CN110085621A - 电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法 - Google Patents
电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110085621A CN110085621A CN201910401889.7A CN201910401889A CN110085621A CN 110085621 A CN110085621 A CN 110085621A CN 201910401889 A CN201910401889 A CN 201910401889A CN 110085621 A CN110085621 A CN 110085621A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- driving
- blind hole
- substrate
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 51
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 252
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本公开提供一种电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法，涉及显示技术领域。该驱动背板包括衬底、平坦层、焊盘和钝化层，驱动层设于衬底一侧；平坦层覆盖于驱动层远离衬底的表面；焊盘数量为多个，且设于平坦层远离衬底的表面，并与驱动层连接；钝化层覆盖于平坦层远离衬底的表面，钝化层设有多个镂空区和多个盲孔，镂空区一一对应地露出各焊盘，盲孔的底部延伸至平坦层内并覆盖驱动层。本公开的驱动背板可防止鼓泡，保证显示效果。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法。
背景技术
微发光二极管(Micro LED)是微米级的发光二极管，通过驱动背板驱动阵列分布的微发光二极管可实现图像显示。驱动背板包括阵列分布的驱动器件层和覆盖驱动器件层的多个膜层。但是，在加工过程中，若膜层受热，会出现放气(Outgas)现象，如果气体无法及时排出，则会使膜层鼓泡，影响显示效果。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法，可防止鼓泡，保证显示效果。
根据本公开的一个方面，提供一种驱动背板，包括：
衬底；
驱动层，设于所述衬底一侧；
平坦层，覆盖于所述驱动层远离所述衬底的表面；
多个焊盘，设于所述平坦层远离所述衬底的表面，并与所述驱动层连接；
钝化层，覆盖于所述平坦层远离所述衬底的表面，所述钝化层设有多个镂空区和多个盲孔，所述镂空区一一对应地露出各所述焊盘，所述盲孔的底部延伸至所述平坦层内并覆盖所述驱动层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述钝化层由多个子区域组成，各个所述子区域的形状和尺寸相同，且所述子区域大于所述焊盘，每个子区域内至少设有一个所述盲孔。
在本公开的一种示例性实施例中，所述子区域为边长为200μm的正方形区域；所述盲孔为边长为7μm的正方形孔或直径为7μm的圆孔。
在本公开的一种示例性实施例中，所述盲孔位于所述焊盘以外，且所述盲孔与所述焊盘的距离不小于5μm。
在本公开的一种示例性实施例中，所述平坦层的厚度大于1μm；所述盲孔在所述平坦层内的深度不小于0.5μm，且不大于1μm。
在本公开的一种示例性实施例中，所述驱动层远离所述衬底的表面具有外围导线，所述平坦层覆盖所述外围导线；至少一个所述盲孔在所述驱动层上的投影与所述外围导线至少部分重合。
根据本公开的一个方面，提供一种驱动背板的制造方法，包括：
在一衬底一侧形成驱动层；
在所述驱动层远离所述衬底的表面形成平坦层；
在所述平坦层远离所述衬底的表面形成多个焊盘，且所述焊盘与所述驱动层连接；
在所述平坦层远离所述衬底的表面形成钝化层；
在所述钝化层上形成多个镂空区和多个盲孔，所述镂空区一一对应地露出各所述焊盘，所述盲孔的底部延伸至所述平坦层内并覆盖所述驱动层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述镂空区和所述盲孔通过一次构图工艺形成。
在本公开的一种示例性实施例中，所述钝化层由多个子区域组成，各个子区域的形状和尺寸相同，且所述子区域大于所述焊盘，每个子区域内至少设有一个所述盲孔。
在本公开的一种示例性实施例中，所述子区域为边长为200μm的正方形区域；所述盲孔为边长为7μm的正方形孔或直径为7μm的圆孔。
在本公开的一种示例性实施例中，所述盲孔位于所述焊盘以外，且所述盲孔与所述焊盘的距离不小于5μm。
在本公开的一种示例性实施例中，所述驱动层远离所述衬底的表面具有外围导线，所述平坦层覆盖所述外围导线；至少一个所述盲孔在所述驱动层上的投影与所述外围导线至少部分重合。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括上述任意一项所述的驱动背板。
根据本公开的一个方面，提供一种电子设备，包括上述任意一项所述的显示面板。
本公开的电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法，由于在钝化层设置了盲孔，且盲孔的底部穿过钝化层并延伸至平坦层内，在从而可通过盲孔排出平坦层在制造过程中产生的气体，防止鼓泡，保证显示效果。同时，焊盘被钝化层的镂空区露出，便于与微发光二极管连接。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施方式驱动背板的示意图。
图2为本公开实施方式驱动背板的盲孔在钝化层上的分布示意图。
图3为本公开实施方式驱动背板的制造方法的流程图。
图4为本公开制造方法的步骤S110的示意图。
图5为本公开制造方法的步骤S120的示意图。
图6为本公开制造方法的步骤S130的示意图。
图7为本公开制造方法的步骤S140的示意图。
图8为本公开制造方法的步骤S1520的示意图。
附图标记说明：
1、衬底；2、驱动层；21、有源层；22、栅绝缘层；23、栅极；24、层间绝缘层；25、介电层；26、源极；27、漏极；28、外围导线；3、平坦层；4、焊盘；5、钝化层；501、子区域；51、镂空区；52、盲孔；6、缓冲层；7、光刻胶层。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
本公开实施方式提供了一种驱动背板，用于驱动微发光二极管。如图1所示，该驱动背板包括衬底1、驱动层2、平坦层3、焊盘4和钝化层5，其中：
驱动层2设于衬底1一侧。平坦层3覆盖于驱动层2远离衬底1的表面。焊盘4的数量为多个，各焊盘4设于平坦层3远离衬底1的表面，并与驱动层2连接。
钝化层5覆盖于平坦层3远离衬底1的表面，钝化层5设有多个镂空区51和多个盲孔52，镂空区51一一对应地露出焊盘4，盲孔52的底部延伸至平坦层3内且覆盖驱动层2。
本公开实施方式的驱动背板，由于在钝化层5设置了盲孔52，且盲孔52的底部穿过钝化层5并延伸至平坦层3内，在从而可通过盲孔52排出平坦层3在制造过程中产生的气体，防止鼓泡，保证显示效果。同时，焊盘4被镂空区51露出，便于与微发光二极管连接。此外，盲孔52的底部覆盖驱动层2，从而避免露出驱动层2。
下面对本公开实施方式驱动背板的各部分进行详细说明：
如图1所示，衬底1的材料可以是玻璃、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)等透明材料，其形状和尺寸在此不做特殊限定。
如图1所示，驱动层2设于衬底1一侧，例如，可在衬底1上设置绝缘材料的缓冲层6，该绝缘材料可以是氧化硅、氮化硅等，驱动层2可设于缓冲层6远离衬底1的表面。
驱动层2可包括多个阵列分布的驱动器件，可通过各个驱动器件驱动多个微发光二极管，该驱动器件为薄膜晶体管，该薄膜晶体管可以是顶栅型结构或底栅型结构，在此不做特殊限定。如图1所示，以顶栅型结构为例：驱动层2包括有源层21、栅绝缘层22、栅极23、层间绝缘层24、介电层25、源极26和漏极27，其中：
有源层21的数量为多个，且均阵列分布于缓冲层6远离衬底1的表面，有源层21的材料可以是非晶硅、多晶硅等，在此不做特殊限定，且每个有源层21包括沟道区和沟道区两侧的掺杂区。
栅绝缘层22可覆盖有源层21和缓冲层6，栅绝缘层22可以是氧化硅或其它绝缘材料。
栅极23的数量为多个，且阵列分布于栅绝缘层22远离衬底1的表面，且一一对应地与各有源层21正对，即各栅极23在栅绝缘层22上的投影一一对应地位于各有源层21在栅绝缘层22的投影以内。
层间绝缘层24的材料可为氧化硅等绝缘材料，其可覆盖各栅极23和栅绝缘层22。
介电层25的材料可氧化硅、氮化硅等绝缘材料，且介电层25覆盖层间绝缘层24。
源极26和漏极27可设于介电层25远离衬底1的表面。源极26和漏极27的数量为多个，且分为多组，各组与各有源层21一一对应的正对，且每组包括一个源极26和一个漏极27，同一组源极26和漏极27分别通过贯穿介电层25、层间绝缘层24和栅绝缘层22的过孔与正对的有源层21的两个掺杂区连接。
此外，如图1所示，驱动层2还可包括外围导线28，外围导线28设于驱动层2远离衬底1的表面，例如，外围导线28设于介电层25远离衬底1的表面，且与源极26和漏极27的材料相同，以便通过一次构图工艺形成源极26、漏极27和外围导线28。外围导线28的形状和结构在此不做特殊限定，其可以是信号线或其它线路。外围导线28的宽度可为80μm，当然也可大于或小于80μm，外围导线28的延伸轨迹和长度在此不做特殊限定。
如图1所示，平坦层3为绝缘材质，其可覆盖于驱动层2远离衬底1的表面，且平坦层3远离衬底1的表面为平面。举例而言，平坦层3覆盖介电层25、源极26、漏极27和外围导线28。
如图1所示，焊盘4可用于安装微发光二极管，焊盘4的数量为多个，各焊盘4设于平坦层3远离衬底1的表面，并与驱动层2连接。举例而言，各焊盘4与各漏极27一一对应地正对设置，并通过贯穿平坦层3的过孔与对应的漏极27连接。焊盘4可为铜或其它的金属材料，且焊盘4可为单层或向远离衬底的方向依次层叠的多层结构，只要能够导电即可，在此不做特殊限定。焊盘4可为圆形或正方形，其直径或边长可为70μm-120um，例如，70μm、100μm或120um等，当然，焊盘4也可采用其它形状或尺寸。
如图1所示，钝化层5覆盖于平坦层3远离衬底1的表面，钝化层5设有多个镂空区51和多个盲孔52，其中：
各镂空区51沿钝化层5的厚度方向贯穿钝化层5，且一一对应地露出各焊盘4，以便将微发光二极管与焊盘4连接。同时，各个镂空区51在平坦层3上的投影一一对应的位于各焊盘4以内，使得镂空区51至多露出对应焊盘4的全部区域，而不会露出平坦层3。
盲孔52沿钝化层5的厚度方向贯穿钝化层5，且盲孔52的底部延伸至平坦层3内，从而可通过盲孔52排出平坦层3内的气体，避免出现鼓泡。同时，盲孔52的底部覆盖驱动层2，即盲孔52未贯穿平坦层3，避免露出驱动层2，防止在钝化层5上形成的其它膜层与驱动层2接触。
为了保证排气效果，盲孔52应具有一定的密度，如图2所示，举例而言，钝化层5可由多个子区域501组成，各个子区域501的形状和尺寸相同，且子区域501大于焊盘4，每个子区域501内至少设有一个盲孔52。进一步的，子区域501为正方形区域，其边长为200μm；盲孔52为边长为7μm的正方形孔或直径为7μm的圆孔。由此，钝化层5上的每200μm2的范围内至少有一个盲孔52可进行排气。当然，盲孔52的密度也可更大或更小。
如图1所示，盲孔52位于焊盘4以外，即盲孔52和焊盘4在平坦层3上相互间隔，没有重合区域。为了避免在焊盘4进行焊接时，锡膏等焊料进入盲孔52，造成焊料流失，防止堵塞盲孔52，可使盲孔52与焊盘4的距离L不大于5μm，当然，当然，该距离L也可以小于或大于5μm。其中，盲孔52与焊盘4的距离L为盲孔52边缘与焊盘4边缘最近的两点间的距离。
为了保证排气效果，如图1所示，盲孔52应具有一定的深度，举例而言，平坦层3的厚度H大于1μm，盲孔52在平坦层3内的深度h不小于0.5μm，以保证排出平坦层3内的气体，同时，盲孔52在平坦层3内的深度h不大于1μm，从而不贯穿平坦层3，避免露出驱动层2。
此外，如图1所示，若驱动层2具有外围导线28，则平坦层3覆盖外围导线28，且多个盲孔52中，至少一个盲孔52在驱动层2上的投影与外围导线28的至少部分区域重合，例如，至少一个盲孔52在驱动层2上的投影位于外围导线28以内。由此，避免因外围导线28的遮挡而使气体无法向靠近衬底1的方向排出，而可向远离衬底1的方向排出。
进一步的，在驱动层2上的投影与外围导线28的至少部分区域重合的盲孔52的数量为多个，且在外围导线28的延伸轨迹上，每隔200μm至少有一个盲孔52，以提高排气效果。
本公开实施方式还提供一种驱动背板的制造方法，该驱动背板为上述任意实施方式的驱动背板，如图3所示，该制造方法包括：
步骤S110、在一衬底一侧形成驱动层；
步骤S120、在所述驱动层远离所述衬底的表面形成平坦层；
步骤S130、在所述平坦层远离所述衬底的表面形成多个焊盘，且所述焊盘与所述驱动层连接；
步骤S140、在所述平坦层远离所述衬底的表面形成钝化层；
步骤S150、在所述钝化层上形成多个镂空区和多个盲孔，所述镂空区一一对应地露出所述焊盘，所述盲孔的底部延伸至所述平坦层内并覆盖所述驱动层。
本公开实施方式的制造方法，由于在钝化层5设置了盲孔52，且盲孔52的底部穿过钝化层5并延伸至平坦层3内，在从而可通过盲孔52排出平坦层3在制造过程中产生的气体，防止鼓泡，保证显示效果。同时，焊盘4被镂空区51露出，便于与微发光二极管连接。此外，盲孔52的底部覆盖驱动层2，从而避免露出驱动层2。
下面对本公开实施方式制造方法的各步骤进行详细说明：
在步骤S110中，在一衬底一侧形成驱动层。
如图4所示，衬底1的材料可以是玻璃、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)等透明材料，其形状和尺寸在此不做特殊限定。驱动层2设于衬底1一侧，例如，可在衬底1上设置绝缘材质的缓冲层6，驱动层2可设于缓冲层6远离衬底1的表面。
驱动层2可包括多个阵列分布的驱动器件，可通过各个驱动器件驱动多个微发光二极管，该驱动器件为薄膜晶体管，该薄膜晶体管可以是顶栅型结构或底栅型结构，在此不做特殊限定。
如图4所示，以顶栅型结构为例：在衬底1一侧形成驱动层2，即步骤S110可包括步骤S1110-步骤S1160，其中：
步骤S1110、在衬底的一侧形成有源层。
可在衬底的一侧形成缓冲层6，缓冲层6可包括氮化硅、氧化硅等绝缘材料。再在缓冲层6远离衬底1的表面形成有源层21。有源层21的数量为多个，且阵列分布于缓冲层6远离衬底1的表面，有源层21的材料可以是非晶硅、多晶硅等，在此不做特殊限定，且每个有源层21包括沟道区和沟道区两侧的掺杂区。
步骤S1120、形成覆盖有源层的栅绝缘层。
栅绝缘层22可覆盖有源层21和缓冲层6，栅绝缘层22可以是氧化硅或其它绝缘材料。
步骤S1130、在栅绝缘层远离衬底的表面形成栅极。
栅极23的数量为多个，且阵列分布于栅绝缘层22远离衬底1的表面，且一一对应地与各有源层21正对，即各栅极23在栅绝缘层22上的投影位于一一对应地位于各有源层21在栅绝缘层22的投影以内。
步骤S1140、形成覆盖栅极和栅绝缘层的层间绝缘层。
层间绝缘层24的材料可为氧化硅等绝缘材料，其可覆盖各栅极23和栅绝缘层22。
步骤S1150、形成覆盖层间绝缘层的介电层。
介电层25的材料可氧化硅、氮化硅等绝缘材料，且介电层25覆盖层间绝缘层24。
步骤S1160、在介电层远离衬底的表面形成源极和漏极。
源极26和漏极27可设于介电层25远离衬底1的表面。源极26和漏极27的数量为多个，且分为多组，各组与各有源层21一一对应的正对，且每组包括一个源极26和一个漏极27，同一组源极26和漏极27分别通过贯穿介电层25、层间绝缘层24和栅绝缘层22的过孔与正对的有源层21的两个掺杂区连接。
此外，步骤S1160还包括：在介电层远离衬底的表面形成外围导线。
如图4所示，外围导线28设于驱动层2远离衬底1的表面，例如，外围导线28设于介电层25远离衬底1的表面，且与源极26和漏极27的材料相同，并可通过一次构图工艺形成。外围导线28的形状和结构在此不做特殊限定，其可以是信号线或其它线路。外围导线28的宽度可为80μm，当然也可大于或小于80μm，外围导线28的延伸轨迹和长度在此不做特殊限定。
在步骤S120中，在所述驱动层远离所述衬底的表面形成平坦层。
如图5所示，平坦层3为绝缘材质，其可覆盖于驱动层2远离衬底1的表面，且平坦层3远离衬底1的表面为平面。举例而言，平坦层3覆盖介电层25、源极26、漏极27和外围导线28。
步骤S130、在所述平坦层远离所述衬底的表面形成多个焊盘，且所述焊盘与所述驱动层连接。
如图6所示，焊盘4可用于安装微发光二极管，焊盘4的数量为多个，各焊盘4设于平坦层3远离衬底1的表面，并与驱动层2连接。举例而言，各焊盘4与各漏极27一一对应地正对设置，并通过贯穿平坦层3的过孔与对应的漏极27连接。焊盘4可为铜或其它的金属材料，且焊盘4可为单层或向远离衬底的方向依次层叠的多层结构，只要能够导电即可，在此不做特殊限定。焊盘4可为圆形或正方形，其直径或边长可为70μm-120um，例如，70μm、100μm或120um等，当然，焊盘4也可采用其它形状或尺寸。
在步骤S140中，在所述平坦层远离所述衬底的表面形成钝化层。
如图7所示，钝化层5的材料可包括金属，可通过钝化剂对金属进行钝化处理而形成，且钝化层5覆盖于平坦层3远离衬底1的表面。
步骤S150、在所述钝化层上形成多个镂空区和多个盲孔，所述镂空区一一对应地露出所述焊盘，所述盲孔的底部延伸至所述平坦层内并覆盖所述驱动层。
各镂空区51沿钝化层5的厚度方向贯穿钝化层5，且一一对应地露出各焊盘4，以便将微发光二极管与焊盘4连接。同时，各个镂空区51在平坦层3上的投影一一对应的位于各焊盘4以内，使得镂空区51至多露出对应焊盘4的全部区域，而不会露出平坦层3。
盲孔52沿钝化层5的厚度方向贯穿钝化层5，且盲孔52的底部延伸至平坦层3内，从而可通过盲孔52排出平坦层3内的气体，避免出现鼓泡。同时，盲孔52的底部覆盖驱动层2，即盲孔52未贯穿平坦层3，避免露出驱动层2，防止在钝化层5上形成的其它膜层与驱动层2接触。
为了保证排气效果，盲孔52应具有一定的密度，如图2所示，举例而言，钝化层5可由多个子区域501组成，各个子区域501的形状和尺寸相同，且子区域501大于焊盘4，每个子区域501内至少设有一个盲孔52。进一步的，子区域501为正方形区域，其边长为200μm；盲孔52为边长为7μm的正方形孔或直径为7μm的圆孔。由此，钝化层5上的每200μm2的范围内至少有一个盲孔52可进行排气。当然，盲孔52的密度也可更大或更小。
如图1所示，盲孔52位于焊盘4以外，即盲孔52和焊盘4在平坦层3上相互间隔，没有重合区域。为了避免在焊盘4进行焊接时，锡膏等焊料进入盲孔52，造成焊料流失，防止堵塞盲孔52，可使盲孔52与焊盘4的距离L不大于5μm，当然，当然，该距离L也可以小于或大于5μm。其中，盲孔52与焊盘4的距离L为盲孔52边缘与焊盘4边缘最近的两点间的距离。
为了保证排气效果，如图1所示，盲孔52应具有一定的深度，举例而言，平坦层3的厚度H大于1μm，盲孔52在平坦层3内的深度h不小于0.5μm，以保证排出平坦层3内的气体，同时，盲孔52在平坦层3内的深度h不大于1μm，从而不贯穿平坦层3，避免露出驱动层2。
此外，如图1所示，若驱动层2具有外围导线28，则平坦层3覆盖外围导线28，且多个盲孔52中，至少一个盲孔52在驱动层2上的投影与外围导线28的至少部分区域重合，例如，至少一个盲孔52在驱动层2上的投影位于外围导线28以内。由此，避免因外围导线28的遮挡而使气体无法向靠近衬底1的方向排出，而可向远离衬底1的方向排出。
进一步的，在驱动层2上的投影与外围导线28的至少部分区域重合的盲孔52的数量为多个，且在外围导线28的延伸轨迹上，每隔200μm至少有一个盲孔52，以提高排气效果。
镂空区51和盲孔52可通过一次构图工艺形成，举例而言，在钝化层5上形成镂空区51和盲孔52，即步骤S150包括步骤S1510-步骤S1530，其中：
步骤S1510、在钝化层上覆盖光刻胶层。
如图7所示，光刻胶层7的材料可以是正性或负性光刻胶，在此不做特殊限定。
步骤S1520、对光刻胶层进行曝光并显影。
如图7所示，显影后得到露出钝化层5的多个显影区，各个显影区用于形成镂空区51和盲孔52。
步骤S1530、对显影区进行刻蚀，形成多个镂空区和多个盲孔。
镂空区51和盲孔52可参考上文中的镂空区51和盲孔52，在此不再赘述。
当然，镂空区51和盲孔52也可分别独立形成。
需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本公开实施方式提供一种显示面板，包括上述任意实施方式的驱动背板，该驱动背板的结构及显示面板的有益效果可参考上文驱动背板的实施方式，在此不再赘述。同时，该显示面板还可包括多个微发光二极管，各个微发光二极管一一对应的与各焊盘4连接。
本公开实施方式还提供一种电子设备，该电子设备包括上述实施方式的显示面板。该电子设备可以是手机、平板电脑等具有显示面板的设备，在此不再一一列举。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (14)
1.一种驱动背板，其特征在于，包括：
衬底；
驱动层，设于所述衬底一侧；
平坦层，覆盖于所述驱动层远离所述衬底的表面；
多个焊盘，设于所述平坦层远离所述衬底的表面，并与所述驱动层连接；
钝化层，覆盖于所述平坦层远离所述衬底的表面，所述钝化层设有多个镂空区和多个盲孔，所述镂空区一一对应地露出各所述焊盘，所述盲孔的底部延伸至所述平坦层内并覆盖所述驱动层。
2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述钝化层由多个子区域组成，各个所述子区域的形状和尺寸相同，且所述子区域大于所述焊盘，每个子区域内至少设有一个所述盲孔。
3.根据权利要求2所述的驱动背板，其特征在于，所述子区域为边长为200μm的正方形区域；所述盲孔为边长为7μm的正方形孔或直径为7μm的圆孔。
4.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述盲孔位于所述焊盘以外，且所述盲孔与所述焊盘的距离不小于5μm。
5.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述平坦层的厚度大于1μm；所述盲孔在所述平坦层内的深度不小于0.5μm，且不大于1μm。
6.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动层远离所述衬底的表面具有外围导线，所述平坦层覆盖所述外围导线；至少一个所述盲孔在所述驱动层上的投影与所述外围导线至少部分重合。
7.一种驱动背板的制造方法，其特征在于，包括：
在一衬底一侧形成驱动层；
在所述驱动层远离所述衬底的表面形成平坦层；
在所述平坦层远离所述衬底的表面形成多个焊盘，且所述焊盘与所述驱动层连接；
在所述平坦层远离所述衬底的表面形成钝化层；
在所述钝化层上形成多个镂空区和多个盲孔，所述镂空区一一对应地露出各所述焊盘，所述盲孔的底部延伸至所述平坦层内并覆盖所述驱动层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述镂空区和所述盲孔通过一次构图工艺形成。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述钝化层由多个子区域组成，各个子区域的形状和尺寸相同，且所述子区域大于所述焊盘，每个子区域内至少设有一个所述盲孔。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述子区域为边长为200μm的正方形区域；所述盲孔为边长为7μm的正方形孔或直径为7μm的圆孔。
11.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述盲孔位于所述焊盘以外，且所述盲孔与所述焊盘的距离不小于5μm。
12.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述驱动层远离所述衬底的表面具有外围导线，所述平坦层覆盖所述外围导线；至少一个所述盲孔在所述驱动层上的投影与所述外围导线至少部分重合。
13.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的驱动背板。
14.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求13所述的显示面板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910401889.7A CN110085621B (zh) | 2019-05-15 | 2019-05-15 | 电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法 |
| PCT/CN2020/087594 WO2020228532A1 (zh) | 2019-05-15 | 2020-04-28 | 电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910401889.7A CN110085621B (zh) | 2019-05-15 | 2019-05-15 | 电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110085621A true CN110085621A (zh) | 2019-08-02 |
| CN110085621B CN110085621B (zh) | 2021-03-26 |
Family
ID=67420189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910401889.7A Active CN110085621B (zh) | 2019-05-15 | 2019-05-15 | 电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110085621B (zh) |
| WO (1) | WO2020228532A1 (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110941126A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-03-31 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| CN111952341A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 |
| WO2020228532A1 (zh) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法 |
| WO2021227219A1 (zh) * | 2020-05-14 | 2021-11-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN113848664A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种驱动背板及其制备方法、发光基板、显示装置 |
| WO2022082636A1 (zh) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制造方法、显示面板及其制造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107463042A (zh) * | 2017-09-06 | 2017-12-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、液晶面板 |
| CN108183117A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示面板及其制作方法 |
| US10021762B1 (en) * | 2017-06-30 | 2018-07-10 | Innolux Corporation | Display device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180033768A1 (en) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | Ananda H. Kumar | Flat panel display formed by self aligned assembly |
| CN109256052B (zh) * | 2018-09-21 | 2020-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法 |
| CN110085621B (zh) * | 2019-05-15 | 2021-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法 |
-
2019
- 2019-05-15 CN CN201910401889.7A patent/CN110085621B/zh active Active
-
2020
- 2020-04-28 WO PCT/CN2020/087594 patent/WO2020228532A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10021762B1 (en) * | 2017-06-30 | 2018-07-10 | Innolux Corporation | Display device |
| CN107463042A (zh) * | 2017-09-06 | 2017-12-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、液晶面板 |
| CN108183117A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示面板及其制作方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020228532A1 (zh) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法 |
| CN110941126A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-03-31 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| WO2021128565A1 (zh) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板 |
| US11454852B2 (en) | 2019-12-27 | 2022-09-27 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel |
| WO2021227219A1 (zh) * | 2020-05-14 | 2021-11-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN111952341A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 |
| CN111952341B (zh) * | 2020-08-20 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 |
| WO2022082636A1 (zh) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制造方法、显示面板及其制造方法 |
| CN113848664A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种驱动背板及其制备方法、发光基板、显示装置 |
| CN113848664B (zh) * | 2021-09-24 | 2023-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种驱动背板及其制备方法、发光基板、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110085621B (zh) | 2021-03-26 |
| WO2020228532A1 (zh) | 2020-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110085621A (zh) | 电子设备、显示面板、驱动背板及其制造方法 | |
| US11658167B2 (en) | Display panel and display device | |
| US11269377B2 (en) | Flexible display panel, method for manufacturing the same, and display device | |
| US10803776B2 (en) | Flexible display panel, display device, and method for manufacturing flexible display panel | |
| TW464927B (en) | Metal bump with an insulating sidewall and method of fabricating thereof | |
| WO2020057501A1 (zh) | 驱动背板、显示面板、电子设备及驱动背板的制造方法 | |
| WO2020216259A1 (zh) | 显示面板、显示装置及制造方法 | |
| CN110265471A (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
| CN105118928A (zh) | 彩膜基板、其制作方法、oled显示面板及显示装置 | |
| CN110265470A (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
| CN110112317A (zh) | 显示装置、柔性显示面板及其制造方法 | |
| US9960217B2 (en) | Display panel and system for displaying images utilizing the same | |
| US20200168697A1 (en) | Spliced unit and spliced panel | |
| CN110504294A (zh) | 显示装置、可拉伸显示面板及其制造方法 | |
| WO2019227930A1 (zh) | 电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| CN107275334A (zh) | 显示设备 | |
| US10608021B2 (en) | TFT substrate manufacturing method and TFT substrate | |
| US10916726B2 (en) | Crack extension blocking structure, display panel, display apparatus, and production method thereof | |
| CN111969132B (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 | |
| US20230301143A1 (en) | Pixel structure, array substrate and display apparatus | |
| CN113658988B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| TWI231045B (en) | TFT substrate and its fabricating method | |
| CN111564453A (zh) | 背板、背板的制备方法和背光模组 | |
| CN110634935A (zh) | 一种阵列基板及显示装置 | |
| CN107275372B (zh) | 显示面板及应用该显示面板的图像显示系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |