JP2008039806A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】IPS方式の液晶表示装置において、高階調での視野角特性を改善する。
【解決手段】コモン電極を第1コモン電極21と第2コモン電極22に分割する。画素電極10には信号電圧を印加する。第1コモンコモン電極に一定電圧を印加すると、第2コモン電極22には容量電極7を介して容量分割された電圧が印加される。1画素中で液晶分子121に作用する2つの電界領域EpとEcが存在することになり、その結果高階調での視野角特性が改善される。
【選択図】図2
【解決手段】コモン電極を第1コモン電極21と第2コモン電極22に分割する。画素電極10には信号電圧を印加する。第1コモンコモン電極に一定電圧を印加すると、第2コモン電極22には容量電極7を介して容量分割された電圧が印加される。1画素中で液晶分子121に作用する2つの電界領域EpとEcが存在することになり、その結果高階調での視野角特性が改善される。
【選択図】図2
Description
本発明はアクティブマトリクス型液晶表示装置に関連する。
薄膜トランジスタ(TFT)をスイッチング素子としたアクティブマトリクス型液晶表示装置では、各画素は一フレーム期間所定の信号電圧を保持するため、画面を明るく出来るため、コンピュータモニター、TV等に需要が拡大している。液晶の弱点であった視野角についても、IPS(In Plane Switch)方式、VA(Vertical Alignment)方式等の開発により、改善されているが、中でもIPS方式は優れた視野角特性を有している。IPS方式も色々な改良が加えられているが、現在、TV等に用いられている代表的なIPS方式の画素構造の例を図25に示す。また図25のA−A断面構造を図26に示す。
図26において、信号線からの信号はTFTを介して画素電極10に加えられ、保持される。一方、図26に示すように、ガラス基板上に一定電圧が印加されるコモン電極が形成されている。コモン電極の上にはゲート絶縁膜4、層間絶縁膜8が形成され、画素電極10は層間絶縁膜8の上に形成されている。画素電極10に特定の電圧が印加されると、図26に示すような電気力線が発生し、液晶分子121を回転等させることによって、バックライトからの光Lを制御することにより、画像を形成する。このような構成を記載したものとして、「特許文献1」が上げられる。
以上のような構成を有する液晶表示装置は優れた視野角特性を有しているが、高階調側において、視野角をさらに改善したいという要望がある。一方、IPS方式ほど視野角特性が優れていないTN方式、VA方式等においては視野角特性を改善するための技術が開発されている。これらの方式における視野角特性の改善を記載したものとして、「特許文献2」を上げることができる。
IPS方式は他の方式に比べ優れた視野角特性を有しているが、高階調(高電圧)側領域において斜め方向から画像を見た場合の視野角特性の問題が指摘されている。図27は、図25および図26に示すIPS方式の液晶表示特性における視野角特性である。図27において、曲線aは液晶パネルの主面に対して正面方向から見た場合の電圧と相対輝度の特性である。輝度は電圧に対して単純に増加している。図31における曲線bは液晶パネルの主面に対する直角方向から左あるいは右70度の角度から見た場合の電圧と輝度の特性である。曲線bは曲線aに比して電圧を高くするとより明るくなる特性を示している。したがって、液晶に対するドライブ特性を曲線aに合わせると、同じ画面を70度方向から見ると階調を十分に再現しない画像となる。
IPSは低電圧が印加された場合、液晶分子121は平面上で回転するだけであるので、非常に優れた視野角特性を示すが、高電圧が印加されるにしたがって、液晶分子121がわずかに立ち上がるようになるため、高電圧の範囲で視野角の特性が劣化するものと考えられる。一方VA方式では、低階調において液晶分子121が垂直方向に回転するため、特に低階調付近において視野角特性が悪いという特徴がある。
本発明は、上記のようなIPS方式の液晶表示において、特に高階調における視野角特性をさらに改善し、TV等、高い視野角特性を要求される用途に対しても十分な特性を持つ液晶表示パネルを提供することである。
本発明は、IPS方式の液晶表示装置において、特に高階調領域において視野角特性を改善するために、コモン電極を分割し、コモン電極の一部には一定電圧を印加し、画素電極との間に所定のドライブ電圧を印加する。コモン電極の他の部分は前記コモン電極の一部と容量結合によって結合し、結果的に画素電極とコモン電極の他の部分との間には本来のドライブ電圧よりも小さい電圧がかかるようにする。その結果、高階調においても、画素全体としては、液晶分子の平面での回転成分を多くすることによって、高階調においても優れた視野角を保持するものである。具体的には次のような手段をとる。
(1)第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、前記液晶に電界を作用させることによって画像を形成する液晶表示装置であって、前記第1の基板上には第1のコモン電極と第2のコモン電極が形成され、前記第1のコモン電極と前記第2のコモン電極を覆って第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜上には、前記第1のコモン電極と前記第2のコモン電極と平面的にオーバーラップして容量電極が形成され、前記容量電極を覆って第2の絶縁膜が形成され、前記第2の絶縁膜の上には画素電極が形成されており、前記第1のコモン電極には一定の電位が供給され、前記画素電極には画素信号が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
(2)前記第1のコモン電極、前記第2のコモン電極、および前記画素電極は透明電極であることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(3)前記画素電極は透明導電膜で形成され、外形が略々長方形であり、内側は櫛歯状電極とスリットが形成されていることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(4)前記画素電極の両側で、前記第1の絶縁膜上に信号配線が形成され、前記容量電極は前記信号配線と同一の材料で形成されていることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(5)前記容量電極は平面的には前記櫛歯電極に略々沿って形成されていることを特徴とする(3)に記載の液晶表示装置。
(6)前記容量電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(7)前記第2のコモン電極は画素のほぼ中央付近に形成されていることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(2)前記第1のコモン電極、前記第2のコモン電極、および前記画素電極は透明電極であることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(3)前記画素電極は透明導電膜で形成され、外形が略々長方形であり、内側は櫛歯状電極とスリットが形成されていることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(4)前記画素電極の両側で、前記第1の絶縁膜上に信号配線が形成され、前記容量電極は前記信号配線と同一の材料で形成されていることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(5)前記容量電極は平面的には前記櫛歯電極に略々沿って形成されていることを特徴とする(3)に記載の液晶表示装置。
(6)前記容量電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(7)前記第2のコモン電極は画素のほぼ中央付近に形成されていることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(8)第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、前記液晶に電界を作用させることによって画像を形成する液晶表示装置であって、前記第1の基板上にはコモン電極が形成され、前記コモン電極を覆って第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜上には、第2の絶縁膜が形成され、前記第2の絶縁膜上に画素電極が形成され、前記第2の絶縁膜には凹部が形成され、前記凹部には前記画素電極の一部が形成されており、前記コモン電極には一定の電位が供給され、前記画素電極には画素信号が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
(9)前記コモン電極と前記画素電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(10)前記画素電極は透明導電膜で形成され、外形が略々長方形であり、内側は櫛歯状電極とスリットが形成されていることを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(11)前記第2の絶縁膜に形成された凹部の深さは100nm以上で600nmより小さいことを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(12)前記第2の絶縁膜はSiN膜であることを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(13)前記層間絶縁膜の凹部に形成された前記画素電極と前記コモン電極との距離は前記層間絶縁膜の凹部以外に形成された前記画素電極と前記コモン電極との距離よりも小さいことを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(9)前記コモン電極と前記画素電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(10)前記画素電極は透明導電膜で形成され、外形が略々長方形であり、内側は櫛歯状電極とスリットが形成されていることを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(11)前記第2の絶縁膜に形成された凹部の深さは100nm以上で600nmより小さいことを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(12)前記第2の絶縁膜はSiN膜であることを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(13)前記層間絶縁膜の凹部に形成された前記画素電極と前記コモン電極との距離は前記層間絶縁膜の凹部以外に形成された前記画素電極と前記コモン電極との距離よりも小さいことを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(14)第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、前記液晶に電界を作用させることによって画像を形成する液晶表示装置であって、前記第1の基板上には下地膜が形成され、前記下地膜の上にはコモン電極が形成され、前記下地膜には凹部が形成され、前記コモン電極の一部は前記下地膜の凹部に形成されており、前記コモン電極を覆って第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜上には、第2の絶縁膜が形成され、前記第2の絶縁膜上に画素電極が形成され、前記コモン電極には一定の電位が供給され、前記画素電極には画素信号が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
(15)前記コモン電極と前記画素電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする(14)に記載の液晶表示装置。
(16)前記画素電極は透明導電膜で形成され、外形が略々長方形であり、内側は櫛歯状電極とスリットが形成されていることを特徴とする(14)に記載の液晶表示装置。
(17)前記下地膜に形成された凹部の深さは100nm以上であることを特徴とする(14)に記載の液晶表示装置。
(18)前記第2の絶縁膜は有機材料であることを特徴とする(14)に記載の液晶表示装置。
(19)前記下地膜の凹部に形成された前記コモン電極と前記画素電極との距離は、前記下地膜の凹部以外に形成された前記コモン電極と前記画素電極との距離よりも大きいことを特徴とする(14)に記載の液晶表示装置。
(15)前記コモン電極と前記画素電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする(14)に記載の液晶表示装置。
(16)前記画素電極は透明導電膜で形成され、外形が略々長方形であり、内側は櫛歯状電極とスリットが形成されていることを特徴とする(14)に記載の液晶表示装置。
(17)前記下地膜に形成された凹部の深さは100nm以上であることを特徴とする(14)に記載の液晶表示装置。
(18)前記第2の絶縁膜は有機材料であることを特徴とする(14)に記載の液晶表示装置。
(19)前記下地膜の凹部に形成された前記コモン電極と前記画素電極との距離は、前記下地膜の凹部以外に形成された前記コモン電極と前記画素電極との距離よりも大きいことを特徴とする(14)に記載の液晶表示装置。
(20)第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、前記液晶に電界を作用させることによって画像を形成する液晶表示装置であって、前記第1の基板上には下地膜が島状に形成され、コモン電極は前記島状の下地膜上と前記島状の下地膜が存在しない部分とにまたがって形成され、前記コモン電極を覆って第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜上には、第2の絶縁膜が形成され、前記第2の絶縁膜上に画素電極が形成され、前記コモン電極には一定の電位が供給され、前記画素電極には画素信号が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
(21)前記画素電極と前記島状の下地膜上に形成された前記コモン電極との距離は、前記画素電極と前記島状の下地膜が存在しない部分に形成された前記コモン電極との距離よりも小さいことを特徴とする(20)に記載の液晶表示装置。
(21)前記画素電極と前記島状の下地膜上に形成された前記コモン電極との距離は、前記画素電極と前記島状の下地膜が存在しない部分に形成された前記コモン電極との距離よりも小さいことを特徴とする(20)に記載の液晶表示装置。
手段(1)から(7)によれば、コモン電極を第1のコモン電極と第2のコモン電極に分割し、第1のコモン電極にコモン電圧を印加する。コモン電極を覆う第1の絶縁膜上に第1のコモン電極と第2のコモン電極とオーバーラップして容量電極を形成して、第1のコモン電極と第2のコモン電極との間に容量を形成する。これによって、第1のコモン電極と画素電極との間に印加される電圧と、第2のコモン電極と画素電極との間に形成される電圧とを異ならしめ、これによって、1画素中に2つの電圧―輝度特性を持つ領域を形成することができる。第2のコモン電極上の液晶の透過特性は高階調領域でも優れた視野角特性をもつため、液晶表示装置全体として高階調における視野角特性が改善される。
手段(8)から(13)によれば、画素電極が形成される第2の絶縁膜に凹部を形成し、画素電極の一部を凹部内に形成することにより、コモン電極と画素電極との距離を、凹部に形成された画素電極の場合とそれ以外の部分に形成された画素電極の場合とで異ならしめる。その結果、第2の絶縁膜の凹部上とそれ以外とで、電圧―輝度特性が異なることになる。画素電極とコモン電極との距離が大きいほうの領域が高階調領域での視野角特性がよい。その結果表示装置全体として高階調での視野角を改善することができる。
手段(14)から(19)によれば、TFT基板上に下地膜を形成し、その上にコモン電極を形成する。下地膜に凹部を形成し、コモン電極の一部を凹部内に形成する。これによって、コモン電極と画素電極との距離を、下地膜に凹部が形成された部分とそれ以外の部分とで異ならしめる。その結果、下地膜に凹部が形成された部分の領域にある液晶にかかる電界と、それ以外の部分の領域にある液晶にかかる電界を異ならしめる。このような構成とすることにより、1画素中に異なる電圧―輝度特性を有する領域を形成することができ、高階調での視野角を改善することができる。
手段(20)および(21)によれば、TFT基板上に下地膜が存在する部分と下地膜が存在しない部分を設け、コモン電極をこの2つの部分にまたがって形成する。画素電極とコモン電極の距離は、下地膜の存在する部分と存在しない部分とで異なることになるので、液晶に対する電界も下地膜が存在する部分と存在しない部分とで異なることになる。その結果、1画素中に電圧―輝度特性が異なる領域が存在することになり、高階調での視野角特性が改善される。
実施例にしたがって、本発明の詳細な内容を開示する。
図1は本発明の第1の実施例を示す画素部の平面図である。図2は図1のA−A断面図、図3は図1のB−B断面図である。図1において、2本のゲート配線3と2本の信号配線6にかこまれた部分が画素である。ゲート配線3にゲート電圧が印加されると、TFTがONし、信号線からの信号電圧が画素電極10に印加される。画素電極10に電圧が印加されると下層に形成されているコモン電極との間に電気力線が発生し、この電界によって液晶分子121が回転することによって、バックライトからの光を制御して画像を形成する。この様子を図2に示す。
画素電極10は透明電極で形成されており、長方形である。画素電極10の内側にスリット101と櫛歯電極102が形成されており、この櫛歯電極102の上面からスリット101を通って下層のコモン電極に達する電気力線が液晶層12にも浸透して液晶分子121を動作させる。下層に形成されたコモン電極も透明電極で形成されているが、第1コモン電極21と第2コモン電極22に分割されている。平面図的には、図1における点線部分で第1コモン電極21と第2コモン電極22に分離されている。第1コモン電極21はコモン配線23に接続され、コモン配線23から一定電圧であるコモン電圧が印加される。コモン配線23は電気抵抗を下げるために、ゲート配線3と同様、金属であるAlあるいはCu、または他の金属との積層膜によって形成されている。
第2コモン電極22はフロートになっているが、第1コモン電極21とは容量電極7を介して容量結合している。容量電極7は図1の斜線で示すように、先の開いたコの字状であり、第1コモン電極21と第2コモン電極22と平面的にはオーバーラップして形成されるが、コモン電極とは別の層に形成されているため、第1コモン電極21および第2コモン電極22とそれぞれ容量を形成する。
本実施例では容量電極7は信号配線6と同層で同一材料であるAlあるいはCu、または他の金属との積層膜を用いている。Alは遮光性であるから、画素電極10のスリット101とオーバーラップする部分はバックライトからの光の透過率を減少させる。バックライトからの光は主として画素電極10のスリット101を通過するからである。したがって、本実施例では容量電極7の配置を画素電極10のスリット101とスリット101の間の櫛歯電極102に沿わせている。このために、容量電極7の形状は先の開いたコの字状になっている。
図2において、第1コモン電極21と第2コモン電極22を覆って、ゲート絶縁膜4が形成される。ゲート絶縁膜4はSiNで形成され、膜厚は400nm程度である。ゲート絶縁膜4上に第1コモン電極21、第2コモン電極22と平面的にオーバーラップして容量電極7が形成される。容量電極7はフロート電位である。容量電極7と第1コモン電極21との間に容量Cb1が、容量電極7と第2コモン電極22との間に容量Cb2が形成される。ゲート絶縁膜4を形成するSiNは比誘電率が約7であり、容量Cb1、Cb2等の容量形成には都合がよい。
容量電極7は信号配線6と同層で形成される。すなわち、信号配線6と同一材料で同一フォトプロセスによって形成される。したがって、容量電極7が追加されても従来プロセスに対して追加工程が生ずるわけではない。容量電極7を覆って、層間絶縁膜8がSiNによって600nmの厚さに形成される。
層間絶縁膜8上には画素電極10が透明導電膜であるITOによって形成される。画素電極10は図1に示すように、外形は長方形であるが、内部にはスリット101と櫛歯電極102が形成されている。画素電極10を覆って、配向膜11がポリイミドによって、約100nmの厚さに形成される。配向膜11は液晶層12と接し、液晶分子121を特定の方向に配向させる役割をもつ。
液晶層12は下側配向膜11と上側配向膜11の間に挟持されている。上側配向膜11も下側配向膜11と同様の材料で同様の膜厚に形成される。上側配向膜11とカラーフィルタ基板13との間にはカラーフィルタ14が形成される。カラーフィルタは赤、緑、青の3色のカラーフィルタが用いられ、各カラーフィルタ間には図示していないブラックマトリクスが形成されてコントラストを向上させる。
液晶層12は下側配向膜11と上側配向膜11の間に挟持されている。上側配向膜11も下側配向膜11と同様の材料で同様の膜厚に形成される。上側配向膜11とカラーフィルタ基板13との間にはカラーフィルタ14が形成される。カラーフィルタは赤、緑、青の3色のカラーフィルタが用いられ、各カラーフィルタ間には図示していないブラックマトリクスが形成されてコントラストを向上させる。
図3は図1のB−B断面図であり、TFT近傍の断面構造を示す。ガラス基板上には走査電圧を供給するためのゲート配線3が形成されるが、TFTはこのゲート配線3上に形成される。そして、ゲート配線3がゲート電極を兼用する。なお、ゲート電極とTFT基板1との間に、基板からの不純物等を阻止するための、SiNあるいはSiO2等の下地膜を形成することもある。
ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜4が形成され、ゲート絶縁膜4上に半導体膜であるa−Si膜5が形成される。a−Si膜5のチャンネル部を挟んでソース電極52とドレイン電極51がAlあるいはCu、または他の金属との積層膜によって形成される。a−Si膜5とソース電極52、ドレイン電極51との接触部にはオーミックコンタクトを取るために、n+層が形成される。ソース電極52は信号配線6と一体で形成される。
ソース/ドレイン電極を覆って層間絶縁膜8がSiNによって形成される。層間絶縁膜8の厚さは例えば、600nmである。層間絶縁膜8の上に透明電極によって画素電極10が形成される。層間絶縁膜8にスルーホール9が形成され、このスルーホール9によって、ドレイン電極51と画素電極10が接続し、信号電圧が画素電極10に供給される。そしてゲート電極がゼロになってTFTがオフすると画素電極10は所定の電圧を保持することになる。
図4に第1コモン電極21、第2コモン電極22の平面図を示す。本実施例では第1コモン電極21のほうが第2コモン電極22よりも面積が大きい。第2コモン電極22は画素の中央付近に形成される。図5に容量電極7の形状を示す。容量電極7は画素電極10内の櫛歯電極102のパターンに沿って形成するために、外側に開いたコの字状となっている。図5の第1コモン電極21と第2コモン電極22の境界はこの容量電極7の形状に合わせたものである。第2コモン電極22は全体のコモン電極の面積の50%以下が望ましい。
図6に画素電極10と容量電極7が合わさった状態での平面図を示す。図6のA−A断面図が図7である。図7は図2の一部を取り出した形となっている。第1コモン電極21と容量電極7間の容量Cb1は第1コモン電極21と容量電極7のオーバーラップ量rp1によって決められ、第2コモン電極22と容量電極7間の容量Cb2は第2コモン電極22と容量電極7のオーバーラップ量rp2によって決められる。
本実施例では容量電極7は信号配線6と同一の材料である、AlあるいはCu、または他の金属との積層膜によって形成される。信号配線6と同一の材料であれば、信号配線6の形成と同一のプロセスで形成することが出来、製造コストの増加はない。ただし、この容量電極7の形成された部分は光が透過しないため、液晶表示パネルの透過率の低下を生ずる。本実施例では、容量電極7を画素電極10内の櫛歯電極102に沿わせるようにして容量電極7による透過率の低下を抑えている。バックライトからの光は主として画素電極10内に形成されたスリット101を通過するからである。
ただし、画素電極10は透明電極で形成されており、スリット101以外の画素電極10も画像形成のための透過光として寄与する。このような透過光も利用して、画面の輝度低下を避けたい場合は、容量電極7として透明電極、例えば、ITOを使用してもよい。この場合は、容量電極7を信号配線6と同一のプロセスで形成することは出来ず、別途のプロセスとなる。
図2において、画素電極10の櫛歯電極102上面からの電気力線は液晶層12に浸透してコモン電極2に向かう。第1コモン電極21にはコモン電位が印加され、第2コモン電極22はフロート電位となっている。液晶を動作させる第2コモン電極22の画素電位は、液晶を介した第2コモン電極22と画素電極10間の容量と、容量電極7を介した第2コモン電極22と第1コモン電極21の容量によって画素電極10の電位とコモン電位とが容量分割された電位となる。
この状況を示す画素部の透過回路を図8に示す。図8において、2本の信号線DnyとDny+1、および、2本のゲート配線Gnx−1とGnxによって囲まれた部分が画素である。走査線GnxにVg電圧が与えられて、走査線Gnxが選択されると、TFTを介して信号線Dnyから信号電圧が供給され、画素電位はVpxとなる。この画素電位Pxとコモン電極の電位Vcomとの電位差が液晶を駆動することになる。
信号線DnyおよびDny+1と画素電極との容量はそれぞれCds1およびCds2である。画素電極とコモン電極との間に液晶を介さずに形成される保持容量がCstである。コモン電極にはコモン配線Cstnを介してコモン電圧Vcomが供給される。Vcomは一般的にはアース電位である。
コモン電極は第1コモン電極21と第2コモン電極22とに分離されているが、第1コモン電極21と画素電極10との液晶を介した容量がClc1である。Clc1に印加されるVpxが第1コモン電極21上の液晶を駆動する電圧となる。第2コモン電極22と画素電極10との間に印加される電圧Vpx2は、画素電圧Vpxが画素電極10と液晶を介した第2コモン電極22との容量Clc2と、第2コモン電極22と容量電極7を介した第1コモン電極21との容量Cbnとによって、容量分割された電位となる。当然Vpx>Vpx2である。
したがって、同一画素内において、液晶を駆動する2つの電界が存在することになる。図2でいえば、画素中央付近の第2コモン電極22上の液晶に作用する電界Ecと、その両側に存在する第1コモン電極21上の液晶に作用する、より大きな電界Epが存在するということになる。したがって、画素を通過するバックライトからの光は、高い電界を受けた液晶の特性(高階調)とより低い電界を受けた液晶の特性の混合された特性を示すことになる。
従来例に示すような、IPS方式の液晶を高階調において視野角特性を改善したいという課題は本構成によって解決することができる。図9はこの改善例を示すものである。図9のaは正面から見たときのパネルの相対輝度と電圧の関係である。図9のbは正面に対し、左あるいは右70度の角度から見た相対輝度と電圧の関係である。特に、正面に対し、左あるいは右70度の角度から見た相対輝度と電圧の特性は、図27に示す従来の特性に比較して高階調側での輝度上昇がおさえられており、視角特性が改善されていることがわかる。
これは以下のような動作によるものである。すなわち、第1コモン電極21の領域の透過光は従来の特性をもつ。しかし、第2コモン電極22の透過領域はコモン電極の電圧が容量分圧効果で低下しており、電界が弱い。そのため、液晶分子は低電圧を印加したのと同じ特性をもち、液晶分子は水平に回転する成分のみか画像形成に寄与する。この効果が高階調の動作に加わることで、画素全体での液晶分子の立ち上がりはコモン電極の面積配分比に従い改善される。輝度も分配比によって影響をうけるので、分配比は輝度と視角特性を勘案して決めることになる。
高階調領域での視野角特性をどの程度改善するかの一つの方法は、コモン電極の分割方法である。すなわち、第2コモン電極22の面積を大きくすれば視野角特性をより改善することができる。しかし、第2コモン電極22の面積を大きくすると図9に示すように全体として輝度が低下する。したがって、液晶表示装置の用途によって第2コモン電極22の面積の割合を決め、輝度と視野角とのバランスをとることになる。
高階調領域での視野角特性をどの程度改善するかの他の方法は、容量電極7と第1コモン電極21との容量Cbn1、および容量電極7と第2コモン電極22との容量Cbn2の大きさによって制御することができる。すなわち、Cbn1またはCbn2が大きいほど第2コモン電極22の電位は第1コモン電極21の電位に近くなる。Cbn1またはCbn2の値は図7に示すように第1コモン電極21と容量電極7とのオーバーラップ量rp1およびrp2によって決めることができる。この場合、結合容量Cbn1、Cbn2を大きくすると第2コモン電極22の電位は第1コモン電極21の電位に近づくことになり、高階調における視野角の改善は限定的となるかわりに輝度の低下は少ない。一方、結合容量Cbn1、Cbn2を小さくすると第2コモン電極22の電位は第1コモン電極21の電位から離れることになり、高階調における視野角は大きく改善されるが、輝度の低下が生ずる。
以上述べた輝度と視野角の関係を決める2つの方法のいずれも従来のプロセスを変更することなしに実施することができる。すなわち、コモン電極の分割の割合を変える方法はコモン電極のマクスパターンを変更するだけで実施でき、プロセスを変更する必要はない。また、結合容量Cbn1、Cbn2を変える方法は容量電極7の幅を変えるだけであり、この場合も信号配線層のマスクパターを変えるだけで、プロセスを変更する必要はない。
本発明の第2の実施例を図10に示す。実施例2の特徴は容量電極7が単純なコの字形状であり、分割されたコモン電極も容量電極7の形状に沿うようにコの字状に分割されている。図10のA−A断面を図11に示す。コモン電極の分割状況を示す平面図を図12に、容量電極7の形状を示す平面図を図13に示す。また、図14はコモン電極と容量電極7が組み合わさった状態を示す平面図である。
本実施例では、画素電極10における櫛歯電極102と容量電極7とが沿った形とはなっていないため、画素電極10におけるスリット101と容量電極7とが重なる部分が生ずる。図10のA−A断面図である図11がこの様子を示している。容量電極7が信号配線6と同じ、金属で出来ている場合はバックライトからの光は容量電極7で遮蔽され、明るさをロスすることになる。ただし、これは一部の断面であり、全体としてはスリット101と容量電極7とのオーバーラップは大きくないため、明るさのロスは小さいものである。
しかし、本実施例では、容量電極7に透明電極であるITOを用いることによって、画素電極10のスリット101と容量電極7がオーバーラップした部分も画像形成に寄与させるものである。図11において、第2コモン電極22は結合容量Cbn1およびCbn2と、液晶を介した画素電極10と第2コモン電極22との容量によって分割された電位となる。一方容量電極7も同様に、第1コモン電極21と第2コモン電極22との中間の電位となる。
すなわち、中央付近の液晶分子121は、図2における第1コモン電極21上の電界Epとも、第2コモン電極22上の電界Ecとも異なった第3の電界Eccを受けることになる。本実施例においては、容量電極7は透明電極であるから、容量電極7上の液晶層12も画像形成に寄与する。従って、本実施例においては1画素内に3つの電圧―輝度特性を持つ領域が存在することになる。
容量電極が第3のコモン電極として働くことにより、画素電極との間で最も電圧が高くなるコモン電極の領域の面積が少なくなり、画素電極との間の電圧がそれよりも小さくなる領域、および、画素電極との間の電圧がさらに小さくなる領域の2つの領域が存在することになるので、視角特性はさらに改善される。
本実施例においては、容量電極7を透明電極とすることにより、容量電極7を液晶駆動のための電極として積極的に用いることができるので、液晶表示装置の明るさと視野角特性の設計に大きな自由度をもつことができる。
この1例を図15に示す。図15はコモン配線23と第1コモン電極21、容量電極7、第2コモン電極22が合わさった状態の平面図である。図15はコモン配線23のみが金属であり、他の電極はすべて透明電極であるITOで形成されている。第1コモン電極21のみにコモン配線23からコモン電圧が印加され、容量電極7、第2コモン電極は画素電極10との間で容量分割された電位となっている。電位は第1コモン電極21が一定のアース電位であり、容量電極7、第2コモン電極22の順に高くなり、各電極の電位に反比例して液晶分子121に作用する電界は小さくなる。図15に示す実施例では1画素内に電圧―輝度特性の異なる領域が3個存在することとなる。
ただし、容量電極7に透明電極であるITOを用いる場合は、容量電極7を信号配線と同時に形成することは出来ず、容量電極7用のITOは別途のフォト工程になる。
以上の実施例1および実施例2においては、コモン電極は2つに分割されているが、これに限る必要はなく3個以上に分割してもよい。本発明においては、コモン電極を3個以上の多数個に分解しても、コモン電極部のマスクおよび信号配線層のマスクを変えるだけで、プロセスを変更する必要はない。また、容量電極7を信号配線と同じ材料で形成すれば従来プロセスと全く同一のプロセスで本発明を実施することができる。
図16に本発明の第3の実施例の平面図を示す。図16のA−A断面図を図17に示す。実施例1および実施例2と異なるところは、コモン電極は分割せず、画素電極10が形成されている層間絶縁膜8の一部に凹部81を形成し、画素電極10の一部をこの凹部81に形成する。図16において、層間絶縁膜8に凹部81が形成されている部分は破線によって台形状に囲まれた部分である。図16のA−Aで断面図である図17に示すように、画素電極10の中央付近の櫛歯電極102が層間絶縁膜8の凹部81に形成されている。
層間絶縁膜8の凹部81に形成された櫛歯電極102は他の櫛歯電極102よりもコモン電極に近い。したがって、櫛歯電極102から液晶に作用する電気力線も強いものとなる。つまり、図17において、層間絶縁膜8の凹部81上方で液晶に作用する電界Ecはそれ以外の部分で液晶に作用する電界Epよりも強い。図17に示すように、層間絶縁膜8に凹部81を形成すれば、凹部81の部分で液晶層12も若干厚くなる。しかし、IPS方式では、液晶による光のスイッチングについては、TFT基板1の配向膜側の液晶の動作が支配的になるため、液晶層12が若干変動する問題は他の方式ほど顕著ではない。凹部81が形成された部分の領域の電圧―輝度特性は液晶に低電界が加わる領域となり、この領域においては他の領域とは印加電圧に対する液晶分子の立ち上がり特性が異なることになり、結果的に視角特性が改善される。
つまり、図16および図17のような構成をとった場合も1画素に異なる電圧―輝度特性を持つ領域が存在することになる。図16において、破線の台形で囲まれた部分の上に存在する液晶分子121にはそれ以外の領域の液晶分子121よりも大きな電界がかかることになる。本発明によれば、コモン電極を分割したり、容量電極7を設置したりしなくとも1画素に2つの液晶の電圧―輝度特性を持つ領域を形成することができる。
2つの領域の電圧―輝度特性をどの程度変えるかは層間絶縁膜8に形成された凹部81の深さをどの程度とするかによってきまる。層間絶縁膜8の膜厚は600nmであり、ゲート絶縁膜4の膜厚は400nmである。したがって、層間絶縁膜8に形成された凹部81の深さが100nm程度あれば電圧―輝度特性に対する効果が期待できる。
さらに顕著な効果を期待するならば、凹部81の深さをさらに深くすればよいが、理論的には層間絶縁膜8の厚さ程度まで深くすることが出来る。凹部81の深さを深くしても、凹部81の形成された領域では配線がオーバーラップしていないため、絶縁特性は問題にならない。実施例3の場合も凹部81を形成することによって、高階調における視野角特性を改善することができるが、同時に、凹部81が形成された部分では低輝度領域を使用することになるため、表示装置全体としての輝度特性は低下する。
実施例3においては、視野角の改善と輝度特性のバランスを層間絶縁膜8の凹部81の深さ、および凹部81の1画素内で占める面積の割合によって決めることができる。
ここで、層間絶縁膜8の凹部81を形成する例を図18から図21によって説明する。形成する膜は実際の層間絶縁膜8と同じ材料であるSiN膜であるとして説明する。図18において、SiN膜がガラス基板160上に形成されている。SiN膜上にレジスト150をコートする。このレジスト膜に対して露光マスク140を用いて露光し、露光マスク140のパターンに従ってレジストパターンを形成する。
露光マスク140のパターンには露光の光を完全に遮蔽する完全なパターン141と、露光の光を半透過する半透過パターン142とが形成されている。このような露光マスク140を用いると、図18に示すように、SiN膜161上に形成されるレジストパターンとして、レジストが完全に除去された部分152、レジストが完全に残っている部分150、レジストが薄く残っている部分151を形成することができる。
次に図19に示すように、SiN膜161のエッチング液を用いてレジストのない部分のSiN膜を除去する。その後、レジスト除去液によって薄く残ったレジスト部151を除去する。この状態でSiN膜161をエッチングによって除去するが、エッチング時間を調整することによって、図20に示すようにSiN膜161を完全に除去せずに、一部残す。その後レジストを除去することにより、図21に示すように膜厚の異なるSiN膜161を得ることができる。図18から図21で説明したプロセスをハーフ露光法と称する。
実際の製品においては、図3に示すように、画素電極10を形成する前に層間絶縁膜8であるSiN膜に対してスルーホール9を形成する。このスルーホール9はSiN膜を貫通する。このスルーホール9を形成すると同じプロセスにおいて図18から図21において説明したハーフ露光方法を用いることにより、図17に示す層間絶縁膜8の凹部81を形成することができる。凹部81の深さはエッチング条件によって制御することができる。
配向膜11の膜厚は100nmであり、層間絶縁膜8に凹部81が形成されると配向膜11表面の凹凸が問題になりうる。これに対しては配向膜11の形成方法を工夫することによって対処することができる。図22は配向膜11の形成方法を示す模式図である。図22において、画素電極まで形成されたTFT基板1のわずか上方に配向膜11をインクジェット法で形成するためのインラインノズル170が設置されている。このインラインノズル170には液状の配向膜材料をインクジェット法によって吹き付けるための複数のノズルがインライン状にとりつけられている。図22における斜線を施した矢印がインクジェット法によって射出される配向膜材料である。液状配向膜材料を複数のノズルから同時に吐出するとともに、TFT基板1上を走査することによりTFT基板1の全面に配向膜11を形成することができる。
このような配向膜11の形成方法であれば、液状配向膜はインクジェットによってTFT基板1に射突するため、層間絶縁膜8に形成された凹部81を容易に液状配向膜材料によって埋めることができる。液状配向膜がTFT基板1全面に形成されたあと、TFT基板1を揺動することにより、液状配向膜の表面を均一にする。その後ベーキングによって、配向膜材料を固化し、配向膜11を形成する。インクジェット法を用い、条件を適正化すれば、層間絶縁膜8に凹部81が形成された場合でも、配向膜表面を実用的な凹凸の範囲内に保つことができる。
本実施例によれば、電極パターン142等を変える必要はなく、すなわち、露光マスク140は従来のものを使用しつつ、ハーフ露光プロセスの条件を変えるだけで、1画素中に複数の電圧―輝度特性を有する領域を形成することが出来る。そして高階調における視野角特性と明るさの関係を設定することが出来る。
図23に本発明の第4の実施例を示す。図23に対応する平面図は図16と同じである。すなわち、図16のA−A断面図が図23に示す断面図である。しかし、破線で示された台形で囲まれた部分は層間絶縁膜8に形成された凹部81ではなくコモン電極の下に形成された下地膜15の凹部155である。
実施例1から実施例3においては、下地膜15は形成されていないが、本実施例ではSiNによって下地膜15を形成している。下地膜15の役割はガラスからの不純物が半導体、絶縁膜等に進入するのを防ぐストッパーの役割をもつ。下地膜15はSiNのほかにSiO2膜が使用される場合もあるし、SiN膜とSiO2膜の2層が使用されることもある。
本実施例では、下地膜15の膜厚を画素の中央部において、他の部分よりも薄くし、この上にコモン電極を形成する。下地膜15の薄い部分に形成されたコモン電極は下地膜15の他の部分に形成されたコモン電極よりも画素電極10との距離が大きい。したがって、下地膜15の薄い部分の上に存在する液晶分子121は他の部分の液晶分子121よりも弱い電界を受けることになる。これによって、1画素内に電圧―輝度特性の異なる2つの領域が形成されることになる。
本実施例の下地膜15の厚さは300nmであり、凹部155の深さは150nmである。本実施例ではゲート絶縁膜4が400nm程度、層間絶縁膜8が600nm程度であるので、下地膜15の凹部155が100nm程度の深さであれば、1画素中に、電圧―輝度特性の異なる領域を形成することは可能である。
図24の層間絶縁膜8は、下側は凹凸となっているが、上側は平坦になっている。層間絶縁膜8として有機膜を使用すれば、このような形状とすることは容易である。例えば、実施例3で説明したインクジェット法によって有機膜の層間絶縁膜8を形成すれば、下地に凹凸があっても上面は平坦な面とすることは容易である。
このような構成により、高階調領域における視野角の特性を改善することができる。高階調での視野角を改善すると輝度が若干低下することは実施例1から3と同様である。また、視野角の輝度のバランスは、下地膜15の厚い部分と薄い部分との膜厚差で変えることができる。また、下地膜15の薄い部分の面積を変えることによっても視野角と輝度のバランスを変えることができる。下地膜15の薄い部分を形成する方法は実施例3で述べたハーフ露光法を用いることによって実施することができる。
以上の実施例4の説明においては下地膜15の膜厚を変えることによって高階調における視野角特性を改善する構成を開示した。しかし、下地膜を必要としない製品においては、下地膜の薄い部分を形成する必要はない。この場合は図24に示すように、下地膜15は島状に形成し、下地膜15の存在しない部分と、下地膜15の存在する部分とで、画素電極10との距離を異ならしめればよい。すなわち、下地膜15の存在しない部分に対応する液晶分子121は、下地膜15の存在する部分に対応する液晶分子121よりも弱い電界を受けることになる。これによって1画素内に電圧―輝度特性の異なる2つの領域が形成されることになる。
このように、島状に下地膜15を形成するのであれば、ハーフ露光のような技術を用いる必要は無く、通常のフォト工程で形成することができる。
1…TFT基板、2…コモン電極、 3…ゲート配線、 4…ゲート絶縁膜、 5…a−Si膜、 6…信号配線、 7…容量電極、8…層間絶縁膜、 9…スルーホール、 10…画素電極、 11…配向膜、 12…液晶層、 13…カラーフィルタ基板、 14…カラーフィルタ、15…下地膜カラーフィルタ、 21…第1コモン電極、 22…第2コモン電極、 23…コモン配線、51…ドレイン電極、 52…ソース電極、 81…層間絶縁膜凹部、 101…スリット、102…櫛歯電極。
Claims (21)
- 第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、前記液晶に電界を作用させることによって画像を形成する液晶表示装置であって、前記第1の基板上には第1のコモン電極と第2のコモン電極が形成され、前記第1のコモン電極と前記第2のコモン電極を覆って第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜上には、前記第1のコモン電極と前記第2のコモン電極と平面的にオーバーラップして容量電極が形成され、前記容量電極を覆って第2の絶縁膜が形成され、前記第2の絶縁膜の上には画素電極が形成されており、前記第1のコモン電極には一定の電位が供給され、前記画素電極には画素信号が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
- 前記第1のコモン電極、前記第2のコモン電極、および前記画素電極は透明電極であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極は透明導電膜で形成され、外形が略々長方形であり、内側は櫛歯状電極とスリットが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極の両側で、前記第1の絶縁膜上に信号配線が形成され、前記容量電極は前記信号配線と同一の材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記容量電極は平面的には前記櫛歯電極に略々沿って形成されていることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記容量電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2のコモン電極は画素のほぼ中央付近に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、前記液晶に電界を作用させることによって画像を形成する液晶表示装置であって、前記第1の基板上にはコモン電極が形成され、前記コモン電極を覆って第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜上には、第2の絶縁膜が形成され、前記第2の絶縁膜上に画素電極が形成され、前記第2の絶縁膜には凹部が形成され、前記凹部には前記画素電極の一部が形成されており、前記コモン電極には一定の電位が供給され、前記画素電極には画素信号が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
- 前記コモン電極と前記画素電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極は透明導電膜で形成され、外形が略々長方形であり、内側は櫛歯状電極とスリットが形成されていることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜に形成された凹部の深さは100nm以上で600nmより小さいことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜はSiN膜であることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記層間絶縁膜の凹部に形成された前記画素電極と前記コモン電極との距離は前記層間絶縁膜の凹部以外に形成された前記画素電極と前記コモン電極との距離よりも小さいことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、前記液晶に電界を作用させることによって画像を形成する液晶表示装置であって、前記第1の基板上には下地膜が形成され、前記下地膜の上にはコモン電極が形成され、前記下地膜には凹部が形成され、前記コモン電極の一部は前記下地膜の凹部に形成されており、前記コモン電極を覆って第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜上には、第2の絶縁膜が形成され、前記第2の絶縁膜上に画素電極が形成され、前記コモン電極には一定の電位が供給され、前記画素電極には画素信号が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
- 前記コモン電極と前記画素電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極は透明導電膜で形成され、外形が略々長方形であり、内側は櫛歯状電極とスリットが形成されていることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
- 前記下地膜に形成された凹部の深さは100nm以上であることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜は有機材料であることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
- 前記下地膜の凹部に形成された前記コモン電極と前記画素電極との距離は、前記下地膜の凹部以外に形成された前記コモン電極と前記画素電極との距離よりも大きいことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
- 第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、前記液晶に電界を作用させることによって画像を形成する液晶表示装置であって、前記第1の基板上には下地膜が島状に形成され、コモン電極は前記島状の下地膜上と前記島状の下地膜が存在しない部分とにまたがって形成され、前記コモン電極を覆って第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜上には、第2の絶縁膜が形成され、前記第2の絶縁膜上に画素電極が形成され、前記コモン電極には一定の電位が供給され、前記画素電極には画素信号が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
- 前記画素電極と前記島状の下地膜上に形成された前記コモン電極との距離は、前記画素電極と前記島状の下地膜が存在しない部分に形成された前記コモン電極との距離よりも小さいことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006209634A JP2008039806A (ja) | 2006-08-01 | 2006-08-01 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006209634A JP2008039806A (ja) | 2006-08-01 | 2006-08-01 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008039806A true JP2008039806A (ja) | 2008-02-21 |
Family
ID=39174937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006209634A Pending JP2008039806A (ja) | 2006-08-01 | 2006-08-01 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008039806A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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