JP7483101B1 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置及び表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7483101B1 JP7483101B1 JP2023096706A JP2023096706A JP7483101B1 JP 7483101 B1 JP7483101 B1 JP 7483101B1 JP 2023096706 A JP2023096706 A JP 2023096706A JP 2023096706 A JP2023096706 A JP 2023096706A JP 7483101 B1 JP7483101 B1 JP 7483101B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- align
- patterns
- alignment
- grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 230
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 223
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 61
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 15
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 11
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 30
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 16
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 12
- -1 for example Substances 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の一実施例に係る表示装置は、表示領域及び非表示領域を含む基板、基板上に配置され、一部分が基板の外側に突出した有機絶縁層、非表示領域で基板と有機絶縁層との間に配置された複数のアラインパターン、及び基板の外側に突出した有機絶縁層の一部分の下面に配置された複数のアライン溝を含む。【効果】従って、本発明は、基板のエッジに隣接するように配置された複数のアラインパターンから基板のエッジの位置を容易に検出することができる。【選択図】図１
Description
本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関し、より詳細には、食刻された基板の状態を容易にモニタリングできる表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
コンピュータのモニタやＴＶ、携帯電話等に使用される表示装置には、自ら光を発光する有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＯＬＥＤ）等と、別途の光源を要する液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）等がある。
表示装置は、コンピュータのモニタ及びＴＶだけではなく、個人携帯機器までその適用範囲が多様になっており、広い表示面積を有しながらも減少した体積及び重さを有する表示装置についての研究が進行している。
一方、表示装置は、最初から表示装置と対応する基板上に製造工程を進行せず、マザー基板上に製造工程を進行した後、マザー基板をレーザまたはホイールを利用して物理的な方式で複数個に切断することで複数の表示装置を形成することができる。ただし、マザー基板がガラスからなる場合、切断面に微細クラックやガラス破片等が発生して切断面を滑らかに加工する別途のグラインディング工程が必要である。
本発明が解決しようとする課題は、食刻された基板のエッジの位置を容易にモニタリングできる表示装置及び表示装置の製造方法を提供することである。
本発明が解決しようとする他の課題は、マザー基板の食刻範囲を肉眼で簡単にモニタリングできる表示装置及び表示装置の製造方法を提供することである。
本発明が解決しようとする他の課題は、基板を多様な形状に食刻可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することである。
本発明が解決しようとする他の課題は、剛性が向上した基板を含む表示装置及び表示装置の製造方法を提供することである。
本発明の課題は、以上において言及した課題に制限されず、言及されていない他の課題は、下記の記載から当業者に明確に理解され得るだろう。
前述したような課題を解決するために、本発明の一実施例に係る表示装置は、表示領域及び非表示領域を含む基板、基板上に配置され、一部分が基板の外側に突出した部分を有する有機絶縁層、非表示領域で基板と有機絶縁層との間に配置された複数のアラインパターン、及び有機絶縁層の一部分の下面に配置され、前記基板の外側に突出した複数のアライン溝を含む。従って、本発明は、基板のエッジに隣接するように配置された複数のアラインパターンから基板のエッジの位置を容易に検出することができる。
本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法は、マザー基板上でスクライビングラインに隣接するように複数のアラインパターンを形成するステップ、複数のアラインパターンを覆う有機絶縁層を形成するステップ、及びスクライビングラインに沿ってマザー基板を食刻液で食刻するステップを含み、マザー基板を食刻するステップは、マザー基板と複数のアラインパターンのうち一部を共に食刻するステップである。従って、本発明は、マザー基板の食刻工程後、食刻されずに残っているアラインパターンからマザー基板の食刻範囲をモニタリングすることができる。
その他の実施例の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
本発明は、基板のエッジの位置を肉眼で容易にモニタリングすることができる。
本発明は、マザー基板の食刻範囲をモニタリングしてマザー基板から複数の表示装置を容易に形成することができる。
本発明は、基板を化学的な方式で食刻することで基板の切断面で微細クラックや破片を最小化し、基板の剛性を向上させることができる。
本発明は、基板を多様な形状に容易に形成することができる。
本発明に係る効果は、以上において例示された内容により制限されず、さらに多様な効果が本発明内に含まれている。
本発明の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると、明確になるだろう。しかし、本発明は、以下において開示される実施例に制限されるものではなく、互いに異なる多様な形状に具現され、単に、本実施例は、本発明の開示が完全なものとなるようにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。
本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、面積、比率、角度、個数等は、例示的なものであるので、本発明は、図示された事項に制限されるものではない。明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。
また、本発明を説明するにあたって、関連した公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に濁す恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本発明上において言及された「含む」、「有する」、「なされる」等が使用される場合、「～だけ」が使用されない以上、他の部分が加えられ得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
構成要素を解釈するにあたって、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。
位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」等と二部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない以上、二部分の間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。
素子または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称されるものは、他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子を介在した場合をいずれも含む。
また、第１、第２等が多様な構成要素を述べるために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語により制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。従って、以下において言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。
明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。
図面で示された各構成の面積及び厚さは、説明の便宜のために示されたものであり、本発明は、示された構成の面積及び厚さに必ずしも限定されるものではない。
本発明の様々な実施例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立して実施可能であってもよく、関連関係で共に実施してもよい。
以下においては、添付の図面を参照して、本発明の多様な実施例を詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例に係る表示装置の平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’に沿った断面図である。図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ’に沿った断面図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、基板１１０、第１バッファ層１１１、第１ゲート絶縁層１１２、第１層間絶縁層１１３、第２バッファ層１１４、第２ゲート絶縁層１１５、第２層間絶縁層１１６、第１平坦化層１１７、第２平坦化層１１８、バンク１１９、スペーサー層ＳＰＣＬ、スペーサーＳＰＣ、第１トランジスタ１２０、第２トランジスタ１３０、ストレージキャパシタ１４０、連結電極１５０、補助電極１６０、発光素子１７０、パッド電極ＰＥ、封止層１８０、サイドコーティング層１９０、偏光板ＰＯＬ、アラインパターンＡＰ及びアライン溝ＡＧを含む。
まず、図１を参照すると、基板１１０は、表示装置１００に含まれた多様な構成要素を支持するための構成であり、絶縁物質からなり得る。例えば、基板１１０は、ガラスからなり得る。
基板１１０は、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡを含む。
表示領域ＡＡは、表示装置１００で映像が表示される領域である。表示領域ＡＡには、複数の画素を構成する複数のサブ画素及び複数のサブ画素を駆動するための回路が配置され得る。複数のサブ画素は、表示領域ＡＡを構成する最小単位であり、複数のサブ画素それぞれに表示素子が配置され得る。例えば、複数のサブ画素それぞれには、表示素子としてアノード１７１、発光層１７２及びカソード１７３を含む発光素子１７０が配置され得るが、これに制限されない。また、複数のサブ画素を駆動するための回路には、駆動素子及び配線等が含まれ得る。例えば、回路は、トランジスタ、ストレージキャパシタ１４０、スキャン配線、データ配線等からなり得るが、これに制限されない。
非表示領域ＮＡは、映像が表示されない領域である。非表示領域ＮＡには、表示領域ＡＡの発光素子１７０を駆動するための多様な配線及び回路等が配置される。例えば、非表示領域ＮＡには、表示領域ＡＡの複数のサブ画素及び回路に信号を伝達するためのリンク配線またはゲートドライバＩＣ、データドライバＩＣのような駆動ＩＣ等が配置され得るが、これに制限されない。
非表示領域ＮＡに複数のパッド電極ＰＥが配置される。複数のパッド電極ＰＥは、フレキシブルフィルム及び印刷回路基板１１０のような駆動部品と電気的に連結され、表示領域ＡＡの複数のサブ画素に各種の信号を伝達できる。この場合、複数のパッド電極ＰＥは、複数のサブ画素と連結された各種の信号配線、例えば、スキャン配線やデータ配線等と電気的に連結され得る。図１においては、下側の非表示領域ＮＡに４個のパッド電極ＰＥが配置されたものと示したが、パッド電極ＰＥの個数と位置は、これに制限されない。
基板１１０を囲むサイドコーティング層１９０が配置される。サイドコーティング層１９０は、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅを覆うように配置され得る。サイドコーティング層１９０は、基板１１０から露出された表示装置１００の外郭部を覆うことができる。基板１１０の食刻過程で基板１１０の上部の有機絶縁層が基板１１０から露出され得、サイドコーティング層１９０は、基板１１０から露出された有機絶縁層を覆って表示装置１００の外郭部を保護し、表示装置１００の内部に水分や酸素が浸透することを最小化することができる。
図２を参照すると、基板１１０上に第１バッファ層１１１が配置される。第１バッファ層１１１は、基板１１０から水分または不純物の拡散を最小化することができる。第１バッファ層１１１は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。
第１バッファ層１１１上で複数のサブ画素それぞれに複数のトランジスタが配置される。複数のトランジスタは、第１トランジスタ１２０及び第２トランジスタ１３０を含む。
複数のトランジスタは、互いに異なるタイプのトランジスタからなり得る。例えば、複数のトランジスタのうち一つのトランジスタは、酸化物半導体をアクティブ層とするトランジスタであってよい。酸化物半導体物質は、オフ電流（ｏｆｆ－ｃｕｒｒｅｎｔ）が低いので、ターンオン（ｔｕｒｎ ｏｎ）時間が短く、ターンオフ（ｔｕｒｎ ｏｆｆ）時間を長く維持するスイッチングトランジスタに適している。
例えば、複数のトランジスタのうち他の一つのトランジスタは、低温ポリシリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ－Ｓｉｌｉｃｏｎ、ＬＴＰＳ）をアクティブ層とするトランジスタであってよい。ポリシリコン物質は、移動度が高くて、消費電力が低く信頼性に優れるので、駆動トランジスタに適し得る。
一方、複数のトランジスタは、ＮタイプのトランジスタまたはＰタイプのトランジスタであってよい。Ｎタイプのトランジスタは、キャリアが電子であるので、ソース電極からドレイン電極に電子が流れることができ、電流は、ドレイン電極からソース電極に流れることができる。Ｐタイプのトランジスタは、キャリアが正孔であるので、ソース電極からドレイン電極に正孔が流れることができ、電流は、ソース電極からドレイン電極に流れることができる。例えば、複数のトランジスタのうち一つのトランジスタは、Ｎタイプのトランジスタであってよく、複数のトランジスタのうち他の一つのトランジスタは、Ｐタイプのトランジスタであってよい。
まず、第１バッファ層１１１上に第１トランジスタ１２０が配置される。第１トランジスタ１２０は、第１アクティブ層１２１、第１ゲート電極１２２、第１ソース電極１２３及び第１ドレイン電極１２４を含む。
具体的に、第１バッファ層１１１上に第１アクティブ層１２１が配置される。第１アクティブ層１２１は、例えば、酸化物半導体、非晶質シリコンまたはポリシリコン等からなり得るが、これに制限されない。
第１アクティブ層１２１上に第１ゲート絶縁層１１２が配置される。第１ゲート絶縁層１１２は、第１アクティブ層１２１と第１ゲート電極１２２を絶縁させるための絶縁層であり、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。
第１ゲート絶縁層１１２上に第１ゲート電極１２２が配置される。第１ゲート電極１２２は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
第１ゲート電極１２２上に第１層間絶縁層１１３、第２バッファ層１１４、第２ゲート絶縁層１１５及び第２層間絶縁層１１６が配置される。
第１層間絶縁層１１３は、第１層間絶縁層１１３の下部の構成を保護するための絶縁層であり、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。
第１層間絶縁層１１３上に配置された第２バッファ層１１４は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。
第２バッファ層１１４上に第２ゲート絶縁層１１５が配置される。第２ゲート絶縁層１１５は、後述する第２トランジスタ１３０の第２アクティブ層１３１と第２ゲート電極１３２を絶縁させるための絶縁層である。第２ゲート絶縁層１１５は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。
第２ゲート絶縁層１１５上に第２層間絶縁層１１６が配置される。第２層間絶縁層１１６は、第２層間絶縁層１１６の下部の構成を保護するための絶縁層であり、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。
第２層間絶縁層１１６上に互いに離隔された第１ソース電極１２３及び第１ドレイン電極１２４が配置される。第１ソース電極１２３及び第１ドレイン電極１２４は、第２層間絶縁層１１６、第２ゲート絶縁層１１５、第２バッファ層１１４及び第１層間絶縁層１１３に形成されたコンタクトホールを通して第１アクティブ層１２１と電気的に連結され得る。第１ソース電極１２３及び第１ドレイン電極１２４は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金で構成され得るが、これに制限されるものではない。
次に、第２バッファ層１１４上に第２トランジスタ１３０が配置される。第２トランジスタ１３０は、第２アクティブ層１３１、第２ゲート電極１３２、第２ソース電極１３３及び第２ドレイン電極１３４を含む。
第２バッファ層１１４上に第２アクティブ層１３１が配置される。第２アクティブ層１３１は、例えば、酸化物半導体、非晶質シリコンまたはポリシリコン等からなり得るが、これに制限されない。
第２アクティブ層１３１上に第２ゲート絶縁層１１５が配置され、第２ゲート絶縁層１１５上に第２ゲート電極１３２が配置される。第２ゲート電極１３２は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
第２ゲート電極１３２上に第２層間絶縁層１１６が配置され、第２層間絶縁層１１６上に互いに離隔された第２ソース電極１３３及び第２ドレイン電極１３４が配置される。第２ソース電極１３３及び第２ドレイン電極１３４は、第２層間絶縁層１１６及び第２ゲート絶縁層１１５に形成されたコンタクトホールを通して第２アクティブ層１３１と電気的に連結され得る。第２ソース電極１３３及び第２ドレイン電極１３４は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
第１ゲート絶縁層１１２上にストレージキャパシタ１４０が配置される。ストレージキャパシタ１４０は、一定電圧を貯蔵して発光素子１７０が発光する間に駆動トランジスタのゲート電極の電圧レベルを一定に維持させることができ、発光素子１７０に一定の駆動電流が供給されるようにすることができる。ストレージキャパシタ１４０は、複数のキャパシタ電極を含む。ストレージキャパシタ１４０は、第１キャパシタ電極１４１及び第２キャパシタ電極１４２を含む。
まず、第１ゲート絶縁層１１２上に第１キャパシタ電極１４１が配置される。第１キャパシタ電極１４１は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
第１キャパシタ電極１４１上に第１層間絶縁層１１３が配置され、第１層間絶縁層１１３上に第１キャパシタ電極１４１に重畳する第２キャパシタ電極１４２が配置される。第２キャパシタ電極１４２は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
次に、第１トランジスタ１２０、第２トランジスタ１３０及びストレージキャパシタ１４０上に第１平坦化層１１７が配置される。第１平坦化層１１７は、複数のトランジスタ及びストレージキャパシタ１４０が配置された基板１１０の上部を平坦化できる。また、第１平坦化層１１７は、表示装置１００の前面に形成され、非表示領域ＮＡにまで配置され得る。第１平坦化層１１７は、単層または複層に構成され得、有機絶縁物質からなり得る。例えば、第１平坦化層１１７は、フォトレジストやアクリル（ａｃｒｙｌ）系有機物質からなり得るが、これに制限されない。
第２層間絶縁層１１６上に連結電極１５０が配置される。連結電極１５０は、ストレージキャパシタ１４０と第２トランジスタ１３０を電気的に連結するための電極である。連結電極１５０は、第１連結電極１５１及び第２連結電極１５２を含む。
第２層間絶縁層１１６上に第１連結電極１５１が配置される。第１連結電極１５１は、第２層間絶縁層１１６、第２ゲート絶縁層１１５、第２バッファ層１１４及び第１層間絶縁層１１３に形成されたコンタクトホールを通して第１キャパシタ電極１４１に連結され得る。第１連結電極１５１は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
第１平坦化層１１７上に第２連結電極１５２が配置される。第２連結電極１５２は、第１平坦化層１１７及び第２層間絶縁層１１６上に形成されたコンタクトホールを通して第２トランジスタ１３０の第２ソース電極１３３及び第１連結電極１５１に連結され得る。そこで、第２連結電極１５２及び第１連結電極１５１を通してストレージキャパシタ１４０の第１キャパシタ電極１４１と第２トランジスタ１３０の第２ソース電極１３３を互いに電気的に連結できる。第２連結電極１５２は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
第１平坦化層１１７上に補助電極１６０が配置される。補助電極１６０は、第１トランジスタ１２０と発光素子１７０を電気的に連結するための電極である。補助電極１６０は、第１平坦化層１１７に形成されたコンタクトホールを通して第１トランジスタ１２０の第１ドレイン電極１２４に連結され得る。補助電極１６０は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
補助電極１６０及び連結電極１５０上に第２平坦化層１１８が配置される。第２平坦化層１１８は、補助電極１６０及び連結電極１５０が形成された表示領域ＡＡの上部を平坦化できる。そして、第２平坦化層１１８は、表示装置１００の前面に形成され、非表示領域ＮＡにまで配置され得る。第２平坦化層１１８は、単層または複層に構成され得、有機絶縁物質からなり得る。例えば、第２平坦化層１１８は、フォトレジストやアクリル（ａｃｒｙｌ）系有機物質からなり得るが、これに制限されない。
第２平坦化層１１８上に発光素子１７０が配置される。発光素子１７０は、光を発光する自発光素子であり、アノード１７１、発光層１７２及びカソード１７３を含む。
アノード１７１は、発光層１７２に正孔を供給でき、仕事関数の高い導電性物質からなり得る。例えば、アノード１７１は、スズ酸化物（Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＴＯ）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＺＯ）等からなり得るが、これに制限されるものではない。
仮に、表示装置１００が発光素子１７０で発光された光を発光素子１７０の上部に進行させるトップエミッション（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式である場合、光を上部に進行させるためにアノード１７１の下部に反射層がさらに形成されてもよい。
アノード１７１上にバンク１１９が配置される。表示領域ＡＡでバンク１１９は、アノード１７１のエッジを覆うように配置され得る。バンク１１９は、互いに隣接したサブ画素間の境界に配置され、複数のサブ画素それぞれの発光素子１７０から発光された光の混色を低減できる。そして、バンク１１９は、表示領域ＡＡだけではなく非表示領域ＮＡにも配置されて非表示領域ＮＡの全体を覆うことができる。バンク１１９は、有機絶縁物質からなり得、例えば、バンク１１９は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、アクリル（ａｃｒｙｌ）またはベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）系樹脂からなり得るが、これに制限されるものではない。
バンク１１９から露出されたアノード１７１上に発光層１７２が配置される。発光層１７２は、アノード１７１から正孔の供給を受け、カソード１７３から電子の供給を受けて光を発光できる。発光層１７２は、発光層１７２で発光された光の色相によって赤色発光層１７２、緑色発光層１７２、青色発光層１７２及び白色発光層１７２等からなり得る。
発光層１７２及びバンク１１９上にカソード１７３が配置される。カソード１７３は、複数のサブ画素全体にわたって配置され得る。即ち、複数のサブ画素それぞれの発光素子１７０は、カソード１７３を共有し得る。カソード１７３は、低電位電源配線と連結されて発光層１７２に電子を供給でき、仕事関数の低い導電性物質からなり得る。例えば、カソード１７３は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等のような金属及びこれらの合金からなる群から選択されたいずれか一つ以上からなり得るが、これに制限されるものではない。
仮に、表示装置１００が発光素子１７０で発光された光を発光素子１７０の下部の基板１１０側に進行させるボトムエミッション（Ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式である場合、光を基板１１０側に進行させるために、カソード１７３は、反射率の高い金属物質からなり得る。
バンク１１９と発光層１７２との間にスペーサーＳＰＣが配置される。スペーサーＳＰＣは、発光層１７２を形成する時に使用される蒸着マスクであるＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を支持することができる。蒸着マスクを支持するスペーサーＳＰＣにより、蒸着マスクとバンク１１９との間及び蒸着マスクとアノード１７１との間の一定の距離を維持でき、蒸着マスクの接触による損傷を防止できる。このとき、スペーサーＳＰＣは、蒸着マスクと接触する面積を最小化するように、上部へ行くほど幅が狭くなる形態になされ得る。スペーサーＳＰＣは、有機絶縁物質、例えば、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、アクリル（ａｃｒｙｌ）またはベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）系樹脂からなり得るが、これに制限されるものではない。
そして、非表示領域ＮＡにもスペーサー層ＳＰＣＬが配置される。スペーサー層ＳＰＣＬは、表示領域ＡＡのスペーサーＳＰＣと同じ層で同じ物質で形成され得る。スペーサー層ＳＰＣＬは、非表示領域ＮＡの全体に配置されてバンク１１９を覆うことができる。
表示領域ＡＡの全体及び非表示領域ＮＡの一部分で発光素子１７０上に封止層１８０が配置される。例えば、表示領域ＡＡで封止層１８０は発光素子１７０を覆い、非表示領域ＮＡで封止層１８０はスペーサー層ＳＰＣＬの一部分を覆い得る。封止層１８０は、発光素子１７０を密封して、外部の湿気、酸素、衝撃等から発光素子１７０を保護することができる。封止層１８０は、設計によって多様な構造に形成され得る。
例えば、封止層１８０は、複数の無機層と複数の有機層が交互に積層されて形成され得る。例えば、無機層は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯｘ）等のような無機物からなり得、有機層は、エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）系列またはアクリル（Ａｃｒｙｌ）系列のポリマーが使用され得るが、これに制限されるものではない。他の例を挙げて、封止層１８０は、耐腐食性が強く、ホイル（ｆｏｉｌ）あるいは薄膜形態に加工が容易なアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）とニッケルの合金材質等の金属材質からなってもよい。
封止層１８０上で表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡに偏光板ＰＯＬが配置される。偏光板ＰＯＬは、選択的に光を透過させ、表示装置１００に入射した外部光の反射を低減させることができる。具体的に、表示装置１００は、半導体素子、配線、発光素子１７０等に適用される多様な金属物質が基板１１０上に形成される。そこで、基板１１０側に入射した外光は、金属物質から反射され得、外光の反射によって表示装置１００の視認性が低減され得る。そこで、外光の反射を防止する偏光板ＰＯＬを配置して、表示装置１００の野外視認性を高めることができる。ただし、偏光板ＰＯＬは、表示装置１００の具現例によって省略されてもよい。
図１及び図３を共に参照すると、非表示領域ＮＡに複数のパッド電極ＰＥが配置される。複数のパッド電極ＰＥそれぞれは、第１パッド電極ＰＥ１、第２パッド電極ＰＥ２及び第３パッド電極ＰＥ３を含む。
まず、第１ゲート絶縁層１１２上に第１パッド電極ＰＥ１が配置される。第１パッド電極ＰＥ１は、表示領域ＡＡに配置された各種の配線と連結され、フレキシブルフィルムや印刷回路基板１１０からの信号を複数のサブ画素それぞれに伝達できる。第１パッド電極ＰＥ１は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
第１パッド電極ＰＥ１上に第１層間絶縁層１１３、第２バッファ層１１４、第２ゲート絶縁層１１５及び第２層間絶縁層１１６が配置され、第２層間絶縁層１１６上に第２パッド電極ＰＥ２が配置される。第２パッド電極ＰＥ２は、第１層間絶縁層１１３、第２バッファ層１１４、第２ゲート絶縁層１１５及び第２層間絶縁層１１６に形成されたコンタクトホールを通して第１パッド電極ＰＥ１と電気的に連結され得る。第２パッド電極ＰＥ２は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
第２パッド電極ＰＥ２上に第１平坦化層が配置され、第１平坦化層１１７上に第３パッド電極ＰＥ３が配置される。第３パッド電極ＰＥ３は、第１平坦化層１１７のコンタクトホールを通して第２パッド電極ＰＥ２に電気的に連結され得る。そして、第３パッド電極ＰＥ３は、第３パッド電極ＰＥ３上の第２平坦化層１１８、バンク１１９及びスペーサー層ＳＰＣＬに形成されたコンタクトホールを通して複数のフレキシブルフィルムのような駆動部品と電気的に連結され得る。第３パッド電極ＰＥ３は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
このとき、パッド電極ＰＥを外部の駆動部品と連結するために、非表示領域ＮＡ中、パッド電極ＰＥが配置された領域では、偏光板ＰＯＬが配置されないことがあり得る。そこで、パッド電極ＰＥは、外部に露出されて駆動部品と電気的に連結され得る。
一方、非表示領域ＮＡで無機絶縁物質からなる無機絶縁層は、ほとんど基板１１０の内側に配置され得る。一部の無機絶縁層は、ほとんど基板１１０の端部に隣接した領域に配置されず、一部の無機絶縁層のエッジは、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅより内側に配置され得る。例えば、無機絶縁層は、第１バッファ層１１１、第１ゲート絶縁層１１２、第１層間絶縁層１１３、第２バッファ層１１４、第２ゲート絶縁層１１５及び第２層間絶縁層１１６を含み、このうち第１バッファ層１１１を除くほとんどの無機絶縁層は、非表示領域ＮＡの一部にのみ配置され、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅとは離隔されて配置され得る。シリコンを含む無機絶縁層は、ガラスからなる基板１１０の食刻過程で基板１１０食刻液により共に食刻され得るので、無機絶縁層のほとんどが食刻液に露出されないように基板１１０の端部と無機絶縁層を離隔させて配置し得る。
ただし、図２においては、複数の無機絶縁層のうち第１バッファ層１１１だけが基板１１０の全体に配置されて第１バッファ層１１１と基板１１０の内側エッジ１１０Ｅが対応するものと示したが、第１バッファ層１１１もまた残りの無機絶縁層と同様に基板１１０の内側エッジ１１０Ｅとは離隔されて基板１１０の内側にのみ配置されてもよく、これに制限されない。
そして、有機絶縁物質からなる有機絶縁層である第１平坦化層１１７、第２平坦化層１１８、バンク１１９及びスペーサー層ＳＰＣＬは、基板１１０の外側に突出して配置され得る。そこで、表示装置１００の外側エッジ１００Ｅは、第１平坦化層１１７、第２平坦化層１１８、バンク１１９及びスペーサー層ＳＰＣＬのエッジと対応し、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅは、表示装置１００の外側エッジ１００Ｅより内側に配置され得る。有機絶縁層である第１平坦化層１１７、第２平坦化層１１８、バンク１１９及びスペーサー層ＳＰＣＬは、有機絶縁物質からなり、基板１１０の食刻液により食刻されずにそのまま残り得、基板１１０の食刻過程で基板１１０の内側エッジ１１０Ｅより突出した形態に形成され得る。これについてのより詳細な説明は、図４乃至図６を参照して後述する。
次に、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅと基板１１０から露出された第１平坦化層１１７を覆うサイドコーティング層１９０が配置される。サイドコーティング層１９０は、基板１１０の側面と第１平坦化層１１７の下面を覆うように配置され、表示装置１００を保護することができる。サイドコーティング層１９０は、絶縁物質からなり得、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリウレタン（Ｐｏｌｙ Ｕｒｅｔｈａｎｅ）、エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）、アクリル（Ａｃｒｙｌ）系列の物質からなり得るが、これに制限されない。
非表示領域ＮＡで第１平坦化層１１７の下に一定の間隔を置いて互いに離隔された複数のアラインパターンＡＰが配置される。基板１１０の内側エッジ１１０Ｅに隣接した領域で第１平坦化層１１７と第１バッファ層１１１との間に複数のアラインパターンＡＰが配置される。複数のアラインパターンＡＰは、基板１１０の食刻時、基板１１０の食刻量及び食刻工程で決定された基板１１０の内側エッジ１１０Ｅの位置をモニタリングするためのパターンであり、一種の目盛りとして機能できる。複数のアラインパターンＡＰのうち最外郭のアラインパターンＡＰを測定して基板１１０の内側エッジ１１０Ｅの位置を確認することができる。
このとき、複数のアラインパターンＡＰは、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅの位置を測定できるように基板１１０の内側エッジ１１０Ｅと平行に配置され得る。例えば、複数のアラインパターンＡＰは、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅと平行に配置され、複数のアラインパターンＡＰそれぞれの平面形状は、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅに沿って長く延びた複数の矩形状になされ得る。
複数のアラインパターンＡＰは、複数の第１アラインパターンＡＰ１及び複数の第２アラインパターンＡＰ２を含む。複数の第１アラインパターンＡＰ１それぞれの間に複数個の第２アラインパターンＡＰ２が配置され得る。複数の第１アラインパターンＡＰ１間の間隔は、複数の第２アラインパターンＡＰ２間の間隔より大きくてよい。そして、複数の第１アラインパターンＡＰ１は、複数の第２アラインパターンＡＰ２より長い長さを有し得る。複数の第１アラインパターンＡＰ１を通して基板１１０のエッジの概略的な位置を測定し、複数の第１アラインパターンＡＰ１の間に配置された複数個の第２アラインパターンＡＰ２を通して基板１１０のエッジの細部的な位置を測定できる。例えば、複数の第１アラインパターンＡＰ１は、１０単位の目盛りを表示し、複数の第２アラインパターンＡＰ２は、１単位の目盛りを表示し得る。そこで、相対的に大きな間隔を有する複数の第１アラインパターンＡＰ１を利用して基板１１０のエッジの大体の位置を測定し、相対的に狭い間隔を有する複数の第２アラインパターンＡＰ２を利用して基板１１０のエッジの具体的な位置を測定できる。ただし、図面に示された複数の第１アラインパターンＡＰ１及び複数の第２アラインパターンＡＰ２の個数及び間隔は例示的なものであり、複数の第１アラインパターンＡＰ１及び複数の第２アラインパターンＡＰ２の個数及び間隔は、多様に設計され得る。
そして、複数のアラインパターンＡＰは、ターゲットアラインパターンＴＡＰを含む。ターゲットアラインパターンＴＡＰは、実際に設計した基板１１０の内側エッジ１１０Ｅの位置に重畳するパターンであり、ターゲットアラインパターンＴＡＰと基板１１０の内側エッジ１１０Ｅが対応するように食刻工程を遂行することができる。複数の第１アラインパターンＡＰ１及び複数の第２アラインパターンＡＰ２のいずれか一つがターゲットアラインパターンＴＡＰに設定され得る。ただし、これに制限されず、ターゲットアラインパターンＴＡＰを区分するように第１アラインパターンＡＰ１及び第２アラインパターンＡＰ２と異なる形状を有するアラインパターンＡＰを別に形成してもよい。
一方、食刻工程時、工程誤差等によりターゲットアラインパターンＴＡＰから一定距離以内の領域をマージン領域に設定できる。この場合、複数のアラインパターンＡＰのいずれか一つは、マージン領域の範囲を示すマージンアラインパターンＡＰとして機能できる。例えば、ターゲットアラインパターンＴＡＰを基準にｎ番目のアラインパターンＡＰ及び－ｎ番目のアラインパターンＡＰが配置された領域までをマージン領域に設定した場合、マージン領域の最外側に配置された一部のアラインパターンＡＰをマージンアラインパターンＡＰに設定できる。そこで、一対のマージンアラインパターンＡＰと一対のマージンアラインパターンＡＰとの間のターゲットアラインパターンＴＡＰを利用して食刻工程時に基板１１０のエッジの位置をより具体的にモニタリングすることができる。
複数のアラインパターンＡＰは、ガラスからなる基板１１０の食刻時、基板１１０食刻液により共に食刻され得る物質、例えば、無機物質および／または金属物質からなり得る。複数のアラインパターンＡＰは、無機物質または金属物質のみからなるか、無機物質と金属物質を両方とも含むことができる。例えば、ガラスからなる基板１１０は、フッ酸と硝酸を混合した食刻液を利用して食刻され得る。フッ酸と硝酸からなる食刻液を使用する場合、ガラスの他にも無機物質や金属物質も食刻され得る。それゆえ、ガラスを食刻する食刻液により複数のアラインパターンＡＰが共に食刻され得るように複数のアラインパターンＡＰを無機物質および／または金属物質で形成できる。
例えば、複数のアラインパターンＡＰが無機物質のみからなる場合、第１バッファ層１１１上に形成される無機絶縁層のいずれか一つと同じ工程及び同じ物質で形成されるか、別途の工程で形成され得る。他の例を挙げて、複数のアラインパターンＡＰが金属物質からなる場合、基板１１０上に形成される各種の電極及び配線と同じ工程及び同じ物質で形成されてもよく、別途の工程で形成されてもよい。また、複数のアラインパターンＡＰが金属物質からなる場合、金属パターンの反射特性を利用して複数のアラインパターンＡＰの位置を肉眼でより容易に確認することができる。ただし、複数のアラインパターンＡＰは、無機物質や金属物質の他にガラスからなる基板１１０の食刻時、食刻液に共に反応して食刻される物質であれば、これに制限されない。
第１平坦化層１１７の下面に複数のアライン溝ＡＧが配置される。第１平坦化層１１７とサイドコーティング層１９０との間に複数のアライン溝ＡＧが配置される。複数のアライン溝ＡＧには、サイドコーティング層１９０が充填され得る。複数のアライン溝ＡＧは、基板１１０の食刻時、基板１１０と複数のアラインパターンＡＰが共に食刻されて形成された第１平坦化層１１７の溝であってよい。表示装置１００の製造中には、複数のアライン溝ＡＧそれぞれに複数のアラインパターンＡＰが配置されるが、基板１１０の食刻過程で一部のアラインパターンＡＰが除去されて第１平坦化層１１７の下面に複数のアライン溝ＡＧが形成され得る。そして、基板１１０の食刻が完了すると、基板１１０から露出された第１平坦化層１１７を覆うサイドコーティング層１９０が複数のアライン溝ＡＧを満たし得る。
複数のアライン溝ＡＧは、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅと平行に配置され得る。例えば、複数のアラインパターンＡＰそれぞれは、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅと平行に配置され、複数のアライン溝ＡＧそれぞれの平面形状は、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅに沿って長く延びた矩形状になされ得る。
複数のアライン溝ＡＧは、複数の第１アライン溝ＡＧ１及び複数の第２アライン溝ＡＧ２を含む。複数の第１アライン溝ＡＧ１は、複数の第１アラインパターンＡＰ１が形成されていた空間であり、複数の第２アライン溝ＡＧ２は、複数の第２アラインパターンＡＰ２が形成されていた空間である。複数の第１アライン溝ＡＧ１の内部に充填されたサイドコーティング層１９０の形状は、複数の第１アラインパターンＡＰ１と対応し、複数の第２アライン溝ＡＧ２の内部に充填されたサイドコーティング層１９０の形状は、複数の第２アラインパターンＡＰ２と対応し得る。
複数の第１アライン溝ＡＧ１それぞれの間に複数個の第２アライン溝ＡＧ２が形成され得る。そして、複数の第１アライン溝ＡＧ１間の間隔は、複数の第２アライン溝ＡＧ２間の間隔より大きくてよい。そこで、複数の第１アライン溝ＡＧ１の平面形状は、複数の第１アラインパターンＡＰ１の平面形状と同一であり、複数の第２アライン溝ＡＧ２の平面形状は、複数の第２アラインパターンＡＰ２の平面形状と同一であり得る。
以下においては、図４乃至図７を参照して、本発明の一実施例に係る表示装置１００の製造方法を説明する。
図４は、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのマザー基板の平面図である。図５及び図６は、図４のＶ－Ｖ’に沿った断面図である。具体的に、図５は、食刻工程前のマザー基板１０の断面図であり、図６は、食刻工程後のマザー基板１０の断面図である。
図４を参照すると、マザー基板１０は、複数の表示装置１００を一度に製造するための基板であり、複数個の基板１１０が一つのマザー基板１０をなし得る。マザー基板１０は、表示装置１００の基板１１０のようにガラスからなり得る。一つのマザー基板１０で複数個の表示装置１００の製造工程を同時に進行し、以後、マザー基板１０を複数個に切断して複数の表示装置１００を一度に形成できる。例えば、マザー基板１０上に第１バッファ層１１１から封止層１８０まで形成した後、マザー基板１０を複数個に分離できる。
マザー基板１０に複数の検査パッド部ＡＰＥが配置される。複数の検査パッド部ＡＰＥそれぞれは、複数の表示装置１００それぞれに対応して形成され得る。複数の検査パッド部ＡＰＥは、マザー基板１０上に形成された表示装置１００の不良如何を検査するためのパッド電極である。複数の検査パッド部ＡＰＥを通してサブ画素の点灯検査を遂行することができる。
複数の検査パッド部ＡＰＥは、複数の表示装置１００それぞれのパッド電極ＰＥと電気的に連結され得る。複数の検査パッド部ＡＰＥに検査信号を印加する場合、検査信号は、検査パッド部ＡＰＥ及びパッド電極ＰＥを通して表示領域ＡＡの複数のサブ画素に印加され得、サブ画素の点灯如何を検査できる。図面に示されてはいないが、複数の検査パッド部ＡＰＥそれぞれと表示装置１００のパッド電極ＰＥを電気的に連結する検査用配線が形成され得る。
そして、上述したように、マザー基板１０上の表示装置１００の製造工程が完了した以後にスクライビングラインＳＣＬに沿ってマザー基板１０を複数個に切断できる。マザー基板１０を複数個に切断するスクライビング工程で複数の検査パッド部ＡＰＥは表示装置１００の基板１１０とは分離されるので、実際の表示装置１００では検査パッド部ＡＰＥが残らない。
一方、既存には、マザー基板１０を複数個に切断するとき、レーザやホイールを用いた物理的な方式を使用した。ただし、マザー基板１０を物理的な方式でマザー基板１０を切断する場合、切断面に微細クラックやガラス破片等が発生して基板１１０の剛性が低下し、切断面をまた滑らかに加工するグラインディング工程がさらに必要である。また、物理的な接触を通してマザー基板１０を切断するとき、静電気が発生して表示装置１００の損傷につながり得る。
そこで、本発明の一実施例に係る表示装置１００及び表示装置１００の製造方法においては、食刻液を用いた化学的な方式でマザー基板１０を複数個の基板１１０に分離することができる。食刻液を用いた湿式食刻方式でマザー基板１０を切断する場合、切断面でクラックやガラス破片を最小化し、基板１１０の剛性を向上させることができる。そして、食刻液を用いた切断方式の場合、曲線やホール形状等、より多様なデザインにマザー基板１０を容易に加工できる。また、化学的な食刻方式では、物理的な接触を最小化してマザー基板１０を加工するので、静電気の発生を最小化することができる。
一方、食刻液を用いてマザー基板１０を切断する場合、物理的な食刻方式と比較して食刻線幅、即ち、基板１１０の食刻量を正確に制御することが多少難しくなり得る。そこで、本発明の一実施例に係る表示装置１００及び表示装置１００の製造方法においては、基板１１０の食刻量による基板１１０の内側エッジ１１０Ｅの位置を肉眼で簡単に測定できる複数のアラインパターンＡＰを形成して食刻工程を制御できる。
図４及び図５を共に参照すると、複数のアラインパターンＡＰは、マザー基板１０上で基板１１０の内側エッジ１１０Ｅに対応するスクライビングラインＳＣＬに沿って配置され得る。基板１１０の４辺それぞれに４辺と平行に配置された複数のアラインパターンＡＰが配置され得る。例えば、複数のアラインパターンＡＰは、基板１１０のエッジに対応するスクライビングラインＳＣＬを基準にスクライビングラインＳＣＬの両側に配置され得る。複数のアラインパターンＡＰは、一定の間隔にスクライビングラインＳＣＬの内側の非表示領域ＮＡからスクライビングラインＳＣＬの外側の領域にまで配置され得る。このとき、スクライビングラインＳＣＬに重畳するアラインパターンＡＰは、実際に設計した基板１１０の内側エッジ１１０Ｅと対応するので、ターゲットアラインパターンＴＡＰになり得る。
図６を参照すると、食刻液を用いてマザー基板１０を食刻できる。スクライビングラインＳＣＬに沿って食刻液を塗布してマザー基板１０を食刻できる。このとき、マザー基板１０及び第１バッファ層１１１が食刻液により除去されて複数のアラインパターンＡＰが露出され得る。複数のアラインパターンＡＰは、上述したように、食刻液により共に食刻され得る無機物質および／または金属物質からなるので、基板１１０が食刻された領域に配置された複数のアラインパターンＡＰも共に食刻され得る。そこで、図６に示されたように、マザー基板１０が除去された領域に重畳するアラインパターンＡＰは除去され、第１平坦化層１１７に複数のアライン溝ＡＧが形成され得る。
このとき、基板１１０上に残っている複数のアラインパターンＡＰを通して基板１１０の食刻量と基板１１０の内側エッジ１１０Ｅの位置を検査できる。例えば、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅは、基板１１０と第１平坦化層１１７との間に配置されて除去されずに残っている複数のアラインパターンＡＰのうち最外郭に配置されたアラインパターンＡＰと対応し得る。そして、食刻工程時に除去されなかった最外郭のアラインパターンＡＰとスクライビングラインＳＣＬに重畳するターゲットアラインパターンＴＡＰを比較して基板１１０の食刻量と食刻工程を制御できる。
そして、マザー基板１０の食刻が完了すると、食刻領域で露出された有機絶縁層をレーザで切断してマザー基板１０を複数個の表示装置１００に分離できる。第１平坦化層１１７のような有機絶縁層は、ガラスからなる基板１１０の食刻液により食刻されない物質であるので、基板１１０が除去された領域でそのまま残り得る。そこで、有機絶縁層は、別途のレーザを利用して切断できる。このとき、有機絶縁層を基板１１０の内側エッジ１１０Ｅよりさらに外側の領域、即ち、表示装置１００の外側エッジ１００Ｅに対応するように切断して残りの食刻液が表示装置１００の内部に浸透できないようにすることができる。
以後、基板１１０の内側エッジ１１０Ｅと第１平坦化層１１７に形成された複数のアライン溝ＡＧを覆うサイドコーティング層１９０を形成して表示装置１００の外郭部を保護することができる。
従って、本発明の一実施例に係る表示装置１００及び表示装置１００の製造方法においては、食刻液を用いた化学的な方式でガラスであるマザー基板１０を切断して複数の表示装置１００を形成することができる。このとき、スクライビングラインＳＣＬ及びスクライビングラインＳＣＬの隣接領域に複数のアラインパターンＡＰを形成して食刻工程をモニタリングすることができる。複数のアラインパターンＡＰは、マザー基板１０と第１平坦化層１１７との間に配置され、マザー基板１０が食刻液により除去される時に共に除去され得る。そこで、マザー基板１０が食刻された領域に重畳する複数のアラインパターンＡＰは除去されて第１平坦化層１１７に複数のアライン溝ＡＧが形成され、マザー基板１０が食刻されなかった領域に重畳する複数のアラインパターンＡＰはそのまま残り得る。従って、食刻工程で除去されなかった複数のアラインパターンＡＰをスケールのように使用して基板１１０の食刻量と基板１１０の内側エッジ１１０Ｅの位置を肉眼で簡単にモニタリングでき、食刻工程をより精密に制御できる。
図７は、本発明の他の実施例に係る表示装置の平面図である。図７の表示装置７００は、図１乃至図３の表示装置１００と比較して基板７１０と複数のアラインパターンＡＰ及び複数のアライン溝ＡＧの形状が異なるだけで、他の構成は実質的に同一であるので、重複した説明は省略する。
図７を参照すると、基板７１０の複数のコーナーのうち一部のコーナーは、ラウンド形状になされ得る。そして、基板７１０のラウンド形状のコーナーもまた食刻液を用いた化学的な方式で形成することができる。
基板７１０のコーナーをラウンド形状に食刻するとき、基板７１０の食刻量及び基板７１０の形状を制御するためにラウンド形状のアラインパターンＡＰが形成され得る。基板７１０のコーナーに隣接するように配置された複数のアラインパターンＡＰは、ラウンド形状を有するように構成される。そこで、基板７１０の食刻時、ラウンド形状を有する複数のアラインパターンＡＰに基づいてラウンド形状を有する基板７１０のコーナーを具現できる。
この他にも複数のアラインパターンＡＰを利用して基板７１０を多様な形状に食刻することができる。例えば、基板７１０の内部に円形のホールを形成する場合、ホールが形成される領域に予め円形の複数のアラインパターンＡＰを形成し、基板７１０の食刻時、複数のアラインパターンＡＰに基づいて円形のホールの大きさ及び位置をモニタリングして基板７１０を食刻することができる。
そして、基板７１０が食刻されてサイドコーティング層１９０が配置された領域には、複数のアラインパターンＡＰが除去された複数のアライン溝ＡＧが配置される。複数のアライン溝ＡＧもまたラウンド形状になされ得る。
そこで、本発明の他の実施例に係る表示装置７００においては、基板７１０の形状と対応する形状のアラインパターンＡＰを形成して、基板７１０を多様な模様に製作できる。例えば、基板７１０のコーナーをラウンド形状に形成する場合、ラウンド形状を有するアラインパターンＡＰを配置して食刻工程時に基板７１０のコーナーの曲率及び基板７１０の大きさを容易にモニタリングすることができる。従って、複数のアラインパターンＡＰの形状を具現しようとする基板７１０のエッジと対応する形状に形成して、基板７１０を多様な形状に容易に形成することができ、表示装置７００の設計自由度が向上し得る。
本発明の実施例に係る表示装置及び表示装置の製造方法は、下記のように説明され得る。
本発明の一実施例に係る表示装置は、表示領域及び非表示領域を含む基板、基板上に配置され、一部分が基板の外側に突出した有機絶縁層、非表示領域で基板と有機絶縁層との間に配置された複数のアラインパターン、及び基板の外側に突出した有機絶縁層の一部分の下面に配置された複数のアライン溝を含む。
複数のアラインパターン及び複数のアライン溝は、基板のエッジに対して平行に配置され得る。
基板は、ラウンド形状になされたコーナーを含み、コーナーに隣接するように配置された複数のアラインパターン及び複数のアライン溝それぞれは、ラウンド形状になされ得る。
複数のアラインパターンは、一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置された複数の第１アラインパターン、及び複数の第１アラインパターンそれぞれの間で一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置された複数の第２アラインパターンを含み、複数の第１アラインパターンは、複数の第２アラインパターンと異なる形状になされ得る。
複数のアライン溝は、一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置された複数の第１アライン溝、及び複数の第１アライン溝それぞれの間で一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置された複数の第２アライン溝を含み、複数の第１アライン溝は、複数の第２アライン溝と異なる形状になされ得る。
複数の第１アラインパターンの平面形状は、複数の第１アライン溝の平面形状と同一であり、複数の第２アラインパターンの平面形状は、複数の第２アライン溝の平面形状と同一であってよい。
基板は、ガラスからなり、複数のアラインパターンは、無機物質と金属物質のうち少なくともいずれか一つからなり得る。
基板の外側に突出した有機絶縁層の一部分及び複数のアライン溝を覆うサイドコーティング層をさらに含むことができる。
複数のアライン溝の内部に充填されたサイドコーティング層の形状は、複数のアラインパターンの形状と対応し得る。
本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法は、マザー基板上でスクライビングラインに隣接するように複数のアラインパターンを形成するステップ、複数のアラインパターンを覆う有機絶縁層を形成するステップ、及びスクライビングラインに沿ってマザー基板を食刻液で食刻するステップを含み、マザー基板を食刻するステップは、マザー基板と複数のアラインパターンのうち一部を共に食刻するステップである。
複数のアラインパターンのうち一部が食刻液により食刻され、有機絶縁層に複数のアライン溝が形成され得る。
マザー基板が食刻されて露出された有機絶縁層及び複数のアライン溝を覆うサイドコーティング層を形成するステップをさらに含むことができる。
マザー基板が食刻されて露出された有機絶縁層を切断してマザー基板から複数の表示装置を形成するステップをさらに含むことができる。
以上、添付の図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を外れない範囲内で多様に変形実施され得る。従って、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を制限するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が制限されるものではない。それゆえ、以上において記述した実施例は、全ての面で例示的なものであり、制限的ではないものと理解すべきである。
Claims (17)
- 表示領域及び非表示領域を含む基板；
前記基板上に配置され、一部分が前記基板の外側に突出した部分を有する有機絶縁層；
前記非表示領域で前記基板と前記有機絶縁層との間に配置された複数のアラインパターン；
前記有機絶縁層の前記一部分の下面に配置され、前記基板の外側に突出した複数のアライン溝；及び
前記基板の外側に突出した前記有機絶縁層の前記一部分及び前記複数のアライン溝を覆うサイドコーティング層を含む、表示装置。 - 前記複数のアラインパターン及び前記複数のアライン溝は、前記基板のエッジに対して平行に配置される、請求項１に記載の表示装置。
- 前記基板は、ラウンド形状を有するコーナーを含み、
前記コーナーに隣接するように配置された前記複数のアラインパターン及び前記複数のアライン溝それぞれは、ラウンド形状を有する、請求項１に記載の表示装置。 - 前記複数のアラインパターンは、
一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置された複数の第１アラインパターン；及び
前記複数の第１アラインパターンそれぞれの間で一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置された複数の第２アラインパターンを含み、
前記複数の第１アラインパターンは、前記複数の第２アラインパターンと異なる形状を有する、請求項１に記載の表示装置。 - 前記複数のアライン溝は、
一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置された複数の第１アライン溝；及び
前記複数の第１アライン溝それぞれの間で一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置された複数の第２アライン溝を含み、
前記複数の第１アライン溝は、前記複数の第２アライン溝と異なる形状を有する、請求項４に記載の表示装置。 - 前記複数の第１アラインパターンの平面形状は、前記複数の第１アライン溝の平面形状と同一であり、
前記複数の第２アラインパターンの平面形状は、前記複数の第２アライン溝の平面形状と同一である、請求項５に記載の表示装置。 - 前記基板は、ガラスからなり、
前記複数のアラインパターンは、無機物質と金属物質のうち少なくともいずれか一つからなる、請求項１に記載の表示装置。 - 前記複数のアライン溝の内部に充填された前記サイドコーティング層の形状は、前記複数のアラインパターンの形状と対応する、請求項１に記載の表示装置。
- マザー基板上でスクライビングラインに隣接するように複数のアラインパターンを形成するステップ；
前記複数のアラインパターンを覆う有機絶縁層を形成するステップ；
前記スクライビングラインに沿って前記マザー基板を食刻液で食刻するステップ；及び
前記マザー基板が食刻されて露出された前記有機絶縁層を覆うサイドコーティング層を形成するステップを含み、
前記マザー基板を食刻するステップは、前記マザー基板と前記複数のアラインパターンのうち一部を共に食刻するステップであり、
前記複数のアラインパターンのうち一部が前記食刻液により食刻され、前記マザー基板から露出した前記有機絶縁層に複数のアライン溝が形成され、
前記サイドコーティング層は、前記マザー基板から露出した前記複数のアライン溝を覆う、表示装置の製造方法。 - 前記マザー基板が食刻されて露出された前記有機絶縁層を切断して前記マザー基板から複数の表示装置を形成するステップをさらに含む、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
- 少なくとも一つのラウンド形状のコーナーを有し、表示領域及び非表示領域を含む基板；
前記基板上に配置され、前記基板のエッジより突出した部分を有する少なくとも一つの有機絶縁層；
前記基板のエッジの内側に配置された複数のアラインパターン；
前記少なくとも一つの有機絶縁層の前記突出した部分の一面で前記基板に隣接するように配置された複数のアライン溝；及び
前記基板を囲んで前記複数のアライン溝に充填されたサイドコーティング層を含む、表示装置。 - 前記複数のアラインパターン及び前記複数のアライン溝は、前記基板のエッジに対して平行に配置された、請求項１１に記載の表示装置。
- 前記少なくとも一つのラウンド形状のコーナーで、前記複数のアラインパターン及び前記複数のアライン溝は、ラウンド形状を有する、請求項１１に記載の表示装置。
- 前記複数のアラインパターンは、
一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置された複数の第１アラインパターン；及び
前記複数の第１アラインパターンの間で一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置された複数の第２アラインパターンを含み、
前記複数の第１アラインパターンと前記複数の第２アラインパターンは、長さが異なる、請求項１１に記載の表示装置。 - 前記複数のアライン溝は、
一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置された複数の第１アライン溝；及び
前記複数の第１アライン溝それぞれの間で一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置された複数の第２アライン溝を含み、
前記複数の第１アラインパターンの平面形状は、前記複数の第１アライン溝の平面形状と同一であり、
前記複数の第２アラインパターンの平面形状は、前記複数の第２アライン溝の平面形状と同一である、請求項１４に記載の表示装置。 - 前記サイドコーティング層は、前記少なくとも一つの有機絶縁層の前記突出した部分を覆う、請求項１１に記載の表示装置。
- 前記基板は、スクライビングラインに沿って切断されたマザー基板の一部分であり、前記複数のアラインパターンは、前記マザー基板の前記スクライビングラインに隣接するように配置された、請求項１１に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2022-0164159 | 2022-11-30 | ||
| KR1020220164159A KR20240080638A (ko) | 2022-11-30 | 2022-11-30 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP7483101B1 true JP7483101B1 (ja) | 2024-05-14 |
| JP2024079547A JP2024079547A (ja) | 2024-06-11 |
Family
ID=86776234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023096706A Active JP7483101B1 (ja) | 2022-11-30 | 2023-06-13 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240177639A1 (ja) |
| EP (1) | EP4380342A1 (ja) |
| JP (1) | JP7483101B1 (ja) |
| KR (1) | KR20240080638A (ja) |
| CN (1) | CN118119232A (ja) |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030097144A (ko) | 2002-06-19 | 2003-12-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 |
| JP2006047380A (ja) | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Optrex Corp | 液晶表示パネル用マザー基板および液晶表示パネル |
| CN101520577A (zh) | 2008-02-26 | 2009-09-02 | 株式会社日立显示器 | 液晶显示装置的制造方法 |
| CN102844703A (zh) | 2010-04-23 | 2012-12-26 | 夏普株式会社 | 切割引导槽形成方法、液晶母板、及切割方法 |
| KR20140068655A (ko) | 2012-11-28 | 2014-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 서포터 메인을 포함하는 액정표시장치모듈 |
| JP2017111290A (ja) | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| US20190229066A1 (en) | 2018-01-23 | 2019-07-25 | Hannstar Display Corporation | Display panel |
| US20200235329A1 (en) | 2016-09-13 | 2020-07-23 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Oled package substrate, manufacturing method thereof, oled display panel |
| KR20210157939A (ko) | 2020-06-22 | 2021-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| US20220246894A1 (en) | 2021-02-04 | 2022-08-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| US20220315481A1 (en) | 2021-04-01 | 2022-10-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Window manufacturing method and window manufacturing apparatus |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102548869B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2023-06-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20210115113A (ko) * | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR20220021985A (ko) * | 2020-08-14 | 2022-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치 |
| CN114628403A (zh) * | 2020-11-27 | 2022-06-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板母板及其制备方法、显示基板及显示装置 |
| KR20220077996A (ko) * | 2020-12-02 | 2022-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2022
- 2022-11-30 KR KR1020220164159A patent/KR20240080638A/ko unknown
-
2023
- 2023-06-13 JP JP2023096706A patent/JP7483101B1/ja active Active
- 2023-06-14 EP EP23179213.6A patent/EP4380342A1/en active Pending
- 2023-06-15 US US18/210,359 patent/US20240177639A1/en active Pending
- 2023-06-26 CN CN202310757740.9A patent/CN118119232A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030097144A (ko) | 2002-06-19 | 2003-12-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 |
| JP2006047380A (ja) | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Optrex Corp | 液晶表示パネル用マザー基板および液晶表示パネル |
| CN101520577A (zh) | 2008-02-26 | 2009-09-02 | 株式会社日立显示器 | 液晶显示装置的制造方法 |
| CN102844703A (zh) | 2010-04-23 | 2012-12-26 | 夏普株式会社 | 切割引导槽形成方法、液晶母板、及切割方法 |
| KR20140068655A (ko) | 2012-11-28 | 2014-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 서포터 메인을 포함하는 액정표시장치모듈 |
| JP2017111290A (ja) | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| US20200235329A1 (en) | 2016-09-13 | 2020-07-23 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Oled package substrate, manufacturing method thereof, oled display panel |
| US20190229066A1 (en) | 2018-01-23 | 2019-07-25 | Hannstar Display Corporation | Display panel |
| KR20210157939A (ko) | 2020-06-22 | 2021-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| US20220246894A1 (en) | 2021-02-04 | 2022-08-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| US20220315481A1 (en) | 2021-04-01 | 2022-10-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Window manufacturing method and window manufacturing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN118119232A (zh) | 2024-05-31 |
| US20240177639A1 (en) | 2024-05-30 |
| JP2024079547A (ja) | 2024-06-11 |
| KR20240080638A (ko) | 2024-06-07 |
| EP4380342A1 (en) | 2024-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11194436B2 (en) | Touch display device with lines connecting touch electrodes next to a hole in the active area | |
| US11243629B2 (en) | Touch display device | |
| CN111736726B (zh) | 一种触控基板及触控显示装置 | |
| KR20170014807A (ko) | 폴더블 유기발광표시장치 | |
| US20230409153A1 (en) | Touch substrate and display device | |
| KR102517448B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP7493577B2 (ja) | 発光表示装置およびその製造方法 | |
| JP7483101B1 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
| US20200174605A1 (en) | Display panel | |
| US11693525B2 (en) | Touch display device | |
| US20210202658A1 (en) | Display device | |
| KR20210082061A (ko) | 스트레쳐블 표시 장치 | |
| KR102683138B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR20190040767A (ko) | 전계 발광 표시 장치 및 전계 발광 표시 장치 제조 방법 | |
| US11861100B2 (en) | Display device | |
| EP4199682A1 (en) | Display device | |
| US20240186307A1 (en) | Light Emitting Display Device | |
| US20230200115A1 (en) | Display device | |
| US20240222341A1 (en) | Display device | |
| US20230214051A1 (en) | Touch Display Device | |
| GB2591160A (en) | Touch display device | |
| KR20240092908A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20240097414A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20160032330A (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20210084869A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230613 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240109 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240325 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240409 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240430 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7483101 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |