CN106409870A - 有机发光显示装置 - Google Patents

有机发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106409870A
CN106409870A CN201610618108.6A CN201610618108A CN106409870A CN 106409870 A CN106409870 A CN 106409870A CN 201610618108 A CN201610618108 A CN 201610618108A CN 106409870 A CN106409870 A CN 106409870A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
auxiliary electrode
region
emitting display
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610618108.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106409870B (zh
Inventor
沈成斌
都义斗
金秀炫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN106409870A publication Critical patent/CN106409870A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106409870B publication Critical patent/CN106409870B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

本公开提供一种有机发光显示装置。示例性实施方式涉及有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括：有机发光元件的第一电极；辅助电极，其设置在与第一电极同一层上；堤岸图案，其设置在辅助电极和第一电极的上表面的一部分上，并且被划分为第一区域和第二区域；障壁，其形成在与堤岸图案同一层上，并且由与堤岸图案相同的材料形成，并且被划分为第三区域和第四区域；有机发光层，其设置在基板上，并且包括第一非设置区域至第四非设置区域；以及第二电极，其设置在基板上。根据示例性实施方式，由阴极电极的电阻造成的电压降可以得到抑制。

Description

有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年7月29日提交的韩国专利申请第10-2015-0107497号的优先权，如同在本文中完全阐述一样，出于所有目的将其全部内容并入本文中。
技术领域
实施方式涉及有机发光显示装置，并且更具体地，涉及可以使用设置在辅助电极上的堤岸图案(bank pattern)和障壁(barrier rib)而制造成为大尺寸的有机发光显示装置。
背景技术
随着以信息为导向的社会的进步，对于用于显示图像的显示装置的各种需求日益增加。近来，已经使用了各种类型的显示装置，例如液晶显示器(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置或者有机发光显示(OLED)装置。这样的显示装置各自包括对于其适合的显示面板。
在显示面板中，在每个像素区域中形成有薄膜晶体管，并且通过薄膜晶体管中的电流来控制显示面板中的特定像素区域。薄膜晶体管包括栅电极和源电极/漏电极。
在OLED装置中，在两个不同的电极之间形成有发光层，并且当由电极中的一个电极生成的电子和由另一个电极生成的空穴被注入到发光层中时，经注入的电子和空穴组合成激子。当所生成的激子从激发态转换为基态时，发出光以显示图像。
这样的OLED装置在被制造成小的尺寸时不存在问题。然而，当被制造成大的尺寸时，OLED装置具有亮度不均匀的问题以及具有在周围区域与中央区域之间的亮度差。更具体地，如果电流从有机发光元件的阴极电极流动至周围区域与中央区域之间的空间，则电流可以远离电流注入点。在这种情况下，由于有机发光元件的阴极电极的电阻而出现电压降，这造成周围区域与中央区域之间的亮度差。
即，在具有大尺寸的常规OLED装置中，由于有机发光元件的上电极的电阻造成的周围部分与中央部分之间的亮度差，亮度均匀性大幅降低。由此，常规OLED装置需要手段来补偿亮度差。
因此，已经引入了可以与阴极电极接触的辅助电极(或辅助线)，以解决电压降的问题。然而，由于在辅助电极上形成有有机材料，所以阴极电极和辅助电极难以彼此接触。此外，有机材料部分地形成为大的厚度，并且由此，可能生成漏电流。
此外，近来，已经尝试通过在辅助电极上提供障壁来解决该问题。然而，额外地需要用于形成障壁的过程。因此，对于用于在没有附加过程的情况下抑制漏电流并且使阴极电极接触辅助电极的方法存在需求。
发明内容
示例性实施方式的一个方面提供了一种有机发光显示装置，其可以抑制当被制造为大的尺寸时由阴极的电阻造成的电压降，并且还可以抑制漏电流的生成并且简化了过程。
根据本公开的一个方面，提供了一种有机发光显示装置，包括：基板；第一电极和辅助电极，其设置在基板上；堤岸图案，其设置在第一电极的一部分上和辅助电极的一部分上，并且被划分成第一区域和设置在第一区域下方的第二区域；障壁，其设置在辅助电极的上表面的一部分上，并且被划分成具有倒锥形形状的第三区域以及在第三区域下方并具有锥形形状的第四区域；有机发光层，其设置在除了相邻于障壁的辅助电极的区域之外的基板上；以及第二电极，其设置在有机发光层上，并且与辅助电极接触。
本文中，障壁的第三区域的最大宽度可以大于障壁的第四区域的最大宽度。此外，堤岸图案的第一区域具有倒锥形形状，并且堤岸图案的第二区域具有锥形形状。
此外，有机发光层包括第一非设置区域至第三非设置区域。本文中，有机发光层的第一非设置区域对应于堤岸图案的两个侧表面的部分区域。有机发光层的第二非设置区域对应于障壁的第三区域的两个侧表面。有机发光层的第三非设置区域对应于障壁的第四区域的两个侧表面以及辅助电极的上表面的通过有机发光层露出的部分。
根据示例性实施方式，在具有大尺寸的有机发光显示装置中，阴极电极和辅助电极可以容易地彼此接触。由此，可以抑制由阴极电极的电阻造成的电压降。
此外，根据示意性实施方式，在有机发光显示装置中，有机发光层包括：第一非设置区域，其在堤岸图案的第三区域的侧表面的一部分上。由此，可以抑制由有机发光层的厚度的变化造成的漏电流，并且可以简化形成障壁的过程。
附图说明
将结合附图从下面的详细描述中更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和其他优点，在附图中：
图1是简单地示出根据示例性实施方式的有机发光显示装置的视图；
图2是简单地示出根据另一示例性实施方式的有机发光显示装置的视图；
图3是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的平面图；
图4是沿根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的线A-A’截取的截面图；
图5是示出根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的堤岸图案和障壁的视图；
图6A至图6C是示出本公开的堤岸图案和障壁的制造方法的视图；
图7是示出根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的堤岸图案和障壁的视图；
图8是根据本公开的又一实施方式的有机发光显示装置的截面图；
图9是示出根据示例性实施方式的子像素与辅助电极之间的设置关系的平面图；
图10是示出根据另一示例性实施方式的子像素与辅助电极之间的设置关系的平面图；以及
图11是示出根据又一示例性实施方式的子像素与辅助电极之间的设置关系的平面图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施方式。下文中引入的示例性实施方式被提供作为示例，以将其精神传达给本领域普通技术人员。因此，本公开不限于下面的示例性实施方式，而是可以以不同的形状实施。此外，在附图中出于便捷的原因，装置的尺寸和厚度可能被表现为是夸大的。遍及本说明书中，相同的附图标记一般指示相同的元件。
从下面参照附图描述的示例性实施方式中将更清楚地理解本公开的优点和特征以及用于实现该优点和特征的方法。然而，本公开不限于下面的示例性实施方式，而是可以以各种不同的形式实施。示例性实施方式仅提供以完成对本公开的公开，以及向本公开所属领域的普通技术人员提供本发明的类别，并且本公开将由所附权利要求限定。遍及本说明书中，相同的附图标记通常指代相同的元件。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸和相对尺寸可以夸大。
当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，其可以直接在另一元件或层上，或者可以存在中间元件或层。同时，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不能存在任何中间元件。
为了描述方便，如附图中所示，空间关系术语如“下方”、“以下”、“下”、“上方”以及“上”在本文中可以用来描述一个元件或多个部件与其他(一个或多个)元件或(一个或多个)部件的关系。应理解的是，除了图中所描绘的定向之外，空间关系术语旨在包括使用或操作的元件的不同定向。例如，如果附图中的元件被翻转，则被描述在在其他元件“下方”或“以下”的元件接着会被定向为在所述其他元件“上方”。由此，示例性术语“下方”可以包括上方和下方的方向两者。
本文中使用的术语仅提供用于对示例性实施方式的说明而不旨在限制本公开。如本文中所使用的，除了上下文另有明确指示，否则单数术语包括复数形式。术语“包含”和/或“包括”指定所阐述的部件、步骤、操作和/或元件的存在，但不排除一个或更多个其他部件、步骤、操作和/或元件的存在或添加。
图1是简单地示出根据示例性实施方式的有机发光显示装置的视图。参照图1，根据示例性实施方式的有机发光显示装置10包括基板100、栅极驱动器GD、多个栅极线GL、数据驱动器DD、多个数据线DL、辅助电极130以及多个子像素SP。
基板100可以是由塑料、玻璃、陶瓷等形成的绝缘基板。如果基板100由塑料形成，则基板100可以是柔性的。然而，基板100的材料不限于此。基板100可以由金属形成。
此外，栅极驱动器GD向多个栅极线GL依次供应扫描信号。例如，栅极驱动器GD是控制电路，并且响应于从定时控制器(未示出)供应的控制信号向多个栅极线GL供应扫描信号。接着，根据扫描信号来选择子像素SP，并且依次向子像素SP供应数据信号。
多个栅极线GL设置在基板100上，并且沿第一方向延伸。栅极线GL包括多个扫描线SL1至SLn。多个扫描线SL1至SLn连接至栅极驱动器GD，并且被供应有来自栅极驱动器GD的扫描信号。
此外，数据驱动器DD响应于从外部(如定时控制器(未示出))供应的控制信号向选自数据线DL中的数据线DL1至DLm供应数据信号。每当扫描信号被供应至扫描线SL1至SLn时，供应至数据线DL1至DLm的数据信号就被供应至根据扫描信号选择的子像素SP。由此，子像素SP充有与数据信号对应的电压，并且以与其对应的亮度发光。
本文中，数据线DL沿第二方向设置，以与栅极线GL交叉。此外，数据线DL包括多个数据线DL1至DLm，并且包括驱动电源线VDDL。此外，多个数据线DL1至DLm连接至数据驱动器DD，并且被供应有来自数据驱动器DD的数据信号。此外，驱动电源线VDDL连接至外部的第一电源VDD，并且被供应有来自第一电源VDD的驱动电力。
同时，有机发光显示装置分为顶部发光有机发光显示装置、底部发光有机发光显示装置以及双发光有机发光显示装置。本文中，在任何类型的有机发光显示装置中，在具有大尺寸的显示面板的整个表面上形成阴极电极时，可能出现阴极电极的电压降。由此，为了解决该问题，可以在非发光区域中形成辅助电极或辅助线。在下文中，将在下面的示例性实施方式中描述顶部发光显示装置。然而，本公开的示例性实施方式不限于顶部发光显示装置，而是可以应用于能够抑制阴极电极的电压降的任何显示装置。
辅助电极130可以设置在基板100上，以与多个数据线DL1至DLm平行。即，辅助电极130可以沿第二方向设置。本文中，虽然在附图中未示出，但是可以进一步设置更多的与数据线DL1至DLm平行的辅助线。
辅助电极130不限于此，而是可以设置在基板100上以与多个扫描线SL1至SLn平行。即，辅助电极130可以沿第一方向设置。由于辅助电极130，有机发光显示装置10可以响应于有机发光元件(未示出)的阴极电极(未示出)的电阻以及周围部分与中央部分之间所产生的亮度差而抑制电压降。
下文中，将参照图2描述根据本发明的另一示例性实施方式的有机发光显示装置。图2是简单地示出根据另一示例性实施方式的有机发光显示装置的视图。根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置可以包括与上述示例性实施方式的部件相同的部件。可以省略其多余的描述。此外，相同的部件将被分配相同的附图标记。
参照图2，有机发光显示装置20包括：多个扫描线SL1至SLn，其沿第一方向设置在基板100上；以及数据线DL1至DLm，其沿第二方向设置以与扫描线SL1至SLn交叉。此外，有机发光显示装置20包括设置在基板上的多个辅助电极230。
具体地，有机发光显示装置20包括设置为与多个扫描线SL1至SLn平行的多个第一辅助电极231以及设置为与多个数据线DL1至DLm平行的多个第二辅助电极232。即，辅助电极230可以以网状形式设置在基板100上。因此，辅助电极230可以设置为各种形状。此外，虽然在附图中未示出，但是可以进一步设置与数据线DL1至DLm平行的辅助线。由于辅助电极230，有机发光显示装置20可以响应于有机发光元件(未示出)的阴极电极(未示出)的电阻以及周围部分与中央部分之间所产生的亮度差而抑制电压降。
下文中，将参照图3至图7来详细描述包括辅助电极和辅助线的有机发光显示装置。
图3是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的平面图。图4是沿根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的线A-A’截取的截面图。图5是示出根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的堤岸图案和障壁的视图。图6A至图6C是示出本公开的堤岸图案和障壁的制造方法的视图。图7是示出根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的堤岸图案和障壁的视图。
参照图3，根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置包括：有源层102，其设置在基板100上；栅电极103；数据线DLm-1和DLm；源电极106a，其从数据线DLm-1和DLm分支；漏电极106b，其设置为与源电极106a分隔开；以及辅助线110，其设置在与连接电极109(其将源电极106a和漏电极106b相连接)的同一层上，并且由与源电极106a和漏电极106b相同的材料形成。
此外，有机发光元件的第一电极120通过使漏电极106b露出的第一接触孔170而与漏电极106b接触。下文中，第一电极120可以是有机发光元件的阳极电极。
此外，辅助电极130形成在与第一电极120同一层上，并且由与第一电极120相同的材料形成。辅助电极130可以沿水平方向和垂直方向设置，并且由此设置为网状形式。然而，辅助电极130的设置形式不限于此，以及辅助电极130可以沿水平方向和垂直方向中的任一个方向设置。
此外，辅助线通过第二接触孔180与辅助电极130接触。另外，堤岸图案150设置为使辅助电极130的一部分露出。辅助电极130的没有被堤岸图案150露出的区域与有机发光显示元件的第二电极(未示出)接触，并且由此，第二电极(未示出)的电压降得到抑制。虽然在附图中未示出，但是在辅助电极130的被堤岸图案150露出的部分上设置有由与堤岸图案150相同材料形成的障壁(未示出)，以使辅助电极130与第二电极(未示出)接触。
待与根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示元件的第二电极接触的辅助电极位于像素区域之间，并且由与第一电极、源电极/漏电极或者将它们电连接的连接电极M3相同的材料形成。由此，可以在没有附加的掩模的情况下执行形成辅助线的过程。
此外，根据本公开的示例性实施方式的辅助电极和辅助线被没有区别地使用。另外，在通过使辅助电极/辅助线与有机发光层之间的距离增大而使辅助线连接至有机发光元件的第二电极时，由于有机发光层与第二电极材料之间的台阶覆盖差，辅助线和第二电极可以被连接，但是在辅助线与第二电极之间不允许引入有机发光层。由此，辅助电极与第二电极之间的接触区域可以增大。
下面将参照作为沿线A-A’截取的截面图的图4来对其细节进行描述。参照图4，基板100包括像素区域和接触区域。本文中，在基板100的像素区域上设置有薄膜晶体管Tr和有机发光元件EL。此外，辅助电极130和第二电极122在基板100的接触区域处相连接。
具体地，在基板100上设置有缓冲层101，并且在缓冲层101上设置有有源层102。在有源层102的沟道层(未示出)上设置有栅极绝缘膜105。栅电极103形成在栅极绝缘膜105上。
栅电极103可以通过将Cu、Mo、Al、Ag、Ti或由其组合形成的合金中的至少一种进行层叠而形成。然而，栅电极103的材料不限于此，而是可以使用通常用于栅电极和栅极线的材料。此外，虽然在附图中栅电极103被示为单个金属层，但是在一些情况下，栅电极103可以通过将至少两个金属层进行层叠来形成。
在栅电极103上设置有第一层间绝缘膜104。此外，源电极106a和漏电极106b设置在层间绝缘膜104上以彼此隔开。源电极106a和漏电极106b通过形成在层间绝缘膜104中的第一接触孔与有源层102接触。
本文中，源电极106a和漏电极106b可以通过将Cu、Mo、Al、Ag、Ti以及由其组合形成的合金、或者为透明导电材料的ITO、IZO和ITZO中的至少一种进行层叠而形成。然而，源电极106a和漏电极106b的材料不限于此，源电极106a和漏电极106b可以由通常用于数据线的材料形成。此外，虽然在附图中源电极106a和漏电极106b中的每一个示为单个金属层，但是在一些情况下源电极106a和漏电极106b中的每一个可以通过将至少两个金属层进行层叠而形成。因此，薄膜晶体管Tr可以设置在基板100上。
为了保护源电极106a和漏电极106b，在包括薄膜晶体管Tr的基板100上设置有第二层间绝缘膜107和第一平坦膜108。在第一平坦膜108上，设置有连接至薄膜晶体管Tr的漏电极106b的连接电极109，并且辅助线110与连接电极109在同一层上。本文中，辅助线110可以由与连接电极109相同的材料形成，但是不限于此。辅助线110可以由与栅电极103或源电极106a/漏电极106b相同的材料形成。
辅助线110电连接至有机发光元件EL的第二电极122，并且可以抑制由第二电极122的电阻造成的电压降。本文中，辅助线110可以形成为适合于有机发光显示装置的宽度和厚度，以改进大尺寸显示装置的电压降。此外，可以基于辅助线110的宽度、长度、厚度以及材料的种类来计算辅助线110的电阻。
如上所述，辅助线110设置在第一平坦膜108上。由此，辅助线110基本上平坦，这意味着辅助线110形成为不具有台阶部。然而，根据本公开的示例性实施方式的辅助线110不限于此。如果第一平坦膜108没有形成为足够大的厚度，则第一平坦膜108可能由于设置在其下方的部件而具有台阶部。因此，辅助线110也可能具有台阶部。
本文中，由于辅助线110设置在第一平坦膜108上，所以可以使可能在薄膜晶体管Tr的部件之间生成的寄生电容的影响最小化。因此，第一平坦膜108可以形成为足够大的厚度，以抑制辅助线110与薄膜晶体管Tr的部件之间的寄生电容。
此外，辅助线110设置在有机发光元件EL的第一电极120下方。由此，辅助线110可以与设置有第一电极120的面积的大小无关地形成。因此，可以增加设置第一电极120的面积的大小，并且由此，可以进一步增加发光区域。
在包括连接电极109和辅助线110的基板100上设置有第二平坦膜111。本文中，为了将有机发光元件EL的第一电极120连接至薄膜晶体管Tr的漏电极106b，需要在第一平坦膜108和第二平坦膜111中形成接触孔。在形成接触孔时，由于平坦膜形成为双层，所以难以使接触孔形成为使漏电极106b露出。因此，连接电极109设置在第一平坦膜108与第二平坦膜111之间，并且由此，使漏电极106b与第一电极120电连接变得容易。
此外，有机发光元件EL的通过接触孔与连接电极109接触的第一电极120设置在第二平坦膜111上。此外，通过接触孔与辅助线110接触的辅助电极130设置在与第一电极120同一层上。辅助电极130能够解决电压降的问题。
本文中，第一电极120可以由具有高的功函数的透明导电材料形成。例如，第一电极120可以由选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)以及ZnO的组中的任一种形成。虽然在附图中第一电极120被示为单层，但是第一电极120可以形成为包括反射层和透明导电层的多层。
辅助电极130可以由与第一电极120相同的材料形成，但不限于此。辅助电极130可以由与栅电极103、源电极106a/漏电极106b、连接电极109或辅助线110相同的材料形成。辅助电极130可以用于将辅助线110与有机发光元件EL的第二电极电连接。
堤岸图案150可以设置在第一电极120和辅助电极130的两个侧表面上。即，堤岸图案150可以设置为使辅助电极130和第一电极120的上表面的一部分露出。此外，在辅助电极130的其上表面被堤岸图案150部分露出的上表面的露出部分上设置有障壁160。本文中，障壁160可以设置在与堤岸图案150同一层上，并且由与堤岸图案150相同的材料形成。障壁160可以在辅助电极130附近切开有机发光层131。那么，辅助电极130可以便于与第二电极接触。
下文中，将参照图5来详细描述堤岸图案150和障壁160的形状。参照图5，堤岸图案150包括：第一区域151，其具有宽度从基板100逐渐增大的倒锥形形状；以及第二区域152，其具有宽度从基板100逐渐减小的锥形形状，并且设置在第一区域151下方。此外，障壁160可以包括具有倒锥形形状的第三区域161和在第三区域161下方的具有锥形形状的第四区域162。
本文中，堤岸图案150可以由热固性负性光致抗蚀剂形成。在使用热固性负性光致抗蚀剂150a形成堤岸图案150时(参照图6A至图6C)，随着在曝光过程期间掩模500与热固性负性光致抗蚀剂150a之间的距离增加，光510从掩模500的端部散射。由于光510的散射，在热固性负性光致抗蚀剂150a的端部与中央部分之间的曝光量不同。由此，热固性负性光致抗蚀剂150a可能形成为倒锥形形状。
在热固性负性光致抗蚀剂150a的曝光过程之后，经固化的热固性负性光致抗蚀剂150b、150c的下部分可通过施加300℃或更小的热511的热处理过程而形成为锥形形状。具体地，热固性负性光致抗蚀剂150a的中央部分被供应足够的曝光量，并且由此被完全引发。然而，热固性负性光致抗蚀剂150a的端部由于光510的散射而被供应不足的曝光量，并且由此与中央部分相比没有被充分引发。接着，在用于对热固性负性光致抗蚀剂150a进行固化的热处理过程期间，首先对热固性负性光致抗蚀剂150a的已经被充分引发的中央部分进行固化。使热固性负性光致抗蚀剂150b、150c显影。
通过对热固性负性光致抗蚀剂150a进行固化同时调节热处理的持续时间，可以在热固性负性光致抗蚀剂150b的下部分处形成突起150c。由此，经固化的热固性负性光致抗蚀剂的上部分可以形成为倒锥形形状，并且热固性负性光致抗蚀剂的下部分可以形成为锥形形状。
因此，可以形成包括倒锥形形状和锥形形状二者的堤岸图案150b、150c。此外，可以通过与形成堤岸图案150b、150c相同的过程在与堤岸图案150b、150c同一层上形成障壁图案。
可以通过使用半色调掩模600的曝光过程来最终确定按照这样形成的堤岸图案150b、150c以及障壁图案的形状。例如，在堤岸图案150b、150c以及障壁图案上形成负性光致抗蚀剂，并且在其上形成有负性光致抗蚀剂的基板上设置包括遮蔽部600a、透射部600d以及半透射部600c的半色调掩模600。本文中，透射部600d使光透过，而半透射部600c与透射部600d相比使较少的光透过。遮蔽部600a完全遮蔽光。
半色调掩模600的透射部600d设置成对应于障壁图案，并且半透射部600c设置成对应于堤岸图案150b、150c。此外，遮蔽部600a设置成对应于未设置堤岸图案150b、150c和障壁的其他区域。使用半色调掩模600去除形成在未设置堤岸图案150b、150c以及障壁的区域上的热固性负性光致抗蚀剂。接着，对形成在堤岸图案150b、150c上的负性光致抗蚀剂进行灰化。在这种情况下，设置在障壁上的负性光致抗蚀剂被部分去除。接着，使用在障壁上剩余的负性光致抗蚀剂作为掩模来蚀刻堤岸图案150b、150c的上部分的一部分。光致抗蚀剂可以是正性光致抗蚀剂。在这种情况下，半色调掩模600的图案可以相反地形成。
在使用半色调掩模600的曝光过程和显影过程之后，堤岸图案150和障壁160中的每一个可以形成为具有倒锥形形状和锥形形状二者。因此，堤岸图案150和障壁160可以通过相同的过程形成。然而，形成本公开的堤岸图案150和障壁160的过程不限于此。可以采用能够形成具有倒锥形形状和锥形形状的堤岸图案150和障壁160的任何过程。
在使用半色调掩模600的曝光过程和显影过程之后，堤岸图案150和障壁160的高度可以不同。本文中，经过使用半色调掩模600的曝光过程和显影过程的堤岸图案150和障壁160的高度可以取决于曝光和显影的曝光量或持续时间而被改变。具体地，障壁160的高度可以高于堤岸图案150的高度。更具体地，障壁160的第三区域161的高度可以高于堤岸图案150的第一区域151的高度。
本文中，在使用半色调掩模600的曝光过程和显影过程期间，仅蚀刻堤岸图案150的第一区域151的一部分，堤岸图案150的第二区域152的高度可以与障壁160的第四区域162的高度相同。在这种情况下，堤岸图案150的第二区域152的高度可以被限定为从有机发光元件EL的第一电极120的上表面至堤岸图案150的第二区域152与第一区域151之间的接触点的长度。此外，障壁160的第四区域162的高度可以被限定为从有机发光元件EL的第一电极120的上表面至障壁160的第四区域162至第三区域161之间的接触点的长度。
即，堤岸图案150的第二区域152和障壁160的第四区域162具有相同的高度，并且堤岸图案150的第一区域151的高度低于障壁160的第三区域161的高度。由此，堤岸图案150的整体高度可以低于障壁160的整体高度。本文中，由于堤岸图案150的高度低于障壁160的高度，所以堤岸图案150与障壁160之间的开放区域可以形成为大的尺寸。由此，有机发光元件EL的第二电极122可以在辅助电极130的露出的上表面上设置为宽的范围。
如图4和图5中所示，有机发光元件EL的有机发光层131a、131b、131c、141设置在其上设置有堤岸图案150和障壁160的基板100上。在这种情况下，有机发光层131a、131b、131c、141可以通过线性沉积或涂覆方法形成。例如，有机发光层131a、131b、131c、141可以通过蒸镀形成。通过上述方法形成的有机发光层131a、131b、131c、141可以包括在基板100上的第一非设置区域151a和151b、第二非设置区域161a和161b以及第三非设置区域162a和162b。
本文中，有机发光层131a、131b、131c、141的第一非设置区域151a和151b对应于堤岸图案150的第一区域151的两个侧表面的部分区域。有机发光层131a、131b、131c、141的第二非设置区域161a和161b对应于障壁160的第三区域161的两个侧表面。有机发光层131a、131b、131c、141的第三非设置区域162a和162b对应于障壁160的第四区域162的两个侧表面以及辅助电极130的上表面的通过有机发光层131a、131b、131c、141露出的部分。
具体地，有机发光层131a、131b、131c、141可以设置在堤岸图案150的上表面上，堤岸图案150的两个侧表面的多个部分上，以及障壁160的上表面上。本文中，设置在堤岸图案150的两个侧表面的多个部分上的有机发光层131b、131c可以设置为使具有倒锥形形状的第一区域151的形成锥角的区域露出。
更具体地，由于有机发光层131a、131b、131c、141通过线性沉积或涂覆方法形成，所以在具有台阶部的区域上或在具有倒锥形结构的区域(如堤岸图案150)上不形成有机发光层131a、131b、131c、141。因此，在堤岸图案150的第一区域151的两个侧表面的形成锥角的部分区域上没有沉积或涂覆有机发光层131a、131b、131c、141。
此外，在具有倒锥形结构的障壁160周围没有沉积或涂覆有机发光层131a、131b、131c、141。具体地，有机发光层131a、131b、131c、141仅形成在障壁160的第三区域161的上表面上，而不形成在障壁160的第三区域161的两个侧表面上以及第四区域162周围。更具体地，有机发光层131a、131b、131c、141可以形成为使第三区域161的两个侧表面以及第四区域162周围的辅助电极130的上表面的一部分露出。
有机发光元件EL的第二电极122可以设置在其上设置有有机发光层131a、131b、131c、141的基板100上。本文中，第二电极122可以通过非定向沉积或涂覆方法形成。例如，第二电极122可以通过溅射形成。这样的方法具有优异的台阶覆盖性，并且由此，可以容易地在具有台阶部或倒锥形形状的结构上形成第二电极122。
因此，第二电极122可以容易地设置在具有倒锥形形状的堤岸图案150上以及障壁160周围。具体地，第二电极122可以设置在除了障壁160的第三区域161的两个侧表面之外的任何区域上。本文中，在障壁160的第三区域161的两个侧表面之间无法引入第二电极122。由此，第二电极122没有形成在第三区域161的两个侧表面上。
即，第二电极122可以设置为与堤岸图案150的第一区域151的两个侧表面的没有设置有机发光层131a、131b、131c、141的部分区域上的堤岸图案150接触。此外，第二电极122可以设置在其上表面由于没有设置有机发光层131a、131b、131c、141而被部分露出的辅助电极130上。即，第二电极122可以设置为与辅助电极130的上表面的一部分接触。
本文中，第二电极122在堤岸图案150的第一区域151的两个侧表面周围的厚度可以减小，并且在障壁160的第四区域162周围的辅助电极130上的厚度可以减小。这是因为虽然形成第二电极122，但是第二电极122的材料的路径被堤岸图案150的具有倒锥形形状的第一区域151和障壁160的第三区域161阻挡。
然而，由于有机发光层131a、131b、131c、141设置为使辅助电极130的上表面的一部分露出，所以第二电极122和辅助电极130可以在辅助电极130的上表面的露出区域处彼此完全接触。由此，第二电极122的电阻可以减小。
换言之，由于堤岸图案150的第一区域151具有小的高度，所以堤岸图案150的第一区域151的最大宽度可以小于堤岸图案150的第二区域152的最大宽度。此外，由于障壁160的第三区域161具有大的高度，所以第三区域161的最大宽度可以大于障壁160的第四区域162的最大宽度。
同时，由于有机发光层131a、131b、131c、141是通过线性沉积或涂覆方法形成的，所以随着具有倒锥形形状的第一区域151和第三区域161的最大宽度增加，用于有机发光层131a、131b、131c、141的区域减少。即，随着第一区域151和第三区域161的高度和最大宽度增加，被第一区域151和第三区域161的最宽的部分覆盖的区域增加。由此，用于通过线性沉积或涂覆方法形成的有机发光层131a、131b、131c、141的区域减小。
即，由于障壁160的具有倒锥形形状的第三区域161的最大宽度大于第四区域162的最大宽度，所以可以抑制将有机发光层131a、131b、131c、141的材料引入到设置辅助电极130的区域中。具体地，由于第三区域161的最大宽度大于第四区域162的最大宽度，所以第三区域161可以形成为与堤岸图案150的第二区域152以及辅助电极130的上表面的通过障壁160的第四区域162露出的部分重叠。由此，第三区域161覆盖辅助电极130的上表面的一部分。因此，可以抑制有机发光层131a、131b、131c、141在辅助电极130的整个表面上的沉积或涂覆。
即，有机发光层131a、131b、131c、141可以设置为使辅助电极130的上表面的一部分露出。因此，可以取决于障壁160的第三区域161的高度对其中可以使第二电极122和辅助电极130彼此接触的区域进行调节。因此，可以有效地减小第二电极122的电阻。
此外，常规有机发光层形成为在有机发光元件的堤岸图案与第一电极之间的边界处形成为大的厚度，并且由此，常规有机发光层具有在堤岸图案与第一电极之间的边界处的漏电流的问题。然而，根据本公开的示例性实施方式的堤岸图案150包括具有倒锥形形状的第一区域151。因此，有机发光层131a、131b、131c、141包括在第一区域151的两个侧表面的部分区域上的第一非设置区域151a和151b。由此，可以抑制漏电流的生成。即，堤岸图案150和第二电极122被设置为在有机发光层131a、131b、131c、141的第一非设置区域151a和151b中彼此接触，并且有机发光层131a、131b、131c、141的造成漏电流的配置被消除。因此，可以抑制漏电流的生成。
此外，由于堤岸图案150的第一区域151的最大宽度小于第二区域152的最大宽度，所以有机发光层131a、131b、131c、141可以包括在堤岸图案150与第一电极120之间的边界处的第一非设置区域151a和151b，以不影响发光区域。换言之，根据本公开的示例性实施方式，即使有机发光层131a、131b、131c、141包括非设置区域，发光区域也不会减少，而漏电流的生成也得到抑制。由此，可以抑制黑点或亮点的生成。
下文中，将参照图7来描述根据本公开的另一示例性实施方式的堤岸图案的形状。根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置可以包括与上述示例性实施方式的部件相同的部件。可以省略其多余的描述。此外，相同的部件将被分配相同的附图标记。
参照图7，根据本公开的另一示例性实施方式的堤岸图案250包括第一区域251和第二区域252。堤岸图案250的第一区域251形成为倒锥形形状，并且堤岸图案250的第二区域252形成为锥形形状。
在这种情况下，堤岸图案250的第一区域251的最大宽度可以大于堤岸图案250的第二区域252的最大宽度。由此，有机发光层131a、131b、131c、141的第一非设置区域251a和251b的尺寸可以增加。因此，可以进一步抑制由于有机发光层131a、131b、131c、141的大的厚度造成的漏电流的生成。
下文中，将参照图8来描述根据本公开的又一示例性实施方式的有机发光显示装置。图8是根据本公开的又一示例性实施方式的有机发光显示装置的截面图。根据本公开的又一示例性实施方式的有机发光显示装置可以包括与上述示例性实施方式的部件相同的部件。可以省略其多余的描述。此外，相同的部件将被分配相同的附图标记。
图8是示出以下的平面图：在图4的截面图中示出的第二层间绝缘膜108、连接电极109以及辅助线110不包括在根据本公开的又一示例性实施方式的有机发光显示装置中，并且有机发光元件EL的第一电极120直接连接至薄膜晶体管Tr的漏电极106b。本文中，由于不包括第二层间绝缘膜108、连接电极109以及辅助线110，所以可以减少掩模的数目和过程的数目。
此外，本公开的辅助电极和障壁可以设置在各个位置处。将参照图9至图11描述其细节。图9是示出根据示例性实施方式的子像素与辅助电极之间的设置关系的平面图。参照图9，在有机发光显示装置的基板100上设置有多个像素区域P。在像素区域P上设置有多个子像素。
具体地，像素区域P可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3以及第四子像素SP4。在附图中，像素区域P包括四个子像素，但不限于此。像素区域P可以包括三个子像素。
本文中，第一子像素SP1可以是白色(W)子像素，第二子像素SP2可以是红色(R)子像素，第三子像素SP3可以是绿色(G)子像素，并且第四子像素SP4可以是蓝色(B)子像素，但不限于此。
本文中，第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3、SP4可以通过堤岸图案350被限定为发光区域EA和非发光区域NEA。即，通过堤岸图案350露出的区域可以是发光区域EA，而设置有堤岸图案350的区域可以是非发光区域NEA。在这种情况下，非发光区域NEA可以包括设置有辅助电极330的区域。
此外，辅助电极330可以设置在第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3、SP4下方。即，单个辅助电极330可以包括在每个子像素中。本文中，辅助电极330可以设置为与栅极线(未示出)平行，或者可以设置为与数据线(未示出)平行。
可以在辅助电极330的上表面的一部分上设置障壁360。本文中，堤岸图案350和障壁360可以设置在同一层上，并且由相同的材料形成。此外，堤岸图案350和障壁360中的每一个可以形成为具有倒锥形形状和锥形形状二者。
此外，虽然在附图中辅助电极330被示为设置在第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3、SP4下方，但是本公开不限于此。辅助电极330可以设置在每个子像素的上部分或侧部分上。即，在本公开的示例性实施方式中，单个辅助电极330对于每个子像素是足够的。因此，由于辅助电极330设置在每个子像素中，所以可以通过子像素来控制有机发光显示装置的电压差。
图10是示出根据另一示例性实施方式的子像素与辅助电极之间的设置关系的平面图。根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置可以包括与上述示例性实施方式的部件相同的部件。可以省略其多余描述。此外，相同的部件将被分配相同的附图标记。参照图10，在基板100上设置有包括多个子像素SP1、SP2、SP3以及SP4的像素区域P。
此外，可以在像素区域P下方设置辅助电极430。即，单个辅助电极430可以包括在每个像素区域P中。本文中，辅助电极430可以设置为与栅极线(未示出)平行，或者可以设置为与数据线(未示出)平行。
可以在辅助电极430上设置障壁460，障壁460设置在与堤岸图案450同一层上并且由与堤岸图案450相同的材料形成。堤岸图案450和障壁460中的每一个可以形成为具有倒锥形形状和锥形形状二者。
虽然在附图中辅助电极430被示为设置在像素区域P下方，但是本公开不限于此。辅助电极430可以设置在像素区域P的上部分或侧部分上。即，在本公开的示例性实施方式中，单个辅助电极430对于每个像素区域P是足够的。因此，由于单个辅助电极430设置在每个子像素中，所以可以通过像素区域来控制有机发光显示装置的电压差。
图11是示出根据又一示例性实施方式的子像素与辅助电极之间的设置关系的平面图。根据本公开的又一示例性实施方式的有机发光显示装置可以包括与上述示例性实施方式的部件相同的部件。可以省略其多余的描述。此外，相同的部件将被分配相同的附图标记。
参照图11，在基板100上设置有第一像素区域P1和第二像素区域P2(第一像素区域P1和第二像素区域P2每一个均包括多个子像素SP1、SP2、SP3以及SP4)。本文中，第一像素区域P1和第二像素区域P2设置为彼此相邻。例如，第一像素区域P1可以位于第二像素区域P2上。
本文中，可以在第一像素区域P1与第二像素区域P2之间设置辅助电极530。具体地，辅助电极530可以设置在布置于第一像素区域P1中的一个子像素与布置于第二像素区域P2中的对应的子像素之间。
例如，辅助电极530可以设置在布置于第一像素区域P1中的第二子像素SP2与布置于第二像素区域P2中的第二子像素SP2之间。本文中，第二子像素SP2可以是白色(W)子像素。
虽然在附图中辅助电极530被示为设置在第一像素区域P1中的白色(W)子像素与第二像素区域P2中的白色(W)子像素之间，但是本公开不限于此。辅助电极530可以设置在第一像素区域P1中的红色(R)子像素与第二像素区域P2中的红色(R)子像素之间。此外，辅助电极530可以设置在第一像素区域P1中的绿色(G)子像素与第二像素区域P2中的绿色(G)子像素之间。替代地，辅助电极530可以设置在第一像素区域P1中的蓝色(B)子像素与第二像素区域P2中的蓝色(B)子像素之间。
可以在辅助电极530上设置障壁560，障壁560设置在与堤岸图案550同一层上并且由与堤岸图案550相同的材料形成。堤岸图案550和障壁560中的每一个可以形成为具有倒锥形形状和锥形形状二者。
此外，虽然单个辅助电极530被示为设置在本公开的示例性实施方式中的两个像素区域之间，但是本公开不限于此。多个像素区域可以共用单个辅助电极530。因此，由于多个像素区域包括辅助电极530，所以可以通过多个像素区域来控制有机发光显示装置的电压差。
以上示例性实施方式中所述的特征、结构、效果等包括在至少一个示例性实施方式中，但是不限于一个示例性实施方式。此外，可以由本领域技术人员在相对于其他实施方式进行组合或修改时执行各个示例性实施方式中所述的特征、结构、效果等。因此，应理解的是，涉及组合和变型的内容将包括在本公开的范围内。
此外，应理解的是，上述示例性实施方式应仅以描述的意义考虑，而不用于限制目的。本领域技术人员应理解的是，可以在不脱离示例性实施方式的精神和范围的情况下，在其中进行各种其他变型和应用。例如，可以在修改时执行示例性实施方式中详细示出的各个部件。

Claims (21)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
第一电极和辅助电极，所述第一电极和所述辅助电极设置在所述基板上；
堤岸图案，其设置在所述第一电极的一部分上和所述辅助电极的一部分上；
障壁，其设置在所述辅助电极上，并且被划分为具有倒锥形形状的第三区域以及在所述第三区域下方并具有锥形形状的第四区域；
有机发光层，其设置在除了相邻于所述障壁的所述辅助电极的区域之外的所述基板上；以及
第二电极，其设置在所述有机发光层上，并且与所述辅助电极接触。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述堤岸图案被划分为第一区域和在所述第一区域下方的第二区域，其中，所述堤岸图案的第一区域具有倒锥形形状以及/或者所述堤岸图案的第二区域具有锥形形状。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述堤岸图案的高度小于所述障壁的高度。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述堤岸图案的第二区域具有锥形形状。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述堤岸图案的第二区域的高度与所述障壁的第四区域的高度相同。
6.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述堤岸图案的第一区域的最大宽度小于所述第二区域的最大宽度。
7.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述堤岸图案的第一区域的最大宽度大于所述第二区域的最大宽度。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述障壁的第三区域的最大宽度大于所述第四区域的最大宽度。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光层包括第一非设置区域、第二非设置区域以及第三非设置区域，
所述有机发光层的第一非设置区域对应于所述堤岸图案的第一区域的两个侧表面的部分区域，
所述有机发光层的第二非设置区域对应于所述障壁的第三区域的两个侧表面，以及
所述有机发光层的第三非设置区域对应于所述障壁的第四区域的两个侧表面以及所述辅助电极的上表面的一部分。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述第二电极设置为在所述有机发光层的第一非设置区域中与所述堤岸图案接触。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二电极设置为与所述障壁和所述堤岸图案所露出的所述辅助电极的上表面接触。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二电极的厚度随着所述第二电极接近所述障壁的第四区域而逐渐减小。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括：
辅助线，其设置在所述辅助电极下方。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述基板包括多个子像素区域，并且单个辅助电极设置为对应于所述子像素区域中的每一个。
15.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述基板包括：像素区域，其每一个均包括三个至四个子像素，并且单个辅助电极设置为对应于所述像素区域中的每一个。
16.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述辅助电极设置为对应于两个或更多个像素区域。
17.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述辅助电极以网状形式设置在所述基板上。
18.一种用于有机发光显示装置的制造方法，包括：
在基板上形成有机发光元件的第一电极和辅助电极；
在所述基板上形成第一光致抗蚀剂；
通过使光穿过掩模照射在所述第一光致抗蚀剂上，将与所述第一电极的端部和所述辅助电极的端部以及所述辅助电极的上表面的部分区域重叠的区域上的第一光致抗蚀剂形成为倒锥形形状；
通过对形成为所述倒锥形形状的所述第一光致抗蚀剂执行热处理，将所述第一光致抗蚀剂的上区域形成为倒锥形形状，并且将所述第一光致抗蚀剂的下区域形成为锥形形状；
除了形成在与所述第一电极的端部和所述辅助电极的端部以及所述辅助电极的上表面的部分区域重叠的任何区域上的第一光致抗蚀剂之外，去除其他区域中形成的第一光致抗蚀剂；以及
在所述基板上形成有机发光层和第二电极。
19.根据权利要求18所述的用于有机发光显示装置的制造方法，其中，除了与所述第一电极的端部和所述辅助电极的端部以及所述辅助电极的上表面的部分区域重叠的区域之外去除任何其他区域上形成的第一光致抗蚀剂包括：
在所述基板上形成第二光致抗蚀剂；
设置掩模，所述掩模包括：半透射部，其面对与所述第一电极的端部和所述辅助电极的端部重叠的区域；透射部，其面对所述辅助电极的上表面的部分区域；以及遮蔽部，其面对除了与所述第一电极的端部和所述辅助电极的端部以及所述辅助电极的上表面的部分区域重叠的区域之外的其他区域；
使用所述掩模，蚀刻所述第二光致抗蚀剂的对应于与所述第一电极的端部和所述辅助电极的端部重叠的区域的一部分以及所述第二光致抗蚀剂的对应于除了与所述第一电极的端部和所述辅助电极的端部以及所述辅助电极的上表面的部分区域重叠的区域之外的其他区域的一部分；以及
使用剩余的第二光致抗蚀剂作为掩模，去除在除了与所述第一电极的端部和所述辅助电极的端部以及所述辅助电极的上表面的部分区域重叠的区域之外的其他区域上形成的第一光致抗蚀剂。
20.根据权利要求19所述的用于有机发光显示装置的制造方法，进一步包括：
在去除在除了与所述第一电极的端部和所述辅助电极的端部以及所述辅助电极的上表面的部分区域重叠的区域之外的任何其他区域上形成的第一光致抗蚀剂之后，
对在所述辅助电极的上表面的部分区域上形成的第二光致抗蚀剂的一部分以及与所述辅助电极的端部和所述第一电极的端部重叠的区域上形成的第二光致抗蚀剂进行灰化；以及
使用在所述辅助电极的上表面的部分区域上形成的第二光致抗蚀剂作为掩模，蚀刻在与所述第一电极的端部和所述辅助电极的端部重叠的区域上形成的第一光致抗蚀剂的一部分。
21.根据权利要求18所述的用于有机发光显示装置的制造方法，其中，所述第一光致抗蚀剂是热固性光致抗蚀剂。
CN201610618108.6A 2015-07-29 2016-07-29 有机发光显示装置 Active CN106409870B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150107497A KR102348876B1 (ko) 2015-07-29 2015-07-29 유기발광 표시장치
KR10-2015-0107497 2015-07-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106409870A true CN106409870A (zh) 2017-02-15
CN106409870B CN106409870B (zh) 2019-10-15

Family

ID=56555303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610618108.6A Active CN106409870B (zh) 2015-07-29 2016-07-29 有机发光显示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10854693B2 (zh)
EP (1) EP3125294B1 (zh)
KR (1) KR102348876B1 (zh)
CN (1) CN106409870B (zh)
TW (1) TWI617022B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107799663A (zh) * 2016-08-31 2018-03-13 乐金显示有限公司 具有分隔壁的有机发光显示装置
CN108538890A (zh) * 2018-04-20 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示装置
WO2019085045A1 (zh) * 2017-10-30 2019-05-09 武汉华星光电技术有限公司 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法
CN109887954A (zh) * 2017-11-30 2019-06-14 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN110164948A (zh) * 2019-06-13 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 一种像素界定层、制作方法和显示面板
CN110911585A (zh) * 2019-11-29 2020-03-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法及显示装置
CN111081898A (zh) * 2019-12-13 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN111584761A (zh) * 2020-05-28 2020-08-25 合肥京东方卓印科技有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
US11063235B2 (en) 2019-12-13 2021-07-13 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel comprising auxiliary electrode layer and manufacturing method thereof
WO2021189565A1 (zh) * 2020-03-26 2021-09-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示模组及电子装置
CN113871433A (zh) * 2021-09-17 2021-12-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
WO2023226080A1 (zh) * 2022-05-24 2023-11-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制作方法、电子设备

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017072678A1 (en) 2015-10-26 2017-05-04 Oti Lumionics Inc. Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating
KR102506532B1 (ko) 2015-12-17 2023-03-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102656232B1 (ko) * 2016-08-31 2024-04-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 어레이 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
CN108336107A (zh) * 2017-01-19 2018-07-27 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管（oled）阵列基板及其制备方法、显示装置
JP6831257B2 (ja) 2017-02-10 2021-02-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
US10468623B2 (en) * 2017-02-16 2019-11-05 Joled Inc. Organic EL display panel and method of manufacturing organic EL display panel
CN116583131A (zh) 2017-04-26 2023-08-11 Oti照明公司 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
US11043636B2 (en) 2017-05-17 2021-06-22 Oti Lumionics Inc. Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating
CN108933154B (zh) * 2017-05-26 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN109103215B (zh) * 2017-06-21 2021-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置
KR101976832B1 (ko) * 2017-11-06 2019-05-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102392503B1 (ko) * 2017-11-07 2022-04-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102489043B1 (ko) * 2017-12-27 2023-01-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
KR102471117B1 (ko) * 2018-03-09 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102527230B1 (ko) 2018-03-09 2023-05-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2019215591A1 (en) 2018-05-07 2019-11-14 Oti Lumionics Inc. Method for providing an auxiliary electrode and device including an auxiliary electrode
CN109216585B (zh) * 2018-09-17 2020-03-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
KR102652769B1 (ko) * 2018-10-01 2024-04-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US11239221B2 (en) * 2018-11-02 2022-02-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and fabrication method thereof, and electronic apparatus
KR20200082504A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 조명 장치
JP7390739B2 (ja) 2019-03-07 2023-12-04 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス
WO2020261191A1 (en) 2019-06-26 2020-12-30 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
CN114342068A (zh) * 2019-08-09 2022-04-12 Oti照明公司 包含辅助电极和分区的光电子装置
CN111063813B (zh) * 2019-12-05 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled器件结构及其制备方法
KR20210074716A (ko) * 2019-12-12 2021-06-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11197384B1 (en) * 2020-06-29 2021-12-07 Quanta Computer Inc. Tool-less latch system for a node sled
WO2022123431A1 (en) 2020-12-07 2022-06-16 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
KR20230147650A (ko) * 2021-02-19 2023-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN113270425B (zh) * 2021-05-14 2022-06-17 长沙惠科光电有限公司 阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板
CN113270426B (zh) * 2021-05-14 2022-07-22 长沙惠科光电有限公司 阵列基板及显示面板
CN116367596B (zh) * 2023-05-11 2023-08-11 惠科股份有限公司 显示面板及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020089280A1 (en) * 2001-01-08 2002-07-11 Chia-Tin Chung Structure and method of manufacturing organic electroluminescent element
CN104124259A (zh) * 2013-04-23 2014-10-29 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN104253144A (zh) * 2013-06-28 2014-12-31 乐金显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
CN104733500A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其修复方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4016144B2 (ja) * 2003-09-19 2007-12-05 ソニー株式会社 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置
KR101430533B1 (ko) * 2008-01-04 2014-08-22 솔브레인 주식회사 네거티브 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이기판의 제조 방법
EP2503851B1 (en) 2009-11-17 2018-07-11 Unified Innovative Technology, LLC Organic el display
KR102004305B1 (ko) * 2011-02-11 2019-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법, 그리고 조명 장치 및 표시 장치
KR102020805B1 (ko) * 2012-12-28 2019-09-11 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102241441B1 (ko) * 2013-06-28 2021-04-19 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
KR102227455B1 (ko) 2013-10-08 2021-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102278160B1 (ko) * 2013-12-23 2021-07-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 리페어 방법
KR102399435B1 (ko) 2014-12-26 2022-05-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020089280A1 (en) * 2001-01-08 2002-07-11 Chia-Tin Chung Structure and method of manufacturing organic electroluminescent element
CN104124259A (zh) * 2013-04-23 2014-10-29 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN104253144A (zh) * 2013-06-28 2014-12-31 乐金显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
CN104733500A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其修复方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107799663B (zh) * 2016-08-31 2020-04-07 乐金显示有限公司 具有分隔壁的有机发光显示装置
US10720599B2 (en) 2016-08-31 2020-07-21 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device having a partition wall
CN107799663A (zh) * 2016-08-31 2018-03-13 乐金显示有限公司 具有分隔壁的有机发光显示装置
WO2019085045A1 (zh) * 2017-10-30 2019-05-09 武汉华星光电技术有限公司 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法
CN109887954A (zh) * 2017-11-30 2019-06-14 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN109887954B (zh) * 2017-11-30 2023-07-11 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN108538890A (zh) * 2018-04-20 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示装置
WO2019200666A1 (zh) * 2018-04-20 2019-10-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示装置
CN110164948B (zh) * 2019-06-13 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种像素界定层、制作方法和显示面板
CN110164948A (zh) * 2019-06-13 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 一种像素界定层、制作方法和显示面板
CN110911585A (zh) * 2019-11-29 2020-03-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法及显示装置
CN110911585B (zh) * 2019-11-29 2022-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法及显示装置
CN111081898A (zh) * 2019-12-13 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
US11063235B2 (en) 2019-12-13 2021-07-13 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel comprising auxiliary electrode layer and manufacturing method thereof
CN111081898B (zh) * 2019-12-13 2021-02-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
WO2021189565A1 (zh) * 2020-03-26 2021-09-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示模组及电子装置
US11404524B2 (en) 2020-03-26 2022-08-02 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel, display module, and electronic device
CN111584761A (zh) * 2020-05-28 2020-08-25 合肥京东方卓印科技有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN111584761B (zh) * 2020-05-28 2022-12-02 合肥京东方卓印科技有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN113871433A (zh) * 2021-09-17 2021-12-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
WO2023226080A1 (zh) * 2022-05-24 2023-11-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制作方法、电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW201705469A (zh) 2017-02-01
CN106409870B (zh) 2019-10-15
EP3125294B1 (en) 2020-04-22
US20170033166A1 (en) 2017-02-02
EP3125294A1 (en) 2017-02-01
TWI617022B (zh) 2018-03-01
KR20170015637A (ko) 2017-02-09
US10854693B2 (en) 2020-12-01
KR102348876B1 (ko) 2022-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106409870B (zh) 有机发光显示装置
CN107342304B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN107565041B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US20220367583A1 (en) Large area organic light-emitting diode display
KR102394427B1 (ko) 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법
KR102578834B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN108231830A (zh) 有机发光显示装置
TWI624096B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
CN109244269A (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
KR20200049336A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN106997893A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
KR102624878B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102554279B1 (ko) 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법
JP2023030049A (ja) 表示パネルとそのリペア方法
KR20160053376A (ko) 고 개구율 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판
KR20210072360A (ko) 유기발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant