CN110061145A - 一种有机发光二极管显示器及其制作方法 - Google Patents

一种有机发光二极管显示器及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110061145A
CN110061145A CN201910274431.XA CN201910274431A CN110061145A CN 110061145 A CN110061145 A CN 110061145A CN 201910274431 A CN201910274431 A CN 201910274431A CN 110061145 A CN110061145 A CN 110061145A
Authority
CN
China
Prior art keywords
auxiliary electrode
pixel defining
defining layer
light emitting
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910274431.XA
Other languages
English (en)
Inventor
刘明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910274431.XA priority Critical patent/CN110061145A/zh
Priority to PCT/CN2019/083617 priority patent/WO2020206718A1/zh
Publication of CN110061145A publication Critical patent/CN110061145A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/824Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种有机发光二极管显示器及其制作方法,该方法包括:在衬底基板上制作阳极和辅助电极;在所述阳极、所述辅助电极以及未被所述阳极和所述辅助电极覆盖的衬底基板上形成像素定义层;在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔;在所述过孔内填充金属材料,以形成电连接结构;将所述辅助电极上的像素定义层去除,并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口;在所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上形成有机功能层;在所述有机功能层上形成阴极,所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。本发明的有机发光二极管显示器及其制作方法,能够提高显示效果。

Description

一种有机发光二极管显示器及其制作方法
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种有机发光二极管显示器及其制作方法。
【背景技术】
顶发射型OLED(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有广阔的应用前景,但该类型的OLED要求顶电极(通常为阴极)具有一定的透明度。若采用金属(比如镁银合金)作为顶电极时,必须将其厚度控制在较小的范围(比如小于20nm)。金属在如此薄的情况下,截面电流被大大地限制,导致导电性较差。将这类顶电极应用在大尺寸显示面板时,会由于供给电路距离不同,造成面板的不同区域的压降(IR-Drop)程度不一,最终显示效果的区域不均匀。
目前现有的解决办法是在面板区域内,除了显示像素区域外,额外增加辅助电极。在制备OLED时,使薄层透明顶电极与辅助电极导通,均匀分布在面板上的辅助电极可使不同区域的薄层顶电极电位一致。这一技术的问题是,辅助电极往往和像素区的底电极一样,在蒸镀有机材料的过程中容易被覆盖,使得顶电极难以与辅助电极形成有效的接触,进而无法有效地降低电压降(IR-drop),致使面板发光不均匀,降低了显示效果。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管显示器及其制作方法,能够提高发光均匀性和显示效果。
为解决上述技术问题,本发明提供一种有机发光二极管显示器的制作方法,其包括:
在衬底基板上制作导电层,对所述导电层进行图案化处理形成阳极和辅助电极;
在所述阳极、所述辅助电极以及未被所述阳极和所述辅助电极覆盖的衬底基板上形成像素定义层;
在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔;
在所述过孔内填充金属材料,以形成电连接结构;
将所述辅助电极上的像素定义层去除,并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口;
在所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上形成有机功能层;
在所述有机功能层上形成阴极,所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。
本发明还提供一种有机发光二极管显示器,其包括
衬底基板;
导电层,位于所述衬底基板上;所述导电层包括阳极和辅助电极;
像素定义层,设于在所述阳极以及未被所述阳极覆盖的衬底基板上;所述像素定义层上设置有像素开口;
电连接结构,设于所述辅助电极上;
有机功能层,设于所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上;
阴极,设于所述有机功能层上,所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。
本发明的有机发光二极管显示器及其制作方法,通过在辅助电极上设置电连接结构,从而使得阴极通过电连接结构与辅助电极连接,使得阴极与辅助电极之间形成有效的接触,进而降低了压降,使得面板发光均匀,提高了显示效果。
【附图说明】
图1为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第一步的结构示意图;
图2为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第二步至第三步的结构示意图;
图3为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第四步的结构示意图;
图4为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第五步的结构示意图;
图5为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第六步的结构示意图;
图6为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第七步的结构示意图;
图7为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第八步的结构示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图1至7,图1为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第一步的结构示意图。
本发明的有机发光二极管显示器的制作方法包括:
S101、在衬底基板上制作导电层,对所述导电层进行图案化处理形成阳极和辅助电极;
如图1所示,例如,在衬底基板11上制作整层导电层12,对所述导电层12进行图案化处理形成阳极121和辅助电极122,该导电层12的材料可以为氧化铟锡。其中衬底基板11包括玻璃基板以及位于玻璃基板上的开关阵列层,所述开关阵列层包括多个薄膜晶体管,阳极与薄膜晶体管的漏极连接。
S102、在所述阳极、所述辅助电极以及未被所述阳极和所述辅助电极覆盖的衬底基板上形成像素定义层;
例如,如图2所示,在所述阳极121、所述辅助电极122以及未被所述阳极121和所述辅助电极122覆盖的衬底基板11上形成像素定义层13。为了简化制程工艺,降低生产成本,在一实施方式中,所述像素定义层13的材料可为光阻材料。
S103、在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔;
如图2所示,在所述像素定义层13上对应于所述辅助电极122的位置形成过孔131。
也即所述步骤S103,所述在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔的步骤包括:
S1031、对像素定义层进行第一次图案化处理,以使与所述辅助电极对应的像素定义层形成过孔。
例如,如图2所示,在一实施方式中,当所述像素定义层13的材料为光阻材料时,可对所述像素定义层13进行曝光、显影,以在与所述辅助电极122对应的位置形成过孔131。当所述像素定义层13的材料为其他材料时,可以采用蚀刻等工艺形成该过孔。
其中,所述过孔131的纵截面的形状包括长方形和梯形中的一种。当然还可以为其他形状。其所述过孔131的侧壁上可以设置凸起部。所述过孔131的横截面的形状不限,比如可以为圆形或者多边形等等。
S104、在所述过孔内填充金属材料,以形成电连接结构;
结合图2和图3,在所述过孔131内填充金属材料,以形成电连接结构30。
其中所述电连接结构30是通过电镀、电泳沉积、三维(3D)打印以及聚焦电子束诱导沉积中的一种形成的。
比如电镀方式具体可以为,将上述步骤得到的显示器放入电镀池中,电镀池中含有M+的X-的电镀液(M+为金属阳离子,X-为电镀液),辅助电极作为阴极,通过电镀生长电连接结构。
其中3D打印方式可以打印金属纳米颗粒以形成电连接结构。其中所述电连接结构的材料包括金属材料、金属合金中的至少一种。
在一实施方式中,所述电连接结构30部分覆盖所述辅助电极12,也即所述电连接结构30与所述辅助电极122之间的接触面积小于所述辅助电极122的横截面的面积。
S105、将所述辅助电极上的像素定义层去除,并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口;
如图4所示,将所述辅助电极122上的像素定义层13去除,并在剩余的像素定义层13上对应于所述阳极121的位置形成像素开口132。
所述步骤S105,也即所述将所述辅助电极上的像素定义层去除,并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口的步骤包括:
S1051、对所述像素定义层13进行第二次图案化处理,以将所述辅助电极122上的像素定义层去除以及形成像素开口132。
在一实施方式中,当所述像素定义层13的材料为光阻材料时,可对所述像素定义层13进行再次曝光、显影,以形成像素开口132和蒋所述辅助电极122上的像素定义层13去除。
S106、在所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上形成有机功能层;
如图5所示,在所述像素开口132内、所述像素定义层13、未被所述电连接结构覆盖的所述辅助电极122以及所述电连接结构30上形成有机功能层14。在一实施方式中,所述有机功能层14包括有机发光层。在另一实施方式中,所述有机功能层14从下至上依次可包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层以及电子传输层。在一实施方式中,所述有机功能层14通过喷墨打印方式或者蒸镀方式制作形成的。
S107、在所述有机功能层上形成阴极,所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。
如图6所示,在所述有机功能层14上形成阴极15,所述阴极15通过所述电连接结构30与所述辅助电极122连接。
其中,所述阴极15是采用蒸镀方式制作形成的,阴极15的材料是铟锌氧化物(IZO)或者是Mg/Ag复合薄膜。其中,所述阴极15与所述电连接结构30的侧壁抵接,也即所述阴极15与所述电连接结构30的接触面位于竖直方向上。电连接结构30与辅助电极122的接触面位于水平方向上。
所述方法还可包括:
S108、在所述阴极上形成平坦层。
如图7所示,在所述阴极15上形成平坦层16。
在另一实施例中,上述步骤S106具体包括:
S201、在所述像素开口内形成空穴注入层、空穴传输层、有机发光层;
S202、在所述有机发光层、所述像素定义层、所述辅助电极、所述电连接结构上形成电子传输层;
上述步骤S107具体可以为:
S203、在所述电子传输层上形成阴极,所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。
如图6和7,本发明还提供一种有机发光二极管显示器,其包括:衬底基板11、导电层12、像素定义层13、有机功能层14、阴极15以及电连接结构30。
导电层12位于所述衬底基板11上;所述导电层12包括阳极121和辅助电极122。
结合图1至5,像素定义层13设于在所述阳极121、以及未被所述阳极121覆盖的衬底基板11上;所述像素定义层13上设置有像素开口132。
电连接结构30设于所述辅助电极122上。
有机功能层14设于所述像素开口132内、所述像素定义层13、所述辅助电极122以及所述电连接结构30上。
阴极15设于所述有机功能层14上,所述阴极15通过所述电连接结构30与所述辅助电极122连接。
其中,所述阴极15与所述电连接结构30的侧壁抵接。
其中所述电连接结构30部分覆盖在所述辅助电极122上。
如图7所示,所述有机发光二极管显示器还可包平坦层16,所述平坦层16位于所述阴极15上。
该有机发光二极管显示器可以使用上述方法制备得到。
由于本发明的有机发光二极管显示器在辅助电极上设置电连接结构,从而使得阴极通过电连接结构与辅助电极连接,使得阴极与辅助电极之间形成有效的接触,提高了阴极与辅助电极之间的导电性能,从而降低了压降,进而使得面板发光均匀,提高了显示效果。
本发明的有机发光二极管显示器及其制作方法,通过在辅助电极上设置电连接结构,从而使得阴极通过电连接结构与辅助电极连接,使得阴极与辅助电极之间形成有效的接触,进而降低了压降,使得面板发光均匀,提高了显示效果。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上制作导电层,对所述导电层进行图案化处理形成阳极和辅助电极;
在所述阳极、所述辅助电极以及未被所述阳极和所述辅助电极覆盖的衬底基板上形成像素定义层;
在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔;
在所述过孔内填充金属材料,以形成电连接结构;
将所述辅助电极上的像素定义层去除,并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口;
在所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上形成有机功能层;
在所述有机功能层上形成阴极,所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,所述阴极与所述电连接结构的侧壁抵接。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,所述在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔的步骤包括:
对所述像素定义层进行第一次图案化处理,以使与所述辅助电极对应的像素定义层形成过孔。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,所述电连接结构部分覆盖在所述辅助电极上。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,所述电连接结构是通过电镀、电泳沉积、3D打印以及聚焦电子束诱导沉积方式中的一种形成的。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,
所述电连接结构的材料包括金属材料、金属合金中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,所述将所述辅助电极上的像素定义层去除,并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口的步骤包括:
对所述像素定义层进行第二次图案化处理,以将所述辅助电极上的像素定义层去除以及形成像素开口。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:在所述阴极上形成平坦层。
9.一种有机发光二极管显示器,其特征在于,包括
衬底基板;
导电层,位于所述衬底基板上;所述导电层包括阳极和辅助电极;
像素定义层,设于在所述阳极以及未被所述阳极覆盖的衬底基板上;所述像素定义层上设置有像素开口;
电连接结构,设于所述辅助电极上;
有机功能层,设于所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上;
阴极,设于所述有机功能层上,所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述阴极与所述电连接结构的侧壁抵接。
11.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述电连接结构部分覆盖在所述辅助电极上。
CN201910274431.XA 2019-04-08 2019-04-08 一种有机发光二极管显示器及其制作方法 Pending CN110061145A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910274431.XA CN110061145A (zh) 2019-04-08 2019-04-08 一种有机发光二极管显示器及其制作方法
PCT/CN2019/083617 WO2020206718A1 (zh) 2019-04-08 2019-04-22 一种有机发光二极管显示器及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910274431.XA CN110061145A (zh) 2019-04-08 2019-04-08 一种有机发光二极管显示器及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110061145A true CN110061145A (zh) 2019-07-26

Family

ID=67318509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910274431.XA Pending CN110061145A (zh) 2019-04-08 2019-04-08 一种有机发光二极管显示器及其制作方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110061145A (zh)
WO (1) WO2020206718A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114335403A (zh) * 2021-12-15 2022-04-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法以及制作显示面板的机台
US20220190049A1 (en) * 2020-06-17 2022-06-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
WO2023184569A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及oled显示面板的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107565048A (zh) * 2017-08-24 2018-01-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
CN108538890A (zh) * 2018-04-20 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示装置
CN109103215A (zh) * 2017-06-21 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置
CN109244269A (zh) * 2018-09-19 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102389209B1 (ko) * 2015-09-16 2022-04-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102484645B1 (ko) * 2015-12-15 2023-01-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101980781B1 (ko) * 2016-10-31 2019-05-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN108336107A (zh) * 2017-01-19 2018-07-27 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管(oled)阵列基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109103215A (zh) * 2017-06-21 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置
CN107565048A (zh) * 2017-08-24 2018-01-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
CN108538890A (zh) * 2018-04-20 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示装置
CN109244269A (zh) * 2018-09-19 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220190049A1 (en) * 2020-06-17 2022-06-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
US11508794B2 (en) * 2020-06-17 2022-11-22 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel with light-emitting portions in pixel definition layer and manufacturing method thereof
CN114335403A (zh) * 2021-12-15 2022-04-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法以及制作显示面板的机台
CN114335403B (zh) * 2021-12-15 2023-06-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法以及制作显示面板的机台
WO2023184569A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及oled显示面板的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020206718A1 (zh) 2020-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109360900B (zh) 一种显示面板及其制作方法
CN106328676B (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN104733495B (zh) 有机发光二极管显示设备及其制造方法
CN107611164A (zh) 一种oled面板及其制备方法
CN110047886B (zh) 一种有机发光二极管显示器及其制作方法
US20150115293A1 (en) Light emitting diode display panel
CN110061145A (zh) 一种有机发光二极管显示器及其制作方法
US9929183B2 (en) Array substrate, manufacturing method of array substrate and display device
CN110047893A (zh) 一种有机发光二极管显示器及其制作方法
CN108962955B (zh) Oled面板及其制作方法
CN106449718B (zh) Oled基板及其制作方法
US9899462B2 (en) Manufacturing method for OLED display panel
US11227999B2 (en) Array substrate having a layer of magnetic material, display panel having the same and manufacturing method the same thereof
CN103219469A (zh) 发光组件
CN109585699B (zh) Oled显示面板及其制造方法、显示装置
CN106941111A (zh) 阵列基板、阵列基板的制造方法以及显示装置
CN110911466B (zh) 一种基板及其制备方法、母板的制备方法、掩膜版和蒸镀装置
CN105140178B (zh) 有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN113363282B (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN108766992A (zh) 一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法
CN106252525B (zh) Oled器件及制作方法、显示面板以及显示装置
CN109817669A (zh) 一种有机发光二极管显示器
CN110534660A (zh) 一种显示基板及制备方法、显示装置
CN107579105B (zh) Oled显示面板的制备方法及oled显示面板
KR100501427B1 (ko) 능동 매트릭스형 유기 이엘 디스플레이 패널의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190726