CN111564453A - 背板、背板的制备方法和背光模组 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种背板、背板的制备方法和背光模组，背板包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，背板中第一金属层在芯片绑定区形成第一导电构件，在背光源绑定区形成第二导电构件；源漏极层在芯片绑定区形成第三导电构件，在背光源绑定区形成第四导电构件；连接构件包括位于芯片绑定区内的第一连接构件、以及位于背光源绑定区内的第二连接构件，第一连接构件与第一导电构件和第三导电构件连接，第二连接构件与第二导电构件和第四导电构件连接，第一连接构件和第二连接构件中的至少一者，材料包括金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种。本申请降低了第一金属层和源漏极层的接触电阻。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种背板、背板的制备方法和背光模组。
背景技术
现有的AM Mini LED背板中，通常使用氧化铟锡(ITO)材料实现第一金属层和源漏极层的搭接，然而，使用ITO材料容易出现起泡、以及使第一金属层和源漏极层的接触电阻较大的问题，会影响后续点灯的效果。
因此，现有的AM Mini LED背板存在第一金属层和源漏极层间接触电阻过大的技术问题，需要改进。
发明内容
本申请实施例提供一种背板、背板的制备方法和背光模组，用以缓解现有的AMMini LED背板中第一金属层和源漏极层间接触电阻过大的技术问题。
本申请提供一种背板，包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，背板包括：
衬底；
第一金属层，形成在所述衬底一侧，所述第一金属层在所述芯片绑定区形成第一导电构件，在所述背光源绑定区形成第二导电构件；
绝缘层，形成在所述第一金属层远离所述衬底的一侧；
源漏极层，形成在所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述源漏极层在所述芯片绑定区形成第三导电构件，在所述背光源绑定区形成第四导电构件；
钝化层，形成在所述源漏极层远离所述绝缘层的一侧；
连接构件，形成在所述钝化层远离所述源漏极层的一侧，所述连接构件包括位于所述芯片绑定区内的第一连接构件、以及位于所述背光源绑定区内的第二连接构件，所述第一连接构件通过第一过孔与所述第一导电构件连接，通过第二过孔与所述第三导电构件连接，所述第二连接构件通过第三过孔与所述第二导电构件连接，通过第四过孔与所述第四导电构件连接，所述第一连接构件和所述第二连接构件中的至少一者，材料包括金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种。
在本申请的背板中，所述背板还包括有源层，所述有源层形成在所述第一金属层与所述源漏极层之间、或所述第一金属层与所述衬底之间，所述有源层的材料包括多晶硅或金属氧化物。
在本申请的背板中，所述第一金属层和所述源漏极层的材料包括MoCu合金和MoAl合金中的至少一种。
在本申请的背板中，在所述驱动电路区，所述第一金属层形成薄膜晶体管的栅极，所述源漏极层形成所述薄膜晶体管的源极和漏极。
在本申请的背板中，所述第一连接构件和所述第二连接构件中的至少一者，材料包括MoAl合金，其中Mo的厚度为300埃，Al的厚度为500至3000埃。
在本申请的背板中，所述钝化层在所述背光源绑定区内形成有第五过孔，背光源通过所述第五过孔与所述第四导电构件绑定。
本申请还提供一种背板的制备方法，所述背板包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，所述背板的制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上制备第一金属层，所述第一金属层在所述芯片绑定区形成第一导电构件，在所述背光源绑定区形成第二导电构件；
在所述第一金属层上制备绝缘层；
在所述绝缘层上制备源漏极层，所述源漏极层在所述芯片绑定区形成第三导电构件，在所述背光源绑定区形成第四导电构件；
在所述源漏极层上制备钝化层；
在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件包括位于所述芯片绑定区内的第一连接构件、以及位于所述背光源绑定区内的第二连接构件，所述第一连接构件通过第一过孔与所述第一导电构件连接，通过第二过孔与所述第三导电构件连接，所述第二连接构件通过第三过孔与所述第二导电构件连接，通过第四过孔与所述第四导电构件连接，所述第一连接构件和所述第二连接构件中的至少一者，材料包括金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种。
在本申请的背板的制备方法中，所述在所述钝化层上制备连接构件的步骤，包括：
在所述钝化层上沉积连接层；
使用BCl2和Cl2的混合气体刻蚀所述连接层，形成连接构件。
在本申请的背板的制备方法中，所述在所述钝化层上制备连接构件的步骤，包括：
在所述钝化层上沉积连接层；
使用铝酸溶液刻蚀所述连接层，形成连接构件。
本申请还提供一种背光模组，包括背板和与所述背板绑定的背光源，所述背板为上述任一项所述的背板。
有益效果：本申请提供一种背板、背板的制备方法和背光模组，背板包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，背板还包括衬底、第一金属层、绝缘层、源漏极层、钝化层和连接构件；第一金属层形成在所述衬底一侧，所述第一金属层在所述芯片绑定区形成第一导电构件，在所述背光源绑定区形成第二导电构件；绝缘层形成在所述第一金属层远离所述衬底的一侧；源漏极层形成在所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述源漏极层在所述芯片绑定区形成第三导电构件，在所述背光源绑定区形成第四导电构件；钝化层形成在所述源漏极层远离所述绝缘层的一侧；连接构件形成在所述钝化层远离所述源漏极层的一侧，所述连接构件包括位于所述芯片绑定区内的第一连接构件、以及位于所述背光源绑定区内的第二连接构件，所述第一连接构件通过第一过孔与所述第一导电构件连接，通过第二过孔与所述第三导电构件连接，所述第二连接构件通过第三过孔与所述第二导电构件连接，通过第四过孔与所述第四导电构件连接，所述第一连接构件和所述第二连接构件中的至少一者，材料包括金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种。本申请通过将至少一个连接构件的材料设置为金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种，可以降低第一金属层和源漏极层的接触电阻。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的背板的第一种结构示意图。
图2为本申请实施例提供的背板的第二种结构示意图。
图3为本申请实施例提供的背板的制备方法流程示意图。
图4为本申请实施例提供的背板的制备方法的第一阶段示意图。
图5为本申请实施例提供的背板的制备方法的第二阶段示意图。
图6为本申请实施例提供的背板的制备方法的第三阶段示意图。
图7为本申请实施例提供的背板的制备方法的第四阶段示意图。
图8为本申请实施例提供的背板的制备方法的第五阶段示意图。
图9为本申请实施例提供的背板的制备方法的第六阶段示意图。
图10为本申请实施例提供的背光模组的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例提供一种背板、背板的制备方法和背光模组，用以缓解现有的AMMini LED背板中第一金属层和源漏极层间接触电阻过大的技术问题。
如图1所示，本申请提供一种背板，包括芯片绑定区100、驱动电路区200以及背光源绑定区300，背板包括：
衬底11；
第一金属层，形成衬底11一侧，第一金属层在芯片绑定区100形成第一导电构件121，在背光源绑定区300形成第二导电构件122；
绝缘层，形成在第一金属层远离衬底11的一侧；
源漏极层，形成在绝缘层远离第一金属层的一侧，源漏极层在芯片绑定区100形成第三导电构件161，在背光源绑定区300形成第四导电构件162；
钝化层17，形成在源漏极层远离绝缘层的一侧；
连接构件，形成在钝化层17远离源漏极层的一侧，连接构件包括位于芯片绑定区100内的第一连接构件181、以及位于背光源绑定区300内的第二连接构件182，第一连接构件181通过第一过孔与第一导电构件121连接，通过第二过孔与第三导电构件161连接，第二连接构件182通过第三过孔与第二导电构件122连接，通过第四过孔与第四导电构件162连接，第一连接构件181和第二连接构件182中的至少一者，材料包括金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种。
背板包括芯片绑定区100、驱动电路区200和背光源绑定区300，在背光源绑定区300内背板与背光源进行绑定，背光源为一个或多个Mini LED器件，驱动电路区200中设置有驱动电路，驱动电路包括多个薄膜晶体管，在芯片绑定区100内背板与覆晶薄膜COF绑定，COF中的芯片IC给驱动电路提供驱动信号，驱动电路在接受到驱动信号后，驱动Mini LED器件发光。
图1中背板在驱动电路区200内，各薄膜晶体管为底栅结构，因此第一金属层和源漏极层之间的绝缘层为栅绝缘层13，背板自下而上依次包括衬底11、第一金属层、栅绝缘层13、有源层14、欧姆接触层15、源漏极层、钝化层17和连接构件。
衬底11的材料通常为玻璃，在衬底11与第一金属层之间，通常还设置有阻隔层和缓冲层(图未示出)，阻隔层的材料一般为氧化硅(SiOx)，用于阻挡外界的杂质粒子进入衬底11和隔绝水氧，缓冲层一般采用氮化硅(SiNx)，氮化硅具有较强的离子阻隔能力和很好的水氧隔绝能力，能有效防止杂质在热制程中扩散到薄膜晶体管中。
第一金属层在驱动电路区200内图案化形成薄膜晶体管的栅极123，在芯片绑定区100内图案化形成第一导电构件121，在背光源绑定区300内图案化形成第二导电构件122，第一导电构件121和第二导电构件122可以是第一金属层中形成的各类信号线。第一金属层的材料包括MoCu合金和MoAl合金中的至少一种。
栅绝缘层13的材料通常为氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的至少一种，并且可以是单层或多层结构。
有源层14包括分别形成在芯片绑定区100、驱动电路区200和背光源绑定区300中的三部分，其中位于驱动电路区200中的部分包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域。有源层14可以是非晶硅材料、多晶硅(a-Si)材料或金属氧化物材料等，其中金属氧化物可以是铟镓锌氧化物(IGZO)。
欧姆接触层15包括分别形成在芯片绑定区100、驱动电路区200和背光源绑定区300中的三部分，其中在驱动电路区200的部分，分别形成在有源层14的源极区域和漏极区域上。
源漏极层在驱动电路区200内图案化形成薄膜晶体管的源极163和漏极164，在芯片绑定区100内图案化形成第三导电构件161，在背光源绑定区300内图案化形成第四导电构件162，源极163和漏极164分别与有源层14的源极区域和漏极区域连接，第三导电构件161和第四导电构件162可以是源漏极层中形成的各类信号线。源漏极层的材料包括MoCu合金和MoAl合金中的至少一种。
钝化层17形成在源漏极层上，且覆盖第三导电构件161、第四导电构件162、源极163和漏极164，钝化层17的材料通常为氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的至少一种，并且可以是单层或多层结构。
连接构件包括形成在芯片绑定区100内的第一连接构件181、以及位于背光源绑定区300内的第二连接构件182，在芯片绑定区100内，第一导电构件121和第三导电构件161之间为了满足换线需要，需要通过深浅孔方式进行搭接，第一连接构件181通过钝化层17和栅绝缘层13中形成的第一过孔与第一导电构件121连接，通过钝化层17中形成的第二过孔与第三导电构件161连接，其中第一过孔为深孔，第二过孔为浅孔；同样地，在背光源绑定区300内，第二导电构件122和第四导电构件162之间为了满足换线需要，也需要通过深浅孔方式进行搭接，第二连接构件182通过钝化层17和栅绝缘层13中形成的第三过孔与第二导电构件122连接，通过钝化层17中形成的第四过孔与第四导电构件162连接，其中第三过孔为深孔，第四过孔为浅孔。此外，钝化层17在背光源绑定区300内还形成有第五过孔，背光源通过第五过孔与第四导电构件162绑定。
在现有技术中，连接构件的材料均为氧化铟锡(ITO)，ITO存在易起泡、以及使第一金属层和源漏极层接触电阻较大的问题，在后续工序中会影响点灯效果，此外，连接构件制备完成后通常裸露在空气中，而ITO裸露在空气中时容易受到大气中的水汽等物质腐蚀，会影响器件的稳定性，且ITO防刮伤性能欠佳，在COF和背光源与背板绑定过程中易使大量实验片被划伤，因此，现有连接构件的材料综合性能不佳。
本申请实施例提供的背板，第一连接构件181和第二连接构件182中的至少一者，材料包括金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种，即可以仅第一连接构件181使用这些材料，或者仅第二连接构件182使用这些材料，或者两者都使用这些材料。这些材料进行深浅孔搭接时，第一金属层和源漏极层的接触电阻可以显著降低，搭接效果更好，因此后续与背光源和COF绑定后，发光效果也更好。
在一种实施例中，第一连接构件和第二连接构件中的至少一者，材料包括MoAl合金，其中Mo的厚度为300埃，Al的厚度为500至3000埃。
在一种实施例中，当使用的材料包括金属Mo、MoAl合金或MoTi合金时，由于第一金属层和源漏极层的材料包括Cu，而Mo与Cu具有较好的结合力，因此可以避免连接构件在孔内出现气泡(Bubble)现象。
在一种实施例中，当使用的材料包括金属Al或MoAl合金时，连接构件表明的Al容易被氧化成一层几纳米的Al2O3阻挡层，因此此种工艺可以尽量避免空气对Al2O3以下的膜层进行腐蚀，使器件特性长期处于稳定状态，此外，Al2O3还具有极好的耐磨性，可以有效改善背板绑定过程中的划伤问题。
通过上述分析可知，当采用金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种作为连接构件的材料时，综合性能较佳，因此提升了背板的性能，进而使得后续形成的背光模组性能更优。
如图2所示，为本申请实施例提供的背板的第二种结构示意图，与图1中结构不同之处在于，本实施例中背板在驱动电路区200内形成的薄膜晶体管为顶栅结构，因此第一金属层和源漏极层之间的绝缘层为栅绝缘层13和层间绝缘层15，背板自下而上依次包括衬底11、第一金属层、栅绝缘层13、有源层14、层间绝缘层15、源漏极层、钝化层17和连接构件。本申请对连接构件的材料设置与产生的技术效果，对顶栅和底栅结构的背板均适用。
如图3所示，本申请还提供一种背板的制备方法，其中背板包括芯片绑定区100、驱动电路区200以及背光源绑定区300，该制备方法具体包括以下步骤：
S201：提供衬底；
S202：在衬底上制备第一金属层，第一金属层在芯片绑定区形成第一导电构件，在背光源绑定区形成第二导电构件；
S203：在第一金属层上制备绝缘层；
S204：在绝缘层上制备源漏极层，源漏极层在芯片绑定区形成第三导电构件，在背光源绑定区形成第四导电构件；
S205：在源漏极层上制备钝化层；
S206：在钝化层上制备连接构件，连接构件包括位于芯片绑定区内的第一连接构件、以及位于背光源绑定区内的第二连接构件，第一连接构件通过第一过孔与第一导电构件连接，通过第二过孔与第三导电构件连接，第二连接构件通过第三过孔与第二导电构件连接，通过第四过孔与第四导电构件连接，第一连接构件和第二连接构件中的至少一者，材料包括金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种。
下面结合图4至图9对该制备方法进行具体说明。
在S201中，提供衬底11，如图4所示，衬底11的材料通常为玻璃。
在S202中，在衬底11上制备第一金属层，第一金属层在芯片绑定区100形成第一导电构件121，在背光源绑定区300形成第二导电构件122，如图4所示，在驱动电路区200内形成的薄膜晶体管为底栅结构，因此第一金属层在驱动电路区200内形成薄膜晶体管的栅极123。第一导电构件121和第二导电构件122可以是第一金属层中形成的各类信号线，第一金属层的材料包括MoCu合金和MoAl合金中的至少一种。
在S203中，在第一金属层上制备绝缘层，如图5所示，在底栅结构中，绝缘层为栅绝缘层13，栅绝缘层13整层覆盖第一金属层，栅绝缘层13的材料通常为氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的至少一种，并且可以是单层或多层结构。
在栅绝缘层13上，依次制备有源层14和欧姆接触层15，其中有源层14和欧姆接触层15均包括分别位于芯片绑定区100、驱动电路区200以及背光源绑定区300的三部分，制作时采用半色调掩膜版制作，有源层14位于驱动电路区200中的部分包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域，有源层14可以是非晶硅材料、多晶硅(a-Si)材料或金属氧化物材料等，其中金属氧化物可以是铟镓锌氧化物(IGZO)。欧姆接触层15在驱动电路区200的部分，分别形成在有源层14的源极区域和漏极区域上。
在S204中，在绝缘层上制备源漏极层，源漏极层在芯片绑定区100形成第三导电构件161，在背光源绑定区300形成第四导电构件162。如图5所示，源漏极层在驱动电路区200内图案化形成薄膜晶体管的源极163和漏极164，在芯片绑定区100内图案化形成第三导电构件161，在背光源绑定区300内图案化形成第四导电构件162，源极163和漏极164分别与有源层14的源极区域和漏极区域连接，第三导电构件161和第四导电构件162可以是源漏极层中形成的各类信号线。源漏极层的材料包括MoCu合金和MoAl合金中的至少一种。
在S205中，在源漏极层上制备钝化层17。如图6所示，钝化层17形成在源漏极层上，且覆盖第三导电构件161、第四导电构件162、源极163和漏极164，钝化层17的材料通常为氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的至少一种，并且可以是单层或多层结构。钝化层17形成后，通过掩膜版在芯片绑定区100内的钝化层17和栅绝缘层13中形成第一过孔10，在钝化层17中形成第二过孔20，且在背光源绑定区300内的钝化层17和栅绝缘层13中形成第三过孔30，在钝化层17中形成第四过孔40。
在S206中，在钝化层17上制备连接构件，连接构件包括位于芯片绑定区100内的第一连接构件181、以及位于背光源绑定区300内的第二连接构件182，第一连接构件181通过第一过孔与第一导电构件121连接，通过第二过孔与第三导电构件161连接，第二连接构件182通过第三过孔与第二导电构件122连接，通过第四过孔与第四导电构件162连接，第一连接构件181和第二连接构件182中的至少一者，材料包括金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种。
首先，如图7所示，先在钝化层17上形成整层的连接层18，连接层18填充第一过孔10、第二过孔20、第三过孔30和第四过孔40。
然后，如图8所示，在连接层18上制备整层的光阻层19并图案化形成位于芯片绑定区100和背光源绑定区300内的图形。
最后，如图9所示，对连接层进行刻蚀并去除光阻层19，形成连接构件。刻蚀时可以采用干法刻蚀，所用刻蚀气体为BCl2和Cl2的混合气体，也可用湿法刻蚀，所用刻蚀液体为铝酸溶液，然后再用Cu剥离色阻层19，形成第一连接构件181和第二连接构件182。
背板制备完成后，在背光源绑定区300内背板与背光源进行绑定，背光源为一个或多个Mini LED器件，驱动电路区200中设置有驱动电路，驱动电路包括多个薄膜晶体管，在芯片绑定区100内背板与覆晶薄膜COF绑定，COF中的芯片IC给驱动电路提供驱动信号，驱动电路在接受到驱动信号后，驱动Mini LED器件发光。
在现有技术中，连接构件的材料均为氧化铟锡(ITO)，ITO存在易起泡、以及使第一金属层和源漏极层接触电阻较大的问题，在后续工序中会影响点灯效果，此外，连接构件制备完成后通常裸露在空气中，而ITO裸露在空气中时容易受到大气中的水汽等物质腐蚀，会影响器件的稳定性，且ITO防刮伤性能欠佳，在COF和背光源与背板绑定过程中易使大量实验片被划伤，因此，现有连接构件的材料综合性能不佳。
通过本申请实施例提供制备方法制得的背板，第一连接构件181和第二连接构件182中的至少一者，材料包括金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种，即可以仅第一连接构件181使用这些材料，或者仅第二连接构件182使用这些材料，或者两者都使用这些材料。这些材料进行深浅孔搭接时，第一金属层和源漏极层的接触电阻可以显著降低，搭接效果更好，因此后续与背光源和COF绑定后，发光效果也更好。
在一种实施例中，第一连接构件和第二连接构件中的至少一者，材料包括MoAl合金，其中Mo的厚度为300埃，Al的厚度为500至3000埃。
在一种实施例中，当使用的材料包括金属Mo、MoAl合金或MoTi合金时，由于第一金属层和源漏极层的材料包括Cu，而Mo与Cu具有较好的结合力，因此可以避免连接构件在孔内出现气泡(Bubble)现象。
在一种实施例中，当使用的材料包括金属Al或MoAl合金时，连接构件表明的Al容易被氧化成一层几纳米的Al2O3阻挡层，因此此种工艺可以尽量避免空气对Al2O3以下的膜层进行腐蚀，使器件特性长期处于稳定状态，此外，Al2O3还具有极好的耐磨性，可以有效改善背板绑定过程中的划伤问题。
通过上述分析可知，当采用金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种作为连接构件的材料时，综合性能较佳，因此提升了背板的性能，进而使得后续形成的背光模组性能更优。此外，上述制备方法以底栅结构为例进行说明，但本申请不以此为限，连接构件的材料设置与产生的技术效果，对顶栅和底栅结构的背板均适用。
如图10所示，本申请还提供一种背光模组，该背光模组包括背板10、背光源20、胶框30、扩散板40、反射片50和光学膜片60，背光源20与背板10绑定，其中背板10为上述任一实施例所述的背板，背光源20为Mini LED器件。
在后续与液晶显示面板组装后，液晶显示面板通过粘结层固定在背光模组的胶框30上，背光模组中设置在背板10上的背光源20发出的光线21，经由扩散板40、反射片50和光学膜片60后，照射到液晶显示面板上，光线21先通过液晶显示面板的下偏光片变成偏振光，液晶面板通过TFT的开关作用，给每个像素分别输入不同大小的数据信号电压，液晶分子在不同电压下旋转的状态不同，因此对偏振光的透过程度也不同，最后经由上偏光片出射的光线亮度也不同，以此来实现多灰阶的画面显示。
在小尺寸的背光模组中，仅设置一块背板10，在中大尺寸的背光模组中，使用多块背板10进行拼接，例如在分辨率为7680x4320的8K产品中，液晶显示面板上一个分区通常包括多个像素，背光模组由12个背板10拼接形成，所有背光源20形成多个背光单元，每块背板10中包括432个背光单元，每个背光单元包括4个串联的LED器件，每块背板10中的驱动电路对该背板中的背光源20进行单独驱动，单独控制发光，单独为每个分区内的像素提供背光，相对于采用整面驱动的背光模组，分区驱动的背光模组亮度控制更加灵活，发光效果更好。
本申请的背光模组中，通过将背板10中至少一个连接构件的材料设置为金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种，可以降低第一金属层和源漏极层的接触电阻，提升了背板10的性能，进而使得背光模组的性能更优。
根据以上实施例可知：
本申请提供一种背板、背板的制备方法和背光模组，背板包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，背板还包括衬底、第一金属层、层间绝缘层、源漏极层、钝化层和连接构件；第一金属层形成在衬底一侧，第一金属层在芯片绑定区形成第一导电构件，在背光源绑定区形成第二导电构件；层间绝缘层形成在第一金属层远离衬底的一侧；源漏极层形成在层间绝缘层远离第一金属层的一侧，源漏极层在芯片绑定区形成第三导电构件，在背光源绑定区形成第四导电构件；钝化层形成在源漏极层远离层间绝缘层的一侧；连接构件形成在钝化层远离源漏极层的一侧，连接构件包括位于芯片绑定区内的第一连接构件、以及位于背光源绑定区内的第二连接构件，第一连接构件通过第一过孔与第一导电构件连接，通过第二过孔与第三导电构件连接，第二连接构件通过第三过孔与第二导电构件连接，通过第四过孔与第四导电构件连接，第一连接构件和第二连接构件中的至少一者，材料包括金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种。本申请通过将至少一个连接构件的材料设置为金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种，可以降低第一金属层和源漏极层的接触电阻。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板和电子设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种背板，包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，其特征在于，包括：
衬底；
第一金属层，形成在所述衬底一侧，所述第一金属层在所述芯片绑定区形成第一导电构件，在所述背光源绑定区形成第二导电构件；
绝缘层，形成在所述第一金属层远离所述衬底的一侧；
源漏极层，形成在所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述源漏极层在所述芯片绑定区形成第三导电构件，在所述背光源绑定区形成第四导电构件；
钝化层，形成在所述源漏极层远离所述绝缘层的一侧；
连接构件，形成在所述钝化层远离所述源漏极层的一侧，所述连接构件包括位于所述芯片绑定区内的第一连接构件、以及位于所述背光源绑定区内的第二连接构件，所述第一连接构件通过第一过孔与所述第一导电构件连接，通过第二过孔与所述第三导电构件连接，所述第二连接构件通过第三过孔与所述第二导电构件连接，通过第四过孔与所述第四导电构件连接，所述第一连接构件和所述第二连接构件中的至少一者，材料包括金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种。
2.如权利要求1所述的背板，其特征在于，所述背板还包括有源层，所述有源层形成在所述第一金属层与所述源漏极层之间、或所述第一金属层与所述衬底之间，所述有源层的材料包括多晶硅或金属氧化物。
3.如权利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一金属层和所述源漏极层的材料包括MoCu合金和MoAl合金中的至少一种。
4.如权利要求1所述的背板，其特征在于，在所述驱动电路区，所述第一金属层形成薄膜晶体管的栅极，所述源漏极层形成所述薄膜晶体管的源极和漏极。
5.如权利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一连接构件和所述第二连接构件中的至少一者，材料包括MoAl合金，其中Mo的厚度为300埃，Al的厚度为500至3000埃。
6.如权利要求1所述的背板，其特征在于，所述钝化层在所述背光源绑定区内形成有第五过孔，背光源通过所述第五过孔与所述第四导电构件绑定。
7.一种背板的制备方法，所述背板包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，其特征在于，所述背板的制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上制备第一金属层，所述第一金属层在所述芯片绑定区形成第一导电构件，在所述背光源绑定区形成第二导电构件；
在所述第一金属层上制备绝缘层；
在所述层间绝缘层上制备源漏极层，所述源漏极层在所述芯片绑定区形成第三导电构件，在所述背光源绑定区形成第四导电构件；
在所述源漏极层上制备钝化层；
在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件包括位于所述芯片绑定区内的第一连接构件、以及位于所述背光源绑定区内的第二连接构件，所述第一连接构件通过第一过孔与所述第一导电构件连接，通过第二过孔与所述第三导电构件连接，所述第二连接构件通过第三过孔与所述第二导电构件连接，通过第四过孔与所述第四导电构件连接，所述第一连接构件和所述第二连接构件中的至少一者，材料包括金属Mo、金属Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一种。
8.如权利要求7所述的背板的制备方法，其特征在于，所述在所述钝化层上制备连接构件的步骤，包括：
在所述钝化层上沉积连接层；
使用BCl2和Cl2的混合气体刻蚀所述连接层，形成连接构件。
9.如权利要求7所述的背板的制备方法，其特征在于，所述在所述钝化层上制备连接构件的步骤，包括：
在所述钝化层上沉积连接层；
使用铝酸溶液刻蚀所述连接层，形成连接构件。
10.一种背光模组，其特征在于，包括背板和与所述背板绑定的背光源，所述背板为权利要求1至6任一项所述的背板。
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| GR01 | Patent grant | ||
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