TWI803161B - 有機發光二極體裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種有機發光二極體裝置，包括圖案化平坦層、多個第一電極、多個第一擋牆結構、多個第二擋牆結構、有機發光材料以及至少一第二電極。圖案化平坦層的第一面上具有多個凹槽。第一電極位於圖案化平坦層上，且自圖案化平坦層的凹槽中延伸至圖案化平坦層的第一面上。第一擋牆結構位於圖案化平坦層的凹槽中。第二擋牆結構跨過第一擋牆結構。有機發光材料位於第二擋牆結構之間。第二電極位於有機發光材料上。

Description

有機發光二極體裝置及其製造方法

本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種有機發光二極體裝置及其製造方法。

有機發光二極體（Organic Light-Emitting Diode，OLED）是一種電致發光的半導體元件，具有效率高、壽命長、不易破損、反應速度快、可靠性高等優點。相較於傳統的液晶顯示裝置，有機發光二極體顯示裝置不需要額外設置背光模組，藉此減少有機發光二極體顯示裝置的厚度。基於前述優點，有機發光二極體顯示裝置在市場上亟具競爭力。

目前，常見的有機發光二極體的製造方法包括蒸鍍、塗佈、噴墨等。隨著消費者對畫面解析度的需求越來越高，有機發光材料的製程精度也越來越高。在沉積有機發光材料的時候，若有機發光材料不能均勻的分佈，會導致顯示畫面不能達到預期的品質。

本發明提供一種有機發光二極體裝置，可以改善有機發光材料分布不均勻的問題。

本發明提供一種有機發光二極體裝置的製造方法，可以改善有機發光材料分布不均勻的問題。

本發明的至少一實施例提供一種有機發光二極體裝置，包括圖案化平坦層、多個第一電極、多個第一擋牆結構、多個第二擋牆結構、有機發光材料以及至少一第二電極。圖案化平坦層的第一面上具有多個凹槽。第一電極位於圖案化平坦層上，且自圖案化平坦層的凹槽中延伸至圖案化平坦層的第一面上。第一擋牆結構位於圖案化平坦層的凹槽中。第二擋牆結構跨過第一擋牆結構。有機發光材料位於第二擋牆結構之間。第二電極位於有機發光材料上。

本發明的至少一實施例提供一種有機發光二極體裝置的製造方法，包括：形成圖案化平坦層，其中圖案化平坦層的第一面上具有多個凹槽；形成多個第一電極於該圖案化平坦層上，其中第一電極自該圖案化平坦層的凹槽中延伸至圖案化平坦層的第一面上；形成多個第一擋牆結構於圖案化平坦層的凹槽中；形成跨過第一擋牆結構的多個第二擋牆結構；形成有機發光材料於第二擋牆結構之間；以及形成至少一第二電極於有機發光材料上。

以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解的是，這些實務上的細節不應用被以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知的結構與元件在圖式中將省略或以簡單示意的方式為之。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則原本被描述為在元件的「下」側的其他元件將變成被定向在元件的「上」側。因此，取決於附圖的特定取向，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為原本在元件「下」或「下方」的其他元件將變成被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。

圖1A是依照本發明的一實施例的一種有機發光二極體裝置的上視示意圖。圖1B是沿著圖1A線a-a’的剖面示意圖。

請參考圖1A與圖1B，有機發光二極體裝置10包括圖案化平坦層（圖案化絕緣層）130、多個第一電極E1、多個第一擋牆結構140、多個第二擋牆結構150（繪於圖8A）、有機發光材料C1以及至少一第二電極E2。在一些實施例中，有機發光二極體裝置10為主動式顯示裝置，且有機發光二極體裝置10還包括基板100、多個電極120以及平坦層（絕緣層）110，但本發明不以此為限。在其他實施例中，有機發光二極體裝置為被動式顯示裝置，且有機發光二極體裝置不包括主動元件。

基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其他可適用的材料）或是其他可適用的材料。若使用導電材料或金屬時，則在基板100上覆蓋一層絕緣層（未繪示），以避免短路問題。

電極120位於基板100之上。舉例來說，電極120陣列於基板100之上。在一些實施例中，基板100之上更包含陣列的主動元件，且電極120為前述主動元件的源極/汲極或電極120電性連接至前述主動元件的源極/汲極。前述主動元件包括任意形式的薄膜電晶體。舉例來說，前述主動元件更可以包括頂部閘極型薄膜電晶體、底部閘極型薄膜電晶體、雙閘極型薄膜電晶體或其他類型的薄膜電晶體。

平坦層110位於電極120之上。平坦層110為絕緣層。在圖1B中，以單層結構表示平坦層110，但本發明不以此為限。實際上，平坦層110可為多層結構，且平坦層110可包括不同的有機介電材料及/或無機介電材料。

平坦層110具有多個開口，導電材料填入前述開口中以形成多個導電孔112。在一些實施例中，導電孔112重疊於電極120，並電性連接至電極120。

圖案化平坦層130位於平坦層110上。圖案化平坦層130包括有機絕緣材料或無機絕緣材料。在一些實施例中，圖案化平坦層130包括固化的光阻材料，且形成圖案化平坦層130的方法包括光阻塗佈製程以及微影製程，但本發明不以此為限。在其他實施例中，形成圖案化平坦層130的方法包括蝕刻製程，例如灰化製程（例如利用氧電漿）。

圖案化平坦層130具有第一面132以及相反於第一面132的第三面136。圖案化平坦層130的第三面136朝向平坦層110。在一些實施例中，圖案化平坦層130的第三面136接觸平坦層110。圖案化平坦層130的第一面132上具有多個凹槽131。在本實施例中，凹槽131自第一面132延伸至第三面136，即凹槽131的深度D等於圖案化平坦層130的厚度T，但本發明不以此為限。在其他實施例中，凹槽131的深度D小於圖案化平坦層130的厚度T，且凹槽131的底部具有貫穿凹槽131下方之圖案化平坦層130的導電孔，前述凹槽131的底部的導電孔的寬度小於或等於凹槽131的寬度。在一些實施例中，凹槽131的深度D為0.3微米至0.5微米。在一些實施例中，圖案化平坦層130的厚度T為0.3微米至0.5微米。

第一電極E1位於圖案化平坦層130上。第一電極E1自圖案化平坦層130的凹槽131中延伸至圖案化平坦層130的第一面132上。在本實施例中，第一電極E1自凹槽131的底部沿著凹槽131的側壁134延伸至圖案化平坦層130的第一面132，且部分第一電極E1位於第一面132上方。

在本實施例中，第一電極E1的材料包括金屬、金屬氧化物、金屬氮化物或其他導電材料。在本實施例中，部分第一電極E1填入平坦層110的開口中以形成導電孔112，但本發明不以此為限。在其他實施例中，其他導電材料填入平坦層110的開口中以形成導電孔112，且第一電極E1電性連接至前述其他導電材料。第一電極E1透過導電孔112而電性連接至電極120。

第一擋牆結構140位於圖案化平坦層130的凹槽131中。第一擋牆結構140包括有機絕緣材料或無機絕緣材料。在一些實施例中，第一擋牆結構140包括固化的光阻材料，且形成第一擋牆結構140的方法包括光阻塗佈製程以及微影製程， 但本發明不以此為限。在其他實施例中，形成第一擋牆結構140的方法包括蝕刻製程，例如灰化製程（例如利用氧電漿）。

在本實施例中，圖案化平坦層130的第一面132與第一擋牆結構140的第二面142的高度差在0.5微米以內。換句話說，第一擋牆結構140的第二面142可以略高於圖案化平坦層130的第一面132、略低於圖案化平坦層130的第一面132或與圖案化平坦層130的第一面132齊平。在本實施例中，第一擋牆結構140的第二面142為平面，但本發明不以此為限。在其他實施例中，一擋牆結構140的第二面142包括凸起及/或凹陷。在本實施例中，第一擋牆結構140未延伸至圖案化平坦層130的第一面132上方，但本發明不以此為限。在其他實施例中，部分第一擋牆結構140延伸至圖案化平坦層130的部分第一面132上方。

在本實施例中，導電孔112重疊於第一擋牆結構140，且第一擋牆結構140填入導電孔112，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一擋牆結構140未填入導電孔112或第一擋牆結構140填入部分導電孔112。

在本實施例中，部分第一電極E1位於圖案化平坦層130的凹槽131的側壁134與凹槽131中的第一擋牆結構140之間。換句話說，部分第一電極E1橫向地夾在圖案化平坦層130與第一擋牆結構140之間。

第二擋牆結構150（繪於圖8A）位於圖案化平坦層130以及第一擋牆結構140上。第二擋牆結構150跨過多個第一擋牆結構140。第二擋牆結構150的延伸方向交錯於第一擋牆結構140的延伸方向。第二擋牆結構150包括有機絕緣材料或無機絕緣材料。在一些實施例中，第二擋牆結構150包括固化的光阻材料，且形成第二擋牆結構150的方法包括光阻塗佈製程以及微影製程，但本發明不以此為限。在其他實施例中，形成第二擋牆結構150的方法包括蝕刻製程，例如灰化製程（例如利用氧電漿）。在本實施例中，藉由使第一擋牆結構140形成於圖案化平坦層130的凹槽131中，第二擋牆結構150可以形成於相對平整的表面，因此，可以改善第二擋牆結構150因為地形起伏而出現線寬分布不均勻的問題。

有機發光材料C1位於圖案化平坦層130以及第一擋牆結構140上，且有機發光材料C1位於第二擋牆結構150（繪於圖8A）之間。有機發光材料C1跨過多個第一擋牆結構140。有機發光材料C1包括單層或多層結構。在一些實施例中，形成有機發光材料C1的方法包括噴墨製程或其他合適的製程。在本實施例中，藉由使第一擋牆結構140形成於圖案化平坦層130的凹槽131中，有機發光材料C1可以形成於相對平整的表面，因此，可以改善有機發光材料C1因為流動性不佳而產生分布不均勻的問題。

第二電極E2位於有機發光材料C1上。第二電極E2的材料包括金屬、金屬氧化物、金屬氮化物或其他導電材料。在一些實施例中，第二電極E2包括透明導電材料。在本實施例中，第一電極E1、有機發光材料C1以及第二電極E2構成多個有機發光二極體，且前述有機發光二極體電性連接至電極120。

圖2A至圖9A是圖1A與圖1B的有機發光二極體裝置的製造方法的上視示意圖。圖2B至圖9B是圖1A與圖1B的有機發光二極體裝置的製造方法的剖面示意圖。

請參考圖2A與圖2B，提供基板100以及位於基板100上的電極120以及平坦層110。平坦層110具有暴露出部分電極120（電極120例如為主動元件的源極/汲極）的開口111。

請參考圖3A、圖3B、圖4A以及圖4B，形成圖案化平坦層130於平坦層110上。圖案化平坦層130的第一面132上具有多個凹槽131。

形成圖案化平坦層130的方法包括：形成第一光阻層130P於平坦層110上，接著對第一光阻層130P執行微影製程以形成圖案化平坦層130。

在一些實施例中，部分第一光阻層130P填入平坦層110的開口111中，且在對執行微影製程之後，移除了開口111中的部分第一光阻層130P。

在一些實施例中，對第一光阻層130P執行一次以上的微影製程。舉例來說，先以光罩對第一光阻層130P執行第一次微影製程以於第一光阻層130P中定義出圖案，接著對第一光阻層130P進行大面積的曝光，以使後續所形成的圖案化平坦層130可以較薄，但本發明不以此為限。在其他實施例中，進行一次微影製程以定義出圖案化平坦層130。在其他實施例中，形成圖案化絕緣層130的方法更包括灰化製程（例如利用氧電漿），藉由灰化製程使後續形成的圖案化絕緣層130可以較薄。

在本實施例中，圖案化平坦層130的凹槽131沿著第一方向D1延伸，且每個凹槽131重疊於多個平坦層110的開口111。

請參考圖5A與圖5B，形成多個第一電極E1於圖案化平坦層130上。第一電極E1自圖案化平坦層130的凹槽131中延伸至圖案化平坦層130的第一面132上。舉例來說，第一電極E1自圖案化平坦層130的凹槽131的底部，沿著凹槽131的側壁134延伸至圖案化平坦層130的第一面132上，並覆蓋部分圖案化平坦層130的第一面132。

在本實施例中，彼此分離的多個第一電極E1在第一方向D1與第二方向D2上排成陣列。在本實施例中，每個第一電極E1除了填入對應的凹槽131中以外，還會填入凹槽131底下的平坦層110的開口111中，以形成導電孔112。

請參考圖6A、圖6B、圖7A以及圖7B，形成多個第一擋牆結構140於圖案化平坦層130的凹槽131中。第一擋牆結構140沿著第一方向D1延伸。

形成第一擋牆結構140於圖案化平坦層130的凹槽131中的方法包括：形成第二光阻層140P於圖案化平坦層130的第一面132上以及凹槽131中，接著對第二光阻層140P執行微影製程以形成第一擋牆結構140。

在一些實施例中，部分第二光阻層140P填入至少部分平坦層110的導電孔112中。

在一些實施例中，對第二光阻層140P執行一次以上的微影製程。舉例來說，先以光罩對第二光阻層140P執行第一次微影製程以於第二光阻層140P中定義出圖案，接著對第二光阻層140P進行大面積的曝光，以使後續所形成的第一擋牆結構140可以較薄，但本發明不以此為限。在其他實施例中，進行一次微影製程（例如多灰階微影製程）以定義出第一擋牆結構140。在其他實施例中，形成第一擋牆結構140的方法更包括灰化製程（例如利用氧電漿），藉由灰化製程使後續形成的第一擋牆結構140可以較薄。在其他實施例中，藉由灰階光罩製程形成第一擋牆結構140。

請參考圖8A、圖8B、圖9A以及圖9B，形成跨過第一擋牆結構140的多個第二擋牆結構150。形成有機發光材料C1, C2, C3於第二擋牆結構150之間。第二擋牆結構150以及有機發光材料C1, C2, C3沿著第二方向D2延伸。在一些實施例中，第一方向D1垂直於第二方向D2。

在本實施例中，形成跨過第一擋牆結構140的第二擋牆結構150的方法包括：形成第三光阻層150P於圖案化平坦層130的第一面132之上以及第一擋牆結構140的第二面142之上，接著對第三光阻層150P執行微影製程以形成第二擋牆結構150。

在一些實施例中，對第三光阻層150P執行一次或一次以上的微影製程。舉例來說，以光罩對第三光阻層150P執行第一次微影製程以於第三光阻層150P中定義出圖案。接著，可選地對第三光阻層150P進行大面積的曝光，以使後續所形成的第二擋牆結構150可以較薄，但本發明不以此為限。在其他實施例中，進行一次微影製程以定義出第二擋牆結構150。在其他實施例中，形成第二擋牆結構150的方法更包括灰化製程（例如利用氧電漿），藉由灰化製程使後續形成的第二擋牆結構150可以較薄。

在本實施例中，由於第二擋牆結構150是形成於較為平整的表面，因此，可以改善第二擋牆結構150因為地形起伏而出現線寬分布不均勻的問題。

有機發光材料C1, C2, C3各自形成於對應的兩個第二擋牆結構150之間。在一些實施例中，藉由噴墨製程形成有機發光材料C1, C2, C3。有機發光材料C1, C2, C3包括相同或不同顏色的有機發光材料。舉例來說，有機發光材料C1, C2, C3包括紅色有機發光材料、綠色有機發光材料以及藍色有機發光材料。

接著，請參考圖1A與圖1B，形成至少一第二電極E1於有機發光材料C1, C2, C3上。至此，有機發光二極體裝置10大致完成。

圖10是依照本發明的一實施例的一種有機發光二極體裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖10的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖10的有機發光二極體裝置20與圖1B的有機發光二極體裝置10的主要差異在於：有機發光二極體裝置20的第一擋牆結構140的第二面142包括凸起143。

請參考圖10，在本實施例中，形成第一擋牆結構140的方法例如包括灰階光罩製程，且所形成的第一擋牆結構140的第二面142包括一個或多個凸起143。

在本實施例中，第一擋牆結構140未延伸至圖案化平坦層130的第一面132上方，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一擋牆結構140延伸至圖案化平坦層130的部分第一面132上方，並覆蓋部分位於的一面132上方第一電極E1。

圖11是依照本發明的一實施例的一種有機發光二極體裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖11的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖11的有機發光二極體裝置30與圖1B的有機發光二極體裝置10的主要差異在於：有機發光二極體裝置30的第一擋牆結構140的第二面142包括凹陷145。

請參考圖11，在本實施例中，藉由灰化製程（例如藉由氧離子電漿）減薄第一擋牆結構140，且所形成的第一擋牆結構140的第二面142包括一個或多個凹陷。

在本實施例中，第一擋牆結構140未延伸至圖案化平坦層130的第一面132上方，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一擋牆結構140延伸至圖案化平坦層130的部分第一面132上方，並覆蓋部分位於的一面132上方第一電極E1。

圖12是依照本發明的一實施例的一種有機發光二極體裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖12的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖12的有機發光二極體裝置40與圖1B的有機發光二極體裝置10的主要差異在於：有機發光二極體裝置40的圖案化平坦層130的凹槽131的深度D小於圖案化平坦層130的厚度T，且凹槽131的底部具有貫穿凹槽131下方之圖案化平坦層130的導電孔133，凹槽131的底部的導電孔133的寬度小於或等於凹槽131的寬度。

請參考圖12，在本實施例中，第一電極E1填入凹槽131的底部的開口以及平坦層110的開口，以形成導電孔133以及導電孔112。第一電極E1透過導電孔133以及導電孔112而電性連接至電極120。

圖13是依照本發明的一實施例的一種有機發光二極體裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖13的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖13的有機發光二極體裝置50與圖1B的有機發光二極體裝置10的主要差異在於：有機發光二極體裝置40的多個第一擋牆結構140包括多種不同的高度。

請參考圖13，在本實施例中，第一擋牆結構140的第二面142高於、低於及/或對齊於圖案化平坦層130的第一面132。

在本實施例中，部分第一擋牆結構140的第二面142高於圖案化平坦層130的第一面132，且前述兩者的高度差HD1在0.5微米以內。另一部分第一擋牆結構140的第二面142低於圖案化平坦層130的第一面132，且前述兩者的高度差HD2在0.5微米以內。

10,20,30,40,50:有機發光二極體裝置

100:基板

110:平坦層/絕緣層

111:開口

112,133:導電孔

120:電極

130:圖案化平坦層/圖案化絕緣層

130P:第一光阻層

131:凹槽

132:第一面

134:側壁

136:第三面

140:第一擋牆結構

140P:第二光阻層

142:第二面

143:凸起

142:凹陷

150:第二擋牆結構

150P:第三光阻層

a-a’:線

C1,C2,C3:有機發光材料

D:深度

D1:第一方向

D2:第二方向

E1:第一電極

E2:第二電極

HD1,HD2:高度差

T:厚度

圖1A是依照本發明的一實施例的一種有機發光二極體裝置的上視示意圖。 圖1B是沿著圖1A線a-a’的剖面示意圖。 圖2A至圖9A是圖1A與圖1B的有機發光二極體裝置的製造方法的上視示意圖。 圖2B至圖9B是圖1A與圖1B的有機發光二極體裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖10是依照本發明的一實施例的一種有機發光二極體裝置的剖面示意圖。 圖11是依照本發明的一實施例的一種有機發光二極體裝置的剖面示意圖。 圖12是依照本發明的一實施例的一種有機發光二極體裝置的剖面示意圖。 圖13是依照本發明的一實施例的一種有機發光二極體裝置的剖面示意圖。

10:有機發光二極體裝置

100:基板

110:平坦層/絕緣層

112:導電孔

120:電極

130:圖案化平坦層/圖案化絕緣層

131:凹槽

132:第一面

134:側壁

136:第三面

140:第一擋牆結構

142:第二面

a-a’:線

C1:有機發光材料

D:深度

E1:第一電極

E2:第二電極

T:厚度

Claims (13)

1. 一種有機發光二極體裝置，包括：一圖案化平坦層，其中該圖案化平坦層的一第一面上具有沿著一第一方向連續地延伸的多個凹槽；多個第一電極，位於該圖案化平坦層上，且自該圖案化平坦層的該些凹槽中延伸至該圖案化平坦層的該第一面上，其中各該凹槽中設置有該些第一電極中對應的多個；多個第一擋牆結構，沿著該第一方向連續地延伸，且各該第一擋牆結構位於該圖案化平坦層的該些凹槽中對應的一個中；多個第二擋牆結構，跨過該些第一擋牆結構；一有機發光材料層，位於該些第二擋牆結構之間；以及至少一第二電極，位於該有機發光材料層上。
2. 如請求項1所述的有機發光二極體裝置，更包括：一基板；多個電極，位於該基板之上；以及一平坦層，位於該些電極之上，且具有多個導電孔，其中該圖案化平坦層位於該平坦層上，且該些第一電極透過該些導電孔而電性連接至該些電極。
3. 如請求項2所述的有機發光二極體裝置，其中該些導電孔重疊於該些第一擋牆結構。
4. 如請求項3所述的有機發光二極體裝置，其中該些第一擋牆結構填入該些導電孔。
5. 如請求項1所述的有機發光二極體裝置，其中該圖案化平坦層的該第一面與該些第一擋牆結構的多個第二面的高度差在0.5微米以內。
6. 如請求項1所述的有機發光二極體裝置，其中該些第一擋牆結構的多個第二面包括凸起及/或凹陷。
7. 如請求項1所述的有機發光二極體裝置，其中部分該些第一電極位於該圖案化平坦層的該些凹槽的側壁與該些凹槽中的該些第一擋牆結構之間。
8. 如請求項1所述的有機發光二極體裝置，其中該圖案化平坦層的該些凹槽的深度小於或等於該圖案化平坦層的厚度。
9. 如請求項1所述的有機發光二極體裝置，其中該些第一電極自該些凹槽的底部沿著該些凹槽的側壁延伸至該第一面，且部分該些第一電極位於該第一面上方。
10. 一種有機發光二極體裝置的製造方法，包括：形成一圖案化平坦層，其中該圖案化平坦層的一第一面上具有沿著一第一方向連續地延伸的多個凹槽；形成多個第一電極於該圖案化平坦層上，其中該些第一電極自該圖案化平坦層的該些凹槽中延伸至該圖案化平坦層的該第一面上，其中各該凹槽中設置有該些第一電極中對應的多個；形成沿著該第一方向連續地延伸的多個第一擋牆結構於該圖案化平坦層的該些凹槽中，其中各該第一擋牆結構位於該圖案化 平坦層的該些凹槽中對應的一個中；形成跨過該些第一擋牆結構的多個第二擋牆結構；形成一有機發光材料層於該些第二擋牆結構之間；以及形成至少一第二電極於該有機發光材料層上。
11. 如請求項10所述的有機發光二極體裝置的製造方法，其中形成該圖案化平坦層的方法包括：形成一第一光阻層於一絕緣層上；以及對該第一光阻層執行微影製程。
12. 如請求項10所述的有機發光二極體裝置的製造方法，其中形成該些第一擋牆結構於該圖案化平坦層的該些凹槽中的方法包括：形成一第二光阻層於該圖案化平坦層的該第一面上以及該些凹槽中；以及對該第二光阻層執行微影製程。
13. 如請求項10所述的有機發光二極體裝置的製造方法，其中形成跨過該些第一擋牆結構的該些第二擋牆結構的方法包括：形成一第三光阻層於該圖案化平坦層的該第一面之上以及該些第一擋牆結構之上；以及對該第三光阻層執行微影製程。

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