CN110808340B - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置。该显示基板包括：背板；在背板一侧的晶体管层；在晶体管层的远离背板一侧的第一平坦化层；在第一平坦化层的远离晶体管层一侧的辅助阴极层；在辅助阴极层的远离第一平坦化层一侧的第二平坦化层；以及在第二平坦化层的远离辅助阴极层一侧的发光元件层。发光元件层包括主阴极层。主阴极层与辅助阴极层电连接。在本公开中，辅助阴极层被设置在背板一侧，可以减小在制造过程中对发光元件的损伤。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)技术的成熟，目前越来越多的客户和研发公司追求高性能的OLED显示面板，比如高PPI(Pixels Per Inch，每英寸像素数，也即像素密度)的显示面板。顶发射技术是实现高PPI显示的有效手段之一。对于顶发射技术，需要透明阴极和反射阳极的开发。而目前透明阴极使用比较广泛的是IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)，其透过率高。但是，IZO的电阻率比较大，若将其使用在中大尺寸的显示面板中，则IZO阴极的阻抗比较大。由于IZO阴极的阻抗较大，其阴极上的压降(或者叫做电压抬升Vss IR Rise)比较大，导致显示面板的显示效果较差。因此，对于中大尺寸的顶发射技术的显示面板，可以设置电阻率较小的金属层作为阴极的辅助线，以降低阴极上的阻抗。这种技术叫做辅助阴极开发技术。
在已知的辅助阴极设计中，大尺寸显示面板的辅助阴极被设置在上盖板上。通过贴合方式，将辅助阴极与透明阴极搭接，实现降低阴极阻抗的目的。
发明内容
本公开的发明人发现，上述已知技术需要在盖板侧制作辅助阴极，然后将辅助阴极与透明阴极搭接，这种搭接的方式对发光器件容易造成比较大的损伤。
鉴于此，本公开的实施例提供了一种显示基板，减小对发光元件的损伤。
根据本公开实施例的一个方面，提供了一种显示基板，包括：背板；在所述背板一侧的晶体管层；在所述晶体管层的远离所述背板一侧的第一平坦化层；在所述第一平坦化层的远离所述晶体管层一侧的辅助阴极层；在所述辅助阴极层的远离所述第一平坦化层一侧的第二平坦化层；以及在所述第二平坦化层的远离所述辅助阴极层一侧的发光元件层，所述发光元件层包括主阴极层，所述主阴极层与所述辅助阴极层电连接。
在一些实施例中，所述第一平坦化层的材料和所述第二平坦化层的材料分别为有机绝缘材料。
在一些实施例中，所述第一平坦化层的厚度范围为0.5微米至5微米；所述第二平坦化层的厚度范围为0.5微米至5微米。
在一些实施例中，所述发光元件层还包括：用于定义像素发光开口的像素界定层；在所述第二平坦化层的远离所述辅助阴极层一侧的阳极层，其中，所述阳极层与所述晶体管层电连接；以及在所述阳极层的远离所述第二平坦化层一侧的发光功能层，其中，所述发光功能层在所述像素发光开口中；其中，所述主阴极层在所述发光功能层的远离所述阳极层的一侧。
在一些实施例中，所述显示基板还包括：与所述阳极层处于同一层且与所述阳极层隔离开的导电层；所述主阴极层通过穿过所述像素界定层的第一过孔与所述导电层电连接，所述导电层通过穿过所述第二平坦化层的第二过孔与所述辅助阴极层电连接。
在一些实施例中，所述第一过孔在所述背板上的正投影与所述第二过孔在所述背板上的正投影不重叠。
在一些实施例中，所述第一过孔在所述背板上的正投影与所述第二过孔在所述背板上的正投影至少部分重叠。
在一些实施例中，所述辅助阴极层呈网格形状。
在一些实施例中，所述显示基板包括显示区和围绕所述显示区的周边区；其中，所述辅助阴极层设置在所述显示区中。
在一些实施例中，所述主阴极层与用于传输公共接地端电压信号的公共导线电连接，所述公共导线设置在所述周边区，所述辅助阴极层通过所述主阴极层与所述公共导线电连接。
在一些实施例中，所述晶体管层包括：在所述背板一侧的有源层；在所述有源层的远离所述背板一侧的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的远离所述有源层一侧的栅极层；以及分别与所述有源层电连接的第一电极和第二电极，其中，所述阳极层通过穿过所述第一平坦化层和所述第二平坦化层的第三过孔与所述第一电极电连接。
在一些实施例中，所述显示基板还包括：在所述背板与所述晶体管层之间的缓冲层；以及在所述缓冲层与所述背板之间的遮挡层，其中，所述遮挡层在所述背板上的正投影与所述发光功能层在所述背板上的正投影至少部分重叠。
根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种显示装置，包括：如前所述的显示基板。
根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种显示基板的制造方法，包括：在背板的一侧形成晶体管层；在所述晶体管层的远离所述背板一侧形成第一平坦化层；在所述第一平坦化层的远离所述晶体管层一侧形成辅助阴极层；在所述辅助阴极层的远离所述第一平坦化层一侧形成第二平坦化层；以及在所述第二平坦化层的远离所述辅助阴极层一侧形成发光元件层，所述发光元件层包括主阴极层，所述主阴极层与所述辅助阴极层电连接。
在一些实施例中，形成发光元件层的步骤包括：在第二平坦化层的远离所述辅助阴极层一侧形成阳极层，其中，所述阳极层与所述晶体管层电连接；形成覆盖所述阳极层的像素界定层，所述像素界定层形成有露出所述阳极层的至少一部分的像素发光开口；在所述像素发光开口中且在所述阳极层上形成发光功能层；以及在所述发光功能层的远离所述阳极层的一侧形成所述主阴极层。
在一些实施例中，在形成所述阳极层的过程中，还形成与所述阳极层处于同一层且与所述阳极层隔离开的导电层；形成所述导电层的步骤包括：形成穿过所述第二平坦化层的第二过孔，所述第二过孔露出所述辅助阴极层的一部分，以及形成通过所述第二过孔与所述辅助阴极层的所述一部分电连接的导电层；形成所述主阴极层的步骤包括：形成穿过所述像素界定层的第一过孔，所述第一过孔露出所述导电层的至少一部分，以及形成通过所述第一过孔与所述导电层的所述至少一部分电连接的主阴极层。
在一些实施例中，所述第一过孔在所述背板上的正投影与所述第二过孔在所述背板上的正投影不重叠。
在一些实施例中，所述第一过孔在所述背板上的正投影与所述第二过孔在所述背板上的正投影至少部分重叠。
在一些实施例中，形成所述晶体管层的步骤包括：在所述背板一侧形成有源层；在所述有源层的远离所述背板一侧形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的远离所述有源层一侧形成栅极层；以及形成分别与所述有源层电连接的第一电极和第二电极；形成所述阳极层的步骤包括：形成穿过所述第一平坦化层和所述第二平坦化层的第三过孔，以及形成通过所述第三过孔与所述第一电极电连接的所述阳极层。
在一些实施例中，在形成所述晶体管层之前，所述制造方法还包括：在所述背板的一侧形成遮挡层；以及形成覆盖所述遮挡层和所述背板的缓冲层；其中，所述晶体管层形成在所述缓冲层的远离所述背板的一侧；在形成所述发光功能层之后，所述遮挡层在所述背板上的正投影与所述发光功能层在所述背板上的正投影至少部分重叠。
上述显示基板包括：背板、在背板一侧的晶体管层、在晶体管层的远离背板一侧的第一平坦化层、在第一平坦化层的远离晶体管层一侧的辅助阴极层、在辅助阴极层的远离第一平坦化层一侧的第二平坦化层、以及在第二平坦化层的远离辅助阴极层一侧的发光元件层。发光元件层包括主阴极层。该主阴极层与辅助阴极层电连接。因此，在该显示基板中，辅助阴极层被设置在背板一侧，即没有将辅助阴极层设置在盖板一侧，因此可以减小在制造过程中对发光元件的损伤。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：
图1是示出根据本公开一个实施例的显示基板的截面示意图；
图2是示出根据本公开另一个实施例的显示基板的截面示意图；
图3是示出根据本公开一个实施例的显示基板的俯视图；
图4是示出沿着图3中的线A-A'截取的结构的截面示意图；
图5是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造方法的流程图；
图6是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中一个阶段的结构的截面示意图；
图7是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图；
图8是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图；
图9是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图。
应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中，当描述到特定器件位于第一器件和第二器件之间时，在该特定器件与第一器件或第二器件之间可以存在居间器件，也可以不存在居间器件。当描述到特定器件连接其它器件时，该特定器件可以与所述其它器件直接连接而不具有居间器件，也可以不与所述其它器件直接连接而具有居间器件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
本公开的发明人发现，上述已知技术需要在盖板侧制作辅助阴极，然后将辅助阴极与透明阴极搭接，这种搭接的方式对发光器件容易造成比较大的损伤。
鉴于此，本公开的实施例提供了一种显示基板，从而可以将辅助阴极层设置在背板一侧，从而减小在制造过程中对发光元件的损伤。
图1是示出根据本公开一个实施例的显示基板的截面示意图。
如图1所示，该显示基板包括背板100和在背板100一侧的晶体管层110。例如，该晶体管层100可以包括：在背板100一侧的有源层111、在有源层111的远离背板一侧的栅极绝缘层112、在栅极绝缘层112的远离有源层111一侧的栅极层113、以及分别与有源层111电连接的第一电极114和第二电极115。例如，第一电极114为源极，第二电极115为漏极。又例如，第一电极114为漏极，第二电极115为源极。
如图1所示，该显示基板还可以包括在晶体管层110的远离背板100一侧的第一平坦化层121。例如，该第一平坦化层121的材料为有机绝缘材料(例如，PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯，也称为亚克力)或树脂等)。在一些实施例中，该第一平坦化层121的厚度范围为0.5微米至5微米。例如，该第一平坦化层的厚度可以为1微米、2微米或3微米等。
如图1所示，该显示基板还可以包括在第一平坦化层121的远离晶体管层110一侧的辅助阴极层130。在一些实施例中，该辅助阴极层130的材料可以包括金属材料。例如，该辅助阴极层130的材料可以包括铜、铝、钛或银等。又例如，该辅助阴极层可以为Ti/Al/Ti(钛/铝/钛)三层结构。
如图1所示，该显示基板还可以包括在辅助阴极层130的远离第一平坦化层121一侧的第二平坦化层122。例如，第二平坦化层122的材料为有机绝缘材料(例如，PMMA或树脂等)。在一些实施例中，第二平坦化层122的厚度范围为0.5微米至5微米。例如，该第二平坦化层的厚度可以为1微米、2微米或3微米等。
如图1所示，该显示基板还可以包括在第二平坦化层122的远离辅助阴极层130一侧的发光元件层140。该发光元件层140包括主阴极层141。该主阴极层141与辅助阴极层130电连接。例如，该主阴极层141为透明电极层。
至此，提供了根据本公开一些实施例的显示基板。该显示基板包括：背板、在背板一侧的晶体管层、在晶体管层的远离背板一侧的第一平坦化层、在第一平坦化层的远离晶体管层一侧的辅助阴极层、在辅助阴极层的远离第一平坦化层一侧的第二平坦化层、以及在第二平坦化层的远离辅助阴极层一侧的发光元件层。发光元件层包括主阴极层。该主阴极层与辅助阴极层电连接。因此，在该显示基板中，辅助阴极层被设置在背板一侧，即辅助阴极层没有被设置在盖板一侧，因此可以减小在制造过程中对发光元件的损伤。
本公开实施例可以通过增加背板层别的方式将辅助阴极层制作在背板上，在显示区内实现辅助阴极与透明阴极(即主阴极层)的搭接，以降低主阴极层的阻抗，从而减小电压抬升。
另外，由于辅助阴极层不与其他结构层同层，因此该辅助阴极层可以制作的尺寸比较大，从而可以使得该辅助阴极层被应用到较大尺寸的显示基板中。
在上面的实施例中，在辅助阴极层的上方和下方都设置有平坦化层(例如平坦有机膜)。该平坦化层可以起到平坦背板膜层的效果。而且设置两层平坦化层，其平坦效果更佳。再者，上述平坦化层(例如第一平坦化层)可以降低因辅助阴极层的存在而造成的信号线的寄生电容的增加量。例如，该辅助阴极层可以设计得比较宽，因此其与信号线交叠面积可能比较大，上述平坦化层(例如第一平坦化层)可以增加辅助阴极层与信号线之间的厚度，从而降低信号线上的寄生电容值。平坦化层的厚度可以为微米级别，因此信号线上的电容值增加量不会太多。较厚的平坦化层也可以确保新增辅助阴极尽量不会造成显示面板的不良率的增加。
在一些实施例中，如图1所示，发光元件层140还可以包括像素界定层142。该像素界定层142用于定义像素发光开口145。该发光元件层140还可以包括在第二平坦化层122的远离辅助阴极层130一侧的阳极层143。该阳极层143与晶体管层110电连接。例如，该阳极层143通过第三过孔163与第一电极114电连接。该第三过孔163穿过第一平坦化层121和第二平坦化层122。上述像素界定层142覆盖该阳极层143的一部分。该发光元件层140还可以包括在阳极层143的远离第二平坦化层122一侧的发光功能层144。该发光功能层144在像素发光开口145中。主阴极层141在发光功能层144的远离阳极层143的一侧。
在一些实施例中，如图1所示，该显示基板还可以包括：与阳极层143处于同一层且与该阳极层143隔离开的导电层150。该导电层150的材料与阳极层143的材料相同。
需要说明的是，“同一层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺对该膜层图案化所形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的。这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
如图1所示，主阴极层141通过第一过孔161与导电层150电连接。该第一过孔161穿过像素界定层142。导电层150通过第二过孔162与辅助阴极层130电连接。该第二过孔162穿过第二平坦化层122。也就是说，在显示区内，辅助阴极层与主阴极层通过上述导电层来搭接的。在一些实施例中，如图1所示，第一过孔161在背板100上的正投影与第二过孔162在背板100上的正投影不重叠。即，在辅助阴极层与主阴极层搭接的位置，用于搭接的第一过孔和第二过孔是错开的，这可以尽量防止发生由于主阴极层到阳极层的高度差过大所导致的断裂问题。
在一些实施例中，如图1所示，该显示基板还可以包括在背板100与晶体管层110之间的缓冲层170。该显示基板还可以包括在缓冲层170与背板100之间的遮挡层180。该遮挡层180在背板100上的正投影与发光功能层144在背板100上的正投影至少部分重叠。该遮挡层可以用于遮挡外界环境光，以减小外界环境光对薄膜晶体管特性的影响。另外，该遮挡层也可用于像素中的存储电容或者走线。该遮挡层的材料可以为不透光的导体，例如Mo(钼)或MoNb(钼铌)等。
在一些实施例中，如图1所示，该显示基板还可以包括在第一平坦化层121与晶体管层110之间的无机保护层190。该无机保护层可以用来防止源极或漏极层的金属被氧化。例如源极或漏极的材料为铜，在源极或漏极暴露时间过长的情况下可能会被氧化。例如该无机保护层190的材料可以包括绝缘材料(例如氮化硅等)。上述第三过孔163还可以穿过该无机保护层190。当然，本领域技术人员能够理解，上述显示基板也可以不设置该无机保护层。
在一些实施例中，如图1所示，该显示基板还可以包括在缓冲层170与无机保护层190之间的层间电介质层175。例如，该层间电介质层175的材料可以包括二氧化硅或氮化硅等。
图2是示出根据本公开另一个实施例的显示基板的截面示意图。图2所示的显示基板的结构与图1所示的显示基板的结构类似。这里，图2中与图1相似的结构将不再赘述。与图1所示的显示基板相比，图2所示的显示基板的不同之处在于：第一过孔161在背板100上的正投影与第二过孔162在背板100上的正投影至少部分重叠。例如，第二过孔162在背板100上的正投影位于第一过孔161在背板100上的正投影的内部。也就是说，在该实施例中，第一过孔和第二过孔采用了套孔的方式，这样可以节省版图空间。
图3是示出根据本公开一个实施例的显示基板的俯视图。
在一些实施例中，如图3所示，该辅助阴极层130呈网格形状。该网格形状的辅助阴极层可以更好的降低压降，并且可降低串扰(Cross talk)。另外，该网格形状可以防止电荷在辅助阴极层上积累，从而有利于显示基板工作。
在一些实施例中，如图3所示，显示基板130可以包括显示区10和围绕该显示区的周边区20。该辅助阴极层130设置在显示区10中。
在一些实施例中，如图3所示，主阴极层141与用于传输公共接地端电压信号Vss的公共导线210电连接。该公共导线210设置在周边区20。该公共导线210可以通过第四过孔164、第五过孔和第六过孔(后面图4将示出第五过孔和第六过孔)与主阴极层141电连接。该辅助阴极层130通过主阴极层141与公共导线210电连接。即，在该实施例中，该辅助阴极层130不直接与公共导线210电连接，而是通过主阴极层141来与公共导线电连接。
如果辅助阴极层与周边区的公共导线210直接连接，则可能需要将辅助阴极跨接到该公共导线，这可能会增加不良风险。而上述实施例中，辅助阴极层通过主阴极层与公共导线电连接，可以降低辅助阴极层与其他导线跨接所导致的不良风险。
当然，本领域技术人员应该理解，辅助阴极层也可以直接与公共导线电连接。
仿真模拟和实际实验测试结果显示，对于辅助阴极直接连接公共导线和间接连接公共导线，其辅助阴极对阴极压降的效果几乎一样。
图4是示出沿着图3中的线A-A'截取的结构的截面示意图。
如图4所示，主阴极层141可以通过第四过孔164与第一金属层230电连接。该第四过孔164穿过像素界定层142和第二平坦化层122。该第一金属层230可以与阳极层143处于同一层。例如，该第一金属层230的材料与该阳极层143的材料相同。
如图4所示，该第一金属层230通过第五过孔165与第二金属层220电连接。该第五过孔165穿过无机保护层190。该第二金属层220可以与第一电极114或第二电极115处于同一层。例如，该第二金属层220的材料与第一电极114或第二电极115的材料相同。
如图4所示，该第二金属层220通过第六过孔166与公共导线210电连接。该第六过孔166穿过层间电介质层175。该公共导线210可以与栅极层113处于同一层。例如，该公共导线210的材料与栅极层113的材料相同。
至此，上述实施例描述了主阴极层141与公共导线210电连接的方式。通过这样的连接，公共导线210可以将公共接地端电压信号Vss传输到主阴极层。即，阴极信号(即公共接地端电压信号Vss)通过外围线路供给主阴极层。该阴极信号进入显示面板后，可以通过背板走线被传输到主阴极层和辅助阴极层。
本公开的实施例的显示面板可以不受像素电路结构、Vss信号的驱动方式、Vss信号的供给方式、背板TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的结构的限制。另外，本公开实施例的显示基板可以适用于顶栅极结构(Top Gate)或底栅极结构(例如，BCE(BackChannel Etch，背沟道刻蚀)结构或ESL(Electronic Stop Layer，电子阻挡层)结构等)。
在本公开的一些实施例中，还提供了一种显示装置。该显示装置可以包括如前所述的显示基板(例如图1或图2所示的显示基板)。例如，该显示装置可以为：显示面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
图5是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造方法的流程图。图6至图9是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中若干阶段的结构的截面示意图。下面结合图5、图6至图9、以及图1详细描述根据本公开一些实施例的显示基板的制造过程。
如图5所示，在步骤S502，在背板的一侧形成晶体管层。
图6示出了根据本公开一些实施例的在步骤S502的结构的截面示意图。
例如，如图6所示，在形成晶体管层之前，所述制造方法还可以包括：在背板100的一侧形成遮挡层180；以及形成覆盖该遮挡层180和背板100的缓冲层170。
接下来，形成晶体管层110。该晶体管层110形成在缓冲层170的远离背板100的一侧。下面描述形成晶体管层的过程。
如图6所示，在背板100一侧形成有源层111。例如通过沉积和图案化工艺在缓冲层170的远离背板100的一侧形成有源层111。
接下来，如图6所示，利用沉积和图案化工艺等在有源层111的远离背板100一侧形成栅极绝缘层112。
接下来，如图6所示，利用沉积和图案化工艺等在栅极绝缘层112的远离有源层111一侧形成栅极层113。
接下来，如图6所示，形成分别与有源层111电连接的第一电极114和第二电极115。例如，如图6所示，可以先形成覆盖有源层111、栅极绝缘层112和栅极层113的层间电介质层175；然后对层间电介质层175进行图案化，从而形成露出有源层111的部分的两个通孔；利用沉积和图案化工艺形成穿过该两个通孔的第一电极114和第二电极115。该第一电极114和该第二电极115分别与有源层111接触。
至此，形成了在背板100的一侧的晶体管层110。
回到图5，在步骤S504，在晶体管层的远离背板一侧形成第一平坦化层。
图7示出了根据本公开一些实施例的在步骤S504的结构的截面示意图。如图7所示，在晶体管层110的远离背板100一侧形成第一平坦化层121。
在一些实施例中，可以先形成覆盖图6所示的结构的无机保护层190；然后在无机保护层190的远离背板100一侧形成第一平坦化层121。
回到图5，在步骤S506，在第一平坦化层的远离晶体管层一侧形成辅助阴极层。
图8示出了根据本公开一些实施例的在步骤S506的结构的截面示意图。如图8所示，可以通过沉积和图案化工艺在第一平坦化层121的远离晶体管层110一侧形成辅助阴极层130。
回到图5，在步骤S508，在辅助阴极层的远离第一平坦化层一侧形成第二平坦化层。
图9示出了根据本公开一些实施例的在步骤S508的结构的截面示意图。如图9所示，在辅助阴极层130的远离第一平坦化层121一侧形成第二平坦化层122。
回到图5，在步骤S510，在第二平坦化层的远离辅助阴极层一侧形成发光元件层，该发光元件层包括主阴极层，主阴极层与辅助阴极层电连接。
图1示出了根据本公开一些实施例的在步骤S510的结构的截面示意图。下面结合图1描述形成发光元件层的过程。
如图1所示，在第二平坦化层122的远离辅助阴极层130一侧形成阳极层143。该阳极层143与晶体管层110电连接。在一些实施例中，形成该阳极层的步骤可以包括：形成穿过第一平坦化层121和第二平坦化层122的第三过孔163，以及形成通过第三过孔163与第一电极114电连接的阳极层143。例如，如果存在无机保护层的话，上述第三过孔163还可以穿过该无机保护层。
在一些实施例中，在形成阳极层143的过程中，还形成与阳极层143处于同一层且与该阳极层143隔离开的导电层150。例如，形成导电层150的步骤可以包括：形成穿过第二平坦化层122的第二过孔162。该第二过孔162露出辅助阴极层130的一部分。形成导电层150的步骤还可以包括：形成通过该第二过孔162与辅助阴极层130的所述一部分电连接的导电层150。
接下来，如图1所示，例如通过沉积和图案化工艺形成覆盖阳极层143的像素界定层142。该像素界定层142形成有露出阳极层143的至少一部分的像素发光开口145。
接下来，如图1所示，在像素发光开口145中且在阳极层143上形成发光功能层144。在形成发光功能层之后，遮挡层180在背板100上的正投影与发光功能层144在背板100上的正投影至少部分重叠。
接下来，如图1所示，在发光功能层144的远离阳极层143的一侧形成主阴极层141。
例如，形成主阴极层144的步骤可以包括：例如通过图案化工艺形成穿过像素界定层142的第一过孔161。该第一过孔161露出导电层150的至少一部分。例如，如图1所示，第一过孔161在背板100上的正投影与第二过孔162在背板100上的正投影不重叠。形成主阴极层144的步骤还可以包括：形成通过第一过孔161与导电层150的所述至少一部分电连接的主阴极层141。
在上述实施例中，描述了形成发光元件层的过程。
至此，描述了根据本公开一些实施例的显示基板的制造方法。该制造方法包括：在背板的一侧形成晶体管层；在晶体管层的远离背板一侧形成第一平坦化层；在第一平坦化层的远离晶体管层一侧形成辅助阴极层；在辅助阴极层的远离第一平坦化层一侧形成第二平坦化层；以及在第二平坦化层的远离辅助阴极层一侧形成发光元件层。该发光元件层包括主阴极层。该主阴极层与辅助阴极层电连接。在该制造方法中，辅助阴极层形成在背板一侧，即没有将辅助阴极层形成在盖板一侧，因此可以减小在制造过程中对发光元件的损伤。
上面描述了在第一过孔和第二过孔错开的情况下的显示基板的制造过程。
在另一些实施例中，第一过孔161在背板100上的正投影与第二过孔162在背板100上的正投影至少部分重叠。也就是说，第一过孔和第二过孔采用了套孔的方式。在第一过孔和第二过孔采用套孔的情况下的显示基板的制造方法与前面所述的制造方法类似，区别在于：在两种制造过程中，第一过孔161与第二过孔162的相对位置不同。例如，对于第一过孔和第二过孔采用套孔的情况，在制造这两个过孔的过程中，可以使得两个过孔的位置可以基本对准即可。
至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (12)

1.一种显示基板，包括：
背板；
在所述背板一侧的晶体管层；
在所述晶体管层的远离所述背板一侧的第一平坦化层；
在所述第一平坦化层的远离所述晶体管层一侧的辅助阴极层；
在所述辅助阴极层的远离所述第一平坦化层一侧的第二平坦化层；以及
在所述第二平坦化层的远离所述辅助阴极层一侧的发光元件层，所述发光元件层包括主阴极层，所述主阴极层与所述辅助阴极层电连接；
其中，所述发光元件层还包括：用于定义像素发光开口的像素界定层；在所述第二平坦化层的远离所述辅助阴极层一侧的阳极层，其中，所述阳极层与所述晶体管层电连接；以及在所述阳极层的远离所述第二平坦化层一侧的发光功能层，其中，所述发光功能层在所述像素发光开口中；其中，所述主阴极层在所述发光功能层的远离所述阳极层的一侧；
所述显示基板还包括：与所述阳极层处于同一层且与所述阳极层隔离开的导电层；其中，所述主阴极层通过穿过所述像素界定层的第一过孔与所述导电层电连接，所述导电层通过穿过所述第二平坦化层的第二过孔与所述辅助阴极层电连接；
所述第二过孔在所述背板上的正投影位于所述第一过孔在所述背板上的正投影的内部，所述第一过孔与所述第二过孔在交界处形成台阶，所述导电层覆盖在所述台阶上；
所述显示基板包括显示区和围绕所述显示区的周边区，在所述显示区，所述主阴极层通过第四过孔与第一金属层电连接，所述第一金属层通过第五过孔与第二金属层电连接，所述第五过孔穿过无机保护层，所述第二金属层通过第六过孔与公共导线电连接，所述第四过孔在所述背板上的正投影、所述第五过孔在所述背板上的正投影和所述第六过孔在所述背板上的正投影交叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，
所述第一平坦化层的材料和所述第二平坦化层的材料分别为有机绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，
所述第一平坦化层的厚度范围为0.5微米至5微米；
所述第二平坦化层的厚度范围为0.5微米至5微米。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的显示基板，其中，
所述辅助阴极层呈网格形状。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的显示基板，其中，
所述辅助阴极层设置在所述显示区中。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，
所述主阴极层与用于传输公共接地端电压信号的公共导线电连接，所述公共导线设置在所述周边区，所述辅助阴极层通过所述主阴极层与所述公共导线电连接。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其中，
所述晶体管层包括：
在所述背板一侧的有源层；
在所述有源层的远离所述背板一侧的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层的远离所述有源层一侧的栅极层；以及
分别与所述有源层电连接的第一电极和第二电极，其中，所述阳极层通过穿过所述第一平坦化层和所述第二平坦化层的第三过孔与所述第一电极电连接。
8.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：
在所述背板与所述晶体管层之间的缓冲层；以及
在所述缓冲层与所述背板之间的遮挡层，其中，所述遮挡层在所述背板上的正投影与所述发光功能层在所述背板上的正投影至少部分重叠。
9.一种显示装置，包括：如权利要求1至8任意一项所述的显示基板。
10.一种显示基板的制造方法，包括：
在背板的一侧形成晶体管层；
在所述晶体管层的远离所述背板一侧形成第一平坦化层；
在所述第一平坦化层的远离所述晶体管层一侧形成辅助阴极层；
在所述辅助阴极层的远离所述第一平坦化层一侧形成第二平坦化层；以及
在所述第二平坦化层的远离所述辅助阴极层一侧形成发光元件层，所述发光元件层包括主阴极层，所述主阴极层与所述辅助阴极层电连接；
其中，形成发光元件层的步骤包括：在第二平坦化层的远离所述辅助阴极层一侧形成阳极层，其中，所述阳极层与所述晶体管层电连接；形成覆盖所述阳极层的像素界定层，所述像素界定层形成有露出所述阳极层的至少一部分的像素发光开口；在所述像素发光开口中且在所述阳极层上形成发光功能层；以及在所述发光功能层的远离所述阳极层的一侧形成所述主阴极层；
在形成所述阳极层的过程中，还形成与所述阳极层处于同一层且与所述阳极层隔离开的导电层；
形成所述导电层的步骤包括：形成穿过所述第二平坦化层的第二过孔，所述第二过孔露出所述辅助阴极层的一部分，以及形成通过所述第二过孔与所述辅助阴极层的所述一部分电连接的导电层；
形成所述主阴极层的步骤包括：形成穿过所述像素界定层的第一过孔，所述第一过孔露出所述导电层的至少一部分，以及形成通过所述第一过孔与所述导电层的所述至少一部分电连接的主阴极层；
其中，所述第二过孔在所述背板上的正投影位于所述第一过孔在所述背板上的正投影的内部，所述第一过孔与所述第二过孔在交界处形成台阶，所述导电层覆盖在所述台阶上；
所述显示基板包括显示区和围绕所述显示区的周边区，在所述显示区，所述主阴极层通过第四过孔与第一金属层电连接，所述第一金属层通过第五过孔与第二金属层电连接，所述第五过孔穿过无机保护层，所述第二金属层通过第六过孔与公共导线电连接，所述第四过孔在所述背板上的正投影、所述第五过孔在所述背板上的正投影和所述第六过孔在所述背板上的正投影交叠。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，
形成所述晶体管层的步骤包括：在所述背板一侧形成有源层；在所述有源层的远离所述背板一侧形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的远离所述有源层一侧形成栅极层；以及形成分别与所述有源层电连接的第一电极和第二电极；
形成所述阳极层的步骤包括：形成穿过所述第一平坦化层和所述第二平坦化层的第三过孔，以及形成通过所述第三过孔与所述第一电极电连接的所述阳极层。
12.根据权利要求10所述的制造方法，其中，
在形成所述晶体管层之前，所述制造方法还包括：
在所述背板的一侧形成遮挡层；以及
形成覆盖所述遮挡层和所述背板的缓冲层；
其中，所述晶体管层形成在所述缓冲层的远离所述背板的一侧；
在形成所述发光功能层之后，所述遮挡层在所述背板上的正投影与所述发光功能层在所述背板上的正投影至少部分重叠。
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