CN104091895A - 有机发光二极管基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种有机发光二极管基板及其制作方法、显示装置，通过使子像素所在位置处的空穴传输层由N层子空穴传输层构成，其中，第N个子像素所在位置处的空穴传输层包括N层子空穴传输层，第N个子像素所在位置处所包括的子空穴传输层覆盖所在位置处的空穴传输层厚度比所述第N个子像素所在位置处的空穴传输层厚度高的子像素在空穴传输层中的所在位置区域，以形成共用子空穴传输层；所述N层子空穴传输层中，除位于最高层的子空穴传输层采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作以外，其他子空穴传输层采用共用掩膜蒸镀工艺制作。从而可提高有机发光二极管基板的制作效率，降低有机发光二极管的制作成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体可以涉及一种有机发光二极管基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
近年来，终端消费类电子显示产品越来越注重视觉体验，对显示屏分辨率的要求逐年提高，这在中小尺寸显示领域尤为突出。
为了使显示屏在分辨率上达到高密度的效果，现有技术中通过对制作工艺的改良和创新，以实现显示屏分辨率的提高。
现有的OLED(Organic Light-Emitting Diod,有机发光二极管)基板制作过程，如图1所示，通常是在玻璃基板上，采用FMM(Fine Metal Mask,精细金属掩膜)的蒸镀工艺，分别制作对应于不同子像素位置处的HTL(HoleTransport Layer,空穴传输层)11(其中，字母RHTL表示红色子像素所在位置处的空穴传输层11，字母G HTL表示绿色子像素所在位置处的空穴传输层11，字母B HTL表示蓝色子像素所在位置处的空穴传输层11，图1中，数字12用于标识空穴注入层，数字13用于标识玻璃基板)，从而使OLED显示产品具有较高的分辨率。
但是，精细金属掩膜的蒸镀工艺存在材料利用率低、生产效率低等问题，而且，精细金属掩膜的成本较高，且需要频繁的清洗，浪费了大量的财力和物力。
发明内容
本发明提供一种有机发光二极管基板及其制作方法、显示装置，可提高有机发光二极管基板的制作效率，降低有机发光二极管的制作成本。
本发明提供方案如下：
本发明实施例提供了一种有机发光二极管基板，包括多个像素单元，所述像素单元中包括N个子像素，所述N为大于等于1的正整数，每个子像素所在位置处的空穴传输层具有不同的厚度；
所述空穴传输层由N层子空穴传输层构成，其中，第N个子像素所在位置处的空穴传输层包括N层子空穴传输层，第N个子像素所在位置处所包括的子空穴传输层覆盖所在位置处的空穴传输层厚度比所述第N个子像素所在位置处的空穴传输层厚度高的子像素在空穴传输层中的所在位置区域，以形成共用子空穴传输层；
所述N层子空穴传输层中，除位于最高层的子空穴传输层采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作以外，其他子空穴传输层采用共用掩膜蒸镀工艺制作。
优选的，所述N层子空穴传输层的材质相同。
优选的，所述像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中第一子像素所在位置处的空穴传输层厚度最低，第二子像素和第三子像素所在位置处的空穴传输层厚度依次增大；
第一子像素所在位置处的空穴传输层包括第一子空穴传输层，所述第一子空穴传输层覆盖第一子像素、第二子像素和第三子像素在空穴传输层中的所在位置区域，所述第一子空穴传输层的厚度等于第一子像素所在位置处的空穴传输层的厚度；
第二子像素所在位置处的空穴传输层包括第一子空穴传输层以及位于所述第一子空穴传输层之上的第二子空穴传输层，所述第二子空穴传输层覆盖第二子像素以及第三子像素在空穴传输层中的所在位置区域，所述第二子空穴传输层的厚度等于第二子像素所在位置处的空穴传输层的厚度与所述第一子空穴传输层的厚度之间的差值；
第三子像素所在位置处的空穴传输层包括第一子空穴传输层、第二子空穴传输层以及位于所述第二子空穴传输层之上的第三子空穴传输层，所述第三子空穴传输层覆盖第三子像素在空穴传输层中的所在位置区域，所述第三子空穴传输层的厚度等于第三子像素所在位置处空穴传输层的厚度与第一、第二子空穴传输层叠加厚度之间的差值；
所述第一子空穴传输层和第二子空穴传输层采用共用掩膜蒸镀工艺制作，所述第三子空穴传输层采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作。
优选的，所述有机发光二极管基板还包括：
位于玻璃基板与空穴传输层之间的空穴注入层；
位于空穴传输层之上的发光层；
位于发光层之上的电子传输层。
优选的，所述有机发光二极管基板还包括：
位于玻璃基板与空穴注入层之间的阳极层；
位于电子传输层之上的阴极层；
位于阴极层之上的平坦层。
本发明实施例还提供了一种有机发光二极管基板制作方法，用于制作上述本发明实施例提供的有机发光二极管基板，所述方法包括：
在有机发光二极管基板已有图层之上，采用共用掩膜蒸镀工艺，依次制作除位于最高层的子空穴传输层以外的其他子空穴传输层，其中，第N个子像素位置处所包括的子空穴传输层覆盖所在位置处的空穴传输层厚度比所述第N个子像素所在位置处的空穴传输层厚度高的子像素在空穴传输层中的所在位置区域，以形成共用子空穴传输层；
在已有的子空穴传输层之上，采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作位于最高层的子空穴传输层。
优选的，所述采用共用掩膜蒸镀工艺，依次制作除位于最高层的子空穴传输层以外的其他子空穴传输层包括：
采用公用掩膜蒸镀工艺制作第一子空穴传输层，所述第一子空穴传输层覆盖第一子像素、第二子像素和第三子像素在空穴传输层中的所在位置区域，所述第一子空穴传输层的厚度等于第一子像素所在位置处的空穴传输层的厚度，所述第二子像素所在位置处的空穴传输层的厚度高于所述第一子像素所在位置处的空穴传输层的厚度，所述第三子像素所在位置处的空穴传输层的厚度高于所述第二子像素所在位置处的空穴传输层的厚度；
采用公用掩膜蒸镀工艺制作位于所述第一子空穴传输层之上的第二子空穴传输层，所述第二子空穴传输层覆盖第二子像素以及第三子像素在空穴传输层中的所在位置区域，所述第二子空穴传输层的厚度等于第二子像素所在位置处的空穴传输层的厚度与所述第一子空穴传输层的厚度之间的差值。
优选的，所述在已有的子空穴传输层之上，采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作位于最高层的子空穴传输层包括：
采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作第三子空穴传输层，所述第三子空穴传输层覆盖第三子像素在空穴传输层中的所在位置区域，所述第三子空穴传输层的厚度等于第三子像素所在位置处空穴传输层的厚度与第一、第二子空穴传输层叠加厚度之间的差值。
优选的，所述第一子空穴传输层、第二子空穴传输层以及第三子空穴传输层的材质相同。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示制作具体可以包括上述本发明实施例提供的有机发光二极管基板。
从以上所述可以看出，本发明提供的有机发光二极管基板及其制作方法、显示装置，通过使子像素所在位置处的空穴传输层由N层子空穴传输层构成，其中，第N个子像素所在位置处的空穴传输层包括N层子空穴传输层，第N个子像素所在位置处所包括的子空穴传输层覆盖所在位置处的空穴传输层厚度比所述第N个子像素所在位置处的空穴传输层厚度高的子像素在空穴传输层中的所在位置区域，以形成共用子空穴传输层；所述N层子空穴传输层中，除位于最高层的子空穴传输层采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作以外，其他子空穴传输层采用共用掩膜蒸镀工艺制作。从而可提高有机发光二极管基板的制作效率，降低有机发光二极管的制作成本。
附图说明
图1为现有技术中有机发光二极管结构示意图；
图2为本发明实施例提供的有机发光二极管结构示意图一；
图3为本发明实施例提供的有机发光二极管制作方法流程示意图；
图4为本发明实施例提供的有机发光二极管结构示意图二；
图5为本发明实施例提供的有机发光二极管结构示意图三；
图6为本发明实施例提供的有机发光二极管结构示意图四。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
本发明实施例提供了一种有机发光二极管(OLED)基板，该基板中具体可以包括多个像素单元，并且每个像素单元中可以包括N个子像素，例如3个或4个，即该N为大于等于1的正整数。
本发明实施例所提供的有机发光二极管基板中，每个子像素所在位置处的空穴传输层(HTL：Hole Transport Layer)具有不同的厚度，从而利用微腔效应，可使不同子像素所在位置处的有机发光二极管基板呈现不同的颜色。
如附图2所示，本发明实施例所涉及的空穴传输层由N层子空穴传输层21构成，其中，第N个子像素所在位置处的空穴传输层具体可以包括N层子空穴传输层21，第N个子像素所在位置处所包括的子空穴传输层21覆盖所在位置处的空穴传输层厚度比所述第N-1个子像素所在位置处的空穴传输层厚度高的子像素在空穴传输层中的所在位置区域，以形成共用子空穴传输层21。
而且，本发明实施例中所涉及的N层子空穴传输层21中，除位于最高层的子空穴传输层21采用精细金属掩膜(FMM)蒸镀工艺制作以外，其他子空穴传输层21采用共用掩膜(CM：Common Mask)蒸镀工艺制作。
由于共用掩膜蒸镀工艺只是在相应图层生成一层图层，而不需要生成相应的图层图案(Pattern)，因此，相较于精细金属掩膜(FMM)蒸镀工艺，可以减少图层材料的浪费，从而节省了大量材料，提高了空穴传输层材料的利用率。
另一方面，共用掩膜蒸镀工艺的实现过程相当于精细金属掩膜蒸镀工艺耗时要少，因此，本发明实施例所提供的技术方案还可以缩短有机发光二极管基板的制作时长，提高有机发光二极管的生产效率。
为了制作本发明实施例所提供的有机发光二极管基板，本发明实施例还提供了一种有机发光二极管制作方法，如图3所示，该方法具体可以包括：
在有机发光二极管基板已有图层之上，采用共用掩膜蒸镀工艺，依次制作除位于最高层的子空穴传输层以外的其他子空穴传输层21，其中，第N个子像素位置处所包括的子空穴传输层21覆盖所在位置处的空穴传输层厚度比所述第N个子像素所在位置处的空穴传输层厚度高的子像素在空穴传输层中的所在位置区域，以形成共用子空穴传输层21；
在已有的子空穴传输层之上，采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作位于最高层的子空穴传输层21。
下面，以像素单元中包括三个子像素(分别用于呈现红、绿、蓝三基色)为例，对本发明实施例提供的有机发光二极管基板及其制作方法进行详细的说明。
该实施例中，用于呈现蓝色的子像素区域可为第一子像素，用于呈现绿色的子像素区域可为第二子像素，用于呈现红色的子像素区域可为第三子像素区域。
由于红、绿、蓝色的波长各不相同，因此，上述三个子像素在有机发光二极管基板所在位置处的空穴传输层的厚度不同，其中，如图4所示，蓝色子像素所在位置处(字母BHTL所示区域)的空穴传输层的厚度最低，绿色子像素所在位置处(字母GHTL所示区域)的空穴传输层的厚度高于蓝色子像素所在位置处的空穴传输层的厚度，红色子像素所在位置处(字母RHTL所示区域)的空穴传输层的厚度高于绿色子像素所在位置处的空穴传输层的厚度。
那么在具体实现时，在有机发光二极管基板已有图层之上，首次可采用共用掩膜蒸镀工艺，制作蓝色子像素(即第一像素)所在位置处的子空穴传输层(第一子空穴传输层)211。
该第一子空穴传输层211的厚度可等于蓝色子像素所在位置处的空穴传输层的厚度，由于两者厚度相同，因此，蓝色子像素(即第一像素)所在位置处的空穴传输层仅包括一层子空穴传输层21。
即本发明实施例中，首先可采用共用掩膜蒸镀工艺制作空穴传输层厚度最低的子像素所在位置处的子空穴传输层21。
而且，该第一子空穴传输层211不仅覆盖蓝色子像素在空穴传输层所在位置区域，同时还覆盖绿色和红色子像素(对应位置处的空穴传输层厚度高于蓝色子像素所在位置处的空穴传输层厚度)在空穴传输层中的所在位置区域，以作为蓝色、绿色和红色三个子像素的共用子空穴传输层21。
那么可见，本发明实施例中，通过一次蒸镀工艺，不仅制作形成了蓝色子像素所在位置处的空穴传输层，同时还制作形成了绿色和红色子像素所在位置处的部分空穴传输层。
然后，可再次通过采用共用掩膜蒸镀工艺，在有机发光二极管基板已有图层即第一子空穴传输层211之上，制作绿色子像素(即第二子像素)所在位置处的子空穴传输层(即第二子空穴传输层)212。
由于绿色子像素所在位置处已经存在部分第一子空穴传输层211，即绿色子像素所在位置的空穴传输层已经存在部分厚度，因此，第二子空穴传输层212的厚度具体可为绿色子像素的目标厚度与第一子空穴传输层211的厚度(即蓝色子像素所在位置处的空穴传输层的厚度)之间的差值。
如图4所示，该第二子空穴传输层212不仅覆盖绿色子像素在空穴传输层中的所在位置处，同时还覆盖了红色子像素在空穴传输层中的所在位置区域，已形成绿色与红色两个子像素的共用子空穴传输层21。
从图4中可以看出，绿色子像素(即第二子像素)所在位置处的空穴传输层具体可以包括两层子空穴传输层21(分别为第一子空穴传输层211和第二子空穴传输层212)。
在完成蓝色和绿色子像素所在位置处的子空穴传输层21的制作后，可以制作红色子像素(即第三子像素)所在位置处的子空穴传输层21。
鉴于红色子像素所在位置处的空穴传输层的厚度最高，因此，本发明实施例中，可采用精细金属掩膜蒸镀工艺，制作位于最高层的红色子像素所在位置处的子空穴传输层即第三子空穴传输层213。
由于红色子像素所在位置处已经存在部分第一子空穴传输层211和第二子空穴传输层212，因此，第三子空穴传输层213的厚度可为红色子像素所在位置处空穴传输层的目标厚度与第一子空穴传输层211和第二子空穴传输层212叠加厚度之间的差值。
又由于红色子像素所在位置处的空穴传输层的厚度最高，因此，第三子空穴传输层213仅覆盖红色子像素在空穴传输层中的所在位置区域即可。
该实施例中，第一子空穴传输层211、第二子空穴传输层212以及第三子空穴传输层213的材质可相同，例如芳香胺萤光化合物等有机材料。
通过以上说明可以看出，该实施例所提供的有机发光二极管及其制作方法，通过两次共用掩膜蒸镀工艺和一次精细金属掩膜蒸镀工艺，即可完成有机发光二极管基板的制作，因此，相较于如图1所示，采用三次精细金属掩膜蒸镀工艺(由于如图1所示现有技术中，红、绿、蓝三个子像素所在位置处的空穴传输层11，即BHTL、GHTL、RHTL，各自独立存在，因此需采用三次精细金属掩膜蒸镀工艺分别制作完成)，不仅节省了大量的制作材料，还显著提高了空穴传输层制作材料的利用率。
同时，该实施例减少了两次精细金属掩膜蒸镀工艺的使用，因此可显著提高有机发光二极管的生产效率，降低了有机发光二极管的制作成本以及清洗精细金属掩膜的成本。
在本发明的另一具体实施例中，当一像素区域所在位置处的空穴传输层的材质与其他子像素所在位置区域的空穴传输层的材质不同时，可采用共用掩膜蒸镀工艺和精细金属掩膜蒸镀工艺制作材质相同的子像素所在位置的空穴传输层，单独采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作材质不同的子像素所在位置处的空穴传输层。
同样以红、绿、蓝三个子像素为例，如附图5所示，当蓝色子像素所在位置处的空穴传输层的材质，与红、绿两个子像素所在位置处的空穴传输层材质不同时，可先采用共用掩膜蒸镀工艺制作绿色子像素所在位置处的子空穴传输层214，该子空穴传输层214同时还覆盖红色子像素在空穴传输层中所在位置区域，然后采用精细金属掩膜蒸镀工艺在子空穴传输层214上制作红色子像素所在位置处的子空穴传输层215，再采用精细金属掩膜蒸镀工艺制备材质不同的蓝色子像素所在位置处的空穴传输层即子空穴传输层216(两者厚度相同)。
该实施例相较于图1所示的现有技术，同样可以实现节省制作材料，提高了制作材料利用率，以及提高有机发光二极管的生产效率，降低了有机发光二极管的制作成本以及清洗精细金属掩膜的成本的目的。
本发明实施例所提供的有机发光二极管基板，除了上述所列举的空穴传输层之外，如图6所示，具体还可以包括：
位于玻璃基板22与空穴传输层21之间的空穴注入层23(HIL：Hole InjectLayer)；
位于空穴传输层21之上的发光层24(EML：Emitting Layer)；
位于发光层24之上的电子传输层25(ETL：Electron Transport Layer)。
上述所涉及的空穴注入层23、空穴传输层21、发光层24以及电子传输层25具体可组成有机发光二极管基板中的有机层。
在另一具体实施例中，如图6所示，本发明实施例所提供的有机发光二极管基板具体还可以包括：
位于玻璃基板22与空穴注入层23之间的阳极层26；
位于电子传输层25之上的阴极层27；
位于阴极层27之上的平坦层28。
图6所示的有机发光二极管具体可为有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)，其中薄而透明的ITO阳极层26与金属阴极层28如同三明治般地将有机发光层(包括空穴注入层23、空穴传输层21、发光层24以及电子传输层25)包夹其中，当电压注入阳极的空穴(Hole)与阴极来的电子(Electron)在有机发光层结合时，激发有机材料而发光。
本发明实施例所涉及的有机发光二极管，还可以是其他类型的有机发光二极管，例如无源矩阵有机发光二极管(PM-OLED)等。
而本发明实施例中，除空穴传输层21之外的图层，可采用成熟有效的制作方法制备，例如蒸镀等，对此本发明实施例并不限制。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示制作具体可以包括上述本发明实施例提供的有机发光二极管基板。
本发明实施例所提供的显示装置，具体可为任一种具有显示功能的电子产品。
本发明提供的有机发光二极管基板及其制作方法、显示装置，通过使子像素所在位置处的空穴传输层由N层子空穴传输层构成，其中，第N个子像素所在位置处的空穴传输层包括N层子空穴传输层，第N个子像素所在位置处所包括的子空穴传输层覆盖所在位置处的空穴传输层厚度比所述第N个子像素所在位置处的空穴传输层厚度高的子像素在空穴传输层中的所在位置区域，以形成共用子空穴传输层；所述N层子空穴传输层中，除位于最高层的子空穴传输层采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作以外，其他子空穴传输层采用共用掩膜蒸镀工艺制作。从而可提高有机发光二极管基板的制作效率，降低有机发光二极管的制作成本。
以上所述仅是本发明的实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种有机发光二极管基板，包括多个像素单元，所述像素单元中包括N个子像素，所述N为大于等于1的正整数，每个子像素所在位置处的空穴传输层具有不同的厚度，其特征在于：
所述空穴传输层由N层子空穴传输层构成，其中，第N个子像素所在位置处的空穴传输层包括N层子空穴传输层，第N个子像素位置处所包括的子空穴传输层覆盖所在位置处的空穴传输层厚度比所述第N个子像素所在位置处的空穴传输层厚度高的子像素在空穴传输层中的所在位置区域，以形成共用子空穴传输层；
所述N层子空穴传输层中，除位于最高层的子空穴传输层采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作以外，其他子空穴传输层采用共用掩膜蒸镀工艺制作。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管基板，其特征在于，所述N层子空穴传输层的材质相同。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管基板，其特征在于，所述像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中第一子像素所在位置处的空穴传输层厚度最低，第二子像素和第三子像素所在位置处的空穴传输层厚度依次增高；
第一子像素所在位置处的空穴传输层包括第一子空穴传输层，所述第一子空穴传输层覆盖第一子像素、第二子像素和第三子像素在空穴传输层中的所在位置区域，所述第一子空穴传输层的厚度等于第一子像素所在位置处的空穴传输层的厚度；
第二子像素所在位置处的空穴传输层包括第一子空穴传输层以及位于所述第一子空穴传输层之上的第二子空穴传输层，所述第二子空穴传输层覆盖第二子像素以及第三子像素在空穴传输层中的所在位置区域，所述第二子空穴传输层的厚度等于第二子像素所在位置处的空穴传输层的厚度与所述第一子空穴传输层的厚度之间的差值；
第三子像素所在位置处的空穴传输层包括第一子空穴传输层、第二子空穴传输层以及位于所述第二子空穴传输层之上的第三子空穴传输层，所述第三子空穴传输层覆盖第三子像素在空穴传输层中的所在位置区域，所述第三子空穴传输层的厚度等于第三子像素所在位置处空穴传输层的厚度与第一、第二子空穴传输层叠加厚度之间的差值；
所述第一子空穴传输层和第二子空穴传输层采用共用掩膜蒸镀工艺制作，所述第三子空穴传输层采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作。
4.如权利要求1-3任一项所述的有机发光二极管基板，其特征在于，还包括：
位于玻璃基板与空穴传输层之间的空穴注入层；
位于空穴传输层之上的发光层；
位于发光层之上的电子传输层。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管基板，其特征在于，还包括：
位于玻璃基板与空穴注入层之间的阳极层；
位于电子传输层之上的阴极层；
位于阴极层之上的平坦层。
6.一种有机发光二极管基板制作方法，用于制作权利要求1至5任一项所述的有机发光二极管基板，其特征在于，所述方法包括：
在有机发光二极管基板已有图层之上，采用共用掩膜蒸镀工艺，依次制作除位于最高层的子空穴传输层以外的其他子空穴传输层，其中，第N个子像素位置处所包括的子空穴传输层覆盖所在位置处的空穴传输层厚度比所述第N个子像素所在位置处的空穴传输层厚度高的子像素在空穴传输层中的所在位置区域，以形成共用子空穴传输层；
在已有的子空穴传输层之上，采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作位于最高层的子空穴传输层。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用共用掩膜蒸镀工艺，依次制作除位于最高层的子空穴传输层以外的其他子空穴传输层包括：
采用公用掩膜蒸镀工艺制作第一子空穴传输层，所述第一子空穴传输层覆盖第一子像素、第二子像素和第三子像素在空穴传输层中的所在位置区域，所述第一子空穴传输层的厚度等于第一子像素所在位置处的空穴传输层的厚度，所述第二子像素所在位置处的空穴传输层的厚度高于所述第一子像素所在位置处的空穴传输层的厚度，所述第三子像素所在位置处的空穴传输层的厚度高于所述第二子像素所在位置处的空穴传输层的厚度；
采用公用掩膜蒸镀工艺制作位于所述第一子空穴传输层之上的第二子空穴传输层，所述第二子空穴传输层覆盖第二子像素以及第三子像素在空穴传输层中的所在位置区域，所述第二子空穴传输层的厚度等于第二子像素所在位置处的空穴传输层的厚度与所述第一子空穴传输层的厚度之间的差值。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在已有的子空穴传输层之上，采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作位于最高层的子空穴传输层包括：
采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作第三子空穴传输层，所述第三子空穴传输层覆盖第三子像素在空穴传输层中的所在位置区域，所述第三子空穴传输层的厚度等于第三子像素所在位置处空穴传输层的厚度与第一、第二子空穴传输层叠加厚度之间的差值。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一子空穴传输层、第二子空穴传输层以及第三子空穴传输层的材质相同。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的有机发光二极管基板。
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