CN110265471A - 显示装置、显示面板及其制造方法 - Google Patents
显示装置、显示面板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110265471A CN110265471A CN201910600353.8A CN201910600353A CN110265471A CN 110265471 A CN110265471 A CN 110265471A CN 201910600353 A CN201910600353 A CN 201910600353A CN 110265471 A CN110265471 A CN 110265471A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- transition region
- separate
- flatness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
Abstract
本公开关于显示装置、显示面板及其制造方法,涉及显示技术领域。该显示面板包括衬底、驱动层、平坦层、分隔层、阻隔层和显示层。衬底具有过渡区以及分隔于过渡区两侧的开孔区和显示区。驱动层设于衬底一侧,且覆盖过渡区和显示区。平坦层覆盖驱动层。分隔层设于平坦层背离衬底的表面位于过渡区的区域,且至少沿开孔区的周向围绕开孔区的一部分,分隔层的侧壁沿垂直于衬底的方向朝衬底逐渐收缩。阻隔层位于过渡区,且至少覆盖分隔层背离衬底的表面,阻隔层的材料为用于阻挡水氧的材料。显示层覆盖平坦层和阻隔层,显示层包括发光层,发光层在分隔层的侧壁位置间断。本公开的显示面板可阻挡水氧对显示器件的侵蚀,保证显示效果。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示装置、显示面板及显示面板的制造方法。
背景技术
对于手机、电脑等终端设备而言,经常需要在显示面板上开孔,以便设置摄像头或传感器等器件,以便降低显示面板边缘的宽度,实现窄边框甚至无边框。但是,对于OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板而言,由于开孔的存在,使得空气中的水和氧会沿有机发光层向显示区渗透,从而侵蚀显示器件,影响显示效果。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种显示装置、显示面板及显示面板的制造方法,可阻挡水氧对显示器件的侵蚀,保证显示效果。
根据本公开的一个方面,提供一种显示面板,包括:
衬底,具有过渡区以及分隔于所述过渡区两侧的开孔区和显示区;
驱动层,设于所述衬底一侧,且覆盖所述过渡区和所述显示区;
平坦层,覆盖所述驱动层;
分隔层,设于所述平坦层背离所述衬底的表面位于所述过渡区的区域,且至少沿所述开孔区的周向围绕所述开孔区的一部分,所述分隔层的侧壁沿垂直于所述衬底方向朝所述衬底逐渐收缩;
阻隔层,位于所述过渡区,且至少覆盖所述分隔层背离所述衬底的表面,所述阻隔层的材料为用于阻挡水氧的材料;
显示层,覆盖所述平坦层和所述阻隔层,所述显示层包括发光层,所述发光层在所述分隔层的侧壁位置间断。
在本公开的一种示例性实施例中,所述分隔层的材料和所述平坦层的材料相同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述分隔层和所述平坦层的材料均为负性光刻胶。
在本公开的一种示例性实施例中,所述过渡区围绕所述开孔区,所述显示区围绕所述过渡区;
所述分隔层为围绕所述开孔区的环状结构,且所述分隔层的数量为多个,且同心设置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阻隔层的材料包括氮化硅和碳化硅中至少一种。
在本公开的一种示例性实施例中,所述衬底为柔性材质。
在本公开的一种示例性实施例中,所述驱动层包括:
有源层,设于所述衬底一侧,且位于所述显示区;
栅绝缘层,覆盖所述有源层,且覆盖所述显示区和所述过渡区;
栅极,设于所述栅绝缘层背离所述衬底的表面,且与所述有源层正对;
绝缘层,覆盖所述栅极和所述栅绝缘层;
钝化层,覆盖所述绝缘层;
源极和漏极,设于所述钝化层背离所述衬底的表面,且均与所述有源层通过过孔连接;
其中,所述平坦层覆盖所述源极、所述漏极和所述钝化层,所述阻隔层的材料与所述钝化层的材料相同。
根据本公开的一个方面,提供一种显示面板的制造方法,包括:
提供一衬底,具有过渡区以及分隔于所述过渡区两侧的开孔区和显示区;
在所述衬底一侧形成驱动层,所述驱动层覆盖所述开孔区、所述过渡区和所述显示区;
形成覆盖所述驱动层的平坦层;
在所述平坦层背离所述衬底的表面位于所述过渡区的区域,形成分隔层,所述分隔层的侧壁沿垂直于所述衬底的方向朝所述衬底逐渐收缩,且至少沿所述开孔区的周向围绕所述开孔区的一部分;
在所述过渡区形成至少覆盖所述分隔层背离所述衬底的表面的阻隔层,所述阻隔层的材料为用于阻挡水氧的材料;
形成覆盖所述平坦层和所述阻隔层的显示层,所述显示层包括发光层,所述发光层在所述分隔层的侧壁位置间断。
在本公开的一种示例性实施例中,所述分隔层的材料和所述平坦层的材料相同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述分隔层和所述平坦层的材料均为负性光刻胶。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阻隔层的材料包括氮化硅和碳化硅中至少一种。
在本公开的一种示例性实施例中,在所述平坦层背离所述衬底的表面位于所述过渡区的区域,形成分隔层,包括:
在所述平坦层背离所述衬底的表面形成负性光刻胶层;
对所述负性光刻胶层位于所述过渡区的区域进行曝光并显影,得到分隔层,所述分隔层的侧壁沿垂直于所述衬底的方向朝所述衬底逐渐收缩,且至少沿所述开孔区的周向围绕所述开孔区的一部分。
在本公开的一种示例性实施例中,所述过渡区围绕所述开孔区,所述显示区围绕所述过渡区;
所述分隔层为围绕所述开孔区的环状结构,且所述分隔层的数量为多个,且同心设置。
根据本公开的一个方面,提供一种显示装置,包括上述任意一项所述的显示面板。
本公开的显示装置、显示面板及显示面板的制造方法,一方面,分隔层位于过渡区,且至少沿所述开孔区的周向围绕所述开孔区的一部分,且分隔层的侧壁沿垂直于衬底的方向朝衬底逐渐收缩,使得显示层的发光层可在分隔层的侧壁处间断,从而切断水氧侵蚀的路径,避免对显示区的显示器件造成侵蚀。另一方面,阻隔层覆盖分隔层背离衬底的表面,可将显示层和分隔层隔开,防止水氧由显示层进入分隔层,避免水氧通过分隔层进入显示区,进一步切断水氧侵蚀的路径,避免水氧对显示器件造成侵蚀,从而保障显示效果。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施方式显示面板的局部剖视图。
图2为本公开实施方式显示面板的俯视示意图。
图3为本公开实施方式显示面板的分隔层的分布示意图。
图4为本公开实施方式制造方法的流程图。
图5为本公开实施方式制造方法的步骤S140的流程图。
图6为对应于本公开实施方式制造方法的步骤S120的结构示意图。
图7为对应于本公开实施方式制造方法的步骤S140的结构示意图。
图8为对应于本公开实施方式制造方法的步骤S150的结构示意图。
附图标记说明:
1、衬底;2、驱动层;21、有源层;22、栅绝缘层;23、栅极;24、绝缘层;25、钝化层;26、源极;27、漏极;3、平坦层;4、分隔层;5、阻隔层;6、显示层;61、第一电极;62、像素界定层;63、发光层;64、第二电极;7、封装层;71、第一无机层;72、有机层;73、第二无机层;8、缓冲层;100、开孔区;200、过渡区;300、显示区;400、通孔。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。此外,附图仅为本公开的示意性图解,并非一定是按比例绘制。
虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
本公开实施方式提供了一种显示面板,如图1和图2所示,该显示面板包括衬底1、驱动层2、平坦层3、分隔层4、阻隔层5和显示层6,其中:
衬底1具有开孔区100、过渡区200和显示区300,过渡区200位于开孔区100和显示区300之间。驱动层2设于衬底1一侧,且覆盖过渡区200和显示区300。平坦层3覆盖驱动层2。
分隔层4设于平坦层3背离衬底1的表面位于过渡区200的区域,并至少沿开孔区100的周向围绕开孔区100的一部分,分隔层4的侧壁沿垂直于衬底1的方向朝衬底1逐渐收缩。阻隔层5位于过渡区200,且至少覆盖分隔层4背离衬底1的表面,阻隔层5的材料为用于阻挡水氧的材料;
显示层6覆盖平坦层3和阻隔层5,显示层6包括发光层63,发光层63在分隔层4的侧壁位置间断。
本公开的显示面板,一方面,分隔层4位于过渡区200,且至少沿开孔区100的周向围绕开孔区100的一部分,且分隔层4的侧壁沿垂直于衬底1的方向朝衬底1逐渐收缩,使得显示层6的发光层63可在分隔层的侧壁处间断,从而切断水氧侵蚀的路径,避免对显示区300的显示器件造成侵蚀。另一方面,阻隔层5覆盖分隔层4背离衬底1的表面,可将显示层6和分隔层4隔开,防止水氧由显示层6进入分隔层4,避免水氧通过分隔层4进入显示区300,进一步切断水氧侵蚀的路径,避免水氧对显示器件造成侵蚀,从而保障显示效果。
下面对本公开实施方式的显示面板的各部分进行详细说明:
如图1和图2所示,衬底1具有开孔区100、过渡区200和显示区300,其中,开孔区100为显示面板中与通孔400对应的区域,过渡区200位于开孔区100和显示区300之间,将开孔区100和显示区300隔开。
举例而言,过渡区200为环形区域,且围绕于开孔区100外,显示区300围绕于过渡区200外,用于“挖孔屏”。或者,开孔区100为弧形区域,其外周与衬底1的边缘相接,过渡区200也可为弧形区域,且围绕于开孔区100外,用于“水滴屏”。
衬底1可为玻璃等硬质材料,也可以采用柔性材料,例如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等。衬底1的厚度和形状在此特殊限定。
如图1所示,驱动层2设于衬底1一侧,且覆盖开孔区100、过渡区200和显示区300,即驱动层2在衬底1上的正投影覆盖开孔区100、过渡区200和显示区300。驱动层2用于驱动显示层6的发光层63发光,以显示图像。驱动层2可包括阵列分布的多个开关器件,该开关器件可为薄膜晶体管。如图1和图8所示,在一实施方式中,以开关器件可为顶栅薄膜晶体管为例,驱动层2可包括有源层21、栅绝缘层22、栅极23、绝缘层24、钝化层25、源极26和漏极27,其中:
有源层21设于衬底1一侧,且位于显示区300内。有源层21可包括沟道区和分隔于沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区。
栅绝缘层22覆盖有源层21,且覆盖显示区300和过渡区200。
栅极23设于栅绝缘层22背离衬底1的表面,且位于显示区300内。
绝缘层24可覆盖栅极23和栅绝缘层22,其材料为透明绝缘材料。
钝化层25可覆盖绝缘层24,其材料为透明绝缘材料,钝化层25的材料包括氮化硅和碳化硅中至少一种。
源极26和漏极27设于钝化层25背离衬底1的表面,源极26通过穿过绝缘层24和钝化层25的第一过孔与第一掺杂区连接,漏极27通过穿过绝缘层24和钝化层25的第二过孔与第二掺杂区连接。
如图1所示,平坦层3覆盖驱动层2,例如,平坦层3覆盖上述的源极26、漏极27和钝化层25。平坦层3在衬底1上的投影覆盖过渡区200和显示区300,平坦层3背离驱动层2的表面为平面。平坦层3的材料可为有机材料,例如正性或负性的光刻胶等,在此不再一一列举。
如图1所示,本公开实施方式显示面板还可缓冲层8,缓冲层8设于衬底1上,且覆盖开孔区100、过渡区200和显示区300,驱动层2可设于缓冲层8背离衬底1的表面。
如图1和图3所示,分隔层4设于平坦层3背离衬底1的表面,且位于过渡区200,并至少沿开孔区100的周向外绕开孔区100的一部分,例如,过渡区200为围绕开孔区100的环形区域,分隔层4也为围绕开孔区100的环形结构;或者,分隔层4也可为围绕开孔区100部分区域的弧形结构。
分隔层4的侧壁沿垂直于衬底1的方向朝衬底1逐渐收缩,即分隔层4与平坦层3相接的表面的面积小于背离平坦层3的表面的面积,例如,分隔层4为环形或弧形结构,其横截面向靠近衬底1的方向逐渐收缩,该横截面为垂直于衬底1的截面。使得在形成显示层6的发光层63时,发光层63无法覆盖分隔层4的侧壁,而在侧壁位置断开,使水氧无法通过过渡区200而进入显示区300,避免显示器件被侵蚀。
需要说明的是,若分隔层4为环形结构,其可以是圆环,也可以是方环,或者不规则的环形结构,在此对其形状做特殊限定。
分隔层4的材料可以是光刻胶等有机材料,为了提高分隔层4与平坦层3的粘附力,可使分隔层4与平坦层3的材料相同。举例而言:分隔层4与平坦层3均为光刻胶,进一步的,分隔层4的材料为负性光刻胶,在制造时,可先形成负性光刻胶层,再利用掩膜按照分隔层4的形状进行曝光并显影,曝光区域即为分隔层4,由于光照强度会沿垂直于衬底1的方向朝平坦化层4逐渐降低,可使分隔层4的横基面朝衬底1逐渐收缩,从而只需曝光和显影即可得到分隔层4,有利于简化工艺。
如图3所示,在一实施方式中,分隔层4可为环形,其数量为多个,例如,两个、三个等。各个分隔层4的大小不同,且同心间隔设置,相邻两个分隔层4间隔设置,即相邻两个分隔层4不接触。
如图1所示,阻隔层5位于过渡区200,且至少覆盖分隔层4背离衬底1的表面,阻隔层5的材料为阻水材料,可阻挡水氧渗入分隔层4,防止经分隔层4和发光层63而侵蚀显示器件,进一步切断水氧的侵蚀路径。进一步的,阻隔层5还可在过渡区200内,覆盖平坦层3未被分隔层4覆盖的区域,且阻隔层5也在分隔层4的侧壁位置间断。
阻隔层5的材料包括氮化硅和碳化硅中至少一种,且阻隔层5的材料可与上述的钝化层25的材料相同,以便于通过同一设备进行制造,以节约成本。
如图1所示,显示层6覆盖平坦层3和阻隔层5,显示层6包括发光层63,发光层63在分隔层4的侧壁位置间断,从而防止水氧沿发光层63进入显示区300。具体而言,显示层6在显示区300内覆盖平坦层3背离衬底1的表面,在过渡区200内,显示层6覆盖阻隔层5背离衬底1的表面。
在一实施方式中,显示层6可包括第一电极61、像素界定层62、发光层63和第二电极64,其中:
第一电极61设于平坦层3背离衬底1的表面,其位于显示区300内,并与驱动层2中的多个开关器件连接。例如,驱动层2中的开关器件为上述实施方式中的顶栅薄膜晶体管,第一电极61与顶栅薄膜晶体管的漏极27通过穿过平坦层3的过孔连接。
像素界定层62可覆盖平坦层3背离衬底1的表面,像素界定层62具有露出第一电极61的像素区。
发光层63可为有机发光材质,其覆盖像素界定层62和第一电极61,并延伸至过渡区200并覆盖阻隔层5,且在分隔层4的侧壁处断开。举例而言,发光层63可包括依次层叠于第一电极61上的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。
第二电极64可覆盖发光层63和分隔层4,且第二电极64在分隔层4的侧壁处断开,可通过第一电极61和第二电极64使发光层63发光,具体发光原理在此不再详述。
本公开的显示面板还设有通孔400,通孔400贯穿驱动层2和显示层6,且位于开孔区100内,当然,通孔400还可贯穿衬底1。通孔400内可设置摄像模组、传感器等部件,在此不做特殊限定。
此外,本公开的显示面板还包括封装层7,封装层7覆盖显示层6,并可覆盖阻隔层5。封装层7可为单层或多层结构,举例而言,封装层7可包括第一无机层71、有机层72和第二无机层73,其中:
第一无机层71覆盖显示层6,并可覆盖阻隔层5,可通过气相沉积等方式形成,因而第一无机层71可覆盖分隔层4的侧壁。有机层72设于第一无机层71背离衬底1的表面,且位于显示区300,通过有机层72可吸收应力。第二无机层73覆盖有机层72和第一无机层71,并覆盖阻隔层5,第二无机层73为无机材料,也可通过气相沉积等方法制备,使得第二无机层73可覆盖位于分隔层4侧壁的第一无机层71。
本公开实施方式还提供一种显示面板的制造方法,该显示面板为上述实施方式的显示面板,其结构在此不再赘述。如图4所示,该制造方法包括步骤S110-步骤S160,其中:
步骤S110、提供一衬底,所述衬底具有过渡区以及分隔于所述过渡区两侧的开孔区和显示区。
步骤S120、在所述衬底一侧形成驱动层,所述驱动层覆盖所述开孔区、所述过渡区和所述显示区。
步骤S130、形成覆盖所述驱动层的平坦层。
步骤S140、在所述平坦层背离所述衬底的表面位于所述过渡区的区域,形成分隔层,所述分隔层的侧壁沿垂直于所述衬底的方向朝所述衬底逐渐收缩,且至少沿所述开孔区的周向围绕所述开孔区的一部分。
步骤S150、在所述过渡区形成至少覆盖所述分隔层背离所述衬底的表面的阻隔层,所述阻隔层的材料为用于阻挡水氧的材料。
步骤S160、形成覆盖所述平坦层和所述阻隔层的显示层,所述显示层包括发光层,所述发光层在所述分隔层的侧壁位置间断。
本公开的制造方法的有益效果可参考上文中显示面板的有益效果,在此不再赘述。下面对本公开实施方式制造方法的各步骤进行说明:
在步骤S110、步骤S120和步骤S130中,衬底1、驱动层2和平坦层3的具体结构已在上文显示面板的实施方式中进行了详细说明,在此在此不再赘述。
在一实施方式中,在所述衬底一侧形成驱动层,即步骤S120,包括步骤S1210-步骤S1260,其中:
步骤S1210、在所述衬底一侧形成有源层,所述有源层位于所述显示区。
步骤S1220、形成覆盖所述有源层的栅绝缘层,所述栅绝缘层覆盖所述显示区和所述过渡区。
步骤S1230、在所述栅绝缘层背离所述衬底的表面形成正对于所述有源层的栅极。
步骤S1240、形成覆盖所述栅极和所述栅绝缘层的绝缘层。
步骤S1250、在所述绝缘层背离所述衬底的表面形成源极和漏极,且所述源极和所述漏极均通过过孔与所述有源层连接。
步骤S1260、形成覆盖所述源极、所述漏极和所述绝缘层的钝化层;所述钝化层的材料与所述阻隔层的材料相同。
上述的有源层、栅绝缘层、栅极、绝缘层、钝化层、源极和漏极的具体结构已在上文显示面板的实施方式中进行了详细说明,在此不再赘述。
在步骤S140中,在所述平坦层背离所述衬底的表面位于所述过渡区的区域,形成分隔层,所述分隔层的侧壁沿垂直于所述衬底的方向朝所述衬底逐渐收缩,且至少沿所述开孔区的周向围绕所述开孔区的一部分。
如图5所示,在一实施方式中,分隔层的材料为负性光刻胶,步骤S140,即在所述平坦层背离所述衬底的表面位于所述过渡区的区域,形成分隔层,包括步骤S1410和步骤S1420,其中:
步骤S1410、在所述平坦层背离所述衬底的表面形成负性光刻胶层。
可通过旋涂等工艺在平坦层背离衬底1的表面形成负性光刻胶层。
步骤S1420、对所述负性光刻胶层位于所述过渡区的区域进行曝光并显影,得到分隔层,所述分隔层的侧壁沿垂直于所述衬底的方向朝所述衬底逐渐收缩,且至少沿所述开孔区的周向围绕所述开孔区的一部分。
如图7所示,可采用一具有分隔层4的图案的掩膜版,由负性光刻胶层背离衬底1的一侧进行曝光,沿朝向衬底1的方向,进入负性光刻胶层的光线逐渐减少,使得光照程度逐渐减弱,曝光程度逐渐降低。显影后,可形成的分隔层4,曝光程度的降低,可使分隔层4的横截面朝衬底1逐渐收缩,即分隔层4的两侧壁的距离逐渐减小。
当然,也可通过其它工艺形成分隔层4,例如,在平坦层3上设置具有凹槽的牺牲层,凹槽的形成与分隔层4相匹配,将分隔层4的材料填充凹槽,再去除牺牲层,可得到分隔层4。在此不再一一列举分隔层4的形成工艺。
在步骤S150中,在所述过渡区形成至少覆盖所述分隔层背离所述衬底的表面的阻隔层,所述阻隔层的材料为阻水材料。
如图8所示,阻隔层5的具体结构可参考上文显示面板中的阻隔层5,在此不再详述。阻隔层5可通过掩膜工艺形成,其材料包括氮化硅和碳化硅中至少一种,且阻隔层5的材料可与上述的钝化层25的材料相同,以便于通过同一设备进行制造,以节约成本。
此外,针对具有通孔的显示面板,本公开的制造方法还可包括:
在显示层上对应于开孔区的区域开设通孔,通孔贯穿所述显示层和所述驱动层。
本公开的制造方法还可包括:
形成覆盖所述显示层和所述阻隔层的封装层。
如图1所示,封装层7的结构可参考上文显示面板的实施方式中的封装层,在此不再赘述。
需要说明的是,尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤,但是,这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤,或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的,可以省略某些步骤,将多个步骤合并为一个步骤执行,以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本公开实施方式还提供一种显示装置,该显示装置可包括上述实施方式的显示面板,显示面板的结构在此不再赘述。该显示装置可用于手机、平板电脑或其它电子设备,在此不再一一列举。同时,该显示装置的有益效果可参考上述实施方式中显示面板的有益效果,在此不再详述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (14)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底,具有过渡区以及分隔于所述过渡区两侧的开孔区和显示区;
驱动层,设于所述衬底一侧,且覆盖所述过渡区和所述显示区;
平坦层,覆盖所述驱动层;
分隔层,设于所述平坦层背离所述衬底的表面位于所述过渡区的区域,且至少沿所述开孔区的周向围绕所述开孔区的一部分,所述分隔层的侧壁沿垂直于所述衬底方向朝所述衬底逐渐收缩;
阻隔层,位于所述过渡区,且至少覆盖所述分隔层背离所述衬底的表面,所述阻隔层的材料为用于阻挡水氧的材料;
显示层,覆盖所述平坦层和所述阻隔层,所述显示层包括发光层,所述发光层在所述分隔层的侧壁位置间断。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述分隔层的材料和所述平坦层的材料相同。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述分隔层和所述平坦层的材料均为负性光刻胶。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述过渡区围绕所述开孔区,所述显示区围绕所述过渡区;
所述分隔层为围绕所述开孔区的环状结构,且所述分隔层的数量为多个,且同心设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阻隔层的材料包括氮化硅和碳化硅中至少一种。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述衬底为柔性材质。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动层包括:
有源层,设于所述衬底一侧,且位于所述显示区;
栅绝缘层,覆盖所述有源层,且覆盖所述显示区和所述过渡区;
栅极,设于所述栅绝缘层背离所述衬底的表面,且与所述有源层正对;
绝缘层,覆盖所述栅极和所述栅绝缘层;
钝化层,覆盖所述绝缘层;
源极和漏极,设于所述钝化层背离所述衬底的表面,且均与所述有源层通过过孔连接;
其中,所述平坦层覆盖所述源极、所述漏极和所述钝化层,所述阻隔层的材料与所述钝化层的材料相同。
8.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供一衬底,具有过渡区以及分隔于所述过渡区两侧的开孔区和显示区;
在所述衬底一侧形成驱动层,所述驱动层覆盖所述开孔区、所述过渡区和所述显示区;
形成覆盖所述驱动层的平坦层;
在所述平坦层背离所述衬底的表面位于所述过渡区的区域,形成分隔层,所述分隔层的侧壁沿垂直于所述衬底的方向朝所述衬底逐渐收缩,且至少沿所述开孔区的周向围绕所述开孔区的一部分;
在所述过渡区形成至少覆盖所述分隔层背离所述衬底的表面的阻隔层,所述阻隔层的材料为用于阻挡水氧的材料;
形成覆盖所述平坦层和所述阻隔层的显示层,所述显示层包括发光层,所述发光层在所述分隔层的侧壁位置间断。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述分隔层的材料和所述平坦层的材料相同。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述分隔层和所述平坦层的材料均为负性光刻胶。
11.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述阻隔层的材料包括氮化硅和碳化硅中至少一种。
12.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,在所述平坦层背离所述衬底的表面位于所述过渡区的区域,形成分隔层,包括:
在所述平坦层背离所述衬底的表面形成负性光刻胶层;
对所述负性光刻胶层位于所述过渡区的区域进行曝光并显影,得到分隔层,所述分隔层的侧壁沿垂直于所述衬底的方向朝所述衬底逐渐收缩,且至少沿所述开孔区的周向围绕所述开孔区的一部分。
13.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述过渡区围绕所述开孔区,所述显示区围绕所述过渡区;
所述分隔层为围绕所述开孔区的环状结构,且所述分隔层的数量为多个,且同心设置。
14.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的显示面板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910600353.8A CN110265471B (zh) | 2019-07-04 | 2019-07-04 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
US16/811,324 US11264410B2 (en) | 2019-07-04 | 2020-03-06 | Display device, display panel and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910600353.8A CN110265471B (zh) | 2019-07-04 | 2019-07-04 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110265471A true CN110265471A (zh) | 2019-09-20 |
CN110265471B CN110265471B (zh) | 2022-03-22 |
Family
ID=67924442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910600353.8A Active CN110265471B (zh) | 2019-07-04 | 2019-07-04 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11264410B2 (zh) |
CN (1) | CN110265471B (zh) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110600526A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN110854304A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-02-28 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板的制备方法 |
CN111146261A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-05-12 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111293148A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-06-16 | 绵阳京东方光电科技有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
CN111490182A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法和显示装置 |
CN111509139A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN111785741A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-10-16 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板 |
CN112713252A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-27 | 广州国显科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN112802979A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-05-14 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN113066834A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-02 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
WO2021227027A1 (zh) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN114188493A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-15 | 惠州华星光电显示有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109473460A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-03-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其封装方法及电子设备 |
CN109742117A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2966705B1 (en) * | 2014-07-11 | 2018-09-19 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same |
KR102326069B1 (ko) * | 2015-07-29 | 2021-11-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 |
KR102457252B1 (ko) | 2015-11-20 | 2022-10-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN107565041B (zh) * | 2016-06-30 | 2019-12-31 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
KR102103962B1 (ko) * | 2016-09-02 | 2020-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 제조 방법 |
KR102405146B1 (ko) * | 2018-02-08 | 2022-06-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN109599429B (zh) * | 2018-12-25 | 2021-11-02 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
-
2019
- 2019-07-04 CN CN201910600353.8A patent/CN110265471B/zh active Active
-
2020
- 2020-03-06 US US16/811,324 patent/US11264410B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109473460A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-03-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其封装方法及电子设备 |
CN109742117A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110600526B (zh) * | 2019-09-30 | 2021-08-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN110600526A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2021062951A1 (zh) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US11374199B2 (en) | 2019-09-30 | 2022-06-28 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and display device having through hole surrounding barrier area |
CN110854304A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-02-28 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板的制备方法 |
CN111146261A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-05-12 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111293148A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-06-16 | 绵阳京东方光电科技有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
CN111293148B (zh) * | 2020-02-20 | 2022-08-19 | 绵阳京东方光电科技有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
CN111490182A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法和显示装置 |
CN111490182B (zh) * | 2020-04-24 | 2023-01-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法和显示装置 |
CN111509139A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、其制作方法及显示装置 |
WO2021227027A1 (zh) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN114144886A (zh) * | 2020-05-15 | 2022-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN114144886B (zh) * | 2020-05-15 | 2023-01-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111785741A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-10-16 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板 |
CN111785741B (zh) * | 2020-08-07 | 2024-04-12 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板 |
CN112713252A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-27 | 广州国显科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN112713252B (zh) * | 2020-12-15 | 2022-12-02 | 广州国显科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN112802979A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-05-14 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN113066834A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-02 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
CN113066834B (zh) * | 2021-03-19 | 2024-03-26 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
CN114188493A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-15 | 惠州华星光电显示有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210005641A1 (en) | 2021-01-07 |
US11264410B2 (en) | 2022-03-01 |
CN110265471B (zh) | 2022-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110265471A (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
CN110444576A (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
CN109801956A (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
WO2020186932A1 (zh) | 发光器件及其制造方法、显示装置 | |
WO2020207124A1 (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
CN105374947B (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
EP2951870B1 (en) | Flexible display substrate, flexible organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
JP2019139232A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
KR20220075203A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
CN103413819A (zh) | 一种有机发光显示面板、像素界定层及其制作方法 | |
CN104022123A (zh) | 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 | |
CN100421252C (zh) | 有机电致发光显示器件及其制造方法 | |
CN110752244A (zh) | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法 | |
CN110112317A (zh) | 显示装置、柔性显示面板及其制造方法 | |
CN1674728A (zh) | 有机电致发光器件及其制造方法 | |
CN110085621A (zh) | 电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法 | |
CN209859955U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20190123118A1 (en) | Organic electroluminescent display panel, preparation method thereof, and display device | |
CN108231824A (zh) | 一种oled显示面板及其制备方法 | |
US20210336159A1 (en) | Display substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus | |
CN106997928B (zh) | Oled器件及其制造方法 | |
US20210335882A1 (en) | Display panel and display device | |
KR20200069118A (ko) | 표시 장치 | |
CN113299855A (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
US11832498B2 (en) | Organic light-emitting display substrate, manufacturing method thereof, and organic light-emitting display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |