KR101853390B1 - 표시장치와 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 블랙 매트릭스와 컬러필터의 공정 오차에 따른 개구율 저하 및 혼색 발생을 방지할 수 있는 표시장치와 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 복수의 컬러필터들, 복수의 컬러필터들을 덮는 무기막, 및 복수의 컬러필터들 사이에서 무기막 상에 배치된 블랙 매트릭스를 구비한다.

Description

표시장치와 그의 제조방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시장치와 그의 제조방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다.
표시장치들 중에서 유기발광표시장치는 자체발광형으로서, 액정표시장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. 또한, 유기발광표시장치는 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용이 저렴한 장점이 있다.
유기발광표시장치는 유기발광소자를 각각 포함하는 화소들, 및 화소들을 정의하기 위해 화소들을 구획하는 뱅크를 포함한다. 뱅크는 화소 정의막으로 역할을 할 수 있다. 유기발광소자는 애노드 전극, 정공 수송층(hole transporting layer), 유기발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 캐소드 전극을 포함한다. 이 경우, 애노드 전극에 고전위 전압이 인가되고 캐소드 전극에 저전위 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기발광층으로 이동되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.
유기발광소자는 적색, 녹색, 및 청색 광을 발광하는 적색, 녹색, 및 청색 유기발광소자들을 포함하거나, 백색 광을 발광하는 백색 유기발광소자만을 포함할 수 있다. 유기발광소자가 백색 유기발광소자만을 포함하는 경우, 적색, 녹색, 및 청색을 구현하기 위한 적색, 녹색 및 청색 컬러필터들이 필요하다. 컬러필터들과 컬러필터들을 구획하는 블랙 매트릭스는 모두 포토 공정으로 형성된다. 하지만, 이 경우 포토 공정의 오차로 인해 개구율 저하 및 혼색이 발생할 수 있다.
도 1a 내지 도 1c는 블랙 매트릭스, 컬러필터, 및 뱅크의 공정 오차에 따른 개구율 저하 및 혼색 발생을 구체적으로 보여주는 예시도면들이다. 도 1a 내지 도 1c에서는 설명의 편의를 위해 애노드 전극(AND), 유기발광층(OL), 캐소드 전극(CAT), 뱅크(BANK), 블랙 매트릭스(BM), 제1 및 제2 컬러필터들(CF1, CF2)을 예시하였다.
도 1a는 뱅크(BANK), 블랙 매트릭스(BM), 제1 및 제2 컬러필터들(CF1, CF2)이 공정 오차 없이 제대로 형성된 경우를 보여주며, 도 1b는 뱅크(BANK)와 제1 컬러필터(CF1)가 오른쪽으로 치우치고, 블랙 매트릭스(BM)와 제2 컬러필터(CF2)가 왼쪽으로 치우치게 형성되며, 블랙 매트릭스(BM)의 폭(w2)이 원래 의도한 폭(w1)보다 넓게 형성된 경우를 보여준다. 도 1b의 경우, 블랙 매트릭스(BM)가 뱅크(BANK)를 벗어나 발광부(EA)와 중첩된다. 그러므로, 발광부(EA)의 개구율이 낮아질 수 있다.
도 1c는 뱅크(BANK), 블랙 매트릭스(BM), 제1 컬러필터(CF1)가 오른쪽으로 치우치고, 제2 컬러필터(CF2)가 왼쪽으로 치우치게 형성되며, 블랙 매트릭스(BM)의 폭(w3)이 원래 의도한 폭(w1)보다 좁게 형성된 경우를 보여준다. 도 1c의 경우, 블랙 매트릭스(BM)가 제1 및 제2 컬러필터들(CF1, CF2)이 중첩된 영역을 가리지 못한다. 그러므로, 제1 및 제2 컬러필터들(CF1, CF2)이 중첩된 영역을 통과하는 광(L)에 의해 혼색이 발생할 수 있다.
즉, 블랙 매트릭스(BM)와 컬러필터(CF1, CF2)의 공정 오차에 따라 발광부(EA)의 개구율이 저하되거나 혼색이 발생할 수 있다.
본 발명은 블랙 매트릭스와 컬러필터의 공정 오차에 따른 개구율 저하 및 혼색 발생을 방지할 수 있는 표시장치와 그의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 복수의 컬러필터들, 복수의 컬러필터들을 덮는 무기막, 및 복수의 컬러필터들 사이에서 무기막 상에 배치된 블랙 매트릭스를 구비한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치는 소정의 간격으로 떨어져 배치된 제1 및 제3 컬러필터들, 제1 및 제3 컬러필터들을 덮으며, 제1 및 제3 컬러필터들 사이의 공간에 배치된 무기막, 및 제1 및 제3 컬러필터들 사이의 공간에서 무기막 상에 배치되는 제2 컬러필터를 구비한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치는 제1 컬러필터, 제1 컬러필터와 이웃하게 배치된 제2 컬러필터, 및 제1 및 제2 컬러필터들 사이에 배치되며, 반사 금속층으로 이루어진 블랙 매트릭스를 구비한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은 복수의 컬러필터들을 형성하는 단계, 복수의 컬러필터들을 덮는 무기막을 형성하는 단계, 무기막을 덮도록 블랙 매트릭스층을 형성하는 단계, 및 블랙 매트릭스층을 식각하여 복수의 컬러필터들 사이에서 무기막 상에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스를 제1 내지 제3 컬러필터들과 투명 유기막 사이에 형성하기 때문에, 블랙 매트릭스가 발광부들에 중첩되게 형성될 가능성이 작으며, 제1 내지 제3 컬러필터들이 서로 중첩되어 형성될 가능성이 작다. 따라서, 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스와 컬러필터의 공정 오차에 따른 발광부의 개구율 저하 및 혼색 발생을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스를 제1 내지 제3 컬러필터들과 투명 유기막 사이에 형성하기 때문에, 블랙 매트릭스를 제1 내지 제3 컬러필터들과 투명 유기막 상의 무기막과 평탄하게 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스와 무기막 상에 컬러필터들의 단차를 평탄화하기 위한 오버코트층(overcoat layer)을 형성할 필요 없다.
또한, 본 발명의 실시예는 제1 및 제3 컬러필터들을 제2 컬러필터들 사이에 형성하기 때문에, 블랙 매트릭스 없이도 제1 내지 제3 컬러필터들을 구획할 수 있으며, 제1 내지 제3 컬러필터들이 서로 중첩되게 형성될 가능성이 작다. 따라서, 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스와 컬러필터의 공정 오차에 따른 발광부의 개구율 저하 및 혼색 발생을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예는 제1 및 제3 컬러필터들을 제2 컬러필터들 사이에 형성하기 때문에, 제1 및 제3 컬러필터들을 제2 컬러필터들 상의 무기막과 평탄하게 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 제1 및 제3 컬러필터들과 무기막 상에 컬러필터들의 단차를 평탄화하기 위한 오버코트층(overcoat layer)을 형성할 필요 없다.
또한, 본 발명의 실시예는 제1 내지 제3 컬러필터들 및 투명 유기막이 산란 입자를 포함함으로써, 발광부들의 광을 확산하여 출력할 수 있다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스가 격자 형태로 시인되는 것을 방지할 수 있다.
나아가, 본 발명의 실시예는 컬러필터들 사이의 블랙 매트릭스를 반사 금속층으로 형성함으로써, 블랙 매트릭스로 진행하는 광을 전반사하여 출광시킬 수 있으므로, 블랙 매트릭스를 광 흡수 물질로 형성할 때에 비해 광 효율을 개선할 수 있다.
도 1a 내지 도 1c는 블랙 매트릭스, 컬러필터, 및 뱅크의 설계 오차에 따른 개구율 저하 및 혼색 발생을 보여주는 예시도면들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 제1 기판, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.
도 4는 표시영역의 화소들의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 4의 I-I'의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이다.
도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 I-I'의 단면도들이다.
도 8은 도 4의 I-I'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 4의 I-I'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 10a 내지 도 10c는 산란 입자를 포함하는 컬러필터가 구비된 다른 구조들을 보여주는 단면도들이다.
도 11은 표시영역의 화소들의 다른 예를 보여주는 평면도이다.
도 12는 도 11의 II-II'의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이다.
도 14a 내지 도 14f는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 II-II'의 단면도들이다.
도 15는 도 11의 II-II'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 16은 도 11의 II-II'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이다.
도 18a 내지 도 18h는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 II-II'의 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 발명의 여러 실시 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다. 도 3은 도 2의 제1 기판, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치가 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display)인 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 유기발광표시장치뿐만 아니라, 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 및 전기영동 표시장치(Electrophoresis display) 중 어느 하나로 구현될 수도 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 표시패널(110), 게이트 구동부(120), 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)(130), 연성필름(140), 회로보드(150), 및 타이밍 제어부(160)를 포함한다.
표시패널(110)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 포함한다. 제2 기판(112)은 봉지 기판일 수 있다. 제1 기판(111)은 플라스틱 필름(plastic film) 또는 유리 기판(glass substrate)일 수 있다. 제2 기판(112)은 플라스틱 필름, 유리 기판, 또는 봉지 필름일 수 있다.
제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 형성된다. 화소들은 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의되는 영역에 마련된다.
화소들 각각은 박막 트랜지스터와 제1 전극, 유기발광층, 및 제2 전극을 구비하는 유기발광소자를 포함할 수 있다. 화소들 각각은 박막 트랜지스터를 이용하여 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 유기발광소자에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인해, 화소들 각각의 유기발광소자는 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다. 화소들 각각의 구조에 대한 설명은 도 4, 도 5, 도 8, 도 9, 도 11, 도 12, 도 15, 및 도 16을 결부하여 후술한다.
표시패널(110)은 도 3과 같이 화소들이 형성되어 화상을 표시하는 표시영역(DA)과 화상을 표시하지 않는 비표시영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시영역(DA)에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 형성될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 게이트 구동부(120)와 패드들이 형성될 수 있다.
게이트 구동부(120)는 타이밍 제어부(160)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인들에 게이트 신호들을 공급한다. 게이트 구동부(120)는 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시영역(DA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. 또는, 게이트 구동부(120)는 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시영역(DA)에 부착될 수도 있다.
소스 드라이브 IC(130)는 타이밍 제어부(160)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 소스 드라이브 IC(130)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(130)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(140)에 실장될 수 있다.
표시패널(110)의 비표시영역(NDA)에는 데이터 패드들과 같은 패드들이 형성될 수 있다. 연성필름(140)에는 패드들과 소스 드라이브 IC(130)를 연결하는 배선들, 패드들과 회로보드(150)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성필름(140)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 패드들과 연성필름(140)의 배선들이 연결될 수 있다.
회로보드(150)는 연성필름(140)들에 부착될 수 있다. 회로보드(150)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(150)에는 타이밍 제어부(160)가 실장될 수 있다. 회로보드(150)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.
타이밍 제어부(160)는 회로보드(150)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 제어부(60)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 IC(130)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(160)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부(120)에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 IC(130)들에 공급한다.
도 4는 표시영역의 화소들의 일 예를 보여주는 평면도이다. 도 4에서는 설명의 편의를 위해 화소들의 발광부들(RE, GE, BE, WE), 컬러필터들(RF, GF, BF), 투명 유기막(WF), 및 블랙 매트릭스(BM)만을 도시하였다.
도 4를 참조하면, 발광부들(RE, GE, BE, WE) 각각은 애노드 전극에 해당하는 제1 전극, 유기발광층, 및 캐소드 전극에 해당하는 제2 전극이 순차적으로 적층되어 제1 전극으로부터의 정공과 제2 전극으로부터의 전자가 유기발광층에서 서로 결합되어 발광하는 영역을 나타낸다.
발광부들(RE, GE, BE, WE)의 유기발광층은 발광부들(RE, GE, BE, WE)에 공통층으로 형성되어 백색 광을 발광한다. 제1 컬러필터(RF)는 적색 발광부(RE)에 대응되게 배치되며, 제2 컬러필터(GF)는 녹색 발광부(GE)에 대응되게 배치되고, 제3 컬러필터(BF)는 청색 발광부(BE)에 대응되게 배치될 수 있다. 또한, 투명 유기막(WF)은 백색 발광부(WE)에 대응되게 배치될 수 있다. 이로 인해, 적색 발광부(RE)는 제1 컬러필터(RF)에 의해 적색 광을 발광하고, 녹색 발광부(GE)는 제2 컬러필터(GF)에 의해 녹색 광을 발광하며, 청색 발광부(BE)는 제3 컬러필터(CF)에 의해 청색 광을 발광할 수 있다. 또한, 백색 발광부(WE)는 컬러필터가 없이 투명 유기막(WF)에 중첩되므로, 백색 광을 발광할 수 있다.
도 4에서 적색 발광부(RE)를 포함하는 적색 서브 화소, 녹색 발광부(GE)를 포함하는 녹색 서브 화소, 청색 발광부(BE)를 포함하는 청색 서브 화소, 및 백색 발광부(WE)를 포함하는 백색 서브 화소는 하나의 단위 화소로 정의될 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않으며, 백색 서브 화소가 생략될 수 있다. 이 경우, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 및 청색 서브 화소가 하나의 단위 화소로 정의될 수 있다.
블랙 매트릭스(BM)는 컬러필터들(RF, GF, BF)과 투명 유기막(WF)을 구획한다. 이를 위해, 블랙 매트릭스(BM)는 컬러필터들(RF, GF, BF)과 투명 유기막(WF) 사이에 배치될 수 있다.
도 5는 도 4의 I-I'의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 버퍼막이 형성된다. 버퍼막은 투습에 취약한 제1 기판(111)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터(220)들과 유기발광소자(260)들을 보호하기 위해 제1 기판(111)의 일면 상에 형성된다. 버퍼막은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼막은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), SiON 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 버퍼막은 생략될 수 있다.
버퍼막 상에는 박막 트랜지스터(210)가 형성된다. 박막 트랜지스터(210)는 액티브층(211), 게이트전극(212), 소스전극(213) 및 드레인전극(214)을 포함한다. 도 5에서는 박막 트랜지스터(210)가 게이트전극(212)이 액티브층(211)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 박막 트랜지스터(210)들은 게이트전극(212)이 액티브층(211)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 방식 또는 게이트전극(212)이 액티브층(211)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 방식으로 형성될 수 있다.
버퍼막 상에는 액티브층(211)이 형성된다. 액티브층(211)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 버퍼막과 액티브층(211) 사이에는 액티브층(211)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 형성될 수 있다.
액티브층(211) 상에는 게이트 절연막(220)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(220)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(220) 상에는 게이트전극(212)과 게이트 라인이 형성될 수 있다. 게이트전극(212)과 게이트 라인은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
게이트전극(212)과 게이트 라인 상에는 층간 절연막(230)이 형성될 수 있다. 층간 절연막(230)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(230) 상에는 소스전극(213), 드레인전극(214), 및 데이터 라인이 형성될 수 있다. 소스전극(213)과 드레인 전극(214) 각각은 게이트 절연막(220)과 층간 절연막(230)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층(211)에 접속될 수 있다. 소스전극(213), 드레인전극(214), 및 데이터 라인은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
소스전극(223), 드레인전극(224), 및 데이터 라인 상에는 박막 트랜지스터(220)를 절연하기 위한 보호막(240)이 형성될 수 있다. 보호막(240)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
보호막(240) 상에는 박막 트랜지스터(210)로 인한 단차를 평탄하게 하기 위한 평탄화막(250)이 형성될 수 있다. 평탄화막(250)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
평탄화막(250) 상에는 유기발광소자(260)와 뱅크(270)이 형성된다. 유기발광소자(260)는 제1 전극(261), 유기발광층(262), 및 제2 전극(263)을 포함한다. 제1 전극(261)은 애노드 전극이고, 제2 전극(263)은 캐소드 전극일 수 있다.
제1 전극(261)은 평탄화막(250) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(261)은 보호막(240)과 평탄화막(250)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(210)의 소스전극(223)에 접속된다. 제1 전극(261)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.
뱅크(270)은 발광부들(RE, GE, BE, WE)을 구획하기 위해 평탄화막(250) 상에서 제1 전극(261)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다. 즉, 뱅크(270)는 발광부를 정의하는 역할을 한다. 또한, 뱅크(270)가 형성된 영역은 광을 발광하지 않으므로 비발광부로 정의될 수 있다. 뱅크(270)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
제1 전극(261)과 뱅크(270) 상에는 유기발광층(262)이 형성된다. 유기발광층(262)은 발광부들(RE, GE, BE, WE)에 공통적으로 형성되는 공통층이며, 백색 광을 발광하는 백색 발광층일 수 있다. 이 경우, 유기발광층(262)은 2 스택(stack) 이상의 탠덤 구조로 형성될 수 있다. 스택들 각각은 정공 수송층(hole transporting layer), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다.
또한, 스택들 사이에는 전하 생성층이 형성될 수 있다. 전하 생성층은 하부 스택과 인접하게 위치하는 n형 전하 생성층과 n형 전하 생성층 상에 형성되어 상부 스택과 인접하게 위치하는 p형 전하 생성층을 포함할 수 있다. n형 전하 생성층은 하부 스택으로 전자(electron)를 주입해주고, p형 전하 생성층은 상부 스택으로 정공(hole)을 주입해준다. n형 전하 생성층은 Li, Na, K, 또는 Cs와 같은 알칼리 금속, 또는 Mg, Sr, Ba, 또는 Ra와 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있다. p형 전하 생성층은 정공수송능력이 있는 유기물질에 도펀트가 도핑되어 이루어질 수 있다.
제2 전극(263)은 유기발광층(262) 상에 형성된다. 제2 전극(263)은 발광부들(RE, GE, BE, WE)에 공통적으로 형성되는 공통층이다. 제2 전극(263)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(263) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.
제2 전극(263) 상에는 봉지막(280)이 형성된다. 봉지막(280)은 유기발광층(262)과 제2 전극(263)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지막(280)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.
예를 들어, 봉지막(290)은 제1 무기막(281), 유기막(282), 및 제2 무기막(283)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기막(281)은 제2 전극(263)을 덮도록 형성된다. 유기막(282)은 제1 무기막(281)을 덮도록 형성된다. 유기막(282)은 이물들(particles)이 제1 무기막(281)을 뚫고 유기발광층(262)과 제2 전극(263)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 제2 무기막(283)은 유기막(282)을 덮도록 형성된다.
제1 및 제2 무기막들(281, 283) 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 유기막(282)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다.
봉지막(290) 상에는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294)이 배치된다. 봉지막(290) 상에 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)을 직접 형성하는 경우, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착시 정렬할 필요가 없으며, 별도의 접착층이 필요 없다. 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294)은 소정의 간격으로 떨어져 배치될 수 있다.
제1 컬러필터(291)는 도 5에서 적색 발광부(RE)에 대응되게 배치되는 적색 컬러필터이며, 제2 컬러필터(292)는 녹색 발광부(GE)에 대응되게 배치되는 녹색 컬러필터이고, 제3 컬러필터(293)는 청색 발광부(BE)에 대응되게 배치되는 청색 컬러필터일 수 있다. 투명 유기막(294)은 백색 발광부(WE)에 대응되게 배치될 수 있다.
제1 컬러필터(291)는 적색 안료를 포함하는 유기막으로 형성되고, 제2 컬러필터(292)는 녹색 안료를 포함하는 유기막으로 형성되며, 제3 컬러필터(293)는 청색 안료를 포함하는 유기막으로 형성될 수 있다. 투명 유기막(294)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다.
제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 상에는 무기막(310)이 형성된다. 즉, 무기막(310)은 도 5와 같이 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 투명 유기막(294), 및 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 사이의 공간을 덮도록 형성된다. 무기막(310)은 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성되거나, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄 산화막(Al2O3) 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
블랙 매트릭스(300)는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 사이에서 무기막(310) 상에 형성될 수 있다. 블랙 매트릭스(300)는 블랙 안료를 포함하는 유기막으로 형성될 수 있다.
블랙 매트릭스(BM)는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 사이에 채워질 수 있다. 블랙 매트릭스(300)는 건식 식각으로 형성되므로, 블랙 매트릭스(300)의 두께(D1)는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293) 각각의 두께(D2)보다 얇을 수 있다. 블랙 매트릭스(300)는 발광부(EA)가 아닌 비발광부에 형성되므로, 뱅크(270)와 중첩되게 배치될 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 블랙 매트릭스(BM)를 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 사이에 형성하므로, 블랙 매트릭스(BM)의 공정 오차는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294)의 공정 오차에 의해 결정된다. 즉, 종래에는 블랙 매트릭스와 컬러필터 형성시 블랙 매트릭스의 공정 오차와 컬러필터의 공정 오차 모두를 고려했어야 하였지만, 본 발명의 실시예는 컬러필터에 의해 블랙 매트릭스의 형성 위치가 결정되므로, 컬러필터의 공정 오차만을 고려하면 된다.
또한, 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스(BM)를 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 사이에 형성하기 때문에, 블랙 매트릭스(BM)가 발광부들(RE, GE, BE, WE)에 중첩되게 형성될 가능성이 작다. 따라서, 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스와 컬러필터의 공정 오차에 따른 발광부의 개구율 저하를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293) 사이에 블랙 매트릭스(BM)가 채워질 공간이 필요하므로, 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)이 서로 중첩되어 형성될 가능성이 작다. 따라서, 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스와 컬러필터의 공정 오차에 따른 혼색 발생을 방지할 수 있다.
나아가, 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스(BM)를 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 사이에 형성하기 때문에, 블랙 매트릭스(300)를 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 상의 무기막(310)과 평탄하게 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스(300)와 무기막(310) 상에 컬러필터들의 단차를 평탄화하기 위한 오버코트층(overcoat layer)을 형성할 필요 없다.
제2 기판(112)은 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)과 무기막(310) 상에 부착될 수 있다. 제2 기판(112)은 봉지 필름(encapsulation film)일 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이다. 도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 I-I'의 단면도들이다.
도 7a 내지 도 7g에 도시된 단면도들은 전술한 도 6에 도시된 표시장치의 제조방법에 관한 것이므로, 동일한 구성에 대해 동일한 도면부호를 부여하였다. 이하에서는 도 6 및 도 7a 내지 도 7g를 결부하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 상세히 설명한다.
첫 번째로, 도 7a와 같이 박막 트랜지스터(210), 유기발광소자(260), 및 봉지막(270)을 형성한다.
구체적으로, 박막 트랜지스터를 형성하기 전에 기판(100)을 통해 침투하는 수분으로부터 제1 기판(111) 상에 버퍼막을 형성할 수 있다. 버퍼막은 투습에 취약한 제1 기판(111)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터(210)와 유기발광소자(260)를 보호하기 위한 것으로, 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼막은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), SiON 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 버퍼막은 CVD법(Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 형성될 수 있다.
그리고 나서, 버퍼막 상에 박막 트랜지스터의 액티브층(211)을 형성한다. 구체적으로, 스퍼터링법(Sputtering) 또는 MOCVD법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 등을 이용하여 버퍼막 상의 전면에 액티브 금속층을 형성한다. 그리고 나서, 포토 레지스트 패턴을 이용한 마스크 공정으로 액티브 금속층을 패터닝하여 액티브층(211)을 형성한다. 액티브층(211)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 액티브층(211) 상에 게이트 절연막(220)을 형성한다. 게이트 절연막(220)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 게이트 절연막(220) 상에 박막 트랜지스터(210)의 게이트 전극(212)을 형성한다. 구체적으로, 스퍼터링법 또는 MOCVD법 등을 이용하여 게이트 절연막(220) 상의 전면(全面)에 제1 금속층을 형성한다. 그 다음, 포토 레지스트 패턴을 이용한 마스크 공정으로 제1 금속층을 패터닝하여 게이트 전극(212)을 형성한다. 게이트 전극(212)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 게이트 전극(212) 상에 층간 절연막(230)을 형성한다. 층간 절연막(230)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 게이트 절연막(220)과 층간 절연막(230)을 관통하여 액티브층(211)을 노출시키는 콘택홀들을 형성한다.
그리고 나서, 층간 절연막(230) 상에 박막 트랜지스터(210)의 소스 및 드레인전극들(213, 214)을 형성한다. 구체적으로, 스퍼터링법 또는 MOCVD법 등을 이용하여 층간 절연막(230) 상의 전면에 제2 금속층을 형성한다. 그 다음, 포토 레지스트 패턴을 이용한 마스크 공정으로 제2 금속층을 패터닝하여 소스 및 드레인전극들(213, 214)을 형성한다. 소스 및 드레인전극들(213, 214) 각각은 게이트 절연막(220)과 층간 절연막(230)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층(211)에 접속될 수 있다. 소스 및 드레인전극들(213, 214)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 박막 트랜지스터(210)의 소스 및 드레인전극들(213, 214) 상에 보호막(240)을 형성한다. 보호막(240)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 보호막(240)은 CVD법을 이용하여 형성될 수 있다.
그리고 나서, 보호막(240) 상에 박막 트랜지스터(210)로 인한 단차를 평탄화하기 위한 평탄화막(250)을 형성한다. 평탄화막(250)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 평탄화막(250) 상에 유기발광소자(260)의 제1 전극(261)을 형성한다. 구체적으로, 스퍼터링법 또는 MOCVD법 등을 이용하여 평탄화막(280) 상의 전면에 제3 금속층을 형성한다. 그리고 나서, 포토 레지스트 패턴을 이용한 마스크 공정으로 제3 금속층을 패터닝하여 제1 전극(261)을 형성한다. 제1 전극(261)은 보호막(240)과 평탄화막(250)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(220)의 소스전극(223)에 접속될 수 있다. 제1 전극(261)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 발광부들(RE, GE, BE, WE)을 구획하기 위해 평탄화막(250) 상에서 제1 전극(261)의 가장자리를 덮도록 뱅크(270)를 형성한다. 뱅크(270)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 제1 전극(261)과 뱅크(270) 상에 유기발광층(262)을 증착 공정 또는 용액 공정으로 형성한다. 유기발광층(262)은 발광부들(RE, GE, BE, WE)에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 이 경우, 유기발광층(262)은 백색 광을 발광하는 백색 발광층으로 형성될 수 있다.
유기발광층(262)이 백색 발광층인 경우, 2 스택(stack) 이상의 탠덤 구조로 형성될 수 있다. 스택들 각각은 정공 수송층(hole transporting layer), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다.
또한, 스택들 사이에는 전하 생성층이 형성될 수 있다. 전하 생성층은 하부 스택과 인접하게 위치하는 n형 전하 생성층과 n형 전하 생성층 상에 형성되어 상부 스택과 인접하게 위치하는 p형 전하 생성층을 포함할 수 있다. n형 전하 생성층은 하부 스택으로 전자(electron)를 주입해주고, p형 전하 생성층은 상부 스택으로 정공(hole)을 주입해준다. n형 전하 생성층은 Li, Na, K, 또는 Cs와 같은 알칼리 금속, 또는 Mg, Sr, Ba, 또는 Ra와 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있다. p형 전하 생성층은 정공수송능력이 있는 유기물질에 도펀트가 도핑되어 이루어질 수 있다.
그리고 나서, 유기발광층(262) 상에 제2 전극(263)을 형성한다. 제2 전극(263)은 발광부들(RE, GE, BE, WE)에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 제2 전극(263)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(263)은 스퍼터링법과 같은 물리적 기상 증착법(physics vapor deposition)으로 형성될 수 있다. 제2 전극(263) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.
그리고 나서, 제2 전극(263) 상에 봉지막(280)을 형성한다. 봉지막(280)은 유기발광층(262)과 제2 전극(263)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지막(280)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.
예를 들어, 봉지막(280)은 제1 무기막(281), 유기막(282) 및 제2 무기막(283)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기막(281)은 제2 전극(263)을 덮도록 형성된다. 유기막(282)은 제1 무기막을 덮도록 형성된다. 유기막(282)은 이물들(particles)이 제1 무기막을 뚫고 유기발광층(262)과 제2 전극(263)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 제2 무기막(283)은 유기막을 덮도록 형성된다.
제1 및 제2 무기막들(281, 283) 각각은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 유기막(282)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다. (도 6의 S101)
두 번째로, 도 7b와 같이 봉지막(280) 상에 적색 발광부(RE)에 대응되도록 제1 컬러필터(291)를 형성하고, 녹색 발광부(GE)에 대응되도록 제2 컬러필터(292)를 형성하며, 청색 발광부(BE)에 대응되도록 제3 컬러필터(293)를 형성한다. 제1 컬러필터(291)는 적색 컬러필터이고, 제2 컬러필터(292)는 녹색 컬러필터이며, 제3 컬러필터(293)는 청색 컬러필터일 수 있다.
구체적으로, 봉지막(280) 상에 적색 안료를 포함하는 유기물질을 도포하고, 포토 공정을 수행하여 적색 발광부(RE)에 제1 컬러필터(291)를 형성한다. 그리고 나서, 봉지막(280) 상에 녹색 안료를 포함하는 유기물질을 도포하고, 포토 공정을 수행하여 녹색 발광부(GE)에 제2 컬러필터(292)를 형성한다. 그리고 나서, 봉지막(280) 상에 청색 안료를 포함하는 유기물질을 도포하고, 포토 공정을 수행하여 청색 발광부(BE)에 제3 컬러필터(293)를 형성한다.
위에서는 적색, 녹색, 및 청색 컬러필터의 순서로 형성되는 것을 예시하였지만, 컬러필터의 형성 순서는 이에 한정되지 않는다. (도 6의 S102)
세 번째로, 도 7c와 같이 봉지막(280) 상에 백색 발광부(WE)에 대응되도록 투명 유기막(294)을 형성한다.
구체적으로, 봉지막(280) 상에 투명한 유기물질을 도포하고, 포토 공정을 수행하여 백색 발광부(WE)에 투명 유기막(294)을 형성한다. 투명 유기막(294)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다.
한편, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 및 청색 서브 화소가 하나의 단위 화소로 정의되는 경우, 백색 서브 화소는 생략될 수 있다. 이 경우, 투명 유기막(294)을 형성하는 S103 단계는 생략될 수 있다. 또한, S102 및 S103 단계들에서는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)을 형성한 후 투명 유기막(294)을 형성하는 것을 예시하였지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 투명 유기막(294)을 형성한 후 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)을 형성할 수도 있다. 또는, 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293) 중 일부 컬러필터를 형성하고, 투명 유기막(294)을 형성한 후 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)의 나머지 컬러필터를 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 컬러필터(291)를 형성하고, 투명 유기막(294)을 형성한 후, 제2 및 제3 컬러필터들(292, 293)을 순차적으로 형성할 수 있다. (도 6의 S103)
네 번째로, 도 7d와 같이 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 상에 무기막(310)을 형성한다.
무기막(310)은 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 투명 유기막(294), 및 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 사이의 공간을 덮도록 형성된다. 무기막(310)은 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성되거나, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 무기막(310)이 투명한 금속물질로 형성되는 경우, 스퍼터링법으로 형성될 수 있다. 무기막(310)이 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성되는 경우, CVD법으로 형성될 수 있다. (도 6의 S104)
다섯 번째로, 도 7e와 같이 무기막(310)을 덮도록 블랙 매트릭스층(301)을 형성한다. 블랙 매트릭스층(301)은 블랙 안료를 포함한 유기물질일 수 있다. (도 6의 S105)
여섯 번째로, 도 7f와 같이 마스크 없이 건식 식각(dry etch)을 이용하여 블랙 매트릭스층(301)을 식각하여 블랙 매트릭스(300)를 형성한다.
건식 식각에 이용되는 물질은 산소(O2)와 사불화탄소(CF4)의 혼합 가스일 수 있다. 예를 들어, 산소(O2)와 사불화탄소(CF4)의 중량비(wt%)는 60:150일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 산소(O2)와 사불화탄소(CF4)의 혼합 가스를 이용하여 유기막과 무기막을 건식 식각하는 경우, 유기막과 무기막의 식각비율은 대략 100:1 내지 10:1일 수 있다. 예를 들어, 무기막(310)이 투명한 금속물질(TCO)로 형성되는 경우, 유기막과 무기막의 식각비율은 대략 100:1일 수 있다. 무기막(310)이 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성되는 경우, 유기막과 무기막의 식각비율은 대략 10:1일 수 있다.
따라서, 마스크 없이 블랙 매트릭스층(301)을 건식 식각하더라도, 유기물질에 해당하는 블랙 매트릭스층(301)이 주로 식각되며, 무기막(310)은 거의 식각되지 않는다. 즉, 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294)은 무기막(310)에 의해 식각되지 않고 보호될 수 있다.
또한, 건식 식각 시간을 조정함으로써, 블랙 매트릭스(300)가 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 상의 무기막(310)과 평탄하게 형성될 수 있다. 건식 식각 시간이 짧은 경우, 무기막(310) 상에 블랙 매트릭스(300)가 잔존할 수 있으므로, 발광부들(RE, GE, BE, WE)로부터의 광이 블랙 매트릭스(300)에 의해 차단될 수 있다. 또한, 건식 식각 시간이 긴 경우, 블랙 매트릭스(300)의 두께가 얇아지므로, 블랙 매트릭스(300)의 차광율이 낮아질 수 있다. 즉, 블랙 매트릭스(300)가 제대로 역할을 하지 못할 수 있다. 적절한 건식 시간 시간은 사전 실험을 통해 미리 결정될 수 있다.
또한, 블랙 매트릭스(300)는 무기막(310)에 의해 보호되지 못하는 반면, 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294)은 무기막(310)에 의해 보호되므로, 건식 식각 시간을 조정하더라도, 블랙 매트릭스(300)의 두께(D1)는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293) 각각의 두께(D2)보다 얇을 수 있다.
또한, 블랙 매트릭스(300)는 마스크를 필요로 하는 포토 공정으로 형성되지 않고, 마스크 없이 건식 식각에 의해 형성될 수 있으므로, 제조 비용 및 제조 시간을 절감할 수 있다.
또한, 블랙 매트릭스(300)는 포토 공정으로 형성되지 않으므로, 광 개시제를 포함하지 않을 수 있다.
또한, 블랙 매트릭스(300)는 발광부(EA)가 아닌 비발광부에 형성되므로, 뱅크(270)와 중첩되게 배치될 수 있다.
나아가, 블랙 매트릭스(300)는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 사이의 공간을 채우기 때문에, 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)과 투명 유기막(294) 상의 무기막(310)과 평탄하게 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 도 7g와 같이 블랙 매트릭스(300)와 무기막(310) 상에 오버코트층(overcoat layer)을 형성할 필요 없이 제2 기판(112)을 부착할 수 있다. 제2 기판(112)은 봉지 필름(encapsulation film)일 수 있다. (도 6의 S106)
한편, 도 7a 내지 도 7e에 도시된 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 투명 유기막(294), 무기막(310), 및 블랙 매트릭스(300)를 형성하는 공정은 유기발광소자(260)를 덮는 봉지막(280) 상에 형성되는 공정이므로, 유기발광소자(260)가 손상되는 것을 방지하기 위해 100℃ 이하의 저온 공정일 수 있다.
한편, 도 6 및 도 7a 내지 도 7g에서는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 및 무기막(310)이 봉지막(280) 상에 형성된 것을 중심으로 설명하였다. 하지만, 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 및 무기막(310)은 도 6 및 도 7a 내지 도 7g에서 설명한 바와 실질적으로 동일하게 제2 기판(112) 상에 형성될 수도 있다. 이 경우, 접착층(320)을 이용하여 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착하는 공정이 추가될 수 있다.
도 8은 도 4의 I-I'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다. 도 8에 도시된 단면도는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 투명 유기막(294), 블랙 매트릭스(300), 및 무기막(310)이 봉지막(280)이 아닌 제2 기판(112) 상에 형성되며, 접착층(320)을 이용하여 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착한 것을 제외하고는 도 5를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다.
또한, 도 8에서는 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착하기 위한 접착층(320)이 필요하다. 접착층(320)은 투명한 접착 필름 또는 투명한 접착 레진일 수 있다. 나아가, 도 8에서는 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착시 블랙 매트릭스(300)가 뱅크(270)와 중첩되도록 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 정렬할 필요가 있다.
또한, 제2 기판(112) 상에 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 투명 유기막(294), 블랙 매트릭스(300), 및 무기막(310)을 형성하는 공정은 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 투명 유기막(294), 블랙 매트릭스(300), 및 무기막(310)을 봉지막(280)이 아닌 제2 기판(112) 상에 형성하는 것을 제외하고는 도 16의 S102 내지 S106 단계들과 실질적으로 동일하다.
도 9는 도 4의 I-I'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 9에 도시된 단면도는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293) 및 투명 유기막(294)이 산란 입자(330)를 포함하는 것을 제외하고는 도 5를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다.
산란 입자(330)는 이산화 타이타늄(TiO2) 또는 이산화 규소(SiO2)일 수 있다. 산란 입자(330)의 크기는 0.05㎛ 내지 1㎛일 수 있다. 산란 입자(330)의 크기가 클수록 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293) 및 투명 유기막(294) 각각의 투과도가 낮아지나 산란도는 높아질 수 있다. 따라서, 산란 입자(330)의 크기는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293) 및 투명 유기막(294) 각각의 투과도와 산란도를 고려하여 미리 결정될 수 있다.
한편, 헤드 장착형 디스플레이(Head Mounted Display, HMD)는 안경이나 헬멧 형태로 착용하여 사용자의 눈앞 가까운 거리에 초점이 형성되는 가상현실(Virtual Reality, VR) 또는 증강현실(Augmented Reality)의 안경형 모니터 장치로서, 고해상도의 소형 유기발광 표시장치가 적용된다. 본 발명의 실시예는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293) 및 투명 유기막(294)이 산란 입자(330)를 포함함으로써, 발광부들(RE, GE, BE, WE)의 광을 확산하여 출력할 수 있다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 유기발광 표시장치가 헤드 장착형 디스플레이에 적용되는 경우 블랙 매트릭스가 격자 형태로 시인되는 것을 방지할 수 있다.
도 10a 내지 도 10c는 산란 입자를 포함하는 컬러필터가 구비된 다른 구조들을 보여주는 단면도들이다.
도 10a에는 블랙 매트릭스(300) 상에 컬러필터들(291, 292, 293)을 배치한 구조가 도시되어 있다. 도 10a를 참조하면, 적색 발광부(RE)의 유기발광층(262)으로부터 발광된 광(L)은 제1 컬러필터(291)의 산란 입자(330)에 의해 산란되어 제2 컬러필터(292)로 진행하고, 제2 컬러필터(292)의 산란 입자(330)에 의해 산란되어 제2 컬러필터(292) 상부로 출광될 수 있다. 즉, 어느 한 발광부의 유기발광층(262)의 광이 그에 인접한 발광부의 컬러필터로 진행함으로써 혼색이 발생할 수 있다.
도 10b에는 컬러필터들(291, 292, 293) 상에 산란 입자(330)를 포함하는 산란층(340)을 배치한 구조가 도시되어 있다. 도 10b를 참조하면, 적색 발광부(RE)의 유기발광층(262)으로부터 발광된 광(L)은 제1 컬러필터(291)를 통과하여 산란층(340)의 산란 입자(330)에 의해 산란되어 녹색 발광부(GE)로 진행하고, 녹색 발광부(GE)에서 산란 입자(330)에 의해 산란되어 출광될 수 있다. 즉, 어느 한 발광부의 유기발광층(262)의 광이 인접한 발광부로 진행하므로, 블루어(blur)가 발생 수 있으며, 이로 인해 화상의 시인성 및 선명도가 낮아질 수 있다.
도 10c에는 봉지막(280) 상에 산란 입자(330)를 포함하는 산란층(340)을 배치하고, 산란층(340) 상에 블랙 매트릭스(300)와 컬러필터들(291, 292, 293)을 배치한 구조가 도시되어 있다. 도 10c를 참조하면, 적색 발광부(RE)의 유기발광층(262)으로부터 발광된 광(L)은 산란층(340)의 산란 입자(330)에 의해 산란되어 녹색 발광부(GE)로 진행하고, 녹색 발광부(GE)에서 산란 입자(330)에 의해 산란되어 제2 컬러필터(292)를 통과할 수 있다. 즉, 어느 한 발광부의 유기발광층(262)의 광이 그에 인접한 발광부의 컬러필터로 진행함으로써 혼색이 발생할 수 있다.
이에 비해, 본 발명의 실시예는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293) 및 투명 유기막(294) 사이에 블랙 매트릭스(300)가 배치되므로, 도 9와 같이 어느 한 발광부(RE)의 유기발광소자(260)의 광이 어느 한 컬러필터(291)의 산란 입자(330)에 의해 산란되어 그에 인접한 발광부의 컬러필터로 진행하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예는 혼색 및 블루어(blur)가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 11은 표시영역의 화소들의 다른 예를 보여주는 평면도이다. 도 11에서는 설명의 편의를 위해 화소들의 발광부들(RE, GE, BE), 컬러필터들(RF, GF, BF)만을 도시하였다.
도 11을 참조하면, 발광부들(RE, GE, BE) 각각은 애노드 전극에 해당하는 제1 전극, 유기발광층, 및 캐소드 전극에 해당하는 제2 전극이 순차적으로 적층되어 제1 전극으로부터의 정공과 제2 전극으로부터의 전자가 유기발광층에서 서로 결합되어 발광하는 영역을 나타낸다.
발광부들(RE, GE, BE)의 유기발광층은 발광부들(RE, GE, BE)에 공통층으로 형성되어 백색 광을 발광한다. 제1 컬러필터(RF)는 적색 발광부(RE)에 대응되게 배치되며, 제2 컬러필터(GF)는 녹색 발광부(GE)에 대응되게 배치되고, 제3 컬러필터(BF)는 청색 발광부(BE)에 대응되게 배치될 수 있다. 이로 인해, 적색 발광부(RE)는 제1 컬러필터(RF)에 의해 적색 광을 발광하고, 녹색 발광부(GE)는 제2 컬러필터(GF)에 의해 녹색 광을 발광하며, 청색 발광부(BE)는 제3 컬러필터(BF)에 의해 청색 광을 발광할 수 있다. 적색 서브 화소는 적색 발광부(RE)를 포함하고, 녹색 서브 화소는 녹색 발광부(GE)를 포함하며, 청색 서브 화소는 청색 발광부(BE)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예는 어느 한 컬러필터들 사이에 다른 컬러필터들을 형성한다. 예를 들어, 도 11와 같이 제k(k는 양의 정수) 행에서는 녹색 서브 화소들 사이에 적색 서브 화소가 배치되고, 제k+1 행에서는 녹색 서브 화소들 사이에 청색 서브 화소가 배치될 수 있다. 즉, 제k 행에는 적색 및 녹색 서브 화소들만이 배치되고, 제k+1 행에는 녹색 및 청색 서브 화소들이 배치될 수 있다.
또한, 제k 행의 적색 서브 화소와 제k+1 행의 녹색 서브 화소는 서로 이웃하게 배치되고, 제k 행의 녹색 서브 화소와 제k+1 행의 청색 서브 화소는 서로 이웃하게 배치될 수 있다. 즉, 제k 행의 녹색 서브 화소와 제k+1 녹색 서브 화소는 대각 방향으로 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 이러한 배치로 인하여 하나의 적색 서브 화소, 두 개의 녹색 서브 화소들, 및 하나의 청색 서브 화소가 하나의 단위 화소로 정의될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예는 도 11에 도시된 실시예에 한정되지 않는다. 즉, 제j(j는 양의 정수) 열에는 녹색 서브 화소들 사이에 적색 서브 화소가 배치되고, 제j+1 행에서는 녹색 서브 화소들 사이에 청색 서브 화소가 배치될 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 제2 컬러필터들(292) 사이에 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)을 형성하므로, 도 11과 같이 적색, 녹색, 및 청색 컬러필터들(RF, GF, BF)을 구획하는 블랙 매트릭스가 필요 없이 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)은 서로 구획될 수 있다.
도 12는 도 11의 II-II'의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 12에 도시된 단면도는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 무기막(310), 및 제2 기판(112)을 제외하고는 도 5를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다.
도 12를 참조하면, 봉지막(290) 상에는 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)이 배치된다. 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)은 소정의 간격으로 떨어져 배치될 수 있다.
제1 컬러필터(291)는 적색 발광부(RE)에 대응되게 배치되는 적색 컬러필터이고, 제3 컬러필터(293)는 청색 발광부(BE)에 대응되게 배치되는 청색 컬러필터일 수 있다. 제1 컬러필터(291)는 적색 안료를 포함하는 유기막으로 형성되고, 제3 컬러필터(293)는 청색 안료를 포함하는 유기막으로 형성될 수 있다.
제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 상에는 무기막(310)이 형성된다. 즉, 무기막(310)은 도 12와 같이 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)뿐만 아니라, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 사이의 공간을 덮도록 형성된다. 무기막(310)은 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성되거나, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
제2 컬러필터(292)는 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 사이에서 무기막(310) 상에 형성될 수 있다. 제2 컬러필터(292)는 녹색 발광부(GE)에 대응되게 배치되는 녹색 컬러필터일 수 있다. 제2 컬러필터(292)는 녹색 안료를 포함하는 유기막으로 형성될 수 있다.
제2 컬러필터(292)는 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 사이에 채워질 수 있다. 또한, 제2 컬러필터(292)는 건식 식각으로 형성되므로, 제2 컬러필터(292)의 두께(D3)는 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 각각의 두께(D4)보다 얇을 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 제2 컬러필터(292)를 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 사이에 형성하기 때문에, 블랙 매트릭스(BM) 없이도 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)을 구획할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스와 컬러필터의 공정 오차에 따른 발광부의 개구율 저하를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예는 제2 컬러필터(292)를 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 사이에 형성하기 때문에, 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293)이 서로 중첩되게 형성될 가능성이 작다. 따라서, 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스와 컬러필터의 공정 오차에 따른 혼색 발생을 방지할 수 있다.
나아가, 본 발명의 실시예는 제2 컬러필터(292)를 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 사이에 형성하기 때문에, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)을 제2 컬러필터(292)들 상의 무기막(310)과 평탄하게 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)과 무기막(310) 상에 컬러필터들의 단차를 평탄화하기 위한 오버코트층(overcoat layer)을 형성할 필요 없다.
제2 기판(112)은 제2 컬러필터(292)와 무기막(310) 상에 부착될 수 있다. 제2 기판(112)은 봉지 필름(encapsulation film)일 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이다. 도 14a 내지 도 14f는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 II-II'의 단면도들이다.
도 14a 내지 도 14f에 도시된 단면도들은 전술한 도 12에 도시된 표시장치의 제조방법에 관한 것이므로, 동일한 구성에 대해 동일한 도면부호를 부여하였다. 이하에서는 도 13 및 도 14a 내지 도 14f를 결부하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 상세히 설명한다.
첫 번째로, 도 14a와 같이 박막 트랜지스터(210), 유기발광소자(260), 및 봉지막(270)을 형성한다. 도 13의 S201 단계는 도 6의 S101 단계와 실질적으로 동일하므로, 도 13의 S201 단계에 대한 설명은 생략한다. (도 13의 S201)
두 번째로, 도 14b와 같이 봉지막(280) 상에 적색 발광부(RE)들에 대응되도록 제1 컬러필터(291)를 형성하고, 청색 발광부(BE)들에 대응되도록 제3 컬러필터(293)를 형성한다.
구체적으로, 봉지막(280) 상에 적색 안료를 포함하는 유기물질을 도포하고, 포토 공정을 수행하여 적색 발광부(RE)들에 제1 컬러필터(291)를 형성한다. 제1 컬러필터(291)는 적색 컬러필터(RF)일 수 있다. 또한, 봉지막(280) 상에 청색 안료를 포함하는 유기물질을 도포하고, 포토 공정을 수행하여 청색 발광부(BE)들에 제3 컬러필터(293)를 형성한다. 제3 컬러필터(293)는 청색 컬러필터(BF)일 수 있다. (도 13의 S202)
세 번째로, 도 14c와 같이 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 상에 무기막(310)을 형성한다.
무기막(310)은 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)을 덮으며, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 사이의 공간을 덮도록 형성된다. 무기막(310)은 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성되거나, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 무기막(310)이 투명한 금속물질로 형성되는 경우, 스퍼터링법으로 형성될 수 있다. 무기막(310)이 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성되는 경우, CVD법으로 형성될 수 있다. (도 13의 S203)
네 번째로, 도 14d와 같이 무기막(310)을 덮도록 제2 컬러필터층(292a)을 형성한다. 제2 컬러필터층(292a)은 녹색 안료를 포함한 유기물질일 수 있다. (도 13의 S204)
다섯 번째로, 도 14e와 같이 마스크 없이 건식 식각(dry etch)을 이용하여 제2 컬러필터층(292a)을 식각하여 제2 컬러필터(292)를 형성한다.
건식 식각에 이용되는 물질은 산소(O2)와 사불화탄소(CF4)의 혼합 가스일 수 있다. 예를 들어, 산소(O2)와 사불화탄소(CF4)의 중량비(wt%)는 60:150일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 산소(O2)와 사불화탄소(CF4)의 혼합 가스를 이용하여 유기막과 무기막을 건식 식각하는 경우, 유기막과 무기막의 식각비율은 대략 100:1 내지 10:1일 수 있다. 예를 들어, 무기막(310)이 투명한 금속물질(TCO)로 형성되는 경우, 유기막과 무기막의 식각비율은 대략 100:1일 수 있다. 또한, 무기막(310)이 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성되는 경우, 유기막과 무기막의 식각비율은 대략 10:1일 수 있다.
따라서, 마스크 없이 제2 컬러필터층(292a)을 건식 식각하더라도, 유기물질에 해당하는 제2 컬러필터층(292a)이 주로 식각되며, 무기막(310)은 거의 식각되지 않는다. 즉, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)은 무기막(310)에 의해 식각되지 않고 보호될 수 있다.
또한, 건식 식각 시간을 조정함으로써, 제2 컬러필터층(292a)이 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 상의 무기막(310)과 평탄하게 형성될 수 있다. 건식 식각 시간이 짧은 경우, 무기막(310) 상에 제2 컬러필터(292)가 잔존할 수 있으므로, 혼색이 발생할 수 있다. 또한, 건식 식각 시간이 긴 경우, 제2 컬러필터(292)의 두께가 얇아지므로, 제2 컬러필터(292)가 컬러필터로서 제대로 역할을 하지 못할 수 있다. 적절한 건식 시간 시간은 사전 실험을 통해 미리 결정될 수 있다.
또한, 제2 컬러필터층(292a)은 무기막(310)에 의해 보호되지 못하는 반면, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)은 무기막(310)에 의해 보호되므로, 건식 식각 시간을 조정하더라도, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 각각의 두께는 제2 컬러필터(292)의 두께보다 얇을 수 있다.
또한, 제2 컬러필터층(292a)은 마스크를 필요로 하는 포토 공정으로 형성되지 않고, 마스크 없이 건식 식각에 의해 형성될 수 있으므로, 제조 비용 및 제조 시간을 절감할 수 있다.
또한, 제2 컬러필터층(292a)은 포토 공정으로 형성되지 않으므로, 광 개시제를 포함하지 않을 수 있다.
나아가, 제2 컬러필터(292)는 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 사이에 채워지므로, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 상의 무기막(310)과 평탄하게 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 제2 컬러필터(292)와 무기막(310) 상에 컬러필터들의 단차를 평탄화하기 위한 오버코트층(overcoat layer)을 형성할 필요 없다.
제2 컬러필터(292)와 무기막(310) 상에는 도 14f와 같이 제2 기판(112)이 부착될 수 있다. 제2 기판(112)은 봉지 필름(encapsulation film)일 수 있다. (도 13의 S205)
도 15는 도 11의 II-II'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다. 도 15에 도시된 단면도는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 및 무기막(310)이 봉지막(280)이 아닌 제2 기판(112) 상에 형성되며, 접착층(320)을 이용하여 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착한 것을 제외하고는 도 12를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다.
도 15에서 제2 기판(112)은 유리 기판 또는 플라스틱 필름일 수 있다. 또한, 도 15에서는 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착하기 위한 접착층(320)이 필요하다. 접착층(320)은 투명한 접착 필름 또는 투명한 접착 레진일 수 있다. 나아가, 도 15에서는 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착시 제1 내지 제3 컬러필터(291, 292, 293)들이 적색, 녹색, 및 청색 발광부들(RE, GE, BE)에 대응되도록 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 정렬할 필요가 있다.
또한, 제2 기판(112) 상에 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 및 무기막(310)을 형성하는 공정은 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 및 무기막(310)을 봉지막(280)이 아닌 제2 기판(112) 상에 형성하는 것을 제외하고는 도 13의 S202 내지 S205 단계들과 실질적으로 동일하다.
도 16은 도 11의 II-II'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 16에 도시된 단면도는 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293), 블랙 매트릭스(300), 및 제2 기판(112)을 제외하고는 도 5를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다.
도 16을 참조하면, 봉지막(290) 상에는 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)이 배치된다. 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)은 소정의 간격으로 떨어져 배치될 수 있다.
제1 컬러필터(291)는 적색 발광부(RE)에 대응되게 배치되는 적색 컬러필터이고, 제3 컬러필터(293)는 청색 발광부(BE)에 대응되게 배치되는 청색 컬러필터일 수 있다. 제1 컬러필터(291)는 적색 안료를 포함하는 유기막으로 형성되고, 제3 컬러필터(293)는 청색 안료를 포함하는 유기막으로 형성될 수 있다. 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 각각은 도 9와 같이 산란 입자(330)를 포함할 수 있으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 즉, 산란 입자(330)는 생략될 수 있다.
제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 사이에는 제2 컬러필터(292)가 형성된다. 제2 컬러필터(292)는 녹색 발광부(GE)에 대응되게 배치되는 녹색 컬러필터일 수 있다. 제2 컬러필터(292)는 녹색 안료를 포함하는 유기막으로 형성될 수 있다. 제2 컬러필터(292)는 도 9와 같이 산란 입자(330)를 포함할 수 있으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 즉, 산란 입자(330)는 생략될 수 있다.
또한, 제2 컬러필터(292)는 건식 식각으로 형성되므로, 제2 컬러필터(292)의 두께(D3)는 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 각각의 두께(D4)보다 얇을 수 있다.
제1 및 제2 컬러필터들(291, 292) 사이와 제2 및 제3 컬러필터들(292, 293) 사이에는 블랙 매트릭스(300)가 형성된다. 블랙 매트릭스(300)는 반사율이 높은 금속인 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예는 블랙 매트릭스(300)를 반사 금속층으로 형성함으로써, 블랙 매트릭스(300)로 진행하는 광(L)을 전반사하여 출광시킬 수 있으므로, 블랙 매트릭스(300)를 광 흡수 물질로 형성할 때에 비해 광 효율을 개선할 수 있다.
또한, 블랙 매트릭스(300)는 블랙 매트릭스(300)의 하부로부터 연장된 꼬리부(301)를 포함할 수 있다. 꼬리부(301)는 봉지막(280) 상에 형성되며, 제2 컬러필터(292)에 의해 덮이도록 형성될 수 있다.
제2 기판(112)은 제2 컬러필터(292)와 무기막(310) 상에 부착될 수 있다. 제2 기판(112)은 봉지 필름(encapsulation film)일 수 있다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이다. 도 18a 내지 도 18h는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 II-II'의 단면도들이다.
첫 번째로, 박막 트랜지스터(210), 유기발광소자(260), 및 봉지막(270)을 형성한다. 도 17의 S301 단계는 도 6의 S101 단계와 실질적으로 동일하므로, 도 17의 S301 단계에 대한 설명은 생략한다. (도 17의 S301)
두 번째로, 봉지막(280) 상에 적색 발광부(RE)들에 대응되도록 제1 컬러필터(291)를 형성하고, 청색 발광부(BE)들에 대응되도록 제3 컬러필터(293)를 형성한다. 도 17의 S302 단계는 도 13의 S202 단계와 실질적으로 동일하므로, 도 17의 S302 단계에 대한 설명은 생략한다 (도 17의 S302)
세 번째로, 도 18a와 같이 봉지막(280)과 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)을 덮는 반사 금속층(300a)을 형성한다.
구체적으로, 반사 금속층(300a)은 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)을 덮으며, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 사이의 공간을 덮도록 형성된다. 반사 금속층(300a)은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 형성될 수 있으며, 스퍼터링법으로 형성될 수 있다. (도 17의 S303)
네 번째로, 도 18b와 같이 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)과 중첩되도록 반사 금속층(300a) 상에 포토 레지스트 패턴(PR)을 형성한다. 포토 레지스트 패턴(PR)의 너비(W1)는 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 각각의 너비(W2)보다 넓게 형성될 수 있다. (도 17의 S304)
다섯 번째로, 도 18c와 같이 포토 레지스트 패턴(PR)에 의해 덮이지 않고 노출된 반사 금속층(300a)을 습식 식각한다. 한편, 포토 레지스트 패턴(PR)의 너비를 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 각각의 너비보다 넓게 형성하기 때문에, 반사 금속층(300a)은 식각 후에 꼬리부(301)를 포함할 수 있다.
그리고 나서, 도 18d와 같이 포토 레지스트 패턴(PR)을 제거한다. (도 17의 S305)
여섯 번째로, 도 18e와 같이 반사 금속층(300a)과 반사 금속층(300a)에 의해 덮이지 않은 봉지막(280) 상에 제2 컬러필터층(292a)을 형성한다. 제2 컬러필터층(292a)은 녹색 안료를 포함한 유기물질일 수 있다. (도 17의 S306)
일곱 번째로, 도 18f와 같이 마스크 없이 건식 식각(dry etch)을 이용하여 제2 컬러필터층(292a)을 식각하여 제2 컬러필터(292)를 형성한다.
건식 식각에 이용되는 물질은 산소(O2)와 사불화탄소(CF4)의 혼합 가스일 수 있다. 예를 들어, 산소(O2)와 사불화탄소(CF4)의 중량비(wt%)는 60:150일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 산소(O2)와 사불화탄소(CF4)의 혼합 가스를 이용하여 유기막과 반사 금속층(300a)을 건식 식각하는 경우, 유기물질에 해당하는 제2 컬러필터층(292a)이 주로 식각되며, 반사 금속층(300a)은 거의 식각되지 않는다. 즉, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)은 반사 금속층(300a)에 의해 식각되지 않고 보호될 수 있다.
또한, 건식 식각 시간을 조정함으로써, 제2 컬러필터층(292a)이 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 상의 반사 금속층(300a)과 평탄하게 형성될 수 있다. 건식 식각 시간이 짧은 경우, 반사 금속층(300a) 상에 제2 컬러필터(292)가 잔존할 수 있다. 또한, 건식 식각 시간이 긴 경우, 제2 컬러필터(292)의 두께가 얇아지므로, 제2 컬러필터(292)가 컬러필터로서 제대로 역할을 하지 못할 수 있다. 적절한 건식 시간 시간은 사전 실험을 통해 미리 결정될 수 있다.
또한, 제2 컬러필터층(292a)은 반사 금속층(300a)에 의해 보호되지 못하는 반면, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)은 반사 금속층(300a)에 의해 보호되므로, 건식 식각 시간을 조정하더라도, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 각각의 두께는 제2 컬러필터(292)의 두께보다 얇을 수 있다.
또한, 제2 컬러필터층(292a)은 마스크를 필요로 하는 포토 공정으로 형성되지 않고, 마스크 없이 건식 식각에 의해 형성될 수 있으므로, 제조 비용 및 제조 시간을 절감할 수 있다.
또한, 제2 컬러필터층(292a)은 포토 공정으로 형성되지 않으므로, 광 개시제를 포함하지 않을 수 있다.
나아가, 제2 컬러필터(292)는 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 사이에 채워지므로, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 상의 반사 금속층(300a)과 평탄하게 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 제2 컬러필터(292)와 반사 금속층(300a) 상에 컬러필터들의 단차를 평탄화하기 위한 오버코트층(overcoat layer)을 형성할 필요 없다. (도 13의 S307)
여덟 번째로, 도 18g와 같이 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293) 상부의 반사 금속층(300a)을 식각한다.
구체적으로, 제1 및 제3 컬러필터들(291, 293)을 제외한 영역에 포토 레지스트 패턴을 형성한 후 포토 레지스트 패턴에 의해 덮이지 않고 노출된 반사 금속층(300a)을 습식 식각한다. 그리고 나서, 포토 레지스트 패턴을 제거한다.
그리고 나서, 제1 내지 제3 컬러필터들(291, 292, 293) 상에는 도 14f와 같이 제2 기판(112)이 부착될 수 있다. 제2 기판(112)은 봉지 필름(encapsulation film)일 수 있다. (도 13의 S308)
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시장치 110: 표시패널
111: 하부 기판 112: 상부 기판
120: 게이트 구동부 130: 소스 드라이브 IC
140: 연성필름 150: 회로보드
160: 타이밍 콘트롤러 210: 박막 트랜지스터
211: 액티브층 212: 게이트전극
213: 소스전극 214: 드레인전극
220: 게이트 절연막 230: 층간 절연막
240: 보호막 250: 평탄화막
260: 유기발광소자 261: 제1 전극
262: 유기발광층 263: 제2 전극
270: 뱅크 280: 봉지막
281: 제1 무기막 282: 유기막
283: 제2 무기막 291: 제1 컬러필터
292: 제2 컬러필터 293: 제3 컬러필터
294: 투명 유기막 300: 블랙 매트릭스
310: 무기막 320: 접착층

Claims (22)

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  16. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 유기발광층;
    상기 유기발광층 상에 배치된 제2 전극;
    상기 제2 전극을 덮는 봉지막;
    상기 봉지막 상에 배치된 제1 컬러필터;
    상기 봉지막 상에서 상기 제1 컬러필터와 이웃하게 배치된 제2 컬러필터;
    상기 제1 및 제2 컬러필터들 사이에 배치되며, 반사 금속층으로 이루어진 블랙 매트릭스; 및
    상기 제1 컬러필터, 상기 제2 컬러필터, 및 상기 블랙 매트릭스 상에 배치된 제2 기판을 구비하고,
    상기 블랙 매트릭스는 상기 봉지막 상에 배치되고 상기 제1 컬러필터에 의해 덮이지 않고 상기 제2 컬러필터에 의해 덮인 꼬리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  17. 삭제
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제2 컬러필터의 두께는 상기 제1 컬러필터의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 표시장치.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 컬러필터들은 산란 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 봉지막 상에서 상기 제2 컬러필터와 이웃하게 배치된 제3 컬러필터를 더 구비하고,
    상기 블랙 매트릭스는 상기 제2 컬러필터와 상기 제3 컬러필터 사이에 배치되고,
    상기 블랙 매트릭스의 꼬리부는 상기 봉지막 상에 배치되고 상기 제3 컬러필터에 의해 덮이지 않고 상기 제2 컬러필터에 의해 덮인 것을 특징으로 하는 표시장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102561299B1 (ko) * 2018-08-28 2023-08-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109378325B (zh) * 2018-09-14 2020-06-16 昆山国显光电有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法
KR20210005453A (ko) * 2019-07-05 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110989859B (zh) * 2019-11-19 2023-08-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控面板及其制造方法
CN116723724A (zh) * 2022-02-28 2023-09-08 群创光电股份有限公司 电子装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002305295A (ja) * 2001-04-05 2002-10-18 Sony Corp カラー固体撮像素子およびその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6079331A (ja) * 1983-10-07 1985-05-07 Citizen Watch Co Ltd カラ−液晶表示装置の製造方法
US6147730A (en) * 1998-11-30 2000-11-14 International Business Machines Corporation Color filters formed sequentially with intervening protective films for flat panel displays
KR101406980B1 (ko) * 2007-12-10 2014-06-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100994121B1 (ko) * 2009-03-11 2010-11-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101094298B1 (ko) * 2009-08-18 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US8884509B2 (en) * 2011-03-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical device, display device, and lighting device
KR101946391B1 (ko) * 2012-05-31 2019-02-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP6013067B2 (ja) * 2012-07-26 2016-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
WO2014175681A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 LG Display Co.,Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method for manufacturing the same
CN105324704B (zh) * 2013-06-17 2019-06-11 苹果公司 具有颜色混合防止结构的显示器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002305295A (ja) * 2001-04-05 2002-10-18 Sony Corp カラー固体撮像素子およびその製造方法

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