JPH09304793A - アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法、ならびに液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法、ならびに液晶表示装置Info
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Abstract
く、層間絶縁膜のコンタクトホール部における液晶分子
の配向乱れや光抜けを防ぐ。 【解決手段】 TFT、ゲート信号線20とおよびソー
ス信号線70(7a8a)の上部に層間絶縁9が形成さ
れている。層間絶縁膜9上に形成された絵素電極11
は、層間絶縁膜9を貫くコンタクトホール10を介して
TFT23のドレイン電極6bと接続されている。絵素
電極11上には、コンタクトホール10部の凹部を埋め
込むように埋め込み部18が形成されている。
Description
ンジスタ(以下、TFTと称する)等のスイッチング素
子を備えたアクティブマトリクス基板およびそのアクテ
ィブマトリクス基板を有して成る液晶表示装置に関す
る。
媒体を挟むようにアクティブマトリクス基板と対向基板
とが対向配設されている。図5に、スイッチング素子を
用いたアクティブマトリクス基板の構成の一例を示す。
チング素子であるTFT23および絵素容量22がマト
リクス状に形成されている。TFT23を制御する走査
線としてのゲート信号線24は、TFT23のゲート電
極に接続され、そこに入力される信号によってTFT2
3が駆動される。TFT23にデータ信号を供給する信
号線としてのソース信号線26は、TFT23のソース
電極に接続され、そこからビデオ信号などが入力され
る。各ゲート信号線24とソース信号線26とは、互い
に交差するように形成されている。TFT23のドレイ
ン電極には絵素電極および絵素容量22の一方の端子が
接続されている。各絵素容量22の他方の端子は絵素容
量配線25に接続されている。この絵素容量配線25
は、液晶表示装置を構成した場合に、対向基板上の対向
電極と接続される。
基板を用いた従来の液晶表示装置の平面図である。ま
た、図7(A)は図6のE−E’断面図であり、図7
(B)は図6のF−F’断面図である。
トリクス基板は、透明絶縁性基板1上にゲート電極2が
形成され、その上を覆ってゲート絶縁膜3が形成されて
いる。その上にはゲート電極2と重畳するように半導体
層4が形成され、その中央部上にチャネル保護層5が形
成されている。チャネル保護層5の端部および半導体層
4の一部を覆い、かつ、チャネル保護層5の上で分断さ
れた状態で、ソース電極6aおよびドレイン電極6bと
なるn+−Si層が形成されている。一方のn+−Si層
(ソース電極6a)の上には、ソース信号線となるIT
O膜7aおよび金属層8aが形成され、他方のn+−S
i層(ドレイン電極6b)の上には、ドレイン電極と絵
素電極とを接続する接続電極7'となるITO膜7bお
よび金属層8bが形成されている。ITO膜7bは、絵
素補助容量信号線19の上部まで延在しており、ITO
膜7b、ゲート絶縁膜3および絵素補助容量信号線19
の重畳部が補助容量となっている。さらに、TFT、ゲ
ート信号線およびソース信号線を覆って層間絶縁膜9が
形成され、層間絶縁膜9の上には、透明導電膜からなる
絵素電極11が形成されている。この絵素電極11は、
層間絶縁膜9を貫くコンタクトホール10を介して、I
TO膜7bによりTFTのドレイン電極6と接続されて
いる。なお、図7中の2aはゲート電極2の陽極酸化膜
であり、19aは絵素補助容量信号線19の陽極酸化膜
である。
れば、ゲート信号線およびソース信号線と、絵素電極1
1との間に層間絶縁膜9が形成されているので、各信号
線に対して絵素電極11の端をオーバーラップさせるこ
とができる。このような構造よって液晶表示装置の開口
率を向上できると共に、各信号線に起因する電界をシー
ルドして液晶の配向不良を抑制することができる。
ようにゲート信号線およびソース信号線と、絵素電極1
1との間に層間絶縁膜9を形成する構成では、絵素電極
11とドレイン電極とを接続するためのコンタクトホー
ル10を層間絶縁膜9に形成する必要があり、絵素電極
11がコンタクトホール10の部分でくぼんで凹状にな
り、絵素電極11に層間絶縁膜9の膜厚分の段差が生じ
るため、絵素電極9の凹部で液晶分子の配向が乱れ、光
抜けを起こすという問題がある。
示装置では、各々遮光性を有する、金属電極、ゲート信
号線、ソース信号線、絵素補助容量信号線およびカラー
フィルターのブラックマトリクス等により、コンタクト
ホール部を遮光している。そのため、各絵素の開口部が
減少して開口率の向上に限界があった。
と、絵素電極表面に層間絶縁膜の膜厚分の段差が生じ
る。反射型液晶表示装置を構成した場合に、この段差に
よって、絵素電極の表面状態が大きく変化し、反射特性
に問題が生じる。この問題を解消するために従来技術に
おいては、カラーフィルタのブラックマトリクス等を遮
光膜として使用して、コンタクトホール部を遮光してい
た。そのために、各絵素電極の開口部が減少し、開口率
の向上に限界があった。
決すべくなされたものであり、コンタクトホール部を遮
光することなく、コンタクトホール部における液晶分子
の配向乱れや光抜けを防止でき、しかも開口率を向上で
きるアクティブマトリクス基板および液晶表示装置を提
供することを目的とする。
リクス基板は、マトリクス状に形成されたスイッチング
素子を制御する走査線と、該スイッチング素子にデータ
信号を供給する信号線とが互いに交差するように形成さ
れ、該スイッチング素子、走査線および信号線の上に形
成された層間絶縁膜の上に絵素電極が設けられ、該層間
絶縁膜を貫くコンタクトホールを介してスイッチング素
子のドレイン電極と該絵素電極とが電気的に接続された
アクティブマトリクス基板であって、該コンタクトホー
ルにより該絵素電極の一部が凹状になっていると共に、
該絵素電極の凹部に絶縁材料からなる埋め込み部が埋め
込まれて絵素電極と面一になっており、そのことにより
上記目的が達成される。
て、前記埋め込み部を有する絶縁膜が、前記絵素電極の
上に形成されている構成とすることができる。この場合
において、前記埋め込み部を有する絶縁膜が、前記絵素
電極を覆うように形成され、該絶縁膜の表面がラビング
処理されて配向膜となっている構成としてもよい。
て、前記埋め込み部が、有機薄膜からなる構成にでき
る。前記埋め込み部が、前記絵素電極の形成された基板
上に感光性有機薄膜を塗布して、露光およびアルカリ現
像を行う事により形成された構成としてもよい。また、
前記埋め込み部が、光学的または化学的な脱色処理によ
り透明化された構成としてもよい。また、前記埋め込み
部が、前記絵素電極の形成された基板上に塗布法により
有機薄膜を形成後、異方性エッチングを行う事により形
成された構成としてもよい。
トリクス基板は、前記絵素電極上に設けられた複数の凸
部と、該複数の凸部を覆うように設けられた反射電極と
をさらに備え、該複数の凸部のそれぞれは絶縁体からな
り、該複数の凸部のそれぞれの間において該絵素電極と
該反射電極とは電気的に接続されており、該反射電極の
表面が凹凸形状を有する。
記埋め込み部と同一材料から形成されている。
上にさらに凸部が形成されている。
ィブマトリクス基板を有し、該アクティブマトリクス基
板に対して液晶層を間に挟んで対向配設された対向基板
に、該アクティブマトリクス基板に設けられた埋め込み
部を非被覆状態でブラックマトリクスが形成され、その
ことにより上記目的が達成される。
方法は、マトリクス状に形成されたスイッチング素子
と、該スイッチング素子に接続され、該スイッチング素
子を制御する走査線と、該スイッチング素子にデータ信
号を供給する信号線と、該スイッチング素子、該走査線
および該信号線の上に形成された層間絶縁膜と、該層間
絶縁膜上に形成された絵素電極と、該層間絶縁膜を貫く
コンタクトホールと、を備えており、該コンタクトホー
ルの表面に沿って該絵素電極の表面に凹部が形成されて
おり、該コンタクトホールを介してスイッチング素子の
ドレイン電極と該絵素電極とが電気的に接続されている
アクティブマトリクス基板を製造する方法であり、該凹
部に絶縁体からなる埋め込み部を形成することで該凹部
を埋める工程を包含し、そのことにより上記目的が達成
される。
の凸部を形成する工程と、該複数の凸部を覆って反射電
極を形成することで該反射電極の表面を凹凸形状にする
工程と、をさらに包含する。
性を有する樹脂を塗布し、該樹脂を露光し、現像する工
程をさらに包含し、そのことによって前記埋め込み部お
よび前記複数の凸部が同時に形成される。
絵素電極の凹部が埋め込み部により埋め込まれており、
液晶層に接する基板表面に層間絶縁膜の膜厚分の段差が
生じない。このため、絵素電極の凹部で配向乱れや光抜
けが生じず、ゲート信号線、ソース信号線および絵素補
助容量信号線やカラーフィルターのブラックマトリクス
等で遮光する必要がない。
ることができる。例えば、絵素電極が形成された基板上
に感光性有機薄膜をスピン塗布法等により塗布して、露
光およびアルカリ現像を行う事により形成することがで
きる。感光性の有機薄膜を用いた場合、材料によっては
着色していることがあるが、埋め込み部のパターニング
後に光学的または化学的な脱色処理を行って透明化する
ことができる。また、有機薄膜を塗布法により形成後、
異方性エッチングを行う事により、コンタクトホールの
埋め込み部のみを残して平坦化することができる。
込み部を有して、絵素電極の上に絶縁膜を形成する場合
は、材料によっては表面をラビング処理することにより
配向膜として用いる事ができる。
て、図面を参照しながら説明する。尚、以下の図におい
て、同一の機能を有する部分については、従来のアクテ
ィブマトリクス基板と同じ符号を用いて示している。
表示装置の平面図である。また、図2(A)は図1のA
−A’断面図であり、図2(B)は図1のB−B’断面
図である。これら図1および図2は、図6および図7と
同一部分には同一番号を付している。
トリクス基板は、透明絶縁性基板1上にゲート信号線2
0に接続されたゲート電極2が形成され、ゲート電極2
およびこれの陽極酸化膜2aの上を覆ってゲート絶縁膜
3が形成されている。その上にはゲート電極2と重畳す
るように半導体層4が形成され、その中央部上にチャネ
ル保護層5が形成されている。チャネル保護層5の端部
および半導体層4の一部を覆ってチャネル保護層5の上
で分断された状態で、ソース電極6aおよびドレイン電
極6bとなるn+−Si層が形成されている。一方のn+
−Si層(ソース電極6a)の上には、ソース信号線7
0となるITO膜7aおよび金属層8aが形成され、他
方のn+−Si層(ドレイン電極6b)の上には、ドレ
イン電極と絵素電極とを接続する接続電極7’となるI
TO膜7bおよび金属層8bが形成されている。ITO
膜7bは、絵素補助容量信号線19の上部まで延在して
おり、ITO膜7b、ゲート絶縁膜3および絵素補助容
量信号線19の重畳部が補助容量となっている。この絵
素補助容量信号線19の上には陽極酸化膜19aが形成
されている。さらに、TFT23、ゲート信号線20お
よびソース信号線70を覆って層間絶縁膜9が形成さ
れ、層間絶縁膜9の上には、透明導電膜からなる絵素電
極11が形成されている。この絵素電極11は、層間絶
縁膜9を貫くコンタクトホール10を介して、ITO膜
7bによりTFTのドレイン電極6と接続されている。
絵素電極11上には、コンタクトホール10を埋め込む
ように絶縁材料からなる埋め込み部18が形成されて、
段差部が平坦化されている。その上には、配向膜16が
平坦に形成されている。
晶層17を間に挟んで対向基板が設けられている。この
対向基板は、透明絶縁性基板12上に遮光板13、カラ
ーフィルター14、対向電極15および配向膜16が形
成されている。
下に説明する。
ス基板等の透明絶縁性基板1上に、ゲート信号線20お
よびゲート電極2、透明導電膜からなる絵素補助容量信
号線19を形成し、その後、陽極酸化し、続いてゲート
絶縁膜3、半導体層4、チャネル保護層5、ソース電極
6aおよびドレイン電極6bとなるn+−Si層を順に
形成した。
7’を構成する透明導電膜(ITO膜)7a、7bおよ
び金属層8a、8bを、スパッタ法により順に形成して
パターニングした。ソース信号線70は金属層8aのみ
で構成してもよいが、このように金属層8aとITO膜
7aとの2層構造とすると、金属層8aの一部に膜の欠
損があってもITO膜7aにより電気的に接続されるの
で、ソース信号線70の断線を少なくすることができ
る。また、ソース信号線70および接続電極7’は、同
時に形成することができるので、工程の簡単化が可能で
ある。
リル樹脂を塗布し、露光およびアルカリ現像を行って、
層間絶縁膜9を貫通するコンタクトホール10を形成し
た。
スパッタ法により形成し、パターニングした。これによ
り絵素電極11は、層間絶縁膜9を貫くコンタクトホー
ル10を介して、TFTのドレイン電極6bと接続され
ているITO膜7bと接続される。
スピン塗布法により1500nmの膜厚になるように塗
布し、露光およびアルカリ現像を行って、絵素エリア内
のみを残すようにパターニングした。続いて、基板を全
面露光(g、h、i線光源で300mJ)を行うことに
より、感光性のアクリル樹脂を脱色して透明化した。な
お、上記g、h、i線とは、露光用水銀灯ランプの発光
輝線スペクトルで所定の波長のものをいい、効率を考慮
すると、エネルギーの一番強いi線を使用するのが良
い。
チバックを行う事によりコンタクトホール10のみを埋
め込むように埋め込み部18を形成して基板表面を平坦
化した。この時のエッチバックは、酸素プラズマ雰囲気
において行った。
た。先ず、透明絶縁性基板12上に、遮光板13となる
金属膜をスパッタリング法により形成してパターニング
した。
光および現像を行って、赤、緑、青の各色のカラーフィ
ルター14を形成した。
タリング法により堆積して対向電極15を形成した。
基板の双方に配向膜16を形成し、両基板を貼り合わせ
て、両基板の間の空隙に液晶17を注入して液晶表示装
置を作製した。
晶表示装置は、従来の液晶表示装置と同様に、スイッチ
ング素子、ゲート信号線20およびソース信号線70の
上部に層間絶縁膜が形成され、その上に絵素電極が形成
されて、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介してT
FTのドレイン電極と接続されている。層間絶縁膜が形
成されていることにより、各信号配線と絵素電極とをオ
ーバーラップさせることができ、開口率を向上すると共
に液晶の配向不良を抑制できた。
ように埋め込み部18が形成されているので、絵素部の
表面が平坦化され、従来の液晶表示装置のようにコンタ
クトホール部で層間絶縁膜の膜厚分の段差が生じなかっ
た。このため、コンタクトホール部で液晶分子の配向乱
れが生じず、金属電極、ゲート信号線20、ソース信号
線70および絵素補助容量用信号線やカラーフィルター
のブラックマトリクス等によりコンタクトホールを遮光
して光抜けを防ぐ必要が無かった。また、TFTのドレ
イン電極と絵素電極とを接続する接続電極7’および絵
素補助容量信号線として透明導電膜を用いる事ができる
ので、開口率をさらに向上させることができた。
リル系樹脂をスピン塗布法により塗布し、露光およびア
ルカリ現像によりパターニングしているので、有機薄膜
が生産性よく得られる。埋め込み部の材料である樹脂
は、パターニング後に光学的または化学的な脱色処理に
より樹脂を透明化することができた。さらに、有機薄膜
を塗布法により形成後、異方性エッチングによりエッチ
バックしているので、埋め込み部のみを制御性良く残し
て平坦化することができた。このように埋め込み部に有
機薄膜を用いると、以上のような利点があり、感光性樹
脂であるアクリル樹脂に代えて、たとえばポリアミドイ
ミド、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、エポキシ
等の有機薄膜を用いることができる。
表示装置の平面図である。また、図4(A)は図3のC
−C’断面図であり、図4(B)は図3のD−D’断面
図である。図3および図4は、図1および図2と同一部
分には同一番号を付している。
ホールを埋め込むための絶縁材料からなる埋め込み部1
8を有する絶縁膜18aがポリイミド樹脂からなり、コ
ンタクトホール内のみでなく、絵素電極11を覆うよう
に形成され、表面がラビング処理されて配向膜となって
いる。その他の構成は、実施形態1と同様である。
下に説明する。
ス基板等の透明絶縁性基板1上に、ゲート信号線20お
よびゲート電極2、透明導電膜からなる絵素補助容量信
号線19を形成し、その後、陽極酸化し、続いてゲート
絶縁膜3、半導体層4、チャネル保護層5、ソース電極
6aおよびドレイン電極6bとなるn+−Si層を順に
形成し、ソース信号線70および接続電極7’を構成す
るITO膜7a、7bおよび金属層8a、8bを形成し
た。その上を覆ってコンタクトホール10を有する層間
絶縁膜9を形成し、その上に透明導電膜からなる絵素電
極11を形成して、絵素電極11およびTFT23のド
レイン電極6bを層間絶縁膜9を貫くコンタクトホール
10を介して接続させた。以上の工程は、実施形態1と
同様にして行った。
塗布法により例えば1500nmの膜厚になるように塗
布し、露光およびアルカリ現像を行って、絵素エリア内
のみを残すようにパターニングした。続いて、基板を全
面露光(g、h、i線光源で300mJ)を行うことに
より、感光性のポリイミド樹脂を脱色して透明化した。
その後、異方性エッチング法を用いてエッチバックを行
う事によりコンタクトホール10のみを埋め込むと共
に、絵素エリア内に500オングストローム〜1000
オングストロームの膜が残るように、埋め込み絶縁膜1
8を形成して基板表面を平坦化した。この時のエッチバ
ックは、酸素プラズマ雰囲気において行った。
作製した。
込み部18を有する絶縁膜18aの表面をラビングして
配向膜とし、対向基板にはポリイミド樹脂を印刷してラ
ビングすることにより配向膜16を形成した。最後に、
両基板を貼り合わせて、両基板の間の空隙に液晶17を
注入して液晶表示装置を作製した。
晶表示装置は、アクティブマトリクス基板において、配
向膜形成のためのポリイミド樹脂の印刷工程を削減する
ことができた。
ついて説明する。ここで図8は本実施形態における液晶
表示装置の平面構成図であり、図9(A)、および図9
(B)は、それぞれ図3に示す液晶表示装置のA−A'
断面図およびB−B'断面図である。
板1'上にゲート信号線20と、ゲート信号線20に接
続されたゲート電極2と、絵素補助容量信号線19とが
形成されている。ゲート信号線20、ゲート電極2およ
び絵素補助容量信号線19上には、それぞれ陽極酸化膜
20a、2aおよび19aが形成されている。さらに、
ゲート信号線20、ゲート電極2および絵素補助容量信
号線19を覆ってゲート絶縁膜3が形成されている。
畳するように半導体層4が形成されている。半導体層4
の中央部上には、チャネル保護層5が形成されている。
チャネル保護層5の端部および半導体層4の一部を覆っ
て、n+−Si層が形成されている。ここで、n+−Si
層は、チャネル保護層5の上で分断されており、ソース
電極6aおよびドレイン電極6bとなる。ゲート電極
2、ソース電極6aおよびドレイン電極6bを含む部分
がTFT23である。
0となるITO膜7aおよび金属層8aが形成されてい
る。なお、ソース信号線70は、ゲート絶縁膜3上に設
けられており、ゲート信号線20と直交する方向に設け
られている。
となるITO膜7bおよび金属層8bが形成されてい
る。接続電極7'は、ドレイン電極6bと後述の絵素電
極11とを接続している。ITO膜7bは、絵素補助容
量信号線19の上部まで延在しており、ITO膜7b、
ゲート絶縁膜3および絵素補助容量信号線19の重畳部
が補助容量となっている。
よびソース信号線70を覆って層間絶縁膜9が形成さ
れ、層間絶縁膜9の上には、絵素電極11aが形成され
ている。絵素電極11aは、層間絶縁膜9を貫くコンタ
クトホール10を介して、ITO膜7bによりTFT2
3のドレイン電極6bと接続されている。
10を埋め込むように絶縁材料からなる埋め込み部18
が形成されている。
分的に形成されている。これによって、絵素電極11a
上に複数の凸部が形成されている。さらに複数の凸部を
覆って、反射膜40が設けられており、このため反射膜
40の表面は凹凸形状を有する。また、複数の凸部のそ
れぞれの間において反射膜40と絵素電極11aとは電
気的に接続している。なお、絵素電極11a、凸部およ
び反射膜40をまとめて反射型絵素電極11としてい
る。
いる。
晶層17を間に挟んで対向基板が設けられている。この
対向基板には、透明絶縁性基板12上に遮光板13、対
向電極15および配向膜16が形成されている。
製方法を説明する。まず、アクテイブマトリクス基板の
作製方法を説明する。
ート信号線20、補助容量信号線19、ゲート絶縁膜
3、半導体層4、チャネル保護層5、ソース電極6a、
ドレイン電極6bとなるn+−Si層を順に形成した。
絶縁性基板1'は、透光性を有していなくてもよい。
よび金属層8aを順にスパッタ法によって形成しパター
ニングすることで、ソース信号線70を形成した。本実
施形態においてはソース信号線70を構成する層を金属
層8aと透明導電膜であるITO膜7aとの2層構造と
したが、金属膜8aの単層であっても問題はない。2層
構造にすることで、仮にソース信号線70を構成する金
属層8aの一部に膜の欠損があったとしてもITO膜7
aによって電気的に接続されるためソース信号線70の
断線を少なくすることが出来るという利点がある。
し、層間絶縁膜9を形成した。層間絶縁膜9を露光、ア
ルカリ現像することによって、層間絶縁膜9を貫通する
コンタクトホール10を形成した。
法によって形成しパターニングした。本実施形態では、
絵素電極11aとして透明導電膜であるITO膜を使用
したが、他の金属膜を使用しても問題ないことはいうま
でもない。この絵素電極11aは層間絶縁膜9を貫くコ
ンタクトホール10を介して接続電極7'に電気的に接
続される。このため、絵素電極11aは、接続電極
7'、TFT23のドレイン電極6b、ドレイン電極6
aを介してソース信号線70と接続される。
法により1500nmの膜厚となるように形成する。この
アクリル樹脂を露光した後、アルカリ現像することによ
り、それぞれの絵素エリア内に、アクリル樹脂の有無に
よる凹凸を形成するようにパターニングする。この過程
において、コンタクトホール10はアクリル樹脂によっ
て埋込まれる。アクリル樹脂によって埋め込まれた部分
を埋め込み部18とする。またコンタクトホール10上
が凹凸形状の凸部になるように、埋め込み部18を形成
することが望ましい。なお、絵素エリアとは、絵素電極
と対向電極とが重畳する部分を指す。
るアルミニウム等の表面反射率の高い金属膜を成膜し、
パターニングした。このようにして、反射膜40の表面
に凹凸形状を形成する。反射膜40の表面の凹凸形状は
外部からの入射光を効率よく反射させる効果を持つ。そ
の後、反射膜40上に配向膜16を形成し、アクティブ
マトリクス基板を作製した。
絶縁性基板12上に金属膜をスパッタ法によって形成
し、パターニングすることで遮光板13を形成した。次
に、スパッタ法によって、透明導電膜であるITOから
なる対向電極15を形成した。その後、対向電極15上
に配向膜16を形成した。
貼り合わせ、双方の基板の間に設けた空隙に液晶材料を
注入することにより、液晶層17を作製した。本実施形
態では、液晶材料としてゲスト−ホスト液晶を用いた。
具体的には、液晶材料ZLI-4792(メルク社製)にアゾ系
の黒色色素を数重量%と光学活性物質S-811(メルク社
製)数重量%とを添加したゲスト−ホスト液晶材料を用
いた。液晶分子が240度ツイスト配向するように、配
向膜にラビング処理を施した。この場合、偏光板を設け
る必要はない。本実施形態においては、感光性のアクリ
ル樹脂によりコンタクトホール10を埋込むと同時に、
反射絵素電極に入射光を効率良く反射させるための凹凸
を形成することにより、絵素電極の全ての領域を有効に
することができ、ひいては開口率を改善することができ
た。
液晶表示装置は、上記の例に限られない。例えば、ゲス
ト−ホスト液晶材料として、液晶材料ZLI-4792(メルク
社製)にアゾ系の黒色色素(数重量%)を添加したもの
を用い、視認側の基板(対向基板側)に偏光板を設け、
配向膜には偏光板の偏光軸と平行な方向にラビング処理
を施した構成を用いてもよい。
によれば、埋め込み部により絵素電極の凹部が埋め込ま
れて平坦化されているので、コンタクトホール部で液晶
分子の配向乱れが生じず、光抜けが生じない。従って、
コンタクトホール部を金属電極、ゲート信号線、ソース
信号線および絵素補助容量用信号線やカラーフィルター
のブラックマトリクス等により遮光する必要が無く、開
口率が非常に高い液晶表示装置を得る事ができる。しか
も、各信号配線と絵素電極とをオーバーラップさせるこ
とができ、開口率を向上すると共に液晶の配向不良を抑
制できる。
布法により塗布し、露光およびアルカリ現像によりパタ
ーニングすると、有機薄膜を生産性よく得ることができ
る。さらに、有機薄膜を塗布法により形成後、異方性エ
ッチングによりエッチバックすると、コンタクトホール
の埋め込み部のみを制御性良く残して平坦化することが
できる。このため、生産コストを大幅に増大すること無
く、開口率の高い液晶表示装置を実現する事ができる。
埋め込み部の材料である樹脂が着色している場合には、
パターニング後に光学的または化学的な脱色処理により
樹脂を透明化することにより、表示色についても良好な
液晶表示装置とすることができる。
ては、ラビング処理をすることにより配向膜として使用
することもでき、工程を簡略化して開口率の高い液晶表
示装置を安価に得る事ができる。
クトホール10を埋込むと同時に、絵素電極上に凸部を
形成でき、これによって反射絵素電極に入射光を効率良
く反射させるための凹凸を形成することができる。この
ため、絵素電極の全ての領域を有効にすることができ、
ひいては開口率を改善することができる。
は図1のB−B’断面図である。
は図3のD−D’断面図である。
るアクティブマトリクス基板の構成の一例を示す図であ
る。
は図6のF−F’断面図である。
晶表示装置のA−A'断面図およびB−B'断面図であ
る。
Claims (14)
- 【請求項1】 マトリクス状に形成されたスイッチング
素子を制御する走査線と、該スイッチング素子にデータ
信号を供給する信号線とが互いに交差するように形成さ
れ、該スイッチング素子、走査線および信号線の上に形
成された層間絶縁膜の上に絵素電極が設けられ、該層間
絶縁膜を貫くコンタクトホールを介してスイッチング素
子のドレイン電極と該絵素電極とが電気的に接続された
アクティブマトリクス基板であって、 該コンタクトホールにより該絵素電極の一部が凹状にな
っていると共に、該絵素電極の凹部に絶縁材料からなる
埋め込み部が埋め込まれて絵素電極と面一になっている
アクティブマトリクス基板。 - 【請求項2】 前記埋め込み部を有する絶縁膜が、前記
絵素電極の上に形成されている請求項2に記載のアクテ
ィブマトリクス基板。 - 【請求項3】 前記埋め込み部が、有機薄膜からなる請
求項1または2に記載のアクティブマトリクス基板。 - 【請求項4】 前記埋め込み部が、前記絵素電極の形成
された基板上に感光性有機薄膜を塗布して、露光および
アルカリ現像を行う事により形成されている請求項1ま
たは2に記載のアクティブマトリクス基板。 - 【請求項5】 前記埋め込み部が、光学的または化学的
な脱色処理により透明化されている請求項3または4に
記載のアクティブマトリクス基板。 - 【請求項6】 前記埋め込み部が、前記絵素電極の形成
された基板上に塗布法により有機薄膜を形成後、異方性
エッチングを行う事により形成されている請求項3、4
または5に記載のアクティブマトリクス基板。 - 【請求項7】 前記埋め込み部を有する絶縁膜が、前記
絵素電極を覆うように形成され、該絶縁膜の表面がラビ
ング処理されて配向膜となっている請求項2に記載のア
クティブマトリクス基板。 - 【請求項8】 前記絵素電極上に設けられた複数の凸部
と、該複数の凸部を覆うように設けられた反射電極とを
さらに備えたアクティブマトリクス基板であって、該複
数の凸部のそれぞれは絶縁体からなり、該複数の凸部の
それぞれの間において該絵素電極と該反射電極とは電気
的に接続されており、該反射電極の表面が凹凸形状を有
する請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。 - 【請求項9】 前記複数の凸部は、前記埋め込み部と同
一材料から形成されている、請求項8に記載のアクティ
ブマトリクス基板。 - 【請求項10】 前記埋め込み部上にさらに凸部が形成
されている、請求項1に記載のアクティブマトリクス基
板。 - 【請求項11】 請求項1乃至7のいずれか1つに記載
のアクティブマトリクス基板を有し、該アクティブマト
リクス基板に対して液晶層を間に挟んで対向配設された
対向基板に、該アクティブマトリクス基板に設けられた
埋め込み部を非被覆状態でブラックマトリクスが形成さ
れている液晶表示装置。 - 【請求項12】 マトリクス状に形成されたスイッチン
グ素子と、 該スイッチング素子に接続され、該スイッチング素子を
制御する走査線と、 該スイッチング素子にデータ信号を供給する信号線と、 該スイッチング素子、該走査線および該信号線の上に形
成された層間絶縁膜と、 該層間絶縁膜上に形成された絵素電極と、 該層間絶縁膜を貫くコンタクトホールと、を備えてお
り、 該コンタクトホールの表面に沿って該絵素電極の表面に
凹部が形成されており、該コンタクトホールを介してス
イッチング素子のドレイン電極と該絵素電極とが電気的
に接続されているアクティブマトリクス基板を製造する
方法であって、 該凹部に絶縁体からなる埋め込み部を形成することで該
凹部を埋める工程を包含するアクティブマトリクス基板
の製造方法。 - 【請求項13】 前記絵素電極上に複数の凸部を形成す
る工程と、 該複数の凸部を覆って反射電極を形成することで該反射
電極の表面を凹凸形状にする工程と、をさらに包含する
請求項12に記載のアクティブマトリクス基板の製造方
法。 - 【請求項14】 前記絵素電極上に感光性を有する樹脂
を塗布し、該樹脂を露光し、現像する工程をさらに包含
し、そのことによって前記埋め込み部および前記複数の
凸部が同時に形成される、請求項13に記載のアクティ
ブマトリクス基板の製造方法。
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
JP511197A JP3332773B2 (ja) | 1996-03-15 | 1997-01-14 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
US08/815,702 US5877832A (en) | 1996-03-15 | 1997-03-12 | Active matrix substrate, for use in a liquid crystal display and method for producing the same |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09304793A true JPH09304793A (ja) | 1997-11-28 |
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Country Status (2)
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---|---|
US (1) | US5877832A (ja) |
JP (1) | JP3332773B2 (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11160735A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置およびその作製方法並びに電子機器 |
US6396470B1 (en) | 1999-03-19 | 2002-05-28 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display apparatus |
US6417901B1 (en) * | 1998-10-07 | 2002-07-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device in which light transmitting portion is on the opposite substrate |
US6552764B2 (en) | 1998-07-28 | 2003-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective LCD whose color filter pattern extends outside display region and whose seal overlaps color filter |
JP2004295016A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶パネルおよびその製造方法 |
KR100485232B1 (ko) * | 1998-02-09 | 2005-04-25 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정 패널, 이를 구비한 전자 기기 및 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
JP2005115153A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法及びそれを用いた液晶表示素子並びに液晶プロジェクタ |
US6961111B1 (en) | 1999-09-08 | 2005-11-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Display device and method of producing same |
JP2010054553A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
JP2010181785A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2011100023A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機el装置 |
JP2011100024A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機el装置 |
JP2011164249A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器 |
JP2012209275A (ja) * | 2000-02-22 | 2012-10-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置 |
JP2013065579A (ja) * | 2000-02-03 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
CN103389605A (zh) * | 2012-05-09 | 2013-11-13 | 株式会社日本显示器东 | 显示装置 |
JP2014132577A (ja) * | 2000-01-17 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示装置及び電気器具 |
JP2015149194A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法、並びに電子機器 |
JP2019128520A (ja) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 |
WO2023094937A1 (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3418653B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2003-06-23 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP3297591B2 (ja) * | 1996-04-17 | 2002-07-02 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法並びに液晶表示装置 |
US6008875A (en) * | 1996-04-30 | 1999-12-28 | Nec Corporation | TN-mode liquid crystal display wherein a leveling layer is formed on the surface of an uneven electrode |
US6940566B1 (en) | 1996-11-26 | 2005-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays including organic passivation layer contacting a portion of the semiconductor layer between source and drain regions |
CN1148600C (zh) * | 1996-11-26 | 2004-05-05 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管基片及其制造方法 |
JP3856889B2 (ja) * | 1997-02-06 | 2006-12-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 反射型表示装置および電子デバイス |
JP3738530B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2006-01-25 | ソニー株式会社 | カラー表示装置 |
JP4105261B2 (ja) * | 1997-08-20 | 2008-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
JP4307582B2 (ja) | 1997-11-18 | 2009-08-05 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3723336B2 (ja) | 1997-11-18 | 2005-12-07 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4049422B2 (ja) | 1997-11-18 | 2008-02-20 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US7202497B2 (en) * | 1997-11-27 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2000122095A (ja) | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
US6563559B2 (en) * | 2000-02-02 | 2003-05-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Reflective liquid crystal display having increase luminance for each display pixel |
KR20020031202A (ko) * | 2000-10-23 | 2002-05-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 투명도가 낮은 기판을 이용한 평판 표시 장치 |
SG143063A1 (en) * | 2002-01-24 | 2008-06-27 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
EP1343206B1 (en) | 2002-03-07 | 2016-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus |
US6876416B2 (en) * | 2002-04-30 | 2005-04-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display apparatus having alignment film and method of manufacturing the same |
JP3938112B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2007-06-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置並びに電子機器 |
JP2005062480A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、表示装置、電気光学装置および電子機器 |
KR100552975B1 (ko) * | 2003-11-22 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
US7893438B2 (en) * | 2003-10-16 | 2011-02-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same |
JP2005275102A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Nec Lcd Technologies Ltd | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP5540517B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2014-07-02 | 凸版印刷株式会社 | 画像表示装置 |
TWI418903B (zh) * | 2009-09-30 | 2013-12-11 | Au Optronics Corp | 陣列基板及其製造方法 |
WO2012043620A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタ基板および液晶表示装置 |
KR20140055848A (ko) * | 2012-11-01 | 2014-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6104099B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2017-03-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
US20160155908A1 (en) * | 2014-12-01 | 2016-06-02 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Coa substrate and manufacturing method thereof |
WO2016166628A1 (en) * | 2015-04-13 | 2016-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
CN109870855A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置 |
CN117795408A (zh) * | 2022-07-26 | 2024-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、液晶盒、显示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR900003618B1 (ko) * | 1986-05-30 | 1990-05-26 | 후지쓰가부시끼가이샤 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
US5327001A (en) * | 1987-09-09 | 1994-07-05 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor array having single light shield layer over transistors and gate and drain lines |
US5032883A (en) * | 1987-09-09 | 1991-07-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
US5056895A (en) * | 1990-05-21 | 1991-10-15 | Greyhawk Systems, Inc. | Active matrix liquid crystal liquid crystal light valve including a dielectric mirror upon a leveling layer and having fringing fields |
JPH04348032A (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-03 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US5317432A (en) * | 1991-09-04 | 1994-05-31 | Sony Corporation | Liquid crystal display device with a capacitor and a thin film transistor in a trench for each pixel |
JP3413876B2 (ja) * | 1992-07-08 | 2003-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
EP0603866B1 (en) * | 1992-12-25 | 2002-07-24 | Sony Corporation | Active matrix substrate |
JP2812851B2 (ja) * | 1993-03-24 | 1998-10-22 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
JP2860226B2 (ja) * | 1993-06-07 | 1999-02-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
US5641974A (en) * | 1995-06-06 | 1997-06-24 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and photo-imageable insulating layer therebetween |
-
1997
- 1997-01-14 JP JP511197A patent/JP3332773B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-12 US US08/815,702 patent/US5877832A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11160735A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置およびその作製方法並びに電子機器 |
KR100485232B1 (ko) * | 1998-02-09 | 2005-04-25 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정 패널, 이를 구비한 전자 기기 및 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
US6552764B2 (en) | 1998-07-28 | 2003-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective LCD whose color filter pattern extends outside display region and whose seal overlaps color filter |
US6417901B1 (en) * | 1998-10-07 | 2002-07-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device in which light transmitting portion is on the opposite substrate |
US6396470B1 (en) | 1999-03-19 | 2002-05-28 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display apparatus |
US6961111B1 (en) | 1999-09-08 | 2005-11-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Display device and method of producing same |
US9368089B2 (en) | 2000-01-17 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electrical appliance |
US10467961B2 (en) | 2000-01-17 | 2019-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electrical appliance |
JP2014132577A (ja) * | 2000-01-17 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示装置及び電気器具 |
US10522076B2 (en) | 2000-01-17 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electrical appliance |
US9087476B2 (en) | 2000-01-17 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electrical appliance |
US9419066B2 (en) | 2000-02-03 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
JP2013065579A (ja) * | 2000-02-03 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US9793328B2 (en) | 2000-02-22 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self-light-emitting device |
JP2012209275A (ja) * | 2000-02-22 | 2012-10-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置 |
JP2016021413A (ja) * | 2000-02-22 | 2016-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 自発光装置 |
US9293513B2 (en) | 2000-02-22 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self-light-emitting device comprising protective portions on a pixel electrode |
US7755737B2 (en) | 2003-03-28 | 2010-07-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal panel and method of manufacturing the same |
JP2004295016A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶パネルおよびその製造方法 |
JP2005115153A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法及びそれを用いた液晶表示素子並びに液晶プロジェクタ |
JP2010054553A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
JP2010181785A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2011100024A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機el装置 |
JP2011100023A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機el装置 |
JP2011164249A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器 |
CN103389605A (zh) * | 2012-05-09 | 2013-11-13 | 株式会社日本显示器东 | 显示装置 |
US9362409B2 (en) | 2012-05-09 | 2016-06-07 | Japan Display Inc. | Semiconductor device |
US9136288B2 (en) | 2012-05-09 | 2015-09-15 | Japan Display Inc. | Display device |
US8878185B2 (en) | 2012-05-09 | 2014-11-04 | Japan Display Inc. | Display device having projection with connection hole above the projection enabling connection of source electrode and pixel |
US10109693B2 (en) | 2014-02-06 | 2018-10-23 | Sony Corporation | Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus |
JP2015149194A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法、並びに電子機器 |
US11222937B2 (en) | 2014-02-06 | 2022-01-11 | Sony Group Corporation | Display unit with light emitting layer between first and second electrodes |
US11778869B2 (en) | 2014-02-06 | 2023-10-03 | Sony Group Corporation | Display unit and electronic apparatus including functional layer with light-emitting layer and hole injection layer |
JP2019128520A (ja) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 |
WO2023094937A1 (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3332773B2 (ja) | 2002-10-07 |
US5877832A (en) | 1999-03-02 |
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