CN105374947B - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机电致发光器件，包括：阵列基板，所述阵列基板包括显示区及围绕所述显示区的非显示区；电致发光结构，位于所述阵列基板的显示区内；薄膜封装层，设置于所述电致发光结构之上，所述薄膜封装层包括无机膜层与有机膜层，所述无机膜层包括第一无机膜层与第二无机膜层，所述有机膜层位于所述第一无机膜层与所述第二无机膜层之间，所述第一无机膜层直接接触并覆盖所述电致发光结构接触，所述第一无机膜层与所述第二无机膜层在所述阵列基板的非显示区内直接接触；挡墙，设置于所述第二无机膜层之上，并且位于所述阵列基板的非显示区内，所述挡墙由高分子材料制成。有效防止了无机膜层边缘处发生翘曲、破裂及剥离等情况的产生。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
OLED，即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，又称为有机电致发光器件，是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的现象。OLED发光原理是用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。使用OLED的面板无论在画质、效能及成本上，先天表现都较薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)优秀很多。然而一般OLED的生命周期易受周围水气与氧气所影响而降低，因此OLED面板需要良好的封装来隔绝周围水气与氧气。
目前，有机电致发光器件通常采用薄膜封装(Thin Film Encapsulation)方法，基于真空镀膜工艺制备有机薄膜和无机薄膜来形成薄膜封装层。其中，无机薄膜具有较高的致密性，是主要的水氧阻隔层，但是无机薄膜的弹性较低，内应力大，比较容易受内力或者外力作用产生裂缝或者与OLED器件剥离，因此要搭配有机薄膜作为缓冲层，有机薄膜因具有较高的弹性可以有效地抑制无机薄膜开裂。
但是，请参考图1，在现有技术中，为了能够有效的将电致发光器件与水气和氧气隔绝，无机膜层会将有机膜层包覆。这样，无机膜层在其边缘部分是没有有机膜层进行缓冲的，这就导致应力会集中于无机膜层边缘，在此应力作用下，无机膜层边缘处的薄膜易发生翘曲、破裂及剥离，导致阻隔水汽的能力减弱，影响了有机电致发光器件的寿命与性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够防止无机膜层边缘处发生翘曲、破裂及剥离的有机电致发光器件及其制备方法，能够有效提高有机电致发光器件的防水气和氧气的能力，从而有效延长有机电致发光器件的寿命。
第一方面，提供一种有机电致发光器件，包括：
阵列基板，所述阵列基板包括显示区及围绕所述显示区的非显示区；
电致发光结构，位于所述阵列基板的显示区内；
薄膜封装层，设置于所述电致发光结构之上，所述薄膜封装层包括无机膜层与有机膜层，所述无机膜层包括第一无机膜层与第二无机膜层，所述有机膜层位于所述第一无机膜层与所述第二无机膜层之间，所述第一无机膜层直接接触并覆盖所述电致发光结构接触，所述第一无机膜层与所述第二无机膜层在所述阵列基板的非显示区内直接接触；
挡墙，设置于所述第二无机膜层之上，并且位于所述阵列基板的非显示区内，所述挡墙由高分子材料制成。
第二方面，提供一种有机电致发光器件的其制备方法，包括：
S1、在阵列基板的显示区上形成有机电致发光器件；
S2、在所述电致发光器件之上形成第一无机膜层，所述第一无机膜层包覆所述有机电致发光结构；
S3、在所述第一无机膜层之上形成有机膜层；
S4、在所述有机膜层之上形成第二无机膜层，所述第二无机膜层包覆所述有机膜层；
S5、在所述第二无机膜层与所述阵列基板的非显示区对应的区域上形成由高分子材料制成的挡墙。
与现有技术相比，由于所述有机电致发光器件设置有挡墙，设置于所述第二无机膜层之上，并且位于所述阵列基板的非显示区内，由于所述挡墙具有一定的重力，使得所述挡墙对位于其下表面的无机膜层具有一定的压力，这样，所述无机膜层就不容易翘曲和剥离。由于所述挡墙由高分子材料制成，高分子材料为纤维网格状结构，可以改变应力传递方向，将应力分散，防止了由各种形变产生的应力的集中，从而有效地解决无机层应力集中的问题，避免有害裂纹的产生。
附图说明
图1为现有技术中有机电致发光器件的剖面示意图；
图2为本发明实施例一提供的一种有机电致发光器件的剖面示意图；
图3为图2所示的一种有机电致发光器件的阵列基板的俯视图；
图4为本发明实施例一提供的一种有机电致发光器件的另一剖视图；
图5为本发明实施例一提供的一种有机电致发光器件的再一剖视图；
图6为图2所示的一种有机电致发光器件的俯视图；
图7为本发明实施例一提供的一种有机电致发光器件的另一俯视图；
图8为本发明实施例一提供的一种有机电致发光器件的又一剖视图；
图9为本发明实施例一提供的一种有机电致发光器件的又一剖视图；
图10为本发明实施例一提供的一种有机电致发光器件的又一剖视图；
图11为本发明实施例二提供的一种有机电致发光器件的制备方法的流程图。
附图标记说明：
10 阵列基板 20 电致发光结构 30 薄膜封装层
40 挡墙 11 显示区 12 非显示区
13 基板 14 膜层 31 无机膜层
311 第一无机膜层 312 第二无机膜层
3111 第一子无机膜层 3121 第二子无机膜层
32 有机膜层 41 突起
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
请参考图2，本发明提供一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括：阵列基板10、电致发光结构20、薄膜封装层30及挡墙40，所述电致发光结构20、薄膜封装层30及挡墙40依次设置在所述阵列基板10之上。
请参考图3，所述阵列基板10包括显示区11及围绕所述显示区的非显示区12。请参考图4，所述阵列基板10包括基板13及形成在所述基板10上的多层膜层14。其中，所述基板10可以为玻璃基板也可以为柔性基板。所述阵列基板10内设置有多个呈阵列排布的薄膜晶体管开关(未图示)，用来对所述电致发光结构20进行控制。
请参考图2与图3，所述电致发光结构20位于所述阵列基板10的显示区11内。
请参考图2，所述薄膜封装层30设置于所述电致发光结构20之上，所述薄膜封装层30包括无机膜层31与有机膜层32。所述无机膜层31包括第一无机膜层311与第二无机膜层312。所述有机膜层31位于所述第一无机膜层311与所述第二无机膜层312之间。所述第一无机膜层311直接接触并覆盖所述电致发光结构20，所述第一无机膜层311与所述第二无机膜层312在所述阵列基板10的非显示区12内直接接触。制成所述第一无机膜层311或第二无机膜层312的材料为SiNx、SiNOx,、SiO2及Al2O3中的一种或几种的混合物，制成所述有机膜层32的材料为亚克力系材料。如图5所示，可选的，所述第一无机膜层311可以包括多层由不同材料制成的第一子无机膜层3111，所述第二无机膜层312可以包括多层由不同材料制成的第二子无机膜层3121。
请参考图2与图3，所述挡墙40设置于所述薄膜封装层30的第二无机膜层312之上，并且位于所述阵列基板10的非显示区12内。所述挡墙40的形状可以为如图6所示的闭合的环状，也可以为如图7所示的间隔设置的多个突起41。所述挡墙的截面可以为如图2所示的梯形、也可以为如图8所示的半球形或者也可以为如图9所示的山形。所述挡墙40为有机物，由高分子材料制成，可选的，制成所述挡墙40的高分子材料为亚克力系材料。可选的，请参考图2至图9，所述挡墙40全部位于所述第二无机膜层312之上。可选的，请参考图10，所述挡墙40一部分位于所述第二无机膜层312之上；另外一部分位于所述阵列基板10之上，直接与所述阵列基板10接触。
与现有技术相比，由于所述有机电致发光器件设置有挡墙40，设置于所述第二无机膜层312之上，并且位于所述阵列基板10的非显示区11内，由于所述挡墙40具有一定的重力，使得所述挡墙40对位于其下表面的无机膜层31具有一定的压力，这样，所述无机膜层31就不容易翘曲和剥离。由于所述挡墙40由高分子材料制成，高分子材料为纤维网格状结构，可以改变应力传递方向，将应力分散，防止了由各种形变产生的应力的集中，从而有效地解决无机层31应力集中的问题，避免有害裂纹的产生。同时，由于制成所述挡墙40的材料为有机物，与制成无机膜层31的材料不同，而有机物与无机物两种材料的在热膨胀系数、弹性模量等方面的性能均不同，这样，在两种材料接触的界面就不允许其中一种材料发生突变性形变，同样避免了有害裂纹的产生。
实施例二
请参考图11，提供一种制备实施例一所述的有机电致发光器件的方法，包括：
S1、在阵列基板10的显示区11上形成有机电致发光器件20；
S2、在所述电致发光器件20之上形成第一无机膜层311，所述第一无机膜层311包覆所述有机电致发光结构20；
S3、在所述第一无机膜层311之上形成有机膜层32；
S4、在所述有机膜层32之上形成第二无机膜层312，所述第二无机膜层312包覆所述有机膜层32；
S5、在所述第二无机膜层312与所述阵列基板10的非显示区12对应的区域上形成由高分子材料制成的挡墙40。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (14)
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：
阵列基板，所述阵列基板包括显示区及围绕所述显示区的非显示区；
电致发光结构，位于所述阵列基板的显示区内；
薄膜封装层，设置于所述电致发光结构之上，所述薄膜封装层包括无机膜层与有机膜层，所述无机膜层包括第一无机膜层与第二无机膜层，所述有机膜层位于所述第一无机膜层与所述第二无机膜层之间，所述第一无机膜层直接接触并覆盖所述电致发光结构，所述第一无机膜层与所述第二无机膜层在所述阵列基板的非显示区内直接接触；
挡墙，设置于所述第二无机膜层之上，并且位于所述阵列基板的非显示区内，所述挡墙由高分子材料制成。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述挡墙全部位于所述第二无机膜层之上。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述挡墙一部分位于所述第二无机膜层之上；另外一部分位于所述阵列基板之上，直接与所述阵列基板接触。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述挡墙的形状为闭合的环状。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述挡墙的形状为间隔设置的多个突起。
6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述挡墙的截面为梯形、半球形或山形。
7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，制成所述挡墙的高分子材料为亚克力系材料。
8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，制成所述第一无机膜层或第二无机膜层的材料为SiNx、SiNOx、SiO2及Al2O3中的一种或几种的混合物。
9.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一无机膜层包括多层由不同材料制成的第一子无机膜层。
10.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二无机膜层包括多层由不同材料制成的第二子无机膜层。
11.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，制成所述有机膜层的材料为亚克力系材料。
12.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阵列基板包括基板及形成在所述基板上的多层膜层。
13.如权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述基板为玻璃基板或者柔性基板。
14.一种如权利要求1～13任一项所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
S1、在阵列基板的显示区上形成有机电致发光器件；
S2、在所述电致发光器件之上形成第一无机膜层，所述第一无机膜层包覆所述有机电致发光结构；
S3、在所述第一无机膜层之上形成有机膜层；
S4、在所述有机膜层之上形成第二无机膜层，所述第二无机膜层包覆所述有机膜层；
S5、在所述第二无机膜层与所述阵列基板的非显示区对应的区域上形成由高分子材料制成的挡墙。
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