CN103915571A - 一种amoled显示面板及膜层制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板、AMOLED显示装置及AMOLED膜层制作方法，用以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。所述AMOLED显示面板，包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层，其中，所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。

Description

一种AMOLED显示面板及膜层制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED显示面板及膜层制作方法、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED）相比传统的液晶面板，具有反应速度快、对比度高、视角较广、显示效果优异以及低电能消耗等优点。AMOLED具有自发光的特点，不需使用背光板，因此比薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD）能够做得更轻薄，而且不需使用背光板的AMOLED可以节省占TFT-LCD三到四成比重的背光模块成本。
AMOLED因为是自发光，所以在老化过程中会出现不同像素老化程度不一样，导致亮度不一样，可能导致显示屏留下残影，其中蓝色子像素的亮度衰减较红色子像素和绿色子像素的亮度衰减更快。现有技术中为了解决AMOLED显示屏在使用一段时间后出现的残影，通常的方法是通过增大蓝色子像素发光层13，即B像素发光层13的面积，来减小其电流密度，从而对蓝色子像素的亮度衰减进行补偿，如图1所示，将蓝色子像素发光层13的面积设置为大于红色子像素发光层11，即R像素发光层11和绿色子像素发光层12，即G像素发光层12的面积，而蓝色子像素发光层的面积增大，会导致AMOLED显示屏的整体解析度降低。
综上所述，现有技术中的AMOLED显示屏的整体解析度较低，AMOLED显示屏的整体品质较差。
发明内容
本发明提供了一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板、AMOLED显示装置及AMOLED膜层制作方法，用以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。
根据本发明提供的一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板，包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层，其中，所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。
由本发明提供的一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板，由于AMOLED显示面板，包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层，其中，空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层，可以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。
本发明还提供了一种AMOLED显示装置，该装置包括上述的AMOLED显示面板。
由本发明提供的一种AMOLED显示装置，由于包括上述的AMOLED显示面板，故该显示装置可以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。
本发明还提供了一种AMOLED膜层制作方法，所述方法包括：
在基板上依次制作阳极层和空穴传输层；
在空穴传输层上依次制作发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层；其中，所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。
由本发明提供的一种AMOLED膜层制作方法，由于在基板上依次制作阳极层和空穴传输层；在空穴传输层上依次制作发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层；其中，所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层，可以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。
附图说明
图1为现有技术中一种AMOLED显示屏像素排布示意图；
图2为本发明一实施例提供的一种AMOLED显示面板结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的AMOLED显示面板中阴极保护层厚度与发光层发光强度之间的关系图；
图4为现有技术中的一种AMOLED显示面板结构示意图；
图5为制作图4的AMOLED显示面板中的阴极保护层时采用的蒸镀掩膜板示意图；
图6为制作本发明实施例提供的AMOLED显示面板中的阴极保护层时采用的蒸镀掩膜板示意图；
图7为本发明另一实施例提供的一种AMOLED显示面板结构示意图；
图8为本发明另一实施例提供的一种AMOLED显示面板结构示意图；
图9为本发明另一实施例提供的一种AMOLED显示面板结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种AMOLED显示装置示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板、AMOLED显示装置及AMOLED膜层制作方法，用以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、优化AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。
下面给出本发明具体实施例提供的技术方案的详细介绍。
如图2所示，本发明一具体实施例提供的一种AMOLED显示面板包括：基板20、阳极层21、空穴传输层22、发光层、电子传输层24、阴极层25和阴极保护层26，其中，阴极保护层26为各处厚度相同且连续不间断的膜层，发光层包括R像素发光层231，G像素发光层232和B像素发光层233，其中，阴极保护层26可选Alq3(喹啉铝)等有机材料，或CaO，SiO2等陶瓷材料。
本发明实施例提供的AMOLED膜层制作方法包括：在基板20上依次制作阳极层21和空穴传输层22；在空穴传输层22上依次制作发光层、电子传输层24、阴极层25和阴极保护层26；其中阴极保护层26为各处厚度相同且连续不间断的膜层，发光层包括R像素发光层231，G像素发光层232和B像素发光层233。
本发明具体实施例中阴极保护层26的厚度选择标准为：阴极保护层26的厚度使得B像素发光层233的光耦合效率得到最佳。由于R像素发光层231、G像素发光层232和B像素发光层233的发光波长不同，故制作得到的阴极保护层26的厚度在B像素发光层233的光耦合效率最佳时，R像素发光层231和G像素发光层232的光耦合效率一般。
具体地，表1为本发明实施例提供的一种AMOLED显示面板中阴极保护层厚度与各像素发光层发光强度之间的关系。
表1
阴极保护层厚度 B像素发光层发光强度 G像素发光层发光强度 R像素发光层发光强度
55 11 160 30
65 13 140 30
75 15.1 120 40
85 16.6 100 30
95 17.2 100 30
105 16.8 100 30
115 15.6 100 20
125 13.8 120 20
135 11.9 140 20
145 10.1 165 15
如表1所示，当阴极保护层26的厚度为55nm时，B像素发光层233的发光强度为11坎德拉、G像素发光层232的发光强度为160坎德拉、R像素发光层231的发光强度为30坎德拉；当阴极保护层26的厚度为65nm时，B像素发光层233的发光强度为13坎德拉、G像素发光层232的发光强度为140坎德拉、R像素发光层231的发光强度为30坎德拉；当阴极保护层26的厚度为75nm时，B像素发光层233的发光强度为15.1坎德拉、G像素发光层232的发光强度为120坎德拉、R像素发光层231的发光强度为40坎德拉；当阴极保护层26的厚度为85nm时，B像素发光层233的发光强度为16.6坎德拉、G像素发光层232的发光强度为100坎德拉、R像素发光层231的发光强度为30坎德拉；当阴极保护层26的厚度为95nm时，B像素发光层233的发光强度为17.2坎德拉、G像素发光层232的发光强度为100坎德拉、R像素发光层231的发光强度为30坎德拉；当阴极保护层26的厚度为105nm时，B像素发光层233的发光强度为16.8坎德拉、G像素发光层232的发光强度为100坎德拉、R像素发光层231的发光强度为30坎德拉；当阴极保护层26的厚度为115nm时，B像素发光层233的发光强度为15.6坎德拉、G像素发光层232的发光强度为100坎德拉、R像素发光层231的发光强度为20坎德拉；当阴极保护层26的厚度为125nm时，B像素发光层233的发光强度为13.8坎德拉、G像素发光层232的发光强度为120坎德拉、R像素发光层231的发光强度为20坎德拉；当阴极保护层26的厚度为135nm时，B像素发光层233的发光强度为11.9坎德拉、G像素发光层232的发光强度为140坎德拉、R像素发光层231的发光强度为20坎德拉；当阴极保护层26的厚度为145nm时，B像素发光层233的发光强度为10.1坎德拉、G像素发光层232的发光强度为165坎德拉、R像素发光层231的发光强度为15坎德拉。
阴极保护层的厚度与发光层发光强度的对应关系如图3所示，其中231表示R像素发光层的发光强度，232表示G像素发光层的发光强度，233表示B像素发光层的发光强度。结合表1和图3可以看到，B像素发光层233的光耦合效率最佳时，阴极保护层的厚度为95nm；G像素发光层232的光耦合效率最佳时，阴极保护层的厚度为55nm和145nm；R像素发光层231的光耦合效率最佳时，阴极保护层的厚度为75nm。本发明具体实施例中的阴极保护层的厚度选择为95nm，该厚度保证B像素发光层233的光耦合效率得到最佳，而R像素发光层231和G像素发光层232的光耦合效率一般。
较佳地，在实际生产过程中，结合表1和图3，本发明具体实施例给出一个最佳的阴极保护层的厚度范围，该厚度范围为75nm-115nm。如果阴极保护层的厚度继续增加，R像素发光层的发光强度、G像素发光层的发光强度和B像素发光层的发光强度将出现周期性变化，该周期存在波峰与波谷。从表1可以看到，阴极保护层的厚度从55nm到135nm为一个周期，本发明具体实施例中的阴极保护层的厚度范围不限于75nm-115nm，可以以该厚度范围为基础，根据实际的生产工艺周期性的增加。
如图4所示，现有技术中的阴极保护层26的厚度不相同，且该阴极保护层26为不连续、间断的膜层。现有技术中B像素发光层233的面积较R像素发光层231和G像素发光层232的面积大。该阴极保护层的制作过程需要3块蒸镀掩膜板51、52和53，如图5所示，其中蒸镀掩膜板51用于制作R像素发光层上的阴极保护层，蒸镀掩膜板51包括多个开孔为R像素量级的开孔511；蒸镀掩膜板52用于制作G像素发光层上的阴极保护层，蒸镀掩膜板52包括多个开孔为G像素量级的开孔522；蒸镀掩膜板53用于制作B像素发光层上的阴极保护层，蒸镀掩膜板53包括多个开孔为B像素量级的开孔533。现有技术中无论是掩膜板本身制作还是使用时的工艺控制，都非常难，其多层膜制作也将使得制作工序复杂化。
本发明实施例制作阴极保护层包括，选用开孔与面板的显示区大小相同的蒸镀掩膜板在阴极层上沉积阴极保护层，如图6所示，蒸镀掩膜板60包括多个开孔与显示面板的显示区大小相同的开孔61。因此本发明实施例在制作阴极保护层时，只需要一块掩膜板，且该掩膜板的开孔与面板的显示区大小相同，制备工艺简单。
对现有技术中的AMOLED显示面板和本发明实施例提供的AMOLED显示面板进行测试，得到的试验数据如表2所示。
表2
项目 现有技术 本发明实施例
红光亮度（cd/m2） 62 62
绿光亮度（cd/m2） 187 187
蓝光亮度（cd/m2） 51 51
白光亮度（cd/m2） 300 300
红光色度（x，y） （0.65,0.33） （0.65,0.33）
绿光色度（x，y） （0.33,0.65） （0.33,0.65）
蓝光色度（x，y） （0.15,0.12） （0.15,0.12）
白光色度（x，y） （0.33,0.33） （0.33,0.33）
红光效率（cd/A） 15 15
绿光效率（cd/A） 30 30
蓝光效率（cd/A） 5 10
红光电流（mA） 41 41
绿光电流（mA） 62 62
蓝光电流（mA） 25.5 12.8
红光面积（mm2） 0.01 0.01
绿光面积（mm2） 0.01 0.01
蓝光面积（mm2） 0.02 0.01
红光寿命（hours） 50 50
绿光寿命（hours） 50 50
蓝光寿命（hours） 50 50
从表2中可以看到，本发明实施例提供的AMOLED显示面板中红光、绿光和蓝光的亮度和色度保持不变，即白平衡维持不变；与现有技术相比，本发明实施例提供的AMOLED显示面板中蓝光效率提高一倍，蓝光的驱动电流减小一倍，即蓝光效率的提升和电流的减小，可以达到同样的亮度，这样，就降低了功耗；与现有技术相比，本发明实施例提供的AMOLED显示面板中蓝光面积减小一倍，这样，与现有技术相比解析度得到了提升；本发明实施例提供的AMOLED显示面板中，在蓝光的面积和效率发生改变的情况下，红光、绿光和蓝光的寿命仍然达到一致，因此本发明实施例提供的AMOLED显示面板在功耗降低和解析度提升的情况下，亮度衰减也得到了匹配。
因此，本发明实施例提供的AMOLED显示面板，AMOLED显示屏的解析度得到了提升，AMOLED显示屏的功耗降低，同时AMOLED显示屏亮度衰减也得到了匹配，且在制备该AMOLED显示面板时的制备工艺也得到了简化，这样，AMOLED显示屏的整体品质得到了提升。
如图7所示，本发明另一具体实施例提供的一种AMOLED显示面板包括：基板20、阳极层21、空穴传输层22、发光层、电子传输层24、阴极层25和阴极保护层26，其中，空穴传输层22为各处厚度相同且连续不间断的膜层，发光层包括R像素发光层231，G像素发光层232和B像素发光层233。
该实施例提供的AMOLED膜层制作方法包括：在基板20上依次制作阳极层21和空穴传输层22；在空穴传输层22上依次制作发光层、电子传输层24、阴极层25和阴极保护层26；其中空穴传输层22为各处厚度相同且连续不间断的膜层，发光层包括R像素发光层231，G像素发光层232和B像素发光层233。
该实施例中的空穴传输层22为各处厚度相同且连续不间断的膜层，空穴传输层22的厚度选择标准同样为：空穴传输层22的厚度使得B像素发光层233的光耦合效率得到最佳，R像素发光层231和G像素发光层232的光耦合效率一般。该实施例中的空穴传输层22的厚度为37nm时，B像素发光层233的发光强度为10.97坎德拉、G像素发光层232的发光强度为4.6坎德拉、R像素发光层231的发光强度为3.7坎德拉，而当空穴传输层22的厚度为85nm时，G像素发光层232的发光强度为18.4坎德拉，B像素发光层233的发光强度小于10.97坎德拉，当空穴传输层22的厚度为140nm时，R像素发光层231的发光强度为10.4坎德拉，B像素发光层233的发光强度小于10.97坎德拉，即当空穴传输层22的厚度为37nm时，B像素发光层233的光耦合效率得到最佳，R像素发光层231和G像素发光层232的光耦合效率一般，该实施例选择空穴传输层22的厚度为37nm。
较佳地，该实施例制作空穴传输层包括，选用开孔与面板的显示区大小相同的蒸镀掩膜板在阳极层上沉积空穴传输层。同样地，该实施例在制作空穴传输层时，只需要一块掩膜板，且该掩膜板的开孔与面板的显示区大小相同，制备工艺简单。
采用该实施例制备得到的AMOLED显示面板，与现有技术中的AMOLED显示面板一起进行测试，同样可以得到如表2所示的数据，因此，该实施例提供的AMOLED显示面板，AMOLED显示屏的解析度得到了提升，AMOLED显示屏的功耗降低，同时AMOLED显示屏亮度衰减也得到了匹配，且在制备该AMOLED显示面板时的制备工艺也得到了简化，这样，AMOLED显示屏的整体品质得到了提升。
如图8所示，本发明具体另一实施例提供的一种AMOLED显示面板包括：基板20、阳极层21、空穴传输层22、发光层、电子传输层24、阴极层25和阴极保护层26，其中，空穴传输层22和阴极保护层26为各处厚度相同且连续不间断的膜层，发光层包括R像素发光层231，G像素发光层232和B像素发光层233。
该实施例提供的AMOLED膜层制作方法包括：在基板20上依次制作阳极层21和空穴传输层22；在空穴传输层22上依次制作发光层、电子传输层24、阴极层25和阴极保护层26；其中空穴传输层22和阴极保护层26为各处厚度相同且连续不间断的膜层，发光层包括R像素发光层231，G像素发光层232和B像素发光层233。
本发明具体实施例三提供的AMOLED显示面板中空穴传输层22和阴极保护层26厚度的选择同上述任一种一实施例，在此不予赘述，同样的，采用该实施例制备得到的AMOLED显示面板，与现有技术中的AMOLED显示面板一起进行测试，可以得到如表2所示的数据，因此，该实施例提供的AMOLED显示面板，AMOLED显示屏的解析度得到了提升，AMOLED显示屏的功耗降低，同时AMOLED显示屏亮度衰减也得到了匹配，且在制备该AMOLED显示面板时的制备工艺也得到了简化，这样，AMOLED显示屏的整体品质得到了提升。
如图9所示，为另一实施例提供的AMOLED显示面板中，在B像素发光层233上采用喷墨工艺制作微镜90，AMOLED显示面板中其它层的制作方法同上述任一种实施例。由于微镜90能够更好的折射和透过光线，从而得到更大的光线耦合输出，故在同样的驱动电流标准下，B像素发光层233的光耦合效率提高，即同样的出光情况下，B像素发光层233需要的驱动电流减小。
同样的，采用该实施例制备得到的AMOLED显示面板，与现有技术中的AMOLED显示面板一起进行测试，可以得到如表2所示的数据，因此，该实施例提供的AMOLED显示面板，AMOLED显示屏的解析度得到了提升，AMOLED显示屏的功耗降低，同时AMOLED显示屏亮度衰减也得到了匹配，AMOLED显示屏的整体品质得到了提升。
本发明具体实施例还提供了一种AMOLED显示装置，该显示装置包括上面所述的AMOLED显示面板，本发明具体实施例提供的AMOLED显示装置可以为显示器，如图10所示。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和集合。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的集合之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板，包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层，其中，所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。
2.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述发光层包括多个R像素发光层、G像素发光层和B像素发光层，所述R像素发光层、G像素发光层和B像素发光层的面积相同。
3.根据权利要求2所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述发光层还包括设置在B像素发光层上的微镜。
4.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述阴极保护层的厚度为75nm-115nm。
5.一种AMOLED显示装置，其特征在于，所述装置包括权利要求1-4任一权项所述的AMOLED显示面板。
6.一种AMOLED膜层制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上依次制作阳极层和空穴传输层；
在空穴传输层上依次制作发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层；其中，所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述制作空穴传输层时，包括：选用开孔与面板的显示区大小相同的蒸镀掩膜板在阳极层上沉积空穴传输层。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述制作阴极保护层时，包括：选用开孔与面板的显示区大小相同的蒸镀掩膜板在阴极层上沉积阴极保护层。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述发光层包括多个R像素发光层、G像素发光层和B像素发光层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述B像素发光层上制作微镜。
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US14/286,773 US20150214505A1 (en) 2014-01-27 2014-05-23 Amoled display panel, method of fabricating film layer and display apparatus
DE102014107500.5A DE102014107500B4 (de) 2014-01-27 2014-05-27 Amoled-anzeigefeld, verfahren zum herstellen einer folienschicht und anzeigevorrichtung

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106033656A (zh) * 2015-03-11 2016-10-19 群创光电股份有限公司 显示装置
CN106158914A (zh) * 2016-07-29 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制作方法、oled显示面板
CN109285866A (zh) * 2018-09-21 2019-01-29 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示面板的制造方法和显示装置
CN109817663A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 上海和辉光电有限公司 一种调整oled面板的方法及像素排列结构
CN113161499A (zh) * 2021-04-13 2021-07-23 浙江大学 光电器件及其制造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102539031B1 (ko) 2016-04-28 2023-06-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107154215B (zh) * 2017-05-17 2019-05-28 Oppo广东移动通信有限公司 显示屏、显示装置及移动终端

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1006586A2 (en) * 1998-12-01 2000-06-07 SANYO ELECTRIC Co., Ltd. Color electroluminescence display device
JP2007123249A (ja) * 2005-09-29 2007-05-17 Canon Inc 表示装置
CN102077386A (zh) * 2008-06-30 2011-05-25 佳能株式会社 发光显示装置
CN102376897A (zh) * 2010-08-04 2012-03-14 佳能株式会社 显示装置
CN102598864A (zh) * 2009-11-05 2012-07-18 佳能株式会社 显示装置
US20120313501A1 (en) * 2011-06-07 2012-12-13 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2701738B2 (ja) * 1994-05-17 1998-01-21 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
US6879618B2 (en) * 2001-04-11 2005-04-12 Eastman Kodak Company Incoherent light-emitting device apparatus for driving vertical laser cavity
US6770502B2 (en) * 2002-04-04 2004-08-03 Eastman Kodak Company Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures
JP4561201B2 (ja) * 2003-09-04 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
KR100543003B1 (ko) * 2003-09-15 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP4479381B2 (ja) * 2003-09-24 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2005158571A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造装置及び有機エレクトロルミネッセンスパネル
US7825582B2 (en) * 2004-11-08 2010-11-02 Kyodo Printing Co., Ltd. Flexible display and manufacturing method thereof
JP2008527631A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー ミラースタックを有する電子デバイス
US20060246811A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Eastman Kodak Company Encapsulating emissive portions of an OLED device
JP5017820B2 (ja) * 2005-09-01 2012-09-05 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US7719499B2 (en) * 2005-12-28 2010-05-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device with microcavity structure
JP5333211B2 (ja) * 2007-03-29 2013-11-06 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US8373341B2 (en) * 2007-07-10 2013-02-12 University Of Florida Research Foundation, Inc. Top-emission organic light-emitting devices with microlens arrays
RU2444538C1 (ru) * 2008-01-25 2012-03-10 Мицуи Кемикалз, Инк. Эпоксидная композиция для полимеризации и герметизирующая композиция, содержащая ее
US8598788B2 (en) * 2008-09-10 2013-12-03 Chimei Innolux Corporation System for displaying images
EP2345096B1 (en) * 2008-10-28 2018-10-17 The Regents of the University of Michigan Stacked white oled having separate red, green and blue sub-elements
DE102008054435A1 (de) * 2008-12-09 2010-06-10 Universität Zu Köln Organische Leuchtdiode mit optischem Resonator nebst Herstellungsverfahren
KR101097316B1 (ko) * 2009-10-12 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
JP5373054B2 (ja) * 2010-03-31 2013-12-18 パナソニック株式会社 表示パネル装置及び表示パネル装置の製造方法
JP2012134128A (ja) * 2010-11-30 2012-07-12 Canon Inc 表示装置
JP2012221686A (ja) * 2011-04-07 2012-11-12 Canon Inc 表示装置
US8686448B2 (en) * 2011-05-27 2014-04-01 Seiko Epson Corporation Light emitting device, electronic apparatus, and manufacturing method of light emitting device
DE102012204327A1 (de) * 2012-03-19 2013-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
KR101929040B1 (ko) * 2012-05-31 2018-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
DE102013105972B4 (de) * 2012-06-20 2016-11-03 Lg Display Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung
US8940568B2 (en) * 2012-08-31 2015-01-27 Universal Display Corporation Patterning method for OLEDs
KR101980771B1 (ko) * 2012-12-31 2019-05-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102113034B1 (ko) * 2013-05-29 2020-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140143631A (ko) * 2013-06-07 2014-12-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20150008394A1 (en) * 2013-07-02 2015-01-08 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
KR20150012591A (ko) * 2013-07-25 2015-02-04 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
JP2015069757A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1006586A2 (en) * 1998-12-01 2000-06-07 SANYO ELECTRIC Co., Ltd. Color electroluminescence display device
JP2007123249A (ja) * 2005-09-29 2007-05-17 Canon Inc 表示装置
CN102077386A (zh) * 2008-06-30 2011-05-25 佳能株式会社 发光显示装置
CN102598864A (zh) * 2009-11-05 2012-07-18 佳能株式会社 显示装置
CN102376897A (zh) * 2010-08-04 2012-03-14 佳能株式会社 显示装置
US20120313501A1 (en) * 2011-06-07 2012-12-13 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106033656A (zh) * 2015-03-11 2016-10-19 群创光电股份有限公司 显示装置
CN106158914A (zh) * 2016-07-29 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制作方法、oled显示面板
US10319794B2 (en) 2016-07-29 2019-06-11 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED array substrate, manufacturing method thereof, OLED display panel
CN109817663A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 上海和辉光电有限公司 一种调整oled面板的方法及像素排列结构
CN109817663B (zh) * 2017-11-20 2020-12-29 上海和辉光电股份有限公司 一种调整oled面板的方法及像素排列结构
CN109285866A (zh) * 2018-09-21 2019-01-29 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示面板的制造方法和显示装置
CN113161499A (zh) * 2021-04-13 2021-07-23 浙江大学 光电器件及其制造方法
CN113161499B (zh) * 2021-04-13 2022-06-17 浙江大学 光电器件及其制造方法
US11818941B2 (en) 2021-04-13 2023-11-14 Zhejiang University Mini/micro perovskite light-emitting diode and manufacturing method thereof

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