KR102107384B1 - 프로세스 키를 포함하는 표시장치 - Google Patents

프로세스 키를 포함하는 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102107384B1
KR102107384B1 KR1020170143331A KR20170143331A KR102107384B1 KR 102107384 B1 KR102107384 B1 KR 102107384B1 KR 1020170143331 A KR1020170143331 A KR 1020170143331A KR 20170143331 A KR20170143331 A KR 20170143331A KR 102107384 B1 KR102107384 B1 KR 102107384B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
key
key pattern
pattern
substrate
display device
Prior art date
Application number
KR1020170143331A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190048401A (ko
Inventor
공영현
최원준
장규범
김혜림
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170143331A priority Critical patent/KR102107384B1/ko
Priority to US16/151,174 priority patent/US10957744B2/en
Priority to CN201811266585.6A priority patent/CN109727955B/zh
Priority to DE102018127272.3A priority patent/DE102018127272B4/de
Publication of KR20190048401A publication Critical patent/KR20190048401A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102107384B1 publication Critical patent/KR102107384B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133354—Arrangements for aligning or assembling substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G02F2001/133354—
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/08—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 light absorbing layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/02—Function characteristic reflective
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 프로세스 키를 포함하는 표시장치에 관한 것으로, 특히 네로우 베젤을 구현하는 표시장치에 있어서, 인식율이 향상된 프로세스 키에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 프로세스 키를 금속재질로 이루어지는 제 1 키 패턴과 블랙매트릭스 재질로 이루어지는 제 2 키 패턴으로 나뉘어 구성하고, 표시패널의 표시영역의 네 모서리에 대응하여 최외각에 위치하는 화소 중 녹색 컬러필터패턴이 구비되는 녹색 화소영역 내에 위치시킴으로써, 네로우 베젤을 구현할 수 있으며, 또한 프로세스 키의 인식율을 향상시킬 수 있다.
따라서, 표시패널을 제조 장비나 다른 대상과 정확하게 정렬되도록 할 수 있어, 공정 불량을 최소화할 수 있으며, 공정의 효율성 또한 향상시킬 수 있다.
또한, 프로세스 키를 표시패널의 상부측과 하부측에서 모두 인식되도록 할 수 있어, 이를 통해서도 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.

Description

프로세스 키를 포함하는 표시장치{Display device including process key}
본 발명은 프로세스 키를 포함하는 표시장치에 관한 것으로, 특히 네로우 베젤을 구현하는 표시장치에 있어서, 인식율이 향상된 프로세스 키에 관한 것이다.
근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 표시장치가 개발되어 각광받고 있다.
이 같은 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device : PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 전기발광표시장치(Electroluminescence Display device : ELD), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display device: OLED) 등을 들 수 있는데, 이들 표시장치는 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 보여 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.
이러한 표시장치 중 액정표시장치(LCD)는 박막트랜지스터를 포함하는 어레이기판과, 컬러필터 및/또는 블랙매트릭스 등을 구비한 컬러필터기판과, 그 사이에 형성되는 액정층을 포함하여 표시패널을 이루게 되며, 화소영역의 양 전극 사이에 인가되는 전계에 따라 액정층의 배열 상태가 조절되고 그에 따라 광의 투과도가 조절되어 화상이 표시되게 된다.
또한, 유기발광표시장치(OLED)는 스위칭 및 구동 박막트랜지스터와 제 1 및 제 2 전극과, 그 사이에 배치되는 유기발광층을 포함하는 제 1 기판과, 그 상부에 합착되는 제 2 기판을 포함하여 표시패널을 이루게 되며, 화소영역의 양 전극 사이에 인가되는 전압 또는 전류의 크기에 따라 유기물의 발광 정도가 조절되어 화상이 표시되게 된다.
이러한 표시장치는 표시패널 상태로 여러 공정(스크라이빙, 그라인딩, 모듈 공정 등)을 수행함에 있어, 제조 장비나 다른 대상과의 정렬 등을 위하여 여러가지 용도의 프로세스 키(Process Key)가 사용될 수 있다.
프로세스 키(130)는 각 표시패널(110, 110’)의 베젤영역인 비표시영역 상에 형성되는데, 이러한 프로세스 키(130)는 각 공정 별로 장비 등이 식별할 수 있도록 고유한 패턴 또는 형상을 가지는 다수의 키 패턴(Key Pattern)을 포함할 수 있다.
한편, 최근 표시장치의 베젤영역을 최소화하고자 하는 연구가 활발히 진행되고 있는 상황에서, 베젤영역에 위치하는 프로세스 키에 의해 베젤영역을 줄이는데 한계가 발생하게 된다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 베젤영역이 최소화된 표시장치를 제공하는 것을 제 1 목적으로 한다.
또한, 프로세스 키가 표시패널의 상부측 또는 하부측에서 모두 명확하게 검출될 수 있도록 하는 것을 제 2 목적으로 한다.
전술한 바와 같이 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 화상이 구현되는 표시영역과, 상기 표시영역의 가장자리를 따라 비표시영역이 정의되며, 서로 마주하는 제 1 기판 및 제 2 기판과, 상기 표시영역 내의 모서리에 대응하여 상기 제 1 기판 상에 구비된 제 1 키 패턴을 포함하는 프로세스 키를 포함하며, 상기 제 1 키 패턴은 상기 제 1 기판 상에 위치하는 표시장치를 제공한다.
이때, 상기 프로세스 키는 상기 제 1 키 패턴과 상이한 재질로 이루어지는 제 2 키 패턴을 포함하며, 상기 제 1 키 패턴은 "+", "-", “ㄴ”, "O", "T" 중 선택된 하나로 이루어지며, 상기 제 2 키 패턴은 상기 제 1 키 패턴의 가장자리를 따라 동일한 형상으로 이루어지거나, 상기 제 1 키 패턴을 둘러싸는 폐곡선 또는 폐다각형 형상으로 이루어진다.
그리고, 상기 제 1 키 패턴과 상기 제 2 키 패턴이 서로 하나의 형상을 이루며, 상기 제 2 키 패턴은 상기 제 1 키 패턴의 일부 가장자리만 대응되는 형상을 갖는다.
이때, 상기 제 2 키 패턴은 상기 제 1 키 패턴과 동일한 형상으로 이루어지거나, 또는 상이한 형상으로 이루어져 내부로 중첩되어 이루어지며, 상기 표시영역 내에는 적색, 녹색, 청색 컬러필터패턴이 각각 구비되는 제 1 내지 제 3 화소영역의 정의되며, 상기 프로세스 키는 상기 녹색 컬러필터패턴이 구비되는 녹색 화소영역 내에 위치한다.
그리고, 상기 제 1 기판 상에는 게이트전극, 게이트 및 데이터배선, 반도체층 그리고 소스 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터가 구비되며, 상기 제 1 키 패턴은 상기 게이트전극 및 상기 게이트배선과 동일층에서 동일물질로 이루어지며, 상기 제 2 키 패턴은 블랙매트릭스와 동일층에서 동일물질로 이루어진다.
그리고, 상기 제 2 키 패턴은 상기 박막트랜지스터 하부로 위치하며 블랙안료로 이루어지는 차광층과 동일층에서 동일물질로 이루어진다.
위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 프로세스 키를 금속재질로 이루어지는 제 1 키 패턴과 블랙매트릭스 재질로 이루어지는 제 2 키 패턴으로 나뉘어 구성하고, 표시패널의 표시영역의 네 모서리에 대응하여 최외각에 위치하는 화소 중 녹색 컬러필터패턴이 구비되는 녹색 화소영역 내에 위치시킴으로써, 네로우 베젤을 구현할 수 있는 효과가 있으며, 또한 프로세스 키의 인식율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
따라서, 표시패널을 제조 장비나 다른 대상과 정확하게 정렬되도록 할 수 있어, 공정 불량을 최소화할 수 있는 효과가 있으며, 공정의 효율성 또한 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 프로세스 키를 표시패널의 상부측과 하부측에서 모두 인식되도록 할 수 있어, 이를 통해서도 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 표시패널을 개략적으로 도시한 평면도.
도 1b는 도 1a의 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도.
도 3은 도 2의 최외각에 위치하는 하나의 화소를 개략적으로 확대 도시한 평면도.
도 4는 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 자른 단면도.
도 5a ~ 5c와 도 6a ~ 6f는 프로세스 키를 개략적으로 도시한 개략도.
도 7a ~ 7c는 컬러필터패턴의 색상에 따라 프로세스 키의 인식율을 측정한 실험 결과.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 또 다른 유기발광표시장치를 개략적으로 도시한 단면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 표시패널을 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 1b는 도 1a의 단면도이다.
도시한 바와 같이, 표시패널(100)은 하부기판인 제 1 기판(101)과 상부기판인 제 2 기판(102)이 합착되어 이루어지는데, 표시패널(100)이 액정표시장치(LCD)로 이루어질 경우 제 1 기판(101) 상에는 박막트랜지스터(T, 도 3 참조)가 구비되며, 제 2 기판(102) 상에는 컬러필터패턴(133, 도 4 참조) 및/또는 블랙매트릭스(131, 도 4 참조)가 구비되며, 제 1 기판(101)과 제 2 기판(102) 사이로는 액정층(104, 도 4 참조)이 개재된다.
그리고, 표시패널(100)이 유기발광표시장치(OLED)로 이루어질 경우에는, 제 1 기판(101) 상에는 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(DTr, 도 6 참조)와 제 1 및 제 2 전극(311, 315, 도 6 참조) 그리고 제 1 및 제 2 전극(311, 315, 도 6 참조) 사이로 유기발광층(313, 도 6 참조) 이 구비되며, 제 2 기판(102)은 제 1 기판(102)과 접착성을 갖는 보호층(303, 도 6 참조)을 통해 서로 이격되어 합착된다.
이에 대해서는 추후 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.
이러한 표시패널(100)의 제 1 기판(101) 상에는 박막트랜지스터(T, 도 3 참조) 및/또는 제 1 및 제 2 전극(311, 315, 도 6 참조) 등이 위치함에 따라, 다수의 배선(미도시)이 형성되어 있고, 배선(미도시)의 끝단에는 패드(160)가 연결되어 있다. 이때 배선(미도시)은 게이트 및 데이터배선(103, 105, 도 3 참조), 공통배선(107, 도 3 참조) 등의 신호배선으로 이루어질 수도 있으며, 정전기 방지 배선(미도시) 등의 비 신호 배선으로 이루어질 수도 있다.
여기서, 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(100)은 제 1 기판(101)과 제 2 기판(102)이 서로 동일한 형태로 구성되어, 제 1 기판(101)과 제 2 기판(102)의 일단이 서로 일치하게 되며, 제 1 기판(101) 상에 구비된 다수의 배선(미도시)의 끝단에 구비되는 패드(160)는 측면이 제 1 기판(101)과 제 2 기판(102) 사이의 측면으로 노출되게 된다.
이러한 표시패널(100)의 일측에는 연성회로기판(Flexible Printed Circuit Board)과 같은 연결부재(170)를 매개로 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)(190) 연결되는데, 이때 연결부재(170)는 표시패널(100)의 측면에 부착되어 연결된다.
즉, 연결부재(170)는 제 1 기판(101)과 제 2 기판(102) 사이의 측면으로 노출되는 패드(160)의 측면과 도전볼(180a)을 포함하는 접착층(180b)을 통해 서로 전기적으로 연결되게 되며, 이러한 연결부재(170)에 인쇄회로기판(190)이 연결된다.
이때, 도면상으로는 표시패널(100)의 일 측면에만 연결부재(170)와 인쇄회로기판(190)이 연결되었으나, 연결부재(170)와 인쇄회로기판(190)은 표시패널(100)의 타 측면에도 추가로 구성될 수 있다.
그리고, 패드(160)는 배선(미도시)과 동일층에서 일체(one body)로 형성될 수도 있으며, 또는 배선(미도시)은 게이트절연막(113, 도 4 참조) 위에 구비된 데이터배선(105, 도 3 참조)으로 이루어지고, 패드(160)는 게이트절연막(113, 도 4 참조) 아래에 구비된 데이터패드로 이루어질 수도 있으며, 이 경우는 게이트절연막(113, 도 4 참조)에 구비된 콘택홀(미도시)을 통해서 데이터패드가 데이터배선(105, 도 3 참조)과 연결되게 된다.
이러한 표시패널(100)은 패드(160)의 측면이 제 1 기판(101)의 측면으로 노출되며, 연결부재(170)가 제 1 및 제 2 기판(101, 102)의 측면으로 부착되어 연결됨에 따라, 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 상에는 별도의 패드 형성영역(=패드부)이 필요치 않게 된다.
즉, 표시패널(100)은 평면상으로 실패턴(120)이 형성되는 영역 등을 위한 최소한의 가장자리 영역(=비표시영역(N/A)) 만을 남겨두고, 모든 영역이 화상이 구현되는 표시영역(A/A)을 이루게 된다.
이러한 표시패널(100)은 비표시영역(N/A)인 가장자리영역이 최소화됨에 따라 네로우 베젤을 구현하게 된다.
이와 같이, 비표시영역(N/A)이 최소화된 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(100)은 프로세스 키(Process Key : 200)가 표시영역(A/A) 내에 위치하는 것을 특징으로 한다.
특히, 프로세스 키(200)는 광을 반사시킬 수 있는 금속재질로 이루어지는 제 1 키 패턴(Key Pattern : 210)과 제 1 키 패턴(210)의 가장자리를 따라 블랙안료로 이루어지는 제 2 키 패턴(220)으로 나뉘어 이루어지며, 이러한 프로세스 키(200)는 녹색 화소영역(G-SP, 도 3 참조) 내에 위치하는 것을 특징으로 한다.
이를 통해, 본 발명의 표시패널(100)은 프로세스 키(200)의 인식율이 높아지게 되어, 표시패널(100) 상태로 스크라이빙, 그라인딩, 모듈 공정 등의 여러 공정을 수행하는 과정에서, 제조 장비나 다른 대상과의 정렬 등을 수월하게 진행할 수 있다.
특히, 프로세스 키(200)를 표시패널(100)의 상부측에서와 하부측에서 모두 인식되도록 함으로써, 공정의 효율성을 보다 향상시키게 된다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 3은 도 2의 최외각에 위치하는 하나의 화소를 개략적으로 확대 도시한 평면도이다.
그리고, 도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 자른 단면도이며, 도 5a ~ 5c와 도 6a ~ 6f는 프로세스 키를 개략적으로 도시한 개략도이며, 도 7a ~ 7c는 컬러필터패턴의 색상에 따라 프로세스 키의 인식율을 측정한 실험 결과이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는 크게 표시패널(100)과 제 1 및 제 2 편광판(140a, 140b), 그리고 표시패널(100)로 빛을 공급하는 백라이트(backlight : 150)로 구성된다.
이때, 표시패널(100)은 액정층(104)을 사이에 두고 어레이기판(array substrate)(101)과 컬러필터기판(color filter substrate)(102)이 대면 합착되어 이루어지는데, 하부기판 또는 어레이기판으로 불리는 제 1 기판(101)과 상부기판 또는 컬러필터기판으로 불리는 제 2 기판(102)은 서로 동일한 형태로 구성되어, 제 1 기판(101)과 제 2 기판(102)의 일단이 서로 일치하게 된다.
이러한 표시패널(100)은 크게 영상을 표시하는 표시영역(A/A)과, 표시영역(A/A)의 가장자리를 따라 영상 표시에 사용되지 않는 비표시영역(N/A)을 포함하는데, 비표시영역(N/A)은 표시패널(100)의 가장자리를 따라 정의되며, 표시영역(A/A)은 비표시영역(N/A)의 내측으로 위치하게 된다.
비표시영역(N/A)에는 제 1 기판(101) 및 제 2 기판(102) 사이로 충진되는 액정층(104)의 누설을 방지하기 위한 실패턴(120)이 위치한다.
이때, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는 패드(160)가 표시패널(100)의 측면으로 노출됨에 따라 기판(101, 102) 상으로는 별도의 패드 형성영역이 필요하지 않으므로, 비표시영역(N/A)은 실패턴(120)의 폭과 동일하게 대응되어 이루어진다.
여기서, 표시패널(100)의 표시영역(A/A)에는 복수개의 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)이 정의되는데, 각각의 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)은 제 1 기판(101) 상에 구비되는 복수개의 데이터배선(105)과 게이트배선(103)이 종횡 교차하여 정의하며, 이들 두 배선(103, 105)의 교차지점에는 스위칭소자인 박막트랜지스터(T)가 구비된다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 기판(101) 상에는 소정간격 이격되어 평행하게 구성된 다수의 게이트배선(103)과 게이트배선(103)에 근접하여 게이트배선(103)과 평행하게 구성된 공통배선(107)과, 두 배선(103, 107)과 교차하며 특히 게이트배선(103)과 교차하여 적색, 녹색, 청색 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)을 정의하는 데이터배선(105)이 구성되어 있다.
이때, 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)의 게이트배선(103)과 데이터배선(105)의 교차지점인 스위칭영역에는 박막트랜지스터(T)가 형성되며, 실질적으로 화상이 구현되는 표시영역(A/A)에는 공통배선(107)과 연결되는 공통전극(125)과 박막트랜지스터(T)와 연결되는 화소전극(123)이 형성되어 있다.
여기서, 박막트랜지스터(T)는 게이트전극(111), 게이트절연막(113), 순수 비정질 실리콘의 액티브층(115a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(115b)으로 이루어진 반도체층(115), 소스 및 드레인전극(117, 118)으로 이루어진다.
화소전극(123)은 박막트랜지스터(T)의 드레인전극(118)과 전기적으로 연결된다.
이때 화소전극(123)과 공통전극(125)은 바(bar) 형태로 다수개로 분리되어 교대로 서로 이격하여 위치하며, 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 내에 형성되고 있다.
그리고 게이트전극(111)은 게이트배선(103)으로부터 연장될 수 있으며, 또는 게이트전극(111)은 게이트배선(103)의 일부로 이루어질 수 있으며, 이때 게이트전극(111)은 게이트배선(103)의 다른 부분보다 넓은 폭을 가질 수 있다.
그리고 박막트랜지스터(T)를 포함하는 제 1 기판(101)의 전면에는 보호층(121)이 형성되어 있다. 이때, 보호층(121)에는 박막트랜지스터(T)의 드레인전극(118)을 노출시키는 드레인콘택홀(118a)이 구비되고 있다.
한편, 변형예로서 화소전극(123)은 판 형태로 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 별로 형성될 수도 있다. 이때 화소전극(123)의 일부는 게이트배선(103)과 중첩되어 형성되어, 스토리지 커패시터를 이루도록 구성될 수도 있다.
그리고, 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 내에 다수의 화소전극(123)과 공통전극(125)이 이격하는 형태로 구성될 경우 IPS모드로 동작하는 표시패널(100)을 이루게 되며, 공통전극(125)을 제외하고 판 형태의 화소전극(123) 만이 제 1 기판(101)에 형성될 경우 이는 TN모드, ECB모드, VA모드 중 어느 하나의 모드로 동작하는 표시패널(100)을 이루게 된다. 도면에 있어서는 IPS모드로 동작하는 표시패널(100)을 일예로 설명하겠다.
그리고 제 1 기판(101)과 마주보는 제 2 기판(102) 상에는 제 1 기판(101)에 구성된 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)의 게이트배선(103)과 데이터배선(105)과 박막트랜지스터(T)에 대응하여 블랙매트릭스(131)가 형성되고 있다.
따라서, 블랙매트릭스(131)는 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)에 대응하는 개구부를 가지고 있으며, 개구부에 대응하여 순차적으로 반복 배열된 R, G, B 컬러필터패턴(미도시, 133, 미도시)을 포함하는 컬러필터층이 형성되어 있다.
여기서, 적색 컬러필터패턴(미도시)이 위치하는 화소영역은 적색 화소영역(R-SP)으로 정의되며, 녹색 컬러필터패턴(133)이 위치하는 화소영역은 녹색 화소영역(G-SP) 그리고 청색 컬러필터패턴(미도시)이 위치하는 화소영역은 청색 화소영역(B-SP)으로 정의된다.
이러한 R, G, B 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)은 하나의 화소(P)를 이루며, 다양한 색상을 표현하게 된다.
이때, 도시하지는 않았지만 컬러필터패턴이 생략되어 R, G, B 컬러필터패턴(미도시, 133, 미도시) 하부로 전면에 투명한 오버코트층(미도시)이 구비되는 백색 화소영역이 더욱 구비될 수 있다.
여기서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는 복수의 화소영역(SP)이 정의되는 표시영역(A/A) 내에 프로세스 키(200)가 위치하는 것을 특징으로 한다.
즉, 프로세스 키(200)는 표시패널(100)의 적어도 네 모서리에 위치하게 되는데, 이때 프로세스 키(200)는 표시영역(A/A)의 가장자리를 따라 최외각에 위치하는 복수의 화소(P) 중 표시영역(A/A)의 네 모서리에 대응하여 녹색 컬러필터패턴(133)이 구비되는 녹색 화소영역(B-SP) 내에 프로세스 키(200)가 위치하는 것이다.
일예로, 하나의 화소(P)가 R, G, B 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)으로 이루어지며 실패턴(120)으로부터 순차적으로 R, G, B 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 순으로 위치하면, 프로세스 키(200)는 실패턴(120)으로부터 두번째로 인접한 녹색 화소영역(G-SP) 내에 위치하게 되며, 복수의 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)이 실패턴(120)으로부터 R, B, G 화소영역(R-SP, B-SP, G-SP) 순으로 위치하면 프로세스 키(200)는 실패턴(120)으로부터 세번째에 인접한 녹색 화소영역(G-SP) 내에 위치하게 된다.
즉, 프로세스 키(200)는 하나의 화소(P) 내의 다양한 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)의 배열 구조에 있어서, 표시영역(A/A)의 최외각에 위치하는 화소(P) 내에서 녹색 화소영역(G-SP)에 대응하여 위치하는 것이다.
이때, R, G1, B, G2 화소영역이 하나의 화소(P)를 이루게 되면, 프로세스 키(200)는 R, G2, B, G2 화소영역 중에 G1 화소영역과 G2 화소영역 내에 위치할 수 있는데, 이때 G1 화소영역과 G2 화소영역 중 가장 표시영역(A/A)의 최외각에 위치하는 녹색 화소영역 내에 위치할 수 있다.
이러한 프로세스 키(200)는 제 1 기판(101) 상에 위치하는 제 1 키 패턴(210)과, 제 2 기판(102) 상에 위치하며 제 1 키 패턴(101)의 가장자리에 대응되는 제 2 키 패턴(220)으로 나뉘어 정의되는데, 제 1 키 패턴(210)은 게이트배선(103) 및 게이트전극(111)과 동일층에서 동일물질로 이루어져, 광을 반사시킬 수 있다.
그리고, 제 2 키 패턴(220)은 블랙매트릭스(131)와 동일층에서 동일물질로 이루어진다.
이와 같이, 프로세스 키(200)를 제 1 및 제 2 키 패턴(210, 220)으로 나뉘어 형성하고, 특히 제 1 키 패턴(210)을 광을 반사시킬 수 있는 금속재질로 형성하고, 제 2 키 패턴(220)을 블랙매트릭스(133)와 동일재질로 형성함으로써, 제 1 키 패턴(210)과 제 2 키 패턴(220) 사이에 명암 차를 크게 발생시킬 수 있어, 제 1 키 패턴(210)과 제 2 키 패턴(220)의 명암 차에 의해 프로세스 키(200)의 인식율을 높이게 된다.
이때, 제 1 키 패턴(210)을 게이트배선(103) 및 게이트전극(111)과 동일층에서 동일물질로 형성하고, 제 2 키 패턴(220)을 블랙매트릭스(131)와 동일층에서 동일물질로 형성함에 따라, 프로세스 키(200)의 제 1 및 제 2 키 패턴(210, 220)을 형성하기 위한 별도의 공정이 추가 요구되지 않는다.
여기서, 제 1 키 패턴(210)의 형상은 십자형상을 도시하였으나, 십자형상 외에도 "-", “ㄴ”, "O", "T"형상 등 다양한 형태로 이루어 질 수 있으며, 위의 다양한 형상 중 적어도 한 개를 포함하는 형태로 이루어질 수도 있다.
그리고 제 2 키 패턴(220)은 제 1 키 패턴(210)의 형상의 가장자리를 따라 동일한 형상으로 이루어지거나, 또는 제 1 키 패턴(210)을 둘러싸는 폐곡선 또는 폐다각형 형상으로 이루어질 수 있다. 또한, 제 2 키 패턴(220)은 제2기판(102) 상의 최외곽 블랙매트릭스(131) 영역에 형성되되, 블랙매트릭스(131)가 제 1 키 패턴(210)의 형상에 대응되어 개구 또는 천공되어 이루어질 수도 있다.
이러한 프로세스 키(200)는 합착 장비 등이 CCD 등 카메라를 이용하여 천공된 제2 키 패턴(220)의 가운데 제1기판(101) 상의 제1 키 패턴(210)이 배치되도록 양 기판(101, 102)의 위치를 정렬한 후에 실링 공정(합착 공정)을 수행하여 형성할 수 있다.
또는 제 2 키 패턴(220)은 제 1 키 패턴(210)과 함께 하나의 형상을 이룰 수도 있는데, 제 1 키 패턴(210)이 반원 형상으로 이루어지면, 제 2 키 패턴(220) 또한 제 1 키 패턴(210)에 대응되는 반원 형상으로 이루어져, 제 1 키 패턴(210)과 제 2 키 패턴(220)이 하나의 원형을 이루도록 하는 것이다.
또는 도 5a에 도시한 바와 같이 제 1 키 패턴(210)은 제 1 방향의 선 형상으로 이루어지면, 제 2 키 패턴(220)은 도 5b에 도시한 바와 같이 제 1 방향에 수직한 선 형상으로 이루어져, 도 5c에 도시한 바와 같이 제 1 키 패턴(210)과 제 2 키 패턴(220)이 서로 중첩되어 십자형상을 이룰 수도 있다.
또한, 도 6a에 도시한 바와 같이 제 1 키 패턴(210)이 제 1 방향의 선형상으로 이루어지는 제 1 방향 패턴(210a)과, 제 1 방향에 수직한 제 2 방향의 선 형상으로 이루어지는 제 2 방향 패턴(210b)으로 이루어질 경우, 제 2 키 패턴(220)은 도 6b에 도시한 바와 같이 제 1 방향 패턴(210a)의 가장자리만을 따라 동일한 형상으로 이루어지거나, 도 6c에 도시한 바와 같이 제 1 방향 패턴(210a)의 가장자리 일부만을 따라 이루어질 수도 있다.
또는 도 6d에 도시한 바와 같이 제 2 키 패턴(220)은 제 1 키 패턴(210)의 제 2 방향 패턴(210b)의 가장자리만을 따라 동일한 형상으로 이루어지거나, 도 6e에 도시한 바와 같이 제 2 방향 패턴(210b)의 가장자리 일부만을 따라 이루어질 수도 있다.
그리고, 도 6f에 도시한 바와 같이, 제 2 키 패턴(220)이 제 1 및 제 2 방향 패턴(210a, 210b) 보다 작은 폭을 가지고 제 1 키 패턴(210) 내부로 중첩되어 이루어질 수도 있다.
이때, 제 2 키 패턴(220)은 제 1 키 패턴(210)과 동일한 형상을 갖도록 도시하였으나, 서로 다른 형상으로 이루어질 수 있다.
특히, 본 발명의 표시패널(100)은 프로세스 키(200)를 적색, 녹색, 청색 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 중 녹색 컬러필터패턴(133)을 포함하는 녹색 화소영역(G-SP) 내에 위치하도록 함으로써, 프로세스 키(200)를 표시영역(A/A) 내에 위치시키더라도 보다 명확하게 프로세스 키(200)를 검출할 수 있다.
특히, 프로세스 키(200)를 표시패널(100)의 상부측과 하부측에서 모두 검출되도록 할 수 있어, 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 표시패널(100) 내에 위치하는 프로세스 키(200)는 프로세스 키(200)로 빛을 조사한 후 재반사되는 빛을 검출하여 인식하게 된다.
이때, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는 제 1 기판(101) 상에 게이트배선(103) 및 게이트전극(111)과 동일층에서 동일물질로 제 1 키 패턴(210)을 형성하고, 제 2 기판(102) 상에 블랙매트릭스(131)와 동일층에서 동일물질로 제 2 키 패턴(220)을 형성함에 따라, 표시패널(100)의 하부측에서는 빛이 투명한 제 1 기판(101)만을 빛이 투과하면 금속재질로 이루어지는 제 1 키 패턴(210)을 검출할 수 있어, 매우 명확하게 제 1 키 패턴(210)을 인식할 수 있다.
이에 반해, 표시패널(100)의 상부측에서 프로세스 키(200)를 검출하고자 하면, 상부측으로부터 조사되는 빛은 적색, 녹색, 청색 컬러필터패턴(미도시, 133, 미도시)들에 의해 흡수 및 차단되어, 제 1 기판(101) 상에 구비되는 제 1 키 패턴(210)은 검출하지 못하고 제 2 기판(102) 상에 구비된 제 2 키 패턴(220) 만을 검출하게 된다.
여기서, 제 2 키 패턴(220)은 블랙매트릭스(133) 재질로 이루어짐에 따라, 빛을 재반사시키지 못하고 일부 빛은 흡수해 버리기 때문에, 제 2 키 패턴(220) 또한 명확하게 인식하지 못하게 된다.
여기서, 아래 (표 1)을 살펴보면 컬러필터패턴이 구비되지 않은 REF. 는 투과율이 100%인 반면, 적색, 녹색, 청색 컬러필터패턴(미도시, 133, 미도시)이 구비되는 적색, 녹색, 청색 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)은 투과율이 컬러필터패턴이 구비되지 않는 REF.에 비해 낮은 것을 확인할 수 있다.
REF. 제 1 화소영역
(적색 컬러필터패턴)		 녹색 화소영역(G-SP)
(녹색 컬러필터패턴)		 제 3 화소영역
(청색 컬러필터패턴)
투과율 (%) 100 17.20 62.40 1.70
한편, 위의 (표 1)을 살펴보면 컬러필터패턴의 색상별 차이에 의해 투과율에 차이가 발생하는 것을 확인할 수 있는데, 적색, 녹색, 청색 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 중 녹색 컬러필터패턴(133)이 구비되는 녹색 화소영역(G-SP)은 투과율이 50% 이상으로, 적색 및 청색 컬러필터패턴(미도시)이 구비되는 적색 및 청색 화소영역(R-SP, B-SP)에 비해서는 투과율이 매우 높은 것을 확인할 수 있다.
따라서, 프로세스 키(200)를 녹색 컬러필터패턴(133)이 위치하는 녹색 화소영역(G-SP) 내에 위치시킴으로써, 표시패널(100)의 상부측에서도 프로세스 키(200)를 검출할 수 있게 된다.
첨부한 도 7a ~ 7c를 참조하면, 도 7a의 적색 컬러필터패턴(미도시)이 위치하는 적색 화소영역(R-SP)과 도 7b의 청색 컬러필터패턴(미도시)이 위치하는 청색 화소영역(B-SP)에 비해 도 7c의 녹색 컬러필터패턴(133)이 구비되는 녹색 화소영역(G-SP)에서는 프로세스 키(200)가 선명하게 인식되는 것을 확인할 수 있다.
특히, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로세스 키(200)는 제 1 키 패턴(210)을 금속재질로 이루어지도록 하고, 제 1 키 패턴(210)을 감싸도록 블랙매트릭스 재질로 제 2 키 패턴(220)이 이루어지도록 함으로써, 제 1 키 패턴(210)과 제 2 키 패턴(220)의 명암 차를 보다 크게 형성할 수 있어, 보다 명확하게 프로세스 키(200)를 인식할 수 있다.
즉, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로세스 키(200)는 제 1 키 패턴(210)과 제 2 키 패턴(220)의 명암 차를 크게 형성하여, 1차적으로 보다 명확하게 프로세스 키(200)가 인식되도록 할 수 있으며, 또한 적색 및 청색 컬러필터패턴(미도시)에 비해 투과율이 높은 녹색 컬러필터패턴(133)이 위치하는 녹색 화소영역(G-SP) 내에 프로세스 키(200)가 위치하도록 함으로써, 2차적으로 보다 명확하게 프로세스 키(200)가 인식되도록 할 수 있는 것이다.
특히, 이와 같이 프로세스 키(200)의 인식율을 향상시킴에 따라 표시패널(100)의 상부측과 하부측에서 모두 프로세스 키(200)를 명확하게 인식할 수 있어, 표시패널(100)의 공정의 효율성 또한 향상시킬 수 있다.
즉, 이와 같이 표시패널(100)의 상부측과 하부측에서 모두 프로세스 키(200)가 명확하게 인식되도록 함으로써, 표시패널(100)이 여러 공정을 수행하는 과정에서, 프로세스 키(200)를 통해 제조 장비나 다른 대상과 정렬시킬 때, 필요에 따라 표시패널(100)의 상부측과 하부측에서 프로세스 키(200)를 검출할 수 있어, 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 것이다.
한편, 이러한 프로세스 키(200)는 화상이 구현되는 표시영역(A/A) 내에 위치하지만, 표시패널(100)의 크기 대비 크기가 매우 작고, 표시패널(100)의 네 모서리만 대응하여 위치함에 따라, 시청자의 육안으로는 프로세스 키(200)를 인식하기 어려우며, 표시패널(100)에서 화상을 구현하는데 있어 아무런 영향을 미치지 않는다. 전술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는 프로세스 키(200)를 금속재질로 이루어지는 제 1 키 패턴(210)과 블랙매트릭스 재질로 이루어지는 제 2 키 패턴(220)으로 나뉘어 구성하고, 표시패널(100)의 표시영역(A/A)의 네 모서리에 대응하여 최외각에 위치하는 화소(P) 중 녹색 컬러필터패턴(133)이 구비되는 녹색 화소영역(G-SP) 내에 위치시킴으로써, 네로우 베젤을 구현할 수 있으며, 또한 프로세스 키(200)의 인식율을 향상시킬 수 있다.
따라서, 표시패널(100)을 제조 장비나 다른 대상과 정확하게 정렬되도록 할 수 있어, 공정 불량을 최소화할 수 있으며, 공정의 효율성 또한 향상시킬 수 있다.
또한, 프로세스 키(200)를 표시패널(100)의 상부측과 하부측에서 모두 인식되도록 할 수 있어, 이를 통해서도 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.
한편, 도시하지는 않았지만 액정표시장치는 표시영역(A/A) 내에 화상이 구현되지 않는 더미 화소영역(미도시)이 더욱 위치할 수 있는데, 더미 화소영역(미도시)은 표시영역(A/A) 내의 화상이 구현되는 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)의 가장자리를 둘러 위치하거나, 표시영역(A/A) 내의 상, 하단 및/또는 좌, 우측에 위치하거나, 표시영역(A/A)의 어느 일 모서리에 대응하여 위치할 수 있다.
여기서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로세스 키(200)는 이러한 더미 화소영역(미도시) 내에 위치할 수 있으며, 더미 화소영역(미도시)이 각각 적색, 녹색, 청색 컬러필터패턴(미도시)을 포함하는 경우에는 녹색 컬러필터패턴(미도시)이 위치하는 녹색 더미 화소영역(미도시) 내에 위치할 수도 있다.
이때, 더미 화소영역(미도시)은 실패턴(미도시) 또는 블랙매트릭스(미도시) 등에 의해 가려지지 않아, 표시패널(100)이 여러 공정을 수행하는 과정에서, 더미 화소영역(미도시) 내에 위치하는 프로세스 키(200)를 통해 제조 장비나 다른 대상과 정확하게 정렬되도록 할 수 있다. 그리고, 컬러필터패턴(133)이 제 1 기판(101) 상에 박막트랜지스터(T) 상부로 위치할 수 있으며, 이때 블랙매트릭스(131)는 제 2 기판(102) 상에 위치할 수도 있으며, 컬러필터패턴(133)과 블랙매트릭스(131) 모두가 박막트랜지스터(T)가 구비되는 제 1 기판(101) 상에 위치할 수도 있는데, 이 경우에도 프로세스 키(200)는 제 1 키 패턴(210)이 박막트랜지스터(T)를 이루는 전극 또는 배선과 동일물질로 이루어지며, 제 2 키 패턴(220)은 블랙매트릭스(131)로 이루어질 수 있다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 도시한 단면도로, 표시영역의 가장자리를 따라 최외각에 위치하는 복수의 화소 중 표시영역의 네 모서리에 대응하여 녹색 컬러필터패턴이 구비되는 녹색 화소영역(G-SP)을 도시하였다.
그리고, 도 9은 본 발명의 제 2 실시예에 또 다른 유기발광표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
설명에 앞서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광표시장치는 발광된 광의 투과방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉘게 되는데, 이하 본 발명에서는 상부 발광방식을 일예로 설명하도록 하겠다.
그리고 설명의 편의를 위해 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되는 영역을 비발광영역(NEA), 그리고 발광다이오드(E)가 형성되는 영역을 발광영역(EA)이라 정의한다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광표시장치의 표시패널(100)은 구동 박막트랜지스터(DTr)와 발광다이오드(E)가 형성된 기판(101)이 인캡기판(102)에 의해 인캡슐레이션(encapsulation)된다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 기판(101) 상의 녹색 화소영역(G-SP)의 비발광영역(NEA)에는 반도체층(303)이 위치하는데, 반도체층(303)은 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 액티브영역(303a) 그리고 액티브영역(303a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(303b, 303c)으로 구성된다.
이러한 반도체층(303) 상부로는 게이트절연막(305)이 위치한다.
게이트절연막(305) 상부로는 반도체층(303)의 액티브영역(303a)에 대응하여 게이트전극(307)과 도면에 나타내지 않았지만 일방향으로 연장하는 게이트배선(미도시)이 구비된다.
또한, 게이트전극(307)과 게이트배선(미도시)을 포함하는 상부로는 제 1 층간절연막(309a)이 위치하며, 이때 제 1 층간절연막(309a)과 그 하부의 게이트절연막(305)은 액티브영역(303a) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(303b, 303c)을 각각 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀(316)이 구비된다.
다음으로, 제 1, 2 반도체층 콘택홀(316)을 포함하는 제 1 층간절연막(309a) 상부로는 서로 이격하며 제 1, 2 반도체층 콘택홀(316)을 통해 노출된 소스 및 드레인영역(303b, 303c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(310a, 310b)이 구비되어 있다.
그리고, 소스 및 드레인전극(310a, 310b)과 두 전극(310a, 310b) 사이로 노출된 제 1 층간절연막(309a) 상부로 제 2 층간절연막(309b)이 위치한다.
이때, 소스 및 드레인 전극(310a, 310b)과 이들 전극(310a, 310b)과 접촉하는 소스 및 드레인영역(303b, 303c)을 포함하는 반도체층(303)과 반도체층(303) 상부에 위치하는 게이트절연막(305) 및 게이트전극(307)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이루게 된다.
한편, 도면에 나타나지 않았지만, 게이트배선(미도시)과 교차하여 녹색 화소영역(G-SP)을 정의하는 데이터배선(미도시)이 위치하며, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조로, 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결된다.
그리고, 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)는 도면에서는 반도체층(303)이 폴리실리콘 반도체층 또는 산화물반도체층으로 이루어진 탑 게이트(top gate) 타입을 예로써 보이고 있으며, 이의 변형예로써 순수 및 불순물의 비정질실리콘으로 이루어진 보텀 게이트(bottom gate) 타입으로 구비될 수도 있다.
그리고 제 1 및 제 2 층간절연막(309a, 309b)은 드레인전극(310b)을 노출하는 드레인콘택홀(317)을 포함하며, 제 2 층간절연막(309b) 상부로는 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(310b)과 연결되며 예를 들어 일함수 값이 비교적 높은 물질로 발광다이오드(E)의 양극(anode)을 이루는 제 1 전극(311)이 위치한다.
제 1 전극(311)은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)와 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 혼합물, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube; CNT), 그래핀(graphene), 은 나노와이어(silver nano wire) 등으로 이루어질 수 있다.
이러한 제 1 전극(311)은 녹색 화소영역(G-SP) 상에만 위치하는데, 이웃하는 화소영역에 위치하는 제 1 전극(311) 사이에는 뱅크(bank : 319)가 위치한다. 즉, 제 1 전극(311)은 뱅크(319)를 각 화소영역 별 경계부로 하여 화소영역 별로 분리된 구조를 갖게 된다.
그리고 제 1 전극(311)의 상부에 유기발광층(313)이 위치하는데, 유기발광층(313)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transport layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transport layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.
그리고, 유기발광층(313)의 상부로는 전면에 음극(cathode)을 이루는 제 2 전극(315)이 위치한다.
제 2 전극(315)은 일함수 값이 비교적 작은 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 제 2 전극(315)은 이중층 구조로, 일함수가 낮은 금속 물질인 Ag 등으로 이루어지는 제 1 금속과 Mg 등으로 이루어지는 제 2 금속이 일정 비율로 구성된 합금의 단일층 또는 이들의 다수 층으로 구성될 수 있다.
이러한 유기발광표시장치의 표시패널(100)은 선택된 신호에 따라 제 1 전극(311)과 제 2 전극(315)으로 소정의 전압이 인가되면, 제 1 전극(311)으로부터 주입된 정공과 제 2 전극(315)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(313)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 광이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다.
이때, 발광된 광은 제 2 전극(311)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, 유기발광표시장치의 표시패널(100)은 임의의 화상을 구현하게 된다.
그리고, 이러한 구동 박막트랜지스터(DTr)와 발광다이오드(E) 상부에는 얇은 박막필름 형태인 보호층(330)이 위치하며, 보호층(330) 상부로는 컬러필터패턴(333)이 구비되는 인캡기판(302)이 구비되어, 유기발광표시장치를 인캡슐레이션(encapsulation)하게 된다.
즉, 기판(301)과 마주보는 인캡기판(302) 상에는 기판(301) 상에 구성된 녹색 화소영역(G-SP)의 게이트배선(미도시)과 데이터배선(미도시)과 구동 박막트랜지스터(DTr)에 대응하여 블랙매트릭스(331)가 형성되고 있다.
따라서, 블랙매트릭스(331)는 녹색 화소영역(G-SP)에 대응하는 개구부를 가지고 있으며, 개구부에 대응하여 순차적으로 반복 배열된 녹색 컬러필터패턴(333)을 포함하는 컬러필터층이 형성되어 있다.
이때, 녹색 화소영역(G-SP)의 일측에는 프로세스 키(200)가 위치하는데, 프로세스 키(200)는 기판(301) 상에 위치하는 제 1 키 패턴(210)과, 인캡기판(302) 상에 위치하며 제 1 키 패턴(210)의 가장자리에 대응되는 제 2 키 패턴(220)으로 나뉘어 정의된다.
제 1 키 패턴(210)은 게이트배선(미도시) 및 게이트전극(307)과 동일층에서 동일물질로 이루어져, 광을 반사시킬 수 있으며, 제 2 키 패턴(220)은 블랙매트릭스(331)와 동일층에서 동일물질로 이루어진다.
이와 같이, 프로세스 키(200)를 제 1 및 제 2 키 패턴(210, 220)으로 나뉘어 형성하고, 특히 제 1 키 패턴(210)을 광을 반사시킬 수 있는 금속재질로 형성하고, 제 2 키 패턴(220)을 블랙매트릭스(331)와 동일재질로 형성함으로써, 제 1 키 패턴(210)과 제 2 키 패턴(220) 사이에 명암 차를 크게 발생시킬 수 있어, 제 1 키 패턴(210)과 제 2 키 패턴(220)의 명암 차에 의해 프로세스 키(200)의 인식율을 높이게 된다.
이때, 제 1 키 패턴(210)을 게이트배선(미도시) 및 게이트전극(307)과 동일층에서 동일물질로 형성하고, 제 2 키 패턴(220)을 블랙매트릭스(331)와 동일층에서 동일물질로 형성함에 따라, 프로세스 키(200)의 제 1 및 제 2 키 패턴(210, 220)을 형성하기 위한 별도의 공정이 추가 요구되지 않는다.
여기서, 제 1 키 패턴(210)의 형상은 십자형상을 도시하였으나, 십자형상 외에도 "-", “ㄴ”, "O", "T"형태 등 다양한 형태로 이루어 질 수 있으며, 제 2 키 패턴(220)은 제 1 키 패턴(210)의 형상의 가장자리를 따라 동일한 형상으로 이루어지거나, 또는 제 1 키 패턴(210)을 둘러싸는 폐곡선 또는 폐다각형 형상으로 이루어질 수 있다.
또는 제 2 키 패턴(220)은 제 1 키 패턴(210)과 함께 하나의 형상을 이룰 수도 있으며, 또한, 제 2 키 패턴(220)이 제 1 키 패턴(210)의 일부 형상의 가장자리를 따라 동일한 형상으로 이루어지거나, 제 2 키 패턴(220)이 제 1 키 패턴(210) 내부로 중첩되어 이루어질 수도 있다.
또한, 제 2 키 패턴(220)은 인캡기판(302) 상의 최외곽 블랙매트릭스(331) 영역에 형성되되, 블랙매트릭스(331)가 제 1 키 패턴(210)의 형상에 대응되어 개구 또는 천공되어 이루어질 수도 있다.
특히, 본 발명의 유기발광표시장치의 표시패널(100)은 프로세스 키(200)를 녹색 컬러필터패턴(333)을 포함하는 녹색 화소영역(G-SP) 내에 위치하도록 함으로써, 프로세스 키(200)를 표시영역(도 2의 A/A) 내에 위치시키더라도 보다 명확하게 프로세스 키(200)를 검출할 수 있다.
특히, 프로세스 키(200)를 표시패널(100)의 상부측과 하부측에서 모두 검출되도록 할 수 있어, 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.
즉, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로세스 키(200)는 제 1 키 패턴(210)과 제 2 키 패턴(220)의 명암 차를 크게 형성하여, 1차적으로 보다 명확하게 프로세스 키(200)가 인식되도록 할 수 있으며, 또한 적색 및 청색 컬러필터패턴(미도시)에 비해 투과율이 높은 녹색 컬러필터패턴(333)이 위치하는 녹색 화소영역(G-SP) 내에 프로세스 키(200)가 위치하도록 함으로써, 2차적으로 보다 명확하게 프로세스 키(200)가 인식되도록 할 수 있는 것이다.
특히, 이와 같이 프로세스 키(200)의 인식율을 향상시킴에 따라 표시패널(100)의 상부측과 하부측에서 모두 프로세스 키(200)를 명확하게 인식할 수 있어, 표시패널(100)의 공정의 효율성 또한 향상시킬 수 있다.
한편, 이러한 프로세스 키(200)는 화상이 구현되는 표시영역(도 2의 A/A) 내에 위치하지만, 표시패널(100)의 크기 대비 크기가 매우 작고, 표시패널(100)의 네 모서리만 대응하여 위치함에 따라, 시청자의 육안으로는 프로세스 키(200)를 인식하기 어려우며, 표시패널(100)에서 화상을 구현하는데 있어 아무런 영향을 미치지 않는다.
한편, 도 9를 참조하면, 구동 박막트랜지스터(DTr) 상부의 제 2 층간절연막(309b) 상부로 녹색 컬러필터패턴(333)이 구비되는 하부 발광방식의 유기발광표시장치에서는, 반도체층(303)이 산화물반도체층으로 이루어질 경우 반도체층(303) 하부로 블랙안료로 이루어지는 차광층(340)이 더욱 위치할 수 있으며, 차광층(340)과 반도체층(303) 사이로 버퍼층(350)이 위치할 수 있다.
이때, 프로세스 키(200)의 제 1 키 패턴(210)을 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트배선(미도시) 및 게이트전극(307)과 동일층에서 동일물질로 이루어지도록 하고, 제 2 키 패턴(220)은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 반도체층(303) 하부로 위치하는 차광층(340)과 동일층에서 동일물질로 형성할 수도 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광표시장치의 표시패널(100)은 프로세스 키(200)를 금속재질로 이루어지는 제 1 키 패턴(210)과 블랙매트릭스(331) 재질로 이루어지는 제 2 키 패턴(220)으로 나뉘어 구성하고, 표시패널(100)의 표시영역(도 2의 A/A)의 네 모서리에 대응하여 최외각에 위치하는 화소(도 3의 P) 중 녹색 컬러필터패턴(333)이 구비되는 녹색 화소영역(G-SP) 내에 위치시킴으로써, 네로우 베젤을 구현할 수 있으며, 또한 프로세스 키(200)의 인식율을 향상시킬 수 있다.
따라서, 표시패널(100)을 제조 장비나 다른 대상과 정확하게 정렬되도록 할 수 있어, 공정 불량을 최소화할 수 있으며, 공정의 효율성 또한 향상시킬 수 있다.
또한, 프로세스 키(200)를 표시패널(100)의 상부측과 하부측에서 모두 인식되도록 할 수 있어, 이를 통해서도 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.
한편, 도시하지는 않았지만 유기발광표시장치의 표시패널(100)은 각 화소영역 별로 위치하는 발광다이오드(E)로부터 각각 R, G, B 컬러가 발광될 수 있으며, 이때 컬러필터패턴(333)은 생략될 수 있다.
한편, 블랙매트릭스(331)가 인캡기판(302)의 내측에 위치하거나 인캡기판(302) 외측으로 위치할 수 있는데, 제 2 키 패턴(220)은 이러한 블랙매트릭스(331)의 위치에 대응하여 인캡기판(302)의 내측 또는 외측에 위치할 수 있다.
또한, 컬러필터패턴(333)과 블랙매트릭스(331)가 모두 인캡기판(302)의 외측으로 위치할 수 있는데, 이때 제 2 키 패턴(220) 또한 인캡기판(302)의 외측으로 위치하게 된다.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
100 : 표시패널
101, 102 : 제 1 및 제 2 기판
103, 105 : 게이트배선, 데이터배선
120 : 실패턴
160 : 패드
200 : 프로세스 키
A/A : 표시영역, N/A : 비표시영역

Claims (10)

  1. 화상이 구현되는 제 1 내지 제 3 화소영역을 포함하는 표시영역과, 상기 표시영역의 가장자리를 따라 비표시영역이 정의되며, 서로 마주하는 제 1 기판 및 제 2 기판과;
    상기 제 1 내지 제 3 화소영역 내에 위치하며, 상기 제 1 기판 상에 구비된 제 1 키 패턴을 포함하는 프로세스 키
    를 포함하며, 상기 제 1 키 패턴은 상기 제 1 기판 상에 위치하며,
    상기 프로세스 키는 각각 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 외측으로부터 검출되는 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세스 키는 상기 제 1 키 패턴과 상이한 재질로 이루어지는 제 2 키 패턴을 포함하는 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 키 패턴은 "+", "-", “ㄴ”, "O", "T" 중 선택된 적어도 하나로 이루어지며,
    상기 제 2 키 패턴은 상기 제 1 키 패턴의 가장자리를 따라 동일한 형상으로 이루어지거나, 상기 제 1 키 패턴을 둘러싸는 폐곡선 또는 폐다각형 형상으로 이루어지는 표시장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 키 패턴과 상기 제 2 키 패턴이 서로 하나의 형상을 이루는 표시장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 키 패턴은 상기 제 1 키 패턴의 일부 가장자리만 대응되는 형상을 갖는 표시장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 키 패턴은 상기 제 1 키 패턴과 동일한 형상으로 이루어지거나, 또는 상이한 형상으로 이루어져 내부로 중첩되어 이루어지는 표시장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 표시영역 내에는 적색, 녹색, 청색 컬러필터패턴이 각각 구비되는 상기 제 1 내지 제 3 화소영역의 정의되며,
    상기 프로세스 키는 상기 녹색 컬러필터패턴이 구비되는 녹색 화소영역 내에 위치하는 표시장치.

  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 상에는 게이트전극, 게이트 및 데이터배선, 반도체층 그리고 소스 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터가 구비되며,
    상기 제 1 키 패턴은 상기 게이트전극 및 상기 게이트배선과 동일층에서 동일물질로 이루어지는 표시장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 키 패턴은 블랙매트릭스와 동일층에서 동일물질로 이루어지는 표시장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 키 패턴은 상기 박막트랜지스터 하부로 위치하며 블랙안료로 이루어지는 차광층과 동일층에서 동일물질로 이루어지는 표시장치.
KR1020170143331A 2017-10-31 2017-10-31 프로세스 키를 포함하는 표시장치 KR102107384B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170143331A KR102107384B1 (ko) 2017-10-31 2017-10-31 프로세스 키를 포함하는 표시장치
US16/151,174 US10957744B2 (en) 2017-10-31 2018-10-03 Display device including process key
CN201811266585.6A CN109727955B (zh) 2017-10-31 2018-10-29 包括工艺标记的基板和包括该基板的显示设备
DE102018127272.3A DE102018127272B4 (de) 2017-10-31 2018-10-31 Anzeigevorrichtung mit Prozessschlüssel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170143331A KR102107384B1 (ko) 2017-10-31 2017-10-31 프로세스 키를 포함하는 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190048401A KR20190048401A (ko) 2019-05-09
KR102107384B1 true KR102107384B1 (ko) 2020-05-07

Family

ID=66137885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170143331A KR102107384B1 (ko) 2017-10-31 2017-10-31 프로세스 키를 포함하는 표시장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10957744B2 (ko)
KR (1) KR102107384B1 (ko)
CN (1) CN109727955B (ko)
DE (1) DE102018127272B4 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108054191B (zh) * 2018-01-11 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20200000508A (ko) 2018-06-22 2020-01-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 포함하는 전자 장치, 및 이의 제조 방법
KR20200110505A (ko) * 2019-03-13 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102673361B1 (ko) * 2019-08-02 2024-06-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210016222A (ko) 2019-08-02 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 광제어 필름 및 이를 포함하는 표시 장치
CN110716359A (zh) * 2019-10-14 2020-01-21 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法
CN111025799B (zh) * 2019-12-02 2021-07-27 苏州华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110931464B (zh) * 2019-12-10 2021-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
US11908804B2 (en) 2019-12-10 2024-02-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel
KR20210157939A (ko) * 2020-06-22 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN112864023B (zh) * 2021-01-07 2022-04-29 长鑫存储技术有限公司 半导体标记制作方法及半导体标记
CN113238400B (zh) * 2021-03-29 2023-06-16 绵阳惠科光电科技有限公司 对位标记、显示装置和对位标记的判断方法
CN116261368A (zh) * 2021-12-08 2023-06-13 群创光电股份有限公司 电子装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101140241B1 (ko) * 2005-06-27 2012-04-26 엘지디스플레이 주식회사 얼라인 마크를 포함한 액정표시소자

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1195243C (zh) * 1999-09-30 2005-03-30 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法
JP2002350888A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルの製造方法
KR101022284B1 (ko) * 2003-08-19 2011-03-21 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR101060342B1 (ko) * 2003-11-18 2011-08-29 엘지디스플레이 주식회사 프로세스 키를 포함하는 컬러필터 기판 및 그 제조방법
JP2005266284A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、その製造方法で製造した電気光学装置を搭載した電子機器、および偏光板
KR101223098B1 (ko) * 2004-09-09 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
JP4586573B2 (ja) 2005-02-28 2010-11-24 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置及びその製造方法、薄膜トランジスタ、電子機器
KR101127855B1 (ko) 2005-06-02 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자
JP4780639B2 (ja) * 2005-06-27 2011-09-28 シャープ株式会社 着色層の形成方法、撮像装置の製造方法および表示装置の製造方法
KR101181244B1 (ko) * 2005-08-30 2012-09-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR20080003998A (ko) * 2006-07-04 2008-01-09 삼성전자주식회사 액정표시장치
KR102043177B1 (ko) * 2012-11-21 2019-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102182881B1 (ko) * 2013-11-13 2020-11-26 엘지디스플레이 주식회사 얼라인 키를 포함하는 표시패널 및 그 제조방법
KR102207621B1 (ko) * 2014-12-15 2021-01-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101851685B1 (ko) 2016-06-21 2018-04-24 이혁 스마트 폰 케이스에 탑재 되는 ｕｓｂ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101140241B1 (ko) * 2005-06-27 2012-04-26 엘지디스플레이 주식회사 얼라인 마크를 포함한 액정표시소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190048401A (ko) 2019-05-09
US10957744B2 (en) 2021-03-23
US20190131359A1 (en) 2019-05-02
CN109727955B (zh) 2022-10-18
DE102018127272A1 (de) 2019-05-02
CN109727955A (zh) 2019-05-07
DE102018127272B4 (de) 2023-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102107384B1 (ko) 프로세스 키를 포함하는 표시장치
KR102050434B1 (ko) 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
CN111244320B (zh) 显示设备
CN108258010B (zh) 显示装置
TWI475682B (zh) 附有輸入機能之有機電激發光裝置及電子機器
JP6282832B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
KR102288845B1 (ko) 터치 센서를 포함하는 표시 장치
CN106847860B (zh) 有机发光装置
KR20160058360A (ko) 협 베젤 구조를 갖는 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
KR20150024575A (ko) 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
US20210399081A1 (en) Transparent display device
US7754521B2 (en) Dual panel type organic electroluminescent device
CN113345933A (zh) 显示设备
KR102667694B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN114664895A (zh) 透明显示装置
US11653545B2 (en) Transparent display device
US7671530B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of fabricating the same
US8076843B2 (en) Organic electroluminescence display device
KR20170015699A (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR20160013443A (ko) 칼라 필터를 구비한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
KR20150070544A (ko) 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20170081052A (ko) 패드부 전극 구조 및 이를 갖는 표시 장치
KR102119572B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
US20220190095A1 (en) Transparent display device
KR20140086081A (ko) 유기발광소자표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant