에 의해 정의되는 제2 트렌치(TR2)로 분사될 수 있다. 즉, 제2 격벽(PTL2)은 제2 더미 파장 변환 패턴(WCL2d)을 형성하기 위하여 잉크(IK)를 원하는 위치에 안정적으로 위치시키는 가이드 역할을 할 수 있다.

마찬가지로, 투광층(TPL)은 제3 투광 영역(TA3d)에 더미 투광층(TPLd)에 포함된 물질을 포함하는 잉크(IK)를 분사하여 형성될 수 있다. 잉크(IK)는 제3 투광 영역(TA3d)과 중첩되는 영역에서 제2 격벽(PTL2)에 의해 정의되는 제2 트렌치(TR2)로 분사될 수 있다. 즉, 제2 격벽(PTL2)은 더미 투광층(TPLd)을 형성하기 위하여 잉크(IK)를 원하는 위치에 안정적으로 위치시키는 가이드 역할을 할 수 있다.

잉크(IK)의 분사량은 표면 장력을 고려하고, 잉크(IK)의 건조 후 부피의 수축량을 고려하여 결정될 수 있다.

도 11을 참조하면, 제2 격벽(PTL2), 제3 격벽(PTL3), 제2 스페이서(CS2), 제3 스페이서(CS3) 및 파장 제어층(WCLd, TPLd) 상에는 제2 캡핑층(23)이 형성될 수 있다. 제2 캡핑층(23)은 제2 격벽(PTL2), 제3 격벽(PTL3), 제2 스페이서(CS2), 제3 스페이서(CS3) 및 파장 제어층(WCLd, TPLd)를 전체적으로 커버할 수 있다. 도 11에는 제2 캡핑층(23)이 더미 영역(DMA) 및 실링 영역(SA)에만 형성되는 것을 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 제2 캡핑층(23)은 표시 영역(DA)에도 형성될 수 있다.

이후, 제2 캡핑층(23) 및 스페이서(CS) 상에 충진층(70)이 도포되며, 제1 기판(10)과 제2 기판(20)이 결합될 수 있다. 상기 내용은 널리 알려진 사실이므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 제조 방법에 의하면, 표시 영역(DA) 내에서 제1 격벽(PTL1)의 사이 공간에 잔사 현상이 발생하여 표시 장치(1)의 표시 품질이 저하되는 것을 방지하기 위해 표시 영역(DA)의 외측에 더미 화소(DX)를 포함하는 더미 영역(DMA)을 배치할 수 있다.

또한, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)에 포함되는 제2 기판(20)은 비표시 영역(NDA)에 배치되는 제3 트렌치(TR3)를 포함하며, 제3 트렌치(TR3)에는 얼라인 키(AK)가 배치될 수 있다. 또한, 제3 트렌치(TR3)의 내부에는 얼라인 키(AK)와 중첩하도록 제3 스페이서(CS3)가 배치될 수 있다. 제3 스페이서(CS3)는 투명한 물질을 포함하여 제2 기판(20)의 전면에서 얼라인 키(AK)를 용이하게 시인할 수 있다.

이하, 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서, 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 그 설명을 생략하거나 간략화하며, 차이점을 위주로 설명하기로 한다.

도 12는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 13은 도 13의 XIV-XIV'선을 따라 자른 단면도이다.

도 12 및 도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)에 포함되는 제3 격벽(PTL3_1)은 표시 장치(1_1)의 외곽 라인을 따라 형성된 줄기부(PTL31_1) 및 줄기부(PTL31_1)로부터 내측으로 돌출된 가지부(PTL32_1)를 포함할 수 있다.

본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)는 일 실시예에 따른 표시 장치(1)에 비해 제3 격벽(PTL3_1)의 구조가 달라짐에 따라 제3 격벽(PTL3_1)의 내측면, 제1 캡핑층(22)의 상면 및 최외곽 제2 격벽(PTL2)의 외측면에 의해 정의되는 제2 트렌치(TR2_1)의 구조 또한 이에 상응하여 형성될 수 있다.

제2 트렌치(TR2_1)에는 제3 스페이서(CS3_1)가 배치될 수 있다. 제3 스페이서(CS_1)는 최외곽 제2 격벽(PTL2)의 일부, 제3 격벽(PTL3_1)의 줄기부(PTL31_1)의 일부 및 가지부(PTL32_1)의 전부를 덮을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)에 포함되는 제3 격벽(PTL3_1)은 줄기부(PTL31_1) 및 줄기부(PTL31_1)로부터 내측으로 돌출된 가지부(PTL32_1)를 포함하여 제3 스페이서(CS3_1)의 높이를 효과적으로 유지할 수 있다.

본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)는 비표시 영역(NDA)에 배치되며, 얼라인 키(AK)가 배치되는 제2 트렌치(TR2_1)를 포함할 수 있다. 제3 트렌치(TR3)의 내부에는 얼라인 키(AK)와 중첩하도록 제3 스페이서(CS3_1)가 배치될 수 있다. 제3 스페이서(CS3_1)는 투명한 물질을 포함하여 표시 장치(1_1)의 전면에서 얼라인 키(AK)를 용이하게 시인할 수 있다.

도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 15는 도 15의 XVI-XVI'선을 따라 자른 단면도이다.

도 14 및 도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_2)는 메쉬 구조의 평면 형상을 갖는 제3 격벽(PTL3_2)을 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(1_2)에 포함되는 제3 트렌치(TR3_2)는 최외곽 제2 격벽(PTL2_2)의 외측면, 제1 캡핑층(22)의 상면 및 제3 격벽(PTL3_2)의 내측면에 의해 정의되는 제3a 트렌치(TR31_2) 뿐만 아니라 제3 격벽(PTL3_2) 내부에 배치되는 제3b 트렌치(TR32_2)를 포함할 수 있다.

제3b 트렌치(TR32_2)는 제3 격벽(PTL3_2) 내부에서 격자 형태로 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 무작위로 배치될 수도 있다. 제3b 트렌치(TR32_2)의 평면 형상은 직사각형 또는 정사각형일 수 있으나, 이에 제한되지 않고 원형 또는 기타 다각형일 수 있다.

본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)에 포함되는 제3 격벽(PTL3_2)은 메쉬 구조의 평면 형상을 포함하여 제3 스페이서(CS3_2)의 높이를 효과적으로 유지할 수 있다.

본 실시예에 따른 표시 장치(1_2)는 비표시 영역(NDA)에 배치되며, 얼라인 키(AK)가 배치되는 제3a 트렌치(TR31_2) 및 제3 격벽(PTL3_2) 내부에 배치되는 제3b 트렌치(TR32_2)를 포함할 수 있다. 제3 트렌치(TR3_2)에는 얼라인 키(AK)와 중첩하도록 제3 스페이서(CS3_2)가 배치될 수 있다. 제3 스페이서(CS3_2)는 투명한 물질을 포함하여 표시 장치(1_2)의 전면에서 얼라인 키(AK)를 용이하게 시인할 수 있다.

도 16은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.

본 실시예에 따른 표시 장치(1_3)는 차광 부재(BML) 및 차광 부재(BML)가 생략되었다는 점에서 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 차이가 있다. 표시 장치(1_3)의 제조 공정에 있어서, 격벽(PTL1, PTL2, PTL3) 형성 시 격벽(PTL1, PTL2, PTL3) 사이 공간에 격벽을 이루는 물질의 잔사가 발생할 수 있다. 표시 영역(DA)에 격벽 물질의 잔사가 형성되어 표시 장치(1_3)의 표시 품질이 저하되는 것을 방지하기 위하여 표시 영역(DA) 외측에 더미 화소(DX)를 포함하는 더미 영역(DMA)을 배치할 수 있다. 따라서, 더미 영역(DMA)에는 실질적으로 발광이 이뤄지지 않을 수 있고, 차광 부재 및 컬러 필터가 배치되지 않을 수 있다.

본 실시예에 따른 표시 장치(1_3)는 비표시 영역(NDA)에 배치되며, 얼라인 키(AK)가 배치되는 제2 트렌치(TR2_3)를 포함할 수 있다. 제2 트렌치(TR2_3 )의 내부에는 얼라인 키(AK)와 중첩하도록 제3 스페이서(CS3_3)가 배치될 수 있다. 제3 스페이서(CS3_3)는 투명한 물질을 포함하여 표시 장치(1_3)의 전면에서 얼라인 키(AK)를 용이하게 시인할 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

1: 표시 장치
10: 제1 기판
20: 제2 기판
11: 제1 베이스 기판
21: 제2 베이스 기판
50: 실링 부재
70: 충진층
PXE: 화소 전극
PDL: 화소 정의막
CFL: 컬러 필터층
CME: 공통 전극
PTL: 격벽
TR1: 제1 트렌치
TR2: 제2 트렌치
TR3: 제3 트렌치
CS1: 제1 스페이서
CS2: 제2 스페이서
CS3: 제3 스페이서

Claims

제1 기판;
상기 제1 기판 상에 배치되는 제2 기판;
상기 제2 기판 상에 배치되는 제1 격벽 및 상기 제1 격벽보다 외측에 배치되는 제2 격벽;
상기 제1 격벽 내부에 배치되고 제1 폭을 갖는 제1 트렌치;
상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 사이에 배치되고 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 제2 트렌치;
상기 제2 트렌치에 중첩 배치되는 얼라인 키;
상기 얼라인 키 상에 배치되는 제1 스페이서; 및
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서 가장자리를 따라 배치되며, 상기 얼라인 키와 비중첩하는 실링 부재를 포함하되,
상기 제1 스페이서는 상기 제1 격벽, 상기 제2 격벽 및 상기 실링 부재와 부분적으로 중첩하는 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 얼라인 키는 상기 실링 부재의 내측에 배치되는 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 실링 부재는 상기 제1 격벽과 비중첩하는 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 트렌치에는 파장 제어 패턴이 배치되는 표시 장치.
제4 항에 있어서,
상기 제1 격벽의 일부 영역 상에 배치되는 제2 스페이서를 더 포함하는 표시 장치.
제5 항에 있어서,
상기 제1 스페이서 및 상기 제2 스페이서는 동일한 공정에 의해 형성되는 표시 장치.
제6 항에 있어서,
상기 제1 스페이서는 투명한 물질을 포함하는 표시 장치.
제4 항에 있어서,
상기 파장 제어 패턴은 파장 변환 물질 및 산란 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서, 상기 실링 부재의 내측에 배치되는 충진제를 더 포함하는 표시 장치.
제1 기판;
상기 제1 기판 상에 배치되는 제2 기판;
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서 상기 제1 기판의 가장 자리를 따라 배치되는 실링 부재;
상기 제2 기판 상에 배치되는 제1 격벽 및 상 제1 격벽을 둘러싸며 배치되는 제2 격벽;
상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 사이에 배치되며, 상기 실링 부재와 비중첩하는 얼라인 키;
상기 얼라인 키 상에 배치되며, 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽과 부분적으로 중첩하는 제1 스페이서를 포함하되,
상기 실링 부재는 상기 제1 스페이서 및 상기 제2 격벽에 걸쳐 배치되는 표시 장치.
제10 항에 있어서,
상기 제1 격벽의 일부 영역 상에 배치되는 제2 스페이서를 더 포함하는 표시 장치.
제11 항에 있어서,
상기 제1 스페이서 및 상기 제2 스페이서는 동일한 공정에 의해 형성되는 표시 장치.
제12 항에 있어서,
상기 제1 스페이서는 투명한 물질을 포함하는 표시 장치.
제10 항에 있어서,
상기 실링 부재는 상기 제1 격벽과 비중첩하는 표시 장치.
제10 항에 있어서,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서, 상기 실링 부재의 내측에 배치되는 충진제를 더 포함하는 표시 장치.
제10 항에 있어서,
상기 얼라인 키는 상기 실링 부재의 내측에 배치되는 표시 장치.
표시 영역, 상기 표시 영역을 둘러싸며 배치되는 더미 영역 및 상기 더미 영역을 둘러싸며 배치되는 실링 영역이 정의되는 제1 기판 및 제2 기판을 준비하는 단계;
상기 제2 기판의 상기 더미 영역에 제1 격벽을 형성하고, 상기 실링 영역에 제2 격벽을 형성하는 단계;
상기 제1 격벽의 외측면, 상기 제2 기판의 상면 및 상기 제2 격벽의 내측면에 의해 정의되는 트렌치에 제1 스페이서를 형성하는 단계;
상기 제2 기판의 가장 자리를 둘러싸며, 상기 제2 격벽 및 상기 제1 스페이서에 걸쳐 실링 부재를 배치하는 단계; 및
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 합착하는 단계를 포함하되,
상기 제1 스페이서는 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽과 부분적으로 중첩하는 표시 장치의 제조 방법.
제17 항에 있어서,
상기 트렌치에 제1 스페이서를 형성하는 단계 이전에 상기 트렌치에 얼라인 키를 배치하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
제17 항에 있어서,
상기 트렌치에 상기 제1 스페이서를 형성하는 단계는 적어도 하나의 상기 제1 격벽의 상면에 제2 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
제19 항에 있어서,
상기 제1 스페이서 및 상기 제2 스페이서는 동일한 공정에 의해 형성되는 표시 장치의 제조 방법.