KR20170021589A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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최홍석
김승현
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따라 제1 전극, 복수의 유기층 및 제2 전극을 포함하는 표시 장치에 있어서, 표시 장치는, 복수의 유기층 및 제2 전극이 진공 상태에서 제1 전극 상에 적층되는 공정이 진행되는 동안, 적어도 1회 진공이 아닌 상태에 복수의 유기층 중 특정 유기층이 노출됨에 의해 특정 유기층이 손상되어 표시 장치의 구동 전압이 증가되는 것이 최소화되도록 구성된, 특정 유기층 상에 위치하는 금속층을 포함한다. 이에 따라, 표시 장치의 구동 전압 상승 문제 및 수명 저하 문제를 해결할 수 있다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 특정 유기층 상에 금속층을 배치하여, 제조 과정에서 특정 유기층이 진공이 아닌 상태에 노출됨에 의해 손상되는 것이 최소화되도록 구성함으로써, 구동 전압이 상승되는 문제 및 공정 안정성을 개선한 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치(display apparatus)는 화상을 표시하는 장치로서, 텔레비전, 모바일 기기, 노트북, 차량, 시계 등 각종 기기에 다양하게 사용되고 있다.
특히, 유기 발광 표시 장치(organic light-emitting display apparatus, OLED apparatus)는 자체 발광(self-luminance) 특성을 갖는 차세대 표시 장치로서, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원이 요구되지 않으므로, 경량, 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비해 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답 속도 및 소비 전력 등의 측면에서 우수한 장점이 있어, 차세대 표시 장치로서 각광받고 있다.
유기 발광 표시 장치(OLED apparatus)는 두 개의 전극으로부터 각각 주입된 정공(hole)과 전자(electron)가 발광층에서 재결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 형성된 여기자의 에너지 방출에 의해 특정 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한 표시 장치이며, 자체 발광 특성을 갖는다.
유기 발광 표시 장치의 특성, 예를 들어, 구동 전압 또는 발광 효율을 개선하기 위하여, 유기 발광 표시 장치의 두 개의 전극 사이에는 발광층 이외에 다양한 기능의 추가 유기층들이 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 두 개의 전극 중 애노드와 유기 발광층 사이에는, 애노드의 정공이 발광층으로 원활히 주입 또는 전달되도록 정공 주입층(hole injection layer) 또는 정공 수송층(hole transport layer)이 추가 배치될 수 있다. 또한, 캐소드와 발광층 사이에는, 캐소드의 전자가 유기 발광층으로 원활히 주입 또는 전달되도록 전자 주입층(electron injection layer) 또는 전자 수송층(electron transport layer)이 추가 배치될 수 있다. 두 개의 전극과 발광층 사이에 배치된 추가 유기층들은, 두 개의 전극과 발광층 사이의 에너지 레벨 차이를 감소시켜, 정공이나 전자의 이동을 원활하게 하므로, 유기 발광 표시 장치의 구동 전압이 낮아지거나 발광 효율이 향상되는 데 도움이 될 수 있다.
상기와 같은 복수의 유기층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 과정에서, 제조 환경 또는 제조 장비의 한계로 인해, 제1 전극, 복수의 유기층 및 제2 전극이 하나의 챔버나 증착기 내에서 한번에 증착되지 못하고, 복수의 유기층 중 일부가 적어도 1회 진공이 아닌 상태에 노출될 수 있다. 복수의 유기층 중 일부가 진공이 아닌 상태, 예를 들어, 질소(N2)나 산소(O2) 등과 같은 가스(gas)에 노출되게 되면, 유기 물질의 특성상 쉽게 변질되거나 손상되어 재료 특성이 저하되게 된다. 이로 인해 유기 발광 표시 장치의 구동 전압이 상승되고, 수명이 저하되는 문제가 발생될 수 있다.
특히, 복수의 유기층 중 캐소드와 발광층 사이에 배치된 유기층, 예를 들어, 전자 주입층이나 전자 수송층을 이루는 물질은, 애노드와 발광층 사이에 배치된 유기층, 예를 들어, 정공 주입층이나 정공 수송층을 이루는 물질보다 재료의 구조적인 특성상 질소(N2)나 산소(O2) 등과 같은 가스에 더욱 취약할 수 있다. 또한, 전자 주입층이나 전자 수송층 상에 캐소드가 증착되는 과정에서, 무기 물질인 캐소드에 의해 유기 물질인 전자 주입층이나 전자 수송층은 쉽게 손상될 수 있다.
이에 본 발명의 발명자들은, 위에서 언급한 문제점들을 인식하고, 증착 환경에서의 유기층들의 안정성을 향상시킬 수 있는 구조에 대해 고민함으로써, 구동 전압 상승 문제 및 수명이 개선된 새로운 표시 장치를 발명하였다.
본 발명의 일 실시예에 따른 해결 과제는, 복수의 유기층 중 특정 유기층 상에 금속층을 배치함으로써, 제조 과정에서 특정 유기층이 적어도 1회 진공이 아닌 상태에 노출됨에 의해 특정 유기층이 변질되거나 손상되는 문제가 개선된 새로운 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따라 제1 전극, 복수의 유기층 및 제2 전극을 포함하는 표시 장치에 있어서, 표시 장치는, 복수의 유기층 및 제2 전극이 진공 상태에서 제1 전극 상에 적층되는 공정이 진행되는 동안, 적어도 1회 진공이 아닌 상태에 복수의 유기층 중 특정 유기층이 노출됨에 의해 특정 유기층이 손상되어 표시 장치의 구동 전압이 증가되는 것이 최소화되도록 구성된, 특정 유기층 상에 위치하는 금속층을 포함한다. 이에 따라, 표시 장치의 구동 전압 상승 문제 및 수명 저하 문제를 해결할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 반사층 및 투명층을 포함하는 제1 전극, 제1 전극 상에 제1 유기층, 제1 유기층 상에 적어도 하나의 발광층, 발광층 상에 제1 유기층보다 전자 이동도 또는 전자 친화도가 큰 물질로 이루어진 제2 유기층, 제2 유기층 상에서 접하는 금속층 및 금속층 상에 투명층을 포함하는 제2 전극을 포함한다. 이에 따라, 유기 물질의 변질에 의해 표시 장치의 구동 전압이 상승되거나 수명이 저하되는 문제가 개선될 수 있다.
본 발명의 일 실시예예 따른 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 연결되도록 제1 전극을 형성하는 단계, 제1 전극 상에 제1 유기층을 형성하는 단계, 제1 유기층 상에 적어도 하나의 발광층을 형성하는 단계, 발광층 상에 제1 유기층보다 전자 특성이 우수한 물질로 이루어진 제2 유기층을 형성하는 단계, 제2 유기층 상에 제2 유기층과 접하는 금속층을 형성하는 단계 및 금속층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 제1 유기층을 형성하는 단계, 발광층을 형성하는 단계, 제2 유기층을 형성하는 단계 및 금속층을 형성하는 단계는 인라인(In-line) 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 제조 과정에서 제2 유기층이 변질되거나 손상되는 것이 감소되어 구동 전압이 상승되는 문제가 감소되고 공정 안정성이 개선될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 두 개의 전극 사이에 배치된 복수의 유기층 중 특정 유기층 상에 금속층을 구성함으로써, 제조 과정에서 특정 유기층이 진공이 아닌 상태에 노출되더라도 특정 유기층이 변질되거나 손상되지 않도록 효과적으로 특정 유기층을 보호할 수 있다.
이에 따라, 표시 장치의 공정 안정성이 향상될 수 있다.
또한, 금속층이 캐소드와 발광층 사이, 예를 들어, 전자 주입층 또는 전자 수송층 상에 배치됨으로써, 캐소드가 증착되는 과정에서 캐소드에 의해 전자 주입층 또는 전자 수송층이 손상되는 것이 감소될 수 있다. 뿐만 아니라, 금속층이 발광층으로 전하를 공급하는 보조 전극과 같은 역할(또는 기능)을 하여 표시 장치의 발광 효율이 향상될 수 있다.
이에 따라, 유기 물질의 변질에 의해 표시 장치의 구동 전압이 상승되는 문제 및 표시 장치의 수명이 저하되는 문제가 개선될 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 A 부분의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도 및 개략적인 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 주요 구성 요소를 나타내는 단면 사진이다.
도 5b는 비교예 및 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 전압을 나타낸 표이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참고하면, 표시 장치(1000)는, 박막 트랜지스터(300) 및 발광 소자(light-emitting device, ED)를 포함한다.
박막 트랜지스터(300)는 기판(100) 상에 배치되며, 발광 소자(ED)로 신호를 공급한다. 도 1에 도시된 박막 트랜지스터(300)는, 발광 소자(ED)의 제1 전극(410)과 연결된 구동 박막 트랜지스터일 수 있다. 도면에 도시되진 않았으나, 기판(100) 상에는 발광 소자(ED)를 구동하기 위한 스위칭 박막 트랜지스터나 커패시터 등이 더 배치될 수 있다.
기판(100)은, 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 유리 또는 폴리이미드(polyimide) 계열의 재료로 이루어진 플렉서블 필름으로 이루어질 수 있다.
박막 트랜지스터(300)는 게이트 전극(310), 액티브층(320), 소스 전극(330) 및 드레인 전극(340)을 포함한다. 도 1을 참고하면, 기판(100) 상에 게이트 전극(310)이 형성되고, 게이트 절연층(210)이 게이트 전극(310)을 덮는다. 게이트 절연층(210) 상에는, 게이트 전극(310)과 중첩(overlap)되도록 액티브층(320)이 배치되고, 액티브층(320) 상에는 소스 전극(330)과 드레인 전극(340)이 서로 이격되어 배치된다.
본 명세서에서, 두 개의 객체가 중첩(overlap)된다는 것은, 두 개의 객체의 상하 관계에 있어서 그 사이에 다른 객체의 존재 유무를 떠나 적어도 일부분이 겹친다는 의미를 가질 수 있으며, 다른 다양한 명칭으로도 호칭될 수도 있다.
게이트 전극(310), 소스 전극(330) 및 드레인 전극(340)은 도전 물질로 이루어지며, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 다양한 물질로 형성될 수 있다.
액티브층(320)은 종류에 따라 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon, poly-Si), 산화물(oxide) 및 유기물(organic materials) 중 어느 하나로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
게이트 절연층(210)은 무기 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있으며, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어질 수 있다.
도 1에서는 박막 트랜지스터(300)가 스태거드(staggered) 구조로 도시되었으나, 이에 한정된 것은 아니며, 코플라나(coplanar) 구조로 형성될 수도 있다.
박막 트랜지스터(300) 상에는 소스 전극(330)의 일부를 노출시키는 평탄화층(220)이 배치된다. 평탄화층(220)은 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있으며, 유기 물질로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 평탄화층(220)은 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 등으로 이루어질 수 있다.
도 1에서는 도시되지 않았지만, 평탄화층(220)과 박막 트랜지스터(300) 사이에 패시베이션층이 더 형성될 수도 있다. 패시베이션층은 무기 물질로 이루어지고, 박막 트랜지스터(300)를 보호하며, 평탄화층(220)과 마찬가지로 소스 전극(330)의 일부를 노출시킬 수 있다.
발광 소자(ED)는 평탄화층(220) 상에 배치되며, 제1 전극(400), 발광부(500), 금속층(600) 및 제2 전극(700)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 상부 발광(top emission) 방식으로, 발광부(500)로부터 발광된 빛(L)이 제2 전극(700)을 투과하여 방출된다.
도 2는 도 1의 A 부분의 일 실시예를 나타낸 단면도이다. 구체적으로, 표시 장치의 발광 소자(ED)의 주요 구성 요소를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2를 참고하면, 표시 장치(1000)의 발광 소자(ED)는 제1 전극(400), 발광부(500) 및 제2 전극(700)을 포함한다. 여기서, 발광부(500)는 제1 전극(400)과 제2 전극(700) 사이에 위치하는 복수의 유기층 또는 복수의 유기층들의 구조를 지칭한다. 또한, 표시 장치(1000)는 자체 발광(self-luminance) 특성을 갖는 발광 소자(ED)를 포함하는 유기 발광 표시 장치(organic light-emitting display apparatus, OLED apparatus)로 지칭될 수 있다.
제1 전극(400)은 화소 별로 서로 이격되어 배치된다. 제1 전극(400)은 발광부(500)로 정공(hole)을 공급 또는 전달하는 전극이며, 각각 박막 트랜지스터(300)의 소스 전극(330)과 연결된다. 제1 전극(400)은 애노드(anode) 또는 패턴 전극(patterned electrode)으로 지칭될 수 있다. 도면에 도시되진 않았으나, 박막 트랜지스터(300)의 종류에 따라, 제1 전극(400)은 드레인 전극(340)과 연결될 수도 있다.
제2 전극(700)은 복수에 화소에 걸쳐 공통으로 배치된다. 제2 전극(700)은 발광부(500)로 전자(electron)를 공급 또는 전달하는 전극이다. 제2 전극(700)은 발광부(500)로부터 발광된 빛이 통과하여야 하므로, 매우 얇은 두께의 금속 물질 또는 투명 물질로 이루어질 수 있다. 제2 전극(700)은 캐소드(cathode) 또는 공통 전극(common electrode)으로 지칭될 수 있다.
발광부(500)의 복수의 유기층은 발광층(emission layer, EL)을 포함한다. 발광층(EL)은 FMM(fine metal mask)과 같은 마스크를 이용하여 화소 별로 패턴될 수도 있고, 복수의 화소에 걸쳐 공통으로 배치될 수도 있다. 발광층(EL)은 정공(hole)과 전자(electron)의 결합에 의해 빛이 발광되는 층으로, 발광층(EL)의 물질에 따라 다양한 색의 빛이 발광될 수 있다. 구체적으로, 도 2를 참고하면, 제1 전극(400)과 제2 전극(700)에 특정 전압(V)이 인가되면, 제1 전극(400)으로부터 제공된 정공 또는 제1 전극(400)에 인가된 전압에 의해 제공된 정공이 제1 전극(400)을 통과하여 발광층(EL)에 전달된다. 또한, 제2 전극(700)으로부터 제공된 전자 또는 제2 전극(700)에 인가된 전압에 의해 제공된 전자가 제2 전극(700)을 통과하여 발광층(EL)에 전달된다. 전달된 전자와 정공은 발광층(EL) 내에서 결합되어 빛이 발광하고, 발광된 빛은 제2 전극(700)을 투과하여 상부 방향으로 방출된다. 도 2에 도시된 특정 전압(V)은, 발광 소자(ED)를 구동하기 위한 전압으로, 발광 소자(ED) 및 표시 장치(1000)의 설계에 따라 달라질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는, 발광부(500)의 복수의 유기층 중 특정 유기층(particular organic layer, POL) 상에 위치하는 금속층(600)을 포함한다.
특정 유기층(POL)은 복수의 유기층 중 하나로, 금속층(600)이 없는 경우, 복수의 유기층 및 제2 전극(700)이 진공 상태에서 제1 전극(400) 상에 순차적으로 적층되는 공정이 진행되는 동안, 적어도 1회 진공이 아닌 상태에 노출될 수 있는 층을 말한다. 특정 유기층(POL)이 진공이 아닌 상태, 예를 들어, 질소(N2)나 산소(O2) 등과 같은 가스(gas)에 노출되게 되면, 유기 물질의 특성상 쉽게 변질되거나 손상되어 재료 특성이 저하될 수 있다. 특정 유기층(POL)의 재료 특성이 저하된다는 것은, 발광부(500)의 기능이 저하된다는 것을 의미하며, 이로 인해 표시 장치(1000)의 구동 전압이 상승되어 수명이 저하되는 심각한 문제로 이어질 수 있다.
또한, 특정 유기층(POL)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 전극(700)과 발광층(EL) 사이에 있는 층으로, 제2 전극(700)으로부터 제공된 전자 또는 제2 전극(700)을 통과하여 제공되는 전자를 발광층(EL)으로 원활히 주입하는 역할(또는 기능) 또는 전자를 원활히 수송하는 역할(또는 기능)을 층이다. 이 경우, 특정 유기층(POL)은, 복수의 유기층 중 제1 전극(400)과 발광층(EL) 사이에 있는 유기층보다 전자 특성이 우수한, 예를 들어, 전자 친화도(electron affinity) 또는 전자 이동도(electron mobility)가 큰 물질로 이루어지므로, 재료의 특성상 질소 또는 산소에 손상 가능성이 큰 재료로 이루어지게 된다. 따라서, 특정 유기층(POL)이, 발광 소자(EL)의 증착 과정에서 진공이 아닌 상태에 노출되는 경우 발광 소자(EL)의 특성이 더욱 저하되는 문제로 이어질 수 있다. 여기서, 전자 친화도(electron affinity) 또는 전자 이동도(electron mobility)가 큰 물질은 전자 주입에 대한 에너지 장벽을 감소시켜 전자 주입 또는 전달 효율을 증가시키는 물질로, 낮은 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbitals) 레벨을 갖는 물질일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)에서는, 제조 과정에서 특정 유기층(POL)이 진공이 아닌 상태에 노출됨에 의해 특정 유기층(POL)이 손상되어 표시 장치(1000)의 구동 전압이 증가되는 문제가 최소화되도록 구성된 금속층(600)이 특정 유기층(POL) 상에 위치된다.
금속층(600)은, 특정 유기층(POL) 대비 질소나 산소 등과 같은 가스에 손상 가능성이 적은 금속 물질로 이루어지므로, 제조 과정에서 일정 시간 진공이 아닌 상태에 노출되더라도 발광 소자(ED)의 특성에 거의 영향을 주지 않을 수 있다.
또한, 금속층(600)은, 특정 유기층(POL)을 보호하는 역할(또는 기능)뿐만 아니라, 발광층(EL)으로 전자를 추가 공급하는 보조 전극 역할(또는 기능)을 할 수 있다. 앞서 설명하였듯이, 발광 소자(ED)에 전압이 인가되면, 제2 전극(700)으로부터 발광층(EL)으로 전자가 제공되거나, 제2 전극(700)에 인가된 전압에 의해 제공된 전자가 제2 전극(700)을 통과하여 발광층(EL)에 전달된다. 이에 더하여, 금속층(600)이 일 함수(work function)가 높은 금속 물질로 이루어지므로, 금속층(600)으로부터 발광층(EL)에 전자가 추가로 제공될 수 있다. 이에 따라, 발광층(EL)으로의 전자 공급이 보다 원활해지므로, 발광 소자(ED)의 발광 효율이 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속층(600)은, 발광부(500) 상에 제2 전극(700)이 증착되는 과정에서, 제2 전극(700)에 의해 복수의 유기층으로 이루어진 발광부(500)가 손상되는 것이 최소화될 수 있다. 다시 말하면, 금속층(600)이 없는 구조인 경우, 특정 유기층(POL) 상에 무기 물질인 제2 전극(700)이 증착되면서 특정 유기층(POL)이 손상될 수 있다. 특정 유기층(POL)이 손상되면 재료 특성이 저하되어 전자를 전달 또는 주입하는 능력이 감소될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 금속층(600)은, 제2 전극(700)이 형성되는 동안 복수의 유기층, 특히, 특정 유기층(POL)이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.
금속층(600), 특정 유기층(POL)의 손상이 최소화되는 정도 및 발광층(EL)으로부터 발광된 빛의 투과율이 감소되는 정도에 따라 특정 두께를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 금속층(600)은, 특정 유기층(POL)이 진공이 아닌 상태, 예를 들어, 질소나 산소 등과 같은 가스에 노출되었을 때 손상되는 것이 최소화되는 두께를 가질 수 있다. 또한, 금속층(600)은, 특정 유기층(POL) 상에 제2 전극(700)이 증착되는 과정에서, 특정 유기층(POL)이 손상되는 것이 최소화되는 두께를 가질 수 있다. 또한, 특정 유기층(POL) 상에 금속층(600)이 형성되는 과정에서도, 특정 유기층(POL)의 손상이 최소화되는 정도의 두께를 가질 수 있다. 또한, 금속층(600)은, 발광층(EL)으로부터 발광된 빛(L)이 제2 전극(700) 방향으로 투과되어 방출되는 과정에서, 빛(L)의 투과율에 큰 영향을 주지 않는 두께, 예를 들어, 빛(L)의 투과율 감소가 최소화되는 두께를 가질 수 있다.
설명한 바와 같이, 금속층(600)의 두께가 두꺼워질수록 특정 유기층(POL)이 외부로부터 받는 영향은 감소될 수 있지만, 오히려 금속층(600)이 특정 유기층(POL) 상에 증착되는 과정에서 예기치 않은 손상이 발생될 수도 있다. 또한, 금속층(600)은 금속 물질로 이루어지므로, 두께가 두꺼워질수록 빛(L)이 투과되는 정도는 낮아지게 되므로, 발광 소자(ED)의 발광 효율을 고려한 설계에 맞는 두께를 가질 수 있다. 즉, 표시 장치(1000)가 고 사양의 장치인 경우, 발광 소자(ED)의 발광 효율 또한 높아야 하므로, 금속층(600)의 두께는 빛(L)이 투과되는 정도가 최소화되면서 특정 유기층(POL)을 일정 수준 이상 보호할 수 있는 두께를 가질 수 있다. 이와 비교하여, 표시 장치(1000)가 상대적으로 사양이 낮은 장치인 경우, 발광 소자(ED)는 빛(L)이 투과되는 정도 및 특정 유기층(POL)의 손상이 최소화되는 정도에 따라 보다 자유롭게 두께에 대한 설계가 가능할 수 있다. 예를 들어, 금속층(600)은, 10Å 이상 40Å 이하의 두께를 가질 수 있으며, 보다 바람직하게는 30Å 이상 40Å 이하의 두께를 가질 수 있다. 또한 금속층(600)은, 가시광선 영역(예를 들어, 약 380㎚ 이상 800㎚ 이하)에서 90% 이상의 평균 투과율을 가질 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는, 복수의 유기층 및 제2 전극(700)이 진공 상태에서 제1 전극(400) 상에 적층되는 공정이 진행되는 동안, 특정 유기층(POL)이 적어도 1회 진공이 아닌 상태에 노출됨에 의해 특정 유기층(POL)이 손상되어 표시 장치(1000)의 구동 전압이 증가되는 것이 최소화되도록 구성된 금속층(600)이 특정 유기층(POL) 상에 위치된다. 이에 따라, 제조 과정에서, 특정 유기층(POL)이 진공이 아닌 상태에 노출되더라도 특정 유기층(POL)이 변질되거나 손상되지 않도록 효과적으로 보호될 수 있고, 표시 장치(1000)의 공정 안전성이 향상될 수 있다. 또한, 제2 전극(700)이 증착되는 과정에서 발생될 수 있는 특정 유기층(POL)의 손상 문제 또한 감소될 수 있다. 뿐만 아니라, 금속층(600)이 발광층(EL)으로 전하를 공급하는 보조 전극과 같은 역할(또는 기능)을 하여 표시 장치(1000)의 발광 효율이 향상될 수 있다. 이에 따라, 특정 유기층(POL)의 변질에 의해 표시 장치(1000)의 구동 전압이 상승되거나 수명이 저하되는 문제가 개선될 수 있다.
도 3은 도 1의 A 부분의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다. 구체적으로, 표시 장치의 발광 소자(ED)의 주요 구성 요소를 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 설명의 편의를 이전 실시예와 동일 또는 대응되는 구성 요소에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다. 또한, 도 3은 이전 실시예의 기술적 사상을 구체적으로 적용한 하나의 실시예일뿐 해당 구조에 반드시 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 표시 장치(1000)의 발광 소자(ED)의 다양한 구조가 변형 실시될 수 있다.
도 3을 참고하면, 표시 장치(1000)의 발광 소자(ED)는, 제1 전극(400), 발광부(500) 및 제2 전극(700)을 포함한다. 도 3에 도시된 표시 장치(1000)는 상부 발광 방식으로, 발광부(500)로부터 발광된 빛(L)이 제2 전극(700)을 통과하여 방출될 수 있다.
제1 전극(400)은, 발광부(500)로부터 발광된 빛(L)이 제1 전극(400)을 투과하여 하부 방향으로 방출되지 않도록, 반사층을 포함한다. 구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(400)은 제1 투명층(410), 반사층(420) 및 제2 투명층(430)이 차례로 적층된 3층 구조를 가질 수 있다. 제1 투명층(410)과 제2 투명층(430)은, 예를 들어, ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등과 같은 TCO(transparent conductive oxide) 물질로 이루어질 수 있다. 두 개의 투명층(410, 430) 사이의 반사층(420)은, 예를 들어, 구리(Cu), 은(Ag), 팔라듐(Pd)과 같은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 도면에 도시되진 않았으나, 제1 전극(400)은 투명층과 반사층이 적층된 2층 구조를 가질 수도 있다.
제2 전극(700)은 발광부(500)로부터 발광된 빛(L)이 통과하여야 하므로, 얇은 두께, 예를 들어, 150Å 이상 250Å 이하의 금속 물질로 이루어지거나 투명 물질로 이루어질 수 있다. 제2 전극(700)은 예를 들어, IZO(indium zinc oxide), ITO(indium tin oxide) 등과 같은 TCO(transparent conductive oxide) 물질로 이루어지거나, 은(Ag), 마그네슘(Mg) 등과 같은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 제2 전극(700)에 의한 발광부(500)로부터 발광된 빛(L)의 투과율 저하가 최소화되도록 제2 전극(700)은 TCO(transparent conductive oxide) 물질과 같은 투명 물질로 이루어지는 것이 보다 바람직할 수 있다.
제1 전극(400)과 제2 전극(700) 사이에는, 제1 유기층(510), 발광층(520), 제2 유기층(530) 및 금속층(600)이 차례로 위치된다.
제1 유기층(510)은 제1 전극(400) 상에, 구체적으로, 제1 전극(400)과 발광층(520) 사이에 위치하는 층으로, 정공(hole)을 보다 원활하게 발광층(520)으로 제공하기 위한 층이다. 제1 유기층(510)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 정공 주입층(510A) 및 정공 수송층(510B)을 포함할 수 있다.
정공 주입층(510A)은 제1 전극(400) 상에 배치되며, 제1 전극(400)으로부터 또는 제1 전극(400)을 통해 제공된 정공을 발광층(520)으로 원활하게 주입하는 역할을 한다. 정공 주입층(510A)은 MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine) 또는 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 또한, 정공 주입층(510A)은 약 30Å 이상 100Å 이하의 두께를 가질 수 있다.
정공 수송층(510B)은 정공 주입층(510A) 상에 배치되며, 제1 전극(400)으로부터 또는 제1 전극(400)을 통해 제공된 정공을 발광층(520)으로 원활하게 전달하는 역할을 한다. 정공 수송층(510B)은 TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl- benzidine) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
제1 유기층(510)은, 도면에 도시되진 않았으나, P형 도펀트가 도핑된 P형 정공 수송층을 더 포함할 수도 있고, 설계에 따라, 복수의 층이 아닌 단일층으로 이루질 수도 있다.
발광층(520)은, 제1 유기층(510) 상에 위치되며, 적어도 하나의 층으로 이루어질 수 있다. 발광층(520)은 표시 장치(1000)의 설계에 따라, 백색의 빛 또는 적색, 녹색, 청색 등과 같은 단색의 빛을 발광할 수 있고, 단일층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 발광층(520)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 백색을 발광하기 위한 청색 발광층(520A)과 황색-녹색 발광층(520B)을 포함할 수 있다. 도면에 도시되진 않았으나, 발광층(520)이 복수의 층인 경우, 복수의 층 사이에는 전하 생성층(charge generation layer)이 더 배치될 수 있다.
제2 유기층(530)은, 발광층(520) 상에, 구체적으로, 제2 전극(700)과 발광층(520) 사이에 위치하는 층으로, 전자(electron)를 보다 원활하게 발광층(520)으로 제공하기 위한 층이다. 제2 유기층(530)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 전자 수송층(530A) 및 전자 주입층(510B)을 포함할 수 있다.
전자 수송층(530A)은, 발광층(520) 상에 배치되며, 제2 전극(700)으로부터 또는 제2 전극(700)을 통해 제공된 전자를 발광층(520)으로 원활하게 전달하는 역할을 한다. 전자 수송층(530A)은, 옥사디아졸(oxadiazole), 트리아졸(triazole), 페난 트롤린(phenanthroline), 벤족사졸(benzoxazole) 또는 벤즈티아졸(benzthiazole) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
전자 주입층(530B)은 전자 수송층(530A) 상에 배치되며, 제2 전극(700)으로부터 또는 제2 전극(700)을 통해 제공된 전자를 발광층(520)으로 원활하게 주입하는 역할을 한다.
제2 유기층(530)은, 제1 유기층(510)보다 전자 특성이 우수한, 예를 들어, 전자 친화도(electron affinity) 또는 전자 이동도(electron mobility)가 큰 물질로 이루어지며, 재료의 특성상 제1 유기층(510)을 이루는 물질보다 질소(N2) 또는 산소(O2) 등과 같은 가스(gas)에 더 취약할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에서는, 제2 유기층(530) 상에, 보다 구체적으로, 전자 주입층(530B) 상에 금속층(600)을 배치하여, 제조 과정에서 전자 주입층(530B)이 진공이 아닌 상태에 노출됨에 의해 손상되는 문제를 최소화할 수 있다. 이에 따라, 전자 주입층(530B)의 재료 특성 저하에 의한 표시 장치(100)의 구동 전압이 상승되는 문제가 최소화되고, 표시 장치(100)의 수명이 향상되며, 증착 과정에서의 공정 안정성이 향상되는 효과가 있다.
금속층(600)은, 전자 주입층(530B)이나 전자 수송층(530A) 대비 질소나 산소 등과 같은 가스에 대한 손상 가능성이 적은 금속 물질, 예를 들어, 알루미늄(Al)으로 이루어지므로, 제조 과정에서 일정 시간 진공이 아닌 상태에 노출되더라도 발광 소자(ED)의 특성에 거의 영향을 주지 않을 수 있다.
또한, 금속층(600)이, 일 함수가 높은 금속 물질로 이루어지므로, 전자를 추가적으로 제공하는 보조 전극 역할을 하여 표시 장치(100)의 광 효율이 향상될 수 있다. 뿐만 아니라, 제2 전극(700)이 증착되는 과정에서, 무기 물질인 제2 전극(700)에 의해 전자 주입층(530B)이 손상되는 문제가 감소될 수 있다.
금속층(600)은, 전자 주입층(530B)이 손상이 최소화되는 정도 및 발광층(520)으로부터 발광된 빛(L)의 투과율이 감소되는 정도를 고려한 특정 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 금속층(600)은, 10Å 이상 40Å 이하의 두께를 가질 수 있으며, 보다 바람직하게는 30Å 이상 40Å 이하의 두께를 가질 수 있다. 또한 금속층(600)은, 가시 광선 영역(예를 들어, 약 380㎚ 이상 800㎚ 이하)에서 90% 이상의 평균 투과율을 가질 수 있다.
도 3에서는, 제2 유기층(530)이 전자 주입층(530B)과 전자 수송층(530A)의 복수의 층으로 도시되었으나, 제2 유기층(530)은 제1 유기층(510)보다 전자 이동도 또는 전자 친화도가 큰 물질로 이루어진 단일층일 수 있다. 예를 들어, 제2 유기층(530)은 정공 수송층의 단일층으로 이루어질 수 있고, 이 경우, 금속층(600)은 정공 수송층 상에 배치되어 정공 수송층을 보호하며, 금속층(600)에 의해 외부의 영향에 의한 정공 수송층의 손상이 최소화될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시에에 따라 금속층(600)이, 제2 유기층(530)의 전자 주입층(530B)이 진공이 아닌 상태에 노출됐을 때 발생 가능한 전자 주입층(530B)의 손상을 예방하도록 구성됨으로써, 유기 물질의 변질 또는 손상에 의해 표시 장치(100)의 구동 전압이 상승되거나 수명이 저하되는 문제를 해결할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도 및 개략적인 단면도이다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 이전 실시예와 동일 또는 대응되는 구성 요소에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 4a를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계(S100), 박막 트랜지스터와 연결되도록 제1 전극을 형성하는 단계(S200), 제1 전극 상에 제1 유기층을 형성하는 단계(S300), 제1 유기층 상에 적어도 하나의 발광층을 형성하는 단계(S400), 발광층 상에 제2 유기층을 형성하는 단계(S500), 제2 유기층 상에 금속층을 형성하는 단계(S600) 및 금속층 상에 제2 전극을 형성하는 단계(S700)를 포함한다. 이에 대해 도 4b를 참고하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 4b에는 도시되지 않았으나, 기판(100) 상에 박막 트랜지스터를 형성한다(S100). 기판(100) 상에는 구동 박막 트랜지스터 또는 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하는 복수의 박막 트랜지스터가 형성될 수 있다.
다음으로, 도 4b를 참고하면, 기판(100) 상에, 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 연결되도록 제1 전극(400)을 형성한다(S200). 제1 전극(400)은 투명층 및 반사층이 적층된 2층 구조 또는 투명층, 반사층 및 투명층이 적층된 3층 구조로 이루어질 수 있다. 제1 전극(400)은 증착 소스(900)에서 투명 물질 또는 반사 물질을 기판(100) 상으로 분사하여 증착하는 방식으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 전극(400)을 이루는 물질에 특성에 따라 다양한 공정 방식이 적용될 수 있다.
다음으로, 제1 전극(400) 상에는 제1 유기층(510), 발광층(520), 제2 유기층(530) 및 금속층(600)이 순차적으로 적층되며, 제1 유기층(510)을 형성하는 단계(S300)부터 금속층(600)을 형성하는 단계(S600)까지 진공 챔버(810) 내에서 인라인(In-line) 공정을 통해 적층된다(S300, S400, S500, S600). 제1 유기층(510), 발광층(520), 제2 유기층(530) 및 금속층(600)은 증착 소스(900)에서 각 층에 대응하는 물질을 분사하여 증착하는 방식으로 형성될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 각 층의 물질의 특성에 따라 다양한 공정 방식이 사용될 수 있다.
제1 유기층(510)은 발광층(520)으로 정공을 원활하게 전달하기 위한 층이며, 발광층(520)은 단일층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 제2 유기층(530)은 발광층(520)으로 전자를 원활하게 전달하기 위한 층이며, 제1 유기층(510)보다 전자 특성이 우수한, 예를 들어, 전자 친화도 또는 전자 이동도가 큰 물질로 이루어질 수 있다. 제2 유기층(530)은 재료의 특성상 제1 유기층(510)보다 질소(N2)나 산소(O2)에 손상이 가능성이 큰 재료로 이루어질 수 있다.
인라인(In-line) 공정이란, 복수의 단계가 장비에 의해 자동으로 진행되는 것을 말하며, 사람에 의한 조절이 최소화된 자동화 공정을 말한다. 제1 유기층(510)을 형성하는 단계(S300)부터 금속층(600)을 형성하는 단계(S600)까지 진공 챔버(810) 내에서 인라인(In-line) 공정을 통해 적층된다는 것은, 제1 유기층(510)이 형성될 때부터 금속층(600)이 형성될 때까지, 장비 불량 등과 같은 특이 사항이 발생되지 않는 이상 장비에 의해 순차적으로 자동 증착되며, 이 과정이 진공 상태의 챔버(810) 내에서 이루어지게 된다.
인라인(In-line) 공정으로 진행되는 단계가 많아질수록 장비 등을 수용하기 위한 제조 환경이나 운용하기 위한 장비의 개발이 고차원적으로 요구되므로, 제조 환경 또는 제조 장비의 한계로 인해 제조 과정 중 적어도 1회 진공이 아닌 상태에 노출될 수 있다. 이로 인해, 도 4b에 도시된 바와 같이, 금속층(600)을 형성하는 단계(S600)와 제2 전극(700)을 형성하는 단계(S700) 사이에, 상기 금속층(600)이 적어도 1회 진공이 아닌 상태에 노출되는 단계(SE)가 더 포함될 수 있다. 표시 장치가 진공이 아닌 상태에 노출되는 단계(SE)는, 제2 전극(700)이 형성되는 공정이 진행되기 전의 대기 시간일 수도 있고, 또는 장비 간의 이동을 위한 이동 시간일 수도 있다.
금속층(600)이 제2 유기층(500) 상에 형성된 이후에, 표시 장치는 진공이 아닌 상태, 예를 들어, 도 4b에 도시된 바와 같이, 질소(N2)와 같은 가스에 노출될 수 있다. 금속층(600)이 제2 유기층(530) 상에 형성되지 않은 구조인 경우, 표시 장치가 진공이 아닌 상태에 노출될 때 제2 유기층(530)이 가스에 의해 직접적인 영향을 받게 되고 이로 인해 제2 유기층(530)이 변질되거나 손상되어 표시 장치의 구동 전압 상승 및 수명이 저하되는 문제가 발생될 수 있다.
금속층(600)은, 표시 장치가 적어도 1회 진공이 아닌 상태에 노출되는 동안 제2 유기층(530)이 손상되는 것을 최소화하는 역할(또는 기능)을 한다. 즉, 제2 유기층(530)은 금속층(600)에 의해 보호되므로, 표시 장치가 진공이 아닌 상태에 일정 시간 노출되더라도 제2 유기층(530)의 손상은 최소화될 수 있다.
또한, 금속층(600)이 제2 유기층(530)과 제2 전극(700) 사이에 형성됨으로써, 제2 전극(700)이 형성되는 과정(S700)에서, 제2 유기층(530)이 손상되는 것 또한 최소화될 수 있다. 제2 전극(700)은, 도 4b에 도시된 바와 같이, 증착 소스(900)에서 투명 물질 또는 금속 물질을 분사하여 증착하는 방식으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 물질의 특성에 따라 다양한 공정 방식이 사용될 수 있다.
또한, 제2 유기층(530)과 제2 전극(700) 사이에 형성된 금속층(600)은 발광층(520)으로 전자를 추가 공급하는 보조 전극 역할을 하여 표시 장치의 광 효율이 향상되는 데 기여할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 제조 과정 중 적어도 1회 표시 장치의 특정 유기층, 예를 들어, 제2 유기층(530)이 진공이 아닌 상태에 노출되는 동안 제2 유기층(530)이 손상 또는 변질되는 문제가 최소화되도록, 제2 유기층(530) 상에 금속층(600)이 형성된다. 이에 따라, 표시 장치의 제조 과정에서의 공정 안정성이 향상되며, 제조된 표시 장치의 구동 전압이 상승되는 문제가 해결될 수 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 주요 구성 요소를 나타내는 단면 사진이고, 도 5b는 비교예 및 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 전압을 나타낸 표이다.
도 5a를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속층을 포함하는 발광 소자의 일부를 나타내는 단면 사진으로, 투과 전자 현미경(transmission electron microscope, TEM)을 이용하여 관찰하였으며, 특정 유기층(POL)과 제2 전극(700) 사이에 금속층(600)이 배치된 것을 확인할 수 있다.
도 5b의 기준 시료(Ref.)는 금속층(600)을 포함하지 않는 구조로, 제조 과정에서 가스(gas)에 노출되지 않고 제작된 시료이다. 해당 시료에 10㎃/㎠의 전류가 흐를 때의 구동 전압(V)은 12.5V 값을 가짐을 알 수 있다.
도 5b의 비교예 시료는 기준 시료(Ref.)와 동일하게 금속층(600)을 포함하지 않는 구조이나, 제조 과정에서 특정 유기층(POL)이 가스(gas), 구체적으로 산소(O2)에 일정 시간 노출된 상태를 거쳐 제작된 시료이다. 해당 시료에 10㎃/㎠의 전류가 흐를 때의 구동 전압(V)은 17.5V 값을 가지며, 기준 시료(Ref.) 대비 구동 전압(V)이 5V 증가하였음을 알 수 있다.
이와 비교하여, 실시예1 시료는, 특정 유기층(POL)과 제2 전극(700) 사이에 금속층(600)이 배치된 구조로, 비교예 시료와 마찬가지로, 제조 과정에서 금속층(600)이 산소(O2)에 일정 시간 노출된 상태를 거쳐 제작된 시료이다. 이때, 금속층(600)은 알루미늄(Al) 물질로 10Å 두께를 갖도록 제조되었다. 해당 시료에 10㎃/㎠의 전류가 흐를 때의 구동 전압(V)을 측정한 결과 14.7V 값을 가지며, 비교예 시료 대비 구동 전압(V)이 2.8V 감소하였음을 알 수 있다. 즉, 제조 과정에서 제조 환경이나 제조 장비의 한계로 인해 일정 시간 가스(gas)에 노출되는 과정을 거치더라도, 발광 소자의 특정 유기층(POL)이 금속층(600)에 의해 보호되어 유기 물질의 변질 또는 손상이 감소하였음을 알 수 있다. 이에 따라, 금속층(600)이 없는 구조 대비 구동 전압이 감소하였음을 확인할 수 있다.
실시예2 시료는, 실시예1 시료와 마찬가지로, 특정 유기층(POL)과 제2 전극(700) 사이에 금속층(600)이 배치된 구조이나, 금속층(600)이 알루미늄(Al) 물질의 30Å 두께를 갖도록 제조되었다. 또한, 실시예2 시료는 제조 과정에서 금속층(600)이 산소(O2)에 일정 시간 노출된 상태를 거쳐 제작되었다. 해당 시료에 10㎃/㎠의 전류가 흐를 때의 구동 전압(V)은 12.6V 값을 가지며, 비교예 시료 대비 구동 전압(V)이 4.9V 감소하였음을 알 수 있다. 또한, 금속층(600)의 두께가 10Å 인 실시예1 시료 대비 구동 전압(V)이 2.1V 감소하였음을 알 수 있다. 즉, 금속층(600)의 두께가 두꺼워질수록 제조 과정에서 일정 시간 가스(gas)에 노출되는 과정을 거치더라도, 발광 소자의 특정 유기층(POL)이 금속층(600)에 의해 보다 효과적으로 보호되어 유기 물질의 변질 또는 손상이 더욱 감소하였음을 알 수 있다. 또한, 실시예2 시료의 구동 전압(V)은, 가스(gas)에 노출되지 않고 제작된 기준 시료(Ref.)의 구동 전압(V)과 유사한 값을 갖는 수준까지 감소되었다. 다시 말하면, 제조 과정에서 제조 환경이나 제조 장비의 한계로 인해 일정 시간 가스(gas)에 노출되는 과정을 거치더라도, 금속층(600)에 의해 특정 유기층(POL)이 가스(gas)에 의한 영향을 거의 받지 않으므로, 공정 안정성이 크게 향상될 수 있음을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 특정 유기층(POL)이 제조 과정에서 진공이 아닌 상태에 노출됨에 의해 손상되어 구동 전압이 증가되는 것이 최소화되도록 구성된 금속층(600)이 특정 유기층(POL)과 제2 전극(700) 사이에 위치된다. 이에 따라, 제조 과정에서 특정 유기층(POL)이 변질되거나 손상되는 것이 감소되어 구동 전압이 상승되는 문제 및 공정 안정성이 개선될 수 있음을 확인할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 복수의 유기층은 발광층을 포함하고, 상기 특정 유기층은 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 금속층은, 상기 특정 유기층을 보호하는 역할 및 상기 발광층으로 전자를 추가 공급하는 보조 전극 역할을 하도록 구현될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 특정 유기층은, 상기 복수의 유기층 중 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이에 있는 유기층보다 질소 또는 산소에 손상 가능성이 큰 재료로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 특정 유기층은, 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이에 있는 유기층보다 전자 특성이 우수할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 특정 유기층은, 상기 발광층으로 전자를 주입하는 역할 또는 전자를 수송하는 역할을 하도록 구현될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 금속층은, 상기 특정 유기층의 손상이 최소화되는 정도 및 상기 발광층으로부터 발광된 빛의 투과율이 감소되는 정도에 따라 특정 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 금속층의 두께는 10Å 이상 40Å 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 금속층의 평균 투과율은 가시 광선 영역에서 90% 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 발광층으로부터 발광된 빛은, 상기 제2 전극을 투과하여 방출될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 특정 유기층 사이의 층들은 인라인(In-line) 공정으로 적층될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1 전극은 반사층 및 투명층을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1 유기층은 정공 수송층 또는 정공 주입층이고, 상기 제2 유기층은 전자 수송층 또는 전자 주입층일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 금속층은 상기 제2 유기층이 진공이 아닌 상태에 노출됐을 때 발생 가능한 상기 제2 유기층의 손상을 예방하도록 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 단계와 상기 제2 전극을 형성하는 단계 사이에, 상기 금속층이 적어도 1회 진공이 아닌 상태에 노출되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 금속층은, 상기 제2 유기층이 손상되는 것을 최소화하는 역할, 상기 제2 전극이 형성되는 동안 상기 제2 유기층이 손상되는 것을 최소화하는 역할 및 상기 발광층으로 전자를 추가 공급하는 보조 전극 역할을 하는 것을 특징으로 할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1000: 표시 장치
100: 기판
300: 박막 트랜지스터
400: 제1 전극
500: 발광부
600: 금속층
700: 제2 전극
ED: 발광 소자
EL: 발광층
POL: 특정 유기층

Claims (20)

  1. 제1 전극, 복수의 유기층 및 제2 전극을 포함하는 표시 장치에 있어서,
    상기 복수의 유기층 및 상기 제2 전극이 진공 상태에서 상기 제1 전극 상에 적층되는 공정이 진행되는 동안, 적어도 1회 진공이 아닌 상태에 상기 복수의 유기층 중 특정 유기층이 노출됨에 의해 상기 특정 유기층이 손상되어 상기 표시 장치의 구동 전압이 증가되는 것이 최소화되도록 구성된, 상기 특정 유기층 상에 위치하는 금속층을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 유기층은 발광층을 포함하고, 상기 특정 유기층은 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 있는, 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 금속층은, 상기 특정 유기층을 보호하는 역할 및 상기 발광층으로 전자를 추가 공급하는 보조 전극 역할을 하도록 구현된, 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 특정 유기층은, 상기 복수의 유기층 중 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이에 있는 유기층보다 질소 또는 산소에 손상 가능성이 큰 재료로 이루어진, 표시 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 특정 유기층은, 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이에 있는 유기층보다 전자 특성이 우수한, 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 특정 유기층은, 상기 발광층으로 전자를 주입하는 역할 또는 전자를 수송하는 역할을 하도록 구현된, 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 금속층은, 상기 특정 유기층의 손상이 최소화되는 정도 및 상기 발광층으로부터 발광된 빛의 투과율이 감소되는 정도에 따라 특정 두께를 갖는, 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 금속층의 두께는 10Å 이상 40Å 이하인, 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 금속층의 평균 투과율은 가시 광선 영역에서 90% 이상인, 표시 장치.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 발광층으로부터 발광된 빛은, 상기 제2 전극을 투과하여 방출되는, 표시 장치.
  11. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 특정 유기층 사이의 층들은 인라인(In-line) 공정으로 적층된, 표시 장치.
  12. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 반사층 및 투명층을 포함하는, 표시 장치.
  13. 반사층 및 투명층을 포함하는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 제1 유기층;
    상기 제1 유기층 상에 적어도 하나의 발광층;
    상기 발광층 상에, 상기 제1 유기층보다 전자 이동도 또는 전자 친화도가 큰 물질로 이루어진 제2 유기층;
    상기 제2 유기층 상에서 접하는 금속층; 및
    상기 금속층 상에 투명층을 포함하는 제2 전극을 포함하는, 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 금속층의 두께는 10Å 이상 40Å 이하인, 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 금속층의 투과율은 90% 이상인, 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 유기층은 정공 수송층 또는 정공 주입층이고,
    상기 제2 유기층은 전자 수송층 또는 전자 주입층인, 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 금속층은 상기 제2 유기층이 진공이 아닌 상태에 노출됐을 때 발생 가능한 상기 제2 유기층의 손상을 예방하도록 구성된, 표시 장치.
  18. 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 연결되도록 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 제1 유기층을 형성하는 단계;
    상기 제1 유기층 상에, 적어도 하나의 발광층을 형성하는 단계;
    상기 발광층 상에, 상기 제1 유기층보다 전자 특성이 우수한 물질로 이루어진 제2 유기층을 형성하는 단계;
    상기 제2 유기층 상에, 상기 제2 유기층과 접하는 금속층을 형성하는 단계; 및
    상기 금속층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 유기층을 형성하는 단계, 상기 발광층을 형성하는 단계, 상기 제2 유기층을 형성하는 단계 및 상기 금속층을 형성하는 단계는 인라인(In-line) 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 금속층을 형성하는 단계와 상기 제2 전극을 형성하는 단계 사이에, 상기 금속층이 적어도 1회 진공이 아닌 상태에 노출되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 금속층은, 상기 제2 유기층이 손상되는 것을 최소화하는 역할, 상기 제2 전극이 형성되는 동안 상기 제2 유기층이 손상되는 것을 최소화하는 역할 및 상기 발광층으로 전자를 추가 공급하는 보조 전극 역할을 하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102447311B1 (ko) * 2015-10-28 2022-09-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN111769142B (zh) * 2020-06-23 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN117153961B (zh) * 2023-10-31 2024-02-13 季华实验室 HEMT驱动MicroLED一体化背板及其制作方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3534445B2 (ja) * 1993-09-09 2004-06-07 隆一 山本 ポリチオフェンを用いたｅｌ素子
US5714838A (en) * 1996-09-20 1998-02-03 International Business Machines Corporation Optically transparent diffusion barrier and top electrode in organic light emitting diode structures
JPH10125469A (ja) * 1996-10-24 1998-05-15 Tdk Corp 有機ｅｌ発光素子
US6468676B1 (en) * 1999-01-02 2002-10-22 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent display element, finder screen display device, finder and optical device
US6366017B1 (en) * 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
US6551725B2 (en) * 2001-02-28 2003-04-22 Eastman Kodak Company Inorganic buffer structure for organic light-emitting diode devices
JP2003021122A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Takai Corporation:Kk 位置決め付きスプリングプランジャー
US7354845B2 (en) * 2004-08-24 2008-04-08 Otb Group B.V. In-line process for making thin film electronic devices
AU2005267468A1 (en) * 2004-06-30 2006-02-02 The Mediatile Company Apparatus and method for distributing audiovisual content to a point of purchase location
US20070128465A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 General Electric Company Transparent electrode for organic electronic devices
US20070222371A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Eastman Kodak Company Top-emitting OLED device with improved stability
JP4736890B2 (ja) * 2006-03-28 2011-07-27 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100796603B1 (ko) * 2006-11-28 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
KR20080082134A (ko) * 2007-03-07 2008-09-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2012511833A (ja) * 2008-12-12 2012-05-24 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション ドープ正孔輸送層を介して改善されたｏｌｅｄ安定性
KR101920766B1 (ko) * 2011-08-09 2018-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
DE102013105972B4 (de) * 2012-06-20 2016-11-03 Lg Display Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung
US9450039B2 (en) * 2013-05-31 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same

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