JP2016219362A - 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高い表示品質を維持することができる有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】基材１１と、基材１１の上に設けられた有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０を覆うと共に、陰極保護層３４ａ、有機緩衝層３４ｂ、及びガスバリア層３４ｃを有する封止層３４と、封止層３４の上に設けられたカラーフィルター３６と、カラーフィルター３６及び封止層３４の上に充填剤５１を介して設けられた対向基板４１と、を備え、対向基板４１は、平面視で有機緩衝層３４ｂの形成領域よりも広い形成領域が掘り込まれた掘り込み部４１ａを有する。【選択図】図４

Description

本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器に関する。

上記有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、陽極（画素電極）と陰極（対向電極）との間に有機発光材料からなる発光層（機能層）が挟持された発光素子を有している。有機ＥＬ装置は、例えば、特許文献１に記載のように、基板側から発光層、陰極、陰極保護層（第１無機封止層）、有機緩衝層（有機層）、ガスバリア層（第２無機封止層）の順に配置されている。

上記有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に陰極まで形成し、陰極の上に陰極保護層、有機緩衝層、及びガスバリア層（及びカラーフィルター）を順に形成する。次に、ガスバリア層まで形成した素子基板と、ガラス基板などからなる保護基板とを、充填剤を介して貼り合わせることにより有機ＥＬ装置が完成する。

素子基板と保護基板とを貼り合せる際に、例えば、基板（ガラス）の破片などの異物が挟まった場合、異物が表示領域にあれば異物によって乱反射するなど表示不良が発生する。また、異物によって封止層にダメージが加わると、ダメージを受けた部分から水分が侵入して陰極が劣化する。この場合、ダークスポットとなるため、外観検査によって良品と不良品とを分別することができる。

特開２０１５−１１８５６号公報

しかしながら、非表示領域において、素子基板と保護基板との間に異物を挟み込んだ場合、封止層にダメージが加わり封止層から水分が侵入するものの、表示領域のようにダークスポットとして不良が目視できないため、初期不良としての外観検査ができない。よって、ある程度、陰極などの劣化が進んでから（時間が経過してから）でないと、不良が発見できないという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板の上に設けられた有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を覆うと共に、第１無機封止層、有機封止層、及び第２無機封止層を有する封止層と、前記封止層の上に設けられたカラーフィルターと、前記カラーフィルター及び前記封止層の上に充填剤を介して設けられた保護部材と、を備え、前記保護部材は、平面視で前記有機封止層の形成領域よりも広い形成領域が掘り込まれた掘り込み部を有することを特徴とする。

本適用例によれば、保護部材が掘り込み部を有するので、充填剤を介して基板と保護部材とを貼り合わせた際に異物が付着していた場合（挟み込んだ場合）でも、異物を掘り込み部の中に逃がすことが可能となる。よって、例えば、掘り込み部が無い場合のように、貼り合わせた際に異物を封止層の側に押して封止層にダメージを与えることを防ぐことができる。これにより、封止層から水分が侵入して、表示品質が劣化することを抑えることができる。また、非表示領域のように、初期不良として検査できないような場合でも、封止層にダメージを与えないので、時間が経過した場合でも、後から表示不良になることを防ぐことができる。

［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記充填剤は、前記封止層及び前記カラーフィルターを覆う第１充填剤と、前記掘り込み部の中に充填された第２充填剤と、を含み、前記第２充填剤の硬さは、前記第１充填剤の硬さより柔らかいことが好ましい。

本適用例によれば、掘り込み部の中に充填された第２充填剤の硬さが第１充填剤より柔らかいので、基板と保護部材とを貼り合わせた際、挟み込んだ異物を第２充填剤の側に食い込ませることが可能となる。よって、掘り込み部の中に異物を逃がすことが可能となり、封止層にダメージを与えることを防ぐことができる。

［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第２充填剤は、弾性体であることが好ましい。

本適用例によれば、第２充填剤が弾性体であるので、例えば、掘り込み部の中に弾性体を嵌め込むことで異物を食い込ませることが可能となり、非表示領域にある異物が表示領域に移動することを防ぐことができる。

［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記掘り込み部の深さは、５０μｍ〜５００μｍであることが好ましい。

本適用例によれば、掘り込み部の深さを上記のように設定するので、基板と保護部材とを貼り合わせた場合に異物を挟み込んだ場合でも、掘り込み部の深さが異物の大きさより深いので、掘り込み部の中に異物を収容することができる。

［適用例５］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子の上に第１無機封止層を形成する工程と、前記第１無機封止層の上に有機封止層を形成する工程と、前記有機封止層の上に第２無機封止層を形成する工程と、前記第２無機封止層の上にカラーフィルターを形成する工程と、前記カラーフィルターの上に充填剤を介して、平面視で前記有機封止層の形成領域よりも広い形成領域が掘り込まれた掘り込み部を有する保護部材を貼り合せる工程と、を有することを特徴とする。

本適用例によれば、掘り込み部を有する保護部材と基板とを貼り合わせるので、充填剤を介して貼り合わせた際に異物が付着していた場合（挟み込んだ場合）でも、異物を掘り込み部の中に逃がすことが可能となる。よって、例えば、掘り込み部が無い場合のように、貼り合わせた際に異物を封止層の側に押して封止層にダメージを与えることを防ぐことができる。これにより、封止層から水分が侵入して、表示品質が劣化することを抑えることができる。また、非表示領域のように、初期不良として検査できないような場合でも、封止層にダメージを与えないので、時間が経過した場合でも、後から表示不良になることを防ぐことができる。

［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記貼り合せる工程は、前記カラーフィルターの上に第１充填剤を供給する工程と、前記掘り込み部の中に第２充填剤を供給する工程と、前記カラーフィルターが形成された前記基板と前記保護部材とを貼り合せる工程と、を有することが好ましい。

本適用例によれば、掘り込み部の中に予め第２充填剤を供給（充填）してから基板と保護部材とを貼り合わせるので、掘り込み部の中に気泡が発生することを抑えることができる。

［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えるので、表示品質の劣化を抑え、高い表示品質を維持することが可能な電子機器を提供することができる。

本実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 有機ＥＬ装置の全体を対向基板側から見た概略平面図。 図３に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図。 電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載され、特別な記載がなければ、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を含んでいるものとする。

＜有機ＥＬ装置＞
まず、本実施形態の有機ＥＬ装置について、図１〜図４を参照して説明する。図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。図３は、有機ＥＬ装置の全体を対向基板側から見た概略平面図である。図４は、図３に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。

図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、複数のデータ線１３のそれぞれに対して並列する複数の電源線１４とを有している。複数の走査線１２が接続される走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを有している。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマトリックス状に配置された複数のサブ画素１８を有している。

サブ画素１８は、発光素子としての有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。

有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、共通電極としての対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられた有機発光層としての機能層３２とを有している。このような有機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。なお、詳しくは後述するが、対向電極３３は複数のサブ画素１８に亘る共通陰極として形成されている。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。

駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。

走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。

該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、機能層３２を流れる電流量に応じて発光する。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０を有している。素子基板１０には、表示領域Ｅ０（図中、一点鎖線で表示）と、表示領域Ｅ０の外側に非表示領域Ｅ３とが設けられている。表示領域Ｅ０は、実表示領域Ｅ１（図中、二点鎖線で表示）と、実表示領域Ｅ１を囲むダミー領域Ｅ２とを有している。

実表示領域Ｅ１には、発光画素としてのサブ画素１８がマトリックス状に配置されている。サブ画素１８は、前述したように有機ＥＬ素子３０を備えており、スイッチング用トランジスター２１及び駆動用トランジスター２３の動作に伴って、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のうちいずれかの色の発光が得られる構成となっている。

本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に配列し、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に対して交差（直交）する第２の方向に配列した、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置となっている。以降、上記第１の方向をＹ方向とし、上記第２の方向をＸ方向として説明する。なお、素子基板１０におけるサブ画素１８の配置はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。

ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において実表示領域Ｅ１を挟んだ位置にＹ方向に延在して一対の走査線駆動回路１６が設けられている。一対の走査線駆動回路１６の間で実表示領域Ｅ１に沿った位置に検査回路１７が設けられている。

素子基板１０のＸ方向に平行な一辺部（図中の下方の辺部）に、外部駆動回路との電気的な接続を図るためのフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）４３が接続されている。ＦＰＣ４３には、ＦＰＣ４３の配線を介して素子基板１０側の周辺回路と接続される駆動用ＩＣ４４が実装されている。駆動用ＩＣ４４は前述したデータ線駆動回路１５を含むものであり、素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、ＦＰＣ４３を介して駆動用ＩＣ４４に電気的に接続されている。

表示領域Ｅ０と素子基板１０の外縁との間、つまり非表示領域Ｅ３には、例えば各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０の対向電極３３に電位を与えるための配線２９などが形成されている。配線２９は、ＦＰＣ４３が接続される素子基板１０の辺部を除いて、表示領域Ｅ０を囲むように素子基板１０に設けられている。

次に、有機ＥＬ装置の構造について、図３及び図４を参照して説明する。本実施形態における有機ＥＬ装置は、いわゆる「トップエミッション構造」の有機ＥＬ装置である。

図３及び図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と対向基板４１（保護部材）とが、充填剤５１を介して対向するように配置されている。

具体的には、素子基板１０を構成する基板としての基材１１上に、配線や駆動用トランジスター２３（図１参照）などが設けられ、その上に画素電極３１が設けられている。更に、画素電極３１上に有機発光層などを有する機能層３２が設けられている。機能層３２は、陰極として機能する対向電極３３によって覆われている。

なお、画素電極３１と対向電極３３とによって機能層３２が挟持された部分が有機ＥＬ素子３０となる。

対向電極３３の上には、対向電極３３及び基材１１の上の全体に亘って、封止層３４が形成されている。封止層３４の上には、平面視で機能層３２の領域と略重なるようにカラーフィルター３６が形成されている。なお、平面視とは、基材１１の表面に対して垂直方向から有機ＥＬ装置１００を見た場合をいう。カラーフィルター３６上には、充填剤５１（第１充填剤５１ａ、第２充填剤５１ｂ）が設けられている。充填剤５１の上には、対向基板４１が配置されている。

基材１１は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型のため、ガラスなどの透明基板や、シリコンやセラミックスなどの不透明な基板を用いることができる。

基材１１上に形成された配線や駆動用トランジスター２３は、絶縁層２６によって覆われている。絶縁層２６には、図示しないコンタクトホールが形成され、画素電極３１が駆動用トランジスター２３に電気的に接続されている。絶縁層２６の上には、アルミ合金等からなる反射層２５が内装された平坦化絶縁層２７が形成されている。

機能層３２からの発光は、反射層２５で反射されると共に、カラーフィルター３６を透過して対向基板４１側から取り出される。

平坦化絶縁層２７上には、画素電極３１と機能層３２と対向電極３３とによって構成された有機ＥＬ素子３０が形成されている。また、この有機ＥＬ素子３０を区分するように絶縁性の画素隔壁２８が配置されている。

画素電極３１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜を用いて形成される。なお、サブ画素１８ごとに反射層２５を設けない場合は、画素電極３１を、光反射性を有するアルミニムやその合金を用いて形成してもよい。

機能層３２は、各画素電極３１に接するように、真空蒸着法やイオンプレーティング法などの気相プロセスを用いて形成される。

機能層３２は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を有する。本実施形態では、画素電極３１に対して、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を、それぞれ気相プロセスを用いて成膜し、順に積層することによって機能層３２が形成されている。なお、機能層３２の層構成は、これに限定されず、キャリアである正孔や電子の移動を制御する中間層を含んでいてもよい。

有機発光層は、白色発光が得られる構成であればよく、例えば、赤色の発光が得られる有機発光層と、緑色の発光が得られる有機発光層と、青色の発光が得られる有機発光層とを組み合わせた構成を採用することができる。

機能層３２を覆って対向電極３３が形成される。対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金を光透過性と光反射性とが得られる程度の膜厚で成膜することによって形成される。これによって、複数の有機ＥＬ素子３０が出来上がる。

なお、対向電極３３を光透過性と光反射性とを有する状態に形成することによって、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとの反射層２５と対向電極３３との間で光共振器を構成してもよい。

次に、水や酸素などが浸入しないように複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４が形成される。本実施形態の封止層３４は、対向電極３３側から順に、陰極保護層３４ａ（第１無機封止層）、有機緩衝層３４ｂ（有機封止層）、及びガスバリア層３４ｃ（第２無機封止層）が積層されたものである。

この陰極保護層３４ａは、光透過性を有すると共に優れたガスバリア性を有するシリコン系の材料、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などを用いることが好ましい。なお、ＳｉＯ₂を用いるようにしてもよい。また、陰極保護層３４ａの膜厚は、例えば、２００ｎｍ程度である。

陰極保護層３４ａの上には、有機緩衝層３４ｂが設けられている。有機緩衝層３４ｂは、画素隔壁２８などの形状の影響により、凹凸状に形成された陰極保護層３４ａの凹凸部分を埋めるように配置され、さらに、その上面は略平坦に形成される。有機緩衝層３４ｂは、素子基板１０の反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、不安定な形状の画素隔壁２８からの陰極保護層３４ａの剥離を防止する機能を有する。

また、有機緩衝層３４ｂの上面が略平坦化されるので、有機緩衝層３４ｂ上に形成される硬い被膜からなるガスバリア層３４ｃも平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、ガスバリア層３４ｃでのクラックの発生を防止する。さらに、画素隔壁２８を被覆して凹凸が埋められることで、ガスバリア層３４ｃ上に形成されるブラックマトリクス３６ａや着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの膜厚均一性を向上させることにも有効である。

有機緩衝層３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成することができる。また、有機緩衝層３４ｂをスクリーン印刷法により塗布形成すれば、有機緩衝層３４ｂの表面を平坦化することができる。つまり、有機緩衝層３４ｂは、陰極保護層３４ａの表面の凹凸を緩和する平坦化層としても機能させることができる。有機緩衝層３４ｂの厚みは、２μｍ程度である。

有機緩衝層３４ｂの端部は、平面視で、機能層３２の端部より外側、かつ、陰極保護層３４ａ及びガスバリア層３４ｃの端部より内側になるように形成されている。カラーフィルター３６の端部は、平面視で、機能層３２の端部より外側、かつ、ガスバリア層３４ｃの端部より内側になるように形成されている。

ガスバリア層３４ｃは、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による有機ＥＬ素子３０の劣化等を抑えることができる。ガスバリア層３４ｃとしては、光透過性を有すると共に優れたガスバリア性を有するシリコン系の材料、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などを用いることが好ましい。

ガスバリア層３４ｃの上には、カラーフィルター３６が形成されている。具体的には、カラーフィルター３６を構成する各色着色層３６（赤色着色層３６Ｒ、緑色着色層３６Ｇ、青色着色層３６Ｂ）と、各色着色層の間にブラックマトリクス３６ａとが形成されている。

ブラックマトリクス３６ａは、例えば、カーボンブラック等の顔料が混入された樹脂からなる遮光層であり、適切な色変換を行うため、前述した各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの隣接する画素領域間の光漏れを防止するものである。ブラックマトリクス３６ａに代えて、透明樹脂を配置してもよい。

カラーフィルター３６の上には、充填剤５１を介して、掘り込み部４１ａを有する対向基板４１が配置されている。対向基板４１は、例えば、ガラスなどの透明基板からなる。掘り込み部４１ａは、対向基板４１において他の部位の厚さに比して薄い部位である。掘り込み部４１ａは、素子基板１０と対向基板４１とを貼り合わせた際に存在する異物６１を逃がすための隙間である。掘り込み部４１ａの深さは、異物６１の大きさより深いものであればよく、例えば、５０μｍ〜５００μｍ程度である。

充填剤５１としては、例えば、透明樹脂材料などからなる。透明樹脂材料としては、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂材料を挙げることができる。

なお、充填剤５１は、素子基板１０のカラーフィルター３６、ガスバリア層３４ｃ、及び絶縁層２６を覆うように形成された第１充填剤５１ａと、主に対向基板４１の掘り込み部４１ａの中に形成された第２充填剤５１ｂと、によって構成されている。第１充填剤５１ａ及び第２充填剤５１ｂは、同じ材料である。

なお、対向基板４１の掘り込み部４１ａの中に異物６１（図８（ｃ）参照）を収容させることを考えると、第１充填剤５１ａより第２充填剤５１ｂの粘度が柔らかい材料であることが好ましい。

また、図３に示すように、平面視の対向基板４１の掘り込み部４１ａの大きさは、有機緩衝層３４ｂ（封止層３４）の端部より大きいことが望ましい。このようにすることにより、非表示領域Ｅ３に存在する異物６１を、掘り込み部４１ａの中に収容することが可能となり、封止層３４に異物６１が接触することによる封止層３４にダメージが加わることを防ぐことができる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、図５〜図８を参照して説明する。図５は、有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。図６〜図８は、有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図である。

図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、封止層形成工程（ステップＳ１１）と、カラーフィルター形成工程（ステップＳ１２）と、第２充填剤滴下工程（ステップＳ１３）と、第１充填剤塗布工程（ステップＳ１４）と、基板貼り合わせ工程（ステップＳ１５）とを備えている。

なお、基材１１上に駆動用トランジスター２３や有機ＥＬ素子３０などを形成する方法は、公知の方法を採用することができる。以降、本発明の特徴部分の製造方法を中心に説明する。

まず、図５に示すように、ステップＳ１１では、対向電極３３を覆うように封止層３４を形成する。具体的には、まず、図６（ａ）に示すように、対向電極３３まで形成された基材１１上に、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などからなる陰極保護層３４ａを形成する。陰極保護層３４ａの形成方法としては、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などが挙げられる。陰極保護層３４ａの膜厚は、例えば、２００ｎｍ程度である。

次に、図６（ｂ）に示すように、有機緩衝層３４ｂを形成する。具体的には、例えば、スクリーン印刷法を用いて、陰極保護層３４ａの上に有機緩衝層３４ｂを形成する。有機緩衝層３４ｂは、例えば、エポキシ樹脂である。有機緩衝層３４ｂの膜厚は、例えば、２μｍ程度である。

次に、図６（ｃ）に示すように、ガスバリア層３４ｃを形成する。具体的には、有機緩衝層３４ｂの上に、例えば、真空蒸着法やスパッタ法を用いてガスバリア層３４ｃを形成する。ガスバリア層３４ｃの材料は、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）である。ガスバリア層３４ｃの膜厚は、例えば、およそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。

なお、陰極保護層３４ａ及びガスバリア層３４ｃの膜厚を厚くすることで高いガスバリア性を実現できるが、その一方で膨張や収縮によってクラックが生じ易い。したがって、２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度の膜厚に制御することが好ましい。

ステップＳ１２では、カラーフィルター３６を形成する。具体的には、図７（ｄ）に示すように、まず、ガスバリア層３４ｃの上に、ブラックマトリクス３６ａを形成する。ブラックマトリクス３６ａの製造方法としては、大気雰囲気下でブラックマトリクス３６ａの材料液を、例えば、インクジェット法によりガスバリア層３４ｃの表面に塗布していく。次に、ブラックマトリクス３６ａの材料液を、乾燥硬化させる。

次に、図７（ｅ）に示すように、ブラックマトリクス３６ａが形成された素子基板１０に、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを形成する。具体的には、大気雰囲気下でガスバリア層３４ｃの表面のブラックマトリクス３６ａが形成された領域の間に各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの材料液をインクジェット法により塗布していく。次に、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの材料液が塗布された素子基板１０を乾燥硬化させることで、各色のサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに対応した着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが形成されたカラーフィルター３６が完成する。

ステップＳ１３では、第２充填剤５１ｂ１を滴下する。具体的には、図８（ａ）に示すように、対向基板４１の掘り込み部４１ａの中に、第２充填剤５１ｂとなる前の第２充填剤５１ｂ１（液体）を滴下する。第２充填剤５１ｂの材料としては、上記したように、例えば、ウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂材料である。

ステップＳ１４では、第１充填剤５１ａを塗布する。具体的には、図８（ｂ）に示すように、基材１１上の全体に亘って第１充填剤５１ａを塗布する。第１充填剤５１ａの膜厚は、例えば、５μｍ〜２０μｍ程度である。

ステップＳ１５では、素子基板１０と対向基板４１とを貼り合わせる。具体的には、図８（ｃ）に示すように、第１充填剤５１ａで覆われた素子基板１０と、乾燥などにより仮硬化した状態の第２充填剤５１ｂ１を備える対向基板４１とを貼り合わせる。

このとき、例えば、素子基板１０や対向基板４１に異物６１が付着していた場合でも、対向基板４１に掘り込み部４１ａを有し、掘り込み部４１ａの中に硬化する前の第２充填剤５１ｂ１が充填されているので、貼り合わせた際、異物６１を掘り込み部４１ａの中に収容させることができる（異物６１を掘り込み部４１ａの中に逃がすことができる）。また、収容した異物６１は、第２充填剤５１ｂ１の中に食い込むので、表示領域に移動することがない。その結果、封止層３４に異物６１が接触することによる封止層３４にダメージが加わることを防ぐことができる。

また、対向基板４１の掘り込み部４１ａの中に、予め第２充填剤５１ｂを充填させておくことにより、掘り込み部４１ａの中に気泡が発生することを抑えることができる。

対向基板４１と基材１１との間に隙間はあってもよく、例えば、数十μｍ程度である。

次に、貼り合わせた素子基板１０と対向基板４１とを硬化させる。具体的には、貼り合わせた有機ＥＬ装置１００を大気中で加熱する。以上により、有機ＥＬ装置１００が完成する。

＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について、図９を参照して説明する。図９は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）の構成を示す概略図である。

図９に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、上記有機ＥＬ装置１００を備えたものであり、眼鏡のような形状を有する本体部１１５と、使用者の手で持つことが可能な程度の大きさを有する制御部２００と、を備える。

本体部１１５と制御部２００とは、有線または無線で、通信可能に接続される。本実施形態では、本体部１１５と制御部２００とがケーブル３００で通信可能に接続されている。そして、本体部１１５と制御部２００とは、このケーブル３００を介して、画像信号や制御信号を通信する。

本体部１１５は、右目用表示部１１５Ａと、左目用表示部１１５Ｂとを備えている。右目用表示部１１５Ａは、右目用画像の画像光を形成する画像形成部１２０Ａを備える。左目用表示部１１５Ｂは、左目用画像の画像光を形成する画像形成部１２０Ｂを備える。

画像形成部１２０Ａは、眼鏡型の本体部１１５において眼鏡のつる部分（右側）に収容されている。一方、画像形成部１２０Ｂは、眼鏡型の本体部１１５において眼鏡のつる部分（左側）に収容されている。

本体部１１５には、光透過性を有する視認部１３１Ａが設けられている。視認部１３１Ａは、右目用画像の画像光を使用者の右目に向けて射出する。また、ヘッドマウントディスプレイ１０００においては、視認部１３１Ａが光透過性を有し、視認部１３１Ａを介して周囲を視認可能となっている。

また、本体部１１５には、光透過性を有する視認部１３１Ｂが設けられている。視認部１３１Ｂは、左目用画像の画像光を使用者の左目に向けて射出する。また、ヘッドマウントディスプレイ１０００においては、視認部１３１Ｂが光透過性を有し、視認部１３１Ｂを介して周囲を視認可能となっている。

制御部２００は、操作部２１０と、操作ボタン部２２０、を備える。使用者は、制御部２００の操作部２１０や操作ボタン部２２０に対して操作入力を行い、本体部１１５に対する指示を行う。

このような電子機器によれば、上記有機ＥＬ装置１００を備えているので、信頼性の高い電子機器を提供することができる。

なお、上記有機ＥＬ装置１００が搭載される電子機器としては、ヘッドマウントディスプレイ１０００の他、例えば、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、プロジェクター、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００、有機ＥＬ装置１００の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）本実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、対向基板４１が掘り込み部４１ａを有するので、充填剤５１（第１充填剤５１ａ、第２充填剤５１ｂ）を介して素子基板１０と対向基板４１とを貼り合わせた際に異物６１が付着していた場合（挟み込んだ場合）でも、異物６１を掘り込み部４１ａの中に逃がすことが可能となる。よって、例えば、掘り込み部４１ａが無い場合のように、貼り合わせた際に異物６１を封止層３４の側に押して封止層３４にダメージを与えることを防ぐことができる。これにより、封止層３４から水分が侵入して、表示品質が劣化することを抑えることができる。また、非表示領域Ｅ３のように、初期不良として検査できないような場合でも、封止層３４にダメージを与えないので、時間が経過した場合でも、後から表示不良になることを防ぐことができる。

（２）本実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、掘り込み部４１ａの中に充填された第２充填剤５１ｂの硬さが第１充填剤５１ａより柔らかいので、素子基板１０と対向基板４１とを貼り合わせた際、挟み込んだ異物６１をより第２充填剤５１ｂの側に食い込ませることが可能となる。よって、掘り込み部４１ａの中に異物６１を逃がすことが可能となり、封止層３４にダメージを与えることを防ぐことができる。

（３）本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、掘り込み部４１ａの中に予め第２充填剤５１ｂを供給（充填）してから素子基板１０と対向基板４１とを貼り合わせるので、掘り込み部４１ａの中に気泡が発生することを抑えることができる。

（４）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の有機ＥＬ装置１００を備えるので、表示品質の劣化を抑え、高い表示品質を維持することが可能なヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、第１充填剤５１ａと第２充填剤５１ｂとは、同じ材料であることに限定されず、上記したように類似した粘度の材料を用いるようにしてもよいし、同様の透過率の材料を用いるようにしてもよい。

（変形例２）
上記したように、第２充填剤５１ｂは、掘り込み部４１ａの中に樹脂材料を滴下及び硬化して形成することに限定されず、例えば、掘り込み部４１ａの中に弾性体を嵌め込んでから貼り合わせるようにしてもよい。これによれば、異物６１を弾性体に食い込ませることが可能となり、非表示領域Ｅ３にある異物６１が表示領域Ｅ０に移動することを防ぐことができる。

１０…素子基板、１１…基板としての基材、１２…走査線、１３…データ線、１４…電源線、１５…データ線駆動回路、１６…走査線駆動回路、１７…検査回路、１８，１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ…サブ画素、２０…画素回路、２１…スイッチング用トランジスター、２２…蓄積容量、２３…駆動用トランジスター、２５…反射層、２６…絶縁層、２７…平坦化絶縁層、２８…画素隔壁、２９…配線、３０…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…機能層、３３…対向電極、３４…封止層、３４ａ…第１無機封止層としての陰極保護層、３４ｂ…有機封止層としての有機緩衝層、３４ｃ…第２無機封止層としてのガスバリア層、３６…カラーフィルター、３６Ｂ…青色着色層、３６Ｇ…緑色着色層、３６Ｒ…赤色着色層、３６ａ…ブラックマトリクス、４１…保護部材としての対向基板、４１ａ…掘り込み部、４３…フレキシブル回路基板（ＦＰＣ）、４４…駆動用ＩＣ、５１…充填剤、５１ａ…第１充填剤、５１ｂ…第２充填剤、６１…異物、１００…有機ＥＬ装置、１１５…本体部、１１５Ａ…右目用表示部、１１５Ｂ…左目用表示部、１２０Ａ…画像形成部、１２０Ｂ…画像形成部、１３１Ａ…視認部、１３１Ｂ…視認部、２００…制御部、２１０…操作部、２２０…操作ボタン部、３００…ケーブル、１０００…ヘッドマウントディスプレイ。

Claims (7)

1. 基板と、
   前記基板の上に設けられた有機ＥＬ素子と、
   前記有機ＥＬ素子を覆うと共に、第１無機封止層、有機封止層、及び第２無機封止層を有する封止層と、
   前記封止層の上に設けられたカラーフィルターと、
   前記カラーフィルター及び前記封止層の上に充填剤を介して設けられた保護部材と、
   を備え、
   前記保護部材は、平面視で前記有機封止層の形成領域よりも広い形成領域が掘り込まれた掘り込み部を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記充填剤は、前記封止層及び前記カラーフィルターを覆う第１充填剤と、前記掘り込み部の中に充填された第２充填剤と、を含み、
   前記第２充填剤の硬さは、前記第１充填剤の硬さより柔らかいことを特徴とする有機ＥＬ装置。
3. 請求項２に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第２充填剤は、弾性体であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記掘り込み部の深さは、５０μｍ〜５００μｍであることを特徴とする有機ＥＬ装置。
5. 基板上に有機ＥＬ素子を形成する工程と、
   前記有機ＥＬ素子の上に第１無機封止層を形成する工程と、
   前記第１無機封止層の上に有機封止層を形成する工程と、
   前記有機封止層の上に第２無機封止層を形成する工程と、
   前記第２無機封止層の上にカラーフィルターを形成する工程と、
   前記カラーフィルターの上に充填剤を介して、平面視で前記有機封止層の形成領域よりも広い形成領域が掘り込まれた掘り込み部を有する保護部材を貼り合せる工程と、
   を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記貼り合せる工程は、前記カラーフィルターの上に第１充填剤を供給する工程と、前記掘り込み部の中に第２充填剤を供給する工程と、前記カラーフィルターが形成された前記基板と前記保護部材とを貼り合せる工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
7. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。

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