CN104332477A - 薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、和显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、和包括这种阵列基板的显示装置。阵列基板包括：基板；多个薄膜晶体管，形成在所述基板上；以及多个遮光层，每个遮光层在所述基板上设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间并被构造成用于阻挡光线从外部进入相应薄膜晶体管的有源层。其中，所述遮光层与薄膜晶体管的源极和漏极在所述基板上形成在同一层中。可以利用相同的材料通过一次构图工艺形成遮光层、薄膜晶体管的源极和漏极、以及数据线，减少了构图工艺的次数和掩模板的使用数量，从而简化了阵列基板的制作工艺，降低了制作成本。

Description

薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、和显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种显示装置，尤其涉及一种薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、和包括这种阵列基板的显示装置。
背景技术
目前在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay(TFT-LCD))、有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode(OLED))显示装置以及有源矩阵有机发光二极体(Active Matrix OrganicLight Emitting Diode(AMOLED))显示装置中广泛采用的薄膜晶体管(TFT)主要包括非晶硅薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管。其中，低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon；LTPS)技术也已应用到薄膜晶体管显示器制造工艺中，其主要是通过准分子激光退火工艺(Excimer Laser Anneal)将非晶硅(a-Si)薄膜转变为多晶硅(Poly-Si)薄膜。相比非晶硅(a-Si)，在这样制成的多晶硅中，电子迁移率有100倍以上的增加。例如，电子迁移率达到200cm2/V-sec以上，可有效减小薄膜晶体管的面积，从而提高显示器的开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。此外，采用LTPS技术的显示装置具有更快的响应时间，更高的分辨率，更佳的画面显示品质。
一般地，在利用这种多晶硅薄膜形成有源层的顶栅薄膜晶体管中，薄膜晶体管的源极、漏极、以及与源极连接的数据线形成在玻璃基板上，栅极形成在源极和漏极的上方，而有源层位于栅极和源漏极之间。另外，在有源层与玻璃基板之间还设有遮光层，用于阻挡从玻璃基板引入的光照射到有源层上从而影响用于形成有源层的低温多晶硅薄膜的电特性。在制作这种阵列基板的过程中，一般需要多个构图工艺分别形成源漏极、遮光层和栅极，每个构图工艺所采用的掩模板具有不同的图形。由于掩膜板造价昂贵，采用多次构图工艺制备阵列基板，工艺复杂，开发费用较高。
发明内容
本发明的实施例提供一种薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、和包括这种阵列基板的显示装置，可以减少了构图工艺的次数，减少了掩模板的使用数量。
根据本发明一个发明的实施例，提供一种薄膜晶体管组件，包括：薄膜晶体管；以及遮光层，所述遮光层设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间，并被构造成用于阻挡光线从外部进入薄膜晶体管的有源层，其中，所述遮光层与薄膜晶体管的源极和漏极形成在同一层中。
在根据本发明的一种实施例的薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管为顶栅式薄膜晶体管。
在根据本发明的一种实施例的薄膜晶体管组件，所述有源层由多晶硅薄膜形成。
在根据本发明的一种实施例的薄膜晶体管组件，在所述有源层上与所述源极和漏极电连接的部位分别设有欧姆掺杂区。
在根据本发明的一种实施例的薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管为N型晶体管。
在根据本发明的一种实施例的薄膜晶体管组件，在所述欧姆掺杂区附近还设有轻掺杂漏区。
根据本发明进一步方面的实施例，提供一种阵列基板，包括：基板；以及多个上述实施例中的任一项所述的薄膜晶体管组件，多个所述薄膜晶体管形成在所述基板上。其中，所述遮光层与薄膜晶体管的源极和漏极在所述基板上形成在同一层中。
在根据本发明的一种实施例的阵列基板中，每个所述薄膜晶体管的源极与相应的数据线连接，并且数据线、遮光层、源极和漏极在所述基板上形成在同一层中。
根据本发明再一方面的实施例，提供一种制作阵列基板的方法，所述阵列基板包括：基板；多个顶栅式薄膜晶体管，形成在所述基板上；以及多个遮光层，每个遮光层在所述基板上设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间并被构造成用于阻挡光线从基板进入相应薄膜晶体管的有源层。所述方法包括如下步骤：在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成依次间隔布置的源极、遮光层和漏极。
在根据本发明的一种实施例的方法中，在执行在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成依次间隔布置的源极、遮光层和漏极的步骤之后，还包括如下步骤：
在基板上形成覆盖所述源极、遮光层和漏极的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成有源层；
在所述第一绝缘层上形成覆盖所述有源层的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成栅极；
在第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的第三绝缘层；以及
通过形成在所述第一、第二和第三绝缘层中的过孔分别实现所述有源层与源极和漏极的电连接。
在根据本发明的一种实施例的方法中，所述薄膜晶体管为顶栅式薄膜晶体管，所述有源层由低温多晶硅薄膜制成
在根据本发明的一种实施例的方法中，在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成依次间隔布置的源极、遮光层和漏极的步骤包括：在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成源极、遮光层、漏极以及与所述源极电连接的数据线。
在根据本发明的一种实施例的方法中，在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成源极、遮光层、漏极以及与所述源极电连接的数据线的步骤包括：在所述基板上形成金属薄膜；在所述金属薄膜上涂覆光刻胶层；利用具有与所述源极、遮光层、漏极以及数据线分别对应的图形的第一掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影；采用刻蚀工艺，将光刻胶去除区的金属薄膜去除；以及将未去除的光刻胶剥离。
在根据本发明的一种实施例的方法中，在所述第一绝缘层上形成覆盖所述有源层的第二绝缘层和栅极之后，通过离子植入工艺在所述有源层的将与所述源极和漏极电连接的部位分别形成欧姆掺杂区。
在根据本发明的一种实施例的方法中，所述薄膜晶体管具有N型结构的栅极，在形成欧姆掺杂区之后，在所述欧姆掺杂区附近形成轻掺杂漏区。
在根据本发明的一种实施例的方法中，通过形成在所述第一、第二和第三绝缘层中的过孔分别实现所述有源层与源极和漏极的电连接的步骤包括：在所述第三绝缘层上形成与所述漏极电连接的像素电极。
根据本发明更进一步方面的实施例，提供一种显示装置，包括上述任一实施例所述的阵列基板。
根据本发明上述实施例的薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、包括这种阵列基板的显示装置，遮光层、薄膜晶体管的源极和漏极、以及数据线在基板上形成在同一层中，可以利用相同的材料通过一次构图工艺形成，减少了构图工艺的次数，减少了掩模板的使用数量，从而简化了阵列基板的制作工艺，降低了制作成本。
附图说明
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明，其中：
图1是根据本发明的一种示例性实施例的阵列基板的局部剖视示意图；以及
图2a-2g是根据本发明的一种示例性实施例的阵列基板的制作方法的操作过程示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
根据本发明的各种示例性实施例的总体上的发明构思，提供一种阵列基板，包括：一种阵列基板，包括：基板；多个薄膜晶体管，形成在所述基板上；以及多个遮光层，每个遮光层在所述基板上设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间并被构造成用于阻挡光线从基板进入相应薄膜晶体管的有源层，其中，所述遮光层与薄膜晶体管的源极和漏极在所述基板上形成在同一层中。这样，遮光层与薄膜晶体管的源极和漏极可以利用相同的材料通过一次构图工艺形成，减少了构图工艺的次数，减少了掩模板的使用数量，从而简化了阵列基板的制作工艺，降低了制作成本。
在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下，公知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。
图1是根据本发明的一种示例性实施例的阵列基板的局部剖视示意图。参见图1，根据本发明实施例的阵列基板，包括：由例如玻璃或者透明树脂材料制成的基板1、多个薄膜晶体管和遮光层2。每个薄膜晶体管的源极31与相应的数据线(未示出)电连接，漏极32与像素电极7电连接，栅极33与栅线(未示出)电连接。在本申请的一种实施例中，薄膜晶体管可以是顶栅式薄膜晶体管，栅极33位于有源层5的上方，且在有源层5和栅极33之间还设置有用做栅极绝缘层的第二绝缘层2，即栅极33在远离基板1的方向上位于有源层5的上游。薄膜晶体管形成在基板1上。每个遮光层2形成在基板1上并被构造成用于阻挡例如由外部光源产生的光线从基板1进入相应薄膜晶体管的有源层5。遮光层2与薄膜晶体管的源极31和漏极32在基板1上形成在同一层中。
在本发明实施例的阵列基板中，遮光层2与薄膜晶体管的源极31和漏极32在基板1上形成在同一层中，这样，遮光层2、源极31和漏极32可以由同一金属薄膜通过一次构图工艺制成，从而减少了构图工艺的次数，减少了掩模板的使用数量。该金属薄膜可以利用由钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜金属制成，也可以由上述几种材料的组合制成。金属薄膜的具体厚度和材料可以根据具体情况设定。遮光层2设置在源极31和漏极32之间并与有源层5的位置相对应，由于阻挡从基板1引入的光照射到有源层5上，从而可以保持有源层5的电特性，进而提高薄膜晶体管的特性。例如，遮光层2由铬或者钼金属薄膜制成。铬或者钼金属薄膜的遮光性和刻蚀性能均较强，可以提高阵列基板的性能。
在本发明的一种示例性实施例中，薄膜晶体管的有源层5由多晶硅薄膜(例如低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon；LTPS)薄膜)形成，因此本申请实施例的晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)。例如，由多晶硅薄膜形成的有源层中的电子迁移率达到200cm2/V-sec以上，可有效减小薄膜晶体管的面积，从而提高显示器的开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。另外，由多晶硅薄膜形成的有源层的电特性更容易受到光照的影响，由于阻挡从基板1引入的光照射到有源层5上，从而这样可以保持有源层5的电特性，进而提高薄膜晶体管的特性。
在本发明的一种示例性实施例中，每个薄膜晶体管的源极31与相应的数据线(未示出)连接，并且数据线、遮光层2、源极31和漏极32在基板1上形成在同一层中。这样，可以进一步减少构图工艺的次数，降低掩模板的使用量。
在本发明的一种示例性实施例中，在有源层5上与源极31和漏极32电连接的部位分别设有欧姆掺杂区61。欧姆掺杂区61例如掺杂有磷或者硼元素，可以减小源极31和漏极32与有源层5和像素电极7之间的接触阻抗。薄膜晶体管可以为P型晶体管，也可以是N型晶体管。在N型晶体管的情况下，在欧姆掺杂区61附近还设有轻掺杂漏区(Lightly DopedDrain(LDD))62，以防止热电子退化效应，提高薄膜晶体管的热载流子寿命。
如图1所示，根据本发明的另一方面的实施例，提供一种薄膜晶体管组件，包括：薄膜晶体管以及遮光层2。遮光层2设置在薄膜晶体管的源极31和漏极32之间，并被构造成用于阻挡光线从外部进入薄膜晶体管的有源层5，其中，遮光层2与薄膜晶体管的源极31和漏极32形成在同一层中。虽然图1示出了薄膜晶体管为顶栅式薄膜晶体管的实施例，但本发明并不局限于此。在一种可替换的实施例中，薄膜晶体管可以是底栅式薄膜晶体管，并且遮光层2设置在薄膜晶体管的源极31和漏极32之间。
根据本发明实施例的薄膜晶体管组件，遮光层与薄膜晶体管的源极和漏极可以利用相同的材料通过一次构图工艺形成，减少了构图工艺的次数，减少了掩模板的使用数量，从而简化了薄膜晶体管组件的制作工艺，降低了制作成本。遮光层设置在源极和漏极之间并与有源层的位置相对应，由于阻挡从基板引入的光照射到有源层上，从而可以保持有源层的电特性，进而提高薄膜晶体管的特性。
根据本发明进一步方面的发明构思，提供一种制作阵列基板的方法，所述阵列基板包括：基板；多个薄膜晶体管，形成在所述基板上；以及多个遮光层，每个遮光层在所述基板上设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间并被构造成用于阻挡光线从基板进入相应薄膜晶体管的有源层。所述方法包括如下步骤：在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成依次间隔布置的源极、遮光层和漏极。之后，在基板上形成覆盖所述源极、遮光层和漏极的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成有源层；在所述第一绝缘层上形成覆盖所述有源层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极；在第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的第三绝缘层；通过形成在所述第一、第二和第三绝缘层中的过孔分别实现所述有源层与源极和漏极的电连接。这样，遮光层与薄膜晶体管的源极和漏极可以利用相同的材料通过一次构图工艺形成，减少了构图工艺的次数，减少了掩模板的使用数量，从而简化了阵列基板的制作工艺，降低了制作成本。
图2a-2g是根据本发明的一种示例性实施例的阵列基板的制作方法的操作过程示意图。阵列基板包括：基板1；多个例如具有顶栅式结构的薄膜晶体管，形成在基板1上；以及多个遮光层2，每个遮光层2在基板1上设置在薄膜晶体管的源极31和漏极32之间并被构造成用于阻挡光线从基板1进入相应薄膜晶体管的有源层5。本发明实施例的制作阵列基板的方法包括步骤S100：在例如玻璃或者透明树脂材料制成的基板1上利用单个掩模板(未示出)通过一次构图工艺形成依次间隔布置的源极31、遮光层2和漏极32，参见图2a。在本发明的一种示例性实施例中，在基板1上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成源极31、遮光层2、漏极32以及与源极31电连接的数据线(未示出)。
在本发明的实施例中，构图工艺主要包括基板清洗、成膜、光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。例如，在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成源极31、遮光层2、漏极32以及与源极31电连接的数据线的步骤包括：在基板1上例如采用磁控溅射或热蒸发的方法形成金属薄膜；在金属薄膜上涂覆光刻胶层；利用具有与源极、遮光层、漏极以及数据线分别对应的图形的第一掩模板对光刻胶进行曝光，以形成光刻胶保留区和光刻胶去除区；通过显影将光刻胶去除区的光刻胶完全去除，光刻胶保留区的光刻胶完全保留；采用刻蚀工艺，将光刻胶去除区的金属薄膜去除；以及将未去除的光刻胶剥离。另外，还可以利用灰化工艺切除残余的光刻胶。这样，如图2a所示，可以在基板1形成源极31、遮光层2、漏极32以及数据线(未示出)。
在步骤100中所使用的金属薄膜可以利用由钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜金属制成，也可以由上述几种材料的组合制成。遮光层2设置在源极31和漏极32之间并与有源层5的位置相对应，用于阻挡从基板1引入的光照射到有源层5上，从而这样可以保持用于形成有源层5的多晶硅薄膜的电特性。例如，遮光层2由铬或者钼金属薄膜制成。
如图2b所示，本发明实施例的制作阵列基板的方法还包括：
步骤S200：在基板1上例如采用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)工艺形成覆盖源极31、遮光层2和漏极32的第一绝缘层41和非晶硅薄膜。第一绝缘层41例如可以由SiN(氮化硅)、SiOx(氧化硅)制成。通过对非晶硅薄膜进行准分子激光退火工艺，使非晶硅薄膜转变成为低温多晶硅薄膜，所述低温多晶硅薄膜用于形成薄膜晶体管的有源层5；
如图2c所示，本发明实施例的制作阵列基板的方法还包括：
S300：在第一绝缘层41上例如采用化学气相沉积工艺形成覆盖有源层5的第二绝缘层42；
S400：例如采用构图工艺在第二绝缘层42上形成栅极33；以及
S500：在第二绝缘层42上形成覆盖栅极33的第三绝缘层43。
本发明实施例的制作阵列基板的方法还包括S600：通过形成在所述第一、第二和第三绝缘层中的过孔9分别实现有源层5与源极31和漏极32的电连接。
根据本发明的一种示例性实施例，如图2c所示，在第一绝缘层41上形成覆盖所述有源层的第二绝缘层42和栅极之后，通过离子植入工艺，例如采用电子枪轰击，在有源层5的将与源极31和漏极32电连接的部位分别形成欧姆掺杂区61。欧姆掺杂区61例如掺杂有磷或者硼元素，可以减小源极31和漏极32与有源层5和像素电极7之间的接触阻抗。
薄膜晶体管可以为P型晶体管，也可以是N型晶体管。在薄膜晶体管为N型晶体管的情况下，如图2d所示，在形成欧姆掺杂区61之后，通过对光刻胶进行灰化处理，对有源层进行轻掺杂，以在欧姆掺杂区61附近形成轻掺杂漏区62。轻掺杂漏区62可以防止热电子退化效应，提高薄膜晶体管的热载流子寿命。
在一种示例性实施例中，通过形成在所述第一、第二和第三绝缘层中的过孔9分别实现有源层5与源极31和漏极32的电连接的步骤包括：在第三绝缘层43上形成与漏极32电连接的像素电极7。具体地，如图2e所示，采用构图工艺在第一绝缘层41、第二绝缘层42和第三绝缘层43中形成过孔9；如图2f所示，采用溅射工艺(Sputter)在第三绝缘层43和过孔9中涂覆ITO薄膜或其他导电材料薄膜，实现有源层5与源极31和漏极32间的电连接，并使用一张掩膜板通过构图工艺形成像素电极7。在一种示例性实施例中，数据线可以与像素电极7通过一次构图工艺形成在第三绝缘层43上并与源极31电连接。
进一步地，如图2g所示，在第三绝缘层43上例如采用化学气相沉积工艺形成覆盖像素电极7的第四绝缘层44，采用溅射工艺在第四绝缘层44上涂覆ITO薄膜或其他导电材料薄膜，并使用通过构图工艺形成至少一个公共电极8。这样，形成本发明实施例的阵列基板。
可以理解，第二绝缘层42、第三绝缘层43和第四绝缘层44都可以例如由SiN(氮化硅)、SiOx(氧化硅)制成。另外，在执行步骤S100之前，可以在基板1上形成缓冲层，以有助于改善基板1的表面平整度和附着力，而且还有助于改善抗水氧渗透性。缓冲层例如由SiN(氮化硅)、SiOx(氧化硅)制成。
根据本发明进一步方面的实施例，提供一种显示装置，包括上述任一实施例所述的阵列基板。显示装置可以是液晶显示装置。这些液晶显示装置在阵列基板的薄膜晶体管的驱动下，可以实现显示功能。在替换的实施例中，本发明实施例的阵列基板可以应用于OLED(Organic Light EmittingDiode，有机发光二极体)显示装置以及AMOLED(Active Matrix OrganicLight Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体)显示装置。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
根据本发明上述实施例的薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、包括这种阵列基板的显示装置，遮光层、薄膜晶体管的源极和漏极、以及数据线在基板上形成在同一层中，可以利用相同的材料通过一次构图工艺形成，减少了构图工艺的次数，减少了掩模板的使用数量，从而简化了阵列基板的制作工艺，降低了制作成本。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种薄膜晶体管组件，包括：
薄膜晶体管；以及
遮光层，所述遮光层设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间，并被构造成用于阻挡光线从外部进入薄膜晶体管的有源层，
其中，所述遮光层与薄膜晶体管的源极和漏极形成在同一层中。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管组件，其中，所述薄膜晶体管为顶栅式薄膜晶体管。
3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管组件，其中，所述有源层由多晶硅薄膜形成。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管组件，其中，在所述有源层上与所述源极和漏极电连接的部位分别设有欧姆掺杂区。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管组件，其中，所述薄膜晶体管为N型晶体管。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管组件，其中，在所述欧姆掺杂区附近还设有轻掺杂漏区。
7.一种阵列基板，包括：
基板；以及
多个如权利要求1-6中的任一项所述的薄膜晶体管组件，多个所述薄膜晶体管形成在所述基板上；
其中，所述遮光层与薄膜晶体管的源极和漏极在所述基板上形成在同一层中。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其中，每个所述薄膜晶体管的源极与相应的数据线连接，并且数据线、遮光层、源极和漏极在所述基板上形成在同一层中。
9.一种制作阵列基板的方法，所述阵列基板包括：
基板；
多个薄膜晶体管，形成在所述基板上；以及
多个遮光层，每个遮光层在所述基板上设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间并被构造成用于阻挡光线从基板进入相应薄膜晶体管的有源层，
所述方法包括如下步骤：在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成依次间隔布置的源极、遮光层和漏极。
10.如权利要求9所述的方法，其中，在执行在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成依次间隔布置的源极、遮光层和漏极的步骤之后，还包括如下步骤：
在基板上形成覆盖所述源极、遮光层和漏极的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成有源层；
在所述第一绝缘层上形成覆盖所述有源层的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成栅极；
在第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的第三绝缘层；以及
通过形成在所述第一、第二和第三绝缘层中的过孔分别实现所述有源层与源极和漏极的电连接。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所述薄膜晶体管为顶栅式薄膜晶体管，所述有源层由低温多晶硅薄膜制成
12.如权利要求9-11中的任一项所述的方法，其中，
在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成依次间隔布置的源极、遮光层和漏极的步骤包括：
在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成源极、遮光层、漏极以及与所述源极电连接的数据线。
13.如权利要求12所述的方法，其中，在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成源极、遮光层、漏极以及与所述源极电连接的数据线的步骤包括：
在所述基板上形成金属薄膜；
在所述金属薄膜上涂覆光刻胶层；
利用具有与所述源极、遮光层、漏极以及数据线分别对应的图形的第一掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影；
采用刻蚀工艺，将光刻胶去除区的金属薄膜去除；以及
将未去除的光刻胶剥离。
14.如权利要求10或11所述的方法，其中，在所述第一绝缘层上形成覆盖所述有源层的第二绝缘层和栅极后，通过离子植入工艺在所述有源层的将与所述源极和漏极电连接的部位分别形成欧姆掺杂区。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述薄膜晶体管为N型晶体管，并且在形成欧姆掺杂区之后，在所述欧姆掺杂区附近形成轻掺杂漏区。
16.如权利要求10或11所述的方法，其中，通过形成在所述第一、第二和第三绝缘层中的过孔分别实现所述有源层与源极和漏极的电连接的步骤包括：
在所述第三绝缘层上形成与所述漏极电连接的像素电极。
17.一种显示装置，包括如权利要求7-8中的任一项所述的阵列基板。
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