CN107463042A - 阵列基板及其制造方法、液晶面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种阵列基板及其制造方法、液晶面板。本发明设计色阻图案具有未贯穿色阻图案的排气孔，位于色阻图案上的钝化层开设有过孔，过孔与排气孔导通以供色阻图案内的气体逸出。基于此，本发明有利于排出色阻图案内的气体，并降低液晶面板出现Bubble的风险。

Description

阵列基板及其制造方法、液晶面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体而言涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶面板。
背景技术
基于COA(Color Filter on Array,彩色滤波阵列)技术的液晶面板在撞击时容易产生Bubble(气泡)，其原因主要有两个：一个是局部位置色阻图案的过孔与TFT(Thin FilmTransistor,薄膜晶体管)的过孔重叠，重叠位置的PV层(Passivation,钝化层)被刻蚀掉，导致色阻图案中的气体在成盒制程后从重叠位置析出并形成Bubble，改善对策是扩大色阻图案的过孔大小，使其与TFT过孔不重叠，但这样会降低穿透率。第二个是在震动过程中由于PV层开裂导致色阻图案中的气体析出而形成Bubble，改善对策是在色阻图案上开设小尺寸的排气孔，色阻图案的气体通过排气孔在成盒制程之前排出，但是色阻图案的刻蚀率低于PV层的刻蚀率，容易因刻蚀深度不够导致气体无法析出。
由此可见，如何形成排出色阻图案内气体的路径，以降低液晶面板出现Bubble的风险是当前业界迫切需要解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制造方法、液晶面板，能够形成排出色阻图案内气体的路径，有利于排出色阻图案内的气体，并降低液晶面板出现Bubble的风险。
本发明一实施例的阵列基板，包括：
衬底基材；
栅极图案，位于衬底基材上；
栅极绝缘层，位于衬底基材上并覆盖栅极图案；
源极图案和漏极图案，间隔设置于栅极绝缘层上；
第一钝化层，位于栅极绝缘层上并覆盖源极图案和漏极图案；
色阻图案，位于第一钝化层上，所述色阻图案开设有未贯穿色阻图案的排气孔；
第二钝化层，位于色阻图案上，所述第二钝化层开设有过孔，所述过孔与排气孔导通以供色阻图案内的气体逸出。
本发明一实施例的液晶面板，包括上述阵列基板以及与所述阵列基板相对间隔的彩膜基板。
本发明一实施例的阵列基板的制造方法，包括：
提供一衬底基材；
在衬底基材上依次形成栅极图案、栅极绝缘层、源极图案和漏极图案、以及第一钝化层，栅极绝缘层覆盖栅极图案，源极图案和漏极图案间隔设置于栅极绝缘层上，第一钝化层覆盖源极图案和漏极图案；
在第一钝化层上形成色阻图案，并在色阻图案上开设未贯穿色阻图案的排气孔；
在色阻图案上形成第二钝化层，并在第二钝化层上开设过孔，所述过孔与排气孔导通以供色阻图案内的气体逸出。
有益效果：本发明设计色阻图案开设有未贯穿色阻图案的排气孔，位于色阻图案上的钝化层开设有过孔，色阻图案内的气体从排气孔析出后可以由过孔排出，从而形成排出色阻图案内气体的路径，并且本发明在色阻图案上开设排气孔，整体上提升了排气孔的深度，有利于排出色阻图案内的气体，降低液晶面板出现Bubble的风险。
附图说明
图1是本发明一实施例的阵列基板的结构剖视图；
图2是本发明一实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图；
图3是本发明一实施例的液晶面板的结构剖视图。
具体实施方式
本发明的主要目的是：设计色阻图案开设有未贯穿色阻图案的排气孔，位于色阻图案上的钝化层开设有过孔，色阻图案内的气体从排气孔析出后可以由过孔排出，本发明相当于提升了排气孔的深度，从而有利于排出色阻图案内的气体，降低液晶面板出现Bubble的风险。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明所提供的各个示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。并且，本发明下文各个实施例所采用的方向性术语，例如“上”、“下”等，均是为了更好的描述各个实施例，并非用于限制本发明的保护范围。
图1是本发明一实施例的阵列基板的结构剖视图。请参阅图1，本实施例的阵列基板10包括衬底基材11以及依次形成于该衬底基材11上的各层结构：栅极图案12、栅极绝缘层(Gate Insulation Layer,GI层)13、半导体图案14、源极图案151和漏极图案152、第一钝化层16、色阻图案17、第二钝化层18以及像素电极图案19。
其中，栅极绝缘层13为覆盖栅极图案12的一整面结构，源极图案151和漏极图案152位于同一层且间隔设置于栅极绝缘层13上，第一钝化层16为覆盖源极图案151和漏极图案152的一整面结构。
栅极图案12、栅极绝缘层13、半导体图案14、源极图案151和漏极图案152形成阵列基板10的薄膜晶体管T0，并且，鉴于栅极图案12位于半导体图案14的下方，本实施例的阵列基板10可视为采用底栅型薄膜晶体管的像素设计。
在本实施例中，色阻图案17开设有排气孔171，该排气孔171并未贯穿色阻图案17，如图1所示，该排气孔171的一个底面以及两个侧面均为色阻图案17的表面。另外，第二钝化层18开设有过孔181，该过孔181贯穿第二钝化层18，并与排气孔171上下导通。由此，过孔181和排气孔171使得色阻图案17的部分表面被裸露出来。
在利用阵列基板10执行成盒制程之前，色阻图案17内的气体通过排气孔171的底面以及两个侧面析出，并进入排气孔171中，继而由过孔181逸出。相比较于仅在钝化层(例如第二钝化层18)上开设排气孔，本实施例还在色阻图案17上开设排气孔171，相当于提升了排气孔的深度，并且过孔181与排气孔171导通，形成了有效的气体析出路径，在成盒制程之前能够有利于排出色阻图案17内的气体，降低液晶面板出现Bubble的风险。
为了提高气体排出的效率，本实施例可以设计排气孔171的两个侧面和过孔181的两个侧面均为斜面，使得排气孔171和过孔181具有较大的开口尺寸。当然，本实施例也可以设计排气孔171和过孔181均为垂直开口，即两者的侧面均为垂直面。进一步地，排气孔171的开口尺寸可以小于过孔181的开口尺寸，即排气孔171在衬底基材11上的正投影落于过孔181在衬底基材11上的正投影之内。
另外，基于阵列基板10的每一像素均包括显示开口区域和薄膜晶体管T0所占区域，为了不影响像素开口率，本实施例可以将排气孔171设置于每一像素的显示开口区域之外，例如位于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中至少一者的薄膜晶体管T0所占区域之中。
请继续参阅图1，在薄膜晶体管T0所占区域之中，阵列基板10还开设有接触孔Z0，该接触孔Z0贯穿第二钝化层18、色阻图案17以及第一钝化层16，并暴露漏极图案152的上表面，像素电极图案19覆盖接触孔Z0的一部分，具体地，接触孔Z0的一部分底面以及一部分侧面被像素电极图案19覆盖，由此像素电极图案19与漏极图案152实现电性连接。在成盒制程之前，色阻图案17内的气体可以从未被像素电极图案19覆盖的侧面上析出并进入接触孔Z0，然后从接触孔Z0中逸出。可见，该接触孔Z0进一步有利于排出色阻图案17内的气体。而在成盒制程之后，第二钝化层18可以覆盖该接触孔Z0，避免成盒制程后从色阻图案17内析出的气体从该接触孔Z0中逸出。
请参阅图2，为本发明一实施例的阵列基板的制造方法。所述制造方法可用于形成具有图1所示结构的阵列基板10，为便于描述，本发明下文以所述制造方法用于形成具有图1所示的阵列基板10为例进行说明。所述制造方法可以包括如下步骤S21～S24。
S21：提供一衬底基材。
结合图1所示，衬底基材11可以为玻璃基材、透明塑料基材、可挠式基材等透光基材。当然，本实施例的衬底基材11也可以设置有钝化保护层，例如衬底基材11可以包括基板和形成于基板上的钝化保护层，基板可以为玻璃基材、透明塑料基材、可挠式基材等透光基材，钝化保护层的材料包括但不限于硅氮化合物，例如Si3N4(四氮化三硅，简称氮化硅)，以保护衬底基材11表面的结构稳定性。
S22：在衬底基材上依次形成栅极图案、栅极绝缘层、源极图案和漏极图案、及第一钝化层，栅极绝缘层覆盖栅极图案，源极图案和漏极图案间隔设置于栅极绝缘层上，第一钝化层覆盖源极图案和漏极图案。
对于底栅型像素设计的阵列基板10，本实施例形成TFT(即上述薄膜晶体管T0)的过程可以包括如下步骤：
首先，本实施例可以通过光罩制程在衬底基材11上形成具有预定图案的栅极图案12。具体而言，采用PVD(Physical Vapor Deposition,物理气相沉积)方法在衬底基材11上形成一整面金属层，然后在该金属层上涂布一整面光阻层，再采用光罩对光阻层依次进行曝光显影处理，完全曝光部分的光阻可以被显影液去除，未曝光部分的光阻未被显影液去除，接着刻蚀去除未被光阻层遮盖的金属层，并去除光阻层，最终保留的金属层即可形成为TFT的栅极图案12。
本实施例可以采用CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)方法在栅极图案12上形成栅极绝缘层13，该栅极绝缘层13为覆盖栅极图案12的一整面结构，其材质可以为硅氧化物(SiOx)。当然，栅极绝缘层13也可以包括依次形成于栅极图案12上的硅氧化合物层和硅氮化合物，例如SiO2(二氧化硅)和Si3N4(三氮化硅)，从而能够进一步提高栅极绝缘层13的耐磨损能力和绝缘性能。
接着，本实施例可采用CVD方法形成一整面半导体层，而后对一整面半导体层进行图案化制程，从而仅保留位于栅极图案12上方的半导体层，即形成半导体图案14。当然，本发明也可采用CVD方法并结合具有预定图案的掩膜板，直接形成半导体图案14。
最后，本实施例可以采用与形成栅极图案12相同的图案化制程工艺形成所述源极图案151和漏极图案152。
继续参阅图1，第一钝化层16为覆盖于薄膜晶体管T0之上的一整面结构，于此，本实施例可采用CVD方法形成第一钝化层16。
S23：在第一钝化层上形成色阻图案，并在色阻图案上开设未贯穿色阻图案的排气孔。
本实施例可采用涂覆方法在第一钝化层16上形成各种颜色子像素的色阻图案17。进一步，形成排气孔171的过程可以为：在第一钝化层16上形成一整面光阻层，而后采用光罩，例如Half-tone(半色调)光罩，对所述一整面光阻层进行曝光显影，以去除预定区域的光阻层，接着，刻蚀去除未被所述预定区域的光阻层遮盖的色阻图案17，从而形成未贯穿色阻图案17的排气孔171，最后去除剩余光阻层。
S24：在色阻图案上形成第二钝化层，并在第二钝化层上开设过孔，所述过孔与排气孔导通以供色阻图案内的气体逸出。
本实施例可采用CVD方法形成一整面第二钝化层18，而后采用曝光显影及刻蚀的图案化制程形成过孔181。
继而，本实施例可以采用PVD方法和图案化制程形成具有上述结构设计的像素电极图案19。像素电极图案19的材质可以为ITO(Indium tin oxide,氧化铟锡)，并与薄膜晶体管T0的漏极图案152电连接。
上述制造方法可制得与图1所示结构相同的阵列基板10，因此具有与其相同的有益效果。
图3是本发明一实施例的液晶面板的结构剖视图。请参阅图3，所述液晶面板30包括相对间隔设置的彩膜基板(Color Filter Substrate,CF基板)31和阵列基板32，以及填充于两基板之间的液晶分子33，液晶分子33位于彩膜基板31和阵列基板32叠加形成的液晶盒内。本实施例的阵列基板32可以采用与上述阵列基板10相同的结构，因此其具有与阵列基板10相同的有益效果。
应理解，以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基材；
栅极图案，位于所述衬底基材上；
栅极绝缘层，位于所述衬底基材上并覆盖所述栅极图案；
源极图案和漏极图案，间隔设置于所述栅极绝缘层上；
第一钝化层，位于所述栅极绝缘层上，并覆盖源极图案和漏极图案；
色阻图案，位于所述第一钝化层上，所述色阻图案开设有未贯穿所述色阻图案的排气孔；
第二钝化层，位于所述色阻图案上，所述第二钝化层开设有过孔，所述过孔与所述排气孔导通以供所述色阻图案内的气体逸出。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述排气孔的侧面和所述过孔的侧面均为斜面。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述排气孔在衬底基材上的正投影落于所述过孔在衬底基材上的正投影之内。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述排气孔和所述过孔设置于所述阵列基板的像素的显示开口区域之外。
5.一种液晶面板，其特征在于，所述液晶面板包括权利要求1～4任一项所述的阵列基板，以及与所述阵列基板相对间隔的彩膜基板。
6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底基材；
在所述衬底基材上依次形成栅极图案、栅极绝缘层、源极图案和漏极图案、及第一钝化层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极图案，所述源极图案和漏极图案间隔设置于所述栅极绝缘层上，所述第一钝化层覆盖所述源极图案和漏极图案；
在所述第一钝化层上形成色阻图案，并在所述色阻图案上开设未贯穿所述色阻图案的排气孔；
在所述色阻图案上形成第二钝化层，并在所述第二钝化层上开设过孔，所述过孔与所述排气孔导通以供所述色阻图案内的气体逸出。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在所述色阻图案上开设未贯穿所述色阻图案的排气孔，包括：
在所述第一钝化层上形成光阻层；
采用光罩对所述光阻层进行曝光显影，以去除预定区域的光阻层；
刻蚀去除未被所述预定区域的光阻层遮盖的色阻图案，以形成未贯穿所述色阻图案的排气孔；
去除剩余光阻层。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，设置所述排气孔的侧面和所述过孔的侧面均为斜面。
9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，设置所述排气孔在衬底基材上的正投影落于所述过孔在衬底基材上的正投影之内。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，设置所述排气孔设置于所述阵列基板的像素的显示开口区域之外。
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