KR20160042256A - 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치 및 그의 제조방법 Download PDF

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정연학
윤홍민
남궁완
이호준
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Abstract

본 발명은 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치는 어레이 기판과 상기 어레이 기판과 결합하여 액정층을 수용하는 대향 기판을 포함하며, 상기 어레이 기판은 화소 영역(PA)이 정의된 제1 베이스 기판을 포함하며, 상기 제 1 베이스 기판 상에는 게이트 라인(GL)과 상기 게이트 라인(GL)가 동일층 상에 이격되어 있는 전압 인가 배선, 및 데이터 라인(DL)을 포함하고, 상기 화소 영역(PA)에는 상기 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)에 연결된 스위칭 소자(TR)을 포함하고, 상기 데이터 라인(DL) 상부에 차폐 전극 및 화소 전극을 포함하고, 상기 데이터 라인과 게이트 라인이 적어도 부분적으로 중첩되어 있는 구조이며, 이에 따라 블랙매트릭스 없이도 하부 백라이트에서 나오는 빛을 원천 차단하여 빛샘을 방지할 수 있으며, 투과율의 증가를 꾀할 수 있다.

Description

빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치 및 그의 제조방법{Liquid Crystal Display Device Preventing From Leakage Light and Method for Preparing the Same}
본 발명은 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 데이터 라인과 게이트 라인을 중첩시키는 구조를 통해 하부 백라이트에서 나오는 빛을 원천 차단시킬 수 있는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD)는 두 개의 기판 사이에 개재된 액정층에 전압을 인가하여 광의 투과율을 제어함으로써 화상을 표시한다.
최근 액정 표시 장치의 놀라운 발전은 TV 관련된 기술 분야에서도 적용되고 있으며, 이에 따라서 3D TV, OLED TV, 울트라 HD TV, 곡선(curved) TV, 가변형 곡선 TV 등 다양한 형태의 TV가 등장하고 있다.
그중에서도 곡선 TV는 다음과 같은 이점을 가지고 있다. 평면 TV를 보게 되면, 화면의 중심부와 가장자리 부근까지 거리가 동일하지 않아 화면이 왜곡되어 보이거나 모서리 부분의 인지도가 떨어지는 경우가 있는데, 그런데 곡선 TV의 경우 화면의 모든 부분에서 시야 거리가 같게 되어 화면 왜곡 현상 및 화면 인지도 감소 현상을 최소화할 수 있다.
그러나, 곡선 TV에 적용되는 액정 표시 장치는 패널의 휘어짐으로 단차에 의한 액정의 뒤틀림 현상이 일어나서 투과율이 저하될 수 있는 문제점을 가지고 있다.
상기 액정 표시 장치는 상기 액정층의 액정분자에 의해 차폐되지 않은 방향으로만 광이 투과되어 영상을 구현하기 때문에, 다른 표시장치들에 비해 상대적으로 시야각이 좁다. 이에 따라 광시야각을 실현하기 위하여 수직 배향(Vertically Aligned, VA) 구조의 액정 표시 장치가 개발되었다.
상기 VA 구조의 액정 표시 장치는 서로 수직 배향 처리된 2개의 기판들 간에 밀봉된 네거티브 타입의 유전율 이방성(Negative type dielectric constant anisotropy)을 갖는 액정층을 포함한다. 상기 액정층의 액정분자는 수직(homeotropic) 배향의 성질을 갖는다. 동작시, 두 기판들 사이에 전압이 인가되지 않으면 기판 표면에 대하여 대략 수직 방향으로 액정층이 정렬되어 블랙(black)을 표시하고, 소정의 전압이 인가되면 상기 기판 표면에 대략 수평 방향으로 액정층이 정렬되어 화이트(white)를 표시하며, 상기 화이트 표시를 위한 전압보다 작은 전압이 인가되면 상기 기판 표면에 대하여 액정층이 경사지게 배향되어 그레이(gray)를 표시한다.
이러한 액정 표시 장치는 시야각이 좁은 단점을 가진다. 이를 해결하기 위해 하나의 화소를 다중 도메인으로 나누어 구동하는 PVA(Patterned Vertical Alignment) 구조 및 SPVA(Super Patterned Vertical Alignment) 구조가 개발되었다. 상기 PVA 구조는 상판 및 하판에 형성된 공통 전극 및 화소 전극을 패턴하여 다중 도메인을 구현하는 기술이며, 상기 SPVA는 상기 PVA에서 한 단계 발전된 기술로서 하나의 화소를 다수의 서브 화소들로 나누고, 상기 서브 화소들의 화소 전압을 다르게 인가하는 기술이다.
상기 SPVA 구조의 일예로서, 커플링 커패시터를 이용해 상기 서브 화소들에 서로 다른 화소 전압을 인가하는 CC(Coupling Capacitor)-SPVA 구조가 있다.
기존 SPVA 구조는 도 2에 나타낸 바와 같이 패널 PVA 구조의 하나로 하판에 소스 및 드레인 전극(15)과 화소 전극(18) 사이에 유기막(16)을 증착하는 구조이며 RGB의 칼라필터(22)의 경우 상판에 증착한다. 게이트 배선이 있는 곳에 가로 블랙매트릭스를, 데이터 배선이 있는 곳에 세로 블랙매트릭스를 적용하여 빛샘 방지를 꾀하고 있다.
기존 SPVA 구조는 블랙매트릭스(BM) 및 차폐전극(shielding com, 17)을 이용하여 빛샘을 제어하는 방식을 사용하고 있으나 차폐전극(17) 전압과 공통전극(24) 전압 간의 전압 Δ 값이 커지거나 타격, 미스 얼라인(miss align) 등의 요인에 의하여 위와 같은 방식으로 빛샘이 발생 할 수 있으며, 또한 측면 빛샘에 취약하여 많은 구조적 문제점을 보이고 있다.
기존 SPVA 구조의 경우에는 도 2에서 보여지는 바와 같이 데이터 라인(15)과 게이트 라인(12) 간의 공간이 존재하여 빈공간을 통하여 발생하는 빛샘을 막아주기 위하여 블랙 매트릭스막을 상판에 배치하였고, 또한 상판 공통전극 전압(24)과 데이터 라인(15)간의 필드에 의한 빛샘 발생 가능성에 의하여 차폐 전극(18)을 넓게 배치 할 수 밖에 없었지만, 데이터 라인과 게이트 라인을 부분적으로 중첩시키는 구조를 통해 하부 백라이트에서 나오는 빛을 원천 차단하는 경우 빛샘을 방지할 수 있으며 또한 이러한 구조 적용 시 상기 차폐 전극 라인을 축소 시킬 수 있어 픽셀을 조금 더 안쪽으로 당겨 올 수 있고, 이에 따라 비투과부가 기존 대비 감소함으로 투과율 관점에서 유리할 수 있음을 밝혀 본 발명을 완성하였다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 액정 표시 장치에 있어서, 하부 백라이트에서 나오는 빛을 원천적으로 차단할 수 있어 빛샘 현상을 방지하고 투과율을 증가시킬 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 액정 표시 장치에 있어서, 하부 백라이트에서 나오는 빛을 원천적으로 차단할 수 있어 빛샘 현상을 방지하고 투과율을 증가시킬 수 있는 액정 표시 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은
어레이 기판과 상기 어레이 기판과 결합하여 액정층을 수용하는 대향 기판을 포함하는 액정 표시 장치에 있어서,
상기 어레이 기판은 화소 영역(PA)이 정의된 제1 베이스 기판을 포함하며, 상기 제1 베이스 기판 상에는 게이트 라인(GL)과 상기 게이트 라인(GL)과 교차하는 데이터 라인(DL)을 포함하고, 상기 화소 영역(PA)에는 상기 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)에 연결된 스위칭 소자(TR)을 포함하고, 상기 데이터 라인 상부에 차폐 전극 및 화소 전극을 포함하고,
여기서 상기 데이터 라인과 게이트 라인은 적어도 부분적으로 중첩되는 구조인 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치에 있어서, 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인이 중첩됨에 따라 이들 상부에 있는 차폐 전극의 크기는 상기 데이터 라인 폭보다 작게 축소되어진다.
또한, 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인 사이에 절연막을 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 데이터 라인과 상기 차폐 전극 사이에 유기막을 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치에 있어서, 상기 대향 기판에는 데이터 라인이 있는 곳에 세로 블랙매트리스를 포함하지 않은 것이 바람직하다.
상기 액정 표시 장치는 SPVA(Super Patterned Vertical Alignment) 모드 또는 SVA 모드를 갖는 것이 바람직하다.
상기 또 다른 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은
제1 베이스 기판 및 상기 제1 베이스 기판 상에 구비된 다수의 화소를 포함하는 어레이 기판을 형성하는 단계; 상기 제1 베이스 기판과 대향하는 제2 베이스 기판 및 상기 제2 베이스 기판 상에 구비되는 공통 전극을 포함하는 대향기판을 형성하는 단계; 및 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판과의 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 어레이 기판을 형성하는 단계는 화소 영역(PA)이 정의된 제1 베이스 기판 상에 게이트 라인(GL)과 상기 게이트 라인(GL)과 교차하는 데이터 라인(DL)을 형성하는 단계; 상기 화소 영역(PA)에는 상기 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)에 연결된 스위칭 소자(TR)을 형성하는 단계; 및 상기 데이터 라인(DL) 상부에 차폐 전극 및 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
여기서 상기 데이터 라인과 게이트 라인은 적어도 부분적으로 중첩되도록 데이터 라인 또는 게이트 라인 폭을 확대시켜 형성하는 것인 액정 표시 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조방법에 있어서, 상기 데이터 라인과 게이트 라인이 적어도 부분적으로 중첩되도록 게이트 라인 폭을 확대시키거나, 데이터 라인 폭을 확대시키거나 또는 데이터 라인과 게이트 라인 폭을 확대시킬 수 있다.
또한, 상기 데이터 라인과 게이트 라인이 적어도 부분적으로 중첩됨에 따라서 차폐 전극이 데이터 라인 보다 축소되어 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치는 우선적으로 게이트 라인과 데이타 라인을 적어도 부분적으로 중첩시켜 하부 백라이트에서 나오는 빛을 원천 차단하여 빛샘을 방지한다.
또한 이러한 구조 적용 시 차폐 전극 라인을 축소 시킬 수 있어 픽셀을 조금 더 안쪽으로 당겨 올 수 있으며 비투과부가 기존 대비 감소함으로 투과율 관점에 유리할 수 있다.
도 1은 일반적인 SPVA 모드를 갖는 액정 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 종래 액정 표시 장치에 따른 도 1의 액정 표시 장치에서 표시된 화살표 방향으로 자른 단면도이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 액정 표시 장치에서 표시된 화살표 방향으로 자른 단면도이다.
도 4a 내지 도 4e에는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조과정을 나타낸 공정도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 어레이 기판, 대향 기판 및 액정층의 단면도이다.
도 6은 종래 액정 표시 장치와 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 단면, 및 빛샘을 비교한 결과를 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 예시적인 구현예를 더욱 상세히 설명한다.
도 1은 일반적인 SPVA 모드를 갖는 액정 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 액정 표시 장치에서 화살표 방향으로 자른 단면을 나타낸 기존 SPVA 모드의 단면도이다. 도 3는 도 1의 액정 표시 장치를 화살표 방향으로 자른 단면을 나타낸 본 발명의 일실시예에 따른 SPVA 모드의 단면도이다.
도 1 및 도 3를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 어레이 기판(100)은 박막트랜지스터(TFT 소자)를 이용한 액티브 매트릭스 구동 방식으로 구동되는 소자 기판이다.
상기 대향 기판(200)은 R, G, B 컬러필터를 갖는 컬러필터 기판일 수 있다.
또한, 상기 액정 표시 장치에서 상기 어레이 기판(100)은 화소 전극을 갖고, 상기 대향 기판(200)은 공통 전극을 갖는다.
상기 어레이 기판(100)은 대략 직사각형 형상을 갖는다. 따라서 상기 어레이 기판(100)의 가로 방향을 x방향으로, 상기 어레이 기판(100)의 세로 방향을 y방향으로 각각 정의한다.
상기 어레이 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 게이트 전극을 포함하는 게이트 라인(GL, 120)들, 게이트 절연층(130), 액티브 패턴(140), 소스 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 라인(DL, 150)들, 유기막(160), 차폐 전극(170), 화소 전극(PE, 180)등을 포함한다.
상기 게이트 라인(120)들은 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 가로 방향(x)을 따라 연장될 수 있다. 상기 게이트 라인(GL)들은 서로 상기 가로 방향(x)과 다른 세로 방향(y)으로 평행하게 배열될 수 있다. 상기 세로 방향(y)은 예를 들어, 상기 가로 방향(x)과 수직한 방향일 수 있다. 상기 게이트 절연층(120)은 상기 게이트 라인들(GL)을 덮도록 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된다. 상기 데이터 라인들(DL)은 상기 게이트 절연층(120)상에 상기 세로 방향(y)을 따라 연장되고, 상기 가로 방향(x)으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 상기 데이터 라인들(DL)은 각각 상기 게이트 라인들(GL)과 교차하는 구조이다. 상기 어레이 기판(100)은 상기 게이트 라인들(GL)과 상기 데이터 라인들(DL)에 의해서 화소 영역(PS)이 구획되고, 상기 화소 영역(PS)에 상기 화소 전극(PE)이 형성될 수 있다.
스위칭 소자(TR)는 상기 게이트 라인(GL)과 연결된 게이트 전극(GE), 상기 게이트 전극(GE)과 대응되도록 상기 게이트 절연층(120) 상에 형성된 액티브 패턴, 상기 데이터 라인(DL)과 연결되고 상기 액티브 패턴과 중첩된 소스 전극, 상기 소스 전극과 이격되고 상기 액티브 패턴(AP)과 중첩된 드레인 전극을 포함할 수 있다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 절연층(120) 상에 순차적으로 형성된 반도체층 및 오믹 콘택층을 포함할 수 있다.
상기 유기막(160)은 상기 데이터 라인들, 상기 소스 및 드레인 전극을 덮도록 상기 게이트 절연층(120) 상에 형성될 수 있다.
도 4a 내지 도 4h는 도 3에서 설명된 어레이 기판(100)을 제조하는 방법을 설명하는 공정도들이다.
본 실시예에 따른 어레이 기판의 제조방법에서, 먼저, 유리질의 상기 제 1 베이스 기판(110) 상에 스퍼터링(sputtering) 등의 방법으로 게이트 금속, 예를 들어, 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo)과 같은 금속을 이용하여 소정의 두께로, 예를 들어 대략 1000 내지 3000 Å 두께로 증착하고, 식각 공정에 의해, 도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 라인들(120) 및 상기 게이트 라인으로부터 돌출된 게이트 전극을 형성한다. 게이트 라인들(120)은 제1 베이스 기판(110) 상에서 대략 가로 방향(x)으로 서로 나란하게 뻗어 있다. 상기 게이트 전극과 이격되어 동일층 상에 전압 인가(Vcst) 라인을 함께 형성한다.
이후, 도 4b에 도시된 것과 같이, 게이트 절연막(130) 및 액티브 패턴(140)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(130)은 상기 게이트 라인(120) 위에 절연물질, 예를 들어, 질화실리콘(SiNx)과 같은 물질을 소정의 두께, 예를 들어 약 3000 내지 5000 Å의 두께로 형성한다. 상기 게이트 절연막(130) 상에 반도체층용 물질, 예를 들어, 아몰퍼스실리콘(a-Si)층 또는 고농도로 n+로 도핑된 아몰퍼스실리콘(n+ a-Si)층을 소정의 두께로, 예를 들면 약 200 내지 500 Å 두께로 증착하고 식각하여 액티브 패턴(140)을 형성한다. 상기 액티브 패턴(140)은 상기 게이트 라인(120) 상의 게이트 절연막(130) 상에 형성된다.
계속해서, 도 4c에 도시된 것과 같이, 상기 액티브 패턴(140) 위에 데이터 금속, 예를 들어, 구리, 알루미늄, 몰리브덴 등과 같은 금속을 각각 소정의 두께로 증착하고 패터닝하여 상기 데이터 라인(150), 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다.
여기서, 상기 게이트 라인(120)과 상기 데이터 라인(150)은 그 폭을 기존보다 넓게 형성하여 이들이 적어도 부분적으로 중첩될 수 있도록 형성한다. 이때 게이트 라인의 폭을 기존보다 넓게 형성시키는 것이 바람직하지만, 데이터 라인의 폭을 기존보다 넓게 형성시킬 수도 있으며 또한 게이트 라인과 데이터 라인 모두의 폭을 기존보다 넓게 형성시킬 수도 있다. 중첩의 정도는 하부 백라이트에서 나오는 빛이 차단될 수 있는 한 제한은 없다. 이러한 구조의 적용에 따라 하부 백라이트에서 나오는 빛을 원천 차단하여 빛샘을 방지할 수 있다.
이는 종래 기술의 SPVA 구조를 나타낸 도 2와 비교되어질 수 있으며, 기존의 SPVA 구조의 경우, 백라이트로부터 빛이 게이트 라인(12a)과 데이터 라인(15)의 사이의 공간을 통해 새어나가고 있는 반면, 본 발명에 따른 게이트 라인(120)과 데이터 라인(150)이 중첩되는 경우에는 백라이트로부터 빛이 새어나감을 차단할 수 있다.
상기 반도체층과 상기 데이터 금속층을 단일 식각 공정으로 함께 식각한 경우, 상기 데이터 라인(150), 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극의 아래 및 상기 게이트 라인(120)의 상부의 상기 게이트 절연막(130) 위에 상기 액티브 패턴(140)이 형성되며, 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이의 액티브 패턴은 에치백 공정을 통해 채널층으로 형성된다.
상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막(130), 상기 액티브 패턴, 상기 소스 및 드레인 전극은 삼단자 소자인 스위칭 소자(TW)를 구성한다.
이후, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 데이터 라인(150)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110)을 덮는 유기막(160)을 형성한다. 상기 유기막(160)은 유기 투명 물질을 이용하여 소정의 두께로 형성될 수 있다. 상기 유기막(160)은 후술될 화소 전극(170)과 상기 데이터 라인(150)과의 기생용량을 감소시킨다.
계속해서, 도 4e에 도시된 것과 같이, 상기 유기막(160) 상에 상기 차폐 전극(170)을 형성한다. 상기 차폐 전극(170)은 상기 데이터 라인(150) 및 상기 게이트 라인(120)과 상기 화소 전극(180)과의 사이에 기생 용량의 형성을 차단한다. 상기 차폐 전극(170)은 다른 한편으로는 상기 화소 전극(180)과 스토리지 캐패시터를 형성하여 한 프레임 동안 상기 화소 전극(170)에 인가된 화소 전압을 유지시킨다.
상기 차폐 전극(170)은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐아연옥사이드(IZO)와 같은 투명한 전도성 물질로 소정의 두께, 예를 들면 약 800 내지 1200Å 두께로 상기 유기막(160) 상에 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다. 아울러, 동일층 상에 화소 전극(180)을 형성할 수 있다.
상기 게이트 라인(120)과 데이터 라인(150)이 서로 중첩된 구조 적용 시 차폐 전극(170) 라인을 기존보다 축소시킬 수 있어 화소 전극(180)을 조금 더 안쪽으로 당겨 올 수 있으며, 이에 따라 비투과부가 기존 대비 감소함에 따라 투과율이 유리해진다.
다시 도 3을 참조하면, 상기 대향 기판(200)은 제 2 베이스 기판(210), 칼라필터 패턴(220), 오버 코팅층(230), 공통 전극(240)을 포함할 수 있다.
상기 게이트 라인(120), 상기 데이터 라인(150) 및 상기 스위칭 소자에 대응하게 제2 베이스 기판(210)의 하면에 블랙매트릭스가 형성되어 있는 것이 일반적이다. 그러나, 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 서로 중첩된 구조 적용 시 상기 블랙매트릭스는 불필요하게 된다.
따라서 상기 화소 영역(PA)에 대응하는 상기 제2 베이스 기판(210)에는 컬러필터 패턴(220)이 형성된다. 컬러필터 패턴(220)은 예를 들어, 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터를 포함할 수 있다. 상기 적색 필터, 상기 녹색 필터 및 상기 청색 필터 순서로 상기 가로 방향으로 각 화소 영역(PA)에 배치될 수 있다.
오버 코팅층(230)은 컬러필터 패턴(220)을 덮고, 공통 전극(240)은 오버 코팅층(230) 상에 형성되어 있다.
이어서 공통 전극(190) 상에 상부 배향막을 추가로 형성시켜 액정층(300)을 수직 배향시킬 수 있다.
상기와 같이 제조된 상기 어레이 기판와 대향 기판을 합착하는 과정을 통해하는 액정 표시 장치가 제조된다.
상기 실시예는 SPVA 구조의 액정 표시 장치를 설명하였지만, 게이트 라인과 데이터 라인이 서로 중첩되는 구조는 SVA 구조에도 적용될 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 어레이 기판(100), 대향 기판(200) 및 액정층(300)을 포함하며, 상기 어레이 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 게이트 라인(120)들, 데이터 라인(150)들, 스위칭 소자, 컬러필터 패턴(220), 차폐 전극(170) 및 화소 전극(180)을 포함하고, 상기 대향 기판(200)은 제2 베이스 기판(210), 오버 코팅층(230), 공통 전극(240)을 포함하고 있다.
상기 어레이 기판(100)에서, 유리질의 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 스퍼터링(sputtering) 등의 방법으로 게이트 금속을 증착하고, 식각 공정에 의해, 상기 게이트 라인(120)들 및 상기 게이트 라인으로부터 돌출된 게이트 전극을 형성한다. 마찬가지로 게이트 전극과 이격되어 동일층 상에 전압 인가 배선(Vcst)를 함께 형성한다.
이후, 게이트 절연막(130) 및 액티브 패턴(140)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(130)은 상기 게이트 라인(120)들 위에 형성한다. 상기 게이트 절연막(130) 상에 반도체층을 증착하고 식각하여 액티브 패턴(140)을 형성한다. 상기 액티브 패턴(140)은 상기 게이트 라인(120) 상의 게이트 절연막(130) 상에 형성된다.
계속해서, 상기 게이트 절연막(130) 위에 데이터 금속을 증착하고 패터닝하여 상기 데이터 라인(150), 소스 및 드레인 전극을 형성한다.
여기서, 상기 게이트 라인(120)과 상기 데이터 라인(150)은 그 폭을 기존보다 넓게 형성하여 이들이 서로 중첩될 수 있도록 형성한다. 이러한 구조의 적용에 따라 하부 백라이트에서 나오는 빛을 원천 차단하여 빛샘을 방지한다. 이 경우에도 마찬가지로 게이트 라인의 폭을 기존보다 넓게 형성시키는 것이 바람직하지만, 데이터 라인의 폭을 기존보다 넓게 형성시킬 수도 있으며 또한 게이트 라인과 데이터 라인 모두의 폭을 기존보다 넓게 형성시킬 수도 있다.
상기 반도체층과 상기 데이터 금속층을 단일 식각 공정으로 함께 식각한 경우, 상기 데이터 라인(150), 상기 소스 및 드레인 전극의 아래 및 상기 게이트 라이인20)의 상부의 상기 게이트 절연막(130) 위에 상기 액티브 패턴(140)이 형성되며, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 액티브 패턴은 에치백 공정을 통해 채널층으로 형성된다.
상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막(130), 상기 액티브 패턴(140), 상기 소스 및 드레인 전극은 삼단자 소자인 스위칭 소자를 구성한다.
상기 데이터 라인(150)이 형성된 상기 제 1 베이스 기판(110)에 컬러필터 패턴(220)이 형성된다. 컬러필터 패턴(220)은 예를 들어, 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터를 포함할 수 있다. 상기 적색 필터, 상기 녹색 필터 및 상기 청색 필터 순서로 상기 가로 방향으로 각 화소 영역(PA)에 배치될 수 있다.
상기 컬러필터 패턴(220) 상에 상기 차폐 전극(170)을 형성한다. 상기 차폐 전극(170)은 상기 데이터 라인(150) 및 상기 게이트 라인(120)과 상기 화소 전극(170)과의 사이에 기생 용량의 형성을 차단한다. 상기 차폐 전극(170)은 다른 한편으로는 상기 화소 전극(180)과 스토리지 캐패시터를 형성하여 한 프레임 동안 상기 화소 전극(180)에 인가된 화소 전압을 유지시킨다.
상기 차폐 전극(170)은 투명한 전도성 물질로 컬러필터 패턴 상에 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다. 동일층 상에 화소 전극(180)이 형성되어진다.
상기 게이트 라인과 데이터 라인이 서로 중첩된 구조 적용 시 차폐 전극 배선을 축소시킬 수 있어 화소 전극(180)를 조금 더 안쪽으로 당겨 올 수 있으며, 이에 따라 비투과부가 기존 대비 감소함에 따라 투과율이 유리해진다.
상기 대향 기판(200)은 제2 베이스 기판(210), 오버 코팅층(230) 및 공통 전극(240)을 포함할 수 있다.
따라서 상기 화소 영역(PA)에 대응하는 상기 제2 베이스 기판에는 오버 코팅층(230)이 형성되고, 이어서 오버 코팅층(230) 상에 공통 전극(240)이 형성된다.
이어서, 공통 전극(240) 상에 상부 배향막이 형성되어 액정층(300)을 수직 배향시킬 수 있다
상기와 같이 제조된 상기 어레이 기판와 대향 기판을 합착하는 과정을 통해하는 액정표시장치가 제조된다.
도 6은 도 2에 나타낸 기존 SPVA 구조를 갖는 액정 표시 장치와 도 3에 나타낸 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 블랙 빛샘을 비교한 사진이다. 여기서, 빛샘 발생을 강하게 하기 위하여 차폐 전극 전압을 12V로 상승하여 블랙에서 빛샘 확인하였다. 사진에 따르면, 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 빛샘이 개선됨을 확인할 수 있었다.
한편, 본 발명은 SPVA 및 SVA 구조를 갖는 액정 표시 장치에 적용시켜 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, PVA 등 모든 다양한 화소 구조를 갖는 액정 표시 장치에 적용될 수 있다. 또한 CS/RD/TT 등 모든 구동 방식에서 사용이 가능하다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하여 설명하고 있지만, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 고안의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
100 : 어레이 기판
200 : 대향 기판
300 : 액정층
110 : 제 1 베이스 기판
120 : 게이트 라인
121 : 전압 인가 라인
130 : 절연막
140 : 액티브 패턴
150 : 데이터 라인
160 : 유기막
170 : 차폐 전극
180 : 화소 전극
210: 제 2 베이스 기판
220 : 컬러필터 패턴
230: 오버 코팅층
240: 공통 전극

Claims (12)

  1. 어레이 기판과 상기 어레이 기판과 결합하여 액정층을 수용하는 대향 기판을 포함하는 액정 표시 장치에 있어서,
    상기 어레이 기판은 화소 영역(PA)이 정의된 제1 베이스 기판을 포함하며, 상기 제 1 베이스 기판 상에는 게이트 라인(GL)과 상기 게이트 라인(GL)과 교차하는 데이터 라인(DL)을 포함하고, 상기 화소 영역(PA)에는 상기 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)에 연결된 스위칭 소자(TR)을 포함하고, 상기 데이터 라인(DL) 상부에 차폐 전극 및 화소 전극을 포함하고,
    상기 데이터 라인 및 게이트 라인이 적어도 부분적으로 중첩되어 있는 구조인 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인의 중첩에 따라 이들 상부에 있는 차폐 전극의 폭이 상기 데이터 라인 폭보다 좁은 것인 하는 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인 사이에 절연막을 더 포함하는 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 데이터 라인과 상기 차폐 전극 사이에 유기막을 더 포함하는 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 대향 기판에는 데이터 라인 있는 곳에 세로 블랙매트리스를 포함하지 않는 것인 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 액정 표시 장치는 SPVA(Super Patterned Vertical Alignment) 구조를 갖는 것인 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 액정 표시 장치는 SPA 구조를 갖는 것인 빛샘 현상이 방지된 액정 표시 장치.
  8. 제1 베이스 기판 및 상기 제1 베이스 기판 상에 구비된 다수의 화소를 포함하는 어레이 기판을 형성하는 단계;
    상기 제1 베이스 기판과 대향하는 제2 베이스 기판 및 상기 제2 베이스 기판 상에 구비되는 공통전극을 포함하는 대향 기판을 형성하는 단계; 및
    상기 어레이 기판과 상기 대향 기판과의 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 어레이 기판을 형성하는 단계는 제1 베이스 기판 상에 게이트 라인(GL)과 상기 게이트 라인(GL)과 교차하는 데이터 라인(DL)을 형성하고, 상기 화소 영역(PA)에는 상기 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)에 연결된 스위칭 소자(TR)를 형성하고, 상기 데이터 라인(DL) 상부에 차폐 전극 및 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    여기서, 상기 데이터 라인과 게이트 라인은 적어도 부분적으로 중첩되도록 데이터 라인 또는 게이트 라인 폭을 확대시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 데이터 라인과 게이트 라인이 적어도 부분적으로 중첩되도록 게이트 라인 폭이 확대되어 형성되는 것인 액정 표시 장치의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 데이터 라인과 게이트 라인이 적어도 부분적으로 중첩되도록 데이터 라인 폭이 확대되어 형성되는 것인 액정 표시 장치의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 데이터 라인과 게이트 라인이 적어도 부분적으로 중첩되도록 게이트 및 데이터 라인 폭이 확대되어 형성되는 것인 액정 표시 장치의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 데이터 라인과 게이트 라인이 적어도 부분적으로 중첩됨에 따라 차폐 전극이 데이터 라인 폭보다 적게 형성되는 것인 액정 표시 장치의 제조방법.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105549278B (zh) * 2016-01-11 2018-03-06 深圳市华星光电技术有限公司 Ips型tft‑lcd阵列基板的制作方法及ips型tft‑lcd阵列基板
CN105514032A (zh) * 2016-01-11 2016-04-20 深圳市华星光电技术有限公司 Ips型tft-lcd阵列基板的制作方法及ips型tft-lcd阵列基板
WO2018082003A1 (en) * 2016-11-04 2018-05-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, liquid crystal display panel and fabricating method thereof, and liquid crystal display apparatus
CN107272279A (zh) * 2017-07-07 2017-10-20 深圳市华星光电技术有限公司 像素结构及液晶显示面板
CN109375434A (zh) * 2018-12-15 2019-02-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素电极及阵列基板
CN112859459B (zh) * 2021-03-05 2022-12-06 Tcl华星光电技术有限公司 像素电极、阵列基板以及液晶显示器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100312753B1 (ko) * 1998-10-13 2002-04-06 윤종용 광시야각액정표시장치
US7855757B2 (en) * 2006-07-28 2010-12-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display, method of manufacturing the same, and method of repairing the same
KR101539354B1 (ko) * 2008-09-02 2015-07-29 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US9057917B2 (en) * 2010-04-02 2015-06-16 Samsung Display Co., Ltd. Pixel electrode panel, a liquid crystal display panel assembly and methods for manufacturing the same
KR20130032743A (ko) * 2011-09-23 2013-04-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20130050625A (ko) * 2011-11-08 2013-05-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조방법
KR101987320B1 (ko) * 2012-12-31 2019-06-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11054706B2 (en) 2018-09-28 2021-07-06 Samsung Display Co., Ltd. Display device

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