CN114628403A - 显示基板母板及其制备方法、显示基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开实施例提供一种显示基板母板及其制备方法、显示基板及显示装置，该显示基板母板包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的显示基板区域和位于所述显示基板区域周边的标记区域；该显示基板母板还包括：设置在所述显示基板区域的薄膜晶体管、设置在所述标记区域的标记结构和设置在所述薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的平坦化层；其中，所述平坦化层包括：设置在所述标记结构对应位置处，且沿靠近所述衬底基板的方向延伸的凹槽，所述凹槽在所述衬底基板上的正投影覆盖所述标记结构在衬底基板上的正投影。

Description

显示基板母板及其制备方法、显示基板及显示装置
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种显示基板母板及其制备方法、显示基板及显示装置。
背景技术
全反射式显示装置以及半透射半反射式显示装置越来越受到人们的关注，该类产品在电子价签、广告牌、手表等户外显示上具有广泛的应用。
为满足这类产品的高反射率要求，这类产品中会增加反射率极高的金属作为反射层，例如，使用Ag(银)金属作为反射层。但是在这类产品的基板制作工艺中，在进行至反射层Mask(掩膜版)工序时，因反射层的反射率极高，会导致设计的Mark(标记)无法识别。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供一种显示基板母板及其制备方法、显示基板及显示装置，能够有效解决因反射层反射率极高导致的标记无法识别的问题。
本公开实施例主要提供如下技术方案：
第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板母板，该显示基板母板包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的显示基板区域和位于所述显示基板区域周边的标记区域；该显示基板母板还包括：设置在所述显示基板区域的薄膜晶体管、设置在所述标记区域的标记结构和设置在所述薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的平坦化层；其中，所述平坦化层包括：设置在所述标记结构对应位置处，且沿靠近所述衬底基板的方向延伸的凹槽，所述凹槽在所述衬底基板上的正投影覆盖所述标记结构在衬底基板上的正投影。
第二方面，本公开实施例提供了一种显示基板，由上述的显示基板母板沿着标记区域切割所得到的显示基板区域而形成。
第三方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括上述的显示基板。
第四方面，本公开实施例提供了一种显示基板母板的制备方法，所述显示基板母板包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的显示基板区域和位于所述显示基板区域周边的标记区域；所述制备方法包括：在所述显示基板区域形成薄膜晶体管，并在所述标记区域形成标记结构；形成覆盖所述薄膜晶体管和所述标记区域的平坦化层；在所述平坦化层中形成设置在所述标记结构对应位置处，且沿靠近所述衬底基板的方向延伸的凹槽。
本公开实施例提供的显示基板母板及其制备方法、显示基板及显示装置，该显示基板母板可以包括：衬底基板、位于衬底基板上的显示基板区域和位于显示基板区域周边的标记区域；该显示基板母板还可以包括：设置在显示基板区域的薄膜晶体管、设置在标记区域的标记结构和设置在薄膜晶体管的远离衬底基板的一侧的平坦化层；其中，平坦化层包括：设置在标记结构对应位置处，且沿靠近衬底基板的方向延伸的凹槽，凹槽在衬底基板上的正投影覆盖标记结构在衬底基板上的正投影。如此，通过在平坦化层中设置沿靠近衬底基板的方向延伸的凹槽，使得标记结构与用于识别标记的设备的镜头之间的光亮受到折射和吸收的更少，能够增大标记区域与周边的显示基板区域之间的反射率差异(即标记区域与周边的显示基板区域的反光或透光差异较大)，从而，提高了标记结构的清晰度，进而，提高了标记结构的识别成功率。
本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1A为一些技术中的显示基板母板中标记区域的示意图；
图1B为图1A所示的显示基板母板中标记区域的SEM(Scanning ElectronMicroscope，扫描电子显微镜)图；
图1C为图1A所示的显示基板母板中的标记结构的一种识别结果示意图；
图1D为图1A所示的显示基板母板中的标记结构的另一种识别结果示意图；
图1E为图1A所示的显示基板母板中的标记结构的又一种识别结果示意图；
图2为本公开实施例中的显示基板母板的区域示意图；
图3A为本公开实施例中的标记区域在平行于显示基板母板的平面的一种示意图；
图3B为本公开实施例中的标记区域在平行于显示基板母板的平面的另一种示意图；
图3C为本公开实施例中的标记区域在平行于显示基板母板的平面的又一种示意图；
图4A为本公开实施例中的标记区域在垂直于显示基板母板的平面的一种示意图；
图4B为本公开实施例中的标记区域在垂直于显示基板母板的平面的另一种示意图；
图4C为本公开实施例中的标记区域在垂直于显示基板母板的平面的又一种示意图；
图4D为本公开实施例中的标记区域在垂直于显示基板母板的平面的再一种示意图；
图5A为本公开实施例中的如图3A所示的标记区域的一种SEM图；
图5B为本公开实施例中的如图3A所示的标记区域的另一种SEM图；
图6A为本公开实施例中的标记结构的一种识别结果示意图；
图6B为本公开实施例中的标记结构的另一种识别结果示意图；
图6C为本公开实施例中的标记结构的又一种识别结果示意图。
附图标记说明：
10-标记结构； 11-平坦化层； 12-反射层；
13-光刻胶层； 14-层间绝缘层； 15-栅极绝缘层；
21-衬底基板； 22-显示基板区域； 23-标记区域；
24-基板组区域； 31-凹槽； 41-第一子标记；
42-第二子标记； 43-第三子标记。
具体实施方式
本文描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，在本文所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本申请实施例的精神和范围内。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本发明的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本发明的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本文中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本文中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本文和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本文中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本文中，沟道区域是指电流主要流过的区域。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本文中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本文中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
经本公开发明人研究发现，在基板制作工艺中，在对Mark的识别、测试和监控上，用于识别Mark的设备(例如，曝光机)通常是采用了正面、侧面及背面的多方向给光模式，通过设备的镜头对Mark位置和非Mark位置的反射光差异进行识别和抓取。但是，对于全反射式显示装置以及半透射半反射式显示装置来说，例如，如图1A所示，在进行反射层Mask工序时，在标记结构10的正上方覆盖的膜层至少包括平坦化层(PLN)11、反射层(例如，Ag层)12、光刻(PR)胶层13，(例如，以标记结构10包括：与薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置的标记A、与薄膜晶体管中的栅电极同层设置的标记B和与薄膜晶体管中的有源层同层设置的标记C为例，在标记A的上方可以包括平坦化层11、反射层12和光刻胶层13，在标记B的上方可以包括：层间绝缘层(ILD，Inter Layer Dielectric)14、平坦化层11、反射层12和光刻胶层13，在标记C的上方可以包括：栅极绝缘层(GI，Gate Insulator)、ILD层15、平坦化层11、反射层12和光刻胶层13)。由于PLN对Mark进行了平坦作用，而反射层(例如，Ag)设置在PLN膜层之上，那么，导致反射层在标记结构对应位置处的区域和相邻的区域之间基本无段差(例如，如图1B所示，Mark(即标记结构10)的厚度h1可以约为0.58μm(微米)，平坦化层11中位于非Mark区域的部分的厚度h2可以约为2.78μm，而平坦化层11中位于Mark区域覆盖Mark的部分的厚度h3可以约为2.3μm，那么，Mark区域和相邻的非Mark区域之间的高度段差h4则可以约为0.01μm)，而反射层的反射率极高，导致Mark与相邻的非Mark区域(即用于形成显示基板的显示基板区域)的边缘位置灰度差异较小不够(即对比度较小)。从而，如图1C至图1E所示，Mark区域与相邻的非Mark区域之间的反光或透光基本一致，使得标记结构10边缘不清晰，导致标记无法有效识别。在本文中，厚度是指在远离衬底基板的方向上的特征。
本公开实施例提供一种显示基板母板，该显示基板母板可以包括：衬底基板、位于衬底基板上的显示基板区域和位于显示基板区域周边的标记区域；显示基板母板还可以包括：设置在显示基板区域的薄膜晶体管、设置在标记区域的标记结构和设置在薄膜晶体管的远离衬底基板的一侧的平坦化层；其中，平坦化层包括：设置在标记结构对应位置处，且沿靠近衬底基板的方向延伸的凹槽，凹槽在衬底基板上的正投影覆盖标记结构在衬底基板上的正投影。如此，通过在平坦化层中标记结构对应位置处设置凹槽，能够使得平坦化层中凹槽所在区域(即平坦化层中标记结构对应位置处的区域)低于平坦化层中与凹槽所在区域相邻的区域(即平坦化层中与标记结构对应位置处的区域相邻的区域)，使得这两个区域之间形成较大的段差，从而，可以使得标记结构与用于识别标记的设备的镜头之间的光亮受到折射和吸收的更少，能够增大标记结构对应区域与周边区域之间的反射率差异(即标记结构对应区域与周边区域的反光或透光差异较大)，从而，提高了标记结构的清晰度，提高了标记结构的识别成功率，大大降低了基板制作工艺中由于无法识别标记导致的次品率。
在一种示例性实施例中，标记结构的具体种类不受特别的限制，例如，根据功能的不同，标记结构可以包括但不限于：用于在曝光对位过程中进行对位校准的第一对位标记(Plate alignment mark)、用于在测试过程中确定衬底基板(如玻璃基板)的中心位置的定位标记(Glass Center Mark)、用于在Mask(掩膜版)工艺管控过程中测试实际对位精准度的第二对位标记(OL Mark)和用于从显示基板母版中切割显示基板(Single Panel)的切割标记中的一种或多种。
在一种示例性实施例中，显示基板母板还可以包括：反射层，设置在平坦化层的远离衬底基板的一侧；其中，在远离衬底基板的方向上，反射层中覆盖凹槽的第一区域低于反射层中与第一区域的相邻的第二区域，且第一区域与第二区域之间具有大于预设阈值的段差。这里，由于去掉了平坦化层中位于标记区域中的部分膜层(即在平坦化层中开设了凹槽)，那么，在反射层整层成膜后，使得反射层中覆盖凹槽的第一区域低于反射层中与第一区域的相邻的第二区域，且第一区域与第二区域之间具有大于预设阈值的段差，使得标记结构与用于识别标记的设备的镜头之间的光亮受到折射和吸收的更少，位于标记区域中的凹槽和标记结构与周边的显示基板区域之间的反射率差异较大(即标记区域与周边的显示基板区域的反光或透光差异较大)，使得标记区域边缘清晰(例如，凹槽的边缘)。从而，提高了标记结构的清晰度，进而，提高了标记结构的识别成功率。
图2为本公开实施例中的显示基板母板的区域示意图，如图2所示，在平行于显示基板母板的平面方向，该显示基板母板可以包括：衬底基板21、位于衬底基板21上的用以形成多个显示基板的多个显示基板区域22以及位于显示基板区域22周边的标记区域23，在标记区域23内设置有多个标记结构10。这里，图2中示出了50个显示基板区域22和52个标记结构10，但是，显示基板母板包括的显示基板区域22和标记结构10的个数不限于此。这里，一个显示基板区域可对应形成一个显示基板(Single Panel)。
例如，该显示基板母板可以为阵列基板母板或彩膜基板母板。
例如，仍然如图2所示，为了便于进行Mask工艺，根据Mask(掩膜版)工艺所使用的Mask的大小，该显示基板母板可以划分为多个基板组区域(Q-Panel)，这里，图2中示出了6个基板组区域24，但显示基板母板包括的基板组区域24以及基板组区域24中包括的显示基板区域22的个数不限于此，例如可以将显示基板母板划分为4个基板组区域。例如，第一对位标记(Plate alignment mark)和第二对位标记(OL Mark)(图2中统一示意为十字型标记)分布于相邻显示基板(Single Panel)基板之间的间隙，在每个Q-Panel的左、中、右位置都有设置，共计48个，当然，这两种Mark可以根据显示基板在衬底基板(如玻璃基板)上的分布，可以合理进行增加及删减，这两种Mark在衬底基板(如玻璃基板)上的平均分布，便于在实际的工艺中，能够在曝光对位过程及测试过程中，对衬底基板(如玻璃基板)上的各个位置均可以进行曝光的补正及对位精度测试的管控。例如，定位标记(Glass Center Mark)(图2中示意为正方形标记)可以仅设置在衬底基板(如玻璃基板)的四个角，共计4个，相对于衬底基板(如玻璃基板)的中心其坐标完全对称，便于在实际测试中能够准确的找到衬底基板(如玻璃基板)的中心位置。
在一种示例性实施例中，衬底基板可以为玻璃基板，或者是贴覆在玻璃基板上的柔性透明基板，这里，本公开实施例对此不作限定。
在一种示例性实施例中，反射层的材料可以为银(Ag)材料。当然，本公开实施例包括但不限于此，例如，反射层的材料也可采用其它反射率较高的材料。
在一种示例性实施例中，平坦化层的材料可以为树脂材料。例如，平坦化层的材料可以为环氧树脂。当然，本公开实施例包括但不限于此，例如，平坦化层的材料也可采用氮化硅(SiNx)等其它材料。
此外，显示基板母板除了可以包括上述的衬底基板、薄膜晶体管、标记结构、平坦化层和反射层以外，还可以包括其它必要的组成和结构，本领域技术人员可根据该显示基板母板的种类进行相应地设计和补充，在此不再赘述。
在一种示例性实施例中，平坦化层中设置在标记结构对应位置处，且沿靠近衬底基板的方向延伸的凹槽，可以为：贯穿平坦化层的凹槽或者不贯穿平坦化层的凹槽。其中，当平坦化层设置有贯穿平坦化层的凹槽时，标记结构可以设置在该凹槽内；当凹槽不贯穿平坦化层时，该凹槽设置在标记结构远离衬底基板的一侧，平坦化层中凹槽所在区域可以完全覆盖该标记结构。
在一种示例性实施例中，凹槽在衬底基板上的正投影覆盖标记结构在衬底基板上的正投影。例如，如图3A至图3C所示，标记结构10在衬底基板21上的正投影可以容置在凹槽31在衬底基板21上的正投影之内(即标记结构10在衬底基板21上的正投影小于凹槽31在衬底基板上的正投影，且标记结构10在衬底基板21上的正投影的边缘与凹槽31在衬底基板上的正投影的边缘不交叉)。
在一种示例性实施例中，凹槽在衬底基板上的正投影的中心与标记结构在衬底基板上的正投影的中心重合(即如图3A至图3C所示，在平行于显示基板母板的平面，凹槽31与标记结构10的中心重合，且中心对称)。
在一种示例性实施例中，在平行于衬底基板的平面，凹槽的截面形状为长方形或正方形。
在一种示例性实施例中，如图3A至图3C所示，凹槽在衬底基板上的正投影的边缘与标记结构在衬底基板上的正投影的边缘之间的间距d可以为20μm至300μm。
在一种示例性实施例中，标记结构可以为矩形结构、十字型结构中的一种或多种。例如，如图3A所示，标记结构10可以为正方形结构。例如，如图3B所示，标记结构10可以为实心的十字型结构。例如，如图3C所示，标记结构10可以为空心的十字型结构。
在一种示例性实施例中，标记结构可以与薄膜晶体管中的源漏金属层、栅电极和有源层中的至少一种同层设置。例如，标记结构可以与薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置。例如，标记结构可以与薄膜晶体管中的栅电极同层设置。或者，标记结构可以与薄膜晶体管中的有源层同层设置。当然，本公开实施例包括但不限于此。
在一种示例性实施例中，标记结构可以为叠层结构，该叠层结构可以包括：依次叠设的与薄膜晶体管中的有源层同层设置的第一子标记、与薄膜晶体管中的栅电极同层设置的第二子标记、以及与薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置的第三子标记中的至少两种。例如，以标记结构为叠层结构为例，叠层结构可以包括：依次叠设的与薄膜晶体管中的有源层同层设置的第一子标记、与薄膜晶体管中的栅电极同层设置的第二子标记、以及与薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置的第三子标记。例如，第一子标记在衬底基板上的正投影的面积大于第二子标记在衬底基板上的正投影的面积，第二子标记在衬底基板上的正投影的面积大于第三子标记在衬底基板上的正投影的面积。
在一种示例性实施例中，标记结构的材料可以采用如钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)等金属材料的任意一种，或采用上述金属材料中任意一种或多种制成的合金材料，如钼铌合金(MoNb)等，合金材料可以是单层结构，或者可以是多层复合结构，如Mo层、Cu层和Mo层组成的复合结构等。
下面以平坦化层中设置有贯穿平坦化层的凹槽为例，对本公开实施例中的显示基板母板进行说明。
在一种示例性实施例中，图4A为本公开实施例中的标记区域在垂直于显示基板母板的平面的一种示意图，如图4A所示，在垂直于显示基板母板的平面方向，标记区域可以包括：设置在衬底基板21上的栅极绝缘层15、设置在栅极绝缘层15上的层间绝缘层14、设置在层间绝缘层14上的开设有凹槽的平坦化层11、设置在凹槽内并与薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置的标记结构10、以及覆盖平坦化层11和标记结构10的反射层12。
在一种示例性实施例中，图4B为本公开实施例中的标记区域在垂直于显示基板母板的平面的另一种示意图，如图4B所示，在垂直于显示基板母板的平面方向，标记区域可以包括：设置在衬底基板21上的栅极绝缘层15、设置在栅极绝缘层15上的与薄膜晶体管中的栅电极同层设置的标记结构10、设置在栅极绝缘层15和标记结构10上的层间绝缘层14、设置在层间绝缘层14上的开设有凹槽的平坦化层11、以及设置在平坦化层11上的反射层12，其中，凹槽的设置位置与标记结构10的设置位置对应。
在一种示例性实施例中，图4C为本公开实施例中的标记区域在垂直于显示基板母板的平面的又一种示意图，如图4C所示，在垂直于显示基板母板的平面方向，标记区域可以包括：设置在衬底基板21上与薄膜晶体管中的有源层同层设置的标记结构10、设置在栅极绝缘层15和标记结构10上的栅极绝缘层15、设置在栅极绝缘层15上的层间绝缘层14、设置在层间绝缘层14上的开设有凹槽的平坦化层11、以及设置在平坦化层11上的反射层12，其中，凹槽的设置位置与标记结构10的设置位置对应。
在一种示例性实施例中，以标记结构为叠层结构，包括：与薄膜晶体管中的有源层同层设置的第一子标记、与薄膜晶体管中的栅电极同层设置的第二子标记、以及与薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置的第三子标记为例，图4D为本公开实施例中的标记区域在垂直于显示基板母板的平面的再一种示意图，如图4D所示，标记结构10可以包括第一子标记41、第二子标记42以及第三子标记43；在垂直于显示基板母板的平面方向，标记区域可以包括：设置在衬底基板21上第一子标记41、设置在栅极绝缘层15和第一子标记41上的栅极绝缘层15、设置在栅极绝缘层15上的第二子标记42、设置在栅极绝缘层15和第二子标记42上的层间绝缘层14、设置在层间绝缘层14上的开设有凹槽的平坦化层11、设置在凹槽内的第三子标记43、以及覆盖平坦化层11和第三子标记43的反射层12。其中，凹槽的设置位置与第三子标记43的设置位置对应。
在一种示例性实施例中，以标记结构与薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置、标记结构位于平坦化层设置的贯穿平坦化层的凹槽内为例，标记区域与显示基板区域之间的段差可以约为1.84μm至2.76μm，标记结构的厚度可以约为0.46μm至0.69μm，反射层的厚度可以约为0.8μm至1.2μm。例如，标记结构的厚度可以约为0.58μm，平坦化层中标记结构对应位置处的区域(即位于标记区域中的部分)的厚度可以约为2.3μm，而平坦化层中与标记结构对应位置处的区域相邻的区域(即位于即标记区域周边的显示基板区域的部分)的厚度可以约为2.78μm。这里，由于去掉了平坦化层中标记结构对应位置处的区域(即在平坦化层中位于标记区域中的部分开设了贯穿平坦化层并露出标记结构的凹槽)，如图5A所示，在反射层12整层成膜后，反射层(例如，Ag金属膜)12会与标记结构10直接接触。从而，使得标记结构和相邻区域之间形成较大段差，使得标记结构与用于识别标记的设备的镜头之间的光亮受到折射和吸收的更少。其中，图5A中虚线框所示部分表示标记区域在垂直于衬底基板的剖面SEM图。从而，如图5B所示，标记区域中设置的凹槽31和标记结构10与周边的显示基板区域之间的反射率差异较大(即标记区域与周边的显示基板区域的反光或透光差异较大)，使得标记区域边缘清晰(例如，凹槽31的边缘)。从而，提高了标记结构的清晰度，进而，提高了标记结构的识别成功率。
例如，以标记结构与薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置为例，如图6A至图6C所示，位于凹槽31中的标记结构10能够被有效识别。
下面通过显示基板母板的制备过程说明本公开实施例中显示基板母板的结构。其中，本公开实施例所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。当在整个制作过程中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程中该“薄膜”需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本发明实施例中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。
本公开实施例还提供一种显示基板母板的制备方法，其中，该显示基板母板包括：衬底基板、位于衬底基板上的显示基板区域和位于显示基板区域周边的标记区域；该制备方法包括：
S11、在显示基板区域形成薄膜晶体管，并在标记区域形成标记结构；
S12、形成覆盖薄膜晶体管和标记区域的平坦化层；
S13、在平坦化层中形成设置在标记结构对应位置处，且沿靠近衬底基板的方向延伸的凹槽。
在一种示例性实施例中，以标记结构与薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置为例，而薄膜晶体管可以包括：有源层、栅电极和源漏金属层，那么，S11可以包括：在衬底基板上形成有源层；形成覆盖有源层的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅电极；形成覆盖栅极绝缘层和栅电极的层间绝缘层；在层间绝缘层上通过同一次构图工艺形成源漏金属层和标记结构。其中，有源层、栅电极、源漏金属层设置在显示基板区域，标记结构设置在标记区域。
在一种示例性实施例中，以标记结构与薄膜晶体管中的栅电极同层设置为例，而薄膜晶体管可以包括：有源层、栅电极和源漏金属层，那么，S11可以包括：在衬底基板上形成有源层；形成覆盖有源层的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上通过同一次构图工艺形成栅电极和标记结构；形成覆盖栅极绝缘层、栅电极和标记结构的层间绝缘层；在层间绝缘层上形成源漏金属层。其中，有源层、栅电极、源漏金属层设置在显示基板区域，标记结构设置在标记区域。
在一种示例性实施例中，以标记结构与薄膜晶体管中的有源层同层设置为例，而薄膜晶体管可以包括：有源层、栅电极和源漏金属层，那么，S11可以包括：在衬底基板上形成通过同一次构图工艺形成有源层和标记结构；形成覆盖有源层和标记结构的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上栅电极；形成覆盖栅极绝缘层和栅电极的层间绝缘层；在层间绝缘层上形成源漏金属层。其中，有源层、栅电极、源漏金属层设置在显示基板区域，标记结构设置在标记区域。
在一种示例性实施例中，以标记结构为叠层结构，包括：依次叠设的与薄膜晶体管中的有源层同层设置的第一子标记、与薄膜晶体管中的栅电极同层设置的第二子标记、以及与薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置的第三子标记为例，而薄膜晶体管可以包括：有源层、栅电极和源漏金属层，那么，S11可以包括：在衬底基板上形成通过同一次构图工艺形成有源层和第一子标记；形成覆盖有源层和第一子标记的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上通过同一次构图工艺栅电极和第二子标记；形成覆盖栅极绝缘层、栅电极和第二子标记的层间绝缘层；在层间绝缘层上通过同一次构图工艺形成源漏金属层和第三子标记。其中，有源层、栅电极、源漏金属层设置在显示基板区域，第一子标记、第二子标记、第三子标记均设置在标记区域。
在一种示例性实施例中，以标记结构与薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置，凹槽贯穿平坦化层为例，那么，S13可以包括：去除平坦化层中标记结构对应处的膜层部分，以在平坦化层中与标记结构对应处形成贯穿平坦化层的凹槽，并使得标记结构位于凹槽内。
在一种示例性实施例中，有源层的材料可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩或者聚噻吩等材料，即本公开实施例适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术或者有机物技术制造的薄膜晶体管。
在一种示例性实施例中，栅极绝缘层、层间绝缘层的材料可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或氮氧化硅(SiON)等，可以是单层结构，或者可以是多层复合结构。
在一种示例性实施例中，栅电极、源漏金属层的材料可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)或钼(Mo)等，或者可以采用由金属组成的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)等，合金材料可以是单层结构，或者可以是多层复合结构，如Mo层、Cu层和Mo层组成的复合结构等。
在一种示例性实施例中，显示基板母板还包括：反射层，设置在平坦化层的远离衬底基板的一侧；该制备方法还可以包括：S14、在平坦化层上形成反射层。
在一种示例性实施例中，以与薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置、平坦化层设置有贯穿该平坦化层并露出标记结构的凹槽为例，那么，S14可以包括：形成覆盖平坦化层、凹槽和标记结构的反射层。
本公开实施例还提供一种显示基板，由上述一个或多个实施例中的显示基板母板沿着标记区域切割所得到的显示基板区域而形成。
在一种示例性实施例中，该显示基板可以包括但不限于液晶显示器(LiquidCrystal Display，LCD)显示基板、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示基板、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)显示基板和无机发光二极管显示基板中的任意一种。例如，该显示基板可以为LCD阵列基板。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括上述一个或多个实施例中的显示基板。
在一种示例性实施例中，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。本公开实施例对显示装置的类型不做限定。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但上述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种显示基板母板，其特征在于，所述显示基板母板包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的显示基板区域和位于所述显示基板区域周边的标记区域；
所述显示基板母板还包括：设置在所述显示基板区域的薄膜晶体管、设置在所述标记区域的标记结构和设置在所述薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的平坦化层；
其中，所述平坦化层包括：设置在所述标记结构对应位置处，且沿靠近所述衬底基板的方向延伸的凹槽，所述凹槽在所述衬底基板上的正投影覆盖所述标记结构在衬底基板上的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示基板母板，其特征在于，所述显示基板母板还包括：反射层，设置在所述平坦化层的远离所述衬底基板的一侧；其中，在远离所述衬底基板的方向上，所述反射层中覆盖所述凹槽的第一区域低于所述反射层中与所述第一区域相邻的第二区域，且所述第一区域与所述第二区域之间具有大于预设阈值的段差。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板母板，其特征在于，所述凹槽贯穿所述平坦化层，所述标记结构位于所述凹槽内；
或者，所述凹槽不贯穿所述平坦化层，所述平坦化层中所述凹槽所在区域覆盖所述标记结构。
4.根据权利要求1或2所述的显示基板母板，其特征在于，所述凹槽在衬底基板上的正投影的中心与所述标记结构在衬底基板上的正投影的中心重合。
5.根据权利要求1或2所述的显示基板母板，其特征在于，在平行于所述衬底基板的平面，所述凹槽的截面形状为长方形或正方形。
6.根据权利要求5所述的显示基板母板，其特征在于，所述凹槽在所述衬底基板上的正投影的边缘与所述标记结构在所述衬底基板上的正投影的边缘之间的间距为20μm至300μm。
7.根据权利要求1或2所述的显示基板母板，其特征在于，所述标记结构与所述薄膜晶体管中的源漏金属层、栅电极和有源层中的至少一种同层设置。
8.根据权利要求2所述的显示基板母板，其特征在于，所述标记结构的厚度为0.46μm至0.69μm，所述反射层的厚度为0.8μm至1.2μm。
9.根据权利要求1或2所述的显示基板母板，其特征在于，所述标记结构包括：矩形结构和十字型结构中的一种或多种。
10.根据权利要求1或2所述的显示基板母板，其特征在于，所述标记结构为叠层结构，所述叠层结构包括：依次叠设的与所述薄膜晶体管中的有源层同层设置的第一子标记、与所述薄膜晶体管中的栅电极同层设置的第二子标记、以及与所述薄膜晶体管中的源漏金属层同层设置的第三子标记中的至少两种。
11.根据权利要求10所述的显示基板母板，其特征在于，所述第一子标记在衬底基板上的正投影的面积大于所述第二子标记在衬底基板上的正投影的面积，所述第二子标记在衬底基板上的正投影的面积大于所述第三子标记在衬底基板上的正投影的面积。
12.一种显示基板，其特征在于，由如权利要求1至11任一项所述的显示基板母板沿着标记区域切割所得到的显示基板区域而形成。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的显示基板。
14.一种显示基板母板的制备方法，其特征在于，所述显示基板母板包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的显示基板区域和位于所述显示基板区域周边的标记区域；
所述制备方法包括：
在所述显示基板区域形成薄膜晶体管，并在所述标记区域形成标记结构；
形成覆盖所述薄膜晶体管和所述标记区域的平坦化层；
在所述平坦化层中形成设置在所述标记结构对应位置处，且沿靠近所述衬底基板的方向延伸的凹槽。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7483101B1 (ja) * 2022-11-30 2024-05-14 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置及び表示装置の製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010064079A (ko) * 1999-12-24 2001-07-09 박종섭 얼라인먼트 정확도를 개선한 얼라인먼트 마크 형성방법
CN1501165A (zh) * 2002-11-13 2004-06-02 Asml荷兰有限公司 器件制造方法及其制出的器件
KR20060055862A (ko) * 2004-11-19 2006-05-24 삼성전자주식회사 금속 배선 공정의 정렬 마크 형성 방법
CN101567302A (zh) * 2008-04-23 2009-10-28 力晶半导体股份有限公司 对准标记及其形成方法、半导体的对准方法
CN102867823A (zh) * 2012-09-27 2013-01-09 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN109427661A (zh) * 2017-09-05 2019-03-05 夏普株式会社 带对准标记的基板的制造方法
CN109545830A (zh) * 2018-11-23 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制造方法、显示装置
CN111199981A (zh) * 2018-11-16 2020-05-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001125085A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Seiko Epson Corp 電気光学パネルおよびその製造方法、ならびに、電気光学装置および電子機器
KR20070088858A (ko) 2006-02-27 2007-08-30 삼성전자주식회사 표시장치의 제조장치 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법
KR102059026B1 (ko) 2012-11-26 2019-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 얼라인 장치 및 방법
CN103715179B (zh) 2013-12-18 2017-05-24 北京京东方光电科技有限公司 一种基板及其对位标的制作方法、显示装置
KR102602083B1 (ko) 2016-03-14 2023-11-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11056440B2 (en) 2018-11-30 2021-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods of manufacturing semiconductor device and semiconductor device
CN109742054A (zh) 2019-01-10 2019-05-10 信利半导体有限公司 显示面板制造方法和显示面板
CN110911584B (zh) 2019-11-29 2022-08-09 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010064079A (ko) * 1999-12-24 2001-07-09 박종섭 얼라인먼트 정확도를 개선한 얼라인먼트 마크 형성방법
CN1501165A (zh) * 2002-11-13 2004-06-02 Asml荷兰有限公司 器件制造方法及其制出的器件
KR20060055862A (ko) * 2004-11-19 2006-05-24 삼성전자주식회사 금속 배선 공정의 정렬 마크 형성 방법
CN101567302A (zh) * 2008-04-23 2009-10-28 力晶半导体股份有限公司 对准标记及其形成方法、半导体的对准方法
CN102867823A (zh) * 2012-09-27 2013-01-09 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN109427661A (zh) * 2017-09-05 2019-03-05 夏普株式会社 带对准标记的基板的制造方法
CN111199981A (zh) * 2018-11-16 2020-05-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN109545830A (zh) * 2018-11-23 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制造方法、显示装置

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