CN103022055A - 一种阵列基板及制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可减少构图工艺次数，从而提升量产产品的产能，降低成本；该方法包括：步骤1、在基板上形成包括栅电极的图案层；步骤2、在完成前述步骤的基板上形成包括栅绝缘层的图案层；步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括有源层的图案层；步骤4、在完成前述步骤的基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极、数据线、源电极、漏电极和薄膜场效应晶体管TFT沟道的图案层；步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层；步骤6、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案层。用于制备阵列基板、显示装置等。

Description

一种阵列基板及制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制备方法、显示装置。

背景技术

随着TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)显示技术的不断发展，越来越多的新技术不断地被提出和应用，例如高分辨率、高开口率、GOA(Gate onArray，阵列基板行驱动)技术等。目前，对于TFT-LCD而言，现有技术中对于高级超维场转换(ADvanced Super Dimension Switch，简称为ADS)型阵列基板通常需要栅金属层掩膜，有源层掩膜，栅绝缘层掩膜，第一电极层掩膜，源漏金属层掩膜，钝化层掩膜、以及第二电极层掩膜7次构图工艺来制造，而每一次构图工艺中又分别包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。

当然，对于例如TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)阵列基板，即第二电极层设置在彩膜基板的情况，则需要5-6次构图工艺，在此不再赘述。

然而，构图工艺的次数过多将直接导致产品的成本上升以及量产产品的产能降低，因此如何能够进一步减少构图工艺的次数也就成为了人们日益关注的问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及制备方法、显示装置，通过将第一电极的图案层和数据线、源电极和漏电极的图案层在一次构图工艺中形成来减少构图工艺次数，从而提升量产产品的产能，降低成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供了一种阵列基板的制备方法，包括：步骤1、在基板上形成包括栅电极的图案层；步骤2、在完成前述步骤的基板上形成包括栅绝缘层的图案层；步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括有源层的图案层；步骤4、在完成前述步骤的基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极、数据线、源电极、漏电极和薄膜场效应晶体管TFT沟道的图案层；步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层；步骤6、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案层。

一方面，提供了一种阵列基板，包括：设置在基板上的栅金属层，栅绝缘层、有源层、包括第一电极图案层的第一电极层、及包括数据线、源电极和漏电极图案层的源漏金属层；其中，所述第一电极层设置于所述源漏金属层下方。

另一方面，提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本发明实施例提供了一种阵列基板及制备方法、显示装置，通过一次构图工艺形成第一电极的图案层和数据线、源电极和漏电极的图案层，与现有技术中的通过两次构图工艺分别形成所述第一电极的图案层和数据线、源电极和漏电极的图案层相比，减少构图工艺次数，从而提升量产产品的产能，降低成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例一提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；

图2为本发明实施例一提供的制作阵列基板的第一示意图；

图3为本发明实施例一提供的制作阵列基板的第二示意图；

图4为本发明实施例一提供的制作阵列基板的第三示意图；

图5为本发明实施例一提供的制作阵列基板的第四示意图；

图6为本发明实施例一提供的制作阵列基板的第五示意图；

图7为本发明实施例一提供的制作阵列基板的第六示意图；

图8为本发明实施例一提供的制作阵列基板的第七示意图；

图9为本发明实施例一提供的制作阵列基板的第八示意图；

图10为本发明实施例一提供的制作阵列基板的第九示意图；

图11为本发明实施例一提供的制作包括钝化层的阵列基板的示意图；

图12为本发明实施例一提供的制作包括第二电极层的阵列基板的示意图；

图13为本发明实施例二提供的制作阵列基板的第一示意图；

图14为本发明实施例二提供的制作阵列基板的第二示意图；

图15为本发明实施例二提供的制作阵列基板的第三示意图；

图16为本发明实施例二提供的制作阵列基板的第四示意图；

图17为本发明实施例二提供的制作阵列基板的第五示意图；

图18为本发明实施例三提供的制作阵列基板的示意图。

附图标记：

11-栅金属层，11a-栅极，11b-栅线引线；12-栅绝缘层，12a-第一过孔；13a-非晶硅图案层，13b-n+非晶硅图案层，13-有源层；14-透明导电薄膜，14a-第一电极，14b-第一透明导电图案层，14c-第二透明导电图案层；15-金属薄膜，15a-源电极，15b-漏电极，15c-源漏金属层保留图案层；145-沟道；16-光刻胶，16a-光刻胶完全保留部分，16b-光刻胶半保留部分，16c-光刻胶完全去除部分；17-灰色调掩膜板，17a-不透明部分，17b-半透明部分，17c-透明部分；18-钝化层，18a-第二过孔；19-第二电极。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括：步骤1、在基板上形成包括栅电极的图案层；步骤2、在完成前述步骤的基板上形成包括栅绝缘层的图案层；步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括有源层的图案层；步骤4、在完成前述步骤的基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极、数据线、源电极、漏电极和薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，简称为TFT)沟道的图案层；步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层；步骤6、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案层。

需要说明的是，在本发明实施例中所述栅电极的图案层、所述栅绝缘层的图案层、所述有源层的图案层、所述第一电极的图案层、所述数据线、源电极、漏电极和TFT沟道的图案层是构成阵列基板的必不可少的图案层；对于ADS型阵列基板，所述钝化层的图案层以及第二电极的图案层也是必不可少的图案层。此外，在本发明所有实施例中所述一次构图工艺是对应于一次掩膜工艺来说的，应用一次掩膜板制作完成某些图案层称为进行了一次构图工艺。

在本发明实施例中，通过一次构图工艺处理形成第一电极的图案层和数据线、源电极和漏电极的图案层，相对于现有技术的通过两次构图工艺处理分别形成所述第一电极的图案层和所述数据线、源电极和漏电极的图案层，本发明实施例减少了构图工艺的次数，从而提升量产产品的产能，降低成本。

实施例一，所述阵列基板的制备方法，如图1所示，包括如下步骤：

S10、在基板上制作金属薄膜，通过一次构图工艺处理形成如图2所示的栅金属层11，其中所述栅金属层11包括栅电极11a的图案层、栅线(图中未标出)、以及栅线引线11b的图案层。

具体的，可以使用磁控溅射方法，在玻璃基板上制备一层厚度在

至

的金属薄膜。金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩膜板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板10的一定区域上形成栅电极11a、栅线(图中为标出)、以及栅线引线11b的图案层。

S11、在完成步骤S10的基板上制作绝缘薄膜，通过一次构图工艺处理形成栅绝缘层12的图案层。

此处，如图3所示，在所述栅绝缘层12的图案层位于栅线引线11b的图案层上方的情况下，可通过一次构图工艺处理形成带有第一过孔12a的所述栅绝缘层12的图案层，其中，所述第一过孔12a位于所述栅线引线11b的图案层上方。

具体的，可以利用化学汽相沉积法在基板上连续沉积厚度为

至的绝缘薄膜，绝缘薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等，用掩膜板进行曝光、显影、刻蚀形成带有第一过孔12a的栅绝缘层12的图案层。

需要说明的是，在本发明所有实施例中，所指的上方为：按照形成的先后顺序，先形成的在下，后形成的在上。例如，所述栅绝缘层12的图案层位于栅线引线11b的图案层上方，即，先形成所述栅线引线11b的图案层，再形成所述栅绝缘层12的图案层。

S12、在完成步骤S11的基板上制作有源层，通过一次构图工艺处理形成如图4所示的有源层13的图案层。

具体的，可以利用化学汽相沉积法在基板之上沉积厚度为

至

的金属氧化物半导体薄膜，对金属氧化物半导体薄膜进行一次构图工艺即可形成有源层13的图案层，即在光刻胶涂覆后，用普通的掩膜板对基板进行曝光、显影、刻蚀形成位于所述栅电极11a的图案层上方的有源层13的图案层。

S13、如图5所示，在完成步骤S12的基础上，依次制作透明导电薄膜14和金属薄膜15，并在所述金属薄膜15上涂覆光刻胶16。

具体的，可以先利用化学汽相沉积法在整个基板上沉积一层厚度在

至

之间的透明导电薄膜层14，之后在基板上沉积一层厚度在

到

金属薄膜15；其中常用的透明导电薄膜14可以为ITO(Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)或IZO(Indium ZincOxide，铟锌氧化物)薄膜；然后在所述金属薄膜15上涂覆一层光刻胶16。

S14、利用如图6所示的灰色调掩膜板17对形成有所述光刻胶16的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分16a、光刻胶半保留部分16b和光刻胶完全去除部分16c。

其中，所述光刻胶完全保留部分16a至少对应待形成的所述数据线(图中未标出)、源电极15a和漏电极15b的图案层的区域，所述光刻胶半保留部分16b至少对应待形成的所述第一电极的图案层16a的部分区域，所述光刻胶完全去除部分16c对应包括TFT沟道区域在内的其他区域。

进一步优选的，所述光刻胶半保留部分16b的光刻胶厚度为

这样可以进一步的增加工艺稳定性以及节省工艺时间。

此处，参考图6所示，对灰色调掩膜板17的主要原理说明如下：

灰色调掩膜板17是通过光栅效应，使曝光在不同区域透过光的强度不同，而使光刻胶进行选择性曝光、显影。在灰色调掩膜板17中，包括不透明部分17a、半透明部分17b和透明部分17c。光刻胶16曝光后，光刻胶完全保留部分16a对应灰色调掩膜板17的不透明部分17a，光刻胶半保留部分16b对应灰色调掩膜板17的半透明部分17b，光刻胶完全去除部分16c对应灰色调掩膜板17的透明部分17c。

所述的半色调掩膜板的原理与所述灰色调掩膜板17类似，在此不再赘述。

此外，对于所述光刻胶，其种类很多，根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。不同种类的光刻胶对应有不同的掩膜板，例如，光刻胶为正性胶，则所述灰色调掩膜板17中，所述光刻胶完全去除部分16c对应的区域为完全曝光区域，所用材料为透光材料；所述光刻胶半保留部分16b对应的区域为半曝光区域，所用材料为半透光材料，所述光刻胶完全保留部分16a对应的区域为不曝光区域，所用材料为不透光材料。反之，光刻胶为负性胶，则所述灰色调掩膜板17中，所述光刻胶完全去除部分16c对应的区域为不曝光区域，所用材料为不透光材料；所述光刻胶完全保留部分16a对应的区域为完全曝光区域，所用材料为透光材料，所述光刻胶半保留部分16b对应的区域仍然为半曝光区域，所用材料为半透光材料。

由上述对所述光刻胶的描述可知，本发明实施例中以正性胶为例进行说明。

S15、采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分16c的所述金属薄膜和所述透明导电薄膜，如图7所示，至少形成位于TFT沟道145两侧的数据线(图中为标出)及源电极15a的图案层、所述数据线及源电极的图案层下方的第一透明导电图案层14b和第一电极14a的图案层、所述第一电极的图案层上方的金属薄膜。

需要说明的是，所述透明导电图案层14b对于构成阵列基板来说是可有可无的，即不是构成阵列基板的必要的图案层，但在本发明实施例中，由于只经过一次构图工艺，因此在所述数据线及源电极15a图案层下方形成了透明导电图案层14b。

当然，按上述步骤的制备方法，如图7所示，在去除所述光刻胶完全去除部分16c的所述金属薄膜和所述透明导电薄膜后，还形成覆盖所述第一过孔12a的第二透明导电图案层14c和位于所述第二透明导电图案层14c上方的源漏金属层保留图案层15c，通过所述第一过孔12a，所述第二透明导电图案层14c和源漏金属层保留图案层15c与所述栅线引线11b电连接。

此处，所述第一电极14a的图案层、第一透明导电图案层14b、以及第二透明导电图案层14c形成在同一层；所述数据线、源电极15a、以及源漏金属层保留图案层15c形成在同一层；此外，第一透明导电图案层14b、第二透明导电图案层14c和源漏金属层保留图案层15c对于构成阵列基板来说是可有可无的，只是根据工艺不同形成在基板上的保留图案层。

优选的，采用湿法刻蚀工艺分别去除所述光刻胶完全去除部分16c的金属薄膜和所述透明导电薄膜。

S16、采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分16b的光刻胶，形成如图8所示的基板。

由于光刻胶完全保留部分16a比光刻胶半保留部分16b的光刻胶厚度厚，故将所述光刻胶半保留部分16b去除后，所述基板上的光刻胶还剩有光刻胶完全保留部分16a。

S17、采用刻蚀工艺去除露出的所述第一电极14a的图案层上方的部分金属薄膜，形成如图9所示的所述漏电极15b的图案层。

优选的，采用湿法刻蚀工艺去除露出的所述第一电极14a的图案层上方的部分金属薄膜。

S18、采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分16a的光刻胶，形成如图10所示的基板。

步骤S13～S18只进行一次构图工艺，形成包括第一电极14a的图案层和包括数据线、源电极15a和漏电极15b的图案层。相对于现有技术的通过两次构图工艺处理分别形成所述第一电极14a的图案层和所述数据线、源电极15a和漏电极15b的图案层，本发明实施例减少了构图工艺的次数，从而提升量产产品的产能，降低成本。

此外，为了防止导电的薄膜(例如金属薄膜或透明导电薄膜)裸露在空气中发生氧化等，导致该阵列基板使用寿命降低，进一步地，所述方法还可以包括如下步骤：

S19、完成步骤S18的基板上制作钝化层薄膜，通过一次构图工艺处理形成钝化层18的图案层。

此处，如图11所示，可通过一次构图工艺处理形成带有第二过孔18a的钝化层18的图案层，所述第二过孔18a露出位于下方的源漏金属层保留图案层15c。

具体的，可以在整个基板上涂覆一层厚度在到

的保护层，其材料通常是氮化硅或透明的有机树脂材料。

由于栅极11a需要被驱动电路驱动，才能实现显示的作用，因此，在本发明实施例中，需形成带有第二过孔18a的钝化层18，以使驱动电路通过该第二过孔18a与所述栅线引线11b电连接。

此外，本发明实施例提供的阵列基板可以适用于高级超维场转换型、TN型等类型的液晶显示装置的生产。其中，高级超维场转换技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

因此，优选的，在步骤S19的基础上，所述方法还包括：

S20、在完成步骤S19的基板上再制作一层透明导电薄膜14，通过一次构图工艺形成如图12所示的第二电极19的图案层。

需要说明的是，本发明实施例一仅是其中一种阵列基板的制备方法，本发明实施例并不限于此，也可以是阵列基板的其他的制备方法，例如还可以包括顶栅型阵列基板的制备方法，在此情况下，则不需要在形成所述栅绝缘层的图案层时形成第一过孔，由于这些都是现有技术，在此不再赘述，不管是哪种制备方法，在本发明实施例中，只需使构成阵列基板的必不可少的第一电极的图案层和数据线、源电极和漏电极的图案层通过一次构图工艺形成即可。

实施例二，一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：

S30、在基板上制作金属薄膜，通过一次构图工艺处理形成栅金属层11，其中所述栅金属层11包括栅电极11a、栅线(图中未标出)、以及栅线引线11b的图案层；在形成有所述栅金属层的基板上制作绝缘薄膜，通过一次构图工艺处理形成带有第一过孔12a的栅绝缘层12的图案层；在形成栅绝缘层12的图案层的基板上制作包括一层非晶硅薄膜和一层n+非晶硅薄膜的有源层，通过一次构图工艺处理形成包括非晶硅图案层13a和n+非晶硅图案层13b的有源层13的图案层，形成如图13所示的基板。

具体的，可以利用化学汽相沉积法在基板上沉积厚度为

至的非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜，用有源层的掩膜板进行曝光、显影、刻蚀，在栅极11a的上方形成有源层13。

在步骤S30中，形成包括栅电极11a、栅线、以及栅线引线11b的图案层的所述栅金属层和带有第一过孔12a的所述栅绝缘层12的图案层与上述步骤S10-S11相同，在此不再赘述。

S31、在完成步骤S30的基础上，依次制作透明导电薄膜14和金属薄膜15，并在所述金属薄膜15上涂覆光刻胶，利用灰色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分16a、光刻胶半保留部分16b和光刻胶完全去除部分16c(图14未标出)；采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分16c的所述金属薄膜和所述透明导电薄膜，至少形成位于TFT沟道145两侧的数据线(图中为标出)及源电极15a的图案层、所述数据线及源电极的图案层下方的第一透明导电图案层14b和第一电极14a的图案层、所述第一电极的图案层上方的金属薄膜，形成如图14所示的基板。

其中，所述光刻胶完全保留部分16a至少对应待形成的所述数据线(图中未标出)、源电极15a和漏电极15b的图案层的区域，所述光刻胶半保留部分16b至少对应待形成的所述第一电极的图案层16a的部分区域，所述光刻胶完全去除部分16c对应包括TFT沟道145区域在内的其他区域。

当然，按上述步骤的制备方法，如图14所示，在去除所述光刻胶完全去除部分16c的所述金属薄膜和所述透明导电薄膜后，还形成覆盖所述第一过孔12a的第二透明导电图案层14c和位于所述第二透明导电图案层14c上方的源漏金属层保留图案层15c，通过所述第一过孔12a，所述第二透明导电图案层和源漏金属层保留图案层15c与所述栅线引线11b电连接。

优选的，所述光刻胶半保留部分16b的光刻胶厚度为

这样可以进一步的增加工艺稳定性以及节省工艺时间。

优选的，采用湿法刻蚀工艺分别去除所述光刻胶完全去除部分16c的金属薄膜15和所述透明导电薄膜14。

在步骤S31中，至少形成位于沟道145两侧的数据线及源电极15a的图案层、所述数据线及源电极的图案层下方的透明导电图案层14b和第一电极14a的图案层、所述第一电极的图案层上方的金属薄膜与上述步骤S13-S15相同，在此不再赘述。

S32、采用干法刻蚀去除所述沟道145区域的部分n+非晶硅图案层，形成如图15所示的基板。

S33、采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分16b的光刻胶，采用刻蚀工艺去除露出的所述第一电极14a的图案层上方的部分金属薄膜，形成如图16所示的所述漏电极15b的图案层。

优选的，采用湿法刻蚀去除露出的所述第一电极14a的图案层上方的部分金属薄膜。

S34、采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分16a的光刻胶，形成如图17所示的基板。

后续步骤与上述的S19-S20相同，在此不再赘述。

在本发明实施例中，刻蚀顺序依次为湿法刻蚀-湿法刻蚀-干法刻蚀-干法刻蚀-湿法刻蚀，由此可以看出，前面的两次湿法刻蚀可以在一个反应腔中进行，后面的两次干法刻蚀也可以在一个反应腔中进行，这样有利于提升刻蚀的产能。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，通过一次构图工艺形成包括第一电极14a的图案层和包括数据线、源电极15a和漏电极15b的图案层；相对于现有技术的通过两次构图工艺处理分别形成所述第一电极14a的图案层和所述数据线、源电极15a和漏电极15b的图案层，本发明实施例减少了构图工艺的次数，从而提升量产产品的产能，降低成本。

实施例三，一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：

S40、在基板10上制作金属薄膜，通过一次构图工艺处理形成栅金属层，其中所述栅金属层包括栅电极11a、栅线(图中未标出)、以及栅线引线11b的图案层；在形成有所述栅金属层的基板上制作绝缘层薄膜，通过一次构图工艺处理形成带有第一过孔12a的栅绝缘层12的图案层；在形成栅绝缘层12的图案层的基板上制作包括一层非晶硅薄膜和一层n+非晶硅薄膜的有源层，通过一次构图工艺处理形成包括非晶硅图案层13a和n+非晶硅图案层13b的有源层13的图案层，形成参考图13所示的基板。

S41、在完成步骤S40的基础上，依次制作透明导电薄膜14和金属薄膜15，并在所述金属薄膜15上涂覆光刻胶，利用灰色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分16a、光刻胶半保留部分16b和光刻胶完全去除部分16c；采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分16c的所述金属薄膜15和所述透明导电薄膜14，至少形成位于TFT沟道145两侧的数据线(图中为标出)及源电极15a的图案层、所述数据线及源电极的图案层下方的第一透明导电图案层14b和第一电极14a的图案层、所述第一电极的图案层上方的金属薄膜，形成参考图14所示的基板。

当然，按上述步骤的制备方法，在去除所述光刻胶完全去除部分16c的所述金属薄膜和所述透明导电薄膜后，还形成覆盖所述第一过孔12a的第二透明导电图案层14c和位于所述第二透明导电图案层14c上方的源漏金属层保留图案层15c，通过所述第一过孔12a，所述第二透明导电图案层和源漏金属层保留图案层15c与所述栅线引线11b电连接。

优选的，采用湿法刻蚀工艺分别去除所述光刻胶完全去除部分16c的金属薄膜15和所述透明导电薄膜14。

S42、采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分16b的光刻胶，采用刻蚀工艺去除露出的所述第一电极14a的图案层上方的部分金属薄膜，形成如图18所示的所述漏电极15b的图案层。

优选的，采用湿法刻蚀工艺去除露出的所述第一电极14a的图案层上方的部分金属薄膜。

S43、采用干法刻蚀去除所述沟道区域的部分n+非晶硅图案层13b，形成参考图16所示的基板。

S44、采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分16a的光刻胶，形成参考图17所示的基板。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，通过一次构图工艺便形成包括第一电极14a的图案层和包括数据线、源电极15a和漏电极15b的图案层；相对于现有技术的通过两次构图工艺处理分别形成第一电极14a的图案层和所述数据线、源电极15a和漏电极15b的图案层，本发明实施例减少了构图工艺的次数，从而提升量产产品的产能，降低成本。

需要说明的是，上述实施例二和实施例三仅是其中一种阵列基板的制备方法，本发明实施例并不限于此，也可以是阵列基板的其他的制备方法，例如还可以包括顶栅型阵列基板的制备方法。

本发明实施例提供了一种阵列基板，参考图10所示，包括设置在基板10上的栅金属层11，栅绝缘层12、有源层13、包括第一电极图案层14a的第一电极层、及包括数据线、源电极15a和漏电极15b图案层的源漏金属层；其中，所述第一电极层设置于所述源漏金属层下方。

其中，栅金属层11包括栅电极11a的图案层、栅线(图中未标出)、以及栅线引线11b的图案层。所述栅绝缘层12a为带有第一过孔12a的栅绝缘层12a。

此外，在本发明实施中所述第一电极层中的第一电极图案层，以及源漏金属层中的数据线、源电极15a和漏电极15b图案层是构成阵列基板的必不可少的图案层，也就是说，在第一电极层和中可能还包括其他图案层对于构成阵列基板非必须的图案层。

在本发明实施例中，由于构图工艺的限制，所述第一电极层例如还包括设置于所述数据线及源电极15a图案层下方的第一透明导电图案层14b，覆盖所述第一过孔12a的第二透明导电图案层14c；所述源漏金属层还包括设置于所述第二透明导电图案层14c上方的源漏金属层保留图案层15c。具体可参照上述方法实施例，在此不再赘述。

进一步地，参考图11所示，所述阵列基板还包括：带有第二过孔18a的钝化层18，所述第二过孔18a露出位于所述钝化层18下方的导电部分。

此处，参考图11，位于所述钝化层18下方的为源漏金属层，因此，第二过孔18a则露出所述源漏金属层中的源漏金属层保留图案层15c。

进一步地，参考图12所示，所述阵列基板还包括：还包括：位于所述钝化层上的第二电极层。

其中，第二电极层包括第二电极19图案层，且所述第二电极做成包括多个电连接的条形电极。此外，在本发明实施中，所述第一电极可以为像素电极，第二电极为公共电极。

本发明实施例提供的一种阵列基板，包括设置在基板10上的栅金属层11，栅绝缘层12、有源层13，包括第一电极14a图案层的第一电极层、及包括数据线、源电极15a和漏电极15b图案层的源漏金属层，其中所述第一电极层设置于所述源漏金属层下方；在制作过程中，相对于现有技术的通过两次构图工艺处理分别形成所述第一电极图案层和所述数据线、源电极和漏电极图案层，本发明实施例减少了构图工艺的次数，从而提升量产产品的产能，降低成本。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括对盒后的彩膜基板和阵列基板，其中，所述阵列基板可以是上述的任一种的阵列基板。所述显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相机、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制备方法，包括：

步骤1、在基板上形成包括栅电极的图案层；

步骤2、在完成前述步骤的基板上形成包括栅绝缘层的图案层；

步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括有源层的图案层；

步骤4、在完成前述步骤的基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极、数据线、源电极、漏电极和薄膜场效应晶体管TFT沟道的图案层；

步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层；

步骤6、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4的构图工艺包括：

在所述金属薄膜上涂覆光刻胶；

采用灰色调掩膜板或半色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分至少对应待形成的所述数据线、源电极和漏电极的图案层的区域，所述光刻胶半保留部分至少对应待形成的所述第一电极的图案层的部分区域，所述光刻胶完全去除部分对应包括TFT沟道区域在内的其他区域；

采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的所述金属薄膜和所述透明导电薄膜，至少形成位于所述TFT沟道两侧的数据线及源电极的图案层、所述数据线及源电极的图案层下方的第一透明导电图案层和第一电极的图案层、所述第一电极的图案层上方的金属薄膜；

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；

采用刻蚀工艺去除露出的所述第一电极的图案层上方的部分金属薄膜，形成所述漏电极的图案层；

采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述数据线、源电极和漏电极的图案层位于所述栅电极的图案层上方，且所述有源层的图案层包括非晶硅图案层和n+非晶硅图案层，所述采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的所述金属薄膜和所述透明导电薄膜之后，且所述采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶之前，所述方法还包括：

采用干法刻蚀去除所述TFT沟道区域的n+非晶硅。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述数据线、源电极和漏电极的图案层位于所述栅电极的图案层上方，且所述有源层的图案层包括非晶硅图案层和n+非晶硅图案层，所述采用刻蚀工艺去除露出的所述第一电极的图案层上方的部分金属薄膜之后，所述采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶之前，所述方法还包括：

采用干法刻蚀去除所述TFT沟道区域的n+非晶硅。

5.根据权利要求2至4任一项所述的方法，其特征在于，采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的所述金属薄膜和所述透明导电薄膜包括：

采用湿法刻蚀去除所述光刻胶完全去除部分的金属薄膜和所述透明导电薄膜；

采用刻蚀工艺去除露出的所述第一电极的图案层上方的部分金属薄膜包括：

采用湿法刻蚀去除露出的所述第一电极的图案层上方的部分金属薄膜。

6.根据权利要求2至4任一项所述的方法，其特征在于，所述光刻胶半保留部分的光刻胶厚度为

7.一种阵列基板，包括：设置在基板上的栅金属层，栅绝缘层、有源层、包括第一电极图案层的第一电极层、及包括数据线、源电极和电漏极图案层的源漏金属层；其特征在于，所述第一电极层设置于所述源漏金属层下方。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括：带有第二过孔的钝化层，所述第二过孔露出位于所述钝化层下方的导电部分。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述钝化层上的第二电极层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7至9任一项所述的阵列基板。

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