CN107093583A - 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能显著减少金属氧化物半导体TFT阵列基板的制程步骤、缩短制程时间，有效地降低生产成本、增加产能。该制备方法包括，在基板上依次形成金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层；使用一次掩膜板对金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层进行构图工艺处理，以形成有源层、像素电极和源漏金属图案层；其中，源漏金属图案层包括，源极、漏极和数据线；源极与数据线靠近有源层一侧还形成有与像素电极同层设置的透明导电材料保留图案；漏极与像素电极直接接触，且露出像素电极的部分区域。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制备。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
液晶显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到广泛的应用。液晶面板的工作原理是在两个对合的基板之间封装液晶分子，并在两个基板上施加驱动电压以控制液晶分子的旋转方向，从而将背光源的光线折射出来以进行画面显示。液晶面板中两个对合基板分别为薄膜晶体管阵列基板(通常简称为阵列基板)和彩色滤光片基板(通常简称为彩膜基板)。其中，阵列基板包括栅线、栅极、栅绝缘层、由半导体材料构成的有源层、数据线、源极、漏极、绝缘层以及像素电极等基本结构。栅极、源极、漏极和构成了薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。传统的TFT通常为非晶硅TFT(即有源层由非晶硅材料构成)和低温多晶硅TFT(即有源层由低温多晶硅材料构成)，由非晶硅TFT构成的阵列基板通常需要采用3～5次光刻掩膜板(Mask)工艺，成本较低竞争力强，而由低温多晶硅TFT构成的阵列基板通常需要采用8～9次光刻掩膜板工艺，相对成本较高。
然而非晶硅TFT的载流子迁移率均较低，难以满足大尺寸显示面板对于像素驱动响应速率的要求。因此，目前通常采用金属氧化物半导体(例如IGZO，Indium Gallium ZincOxide，铟镓锌氧化物)作为有源层的材料。由于其载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在液晶显示装置中能够成为可能。金属氧化物半导体TFT阵列基板的制备工艺可以沿用现有的非晶硅生产线进行生产，只需稍加改动，因此在成本方面比低温多晶硅TFT阵列基板更具有竞争力。但是现有技术中，制备金属氧化物半导体TFT阵列基板通常需要采用3～5次光刻掩膜板工艺，生产效率较低，生产成本较高。
发明内容
鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，能显著减少金属氧化物半导体TFT阵列基板的制程步骤、缩短制程时间，有效地降低生产成本、增加产能。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面、本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括，在基板上依次形成金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层；使用一次掩膜板对所述金属氧化物半导体层、所述透明导电材料层和所述金属层进行构图工艺处理，以形成有源层、像素电极和源漏金属图案层；其中，所述源漏金属图案层包括，源极、漏极和数据线；所述源极与所述数据线靠近所述有源层一侧还形成有与所述像素电极同层设置的透明导电材料保留图案；所述漏极与所述像素电极直接接触，且露出所述像素电极的部分区域。
可选的，所述掩膜板包括，完全透光部、不透光部、第一透过率曝光部和第二透过率曝光部；所述第一透过率曝光部和所述第二透过率曝光部的透过率不同，且均小于所述完全透光部；其中，在对所述金属氧化物半导体层、所述透明导电材料层和所述金属层进行构图工艺处理中，所述第一透过率曝光部对应于待形成的所述有源层中对应于所述源漏金属图案层中所述源极与所述漏极之间的区域，所述第二透过率曝光部对应于待形成的所述像素电极被所述源漏金属图案层中的所述漏极露出的部分区域。
可选的，所述使用一次掩膜板对所述金属氧化物半导体层、所述透明导电材料层和所述金属层进行构图工艺处理，以形成有源层、像素电极、源漏金属图案层，包括，形成覆盖所述金属层的光刻胶层；通过所述掩膜板对所述光刻胶层进行包括有曝光、显影的处理，形成光刻胶第一保留部分、光刻胶第二保留部分、光刻胶第三保留部分和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶第一保留部分、所述光刻胶第二保留部分和所述光刻胶第三保留部分的厚度依次递减；所述光刻胶第一保留部分对应于待形成的源漏金属图案层；所述光刻胶第二保留部分对应于待形成的像素电极被所述源漏金属图案层中的漏极露出的部分区域；所述光刻胶第三保留部分对应于待形成的有源层中对应于所述源漏金属图案层中源极与所述漏极之间的区域；所述光刻胶完全去除区域对应于所述金属层上的其余区域；去除所述光刻胶完全去除区域露出的所述金属层的部分及下方的所述透明导电材料层和所述金属氧化物半导体层；依次去除所述光刻胶第三保留部分和被所述光刻胶第三保留部分露出的所述金属层的部分及下方的所述透明导电材料层，以形成有源层、位于所述有源层上的透明导电材料保留图案、与所述透明导电材料保留图案同层设置的像素电极、源极和数据线；依次去除所述光刻胶第二保留部分和被所述光刻胶第二保留部分露出的所述金属层的部分，以形成漏极；去除所述光刻胶第一保留部分，以露出形成的所述源漏金属图案层、所述像素电极和所述有源层中对应于所述源极与所述漏极之间的区域。
优选的，针对形成的所述光刻胶层由正性光刻胶材料构成的情况，所述第一透过率曝光部的透过率大于所述第二透过率曝光部的透过率；所述完全透光部对应于待形成的光刻胶完全去除区域、所述不透光部对应于待形成的光刻胶第一保留部分、所述第一透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第三保留部分、所述第二透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第二保留部分。
优选的，针对形成的所述光刻胶层由负性光刻胶材料构成的情况，所述第一透过率曝光部的透过率小于所述第二透过率曝光部的透过率；所述完全透光部对应于待形成的光刻胶第一保留部分、所述不透光部对应于待形成的光刻胶完全去除区域、所述第一透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第三保留部分、所述第二透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第二保留部分。
可选的，所述制备方法还包括，形成覆盖所述有源层、所述像素电极和所述源漏金属图案层的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅金属图案层；所述栅金属图案层包括，栅极和栅线。
优选的，所述制备方法还包括，在所述栅绝缘层上形成对应于所述像素电极的公共电极。
第二方面、本发明实施例提供了一种阵列基板，包括基板；所述阵列基板还包括，设置在所述基板上的由金属氧化物半导体构成的有源层；设置在所述有源层上的透明导电材料保留图案和像素电极；设置在所述有源层上方的源漏金属图案层；其中，所述源漏金属图案层包括，源极、漏极和数据线；所述源极和所述数据线覆盖所述透明导电材料保留图案；所述漏极覆盖所述像素电极的部分区域。
优选的，所述阵列基板还包括，覆盖所述有源层、所述像素电极和所述源漏金属图案层的栅绝缘层；设置在所述栅绝缘层上的栅金属图案层；所述栅金属图案层包括，栅极和栅线。
第三方面、本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
基于此，通过本发明实施例提供的上述制备方法，由于采用金属氧化物半导体作为有源层的材料，其与作为像素电极的透明导电材料(通常为ITO，Indium Tin Oxide，氧化铟锡等)均为氧化物半导体，材料的结构较为接近，因而能利用同一次掩膜板，在一次构图工艺下通过调整刻蚀工艺顺序一次形成有源层、像素电极、源极、漏极以及数据线，显著降低了阵列基板的制备工艺。
特别是，当上述阵列基板具体为顶栅型TFT的阵列基板时，可以在形成有上述的有源层、像素电极、源极、漏极以及数据线之后，仅再通过一次构图工艺即可形成栅极，从而可以仅通过2次掩膜工艺即可形成TFT阵列基板，大大减少金属氧化物半导体TFT阵列基板的制程步骤、缩短制程时间，有效地降低生产成本、增加产能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法流程示意图一；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法流程示意图二；
图3为本发明具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图一；
图4为本发明具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图二；
图5为本发明具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图三；
图6为本发明具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图四；
图7为本发明具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图五；
图8为本发明具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图六；
图9为本发明具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图七；
图10为本发明具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图八。
附图标记：
01-掩膜板；01a-完全透光部；01b-不透光部；01c-第一透过率曝光部；01d-第二透过率曝光部；10-衬底基板；20-金属氧化物半导体层；21-有源层；30-透明导电材料层；31-像素电极；32-透明导电材料保留图案；40-金属层；41-源极；42-漏极；50-光刻胶层；51-光刻胶第一保留部分；52-光刻胶第二保留部分；53-光刻胶第三保留部分；54-光刻胶完全去除区域；60-栅绝缘层；70-栅金属层；71-栅极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要指出的是，除非另有定义，本发明实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
例如，本发明专利申请说明书以及权利要求书中所使用的术语“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，仅是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“一侧”、“另一侧”等指示的方位或位置关系的术语为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于说明本发明的技术方案的简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
如图1所示，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，该制备方法包括，
步骤S01、在基板上依次形成金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层；
步骤S02、使用一次掩膜板对金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层进行构图工艺处理，以形成有源层、像素电极和源漏金属图案层；其中，源漏金属图案层包括，源极、漏极和数据线；源极与数据线靠近有源层一侧还形成有与像素电极同层设置的透明导电材料保留图案；漏极与像素电极直接接触，且露出像素电极的部分区域。
需要说明的是，第一、本发明实施例中，是以TFT的漏极与像素电极通过直接接触的方式实现二者的电性连接、以源极与数据线相连为例进行了说明，然而本领域的技术人员应当明白，由于TFT的源极和漏极在结构和组成上的可互换性，也可以设置地将TFT的源极与像素电极直接接触，漏极与数据线相连，这属于本发明的上述实施例的等同变换。
其中，由于构成漏极的材料通常为金属材料，其光透过率较低，故漏极只与像素电极的部分区域直接接触，露出的像素电极的其余区域，以保证阵列基板上的各显示单元具有足够的显示开口区域。
第二、在本发明实施例提供的上述制备方法中，所谓“构图工艺”是指应用一次掩膜板，通过对光刻胶曝光、显影、刻蚀膜层、去除光刻胶的工艺，从而达到对膜层(由一层或多层薄膜)进行处理以形成具有特定图案的工艺。
此外，所谓“同层设置”是针对至少两种图案而言的，是指将至少两种图案设置在同一层薄膜上的结构。具体的，是通过同一次构图工艺在采用同种材料制成的薄膜上形成的至少两种图案。
即具体到本发明实施例则为上述的均设置在有源层上的像素电极与透明导电材料保留图案。
第三、由于TFT的基本构成还包括有栅极，故上述阵列基板的制备方法还包括形成栅极的步骤。
其中，针对待形成的TFT为底栅型(bottom gate，即栅极位于有源层靠近于衬底基板的一侧)的情况，上述基板即包括有衬底基板和形成在衬底基板上的栅金属图案和栅绝缘层。即在上述步骤S01之前还包括有，在衬底基板上依次形成栅金属图案(包括有栅极和栅线)和覆盖栅金属图案层的栅绝缘层的步骤。
针对待形成的TFT为顶栅型(top gate，即栅极位于有源层远离衬底基板的另一侧)的情况，在上述步骤S02之后还包括有，形成覆盖有源层、像素电极和源漏金属图案层的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成栅金属图案层(包括有栅极和栅线)的步骤。
基于此，通过本发明实施例提供的上述制备方法，由于采用金属氧化物半导体作为有源层的材料，其与作为像素电极的透明导电材料(通常为ITO，Indium Tin Oxide，氧化铟锡等)均为氧化物半导体，材料的结构较为接近，因而能利用同一次掩膜板，在一次构图工艺下通过调整刻蚀工艺顺序一次形成有源层、像素电极、源极、漏极以及数据线，显著降低了阵列基板的制备工艺。
特别是，当上述阵列基板具体为顶栅型TFT的阵列基板时，可以在形成有上述的有源层、像素电极、源极、漏极以及数据线之后，仅再通过一次构图工艺即可形成栅极，从而可以仅通过2次掩膜工艺即可形成TFT阵列基板，大大减少金属氧化物半导体TFT阵列基板的制程步骤、缩短制程时间，有效地降低生产成本、增加产能。
并且，由于源极与数据线下方还保留有形成像素电极时的透明导电材料保留图案，该透明导电材料保留图案与数据线直接接触，相当于二者并联从而可减小数据线的电阻，降低阵列基板的能耗；而透明导电材料保留图案与源极直接接触可提高源极与有源层之间的电性能，进一步提高TFT的特性。
在上述基础上进一步的，本发明实施例提供的上述掩膜板具体为具有四种不同透过率的灰色调或半色调掩膜板。该掩膜板具体包括，完全透光部、不透光部、第一透过率曝光部和第二透过率曝光部；第一透过率曝光部和第二透过率曝光部的透过率不同，且均小于完全透光部；其中，在对金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层进行构图工艺处理中，第一透过率曝光部对应于待形成的有源层中对应于源漏金属图案层中源极与漏极之间的区域，第二透过率曝光部对应于待形成的像素电极被源漏金属图案层中的漏极露出的部分区域，从而可仅使用一次掩膜板对金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层进行构图工艺处理，即可形成上述的各图案层。
进一步的，由前述描述可知，由于底栅型的TFT栅极在有源层的下方，与栅极同层设置的公共电极的引线也设置在栅绝缘层之下，需要增加额外的沟通工艺以在栅绝缘层上形成过孔，使得公共电极与其引线电性连接；相比之下，顶栅型的TFT由于栅极在有源层上方，与栅极同层设置的公共电极的引线即为直接形成在栅绝缘层之上，不需要对栅绝缘层再进行额外的沟通工艺，更能显著降低阵列基板的构图工艺次数，故本发明实施例优选为采用上述底栅型的TFT结构。
即在上述步骤S02之后，如图2所示，上述制备方法还包括以下步骤，
S03、形成覆盖上述有源层、像素电极和源漏金属图案层的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成栅金属图案层；栅金属图案层包括，栅极和栅线。
这里，栅金属图案层还可以包括由栅金属构成的、与栅线同层设置的其他金属走线，例如提供常稳直流电压的金属走线和为栅线提供信号的栅线引线等，具体可沿用现有技术中的结构，本发明实施例对此不再赘述。
采用上述步骤S01～S03即可形成TN(Twist Nematic，扭曲向列型)型显示模式的TFT阵列基板；但本发明实施例不限于此，本发明实施例提供的上述阵列基板的制备方法还可以包括在栅绝缘层上形成对应于像素电极的公共电极的步骤，即形成ADS(AdvancedSuper Dimensional Switching，高级超维场转换技术)型显示模式的TFT阵列基板。其中，上述步骤S03可以包括通过一次半色调掩膜板采用一次构图工艺在栅绝缘层上形成栅金属图案层和公共电极的步骤。
在上述基础上，本发明实施例还提供了一种采用上述制备方法形成的阵列基板，包括基板；该阵列基板还包括，设置在基板上的由金属氧化物半导体构成的有源层；设置在有源层上的透明导电材料保留图案和像素电极；设置在有源层上方的源漏金属图案层；其中，源漏金属图案层包括，源极、漏极和数据线；源极和数据线覆盖透明导电材料保留图案；漏极覆盖像素电极的部分区域。
在上述的阵列基板结构中，由于源极与数据线下方还保留有形成像素电极时的透明导电材料保留图案，该透明导电材料保留图案与数据线直接接触，相当于二者并联从而可减小数据线的电阻，降低阵列基板的能耗；而透明导电材料保留图案与源极直接接触可提高源极与有源层之间的电性能，进一步提高TFT的特性。
进一步的，由于采用顶栅型的TFT结构能够进一步减少阵列基板的掩膜构图次数，故本发明实施例进一步优选为上述的阵列基板具体为顶栅型的TFT阵列基板。上述阵列基板还包括，覆盖有源层、像素电极和源漏金属图案层的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上的栅金属图案层；栅金属图案层包括，栅极和栅线。
在上述基础上，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括有上述的阵列基板。上述显示装置具体可以是液晶显示器、液晶电视、有机电致发光显示器、数码相框、手机、平板电脑、数码相框、导航仪等具有任何显示功能的产品或者部件。
下面提供一个具体的实施例，用于详细描述上述的顶栅型的TFT阵列基板的制备工艺过程。
具体实施例
步骤S11、如图3所示，在衬底基板10上依次形成金属氧化物半导体层20、透明导电材料层30和金属层40。
其中，金属氧化物半导体层20由铟镓锌氧化物(IGZO)、锡掺杂氧化铟(Sn-In2O3，Stannum-Doped Indium Oxide)和钼掺杂氧化铟(Mo-In2O3，Molybdenum-Doped IndiumOxide)中至少一种材料构成。透明导电材料层30由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO，IndiumZinc Oxide)和氟掺杂二氧化锡(FTO，Fluorine-Doped Tin Oxide)中至少一种材料构成。金属层40由Cu等低电阻率材料构成。
步骤S12、如图4所示，形成覆盖金属层40的光刻胶层50；通过掩膜板01对光刻胶层50进行包括有曝光、显影的处理，形成光刻胶第一保留部分51、光刻胶第二保留部分52、光刻胶第三保留部分53和光刻胶完全去除区域54；其中，光刻胶第一保留部分51、光刻胶第二保留部分52和光刻胶第三保留部分54的厚度依次递减；光刻胶第一保留部分51对应于待形成的源漏金属图案层；光刻胶第二保留部分52对应于待形成的像素电极被源漏金属图案层中的漏极露出的部分区域；光刻胶第三保留部分53对应于待形成的有源层中对应于源漏金属图案层中源极与漏极之间的区域；光刻胶完全去除区域54对应于金属层40上的其余区域。
这里，上述步骤S12中，选取与光刻胶(Photoresist，PR)的曝光、显影特性相对应的具体的掩膜板种类，以形成上述的3种不同厚度的PR胶图案。
参考图4所示，本发明实施例具体以形成的光刻胶层由正性光刻胶材料构成为例，正性光刻胶材料具有曝光前不溶解于显影液，经过紫外线曝光后，转变为能够溶解于显影液从而被去除的特性。
相对应的，参考图4所示，上述的掩膜板01则具体包括，完全透光部01a、不透光部01b、第一透过率曝光部01c和第二透过率曝光部01d；其中，第一透过率曝光部01c的透过率大于第二透过率曝光部01d的透过率；完全透光部01a对应于待形成的光刻胶完全去除区域54、不透光部01b对应于待形成的光刻胶第一保留部分51、第一透过率曝光部01c对应于待形成的光刻胶第三保留部分53、第二透过率曝光部01d对应于待形成的光刻胶第二保留部分52。
即通过具有上述的2种部分透过率的灰色调(Gray-tone Mask)或半色调(Half-tone Mask)掩膜板从而形成上述的3种不同厚度的PR胶图案。
当然，上述实施例也可选取与正性光刻胶材料具有相反特性的负性光刻胶材料，即负性光刻胶材料具有曝光前能够溶解于显影液，经过紫外线曝光后，转变为不能够溶解于显影液，从而使得未被曝光的部分得以去除的特性。
即当形成的光刻胶层由负性光刻胶材料构成；掩膜板包括，完全透光部、不透光部、第一透过率曝光部和第二透过率曝光部；其中，与对应于正性光刻胶的掩膜板透过率刚好相反，对应于负性光刻胶材料的掩膜板的第一透过率曝光部的透过率小于第二透过率曝光部的透过率；完全透光部对应于待形成的光刻胶第一保留部分、不透光部对应于待形成的光刻胶完全去除区域、第一透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第三保留部分、第二透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第二保留部分。
步骤S13、如图5所示，采用刻蚀工艺(即第一次刻蚀)，去除光刻胶完全去除区域54露出的金属层40的部分及下方的透明导电材料层30和金属氧化物半导体层20，即形成了源漏金属图案层的大致区域。
步骤S14、如图6所示，采用灰化工艺(即第一次灰化)，去除光刻胶第三保留部分，相应的其余保留部分的厚度也会有所减薄；并通过刻蚀工艺(即第二次刻蚀)去除被光刻胶第三保留部分露出的金属层40的部分及下方的透明导电材料层30，以形成有源层21、位于有源层21上的透明导电材料保留图案32、与透明导电材料保留图案32同层设置的像素电极31、源极41和数据线(图中未示意出)。
步骤S15、如图7所示，采用灰化工艺(即第二次灰化)，去除光刻胶第二保留部分，相应的其余保留部分的厚度也会有所减薄；并通过刻蚀工艺(即第三次刻蚀)去除被光刻胶第二保留部分露出的金属层的部分，以形成漏极42。
步骤S16、如图8所示，采用剥离工艺，去除光刻胶第一保留部分，以露出形成的源漏金属图案层、像素电极31和有源层21中对应于源极41与漏极42之间的区域(即TFT导通时的沟道区域)。
步骤S17、如图9所示，形成覆盖有源层21、像素电极31和源漏金属图案层的栅绝缘层60和栅金属层70。
步骤S18、如图10所示，通过一次构图工艺在栅绝缘层60上形成栅金属图案层；栅金属图案层包括，栅极71和栅线(图中未示意出)。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括，
在基板上依次形成金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层；
使用一次掩膜板对所述金属氧化物半导体层、所述透明导电材料层和所述金属层进行构图工艺处理，以形成有源层、像素电极和源漏金属图案层；其中，所述源漏金属图案层包括，源极、漏极和数据线；所述源极与所述数据线靠近所述有源层一侧还形成有与所述像素电极同层设置的透明导电材料保留图案；所述漏极与所述像素电极直接接触，且露出所述像素电极的部分区域。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜板包括，完全透光部、不透光部、第一透过率曝光部和第二透过率曝光部；所述第一透过率曝光部和所述第二透过率曝光部的透过率不同，且均小于所述完全透光部；
其中，在对所述金属氧化物半导体层、所述透明导电材料层和所述金属层进行构图工艺处理中，所述第一透过率曝光部对应于待形成的所述有源层中对应于所述源漏金属图案层中所述源极与所述漏极之间的区域，所述第二透过率曝光部对应于待形成的所述像素电极被所述源漏金属图案层中的所述漏极露出的部分区域。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述使用一次掩膜板对所述金属氧化物半导体层、所述透明导电材料层和所述金属层进行构图工艺处理，以形成有源层、像素电极、源漏金属图案层，包括，
形成覆盖所述金属层的光刻胶层；
通过所述掩膜板对所述光刻胶层进行包括有曝光、显影的处理，形成光刻胶第一保留部分、光刻胶第二保留部分、光刻胶第三保留部分和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶第一保留部分、所述光刻胶第二保留部分和所述光刻胶第三保留部分的厚度依次递减；所述光刻胶第一保留部分对应于待形成的源漏金属图案层；所述光刻胶第二保留部分对应于待形成的像素电极被所述源漏金属图案层中的漏极露出的部分区域；所述光刻胶第三保留部分对应于待形成的有源层中对应于所述源漏金属图案层中源极与所述漏极之间的区域；所述光刻胶完全去除区域对应于所述金属层上的其余区域；
去除所述光刻胶完全去除区域露出的所述金属层的部分及下方的所述透明导电材料层和所述金属氧化物半导体层；
依次去除所述光刻胶第三保留部分和被所述光刻胶第三保留部分露出的所述金属层的部分及下方的所述透明导电材料层，以形成有源层、位于所述有源层上的透明导电材料保留图案、与所述透明导电材料保留图案同层设置的像素电极、源极和数据线；
依次去除所述光刻胶第二保留部分和被所述光刻胶第二保留部分露出的所述金属层的部分，以形成漏极；
去除所述光刻胶第一保留部分，以露出形成的所述源漏金属图案层、所述像素电极和所述有源层中对应于所述源极与所述漏极之间的区域。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，
针对形成的所述光刻胶层由正性光刻胶材料构成的情况，
所述第一透过率曝光部的透过率大于所述第二透过率曝光部的透过率；所述完全透光部对应于待形成的光刻胶完全去除区域、所述不透光部对应于待形成的光刻胶第一保留部分、所述第一透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第三保留部分、所述第二透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第二保留部分。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，
针对形成的所述光刻胶层由负性光刻胶材料构成的情况，
所述第一透过率曝光部的透过率小于所述第二透过率曝光部的透过率；所述完全透光部对应于待形成的光刻胶第一保留部分、所述不透光部对应于待形成的光刻胶完全去除区域、所述第一透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第三保留部分、所述第二透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第二保留部分。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括，
形成覆盖所述有源层、所述像素电极和所述源漏金属图案层的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅金属图案层；所述栅金属图案层包括，栅极和栅线。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括，
在所述栅绝缘层上形成对应于所述像素电极的公共电极。
8.一种阵列基板，包括基板；其特征在于，所述阵列基板还包括，
设置在所述基板上的由金属氧化物半导体构成的有源层；
设置在所述有源层上的透明导电材料保留图案和像素电极；
设置在所述有源层上方的源漏金属图案层；
其中，所述源漏金属图案层包括，源极、漏极和数据线；
所述源极和所述数据线覆盖所述透明导电材料保留图案；所述漏极覆盖所述像素电极的部分区域。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括，覆盖所述有源层、所述像素电极和所述源漏金属图案层的栅绝缘层；设置在所述栅绝缘层上的栅金属图案层；所述栅金属图案层包括，栅极和栅线。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的阵列基板。
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