JP2011164249A - 液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶装置100の素子基板10において、シリコン酸化膜からなる絶縁膜160によって絶縁膜160の下層側に形成された凹部5aを埋めて平坦化するにあたって、まず、成膜工程では、絶縁膜160をCVD法により成膜中に凹部5aと重なる領域に発生する空洞160vが絶縁膜160によって密閉されるまで絶縁膜160を成膜する。次に、研磨工程では、空洞160vが絶縁膜160の表面で露出しない範囲で絶縁膜160の表面を研磨する。
【選択図】図3
Description
(全体構成)
図1は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図2は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置の具体的構成を示す説明図であり、図2(a)、(b)は各々、液晶装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。
図3は、本発明の実施の形態1に係る反射型の液晶装置100の画素構成を示す説明図であり、図3(a)、(b)は各々、反射型の液晶装置100に用いた素子基板10において相隣接する画素の平面図、およびそのA−A′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、図3(a)において、データ線6aは一点鎖線で示し、走査線3aおよび容量線3bは実線で示し、半導体層1aは細い点線で示し、画素電極9aについては二点鎖線で示してある。
このように構成した液晶装置100の素子基板10において、絶縁膜160は、層間絶縁膜72のコンタクトホール72bに起因して発生した凹部5a、および隣り合う画素電極9aで挟まれた境界領域9sに発生した凹部5bを埋める平坦化膜として機能している。ここで、凹部5bは、アスペクト比が比較的小さいため、凹部5b全体が絶縁膜160で埋められている。本形態において、凹部5bのアスペクト比は0.7未満である。
以下、図4を参照して、本発明を適用した液晶装置100の製造方法を説明しながら、液晶装置100の構成を詳述する。図4は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置100の製造方法を示す説明図であり、コンタクトホール72bを備えた層間絶縁膜72を形成した後、絶縁膜160を平坦化するまでの工程を示してある。
図5は、本発明を適用した液晶装置100の製造方法において、絶縁膜160によって凹部5aを平坦化した場合の利点を示す説明図である。なお、図5において、図5(a1)〜(a3)には、本発明を適用した平坦化方法を示してあり、図5(b1)〜(b3)には、本発明に対する比較例に係る平坦化方法を示してある。
以上説明したように、本形態の液晶装置100では、絶縁膜160の下層側に、アスペクト比が大きな凹部5aがあっても、かかる凹部5aは、CVD法により成膜された絶縁膜160により埋められて平坦化されているため、配向膜16の下地面(絶縁膜160の表面)および素子基板10の最表面(配向膜16の表面)を平坦な面とすることができる。従って、配向膜16を好適に形成することができるとともに、液晶層50の層厚が一定である。それ故、本形態によれば、液晶層50を好適に配向制御することができる。
図6は、本発明の実施の形態2に係る液晶装置100の説明図であり、図6(a)、(b)、(c)は、素子基板10において相隣接する画素の平面図、そのA−A′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図、および凹部5a、5b付近を拡大して示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
上記実施の形態1、2では、反射型の液晶装置100に本発明を適用した例を示したが、透過型の液晶装置に本発明を適用してもよい。
本発明に係る反射型の液晶装置100は、図7(a)に示す投射型表示装置(液晶プロジェクター/電子機器)や、図7(b)、(c)に示す携帯用の電子機器に用いることができる。
Claims (9)
- 素子基板と、
前記素子基板上に配置された画素トランジスターと、
前記画素トランジスターに対応して設けられた画素電極と、
前記画素電極により形成された凹部と、
前記凹部を含む前記画素電極の上層側に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記凹部と重なる領域に形成され、当該絶縁膜により密閉された空洞と、を有することを特徴とする液晶装置。 - 前記空洞の少なくとも一部は前記凹部内に位置していることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 前記画素電極の下層側に、コンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の下層側で前記コンタクトホールの底部で前記画素電極と接続された導電層と、を有し、
前記コンタクトホールによって前記凹部が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶装置。 - 隣り合う前記画素電極の間には、当該画素電極の厚さ寸法に相当する深さ寸法をもった前記凹部が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の液晶装置。
- 前記絶縁膜の上層には配向膜が積層されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の液晶装置。
- 前記画素電極は、反射性画素電極であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の液晶装置。
- 素子基板上に、画素トランジスターと、該画素トランジスターに対応して設けられた画素電極と、前記画素電極の上層側に設けられた絶縁膜と、を有する液晶装置の製造方法であって、
前記画素電極を形成するとともに、当該画素電極によって凹部を形成する画素電極形成工程と、
前記凹部を含む前記画素電極の上層に前記絶縁膜を成膜するとともに、当該絶縁膜の成膜中に前記凹部と重なる領域に発生する空洞が当該絶縁膜によって密閉されるまで前記絶縁膜を成膜する成膜工程と、
該成膜工程の後、前記空洞が当該絶縁膜の表面で露出しない範囲で当該絶縁膜の表面を研磨する研磨工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 前記絶縁膜をCVD法により成膜することを特徴とする請求項7に記載の液晶装置の製造方法。
- 請求項1乃至6の何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010025178A JP5604887B2 (ja) | 2010-02-08 | 2010-02-08 | 液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器 |
US13/019,652 US8654293B2 (en) | 2010-02-08 | 2011-02-02 | Liquid-crystal apparatus, method for manufacturing the same, and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010025178A JP5604887B2 (ja) | 2010-02-08 | 2010-02-08 | 液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011164249A true JP2011164249A (ja) | 2011-08-25 |
JP5604887B2 JP5604887B2 (ja) | 2014-10-15 |
Family
ID=44353467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010025178A Active JP5604887B2 (ja) | 2010-02-08 | 2010-02-08 | 液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8654293B2 (ja) |
JP (1) | JP5604887B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2010
- 2010-02-08 JP JP2010025178A patent/JP5604887B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8654293B2 (en) | 2014-02-18 |
JP5604887B2 (ja) | 2014-10-15 |
US20110194060A1 (en) | 2011-08-11 |
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A621 | Written request for application examination |
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