CN111129036A - 阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种阵列基板及制备方法、显示面板，所述阵列基板包括：衬底，具有第一区域、第二区域以及第三区域；第一金属层，包括设置于衬底的第一区域的第一金属构件和设置于衬底的第三区域的第二金属构件；第一绝缘层，覆盖第一金属层及衬底，且第一绝缘层在对应第三区域处设置有通孔；导电层，包括设置于第一区域和第二区域的第一导电部和设置于第三区域的第二导电部，至少部分第二导电部通过通孔与第二金属构件连接；第二金属层，包括设置于第一区域的第三金属构件和设置于第三区域的第四金属构件，第四金属构件与第二导电部连接，以降低第一金属层与第二金属层之间的接触阻抗，改善显示面板易出现渐变线的问题，提高显示面板的显示品质。

Description

阵列基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
在显示面板的制备过程中，阵列基板的第二金属层、保护层、像素电极层总共需三张曝光掩膜板，通过三次曝光、显影等工艺做成，制作工艺复杂、成本高。此外，为实现窄边框设计，显示面板多采用栅极驱动电路(Gate on Array，GOA)制备于阵列基板上的结构，因此会在阵列基板上形成栅极驱动电路。请参阅图1，其为现有的显示面板的栅极驱动电路的结构示意图，第一金属层101与第二金属层102通过导电层103实现表面搭接，具体地，所述导电层103通过栅极绝缘层104上的过孔及保护层105上的过孔实现所述第一金属层101与所述第二金属层102的电连接，所述第一金属层101与所述第二金属层102之间会存在较大的转接接触阻抗，且所述导电层103在负电压下易发生腐蚀，造成所述第一金属层101与所述第二金属层102搭接不良，导致所述显示面板出现渐变线、画面显示异常的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可以降低栅极驱动电路的接触阻抗，改善显示面板显示时易出现渐变线的问题，提高显示品质，且减少阵列基板制备过程中所需的光罩数目。
本申请实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底，所述衬底具有第一区域、第二区域以及第三区域，所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间；
第一金属层，所述第一金属层包括设置于所述衬底的所述第一区域的第一金属构件和设置于所述衬底的所述第三区域的第二金属构件；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层及所述衬底，且所述第一绝缘层在对应所述第三区域处设置有通孔；
导电层，位于所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述导电层包括设置于所述第一区域和所述第二区域的第一导电部和设置于所述第三区域的第二导电部，至少部分所述第二导电部通过所述通孔与所述第二金属构件连接；
第二金属层，所述第二金属层包括设置于所述衬底的所述第一区域的第三金属构件和设置于所述衬底的所述第三区域的第四金属构件，所述第四金属构件与所述第二导电部连接。
在一些实施例中，所述阵列基板具有一显示区与非显示区，所述非显示区包括一栅极驱动电路区，所述栅极驱动电路区具有第一走线和第二走线；
所述衬底的所述第一区域与所述第二区域对应所述阵列基板的所述显示区；
所述衬底的所述第三区域对应所述阵列基板的所述非显示区内的所述栅极驱动电路区；
所述第二金属构件为所述栅极驱动电路区的所述第一走线，所述第四金属构件为所述栅极驱动电路区的所述第二走线。
在一些实施例中，所述第一金属构件为栅极和扫描线。
在一些实施例中，所述第三金属构件为源极与漏极。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括保护层，所述保护层覆盖所述导电层及所述第二金属层。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括对应所述衬底的所述第一区域设置且在所述第一绝缘层与所述导电层之间的半导体层。
本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：
S10：提供一衬底，所述衬底具有第一区域、第二区域以及第三区域，所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间；
S20：于所述衬底表面形成整面的第一金属层，并对所述第一金属层进行图形化，得到图形化的第一金属层，所述图形化的第一金属层包括设置于所述衬底的所述第一区域的第一金属构件和设置于所述衬底的所述第三区域的第二金属构件；
S30：形成覆盖所述第一金属层及所述衬底的第一绝缘层，且所述第一绝缘层在对应所述第三区域制备有通孔；
S40：于所述第一区域的所述第一绝缘层远离所述衬底的表面形成半导体层；
S50：依次形成覆盖所述第一绝缘层和所述半导体层的整面的导电层和整面的第二金属层；
S60：提供一光罩，利用所述光罩对所述导电层及所述第二金属层进行曝光处理，并经过显影液显影和刻蚀工艺，以使所述导电层在所述第一区域和所述第二区域形成第一导电部，所述导电层在所述第三区域形成第二导电部；所述第二金属层在所述第一区域形成第三金属构件，所述第二金属层在所述第三区域形成第四金属构件。
在一些实施例中，所述光罩具有全显区、半显区及保留区，在步骤S60中，还包括如下步骤：
S601：在所述第二金属层表面制备光阻层；
S602：利用所述光罩对所述光阻层进行曝光后，所述光阻层对应所述光罩的所述全显区形成第一光阻区，所述光阻层对应所述光罩的所述半显区形成第二光阻区，所述光阻层对应所述光罩的所述保留区形成第三光阻区；
S603：去除所述第一光阻区的所述光阻层、所述第二金属层及所述导电层，以使对应所述衬底的所述第一区域的所述半导体层外露；使对应所述衬底的所述第二区域和所述第三区域的部分所述第一绝缘层外露，形成图形化的所述导电层；
S604：去除所述第二光阻区的所述光阻层及所述第二金属层，使对应所述衬底的所述第一区域和所述第二区域的所述导电层外露，形成所述第一导电部；
S605：去除所述第三光阻区的所述光阻层，使对应所述衬底的所述第一区域的所述第二金属层外露，形成所述第三金属构件；使对应所述衬底的所述第三区域的所述第二金属层外露，形成所述第四金属构件。
在一些实施例中，在所述步骤S60后，还包括如下步骤：
S70：制备覆盖所述导电层及所述第二金属层的保护层。
本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括所述阵列基板。
本申请实施例提供的阵列基板及制备方法、显示面板，所述阵列基板包括：衬底，所述衬底具有第一区域、第二区域以及第三区域，所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间；第一金属层，所述第一金属层包括设置于所述衬底的所述第一区域的第一金属构件和设置于所述衬底的所述第三区域的第二金属构件；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层及所述衬底，且所述第一绝缘层在对应所述第三区域处设置有通孔；导电层，位于所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述导电层包括设置于所述第一区域和所述第二区域的第一导电部和设置于所述第三区域的第二导电部，至少部分所述第二导电部通过所述通孔与所述第二金属构件连接；第二金属层，所述第二金属层包括设置于所述衬底的所述第一区域的第三金属构件和设置于所述衬底的所述第三区域的第四金属构件，所述第四金属构件与所述第二导电部连接，减小了所述第二导电部在搭接所述第二金属构件与所述第四金属构件时的搭接长度，从而降低了所述第一金属层与所述第二金属层之间的接触阻抗。在阵列基板的制备过程中，利用半色调光罩同时实现所述导电层的图案化制程与所述第二金属层的图案化制程，节省了两道光罩及两道曝光显影的制程，简化了阵列基板的制作工艺。采用本申请实施例提供的阵列基板制成的显示面板，可改善所述显示面板易出现渐变线的问题，提高所述显示面板的显示品质。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有的显示面板的栅极驱动电路的结构示意图；
图2A为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2B为图2A中阵列基板的俯视图；
图2C为图2B中I部位的局部放大图；
图2D为本申请实施例提供的阵列基板的显示区的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的阵列基板的制备流程图；
图4A～图4J为图3中所示流程图制备阵列基板的过程示意图；
图5为本申请实施例提供的显示面板结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体地，请参阅图2A，其为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；所述阵列基板包括：
衬底201，所述衬底201具有第一区域201a、第二区域201b以及第三区域201c，所述第二区域201b位于所述第一区域201a和所述第三区域201c之间；
第一金属层202，所述第一金属层202包括设置于所述衬底201的所述第一区域201a的第一金属构件2021和设置于所述衬底201的所述第三区域201c的第二金属构件2022；
第一绝缘层203，所述第一绝缘层203覆盖所述第一金属层202及所述衬底201，且所述第一绝缘层203在对应所述第三区域201c处设置有通孔203a；
导电层204，位于所述第一绝缘层203远离所述第一金属层202的一侧，所述导电层204包括设置于所述第一区域201a和所述第二区域201b的第一导电部2041和设置于所述第三区域201c的第二导电部2042，至少部分所述第二导电部2042通过所述通孔203a与所述第二金属构件2022连接；
第二金属层205，所述第二金属层205包括设置于所述衬底201的所述第一区域201a的第三金属构件2051和设置于所述衬底201的所述第三区域201c的第四金属构件2052，所述第四金属构件2052与所述第二导电部2042连接，以降低所述第一金属层202与所述第二金属层205之间的接触阻抗。
所述阵列基板还包括对应所述衬底201的所述第一区域200a设置且在所述第一绝缘层203与所述导电层204之间的半导体层211，所述半导体层包括有源层211a和欧姆接触层211b。
请参阅图2B，其为图2A中阵列基板的俯视图，所述阵列基板200具有一显示区200a与非显示区200b，所述非显示区200b包括一栅极驱动电路区206a，所述栅极驱动电路区206a具有第一走线2061和第二走线2062；
请继续参阅图2A和图2B，所述衬底201的所述第一区域201a与所述第二区域201b对应所述阵列基板200的所述显示区200a；
所述衬底201的所述第三区域201c对应所述阵列基板200的所述非显示区200b内的所述栅极驱动电路区206a；
所述第二金属构件2022为所述栅极驱动电路区206a的所述第一走线2061，所述第四金属构件2052为所述栅极驱动电路区206a的所述第二走线2062。
所述第一走线2061用于外接覆晶薄膜2064或印刷电路板，并通过覆晶薄膜2064或印刷电路板将信号经所述第二走线2062传输至栅极驱动电路2063，以实现对栅极的控制。
请参阅图2C，其为图2B中I部位的局部放大图，沿图2C中的A-A’剖切，即可得到对应如图2A中所述第三区域201c的结构示意图。
请参阅图2D，其为本申请实施例提供的阵列基板的显示区的结构示意图；所述阵列基板具有多条数据线207a、207b及多条扫描线208a、208b，相邻的两所述扫描线208a、208b以及所述数据线207a、207b之间构成一个像素区域，而每一像素区域上方分别配置有一个薄膜晶体管以及一个对应于所述薄膜晶体管的像素电极210。以所述扫描线208a所控制的多个所述薄膜晶体管为例进行说明，每一个所述薄膜晶体管都具有一栅极209a、一源极209b以及一漏极209c。其中，所述薄膜晶体管的栅极209a与所述扫描线208a电性连接，所述薄膜晶体管的源极209b与所述数据线207a电性连接，所述薄膜晶体管的漏极209c与对应的所述像素电极210电性连接。所述第一金属构件2021为所述栅极209a和扫描线208a，所述第三金属构件2051为源极209b与漏极209c。沿图2D中的B-B’剖切，即可得到对应如图2A中的所述第一区域200a与所述第二区域200b的结构示意图。
在一些实施例中，所述阵列基板200还包括保护层(图中未示出)，所述保护层覆盖所述导电层204及所述第二金属层205，以保护所述导电层204及所述第二金属层205免受腐蚀。
请参阅图3，其为本申请实施例提供的阵列基板的制备流程图；如图4A～图4J所示，其为图3中所示流程图制备阵列基板的过程示意图，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：
S10：提供一衬底201，所述衬底201具有第一区域201a、第二区域201b以及第三区域201c，所述第二区域201b位于所述第一区域201a和所述第三区域201c之间，如图4A所示；
S20：于所述衬底201表面形成整面的第一金属层，并对所述第一金属层进行图形化，得到图形化的第一金属层202，所述图形化的第一金属层202包括设置于所述衬底201的所述第一区域201a的第一金属构件2021和设置于所述衬底201的所述第三区域201c的第二金属构件2022，如图4B所示；
S30：形成覆盖所述第一金属层202及所述衬底201的第一绝缘层203，且所述第一绝缘层203在对应所述第三区域201c制备有通孔203a，如图4C所示；
S40：于所述第一区域201a的所述第一绝缘层203远离所述衬底201的表面形成半导体层211，如图4D所示，所述半导体层211包括有源层211a和欧姆接触层211b；
S50：依次形成覆盖所述第一绝缘层203和所述半导体层211的整面的导电层204和整面的第二金属层205，如图4E所示；
S60：提供一光罩，利用所述光罩对所述导电层204及所述第二金属层205进行曝光处理，并经过显影液显影和刻蚀工艺，以使所述导电层204在所述第一区域201b和所述第二区域201c形成第一导电部2041，所述导电层204在所述第三区域201c形成第二导电部2042；所述第二金属层205在所述第一区域201a形成第三金属构件2051，所述第二金属层205在所述第三区域201c形成第四金属构件2052，如图4J所示。
所述光罩具有全显区、半显区及保留区，在步骤S60中，还包括如下步骤：
S601：在所述第二金属层205表面制备光阻层213，如图4F所示；
S602：利用所述光罩对所述光阻层213进行曝光后，所述光阻层213对应所述光罩的所述全显区形成第一光阻区213a，所述光阻层213对应所述光罩的所述半显区形成第二光阻区213b，所述光阻层213对应所述光罩的所述保留区形成第三光阻区213c，如图4G所示；
S603：去除所述第一光阻区213a的所述光阻层213、所述第二金属层205及所述导电层204，以使对应所述衬底201的所述第一区域201a的所述半导体层211外露；使对应所述衬底201的所述第二区域201b和所述第三区域201c的部分所述第一绝缘层203外露，形成图形化的所述导电层204，如图4H所示；
S604：去除所述第二光阻区213b的所述光阻层213及所述第二金属层205，使对应所述衬底201的所述第一区域201a和所述第二区域201b的所述导电层204外露，形成所述第一导电部2041，如图4I所示；
S605：去除所述第三光阻区213c的所述光阻层，使对应所述衬底201的所述第一区域201a的所述第二金属层205外露，形成所述第三金属构件2051；使对应所述衬底201的所述第三区域201c的所述第二金属层205外露，形成所述第四金属构件2052，如图4J所示。
所述光罩为半色调光罩；所述导电层的制备材料为氧化铟锡。
在所述步骤S603、所述步骤S604及所述步骤S605中，采光阻灰化和干燥工艺去除所述光阻层213，采用金属蚀刻液去除对应所述第一光阻区213a及所述第二光阻区213b的所述第二金属层205，采用氧化铟锡蚀刻液去除对应所述第一光阻区213a的所述导电层204。
本申请实施例提供的阵列基板的制备方法通过使用半色调光罩对所述导电层204及所述第二金属层205进行曝光处理，利用所述光罩的所述全显区形成第一光阻区213a，利用所述光罩的所述半显区形成第二光阻区213b，利用所述光罩的所述保留区形成第三光阻区213c，分别对所述第一光阻区213a、所述第二光阻区213b、所述第三光阻区213c进行蚀刻，在对应所述衬底201的所述第一区域201a形成栅极、源极及漏极；在对应所述衬底201的所述第二区域201b形成像素电极；在对应所述衬底201的所述第三区域201c形成第一走线2061及第二走线2062，节省了两道光罩及两道曝光显影的制程，简化了阵列基板的制作工艺，同时也降低了所述第一走线2061及所述第二走线2062之间的接触阻抗。
在一些实施例中，在所述步骤S60后，还包括如下步骤：
S70：制备覆盖所述导电层204及所述第二金属层205的保护层，以保护所述导电层204及所述第二金属层205免受腐蚀。
请参阅图5，其为本申请实施例提供的显示面板结构示意图；本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括所述阵列基板501。
所述显示面板还包括与所述阵列基板501相对设置的彩膜基板502，所述阵列基板501在远离所述彩膜基板502的一侧设置有偏光片5011及背光源5012；所述彩膜基板502在远离所述阵列基板501的一侧设置有偏光片5021；所述阵列基板501与所述彩膜基板502之间设置有框胶503及液晶分子504。
所述阵列基板501与所述彩膜基板502的侧边平齐构成侧面绑定区505，所述侧面绑定区505包括：
导电膜5051，所述导电膜5051一侧贴合在所述彩膜基板502及所述阵列基板501的侧边，并与所述阵列基板501上的绑定端子5013电连接；
覆晶薄膜5052，所述覆晶薄膜5052贴合在所述导电膜5051远离所述彩膜基板502及所述阵列基板501的一侧。
所述覆晶薄膜5052与所述导电膜5051通过导电胶5053实现电连接，所述导电胶5053还与所述显示面板的边框5054相接触，以固定所述彩膜基板502及所述阵列基板501；所述导电胶5053为异方性导电胶。
所述导电膜5051的制备材料为银。
由于所述阵列基板501中所述第一金属层及所述第二金属层在所述非显示区直接通过所述导电层实现电连接，减小接触阻抗的同时也增大了侧面绑定区的接触面积，故所述显示面板可避免显示画面时出现水平渐变线导致显示异常的问题，也有利于实现窄边框设计。
本申请实施例提供的阵列基板及制备方法、显示面板，所述阵列基板200包括：衬底201，所述衬底201具有第一区域201a、第二区域201b以及第三区域201c，所述第二区域201b位于所述第一区域201a和所述第三区域201c之间；第一金属层202，所述第一金属层202包括设置于所述衬底201的所述第一区域201a的第一金属构件2021和设置于所述衬底201的所述第三区域201c的第二金属构件2022；第一绝缘层203，所述第一绝缘层203覆盖所述第一金属层及202所述衬底201，且所述第一绝缘层203在对应所述第三区域201c处设置有通孔203a；导电层204，位于所述第一绝缘层203远离所述第一金属层202的一侧，所述导电层204包括设置于所述第一区域201a和所述第二区域201b的第一导电部2041和设置于所述第三区域201c的第二导电部2042，至少部分所述第二导电部2042通过所述通孔203a与所述第二金属构件2022连接；第二金属层205，所述第二金属层205包括设置于所述衬底201的所述第一区域201a的第三金属构件2051和设置于所述衬底201的所述第三区域201c的第四金属构件2052，所述第四金属构件2052与所述第二导电部2042连接，减小了所述第二导电部2042在搭接所述第二金属构件2022与所述第四金属构件2052时的搭接长度，从而降低了所述第一金属层202与所述第二金属层205之间的接触阻抗。在阵列基板的制备过程中，利用半色调光罩同时实现所述导电层204的图案化制程与所述第二金属层205的图案化制程，节省了两道光罩及两道曝光显影的制程，简化了阵列基板的制作工艺。采用本申请实施例提供的阵列基板制成的显示面板，可改善所述显示面板易出现渐变线的问题，提高所述显示面板的显示品质。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的阵列基板及制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底，所述衬底具有第一区域、第二区域以及第三区域，所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间；
第一金属层，所述第一金属层包括设置于所述衬底的所述第一区域的第一金属构件和设置于所述衬底的所述第三区域的第二金属构件；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层及所述衬底，且所述第一绝缘层在对应所述第三区域处设置有通孔；
导电层，位于所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述导电层包括设置于所述第一区域和所述第二区域的第一导电部和设置于所述第三区域的第二导电部，至少部分所述第二导电部通过所述通孔与所述第二金属构件连接；
第二金属层，所述第二金属层包括设置于所述衬底的所述第一区域的第三金属构件和设置于所述衬底的所述第三区域的第四金属构件，所述第四金属构件与所述第二导电部连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有一显示区与非显示区，所述非显示区包括一栅极驱动电路区，所述栅极驱动电路区具有第一走线和第二走线；
所述衬底的所述第一区域与所述第二区域对应所述阵列基板的所述显示区；
所述衬底的所述第三区域对应所述阵列基板的所述非显示区内的所述栅极驱动电路区；
所述第二金属构件为所述栅极驱动电路区的所述第一走线，所述第四金属构件为所述栅极驱动电路区的所述第二走线。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属构件为栅极和扫描线。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属构件为源极与漏极。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括保护层，所述保护层覆盖所述导电层及所述第二金属层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括对应所述衬底的所述第一区域设置且在所述第一绝缘层与所述导电层之间的半导体层。
7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S10：提供一衬底，所述衬底具有第一区域、第二区域以及第三区域，所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间；
S20：于所述衬底表面形成整面的第一金属层，并对所述第一金属层进行图形化，得到图形化的第一金属层，所述图形化的第一金属层包括设置于所述衬底的所述第一区域的第一金属构件和设置于所述衬底的所述第三区域的第二金属构件；
S30：形成覆盖所述第一金属层及所述衬底的第一绝缘层，且所述第一绝缘层在对应所述第三区域制备有通孔；
S40：于所述第一区域的所述第一绝缘层远离所述衬底的表面形成半导体层；
S50：依次形成覆盖所述第一绝缘层和所述半导体层的整面的导电层和整面的第二金属层；
S60：提供一光罩，利用所述光罩对所述导电层及所述第二金属层进行曝光处理，并经过显影液显影和刻蚀工艺，以使所述导电层在所述第一区域和所述第二区域形成第一导电部，所述导电层在所述第三区域形成第二导电部；所述第二金属层在所述第一区域形成第三金属构件，所述第二金属层在所述第三区域形成第四金属构件。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述光罩具有全显区、半显区及保留区，在步骤S60中，还包括如下步骤：
S601：在所述第二金属层表面制备光阻层；
S602：利用所述光罩对所述光阻层进行曝光后，所述光阻层对应所述光罩的所述全显区形成第一光阻区，所述光阻层对应所述光罩的所述半显区形成第二光阻区，所述光阻层对应所述光罩的所述保留区形成第三光阻区；
S603：去除所述第一光阻区的所述光阻层、所述第二金属层及所述导电层，以使对应所述衬底的所述第一区域的所述半导体层外露；使对应所述衬底的所述第二区域和所述第三区域的部分所述第一绝缘层外露，形成图形化的所述导电层；
S604：去除所述第二光阻区的所述光阻层及所述第二金属层，使对应所述衬底的所述第一区域和所述第二区域的所述导电层外露，形成所述第一导电部；
S605：去除所述第三光阻区的所述光阻层，使对应所述衬底的所述第一区域的所述第二金属层外露，形成所述第三金属构件；使对应所述衬底的所述第三区域的所述第二金属层外露，形成所述第四金属构件。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S60后，还包括如下步骤：
S70：制备覆盖所述导电层及所述第二金属层的保护层。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～6任一项所述的阵列基板。
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