CN111969008A - 有机发光显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种机发光显示基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的有机发光显示基板制作工艺复杂的问题。本发明的一种有机发光显示基板，包括：衬底；设于所述衬底上的遮光层；设于衬底上的薄膜晶体管，薄膜晶体管的有源层和栅极均位于遮光层远离衬底的一侧，薄膜晶体管的源极和漏极与遮光层同层设置，源极和漏极分别与有源层通过导电结构连接。

Description

有机发光显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种有机发光显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

目前，有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emittingdiode， AMOLED)形成的有机发光显示装置在功耗和图像方面具有优异的特性，因此，该有机发光显示装置的应用越来越广泛。

现有技术中的一种有机发光显示装置的基板结构如图1所示，该发光显示装置的基板包括薄膜晶体管以及遮光层2。在制作该发光显示装置的基板步骤中，需要分别形成薄膜晶体管的源极5、漏极6和遮光层2，使得该发光显示装置的工艺步骤较多，制作工艺复杂。

发明内容

本发明至少部分解决现有的有机发光显示基板制作工艺复杂的问题，提供一种制作工艺简单的有机发光显示基板及其制作方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种有机发光显示基板，包括：

衬底；

设于所述衬底上的遮光层；

设于所述衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层和栅极均位于所述遮光层远离所述衬底的一侧，所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述遮光层同层设置，所述源极和漏极分别与所述有源层通过导电结构连接。

进一步优选的是，所述薄膜晶体管的栅极层设于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述导电结构与所述栅极层同层设置。

进一步优选的是，该有机发光显示基板还包括：缓冲层，设于所述遮光层和所述有源层之间，且覆盖所述源极和漏极。

进一步优选的是，该有机发光显示基板还包括：层间介质层，设于所述有源层和所述栅极层之间，且覆盖所述源极和漏极。

进一步优选的是，所述层间介质层具有第一通孔和第二通孔，所述有源层通过所述第一通孔与所述导电结构连接；所述缓冲层具有与所述第二通孔连通的第三通孔，所述源极、漏极分别通过所述第三通孔、第二通孔与所述导电结构连接。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种有机发光显示基板的制备方法，基于上述的机发光显示基板，包括：

采用图案化的方式在衬底上形成遮光层、源极和漏极；

在所述遮光层远离所述衬底的一侧形成有源层；

在所述有源层离所述衬底的一侧形成导电结构，以使所述导电结构将所述源极和漏极分别与所述有源层连接。

进一步优选的是，所述在所述有源层离所述衬底的一侧形成导电结构包括：在所述有源层离所述衬底的一侧形成栅极层。

进一步优选的是，所述采用图案化的方式在衬底上形成遮光层、源极和漏极和所述在所述遮光层远离所述衬底的一侧形成有源层之间还包括：在所述衬底上形成覆盖所述遮光层、源极和漏极的缓冲层。

进一步优选的是，所述在所述遮光层远离所述衬底的一侧形成有源层和所述在所述有源层离所述衬底的一侧形成导电结构之间还包括：在所述衬底上形成覆盖所述有源层的层间介质层。

进一步优选的是，所述在所述衬底上形成覆盖所述有源层的层间介质层之后还包括：在所述层间介质层中形成第一通孔和第二通孔，在所述缓冲层中形成第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔连通，所述有源层通过所述第一通孔与所述导电结构连接，所述源极、漏极分别通过所述第三通孔、第二通孔与所述导电结构连接。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种有机发光显示装置，包括上述的有机发光显示基板。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为现有的有机发光显示装置的基板剖面结构图；

图2为本发明的实施例的一种有机发光显示装置的基板剖面结构图；

图3a至图3d为本发明的实施例的一种有机发光显示基板制备方法各个步骤对应的剖面图；

图4为本发明的实施例的一种有机发光显示基板制备方法的流程示意图；

其中，附图标记为：1、衬底；2、遮光层；3、有源层；4、栅极层；5、源极；6、漏极；7、导电结构；8、缓冲层；81、第三通孔；9、层间介质层；91、第一通孔；92、第二通孔；10、绝缘层。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

在本发明中，两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与基底间的距离相等，也不代表它们与基底间的其它层结构完全相同。

在本发明中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。

实施例1：

如图1至图4所示，本实施例提供一种有机发光显示基板，包括：

衬底1(Glass)；

设于衬底1上的遮光层2(Shield)；

设于衬底1上的薄膜晶体管，薄膜晶体管的有源层3(IGZO)和栅极层4 (Gate)均位于遮光层2远离衬底1的一侧，薄膜晶体管的源极5(Source)和漏极6(Drain)与遮光层2同层设置，源极5和漏极6分别与有源层3通过导电结构7连接。

其中，也就是说遮光层2和薄膜晶体管的源极5和漏极6是同时形成的，即通过同一步骤同时形成遮光层2、源极5、漏极6。

衬底1可以是透明衬底1，遮光层2用于避免外界的光从衬底1一侧照射到薄膜晶体管上，从而可以避免外界光照对薄膜晶体管损坏，从而保证了薄膜晶体管的性能。

本实施例的有机发光显示基板，通过同一步骤同时形成遮光层2、源极5、漏极6。与现有技术的有机发光显示基板(如图1所示)相比，本实施例的发光显示基板的工艺步骤较少，从而使得制作工艺简化。

优选的，薄膜晶体管的栅极层4设于有源层3远离衬底1的一侧，导电结构7与栅极层4同层设置。

其中，也就是说栅极层4位于所述有源层3远离衬底1的一侧，即栅极层4 位于有源层3的顶部，本实施的有机发光显示基板的薄膜晶体管为顶栅结构。

本实施的薄膜晶体管的顶栅结构(Top Gate)具有短沟道的特点，所以使得其开态电流(Ion)得以有效提升，因而可以显著提升有机发光显示基板的显示效果，并且能有效降低功耗。

优选的，该有机发光显示基板还包括：缓冲层8(Buffer)，设于遮光层2 和有源层3之间，且覆盖源极5和漏极6。

其中，也就是说在遮光层2和有源层3之间设置缓冲层8，以使遮光层2和有源层3之间绝缘，从而保证薄膜晶体管的性能。

缓冲层8的材料包括但不限于常规的如SiOx、SiNx、SiON等介质材料，或各种新型的有机绝缘材料，或高介电常数(High k)材料如AlOx、HfOx、TaOx 等。

优选的，该有机发光显示基板还包括：层间介质层9(GI)，设于有源层3 和栅极层4之间，且覆盖源极5和漏极6。

其中，层间介质层9的材料包括但不限于常规的如SiOx、SiNx、SiON等介质材料，或各种新型的有机绝缘材料，或高介电常数(High k)材料如AlOx、 HfOx、TaOx等。

优选的，层间介质层9具有第一通孔91和第二通孔92，有源层3通过第一通孔91与导电结构7连接；缓冲层8具有与第二通孔92连通的第三通孔81，源极5、漏极6分别通过第三通孔81、第二通孔92与导电结构7连接。

其中，如图2所示，也就是说采用图案化方式形成第一通孔91、第二通孔 92和第三通孔81。有源层3通过第一通孔91与导电结构7连接，源极5、漏极 6分别通过第三通孔81、第二通孔92与导电结构7连接，从而形成源极5、漏极6与有源层3的连接。

具体的，采用图案化方式形成第一通孔91、第二通孔92、第三通孔81。需要说明的是，第一通孔91、第二通孔92、第三通孔81分别有两个，导电结构7 有两个，源极5对应一个第一通孔91、一个第二通孔92、一个第三通孔81、一个导电结构7，漏记对应另一个第一通孔91、另一个第二通孔92、另一个第三通孔81、另一个导电结构7。

需要说明的是，该有机发光显示基板还包括：绝缘层10(PVX)，将栅极层 4和导电结构7覆盖，从而对薄膜晶体管和导电结构7起到保护作用。

实施例2：

如图1至图4所示，本实施例提供一种有机发光显示基板的制备方法，基于实施例1中的机发光显示基板，其包括：

S11、如图3a所示，采用图案化的方式在衬底1上形成遮光层2、源极5和漏极6。

具体的，本发明中的衬底1可以是透明的柔性材料制成，例如，由透明树脂材料制成。遮光层2、源极5和漏极6可以由金属制成，例如铜。

S12、如图3b所示，在衬底1上形成覆盖遮光层2、源极5和漏极6的缓冲层8。

设置缓冲层8使遮光层2和有源层3之间绝缘，从而保证薄膜晶体管的性能。缓冲层8的材料包括但不限于常规的如SiOx、SiNx、SiON等介质材料，或各种新型的有机绝缘材料，或高介电常数(High k)材料如AlOx、HfOx、TaOx 等。

S13、如图3b所示，，在遮光层2远离衬底1的一侧形成有源层3。

具体的，有源层3可以由有机半导体、氧化半导体等形成，例如可以包含 a-IGZO、IZTO、a-Si、p-Si、六噻吩、聚噻吩等。

S14、如图3c所示，在衬底1上形成覆盖有源层3的层间介质层9。

具体的，层间介质层9覆盖有源层3和暴露的缓冲层8。层间介质层9的材料包括但不限于常规的如SiOx、SiNx、SiON等介质材料，或各种新型的有机绝缘材料，或高介电常数(High k)材料如AlOx、HfOx、TaOx等。

S15、如图3c所示，在层间介质层9中形成第一通孔91和第二通孔92，在缓冲层8中形成第三通孔81，第三通孔81与第二通孔92连通。

具体的，采用图案化方式形成第一通孔91、第二通孔92、第三通孔81。需要说明的是，第一通孔91、第二通孔92、第三通孔81分别有两个，导电结构7 有两个，源极5对应一个第一通孔91、一个第二通孔92、一个第三通孔81、一个导电结构7，漏记对应另一个第一通孔91、另一个第二通孔92、另一个第三通孔81、另一个导电结构7。

第一通孔91位于有源层3上方，形成第一通孔91后，有源层3上表面的两个区域暴露。对暴露的有源层3进行导体化处理。

两组对应的第二通孔92和第三通孔81分别位于源极5和漏极6上，当形成第二通孔92和第三通孔81后，源极5和漏极6上表面的至少部分暴露。

S16、如图3d所示，在有源层3离衬底1的一侧形成导电结构7，以使导电结构7将源极5和漏极6分别与有源层3连接。

在有源层3离衬底1的一侧形成导电结构7包括：在有源层3离衬底1的一侧形成栅极层4。

具体的，采用图案化方式同时形成两个导电结构7和栅极层4，使得有源层 3通过第一通孔91与导电结构7连接，源极5、漏极6分别通过第三通孔81、第二通孔92与导电结构7连接。

S17、如图2所示，形成覆盖栅极层4和导电结构7的绝缘层10，对薄膜晶体管和导电结构7起到保护作用。

绝缘层10的材料包括但不限于常规的如SiOx、SiNx、SiON等介质材料，或各种新型的有机绝缘材料，或高介电常数(High k)材料如AlOx、HfOx、TaOx 等。

此外，本发明中的栅极层4、源极5、漏极6、导电结构7、遮光层2可以是常用的金属材料，如Ag、Cu、Al、Mo等，或多层金属如MoNb/Cu/MoNb等，或上述金属的合金材料，如AlNd、MoNb等，也可以是金属和透明导电氧化物 (如ITO、AZO等)形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。

需要说明的是，有机发光显示基板的制备方法还包括对有机发光显示基板其他结构的制备步骤，如发光单元等，此处不再一一赘述。

本实施例的有机发光显示基板的制备方法，通过同一步骤(S11)同时形成遮光层2、源极5、漏极6。与现有技术的有机发光显示基板(如图1所示)相比，本实施例的发光显示基板的工艺步骤较少(比现有技术的少了单独制作源漏极和层间介质层)，从而使得制作工艺简化，同时可以提高产品良率。

实施例3：

本实施例提供一种有机发光显示装置，包括实施例1中的有机发光显示基板。

具体的，该有机发光显示装置可为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (11)

1.一种有机发光显示基板，其特征在于，包括：

衬底；

设于所述衬底上的遮光层；

设于所述衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层和栅极层均位于所述遮光层远离所述衬底的一侧，所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述遮光层同层设置，所述源极和漏极分别与所述有源层通过导电结构连接。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极层设于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述导电结构与所述栅极层同层设置。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示基板，其特征在于，还包括：

缓冲层，设于所述遮光层和所述有源层之间，且覆盖所述源极和漏极。

4.根据权利要求3所述的有机发光显示基板，其特征在于，还包括：

层间介质层，设于所述有源层和所述栅极层之间，且覆盖所述源极和漏极。

5.根据权利要求4所述的有机发光显示基板，其特征在于，所述层间介质层具有第一通孔和第二通孔，所述有源层通过所述第一通孔与所述导电结构连接；

所述缓冲层具有与所述第二通孔连通的第三通孔，所述源极、漏极分别通过所述第三通孔、第二通孔与所述导电结构连接。

6.一种有机发光显示基板的制备方法，基于权利要求1至权利要求5中任意一项所述的机发光显示基板，其特征在于，包括：

采用图案化的方式在衬底上形成遮光层、源极和漏极；

在所述遮光层远离所述衬底的一侧形成有源层；

在所述有源层离所述衬底的一侧形成导电结构，以使所述导电结构将所述源极和漏极分别与所述有源层连接。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述有源层离所述衬底的一侧形成导电结构包括：

在所述有源层离所述衬底的一侧形成栅极层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述采用图案化的方式在衬底上形成遮光层、源极和漏极和所述在所述遮光层远离所述衬底的一侧形成有源层之间还包括：

在所述衬底上形成覆盖所述遮光层、源极和漏极的缓冲层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述遮光层远离所述衬底的一侧形成有源层和所述在所述有源层离所述衬底的一侧形成导电结构之间还包括：

在所述衬底上形成覆盖所述有源层的层间介质层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成覆盖所述有源层的层间介质层之后还包括：

在所述层间介质层中形成第一通孔和第二通孔，在所述缓冲层中形成第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔连通，所述有源层通过所述第一通孔与所述导电结构连接，所述源极、漏极分别通过所述第三通孔、第二通孔与所述导电结构连接。

11.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括权利要求1至权利要求5中任意一项所述的有机发光显示基板。

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