JP2010054553A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
来例の液晶表示装置よりも増大化させることができ、フリッカやクロストーク等が生じ難
い液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置10Aは、画素領域毎に形成された補助容量下電極1
5、補助容量上電極(ドレイン電極D)及び画素電極16と、を備え、補助容量上電極の
表面にはパッシベーション膜18及び層間膜19が形成され、画素電極16は層間膜19
の表面に形成されており、画素電極16は、平面視で補助容量下電極15と重畳しかつ補
助容量上電極とは重畳しない領域を有し、層間膜19には、画素電極16が平面視で補助
容量上電極と重畳しない領域に開口部19aが形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図4
Description
を維持したまま、補助容量を従来例の液晶表示装置よりも増大化させることができ、フリ
ッカやクロストーク等が生じ難い液晶表示装置に関する。
るため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示装置は、配向膜に対し
てラビング処理することにより所定方向に整列した液晶分子の向きを電界により変えて、
光の透過量ないし反射量を変化させて画像を表示させるものである。
)モード、MVA(Multi-domain Vertical Alignment)モード等の縦電界方式のものが
多く採用されており、特に近年では広視野角特性を備えておりながら高開口率であるため
に、VAモードないしMVAモードの液晶表示装置が多く採用されるようになっている。
このうち、従来のTNモードの液晶表示装置の一般的な構成を図9〜図13を用いて説明
する。
のX−X線の断面図であるある。図11は図9のカラーフィルタ基板を省略して表したXI
−XI線の断面図である。図12は図9に示す液晶表示装置の1サブ画素部分の模式的な等
価回路図である。図13は図9に示す液晶表示装置の1サブ画素の各部分の電圧波形を示
す図である。
基板CF間に液晶LCを封入した構成を備えている。アレイ基板ARは第1の透明基板1
1を有し、この第1の透明基板11上には複数本の走査線12及び信号線13がゲート絶
縁膜14を挟んでマトリクス状に形成されている。また、走査線12及び信号線13で囲
まれた領域毎に補助容量下電極15及び画素電極16が設けられており、この画素電極1
6は図12においては等価的に液晶容量CLCで表わされている。通常、液晶容量CLC
には補助容量下電極15により形成された補助容量Csが並列に接続されている。液晶容
量CLCの一端は駆動用スイッチング素子としての薄膜トランジスタTFT(Thin Film
Transistor)に接続されているとともに、他端は第2の透明基板21の表面にカラーフィ
ルタ層22を介して設けられた対向電極23に接続されて所定のコモン電位Vcが印加さ
れている。
FTのドレイン電極Dはコンタクトホール17を経て液晶容量CLCの一端、すなわち画
素電極16に接続されている。さらに、TFTのゲート電極Gは走査線12に接続されて
所定の電圧を有するゲートパルスVgが印加されるようになされている。なお、ここに示
した液晶表示装置50においては、各TFT、走査線12及び信号線13を覆うように、
第1の透明基板11の表面全体にパッシベーション膜18を介して層間膜19が平坦に所
定高さとなるように設けられている。画素電極16は、所定高さの層間膜19の表面に設
けられてセルギャップが一定に保たれているとともに、コンタクトホール17を介してT
FTのドレイン電極Dに接続されている。また、画素電極16と対向電極23との間には
液晶LCが封入されている。
が形成される。この結合容量は画素電極16と走査線12との間の浮遊容量成分CSDと
TFT内部のゲート領域とドレイン領域との間の寄生容量成分CGDが合わさったもので
あり、後者の寄生容量成分CGDが支配的であるとともにその値は個々のTFTによって
かなりのばらつきが存在している。
いては、対向電極23に印加されるコモン電位Vcは周期的に反転されており、それに伴
って信号線13に印加される画像信号Vsも周期的に反転するバイアス電圧が重畳されて
いる。まず、所定のサブ画素の選択期間中にゲートパルスVgがゲート電極Gに印加され
ると、このサブ画素のTFTはオン状態になる。この時、信号線13から供給された画像
信号VsがTFTを介して画素電極16に書き込まれて、いわゆるサンプリングが行なわ
れる。次にこのサブ画素が非選択期間になると、ゲートパルスVgの印加が停止されてロ
ーレベルゲート電圧が印加され、TFTはオフ状態となるが、書き込まれた画像信号は液
晶容量CLCに保持されている。
ーレベルに急激に立ち下がるので、このとき前述した結合容量を介してカップリングによ
り液晶容量CLCに蓄えられた電荷が瞬間的に放電する。このため、画素電極16に書き
込まれた画像信号Vsに電圧シフトΔV(図示せず)が生じてしまう。したがって、液晶
表示装置50の個々のサブ画素ごとに結合容量の値にばらつきがあるため、前記電圧シフ
トΔVにもばらつきが生じるので、結果として液晶表示装置50の表示画面を周期的に変
化させ、いわゆるフリッカ及び残像を生じて表示品位を著しく劣化させてしまう。
続されている補助容量Csを大きめに形成するという対策が講じられていた。すなわち結
合容量を介して放電される電荷量を補うに足る電荷を予め補助容量Csに蓄えるものであ
る。そして、この補助容量Csは、他の電極から独立した補助容量下電極15を補助容量
上電極となる画素電極16に電気的に接続されたTFTのドレイン電極Dに平面視で重畳
して配置し、その補助容量下電極15に対向電極23と共通の電圧を与えるいわゆるCs
on Common方式の蓄積容量型のものが多く使用されている。
/配線間の寄生容量によるクロストークが発生しやすいので、大きな補助容量Csが要求
されるようになっている。このような大きな補助容量を確保する目的で、下記特許文献1
(特開平5−265035号公報)には、第1の補助容量電極と画素電極とを重畳させ、
補助容量線と接続された第2の補助容量電極を第1の補助容量電極と重畳配置させた液晶
表示装置の発明が開示されている。また、下記特許文献2(特開平5−265036号公
報)には、補助容量電極と補助容量線とを異なる層に独立かつ重畳させて形成し、画素電
極と補助容量線間で第1の補助容量を形成すると共に、補助容量電極と補助容量線との間
で第2の補助容量を形成した液晶表示装置の発明が開示されている。
に形成されており、この寸法を大きく設定すると画素の開口率が犠牲になるため、十分な
表示コントラストを得ることができなくなると共に透過率(輝度)も確保できなくなる。
特に、携帯機器用の小型の液晶表示装置の高精細化に伴って、画素電極以外の信号線ない
し走査線の占める割合も増えているため、補助容量Csの増大化に伴う画素の開口率低下
の問題点は顕著に現れてくる。
下電極の形成面積を増大させずに開口率を維持したまま、補助容量を従来例の液晶表示装
置よりも増大化させることができ、開口率が大きく、しかも、フリッカやクロストーク等
が生じ難い液晶表示装置を提供することを目的とする。
透明基板上に第1絶縁膜を挟んでマトリクス状に配置された複数の信号線及び走査線と
、
前記信号線及び走査線により区画されるそれぞれの画素領域毎に形成された補助容量下
電極、補助容量上電極及び画素電極と、
を備え、
前記補助容量上電極の表面には第2絶縁膜及び透明樹脂層が形成され、
前記画素電極は前記透明樹脂層の表面に形成されている液晶表示装置において、
前記画素電極は、平面視で前記補助容量下電極と重畳しかつ前記補助容量上電極とは重
畳しない領域を有し、前記透明樹脂層には、前記画素電極が平面視で前記補助容量上電極
と重畳しない領域に開口部が形成されていることを特徴とする。
補助容量上電極とは重畳しない領域を有し、透明樹脂層には、前記画素電極が平面視で前
記補助容量上電極と重畳しない領域に開口部が形成されている。すなわち、画素電極は、
平面視で補助容量上電極と重畳する位置では第2絶縁膜及び透明樹脂層を介して補助容量
上電極と対向しているが、平面視で補助容量上電極と重畳しない位置では第2絶縁膜及び
第1絶縁膜とを介して補助容量下電極と対向している。そうすると、本発明の液晶表示装
置では、平面視で補助容量上電極と重畳しない位置では第2絶縁膜及び第1絶縁膜とを介
して画素電極と補助容量下電極との間に新たな補助容量が形成されることになる。この新
たに形成された補助容量は、第1絶縁膜及び第2絶縁膜の厚さが薄いため、透明樹脂層を
介して補助容量下電極と画素電極とが対向している場合と比すると、非常に大きくなる。
そのため、本発明の液晶表示装置によれば、補助容量下電極の形成面積を増大させなくて
も補助容量を従来例の液晶表示装置の場合よりも大幅に増大化させることができ、開口率
が大きく、しかも、フリッカやクロストーク等が生じ難い液晶表示装置となる。なお、透
明樹脂層の開口部の幅は、製造しやすくするために10μm程度とすることが好ましい。
容量上電極と平面視で重畳している領域も開口部が形成されていることが好ましい。
すると、画素電極が平面視で補助容量上電極と重畳しない領域に形成した開口部と結合し
て1つの大きな開口部となし得る。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、高精細化
されているためにサブ画素の面積が小さくても、開口部の大きさが大きいために、フォト
リソグラフィー法による開口部形成用マスクの位置ずれの許容度も大きくなり、開口部の
形成が容易となる。
画素電極の表面は透明樹脂層で埋められていることが好ましい。
樹脂層に形成された開口部の表面を平坦化することができる。そのため、本発明の液晶表
示パネルによれば、サブ画素全体に亘ってセルギャップが均一となるので、表示画質がよ
り良好な液晶表示装置となる。
の前記画素電極の表面又は下面には反射板が形成されているものとすることができる。
表面又は下面に反射板を形成すると、この部分を反射型として作動させることができるか
ら、上述の効果を奏する半透過型液晶表示装置が得られる。
、以下に示す実施形態は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するもので
はなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行っ
たものにも均しく適用し得るものである。なお、この明細書における説明のために用いら
れた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各
層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示され
ているものではない。
分の平面図である。図2は図1のII−II線の断面図である。図3はカラーフィルタ基板を
省略して表した図1のIII−III線の断面図である。図4は第1実施形態の変形例の液晶表
示装置における図3に対応する断面図である。図5は第2実施形態の液晶表示装置のカラ
ーフィルタ基板を透視して表した1サブ画素分の平面図である。図6は図5のVI−VI線の
断面図である。図7は図5のカラーフィルタ基板を省略して表したVII−VII線の断面図で
ある。図8は第2実施形態の変形例の液晶表示装置における図7に対応する断面図である
。
第1実施液体の液晶表示装置10Aを図1〜図3を用いて説明する。なお、図1〜図3
においては図9〜図11に示した従来例の液晶表示装置50と同一構成部分には同一の参
照符号を付与して説明する。この液晶表示装置10Aのアレイ基板ARは、透明な絶縁性
を有するガラス等からなる第1の透明基板11上に、アルミニウムやモリブデン等の金属
からなる複数の走査線12が等間隔で平行に形成されており、また、隣り合う走査線12
間の略中央には補助容量線15aが平行して形成されており、各画素の形成予定位置の補
助容量線15aは幅広に形成されて補助容量下電極15となっている。なお、走査線12
は、TFTのゲート電極Gの形成予定位置が部分的に幅広に形成されている。
窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなるゲート絶縁膜14が積層されている。このゲート絶縁
膜が本発明の第1絶縁膜に対応する。そして、ゲート電極Gの形成予定位置のゲート絶縁
膜14上には非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層20が形成されてい
る。また、ゲート絶縁膜14上にはアルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の信
号線13が走査線12と交差するようにして形成されており、この信号線13からはTF
Tのソース電極Sが延設され、このソース電極Sは半導体層20の表面と部分的に接触し
ている。
ゲート絶縁膜14上に設けられており、このドレイン電極Dはソース電極Sと近接配置さ
れて半導体層20と部分的に接触している。また、ドレイン電極Dは、ゲート絶縁膜14
の表面を補助容量下電極15を部分的に被覆するように、図1及び図2においては補助容
量下電極15の信号線13側の両端部が露出するように、延在されている。この場合、ド
レイン電極Dと補助容量下電極15の平面視における重畳部分によって各サブ画素の補助
容量を形成することになる。この補助容量下電極15を部分的に被覆しているドレイン電
極Dの部分が本発明の補助容量上電極に相当する。また、走査線12と信号線13とに囲
まれた領域が1サブ画素領域に相当する。そしてゲート電極G、ゲート絶縁膜14、半導
体層20、ソース電極S、ドレイン電極Dによってスイッチング素子となるTFTが構成
され、それぞれのサブ画素にこのTFTが形成されている。
化ケイ素や酸化ケイ素等からなるパッシベーション膜18が積層され、パッシベーション
膜18の表面はフォトレジスト等の透明樹脂材料からなり表面が平坦となされた層間膜1
9が積層されている。このパッシベーション膜18が本発明の第2絶縁膜に対応する。層
間膜19には、サブ画素毎に補助容量下電極15が存在する位置において、信号線13側
の両端部に沿ってパッシベーション膜18が露出するように、幅10μm程度のスリット
状の開口19aが形成されている。また、パッシベーション膜18と層間膜19には、T
FTのドレイン電極Dに対応する位置にコンタクトホール17が形成されている。
面及び層間膜19の開口19aの内面を被覆するようにITO(Indium Thin Oxide)な
いしIZO(Indium Zinc Oxide)等の透明導電性材料からなる画素電極16が形成され
ている。更に、画素電極16の表面には全ての画素を覆うように配向膜24が積層されて
いる。
基板21の表示領域上に、それぞれの画素に対応して形成される例えば赤色(R)、緑色
(G)、青色(B)のうち何れか一色からなるストライプ状のカラーフィルタ層22が設
けられている。また、カラーフィルタ層22の表面には、カラーフィルタ基板CFの全面
に亘って対向電極23が積層され、更に、対向電極23の表面には配向膜25が積層され
ている。なお、カラーフィルタ層22と対向電極23との間に透明樹脂層からなるトップ
コート層を形成してもよい。
せ、両基板の周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電
異方性を有する液晶LCを充填することにより第1実施形態に係るVA方式の液晶表示装
置10Aとなる。なお、アレイ基板ARの下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡
散シート等を有するバックライト装置が配置されている。
量下電極15と重畳しかつ補助容量下電極15の信号線13に沿った両側に補助容量上電
極を形成するドレイン電極Dとは重畳しない領域を有している。しかも、層間膜19は、
補助容量下電極15の信号線13に沿った両側のドレイン電極Dとは重畳しない領域に、
開口部19aが形成されている。そのため、画素電極16は、平面視でドレイン電極Dと
重畳する位置ではパッシベーション膜18及び層間膜19を介してドレイン電極Dと対向
配置しているが、平面視で補助容量下電極15の信号線13に沿った両側のドレイン電極
Dとは重畳しない領域では、ゲート絶縁膜14及びパッシベーション膜18を介して補助
容量下電極15と対向配置していることになる。
沿った両側では、画素電極16と補助容量下電極15とがゲート絶縁膜14及びパッシベ
ーション膜18を介して対向配置されていることになる。ゲート絶縁膜14及びパッシベ
ーション膜18の厚さは、共に1000Å〜数1000Å程度であり、層間膜19の厚さ
は1μm〜数μm程度であるから、層間膜19の厚さに比すると非常に薄く形成されてい
る。そのため、ドレイン電極Dの信号線13に沿った両側では、ゲート絶縁膜14及びパ
ッシベーション膜18を介して画素電極16と補助容量下電極15とが対向配置されてい
る箇所に、新たな補助容量Cad1が形成されることになる。この新たに形成された補助
容量Cad1は、ゲート絶縁膜14及びパッシベーション膜18の厚さが薄いため、層間
膜19を介して画素電極16と補助容量下電極15とが対向している場合の補助容量Ca
d2(図11参照)と比すると、非常に大きくなる。そのため、第1実施形態の液晶表示
装置10Aによれば、補助容量下電極15の形成面積を増大させなくても補助容量を上述
した従来例の液晶表示装置50(図10〜12参照)の場合よりも大幅に増大化させるこ
とができるので、フリッカやクロストーク等が生じ難い液晶表示装置10Aが得られる。
、補助容量下電極15が形成されている側の画素電極16の表面又は下面にアルミニウム
金属等からなる反射板を形成すると半透過型液晶表示装置とすることができる。このよう
な半透過型液晶表示装置とする場合、ドレイン電極D上の層間膜19の表面に微細な凹凸
形状を形成すると、反射板により反射された外光は拡散反射光となり、白色表示時にペー
パーホワイト状を呈するので好ましい。
に倣って大きく窪んでいる。そのため、層間膜19の開口19a内では層間膜19が平坦
な部分に比すると大きくセルギャップが大きくなっており、1サブ画素内にセルギャップ
が相違する箇所が生じていることになる。このような層間膜19の開口19a内と層間膜
19が平坦な部分との間のセルギャップの差異は、透過型液晶表示装置の場合ないし半透
過型液晶表示装置の透過表示の場合は、層間膜19の開口19aが形成されている部分は
画像表示に使用されないために、層間膜19の開口19a内と層間膜19との境界部分で
液晶分子の配向の乱れが生じる以外、あまり影響はない。しかしながら、半透過型液晶表
示装置の反射表示の場合、1サブ画素の反射部内にセルギャップが相違する箇所が生じて
いるので表示画質に大きな影響を与える。
。なお、図4は第1実施形態の液晶表示装置10Aの図3に対応する断面図であり、その
他の構成は、層間膜19の開口19aが透明樹脂材料26で被覆されてその表面に配向膜
24が形成されている以外は図1〜図3に示した第1実施形態の液晶表示装置10Aの構
成と同一であるので、図示省略する。この第1実施形態の変形例の液晶表示装置10Bは
、第1実施形態の液晶表示装置10Aの開口19a内に形成されている画素電極16の表
面を透明樹脂材料26で埋めて全てのサブ画素の表面が平らになるようにした後、配向膜
24を形成したものである。この第1実施形態の変形例の液晶表示装置10Bによれば、
上述のような1サブ画素内にセルギャップの相違は生じないので、良好な表示画質の液晶
表示装置10Bが得られる。なお、第1実施形態の変形例の液晶表示装置10Bとしては
透過型液晶表示装置の例を示したが、半透過型液晶表示装置とするには補助容量下電極1
5が形成されている側の画素電極16の表面又は下面にアルミニウム金属等からなる反射
板を形成すればよい。
第2実施形態の液晶表示装置10Cを図5〜図7を用いて説明する。なお、図5〜図7
においては、第1実施形態の液晶表示装置10Aと構成が同一の箇所には同一の参照符号
を付与してその詳細な説明は省略する。第2実施形態の液晶表示装置10Cが第1実施形
態の液晶表示装置10Aと構成が相違する点は、補助容量下電極15の上部に位置する層
間膜に形成する開口部が、第1実施形態の液晶表示装置10Aでは信号線13側の両端部
に沿って形成された幅10μm程度のスリット状の開口部19aであるのに対し、第2実
施形態の液晶表示装置10Bでは補助容量下電極15の上部の実質的に全てを取り除いた
方形状の開口部19bである点である。このような形状の開口とすると、開口部19bの
大きさが大きいために、フォトリソグラフィー法による開口部形成用マスクの位置ずれの
許容度も大きくなり、開口部19bの形成が容易となる。
16は、層間膜19の開口19bの形状に倣って大きく窪んでいるので、1サブ画素内に
セルギャップが相違する箇所が生じていることになる。第2実施形態の液晶表示装置10
Cにおける層間膜19の開口19b内と層間膜19が平坦な部分との間のセルギャップの
差異は、半透過型液晶表示装置の反射表示の場合であっても、反射部内のセルギャップは
実質的に同一となるので、第1実施形態の液晶表示装置10Aの場合よりは表示画質に与
える影響は少ない。しかしながら、第1実施形態の変形例のように、開口19b内に形成
されている画素電極16の表面を透明樹脂材料26で埋めて全てのサブ画素の表面が平ら
になるようにすると、全てのサブ画素のセルギャップを等しくできるため、より良好な表
示画質雄液晶表示装置となる。
。なお、図8は第2実施形態の液晶表示装置10Cの図7に対応する断面図であり、その
他の構成は、層間膜19の開口19bが透明樹脂材料26で被覆されてその表面に配向膜
24が形成されている以外は図5〜図7に示した第2実施形態の液晶表示装置10Cの構
成と同一であるので、図示省略する。この第2実施形態の変形例の液晶表示装置10Dは
、第2実施形態の液晶表示装置10Cの開口19b内に形成されている画素電極16の表
面を透明樹脂材料26で埋めて全てのサブ画素の表面が平らになるようにした後、配向膜
24を形成したものである。
にセルギャップの相違は生じないので、良好な表示画質の液晶表示装置10Dが得られる
。なお、第2実施形態の液晶表示装置10C及び第2実施形態の変形例の液晶表示装置1
0Dとしては、透過型液晶表示装置の例を示したが、半透過型液晶表示装置とするには、
それぞれ補助容量下電極15が形成されている側の画素電極16の表面又は下面にアルミ
ニウム金属等からなる反射板を形成すればよい。
が、VAモード、MVAモード、更には、高速応答性に優れるOCB(Optically Compen
sated Bend)モード等の縦電界方式の液晶表示装置に対しても等しく適用可能である。
14:ゲート絶縁膜 15:補助容量下電極 15a:補助容量線 16:画素電極 1
7:コンタクトホール 18:パッシベーション膜 19:層間膜 19a、19b:開
口部 20:半導体層 21:第2の透明基板 22:カラーフィルタ層 23:対向電
極 24、25:配向膜 26:透明樹脂材料 AR:アレイ基板 CF:カラーフィル
タ基板 LC:液晶
Claims (4)
- 透明基板上に第1絶縁膜を挟んでマトリクス状に配置された複数の信号線及び走査線と
、
前記信号線及び走査線により区画されるそれぞれの画素領域毎に形成された補助容量下
電極、補助容量上電極及び画素電極と、
を備え、
前記補助容量上電極の表面には第2絶縁膜及び透明樹脂層が形成され、
前記画素電極は前記透明樹脂層の表面に形成されている液晶表示装置において、
前記画素電極は、平面視で前記補助容量下電極と重畳しかつ前記補助容量上電極とは重
畳しない領域を有し、前記透明樹脂層には、前記画素電極が平面視で前記補助容量上電極
と重畳しない領域に開口部が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記透明樹脂層は、前記画素電極が前記補助容量上電極と平面視で重畳している領域も
開口部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記透明樹脂層の開口部内に形成されている画素電極の表面は透明樹脂層で埋められて
いることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。 - 前記補助容量下電極と平面視で重畳する領域の前記画素電極の表面又は下面には反射板
が形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の液晶表示装置。
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JP2012037855A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-23 | Chi Mei Electronics Corp | 液晶ディスプレイ装置及びこれを有する電子機器 |
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-
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- 2008-08-26 JP JP2008216273A patent/JP5213587B2/ja active Active
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