CN108155205B - 一种amoled显示器 - Google Patents
一种amoled显示器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108155205B CN108155205B CN201611095923.5A CN201611095923A CN108155205B CN 108155205 B CN108155205 B CN 108155205B CN 201611095923 A CN201611095923 A CN 201611095923A CN 108155205 B CN108155205 B CN 108155205B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- source drain
- anode
- amoled display
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明为一种AMOLED显示器,包括玻璃基板、玻璃盖板、LTPS层以及OLED蒸镀层,所述OLED蒸镀层包括阴极层和发光层,所述LTPS层包括像素定义层、间隔层、阳极层、平坦化层、绝缘层、源漏走线、栅极层以及半导体层,所述阳极层被划分为多个子像素区,所述单个子像素区的平坦区为中心对称结构;所述栅极层和源漏极层存在交叉点M;所述阳极层平面区的中心、蒸镀层的中心以及栅极层与源漏极层的交叉点M相互重叠;所述阳极层边缘设有倒角切割,且倒角切割线的中心点位于下层栅极层或源漏极层的中间。
Description
技术领域
本发明涉及OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)技术领域,尤其是一种AMOLED(Active Matrix OLED,有源矩阵OLED)显示器的发光器件及制作方法。
技术背景
OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性的铟锡氧化物(ITO),与电力之正极相连,再加上另一个金属阴极,包成如三明治的结构。整个结构层中包括了:空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时,正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合,产生光亮,依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色,构成基本色彩。OLED的特性是自己发光,不需要背光。
AMOLED是OLED技术的一种。AMOLED由于自己发光,并且做在背板电路之上,所以发光层的设计、工艺、制程等因素对最终的显示效果都会有非常大的影响。但是,现有的AMOLED的发光层设计存在诸多缺陷,导致最终的显示效果并非良好,因此,急需设计一种更好的方案,来从根源上解决背板电路、工艺、制程导致的发光层显示不均匀的现象。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的目的是提供一种AMOLED显示器,通过改变阳极层及蒸镀层的图形设计,在很大程度上改善由背板电路、工艺、制程导致的发光层显示不均匀的现象。
本发明的技术方案如下:一种AMOLED显示器,包括玻璃基板、玻璃盖板、LTPS层以及OLED蒸镀层,所述OLED蒸镀层包括阴极层和发光层,所述LTPS层包括像素定义层、间隔层、阳极层、平坦化层、绝缘层、源漏极层、栅极层以及半导体层,所述阳极层被划分为多个子像素区,单个所述子像素区为中心对称结构;所述栅极层和源漏极层存在交叉点M;所述阳极层平面区的中心、蒸镀层的中心以及栅极层与源漏极层的交叉点M相互重叠;所述阳极层边缘设有倒角切割,且倒角切割线的中心点位于下层栅极层或源漏极层的中间。
进一步的,所述倒角切割线分别与栅极层、源漏极层垂直。
进一步的,所述子像素区包括平整的平坦区和边缘的通孔引线。
进一步的,所述子像素区中的平坦区形状为中心对称结构图形。
进一步的,所述平坦区的形状为圆形、矩形、平行四边形、椭圆形或正多边形。
进一步的,所述绝缘层包括:绝缘层一、绝缘层二、绝缘层三、绝缘层四。
进一步的,所述玻璃基板、玻璃盖板、LTPS层以及OLED蒸镀层各层次的排列顺序依次为:玻璃盖板、阴极层、发光层、间隔层、像素定义层、阳极层、平坦化层、绝缘层一、源漏极层、绝缘层二、栅极层、绝缘层三、半导体层、绝缘层四、玻璃基板。
进一步的,所述阳极层、源漏极层之间的平坦化层和绝缘层一上设有贯穿通孔,阳极层和源漏极层通过通孔连接。
进一步的,所述绝缘层材料为氮化硅或者氧化硅。
采用以上技术方案的有益效果是:本发明通过在阳极层上设置倒切角,并把子像素区的平坦区设置为中心对称结构,以此让下层栅极层或者源漏极层造成的子像素区的平坦区不平整的形状对称,从而相互抵消对显示的影响,同时,本发明的阳极层的图形设计方案,能在很大的程度上抵消来自背板电路、工艺、制程上对阳极层和蒸镀层的影响,从而使得最终的显示效果更佳。
附图说明
图1为本发明的剖面图。
图2为本发明阳极层子像素区的平面图。
图3为理论上阳极层子像素区的平坦区的截面图。
图4为阳极层子像素区的平坦区不平整的截面图。
图5为本发明改进后的子像素区的平坦区效果截面图。
图6为有多条栅极层和源漏极层的平面图。
图7为有栅极层和源漏极层的交叉点M的局部放大图。
图中的数字或字母代表的相应部件的名称:1.一种AMOLED显示器,2.LTPS层,21.像素定义层,22.间隔层,23.阳极层,24.平坦化层,251.绝缘层一,252.绝缘层二,253.绝缘层三,254.绝缘层四,26.源漏极层,27.栅极层,28.半导体层,3.OLED蒸镀层,31.阴极层,32.发光层,4.子像素区,41.平坦区,42.通孔引线,43.倒切角,5.玻璃基板,6.玻璃盖板,7.点M,8. 通孔。
具体实施例
如附图所示,一种AMOLED显示器,包括玻璃基板、玻璃盖板、LTPS层以及OLED蒸镀层,OLED蒸镀层包括阴极层和发光层,LTPS层包括像素定义层、间隔层、阳极层、平坦化层、绝缘层、源漏极层、栅极层以及半导体层;绝缘层包括:绝缘层一、绝缘层二、绝缘层三、绝缘层四,这四层绝缘主要作用都是起绝缘作用;玻璃基板、玻璃盖板、LTPS层以及OLED蒸镀层各层次的排列顺序依次为:玻璃盖板、阴极层、发光层、间隔层、像素定义层、阳极层、平坦化层、绝缘层一、源漏极层、绝缘层二、栅极层、绝缘层三、半导体层、绝缘层四、玻璃基板。
如图所示,阳极层被划分为多个子像素区,且子像素区包括平整的平坦区和边缘的通孔引线,各个子像素区通过通孔引线与下层的源漏极层连接;平坦区为中心对称结构,平坦区的形状为圆形、矩形、平行四边形、椭圆形或正多边形。
阳极层的子像素区边缘设有倒角切割,倒角切割线的中心点位于下层栅极层和源漏极层中间(此时只有一条栅极层和源漏极层),且倒角切割线分别与栅极层或源漏极层垂直,栅极层和源漏极层至少都有一条,如果有多条的话,多条栅极层相互平行,多条源漏极层也相互平行,且栅极层和源漏极层的交叉点也会有点M,点M’,点M”等,但此时的倒角切割线的中心点不一定位于下层栅极和源漏极层中间,因为多条话就不一定在中心位置,如图6和图7。设置多条平行的栅极层或多条相互平行的源漏极层,主要是方便阳极层的子像素区布置在栅极层和源漏极层上面,因为在每一个阳极层的子像素区和源漏极层之间的平坦化层和绝缘层一上都设有贯穿通孔,每一个阳极层的子像素区都有一个通孔引线,子像素区的通孔引线通过通孔和源漏极层连接,如图6所示。
绝缘层材料为氮化硅或者氧化硅;蒸镀层在阳极层的上方,只有阳极层在各个切面方向完全水平的情况下,像素发光才是均匀的,如图3所示。
本发明的原理是:通过在阳极层上的子像素区上设置倒切角,并把子像素区上的平坦区设置为中心对称结构来降低发光不均匀。因为传统的阳极层下方有平坦化层,但是仍会受下层栅极层和源漏极层的影响,即在栅极和源漏极层的上方,阳极层会凸起,阳极平面不平整,单个阳极层图形内,受下层栅极和源漏极层影响的不平整部分在像素发光时,发光的方向会有差异如图4所示,在显示时可见屏幕整面都有细线条形的亮度不均现象;受设计的限制,下层栅极层和源漏极层不能提供完全平整的区域,阳极需要在一个特殊的位置,让不平整的形状对称而相互抵消对显示的影响,如图5所示,通过在阳极层的子像素区上设置倒切角,并把阳极层子像素区上的平坦区设置为中心对称结构,从而可以抵消由背板电路的设计、工艺、制程导致的显示不均匀的现象,让最终的显示效果更佳。
本发明在阳极层上设置倒切角,并把子像素区的平坦区设置为中心对称结构,以此让下层栅极层或者源漏极层造成的子像素区的平坦区不平整的形状对称,从而相互抵消对显示的影响,同时,本发明的发光层的图形设计方案,能在很大的程度上抵消来自背板电路、工艺、制程上对阳极层和蒸镀层的影响,从而使得最终的显示效果更佳。
以上是结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
Claims (9)
1.一种AMOLED显示器,包括玻璃基板、玻璃盖板、LTPS层以及OLED蒸镀层,所述OLED蒸镀层包括阴极层和发光层,所述LTPS层包括像素定义层、间隔层、阳极层、平坦化层、绝缘层、源漏极层、栅极层以及半导体层,其特征在于,所述阳极层被划分为多个子像素区,单个所述子像素区为中心对称结构;所述栅极层和源漏极层存在交叉点M;所述阳极层平面区的中心、蒸镀层的中心以及栅极层与源漏极层的交叉点M相互重叠;所述阳极层边缘设有倒角切割,且倒角切割线的中心点位于下层栅极层或源漏极层的中间。
2.根据权利要求1所述的一种AMOLED显示器,其特征在于,所述倒角切割线分别与栅极层、源漏极层垂直。
3.根据权利要求1所述的一种AMOLED显示器,其特征在于,所述子像素区包括平整的平坦区和边缘的通孔引线。
4.根据权利要求3所述的一种AMOLED显示器,其特征在于,所述子像素区中的平坦区形状为中心对称结构图形。
5.根据权利要求4所述的一种AMOLED显示器,其特征在于,所述平坦区的形状为圆形、矩形、平行四边形、椭圆形或正多边形。
6.根据权利要求1所述的一种AMOLED显示器,其特征在于,所述绝缘层包括:绝缘层一、绝缘层二、绝缘层三、绝缘层四。
7.根据权利要求6所述的一种AMOLED显示器,其特征在于,所述玻璃基板、玻璃盖板、LTPS层以及OLED蒸镀层各层次的排列顺序依次为:玻璃盖板、阴极层、发光层、间隔层、像素定义层、阳极层、平坦化层、绝缘层一、源漏极层、绝缘层二、栅极层、绝缘层三、半导体层、绝缘层四、玻璃基板。
8.根据权利要求7所述的一种AMOLED显示器,其特征在于,所述阳极层、源漏极层之间的平坦化层和绝缘层一上设有贯穿通孔,阳极层和源漏极层通过通孔连接。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的一种AMOLED显示器,其特征在于,所述绝缘层材料为氮化硅或者氧化硅。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611095923.5A CN108155205B (zh) | 2016-12-02 | 2016-12-02 | 一种amoled显示器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611095923.5A CN108155205B (zh) | 2016-12-02 | 2016-12-02 | 一种amoled显示器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108155205A CN108155205A (zh) | 2018-06-12 |
CN108155205B true CN108155205B (zh) | 2020-09-11 |
Family
ID=62469970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611095923.5A Active CN108155205B (zh) | 2016-12-02 | 2016-12-02 | 一种amoled显示器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108155205B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111341809A (zh) * | 2020-03-06 | 2020-06-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104124265A (zh) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置和掩模单元 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8723265B2 (en) * | 2011-06-10 | 2014-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor structure with dummy polysilicon lines |
TWI612689B (zh) * | 2013-04-15 | 2018-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置 |
-
2016
- 2016-12-02 CN CN201611095923.5A patent/CN108155205B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104124265A (zh) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置和掩模单元 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108155205A (zh) | 2018-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11561465B2 (en) | Pixel arrangement structure, organic light emitting device, display device and mask | |
US9780150B2 (en) | Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
CN107068729B (zh) | 像素结构及其制作方法、显示基板和显示装置 | |
US20160276416A1 (en) | Oled display device, manufacturing method thereof, display device and mask for vaporization | |
US10170526B1 (en) | Organic light emitting diode display panel and method for manufacturing same | |
US9679953B2 (en) | WOLED back panel and method of manufacturing the same | |
CN104465706A (zh) | 一种有机发光显示装置及其制作方法 | |
US9312310B2 (en) | Display panel, fabricating method thereof and display device | |
TWI559526B (zh) | 有機發光元件及像素陣列 | |
CN208596710U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20210159287A1 (en) | Organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof | |
US10062311B2 (en) | Display substrate and fabricating method thereof, and display device | |
CN109545998A (zh) | 显示面板及制作方法 | |
US20160254326A1 (en) | Oled display substrate, oled display device, and mask | |
EP3203520B1 (en) | Organic light-emitting diode array substrate and display device | |
KR20120041510A (ko) | 유기전계 발광소자 및 이를 제조하기 위한 쉐도우 마스크 | |
CN104091895A (zh) | 有机发光二极管基板及其制作方法、显示装置 | |
CN112673476A (zh) | 显示基板和显示装置 | |
US11108017B2 (en) | Organic light emitting diode device package structure and method of manufacturing same | |
CN110098243A (zh) | 一种显示基板、显示面板和显示装置 | |
US11494017B2 (en) | Touch display device | |
CN108155205B (zh) | 一种amoled显示器 | |
JP2018507526A (ja) | ディスプレイパネル | |
CN115377152B (zh) | 像素排布结构、显示面板及掩膜板组件 | |
KR101663743B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |