CN114967255A - 阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法。阵列基板包括显示区域和非显示区域，显示区域设有多个数据线，非显示区域位于显示区域外围，非显示区域设有多个金属转层孔区域，每一所述数据线对应连通于每一所述金属转层孔区域，金属转层孔区域对应的绝缘层设有两个过孔，这两个过孔内设有导电层，以通过导电层将两个金属层连通，并将显示区域内的线路与金属层连通，以实现通过金属层将信号源模块连通显示区域内的线路。如此，减少过孔的数量，减少液晶取向层扩散的阻碍，避免液晶取向层在显示区域周边堆积，改善周边mura。

Description

阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法

技术领域

本申请涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的显示面板大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜(CF，ColorFilter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封框胶(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。在液晶显示器的CF基板和TFT基板上，分别有一层薄膜材料(液晶取向层)，其主要作用是使液晶分子按一定方向排列，我们称之为配向膜(常用聚酰亚胺(PI)材料)。根据目前Cell制造流程，CF基板或TFT基板在配向膜(PI，polyimide)制程后进行框胶的涂布，然后进行液晶滴入，在CF和TFT上下基板对组完成后进行框胶的固化，形成密封的液晶盒(LCD Cell)。

阵列基板通常包括有非显示区域和显示区域，显示区域一般包括m个子像素单元，以实现图像的显示；金属信号线密集汇总在非显示区域，以通过非显示区域的线路结构将显示区域的扫描线和信号线与非显示区域另一侧的信号源模块连通，用以通过信号源模块给扫描线和信号线提供信号。

LCD边角漏光会导致画面失真，不加信号的时候显示屏呈全黑的暗态，光线无法透过液晶显示屏。这种暗黑状态下漏光的存在会严重降低整个显示屏的视觉效果，使消费者没有较好的视觉体验感。其中一种LCD边角漏光的原因是由于阵列基板的非显示区域和显示区域上涂布的PI配向膜分布不均，由此导致出现PI聚集，PI聚集区出现明暗不均的现象，即周边mura。

上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本申请的主要目的是提供一种阵列基板，通过减少金属转层孔区域的过孔个数，旨在改善阵列基板的非显示区域和显示区域上涂布的PI配向膜分布，改善液晶显示屏的周边mura现象。

为实现上述目的，本申请提出的一种阵列基板，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域位于所述显示区域外围，所述显示区域设有多根数据线，所述非显示区域设有多个金属转层孔区域，每一所述数据线对应连通于每一所述金属转层孔区域；所述阵列基板包括层叠设置的衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、导电层；其特征在于，所述第二绝缘层对应于所述第二金属层形成一个第一过孔，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层对应于所述第一金属层形成一个第二过孔，所述导电层通过所述一个第一过孔和所述一个第二过孔将所述第一金属层和所述第二金属层导通。

可选地，所述金属转层孔区域与所述显示区域之间形成有间隙。

可选地，定义所述间隙的间距为D，则满足：600um≤D≤2000um。

可选地，所述第一过孔和/或所述第二过孔内的导电层上方填充有绝缘材料，以将所述第一过孔和/或所述第二过孔填平。

可选地，所述金属转层孔区域还包括液晶取向层，所述液晶取向层覆盖所述导电层，所述显示区域内的液晶取向层的厚度大于所述非显示区域内的所述液晶取向层的厚度。

可选地，定义所述显示区域的所述液晶取向层的厚度为d1，所述非显示区域内的所述液晶取向层的厚度为d2，则满足：

可选地，所述显示面板包括如权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板以及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。

本申请还提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域位于所述显示区域外围，所述显示区域设有多根数据线，所述非显示区域设有多个金属转层孔区域，每一所述数据线对应连通于每一所述金属转层孔区域，阵列基板的制作方法包括：在所述非显示区域制备形成金属转层孔区域，所述金属转层孔区域的制备包括以下步骤：

在衬底基板上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二金属层；

在所述第二金属层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层对应于所述第二金属层的区域蚀刻形成多个第一过孔，在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层对应于所述第一金属层的区域蚀刻形成多个第二过孔，以使所述导电层通过所述一个第一过孔和所述一个第二过孔将所述第一金属层和所述第二金属层导通。

可选地，在制备形成所述金属转层孔区域的步骤中，包括：使所述金属转层孔区域与所述显示区域之间形成间隙，其中，所述间隙的间距为D，则满足：600um≤D≤2000um。

可选地，在所述第二绝缘层上形成导电层的步骤之后还包括：在所述导电层上形成液晶取向层的步骤，以使所述非显示区域形成的液晶取向层的厚度小于所述显示区域的液晶取向层的厚度；

定义所述显示区域的所述液晶取向层的厚度为d1，所述非显示区域内的所述液晶取向层的厚度为d2，则满足：

在所述导电层上形成液晶取向层的步骤之前还包括：在所述第一过孔和/或所述第二过孔的导电层上填充绝缘材料，以将所述第一过孔和/或所述第二过孔填平。

本申请技术方案涉及一种阵列基板，一种周边Mura的现象的产生是由于阵列基板的显示区域与距离该显示区域最近的地方的地势差导致，使得液晶取向层在扩散的过程中由于地势原因会发生聚集，液晶取向层聚集区出现明暗不均的现象，由此形成周边Mura的现象。其中，与显示区域最接近的不平坦的部位为信号线与扫描线的金属转层孔区域，以扫描线的换线孔为例，每一条扫描线都对应一个金属转层孔区域，用来导通第一金属层和第二金属层，用以导通电流和/或传输信号，金属转层孔区域包括过孔，过孔形成地势差，由此使得显示区域边缘出现液晶取向层聚集区，出现明暗不均的现象。为了解决该问题，本申请提供一种阵列基板，阵列基板包括显示区域和非显示区域，显示区域设有多根数据线，例如，显示区域内设置扫描线和信号线用于控制各个像素，以实现图像的显示。

非显示区域位于显示区域外围，非显示区域设有多个金属转层孔区域，每一数据线对应连通于每一金属转层孔区域，金属转层孔区域包括层叠设置的衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、以及导电层，也即，第一金属层设于衬底基板的表面，第一绝缘层设于第一金属层背离衬底基板的表面，第二金属层设于第一绝缘层背离第一金属层的表面，第二绝缘层设于第二金属层背离第一绝缘层的表面，导电层设于第二绝缘层背离第二金属层的表面。其中，第二绝缘层对应于第二金属层形成一个第一过孔，第一绝缘层与第二绝缘层对应于第一金属层形成一个第二过孔，导电层通过一个第一过孔和一个第二过孔将第一金属层和第二金属层导通。

也即，金属转层孔区域设有两个金属层，两金属层上方分别形成一个过孔，过孔内设有导电层，以通过导电层将两个金属层连通，并将显示区域内的线路与两个金属层连通，以实现通过两个金属层将信号源模块连通显示区域内的线路。由于传统的是在金属转层孔区域的两金属层上方分别形成多个过孔，本申请通过减少过孔的个数，减少液晶取向层扩散的阻碍，避免液晶取向层在显示区域周边堆积，形成周边mura，并且，减少过孔的数量一定程度上减小金属转层孔区域的面积，有利于窄边框的设计。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本申请实施例中一种阵列基板的示意图；

图2为本申请实施例中另一种阵列基板的示意图；

图3为现有技术中金属转层孔区域的结构示意图；

图4为图3中金属转层孔区域的A-A方向截面结构示意图；

图5为本申请实施例中一种金属转层孔区域的结构示意图；

图6为图5中金属转层孔区域的截面结构示意图；

图7为图6中金属转层孔区域设置导电层的B-B方向截面结构示意图；

图8为图1中的阵列基板上设置有液晶取向层的示意图；

图9为图8中显示区域的第一液晶取向层与非显示区域的第二液晶取向层的截面示意图；

图10为本申请申请实施例中一种显示面板的截面示意图；

图11为本申请申请实施例中一种阵列基板的制作方法流程图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				100	显示面板	1317	衬底基板
10	阵列基板	1318	第二绝缘层
				11	显示区域	1319	第一绝缘层
12	间隙	14	外引脚贴合区域
				13	非显示区域	15	覆晶薄膜
131	金属转层孔区域	16	PCBA板
				1311	金属层	17	驱动电路连接区
1311a	第一金属层	20	彩膜基板
				1311b	第二金属层	30	液晶取向层
1313	第一过孔	31	第一液晶取向层
				1314	第二过孔	33	第二液晶取向层

本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明，本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

另外，在本申请中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A和/或B为例”，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。

阵列基板10通常包括有显示区域11和非显示区域13，显示区域11一般包括m个子像素单元，以实现图像的显示；金属信号线密集汇总在非显示区域13，以通过非显示区域13的线路结构将显示区域11的扫描线和信号线与非显示区域13另一侧的信号源模块连通，用以通过信号源模块给扫描线和信号线提供信号。

涂布喷头喷出液晶取向液滴在重力作用下自由扩散成PI配向膜，PI在扩散的过程中由于地势原因会发生聚集，PI聚集区出现明暗不均的现象，即周边mura。也即，显示区域11周边的PI堆积之后，周边PI的配向就跟显示区域11内部的不同了，因为膜厚不同，配向不同后也就使得导向状态也就不同，所以造成显示区域11周边的亮度与显示区域11内部不一样，这就是周边mura。

PI在过孔处聚集因为PI液滴定在阵列基板10表面时，液滴在气、液、固三相系统中扩散前进,最终在三相综合作用下达到平衡状态完成扩散，任一相界面的变化都会导致PI液滴扩散的变化。当PI液滴在过孔周围向过孔内扩散时，液滴前进方向气相接触面积的增大使得液滴有凝聚现象，即前进方向接触角有增大现象。同时，PI小液滴在向过孔表面扩散时，液滴前进方向由水平方向变为倾斜方向，液滴前进角由于前进表面粗糙形貌而存在能垒障碍，也会导致前进接触角增大。两者综合作用的结果是，当PI液滴从过孔周边向过孔内扩散时，液滴前进方向存在能垒，该能垒使得液滴前进方向接触角增大，随着PI液滴积聚越来越多，前进接触角越来越大，当液滴积聚量超过一定限度，液滴前进方向超越能垒而进入过孔内。高分子PI液滴的扩散是通过分子链段的协同作用发生分子内相对位移而缓慢移动，部分没能进入过孔内的小液滴在过孔周边集聚成膜形成Mura。

如图1所示，周边Mura通常是距离显示区域11最近的地方的地势差导致，距离显示区域11最近的地方不平坦的部分为信号线与扫描线的换线孔区域，也即金属转层孔区域131。以扫描侧换线孔为例，每一条扫描线都对应一个金属转层孔区域131。金属转层孔区域131的作用是转层作用，将两个金属层1311导通，使每一条扫描线都连通两个金属层1311，两个金属层1311在过孔处通过导电层1315氧化铟锡，Indium Tin Oxide，简称ITO导通，达到转层的效果。

液晶显示面板在正常显示时，需要使用COF(chiponfilm，覆晶薄膜)通过引线连接到面板的外引脚贴合(OuterLeadBonding，OLB)区域，从而使得集成于COF上IC的信号通过OLB区导通到显示面板中。

如图1所示，阵列基板10的外侧设有外引脚贴合区域14(OuterLeadBonding，OLB)，覆晶薄膜15，以及PCBA板16，外引脚贴合区域14电连接阵列基板10内的线路，外引脚贴合区域14电连接覆晶薄膜15，覆晶薄膜15电连接PCBA板16，PCBA板16用以处理给到阵列基板10的讯号。

一种周边Mura的现象的产生是由于阵列基板10的显示区域11与距离该显示区域11最近的地方的地势差导致，使得液晶取向层30在扩散的过程中由于地势原因会发生聚集，液晶取向层30聚集区出现明暗不均的现象，由此形成周边Mura的现象。其中，与显示区域11最接近的不平坦的部位为信号线与扫描线的金属转层孔区域131，以扫描线的换线孔为例，每一条扫描线都对应一个金属转层孔区域131，用以导通和传输信号，金属转层孔区域131包括过孔，过孔形成地势差，由此使得显示区域11边缘出现液晶取向层30聚集区，出现明暗不均的现象。

为了解决该问题，本申请提供一种阵列基板10，如图1所示，阵列基板10包括显示区域11和非显示区域13，显示区域11设有多根数据线，例如，显示区域11内设置扫描线和数据线用于控制各个像素，以实现图像的显示。

如图1所示，非显示区域13位于显示区域11外围，非显示区域13设有多个金属转层孔区域131，每一数据线对应连通于每一金属转层孔区域131，如图6所示，金属转层孔区域131包括层叠设置的衬底基板1317、第一金属层1311a、第一绝缘层1319、第二金属层1311b、第二绝缘层1318、以及导电层1315，也即，第一金属层1311a设于衬底基板1317的表面，第一绝缘层1319设于第一金属层1311a背离衬底基板1317的表面，第二金属层1311b设于第一绝缘层1319背离第一金属层1311a的表面，第二绝缘层1318设于第二金属层1311b背离第一绝缘层1319的表面，导电层1315设于第二绝缘层1318背离第二金属层1311b的表面。其中，第二绝缘层1318对应于第二金属层1311b形成一个第一过孔1313，第一绝缘层1319与第二绝缘层1318对应于第一金属层1311a形成一个第二过孔1314，导电层1315通过一个第一过孔1313和一个第二过孔1314将第一金属层1311a和第二金属层1311b导通。如图3所示，金属转层孔区域131的一侧设有驱动电路连接区17，用以将金属转层孔区域131连通驱动电路，为扫描线提供讯号。

也即，金属转层孔区域131设有两个金属层1311(第一金属层1311a与第二金属层1311b)，两金属层1311上方分别设有一个过孔，过孔内设有导电层1315，以通过导电层1315将两个金属层1311连通，并将显示区域11内的线路与两个金属层1311连通，以实现通过两个金属层1311将信号源模块连通显示区域11内的线路。图3为现有技术中金属转层孔区域131的结构示意图，图4为图3中金属转层孔区域的A-A方向截面结构示意图。如图3和图4所示，由于传统的是在金属转层孔区域131的两金属层1311上方分别形成多个过孔，图5为本申请实施例中一种金属转层孔区域131的结构示意图，图6为图5中金属转层孔区域的截面结构示意图，如图5和图6所示，本申请通过减少过孔的个数，减少液晶取向层30扩散的阻碍，避免液晶取向层30在显示区域11周边堆积，形成周边mura，并且，减少过孔的数量一定程度上减小金属转层孔区域131的面积，有利于窄边框的设计。

在传统的设计中，如图3和图4所示，两个金属层1311的上方通常形成有多个过孔(多个第一过孔1313和多个第二过孔1314)，并且，一个金属转层孔区域131是利用导电层1315将多个过孔同时导通(例如，如图3所示，12个过孔来实现第一金属层1311a和第二金属层1311b的导通)，如此，由于过孔数量较多，出现因过孔导致PI聚集，产生周边mura的现象严重。现有技术中，设计较多过孔的原因，其是考虑到COA(Color Filter on Array)产品的色组层R、G、B在制作过程中脱落，可能会覆盖到过孔的位置，当色组层覆盖到过孔时，过孔的数量多，色组不至于完全覆盖，剩下的过孔还是可以起到导通作用的，再比如非COA的产品没有色阻覆盖过孔的风险，但是个别过孔在制作过程中由于蚀刻液蚀刻速率的影响，导致过孔有缺陷，致使ITO无法通过过孔通两个金属层1311。本申请中采用减小过孔的个数，为了避免上述色组层R、G、B在制作过程中脱落，可能会覆盖到过孔的位置，过孔的尺寸小于色组层的尺寸，如此，色组层不会落入过孔的位置；为了避免在蚀刻过孔中的缺陷，在蚀刻步骤之后进行一个检测步骤，以确定蚀刻合格，例如，通过监控蚀刻深度来判断蚀刻的效果。也即，通过进一步改进结构和工艺，以保证过孔的合格；并且减少过孔个数后，金属转层孔区域131的占地面积变小，可以给其他位置比如GDL区设计留出空间，便于设计窄边框。

如图5和图6所示，为本申请阵列基板10的金属转层孔区域131，包括位于底层的衬底基板1317，设于衬底基板1317上的第一金属层1311a，于第一金属层1311a上设置的第一绝缘层1319，于第一绝缘层1319上设置的第二金属层1311b，以及设置在第二金属层1311b上的第二绝缘层1318，如图6所示，在第一金属层1311a上方开设一个第二过孔1314，第二金属层1311b上方开设有一个第一过孔1313；如图7所示，在第一过孔1313与第二过孔1314上设置有导电层1315，导电层1315将一个第一金属层1311a与一个第二金属层1311b导通。如此，减少过孔个数，改善因过孔数量较多，出现因过孔导致PI聚集，产生周边mura的严重现象。

进一步地，如图1和图2所示，金属转层孔区域131与显示区域11之间设有间隙12。为了避免金属转层孔区域131上的过孔在PI涂膜过程中形成PI堆积，增大金属转层孔区域131与显示区域11的距离，使PI堆积位置距离远离显示区域11，使得在远离显示区域11处形成Mura，而不会在显示区域11周边显示出来Mura。因此，在金属转层孔区域131与显示区域11之间设有间隙12，如此，在形成PI膜的过程中，PI堆积位置远离显示区域11的边缘，而不会出现周边Mura的现象。

进一步地，定义间隙12的间距为D，则满足：600um<D≤2000um。显示区域11边界到金属转层孔区域131的边缘的距离可以是1000um、1200um、1600um等。通过实验优化，间隙12的间距在600um-2000um的范围效果较好，例如，可以是1000um、1200um、1600um等，其中，为了实现窄边框的设计，间隙12的间距可以是700um、800um等，在上述的间距范围下，在形成PI膜的过程中，PI堆积位置远离显示区域11的边缘，而不会出现周边Mura的现象。

进一步地，第一过孔1313和/或第二过孔1314内的导电层1315上方填充有绝缘材料，以将第一过孔1313和/或第二过孔1314填平。如此，避免因过孔存在，而使得地势差引起的PI聚集。也即，为了进一步改善周边Mura的现象，在第一过孔1313和/或第二过孔1314内的导电层1315上方填充有绝缘材料，以将第一过孔1313和/或第二过孔1314填平，避免因过孔存在，如此，由于没有地势差的存在，不会出现周边Mura的现象。

进一步地，如图9和图10所示，金属转层孔区域131还包括液晶取向层30，液晶取向层30覆盖导电层1315，显示区域11内的第一液晶取向层31的厚度大于非显示区域13内的第二液晶取向层33的厚度。也即显示区域11与非显示区域13上设有液晶取向层30，显示区域11内的第一液晶取向层31的厚度大于非显示区域13内的第二液晶取向层33的厚度。在显示区域11内的第一液晶取向层31的厚度大于非显示区域13内的第二液晶取向层33的厚度的情况下，即便在非显示区域13的金属转层孔区域131存在地势差，但是非显示区域13的PI膜厚减薄，使得非显示区域13的PI堆积后，其厚度也不会超过显示区域11的PI膜厚，无法扩散至显示区域11的边缘处，如此降低周边mura的发生。

由于显示区域11外围附近不可以不涂PI，理论上PI的作用是通过配向为液晶提供锚定力，形成预倾角，显示区域11有均匀膜厚的PI就不会影响配向；但是PI具有流动性，在PI涂布边缘的一定范围内膜厚会比较低，为了确保显示区域11的PI膜厚均匀，需要把PI的边界远离显示区域11，这样即使边界处一定范围内的PI膜厚偏薄也不会影响到显示区域11。

为此，通过将显示区域11内的第一液晶取向层31的厚度大于非显示区域13内的第二液晶取向层33的厚度。也即，保持满足配向的显示区域11的PI膜厚正常即可，非显示区域13的PI膜厚减薄，使得非显示区域13的PI堆积后，其厚度也不会超过显示区域11的PI膜厚，无法扩散至显示区域11的边缘处，如此降低周边mura的发生。

进一步地，如图8和图9所示，定义显示区域11内的第一液晶取向层31的厚度为d1，非显示区域13内的第二液晶取向层33的厚度为d2，则满足：

通过实验优化，显示区域11的第一液晶取向层31的厚度为

时，显示屏性能最好，并且，在非显示区域13的第二液晶取向层33的厚度为

范围时，改善周边mura的现象最优。

进一步地，定义第一金属层1311a上方的一个第二过孔1314与第二金属层1311b上方的一个第一过孔1313为一组换线孔，一组换线孔通过导电层1315连通；多根线路包括多根扫描线和多根信号线，一扫描线对应连通于一组换线孔；一信号线对应连通于另一组换线孔。也即，每一根线路通过两个过孔第一过孔1313和第二过孔1314在导电层1315的导通作用下与两个金属层1311连通，每一金属层1311上的过孔个数与线路的个数匹配，如此，过孔数量减少，减小金属转层孔区域131的尺寸，如图3和图5所示，金属转层孔区域131尺寸减小，可以预留空间，方便其他结构的设计，有利于窄边框的实现，并且，在阵列基板10的制备工艺过程中降低成本，提高加工速率，改善周边mura，提高良率。

本申请还提供一种显示面板100，如图10所示，显示面板100包括的阵列基板10，和与阵列基板10相对设置的彩膜基板20以及位于阵列基板与彩膜基板20之间的液晶取向层30。由于阵列基板10采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

如图11所示，本申请还一种阵列基板的制作方法，如图1所示，阵列基板10包括显示区域11和非显示区域13，非显示区域13位于显示区域11外围，显示区域11设有多根数据线，非显示区域13设有多个金属转层孔区域131，每一数据线对应连通于每一金属转层孔区域131，阵列基板的制作方法包括：在非显示区域13制备形成金属转层孔区域131，金属转层孔区域131的制备包括以下步骤：如图6和图7所示，在衬底基板1317上形成第一金属层1311a；在第一金属层1311a上形成第一绝缘层1319；在第一绝缘层1319上形成第二金属层1311b；在第二金属层1311b上形成第二绝缘层1318；在第二绝缘层1318对应于第二金属层1311b的区域蚀刻形成一个第一过孔1313，在第一绝缘层1319与第二绝缘层1318对应于第一金属层1311a的区域蚀刻形成一个第二过孔1314，以使导电层1315通过一个第一过孔1313和一个第二过孔1314将第一金属层1311a和第二金属层1311b导通。

也即，在满足两个金属层1311的导通，以及两个金属层1311与线路连通的情况下，蚀刻形成最少数量的过孔，减轻金属转层孔区域131上的过孔在PI涂膜过程中形成PI堆积，改善周边mura。

进一步地，如图1和图2所示，在制备形成金属转层孔区域131的步骤中，包括：使金属转层孔区域131与显示区域11之间形成间隙12，其中，间隙12的间距为D，则满足：600um≤D≤2000um。因此，在金属转层孔区域131与显示区域11之间设有间隙12，如此，在形成PI膜的过程中，PI堆积位置远离显示区域11的边缘，而不会出现周边Mura的现象。

通过实验优化，间隙12的间距在600um-2000um的范围效果较好，例如，可以是1000um、1200um、1600um等，其中，为了实现窄边框的设计，间隙12的间距可以是700um、800um等，在上述的间距范围下，在形成PI膜的过程中，PI堆积位置远离显示区域11的边缘，而不会出现周边Mura的现象。

为了避免金属转层孔区域131上的过孔在PI涂膜过程中形成PI堆积，通过增大金属转层孔区域131与显示区域11的距离，使PI堆积位置距离远离显示区域11，使得在远离显示区域11处形成Mura，而不会在显示区域11周边显示出来Mura。

进一步地，如图9和图10所示，在第二绝缘层1318上形成导电层1315的步骤之后还包括：在导电层1315上形成液晶取向层30的步骤，以使非显示区域13形成的液晶取向层30的厚度小于显示区域11的液晶取向层30的厚度。在显示区域11内的第一液晶取向层31的厚度大于非显示区域13内的第二液晶取向层33的厚度的情况下，即便在非显示区域13的金属转层孔区域131存在地势差，但是非显示区域13的PI膜厚减薄，使得非显示区域13的PI堆积后，其厚度也不会超过显示区域11的PI膜厚，无法扩散至显示区域11的边缘处，如此降低周边mura的发生。

进一步地，如图9和图10所示，定义显示区域11的液晶取向层的厚度为d1，非显示区域13内的液晶取向层的厚度为d2，则满足：

通过实验优化，显示区域11的第一液晶取向层31的厚度为

时，显示屏性能最好，并且，在非显示区域13的第二液晶取向层33的厚度为

范围时，改善周边mura的现象最优。

通过涂布机向非显示区域13涂布形成厚度为d2的液晶取向层，并且，d1＞d2。满足：

也即，保持满足配向的显示区域11的PI膜厚正常即可，非显示区域13的PI膜厚减薄，使得非显示区域13的PI堆积后，其厚度也不会超过显示区域11的PI膜厚，无法扩散至显示区域11的边缘处，如此降低周边mura的发生。

进一步地，在导电层1315上形成液晶取向层的步骤之前还包括：在第一过孔1313和/或第二过孔1314的导电层1315上填充绝缘材料，以将第一过孔1313和/或第二过孔1314填平。如此，避免因过孔1313存在，而使得地势差引起的PI聚集。也即，为了进一步改善周边Mura的现象，在第一过孔1313和/或第二过孔1314内的导电层1315上方填充有绝缘材料，以将第一过孔1313和/或第二过孔1314填平，避免因过孔存在，如此，由于没有地势差的存在，不会出现周边Mura的现象。

上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是在本申请的申请构思下，利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域位于所述显示区域外围，所述显示区域设有多根数据线，所述非显示区域设有多个金属转层孔区域，每一所述数据线对应连通于每一所述金属转层孔区域；所述阵列基板包括层叠设置的衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、导电层；其特征在于，所述第二绝缘层对应于所述第二金属层形成一个第一过孔，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层对应于所述第一金属层形成一个第二过孔，所述导电层通过所述一个第一过孔和所述一个第二过孔将所述第一金属层和所述第二金属层导通。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属转层孔区域与所述显示区域之间形成有间隙。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，定义所述间隙的间距为D，则满足：600um≤D≤2000um。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔和/或所述第二过孔内的导电层上方填充有绝缘材料，以将所述第一过孔和/或所述第二过孔填平。

5.如权利要求1至4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述金属转层孔区域还包括液晶取向层，所述液晶取向层覆盖所述导电层，所述显示区域内的液晶取向层的厚度大于所述非显示区域内的所述液晶取向层的厚度。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，定义所述显示区域的所述液晶取向层的厚度为d1，所述非显示区域内的所述液晶取向层的厚度为d2，则满足：

7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板以及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶取向层。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，

在阵列基板的非显示区域制备形成金属转层孔区域，所述金属转层孔区域的制备包括以下步骤：

在衬底基板上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二金属层；

在所述第二金属层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层对应于所述第二金属层的区域蚀刻形成一个第一过孔，在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层对应于所述第一金属层的区域蚀刻形成一个第二过孔，以使所述导电层通过所述一个第一过孔和所述一个第二过孔将所述第一金属层和所述第二金属层导通。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于：在制备形成所述金属转层孔区域的步骤中，包括：使所述金属转层孔区域与所述显示区域之间形成间隙，其中，所述间隙的间距为D，则满足：600um≤D≤2000um。

10.如权利要求8和9中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于：在所述第二绝缘层上形成导电层的步骤之后还包括：在所述导电层上形成液晶取向层的步骤，以使所述非显示区域形成的液晶取向层的厚度小于所述显示区域的液晶取向层的厚度；

定义所述显示区域的所述液晶取向层的厚度为d1，所述非显示区域内的所述液晶取向层的厚度为d2，则满足：

在所述导电层上形成液晶取向层的步骤之前还包括：在所述第一过孔和/或所述第二过孔的导电层上填充绝缘材料，以将所述第一过孔和/或所述第二过孔填平。

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