CN109727955A - 包括工艺标记的基板和包括该基板的显示设备 - Google Patents

包括工艺标记的基板和包括该基板的显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN109727955A
CN109727955A CN201811266585.6A CN201811266585A CN109727955A CN 109727955 A CN109727955 A CN 109727955A CN 201811266585 A CN201811266585 A CN 201811266585A CN 109727955 A CN109727955 A CN 109727955A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
indicia patterns
label
shape
technique
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811266585.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109727955B (zh
Inventor
孔荣贤
崔元俊
张圭范
金惠琳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN109727955A publication Critical patent/CN109727955A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109727955B publication Critical patent/CN109727955B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133308Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/88Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133354Arrangements for aligning or assembling substrates
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/08Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 light absorbing layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00Function characteristic
    • G02F2203/02Function characteristic reflective
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

包括工艺标记的基板和包括该基板的显示设备。本公开涉及一种包括工艺标记的显示设备,更具体地,涉及一种在实现窄边框的显示设备中的具有提高的识别率的工艺标记。本公开的特征在于:工艺标记被划分并形成为由金属材料制成第一标记图案和由黑色基质材料制成的第二标记图案,并且工艺标记设置在位于与显示面板的显示区域的四个角部对应的最外周处的像素当中的、其中设置有绿色滤色器图案的绿色像素区域中,从而可以实现窄边框并且还可以提高工艺标记的识别率。因此,显示面板可以与制造设备或其它对象准确地对准,从而可以使工艺缺陷最小化并且还可以提高工艺效率。此外,工艺标记可以从显示面板的上下两侧来识别,从而可以改进工艺。

Description

包括工艺标记的基板和包括该基板的显示设备
技术领域
本公开涉及一种包括工艺标记(process key)的显示设备,更具体地,涉及一种在实现窄边框的显示设备中的具有提高的识别率的工艺标记。
背景技术
最近,随着社会已进入成熟的信息时代,用于处理并显示大量信息的显示领域已迅猛发展,响应于这种发展,各种显示设备已被开发出并且越来越受到关注。
显示设备的具体示例包括液晶显示(LCD)设备、等离子体显示面板(PDP)设备、场发射显示(FED)设备、电致发光显示(ELD)设备以及有机发光二极管(OLED)设备,这些显示设备在减厚、减重以及降低功耗的性能方面表现优异,从而快速替代了现有的阴极射线管(CRT)。
在这些显示设备当中,LCD设备包括:阵列基板,其包括薄膜晶体管;滤色器基板,其具有滤色器和/或黑底;以及液晶层,其形成在阵列基板和滤色器基板之间,从而构成显示面板。根据施加在像素区域的两个电极之间的电场来控制液晶层的对准状态,从而控制透光率并由此显示图像。
此外,OLED设备包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、第一电极和第二电极、包括设置在第一电极和第二电极之间的有机发光层的第一基板以及被压缩并接合到第一基板的第二基板,从而构成显示面板。根据施加在像素区域的两个电极之间的电压电平或电流量来控制有机材料的发光程度,从而显示图像。
当在显示面板的状态下对这种显示设备执行各种工艺(划片、研磨、模块化工艺等)时,出于各种目的的工艺标记可用于与制造设备或其它对象的对准。
工艺标记形成在作为每个显示面板的边框区域的非显示区域中并且工艺标记可以包括多个标记图案,每个标记图案具有独特的图案或形状,从而使每个工艺的设备识别出多个标记图案。虽然近年来,为了减小显示设备的边框区域而积极地开展了研究,但是设置在边框区域中的工艺标记还是对边框区域能够变得窄小的程度造成限制。
发明内容
实施方式旨在提供一种使边框区域最小化的显示设备。
实施方式还旨在允许在显示面板的上侧或下侧明确地检测出工艺标记。
一个或更多个实施方式涉及一种显示设备,该显示设备包括:第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板彼此相对并且限定有用于实现图像的显示区域和沿着所述显示区域的边缘形成的非显示区域;以及工艺标记,所述工艺标记包括设置在所述第一基板上以与所述显示区域的角部对应的第一标记图案,其中,第一标记图案设置在所述第一基板上。
本公开的优点和特征将在下面的描述中被部分地阐述,并且对于本领域普通技术人员而言在查阅下文之后部分地将变得明显或者可以从本公开的实践而得知。本文中的实施方式的其它优点和特征可以通过在书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现并获得。
应当理解的是,前述概括描述和以下详细描述二者都是说明性的,并且旨在提供对所要求保护的实施方式的进一步说明。
附记1.一种显示设备,该显示设备包括:
第一基板,所述第一基板限定用于显示图像的显示区域和沿着所述显示区域的边缘的非显示区域;
第二基板,所述第二基板面对所述第一基板;以及
工艺标记,所述工艺标记包括在所述显示区域的角部中的设置在所述第一基板上的第一标记图案,
其中,所述第一标记图案被设置在所述第一基板的内表面上。
附记2.根据附记1所述的显示设备,其中,所述工艺标记包括由与所述第一标记图案的材料不同的材料制成的第二标记图案。
附记3.根据附记2所述的显示设备,其中,
所述第一标记图案被制成从"+"、"-"、"L"、"O"和"T"形状当中选择的至少一种形状;并且
所述第二标记图案沿着所述第一标记图案的边缘形成为与所述第一标记图案的形状相同的形状,或者被形成为包围所述第一标记图案的闭合曲线形状或闭合多边形形状。
附记4.根据附记2所述的显示设备,其中,所述第一标记图案和所述第二标记图案形成单个形状。
附记5.根据附记2所述的显示设备,其中,所述第二标记图案具有仅与所述第一标记图案的边缘的一部分相对应的形状。
附记6.根据附记2所述的显示设备,其中,所述第二标记图案被形成为与所述第一标记图案的形状相同的形状,或者所述第二标记图案被形成为与所述第一标记图案的形状不同的形状并且被设置在所述第一标记图案的内部。
附记7.根据附记1所述的显示设备,其中,所述第一基板的所述显示区域包括各自具有红色滤色器图案的第一区域、各自具有绿色滤色器图案的第二区域以及各自具有蓝色滤色器图案的第三区域,并且其中,所述工艺标记被设置在所述第二区域中的一个中。
附记8.根据附记7所述的显示设备,其中,所述第一基板包括:薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、半导体层以及源极和漏极,其中,所述第一标记图案在与所述栅极和选通线相同的层中由与所述栅极和选通线的材料相同的材料形成。
附记9.根据附记2所述的显示设备,该显示设备还包括位于所述第二基板中的黑底,其中,所述第二标记图案在与所述黑底相同的层中由与所述黑底的材料相同的材料形成。
附记10.根据附记2所述的显示设备,该显示设备还包括在所述第一基板中的薄膜晶体管下方的光阻挡层,其中,所述光阻挡层和所述第二标记图案由相同的黑色颜料制成并且形成在同一层中。
附记11.一种显示设备的基板,该基板包括:
显示区域,所述显示区域包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管用于在所述显示区域中操作像素以显示图像,以及
工艺标记,所述工艺标记包括用于在制造工艺期间使所述基板或所述显示设备对准的第一标记图案;以及
非显示区域,所述非显示区域沿着所述显示区域的至少一边缘形成。
附记12.根据附记11所述的基板,其中,所述工艺标记还包括第二标记图案,所述第二标记图案由与所述第一标记图案的材料不同的材料制成。
附记13.根据附记12所述的基板,其中,所述第一标记图案和所述第二标记图案部分交叠。
附记14.根据附记12所述的基板,其中,所述第一标记图案由与所述薄膜晶体管的栅极的材料相同的材料制成并且位于与所述栅极相同的层上。
附记15.根据附记12所述的基板,其中,所述基板附接到包括黑底的另一基板,所述第二标记图案由与所述黑底相同的材料制成并且位于与所述黑底相同的层上。
附记16.根据附记12所述的基板,其中,所述显示区域还包括覆盖所述薄膜晶体管的光阻挡层,并且所述第二标记图案由与所述光阻挡层的材料相同的材料制成并且位于与所述光阻挡层相同的层上。
附记17.根据附记11所述的基板,其中,所述像素包括红色像素、绿色像素和蓝色像素,其中,所述工艺标记被设置在所述绿色像素中的一个中。
附记18.根据附记11所述的基板,其中,所述基板附接到另一基板,液晶层插置在所述基板和另一基板之间。
附记19.根据附记11所述的基板,其中,所述薄膜晶体管形成发光二极管的一部分,并且所述基板通过另一基板来封装。
附记20.根据附记11所述的基板,其中,所述工艺标记被设置在所述显示区域的角部处。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解,并且并入本说明书中并构成本说明书的一部分,附图例示了本公开的实现方式并且与描述一起用于说明本公开的实施方式的原理。
图1A是例示根据本公开的一个实施方式的显示面板的示意平面图。
图1B是图1A的截面图。
图2是示意性地例示根据本公开的第一实施方式的液晶显示(LCD)设备的一部分的平面图。
图3是示意性地例示根据第一实施方式的位于图2的最外周的单个像素的放大平面图。
图4是根据第一实施方式的沿着图3的线IV-IV截取的截面图。
图5A至图5C以及图6A至图6F是例示根据第一实施方式的工艺标记的示意图。
图7A至图7C是例示根据滤色器图案的颜色来测量工艺标记的识别率的实验结果的图。
图8是示意性地例示根据本公开的第二实施方式的有机发光二极管(OLED)设备的截面图。
图9是示意性地例示根据本公开的第二实施方式的另一OLED设备的截面图。
具体实施方式
现在,将详细参照本公开的实施方式,可在附图中例示这些实施方式的示例。在以下描述中,当对于与本文档相关的公知的功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊本发明构思的要旨时,将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/或操作的序列是示例;然而,步骤和/或操作的序列不限于本文所阐述的那些,并且除了必须以特定次序发生的步骤和/或操作以外,可以如本领域公知的那样进行改变。相似的参考标号通篇指代相似的元件。以下说明中使用的相应元件的名称仅被选择以便于撰写本说明书,因此可以与实际产品中使用的名称不同。
将理解的是,虽然在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但这些元件不应当受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开来。因此,在不脱离本公开的范围的情况下,可将第一元件称为第二元件,类似地,可将第二元件称为第一元件。
术语“至少一个”应当被理解为包括相关联地列举的项目中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如,“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义表示从第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个提出的所有项目的组合以及第一项目、第二项目或第三项目。
在对实施方式的描述中,当结构被描述为位于另一结构“上或上方”或者“下或下方”时,此描述应当被解释为包括这些结构彼此接触的情形以及在它们之间设置有第三结构的情形。图中所示的每个元件的大小和厚度仅为了便于描述而给出,并且本公开的实施方式不限于此。
如本领域技术人员可充分理解的,本发明的各种实施方式的特征可部分或全部地彼此连接或组合,并且可彼此进行各种不同的相互操作并在技术上进行驱动。本发明的实施方式可彼此独立地执行,或者可按照相互依赖关系一起执行。
在下文中,将参照附图来详细描述本公开的实施方式。
图1A是示意性地例示根据本公开的一个实施方式的显示面板的示意平面图,并且图1B是图1A的截面图。如附图所示,通过将第一基板101(例如,下基板)和第二基板102(例如,上基板)接合来制作显示面板100。当显示面板100被实施为液晶显示(LCD)设备时,在第一基板101上设置薄膜晶体管T(图3),在第二基板102上设置滤色器图案133(图4)和/或黑底131(图4),并且在第一基板101和第二基板102之间插置液晶层104(图4)。
此外,当显示面板100被形成为有机发光二极管(OLED)设备时,在第一基板101上设置开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管、第一电极311和第二电极315(图8)、位于第一电极311和第二电极315(图8)之间的有机发光层313(图8),而第二基板102与第一基板101间隔开具有粘附性的保护层330(图8),并且通过保护层330接合到第一基板101。下文将更详细地描述这种结构。
薄膜晶体管T(图3)和/或第一电极311和第二电极315(图8)位于显示面板100的第一基板101上,使得多条线(未示出)被形成并且焊盘160连接到多条线(未示出)中的每一条的末端。在这种情况下,多条线(未示出)可利用诸如选通线103和数据线105(图3)以及公共总线107(图3)这样的信号线来配置,或可利用诸如抗静电线(未示出)这样的非信号线来配置。
在根据本公开的实施方式的显示面板100中,第一基板101和第二基板102被形成为相同的形状,因此第一基板101和第二基板102的一端彼此重合,设置在多条线(未示出)中的每一条的末端处的焊盘160的侧表面暴露于第一基板101和第二基板102之间的侧表面。
印制电路板(PCB)190经由诸如柔性PCB这样的连接构件170连接到显示面板100的一侧,在这种情况下,连接构件170附接并连接到显示面板100的侧表面。也就是说,连接构件170通过包括导电球180a的粘合层180b与焊盘160的暴露于第一基板101和第二基板102之间的侧表面的侧表面电连接。虽然连接构件170和PCB 190被例示为仅连接到显示面板100的一侧,但是连接构件170和PCB 190还可附加形成在显示面板100的另一侧。
此外,焊盘160可以在与多条线(未示出)相同的层上由多条线(未示出)形成为一个整体,或者多条线(未示出)可以由设置在栅极绝缘层113(图4)上的数据线105(图3)形成并且焊盘160可以由设置在栅极绝缘层113(图4)下方的数据焊盘形成,在这种情况下,数据焊盘通过设置在栅极绝缘层113(图4)中的接触孔(未示出)连接到数据线105(图3)。
在这样的显示面板100中,焊盘160的侧表面暴露于第一基板101和第二基板102的侧表面,并且连接构件170附接并连接到第一基板101和第二基板102的侧表面,从而在第一基板101和第二基板102上无需单独的焊盘形成区域(即,焊盘区域)。
也就是说,从上方观察时,仅除了形成密封图案120的区域的边缘区域(即,非显示区域N/A)之外,显示面板100的整个区域被形成为构成实现图像的显示区域A/A。因为边缘区域(即,非显示区域N/A)减小,所以能够实现具有更窄边框的显示面板100。
如上所述,具有减小的非显示区域N/A的显示面板100根据本公开的实施方式具有设置在显示区域A/A中的工艺标记200。具体地,工艺标记200利用由能够反射光的金属材料制成的第一标记图案210和由沿着第一标记图案210的边缘设置的黑色颜料制成的第二标记图案220来配置,并且工艺标记200被设置在绿色像素区域G-SP(图3)中。因此,在本公开的显示面板100中,工艺标记200的识别率得到提高,并且当对显示面板100执行诸如划片、研磨、模块化工艺等的各种制造工艺时,工艺标记200可容易地与制造设备或其它对象对准。具体地,工艺标记200在显示面板100的上下两侧处被识别出,从而可进一步提高工艺效率。
图2是示意性地例示根据本公开的第一实施方式的LCD设备的一部分的平面图,图3是示意性地例示位于图2的最外周的单个像素的放大平面图。此外,图4是沿着图3的线IV-IV截取的截面图,图5A至图6F是例示工艺标记的示意图,并且图7A至图7C是例示根据滤色器图案的颜色来测量工艺标记的识别率的实验结果的图。如附图所示,根据本公开的第一实施方式的LCD设备包括显示面板100、第一偏振器140a和第二偏振器140b以及用于向显示面板100提供光的背光单元150。
在该实施方式中,通过将第一基板101和第二基板102的表面接合来制作显示面板100,液晶层104插置于第一基板101和第二基板102之间。被称为下基板或阵列基板的第一基板101和被称为上基板或滤色器基板的第二基板102形成为相同形状,使得第一基板101和第二基板102的一端彼此重合。
显示面板100包括显示图像的显示区域A/A和沿着显示区域A/A的边缘设置并且不用于显示图像的非显示区域N/A,非显示区域N/A沿着显示面板100的边缘限定,而显示区域A/A位于非显示区域N/A内部。
密封图案120设置在非显示区域N/A中,以防止填充在第一基板101和第二基板102之间的空间中的液晶层104泄漏。在根据该实施方式的LCD设备中,因为焊盘160暴露于显示面板100的侧表面,所以在第一基板101和第二基板102上无需单独的焊盘形成区域。因此,非显示区域N/A被形成为与密封图案120的宽度相对应。
在显示面板100的显示区域A/A中限定多个像素区域R-SP、G-SP和B-SP,并且像素区域R-SP、G-SP和B-SP中的每一个通过设置在第一基板101处的彼此垂直交叉或水平交叉的多条数据线105和多条选通线103限定,并且在数据线103和选通线105之间的交叉点处设置作为开关元件的薄膜晶体管T。
更具体地,在第一基板101上,多条选通线103以间隔开预定间隔的方式平行地形成,公共总线107被形成为与选通线103相邻且平行,而数据线105被形成为与选通线103和公共总线107交叉(尤其是与选通线103交叉),从而限定R(红色)像素区域R-SP、G(绿色)像素区域G-SP和B(蓝色)像素区域B-SP。
薄膜晶体管T形成在作为R像素区域R-SP、G像素区域G-SP和B像素区域B-SP中的每一个像素区域的选通线103和数据线105的交叉点的开关区域中,并且连接到公共总线107的公共电极125和连接到薄膜晶体管T的像素电极123形成在实际上实现图像的显示区域A/A中。
薄膜晶体管T包括栅极111、栅极绝缘层113、包括由纯非晶硅制成的有源层115a和由掺有杂质的非晶硅制成的欧姆接触层115b的半导体层115以及源极117和漏极118。
像素电极123电连接到薄膜晶体管T的漏极118。多个条状像素电极123和多个条状公共电极125交替设置并间隔开,并且形成在R像素区域R-SP、G像素区域G-SP和B像素区域B-SP中。
栅极111可以从选通线103延伸,或者栅极111可以由选通线103的一部分制成,在这种情况下,栅极111可以具有比选通线103的其它部分宽的宽度。
在包括薄膜晶体管T的第一基板101的前表面上形成保护层121。在这种情况下,在保护层121中设置有用于使薄膜晶体管T的漏极118暴露的漏极接触孔118a。
在另选实施方式中,像素电极123可在R像素区域R-SP、G像素区域G-SP和B像素区域B-SP中的每一个中形成为板形状。在这种情况下,像素电极123的一部分可被形成为与选通线103交叠,以构成存储电容器。
此外,当多个像素电极123和多个公共电极125在R像素区域R-SP、G像素区域G-SP和B像素区域B-SP中的每一个中被形成为彼此间隔时,形成以面内切换(IPS)模式操作的显示面板100,并且除了公共电极以外,在第一基板101处仅形成板状像素电极123,从而形成以扭曲向列(TN)模式、电控双折射(ECB)模式以及垂直取向(VA)模式当中的一种模式操作的显示面板100。将参照附图来描述以IPS模式操作的显示面板100的示例。
此外,在与第一基板101面对的第二基板102上形成与R像素区域R-SP、G像素区域G-SP和B像素区域B-SP中的每一个的、形成在第一基板101处的选通线103、数据线105和薄膜晶体管T相对应的黑底131。
因此,黑底131具有与R像素区域R-SP、G像素区域G-SP和B像素区域B-SP中的每一个相对应的孔径,并且形成包括R滤色器图案(未示出)、G滤色器图案133和B滤色器图案(未示出)(与孔径对应并且依次且重复地设置)的滤色器层。
具有R滤色器图案(未示出)的像素区域被限定为R像素区域R-SP,具有G滤色器图案133的像素区域被限定为G像素区域G-SP,并且具有B滤色器图案(未示出)的像素区域被限定为B像素区域B-SP。R像素区域R-SP、G像素区域G-SP和B像素区域B-SP共同形成呈现各种颜色的单个像素P。
在这种情况下,虽然附图中未示出,但是可以省略滤色器层,并且还可以在R滤色器图案(未示出)、G滤色器图案133和B滤色器图案(未示出)下方的整个表面上设置具有透明外涂层(未示出)的白色像素区域。
根据本公开的实施方式的LCD设备具有设置在多个像素区域SP所在的显示区域A/A中的工艺标记200。也就是说,工艺标记200设置在显示面板100的至少四个角部中,在这种情况下,工艺标记200设置在沿着显示区域A/A的边缘设置在最外周的多个像素P当中的具有G滤色器图案133的G像素区域G-SP中,以与显示区域A/A的四个角部相对应。
例如,当利用R像素区域R-SP、G像素区域G-SP和B像素区域B-SP来配置单个像素P,并且R像素区域R-SP、G像素区域G-SP和B像素区域B-SP从密封图案120起按其次序依次设置时,工艺标记200被设置在与密封图案120次相邻的G像素区域G-SP中,并且当R像素区域R-SP、G像素区域G-SP和B像素区域B-SP从工艺标记200起按照R像素区域R-SP、B像素区域和G像素区域G-SP的次序设置时,工艺标记200被设置在与密封图案120更次相邻的G像素区域G-SP中。也就是说,在单个像素P中的各个像素区域R-SP、G-SP和B-SP的阵列结构中,工艺标记200被设置成与位于显示区域A/A的最外周的单个像素P中的G像素区域G-SP相对应。
当R像素区域、G1像素区域、B像素区域和G2像素区域构成单个像素P时,工艺标记200可设置在R像素区域、G1像素区域、B像素区域和G2像素区域当中的G1像素区域和G2像素区域中,在这种情况下,工艺标记200可设置在G1像素区域和G2像素区域当中的位于显示区域A/A的最外周处的G像素区域。
工艺标记200包括设置在第一基板101上的第一标记图案210和设置在第二基板102上且与第一标记图案210的边缘相对应的第二标记图案220。第一标记图案210可以在与选通线103和栅极111相同的层上由与选通线103和栅极111的材料相同的材料制成并且可以反射光。此外,第二标记图案220和黑底131在同一层上由相同材料形成。
如上所述,工艺标记200由第一标记图案210和第二标记图案220形成,具体地,第一标记图案210由能够反射光的金属材料形成,而第二标记图案220和黑底131由相同材料形成,从而能够在第一标记图案210和第二标记图案220之间产生大的对比差。以这种方式,通过第一标记图案210和第二标记图案220之间的大的对比差来提高工艺标记200的识别率。
第一标记图案210在与选通线103和栅极111相同的层上由与选通线103和栅极111的材料相同的材料形成,而第二标记图案220和黑底131在同一层上由相同材料形成,因此不额外要求形成工艺标记200的第一标记图案210和第二标记图案220的单独工艺。
虽然第一标记图案210的形状已被示出为十字形状,但是除了十字形状之外,第一标记图案210还可以被形成为诸如"-"、"L"、"O"和"T"形状之类的各种形状,另选地,第一标记图案210可以被形成为包括上述各种形状当中的至少一种的形状。
第二标记图案220可以具有沿着第一标记图案210的边缘的与第一标记图案210的形状相同的形状,另选地,第二标记图案220可以被形成为包围第一标记图案210的闭合曲线形状或闭合多边形形状。此外,第二标记图案220形成在第二基板102上的最外侧黑底131中,并且黑底131可以通过被开口或穿孔而被形成为与第一标记图案210的形状相对应。
在将第一基板101和第二基板102的位置对准以便将第一标记图案210在第二标记图案220的中心处设置在第一基板101上之后,可以通过执行密封处理(接合处理)来形成工艺标记200,通过使用诸如电荷耦合装置(CCD)相机等的相机的压缩接合设备来对第二标记图案220的中心进行穿孔。
另选地,第二标记图案220可以与第一标记图案210整合而具有单个形状,并且当第一标记图案210形成为半圆形状时,第二标记图案220也由与第一标记图案210相对应的半圆形成,使得第一标记图案210和第二标记图案220形成单个圆。
另选地,如图5A所示,当第一标记图案210被形成为在第一方向上的线形状时,第二标记图案220如图5B所示被形成为与第一方向垂直的线形状,使得第一标记图案210和第二标记图案220可如图5C所示彼此交叠以形成十字形状。
在另一修改例中,如图6A所示,当第一标记图案210利用由第一方向上的线形状制成的第一方向图案210a和由与第一方向垂直的第二方向上的线形状制成的第二方向图案210b配置时,第二标记图案220可以如图6B所示仅沿着第一方向图案210a的边缘形成为与第一方向图案210a的形状相同的形状,或者如图6C所示,第二标记图案220可以仅沿着第一方向图案210a的边缘的一部分形成。
另选地,如图6D所示,第二标记图案220可以沿着第一标记图案210的第二方向图案210b的边缘形成为与第二方向图案210b的形状相同的形状,或者如图6E所示,第二标记图案220可以仅沿着第二方向图案210b的边缘的一部分形成。
在又一修改例中,如图6F所示,第二标记图案220可以通过使其宽度小于第一方向图案210a和第二方向图案210b的宽度而形成为与第一标记图案210的内部交叠。
虽然第二标记图案220被示出为具有与第一标记图案210的形状相同的形状,但是第二标记图案220和第一标记图案210可以被形成为不同形状。具体地,在本公开的显示面板100中,工艺标记200位于R像素区域R-SP、G像素区域G-SP和B像素区域B-SP当中的包括G滤色器图案133的G像素区域G-SP中,使得即使当工艺标记200位于显示区域A/A中时,也可以更好地检测出工艺标记200。
具体地,在显示面板100的上下两侧处检测出工艺标记200,从而可以提高工艺效率。为了更详细地描述,在将光照射到工艺标记200之后,通过检测从工艺标记200反射的光来识别位于显示面板100中的工艺标记200。
根据本公开的第一实施方式的LCD设备,第一标记图案210在第一基板101上的与选通线103和栅极111相同的层上由与选通线103和栅极111的材料相同的材料形成,而第二标记图案220和黑底131在第二基板102上的相同的层上由相同材料形成,因此,当光仅穿过透明第一基板101时,可以从显示面板100的下侧检测出由金属材料制成的第一标记图案210,从而可以更明确地识别出第一标记图案210。
另一方面,当在显示面板100的上侧检测工艺标记200时,从上侧照射的光被R滤色器图案(未示出)、G滤色器图案133以及B滤色器图案(未示出)吸收并阻挡,使得设置在第一基板101上的第一标记图案210未被检测到,而是仅检测到设置在第二基板102上的第二标记图案220。
因为第二标记图案220和黑底131由相同材料制成,所以光的一部分在未被反射的情况下被第二标记图案220吸收,从而也未明确地识别出第二标记图案220。
如下表1所示,可以看出,未设置滤色器图案的REF.具有100%的透射率,而分别具有R滤色器图案(未示出)、G滤色器图案133以及B滤色器图案(未示出)的R像素区域R-SP、G像素区域G-SP以及B像素区域B-SP中的每一个的透射率低于未设置滤色器图案的REF.的透射率。
[表1]
此外,参照表1,可以看出,根据滤色器图案的颜色差异,出现了透射率差,并且在R像素区域R-SP、G像素区域G-SP以及B像素区域B-SP当中,包括G滤色器图案133的G像素区域G-SP具有50%或更高的透射率,因此可以看出,G像素区域G-SP的透射率远高于具有R滤色器图案和B滤色器图案(未示出)的R像素区域R-SP和B像素区域B-SP的透射率。
因此,工艺标记200被设置在G滤色器图案133所在的G像素区域G-SP中,使得即使从显示面板100的上侧也可检测出工艺标记200。
参照图7A至图7C,可以确定的是,当与设置有R滤色器图案(未示出)的R像素区域R-SP(如图7A所示)和设置有B滤色器图案(未示出)的B像素区域B-SP(如图7B所示)相比时,在设置有G滤色器图案133的G像素区域G-SP(如图7C所示)中,工艺标记200是可识别的。
具体地,在根据本公开的第一实施方式的工艺标记200中,第一标记图案210由金属材料制成,而第二标记图案220由黑色基质材料制成以包围第一标记图案210,因此第一标记图案210和第二标记图案220之间的对比差可被形成得较大,从而可以更好地识别工艺标记200。
也就是说,在根据本公开的第一实施方式的工艺标记200中,第一标记图案210和第二标记图案220之间的对比差形成得较大,因此工艺标记200能够被主要地更明确地识别出,并且工艺标记200也被设置在其中设置有其透射率比R滤色器图案和B滤色器图案(未示出)的透射率高的G滤色器图案133的G像素区域G-SP中,使得工艺标记200能够被二次更明确地识别出。
具体地,如上所述,因为工艺标记200的识别率得到提高,所以可以从显示面板100的上下两侧明确地识别出工艺标记200,从而还可以提高显示面板100的工艺效率。也就是说,如上所述,从显示面板100的上下两侧可识别出工艺标记200,使得当显示面板100通过工艺标记200与制造设备或其它对象对准以在显示面板100上执行各种制造工艺时,可根据需要从显示面板100的上侧和下侧检测工艺标记200,从而可以提高工艺效率。
此外,虽然工艺标记200被设置在显示图像的显示区域A/A中,但是与显示面板100的尺寸相比,工艺标记200的尺寸非常小,并且工艺标记200被设置成与显示面板100的仅四个角部相对应,使得工艺标记200在视觉上很难被观察者识别出,并且在将图像显示在显示面板100上时不存在影响。如上所述,在根据本公开的第一实施方式的LCD设备中,工艺标记200包括由金属材料制成的第一标记图案210和由黑色基质材料制成的第二标记图案220。工艺标记200设置在位于与显示区域A/A的四个角部相对应的最外周的像素P当中的具有G滤色器图案133的G像素区域G-SP中,从而可以实现窄边框并且还可以提高工艺标记200的识别率。
因此,显示面板100可以与制造设备或其它对象精确地对准,从而减少工艺缺陷并提高效率。此外,在显示面板100的上下两侧处检测工艺标记200,从而可以提高工艺效率。
虽然附图中未示出,但是在LCD设备中,还可在显示区域A/A中设置未实现图像的虚拟像素区域(未示出),虚拟像素区域(未示出)可被设置成包围在显示区域A/A中显示图像的R像素区域R-SP、G像素区域G-SP以及B像素区域B-SP的边缘,可以被设置在显示区域A/A中的上端和下端和/或左侧和右侧,或者可以被设置成与显示区域A/A的一个角部相对应。
根据本公开的第一实施方式的工艺标记200可以被设置在虚拟像素区域(未示出)中,并且当虚拟像素区域(未示出)包括R滤色器图案、G滤色器图案以及B滤色器图案(未示出)时,工艺标记200还可以设置在G滤色器图案(未示出)所在的G虚拟像素区域(未示出)中。
虚拟像素区域(未示出)未被密封图案(未示出)或黑底(未示出)所遮蔽,使得在执行各种工艺的同时,显示面板100可以通过位于虚拟像素区域(未示出)中的工艺标记200与制造设备或其它对象精确地对准。另选地,G滤色器图案133可以设置在第一基板101上的薄膜晶体管T上方,此时,黑底131也可以设置在第二基板102上,或者G滤色器图案133和黑底131都可以设置在其中设置有薄膜晶体管T的第一基板101上,即使在这种情况下,工艺标记200的第一标记图案210也可以由与构成薄膜晶体管T的电极或线的材料相同的材料形成,而工艺标记200的第二标记图案220和黑底131也可以由相同材料形成。
图8是例示根据本公开的第二实施方式的OLED设备的截面图。图8例示了沿着显示区域的边缘设置在最外周的多个像素P当中的其中设置有G滤色器图案以与显示区域的四个角部相对应的G像素区域G-SP。此外,图9是示意性地例示根据本公开的第二实施方式的另一OLED设备的截面图。
通常,OLED设备根据发射光的传输方向分类为顶部发光型OLED设备和底部发光型OLED设备。以下,将描述根据本公开的顶部发光型OLED设备的示例。
为了便于描述,将其中形成有驱动薄膜晶体管DTr的区域限定为非发光区域NEA,而将其中形成有发光二极管E的区域限定为发光区域EA。
如附图所示,在根据本公开的第二实施方式的OLED设备的显示面板100中,其上形成有驱动薄膜晶体管和发光二极管E的第一基板301通过封装基板302来封装。
更具体地,半导体层303设置在第一基板301上的G像素区域G-SP的非发光区域NEA中。半导体层303由硅形成并且包括在半导体层303的中心部分处构成沟道的有源区域303a,并且包括掺有高浓度杂质且设置在有源区域303a的两个侧表面处的源极区域303b和漏极区域303c。
栅极绝缘层305设置在半导体层303上方。
在栅极绝缘层305上设置有与半导体层303的有源区域303a相对应的栅极307和沿一个方向延伸的选通线(未示出)。
此外,第一层间绝缘层309a设置在栅极307和选通线(未示出)上方。第一层间绝缘层309a中的第一半导体层接触孔和第二半导体层接触孔316使设置在有源区域303a的两个侧表面处的源极区域303b和漏极区域303c暴露。栅极绝缘层305设置在第一层间绝缘层309a下方。
源极310a和漏极310b彼此间隔开并且与通过第一半导体层接触孔和第二半导体层接触孔316暴露的源极区域303b和漏极区域303c接触。源极310a和漏极310b设置在包括第一半导体层接触孔和第二半导体层接触孔316的第一层间绝缘层309a上。此外,第二层间绝缘层309b设置在源极310a和漏极310b上方以及在源极310a和漏极310b之间暴露的第一层间绝缘层309a上方。
半导体层303包括与源极310a和漏极310b接触的源极区域303b和漏极区域303c。栅极绝缘层305和栅极307设置在半导体层303上方。源极310a和漏极310b、半导体层303、绝缘层306以及栅极307共同形成驱动薄膜晶体管DTr。
虽然附图中未示出,但是数据线(未示出)被设置为通过与选通线(未示出)交叉来限定G像素区域G-SP。开关薄膜晶体管(未示出)具有与驱动薄膜晶体管DTr的结构相同的结构并且连接到驱动薄膜晶体管DTr。
此外,如附图所示,开关薄膜晶体管(未示出)和驱动薄膜晶体管DTr是其中半导体层303由多晶硅半导体层或氧化物半导体层形成的顶栅型的示例。作为修改示例,开关薄膜晶体管(未示出)和驱动薄膜晶体管DTr可以被设置成由纯非晶硅或掺有杂质的非晶硅制成的底栅型。
此外,第一层间绝缘层309a和第二层间绝缘层309b包括使漏极310b暴露的漏极接触孔317。第一电极311设置在第二层间绝缘层309b上方,该第一电极311连接到驱动薄膜晶体管DTr的漏极310b并且由例如具有相对高的功函数值的材料制成以构成发光二极管E的阳极。
第一电极311可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)这样的金属氧化物,诸如ZnO:Al或SnO2:Sb这样的金属和氧化物的混合物,或者诸如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(乙烯-1,2-二氧)噻吩](PEDT)、聚吡咯或聚苯胺这样的导电聚合物形成。此外,第一电极311可以由碳纳米管(CNT)、石墨烯、银纳米线等形成。
第一电极311仅设置在G像素区域G-SP上,并且堤部319设置在位于相邻像素区域中的第一电极311之间。也就是说,第一电极311具有其中像素区域使用堤部319作为每个像素区域的边界来进行划分的结构。
此外,有机发光层313设置在第一电极311上方,并且有机发光层313可以由发光材料制成的单层形成,另选地,为了提高发光效率,有机发光层313可以被形成为包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层以及电子注入层的多层。
此外,在整个有机发光层313上形成构成阴极的第二电极315。
第二电极315可以由具有相对低的功函数值的材料制成。第二电极315可以具有双层结构并且可以被配置为由以下合金制成的单层或多层,在所述合金中,作为具有低功函数的金属材料的诸如Ag等的第一金属和诸如Mg等的第二金属按预定比例混合。
在OLED设备的显示面板100中,当根据所选信号向第一电极311和第二电极315施加预定电压时,从第一电极311注入的空穴和从第二电极315提供的电子被传输到有机发光层313,以形成激子,并且当激子从激发态转变到基态时,光被产生并且以可见光的形式发射。所发射的光穿过第二电极315并出射到外部,使得OLED设备的显示面板100显示图像。
此外,呈薄膜型膜的形式的保护层330设置在驱动薄膜晶体管DTr和发光二极管E上方,并且具有滤色器图案333的封装基板302设置在保护层330上,使得OLED设备被封装。也就是说,黑底331形成在面向基板301的封装基板302上以与形成在第一基板301上的G像素区域G-SP的选通线(未示出)和数据线(未示出)以及驱动薄膜晶体管DTr对应。
因此,黑底331具有与G像素区域G-SP相对应的孔径,并且形成包括与孔径对应并依次且重复地设置的B滤色器图案333的滤色器层。
工艺标记200设置在G像素区域G-SP的一侧。工艺标记200被划分成设置在第一基板301上的第一标记图案210和设置在封装基板302上并且与第一标记图案210的边缘对应的第二标记图案220。
第一标记图案210可以在与选通线(未示出)和栅极307相同的层上由与选通线(未示出)和栅极307的材料相同的材料制成以反射光,并且第二标记图案220和黑底331可以在相同的层上由相同的材料形成。
如上所述,工艺标记200被划分成第一标记图案210和第二标记图案220,具体地,第一标记图案210由能够反射光的金属材料形成,而第二标记图案220和黑底331由相同的材料形成,使得能够在第一标记图案210和第二标记图案220之间产生大的对比差,从而通过第一标记图案210和第二标记图案220之间的对比差来提高工艺标记200的识别率。
第一标记图案210在与选通线(未示出)和栅极307相同的层上由与选通线(未示出)和栅极307的材料相同的材料形成,并且第二标记图案220和黑底331在相同的层上由相同的材料形成,从而不额外需要形成工艺标记200的第一标记图案210和第二标记图案220的单独工艺。
虽然第一标记图案210的形状已被示为十字形状,但是第一标记图案210可以被形成为诸如"-"、"L"、"O"、"T"等的各种形状,并且第二标记图案220可以沿着第一标记图案210的边缘形成为与第一标记图案210的形状相同的形状,或者第二标记图案220可以被形成为包围第一标记图案210的闭合曲线形状或闭合多边形形状。
另选地,第二标记图案220可以与第一标记图案210整合而具有单个形状,第二标记图案220可以沿着第一标记图案210的边缘的一部分形成为与第一标记图案210的形状相同的形状,并且第二标记图案220可以被形成为与第一标记图案210的内部交叠。
在又一修改例中,第二标记图案220被形成在封装基板302上的最外侧黑底331中,并且黑底331可以通过被开口或穿孔来形成为与第一标记图案210的形状相对应。
具体地,在根据本公开的OLED设备的显示面板100中,工艺标记200设置在包括G滤色器图案333的G像素区域G-SP中,从而即使当工艺标记200位于图2的显示区域A/A中时,也可以更明确地检测出工艺标记200。
具体地,工艺标记200在显示面板100的上下两侧被检测,从而可以提高工艺效率。也就是说,在根据本公开的第二实施方式的工艺标记200中,第一标记图案210和第二标记图案220之间的对比差得到增强,因此,可以更好地识别出工艺标记200。另外,工艺标记200设置在其透射率高于R滤色器图案和B滤色器图案(未示出)的透射率的G滤色器图案333所在的G像素区域G-SP中,使得工艺标记200的识别率可得到进一步增强。具体地,如上所述,因为工艺标记200的识别率得到提高,所以可以从显示面板100的上下两侧明确地识别出工艺标记200,因此还可以提高显示面板100的工艺效率。
虽然工艺标记200设置在图2的用于显示图像的显示区域A/A中,但是与显示面板100的尺寸相比,工艺标记200的尺寸非常小,并且工艺标记200被设置成与显示面板100的仅四个角部相对应,使得工艺标记200在视觉上很难被观察者识别出,并且在将图像显示在显示面板100上时不存在影响或者存在减少的影响。
参照图9,在其中G滤色器图案333设置在驱动薄膜晶体管DTr上的第二层间绝缘层309b上的底部发光型的OLED设备中,当半导体层303被形成为氧化物半导体层时,还可以在半导体层303下方设置由黑色颜料制成的光阻挡层340,并且可以在光阻挡层340和半导体层303之间设置缓冲层350。
工艺标记200的第一标记图案210可以在与选通线(未示出)和驱动薄膜晶体管DTr的栅极307相同的层上由与选通线(未示出)和栅极307的材料相同的材料制成,并且第二标记图案220可以由与设置在驱动薄膜晶体管DTr的半导体层303下方的光阻挡层340的材料相同的材料形成。
如上所述,在根据本公开的第二实施方式的OLED设备的显示面板100中,工艺标记200被划分成由金属材料制成的第一标记图案210和由黑底331的材料制成的第二标记图案220,并且工艺标记200设置在位于与显示面板100的图2的显示区域A/A的四个角部对应的最外周处的图3的像素P当中的、其中设置有G滤色器图案333的G像素区域G-SP中,从而可以实现窄边框并且还可以提高工艺标记200的识别率。
因此,可以将显示面板100与制造设备或其它对象精确地对准,从而可以使工艺缺陷最小化并且还可以提高工艺效率。此外,在显示面板100的上下两侧检测工艺标记200,从而可以提高工艺效率。
虽然附图中未示出,但是OLED设备的显示面板100可以从设置在每个像素区域中的发光二极管E发出R颜色、G颜色或B颜色,此时,可以省略滤色器图案333。
黑底331可以设置在封装基板302的内部或外部,并且第二标记图案220可以设置在封装基板302的内部或外部,以与黑底331的位置对应。
此外,滤色器图案333和黑底331二者可以设置在封装基板302的外部,此时,第二标记图案220也设置在封装基板302的外部。
如上所述,根据本公开,工艺标记被划分成由金属材料制成的第一标记图案和由黑色基质材料制成的第二标记图案。工艺标记设置在位于与显示面板的显示区域的四个角部对应的最外周处的像素当中的、其中设置有G滤色器图案的G像素区域中,从而具有能够实现窄边框并提高工艺标记的识别率的效果。
因此,可以将显示面板与制造设备或其它对象精确地对准,从而减少工艺缺陷并且提高工艺效率。此外,可以从显示面板的上下两侧处识别工艺标记,从而具有能够改进工艺的效果。
因此,本文所公开的实施方式不意图限制而是意图说明本公开的技术构思,并且本公开的范围不应受上述实施方式的限制。
因此,上述实施方式应当被理解为在所有方面都是示例性的而非限制性的。
应当理解的是,本公开的范围应由所附权利要求解释,并且在其等效范围内的所有技术构思都应被解释成包含在本公开的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年10月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.2017-0143331的优先权,该韩国专利申请通过引用全部被并入本文中。

Claims (15)

1.一种显示设备,该显示设备包括:
第一基板,所述第一基板限定用于显示图像的显示区域和沿着所述显示区域的边缘的非显示区域;
第二基板,所述第二基板面对所述第一基板;以及
工艺标记,所述工艺标记包括在所述显示区域的角部中的设置在所述第一基板上的第一标记图案,
其中,所述第一标记图案被设置在所述第一基板的内表面上。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述工艺标记包括由与所述第一标记图案的材料不同的材料制成的第二标记图案。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,
所述第一标记图案被制成从"+"、"-"、"L"、"O"和"T"形状当中选择的至少一种形状;并且
所述第二标记图案沿着所述第一标记图案的边缘形成为与所述第一标记图案的形状相同的形状,或者被形成为包围所述第一标记图案的闭合曲线形状或闭合多边形形状。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第一标记图案和所述第二标记图案形成单个形状。
5.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第二标记图案具有仅与所述第一标记图案的边缘的一部分相对应的形状。
6.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第二标记图案被形成为与所述第一标记图案的形状相同的形状,或者所述第二标记图案被形成为与所述第一标记图案的形状不同的形状并且被设置在所述第一标记图案的内部。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一基板的所述显示区域包括各自具有红色滤色器图案的第一区域、各自具有绿色滤色器图案的第二区域以及各自具有蓝色滤色器图案的第三区域,并且其中,所述工艺标记被设置在所述第二区域中的一个中。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述第一基板包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、半导体层以及源极和漏极,其中,所述第一标记图案在与所述栅极和选通线相同的层中由与所述栅极和选通线的材料相同的材料形成。
9.根据权利要求2所述的显示设备,该显示设备还包括位于所述第二基板中的黑底,其中,所述第二标记图案在与所述黑底相同的层中由与所述黑底的材料相同的材料形成。
10.根据权利要求2所述的显示设备,该显示设备还包括在所述第一基板中的薄膜晶体管下方的光阻挡层,其中,所述光阻挡层和所述第二标记图案由相同的黑色颜料制成并且形成在同一层中。
11.一种显示设备的基板,该基板包括:
显示区域,所述显示区域包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管用于在所述显示区域中操作像素以显示图像,
以及
工艺标记,所述工艺标记包括用于在制造工艺期间使所述基板或所述显示设备对准的第一标记图案;以及
非显示区域,所述非显示区域沿着所述显示区域的至少一边缘形成。
12.根据权利要求11所述的基板,其中,所述工艺标记还包括第二标记图案,所述第二标记图案由与所述第一标记图案的材料不同的材料制成。
13.根据权利要求12所述的基板,其中,所述第一标记图案和所述第二标记图案部分交叠。
14.根据权利要求11所述的基板,其中,所述基板附接到另一基板,液晶层插置在所述基板和所述另一基板之间。
15.根据权利要求11所述的基板,其中,所述薄膜晶体管形成发光二极管的一部分,并且所述基板通过另一基板来封装。
CN201811266585.6A 2017-10-31 2018-10-29 包括工艺标记的基板和包括该基板的显示设备 Active CN109727955B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0143331 2017-10-31
KR1020170143331A KR102107384B1 (ko) 2017-10-31 2017-10-31 프로세스 키를 포함하는 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109727955A true CN109727955A (zh) 2019-05-07
CN109727955B CN109727955B (zh) 2022-10-18

Family

ID=66137885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811266585.6A Active CN109727955B (zh) 2017-10-31 2018-10-29 包括工艺标记的基板和包括该基板的显示设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10957744B2 (zh)
KR (1) KR102107384B1 (zh)
CN (1) CN109727955B (zh)
DE (1) DE102018127272B4 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110716359A (zh) * 2019-10-14 2020-01-21 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法
CN110931464A (zh) * 2019-12-10 2020-03-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN111025799A (zh) * 2019-12-02 2020-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112305800A (zh) * 2019-08-02 2021-02-02 三星显示有限公司 显示设备
CN113238400A (zh) * 2021-03-29 2021-08-10 绵阳惠科光电科技有限公司 对位标记、显示装置和对位标记的判断方法
US11908804B2 (en) 2019-12-10 2024-02-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108054191B (zh) * 2018-01-11 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20200000508A (ko) 2018-06-22 2020-01-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 포함하는 전자 장치, 및 이의 제조 방법
KR20200110505A (ko) * 2019-03-13 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20210016222A (ko) * 2019-08-02 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 광제어 필름 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210157939A (ko) * 2020-06-22 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN112864023B (zh) * 2021-01-07 2022-04-29 长鑫存储技术有限公司 半导体标记制作方法及半导体标记
CN116261368A (zh) * 2021-12-08 2023-06-13 群创光电股份有限公司 电子装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002350888A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルの製造方法
US20060290841A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Keug-Sang Kwon Liquid crystal display device using align mark
JP2007004082A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Sharp Corp 着色層の形成方法、撮像装置の製造方法、表示装置の製造方法、撮像装置および表示装置
US20140138646A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same
KR20150055643A (ko) * 2013-11-13 2015-05-22 엘지디스플레이 주식회사 얼라인 키를 포함하는 표시패널 및 그 제조방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1195243C (zh) * 1999-09-30 2005-03-30 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法
KR101022284B1 (ko) * 2003-08-19 2011-03-21 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR101060342B1 (ko) * 2003-11-18 2011-08-29 엘지디스플레이 주식회사 프로세스 키를 포함하는 컬러필터 기판 및 그 제조방법
JP2005266284A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、その製造方法で製造した電気光学装置を搭載した電子機器、および偏光板
KR101223098B1 (ko) 2004-09-09 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
JP4586573B2 (ja) 2005-02-28 2010-11-24 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置及びその製造方法、薄膜トランジスタ、電子機器
KR101127855B1 (ko) 2005-06-02 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자
KR101181244B1 (ko) * 2005-08-30 2012-09-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR20080003998A (ko) * 2006-07-04 2008-01-09 삼성전자주식회사 액정표시장치
KR102207621B1 (ko) * 2014-12-15 2021-01-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101851685B1 (ko) 2016-06-21 2018-04-24 이혁 스마트 폰 케이스에 탑재 되는 usb

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002350888A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルの製造方法
US20060290841A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Keug-Sang Kwon Liquid crystal display device using align mark
JP2007004082A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Sharp Corp 着色層の形成方法、撮像装置の製造方法、表示装置の製造方法、撮像装置および表示装置
US20140138646A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same
KR20150055643A (ko) * 2013-11-13 2015-05-22 엘지디스플레이 주식회사 얼라인 키를 포함하는 표시패널 및 그 제조방법

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112305800A (zh) * 2019-08-02 2021-02-02 三星显示有限公司 显示设备
CN110716359A (zh) * 2019-10-14 2020-01-21 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法
CN111025799A (zh) * 2019-12-02 2020-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
WO2021109179A1 (zh) * 2019-12-02 2021-06-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111025799B (zh) * 2019-12-02 2021-07-27 苏州华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110931464A (zh) * 2019-12-10 2020-03-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
WO2021114326A1 (zh) * 2019-12-10 2021-06-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN110931464B (zh) * 2019-12-10 2021-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
US11908804B2 (en) 2019-12-10 2024-02-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel
CN113238400A (zh) * 2021-03-29 2021-08-10 绵阳惠科光电科技有限公司 对位标记、显示装置和对位标记的判断方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10957744B2 (en) 2021-03-23
US20190131359A1 (en) 2019-05-02
KR102107384B1 (ko) 2020-05-07
CN109727955B (zh) 2022-10-18
DE102018127272A1 (de) 2019-05-02
DE102018127272B4 (de) 2023-05-17
KR20190048401A (ko) 2019-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109727955A (zh) 包括工艺标记的基板和包括该基板的显示设备
CN102081247B (zh) 具有触摸设备的显示器
CN107425041A (zh) 一种触控显示面板、装置及制作方法
CN103383512B (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN110010655B (zh) 显示装置
CN107797696A (zh) 触摸面板和集成了触摸面板的有机发光显示装置
CN109976573A (zh) 触摸显示面板和触摸显示装置
CN110034125A (zh) 柔性显示设备
CN109388283A (zh) 显示装置及制造该显示装置的方法
CN109725780A (zh) 触摸屏面板和包括该触摸屏面板的触摸显示装置
CN108010938A (zh) 触摸有机发光显示装置
CN109725757A (zh) 显示设备
CN110265473A (zh) 有机发光二极管显示装置及其有机发光二极管
KR20210101347A (ko) 표시 장치
KR20130072635A (ko) 터치 스크린 패널 일체형 표시장치
CN107479757A (zh) 显示面板和显示装置
CN107887414A (zh) 有机发光显示装置
CN107885390A (zh) 触控显示面板和显示装置
US8773371B2 (en) Flat panel display with a touch screen panel
CN113010048A (zh) 显示设备
CN109710103A (zh) 触摸显示面板及包括其的触摸显示装置
CN109741684A (zh) 一种电路基板、显示面板及制作方法
CN107463020A (zh) 一种显示基板、显示面板和显示装置
KR20130011673A (ko) 유기 발광장치와 이의 제조방법
KR20210089276A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant