CN114079021A - 一种低温多晶硅边框和oled屏 - Google Patents

一种低温多晶硅边框和oled屏 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种低温多晶硅边框和OLED屏，所述低温多晶硅边框包括层叠设置的聚酰亚胺膜、第一有机膜、第一无机膜、信号线、第二无机膜、阳极、第二有机膜、第三有机膜、第四有机膜、第五有机膜、第一薄膜封装无机膜、薄膜封装有机膜和第二薄膜封装无机膜，所述第一无机膜设置在所述聚酰亚胺膜之上，且所述聚酰亚胺膜的宽度大于第一无机膜，所述第一有机膜设置在所述聚酰亚胺膜和所述第一无机膜之上。本发明提供的低温多晶硅边框既不会在切割之后产生裂纹，也不会在PVD制程中造成Al凸起。

Description

一种低温多晶硅边框和OLED屏
技术领域
本发明涉及有机发光半导体技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅边框和OLED屏。
背景技术
有机发光半导体(OLED)柔性屏幕外形切割需采用激光切割，切割道如存在无机膜或者金属膜层，激光切割会造成切割道的微小裂纹，微小裂纹在后续模组制程中易因外力碰撞造成裂纹的延伸，从而导致边缘封装失效。
为了解决上述问题，现有技术中采用将无机膜净空的方法，该方法虽然解决了裂纹的问题，但是使得聚酰亚胺层裸露出来，会对后续的真空镀膜(PVD)制程带来不利影响。
CN108231855A公开了一种柔性OLED面板的制造方法、柔性OLED面板及显示器。所述柔性OLED面板采用所述制造方法制造而成，所述显示器包括所述柔性OLED面板。该发明的方案通过在无机层上设置开孔来释放开裂应力，起到了阻挡裂纹扩散的作用；使得所述开孔排成至少两排，且相邻两排的所述开孔在所述围绕方向上错位排列，以使所述第二区远离所述第一区的边界上的任一位置到所述显示区内任一位置的连线上分布有至少一个所述开孔，能够使无机层任一位置裂纹的扩散，都能被至少一个所述开孔阻挡，从而确保了任一位置的裂纹均无法蔓延至显示区，提高了柔性OLED面板的制造良率，提升了柔性OLED面板的信赖性。该发明提供的开孔的方法仅仅是能够阻止裂纹的蔓延，不能够从根源上避免裂纹的产生。
CN107695533A公开了一种激光切割方法，通过在进行激光切割前，在待切割基板的切割轨迹上覆盖吸热层，使得激光沿所述待切割基板的切割轨迹切割所述待切割基板时，所述吸热层能够部分吸收所述激光的热能，从而减小切割时在所述待切割基板上切割位置与其周围的非切割位置的温度梯度的大小，减少热应力的产生，进而减少裂纹等缺陷的产生，得到品质较佳的产品。该方法对于裂纹的改善程度有限，切割的温度较高或者切割时间较长时仍然会产生较为严重的裂纹。
CN110676394A公开了一种柔性OLED的制作方法，包括：确定柔性基板中的各条切割道，将切割道内的无机层刻蚀掉，在完成柔性基板中OLED的蒸镀和封装工艺后，沿切割道将柔性基板切割为所述多个显示面板。考虑到切割造成的裂纹主要是柔性基板上的无机层中产生的裂纹，因而，该发明在柔性基板进行OLED的蒸镀工艺之前，就将切割到的无机层刻蚀掉，如此，可有效避免在OLED的蒸镀、封装工艺完成后，将柔性基板切割为多个显示面板的过程中产生的无机层裂纹，避免OLED失效。但是将无机层刻蚀掉之后，聚酰亚胺层会裸露，影响PVD制程。
因此，本领域亟待研究如何解决切割产生裂纹的问题，同时避免聚酰亚胺层裸露对PVD制程带来的不利影响。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种低温多晶硅边框。所述低温多晶硅边框经过切割之后不会产生裂纹，也不会在PVD制程中造成Al凸起。
为达此目的，本发明采用如下技术方案：
本发明提供一种低温多晶硅(LTPS)边框，所述低温多晶硅边框包括层叠设置的聚酰亚胺膜1、第一有机膜2、第一无机膜3、信号线4、第二无机膜5、阳极6、第二有机膜7、第三有机膜8、第四有机膜9、第五有机膜10、第一薄膜封装无机膜11、薄膜封装有机膜12和第二薄膜封装无机膜13，所述第一无机膜3设置在所述聚酰亚胺膜1之上，且所述聚酰亚胺膜1的宽度大于第一无机膜3，所述第一有机膜2设置在所述聚酰亚胺膜1和所述第一无机膜3之上。
本发明提供的LTPS边框的具体膜层结构如图1所示。
本发明提供的LTPS边框中去掉了一部分第一无机膜，使其宽度小于聚酰亚胺膜，再覆盖一层第一有机膜，去除第一无机膜后，避免了切割带来的边缘膜层应力，防止裂纹的产生，用第一有机膜包覆聚酰亚胺膜额度裸露位置，避免了后续对于PVD制程的影响，不会造成铝凸起。
本发明的中，去除第一无机膜的方法为净空处理，采用化学气相沉积(CVD)镀膜，经过黄光照射、显影、蚀刻、去光阻工艺对第一无机膜进行去除，所述净空方法为现有技术，本领域技术人员可以根据实际情况选择工艺步骤和工艺参数。净空之后，切割道无法触碰到第一无机膜，也就避免了边缘膜应力的产生，进而防止裂纹产生。
本发明中，第一有机膜通过涂布方法覆盖到聚酰亚胺膜和第一无机膜上。
优选地，所述第一有机膜2的边缘厚度为1-1.5μm，例如1.1μm、1.2μm、1.3μm、1.4μm等。边缘厚度是指的沿着切割道的厚度，且指的是覆盖在聚酰胺膜上的那部分第一有机膜的厚度。
优选地，所述第一无机膜3包括层叠设置的3～6层无机膜，例如4层或5层，优选包括层叠设置的5层无机膜。
优选地，所述低温多晶硅边框包括层叠设置的聚酰亚胺膜1、第一有机膜2、第三无机膜301、第四无机膜302、第五无机膜303、第六无机膜304、第七无机膜305、信号线4、第二无机膜5、阳极6、第二有机膜7、第三有机膜8、第四有机膜9、第五有机膜10、第一薄膜封装无机膜11、薄膜封装有机膜12和第二薄膜封装无机膜13，所述第三无机膜301、第四无机膜302、第五无机膜303、第六无机膜304、第七无机膜305依次设置在所述聚酰亚胺膜1之上，且宽度均小于所述聚酰亚胺膜1，所述第一有机膜2设置在所述聚酰亚胺膜1和所述第七无机膜305之上。
所述第三无机膜301、第四无机膜302、第五无机膜303、第六无机膜304、第七无机膜305即为第一无机膜3中的五层结构。
优选地，所述第一有机膜2、第二有机膜7、第三有机膜8、第四有机膜9、第五有机膜10和薄膜封装有机膜12的制备原料各自独立地选自聚酰亚胺类物质。
优选地，所述第一无机膜3、第二无机膜5、第一薄膜封装无机膜11和第二薄膜封装无机膜13的制备原料各自独立地选自氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的任意一种或至少两种组合。
优选地，所述第三无机膜301、第四无机膜302、第五无机膜303、第六无机膜304、第七无机膜305的制备原料各自独立地选自氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的任意一种或至少两种组合。
优选地，所述信号线4的制备原料包括钛和铝的组合。
优选地，所述阳极6的制备原料包括银和氧化铟锡的组合。
优选地，所述信号线4设置在所述第一无机膜3之上。
优选地，所述第二无机膜5设置在所述第一无机膜3和信号线4之上。
优选地，所述阳极6设置在所述信号线4之上。
优选地，所述第二有机膜7设置在所述第二无机膜5之上。
优选地，所述第三有机膜8设置在所述第二无机膜5和第二有机膜7之上。
优选地，所述第四有机膜9设置在所述第三有机膜8之上。
优选地，所述第五有机膜10设置在所述阳极6之上。
优选地，所述第三有机膜8和第五有机膜10的制备原料相同，且二者同时蒸镀。
优选地，所述第一薄膜封装无机膜11设置在所述第一无机膜3、第二无机膜5、第三有机膜8、第四有机膜9和第五有机膜10之上。
优选地，所述薄膜封装有机膜12设置在所述第一薄膜封装无机膜11之上。
优选地，所述第二薄膜封装无机膜13设置在所述第一薄膜封装无机膜11和薄膜封装有机膜12之上。
本发明的目的之二在于提供一种OLED屏，所述OLED屏包括目的之一所述的低温多晶硅边框。
相较于现有技术，本发明具有如下有益效果：
本发明提供的LTPS边框中去掉了一部分第一无机膜，使其宽度小于聚酰亚胺膜，再覆盖一层第一有机膜，去除第一无机膜后，避免了切割带来的边缘膜层应力，防止裂纹的产生，用第一有机膜包覆聚酰亚胺膜额度裸露位置，避免了后续对于PVD制程的影响，不会造成Al凸起。
附图说明
图1是本发明提供的LTPS边框的膜层结构图；
其中，1-聚酰亚胺膜，2-第一有机膜，3-第一无机膜，4-信号线，5-第二无机膜，6-阳极，7-第二有机膜，8-第三有机膜，9-第四有机膜，10-第五有机膜，11-第一薄膜封装无机膜，12-薄膜封装有机膜，13-第二薄膜封装无机膜。
图2是本发明实施例1提供的LTPS边框的膜层结构图；
其中，1-聚酰亚胺膜，2-第一有机膜，301-第三无机膜，302-第四无机膜，303-第五无机膜，304-第六无机膜，305-第七无机膜，4-信号线，5-第二无机膜，6-阳极，7-第二有机膜，8-第三有机膜，9-第四有机膜，10-第五有机膜，11-第一薄膜封装无机膜，12-薄膜封装有机膜，13-第二薄膜封装无机膜。
图3是本发明对比例2提供的LTPS边框的膜层结构图；
其中，1-聚酰亚胺膜，306-第三无机膜，307-第四无机膜，308-第五无机膜，309-第六无机膜，300-第七无机膜，4-信号线，5-第二无机膜，6-阳极，7-第二有机膜，8-第三有机膜，9-第四有机膜，10-第五有机膜，11-第一薄膜封装无机膜，12-薄膜封装有机膜，13-第二薄膜封装无机膜。
具体实施方式
为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供一种低温多晶硅边框，其膜层结构如图2所示，包括层叠设置的聚酰亚胺膜1、第一有机膜2(平均厚度为1.2μm)、第三无机膜301、第四无机膜302、第五无机膜303、第六无机膜304、第七无机膜305、信号线4、第二无机膜5、阳极6、第二有机膜7、第三有机膜8、第四有机膜9、第五有机膜10、第一薄膜封装无机膜11、薄膜封装有机膜12和第二薄膜封装无机膜13。
所述第一有机膜2的平均厚度为1.2μm。
在制备第一有机膜2时，先对第三无机膜301、第四无机膜302、第五无机膜303、第六无机膜304和第七无机膜305的一侧进行净空处理，其材料的选择和制造工艺如表1所示：
表1
材料和制造工艺
聚酰亚胺膜1 聚酰亚胺，涂布工艺制程
第一有机膜2 聚酰亚胺，涂布工艺制程
第三无机膜301 化学气相沉积工艺成膜；气体SiH<sub>4</sub>、N<sub>2</sub>O、NH<sub>3</sub>
第四无机膜302 化学气相沉积工艺成膜；气体SiH<sub>4</sub>、N<sub>2</sub>O、NH<sub>3</sub>
第五无机膜303 化学气相沉积工艺成膜；气体SiH<sub>4</sub>、N<sub>2</sub>O、NH<sub>3</sub>
第六无机膜304 化学气相沉积工艺成膜；气体SiH<sub>4</sub>、N<sub>2</sub>O、NH<sub>3</sub>
第七无机膜305 化学气相沉积工艺成膜；气体SiH<sub>4</sub>、N<sub>2</sub>O、NH<sub>3</sub>
信号线4 物理气相沉积工艺，材料：Ti、Al
第二无机膜5 化学气相沉积工艺成膜；气体SiH<sub>4</sub>、N<sub>2</sub>O、NH<sub>3</sub>
阳极6 物理气相沉积工艺：材料：ITO、Ag
第二有机膜7 聚酰亚胺，涂布工艺制程
第三有机膜8 聚酰亚胺，涂布工艺制程
第四有机膜9 聚酰亚胺，涂布工艺制程
第五有机膜10 聚酰亚胺，涂布工艺制程
第一薄膜封装无机膜11 化学气相沉积工艺成膜；气体SiH<sub>4</sub>、N<sub>2</sub>O、NH<sub>3</sub>
薄膜封装有机膜12 材料：环氧树脂/亚克力系有机材，喷墨打印工艺
第二薄膜封装无机膜13 化学气相沉积工艺成膜；气体SiH<sub>4</sub>、N<sub>2</sub>O、NH<sub>3</sub>
对比例1
与实施例1的区别在于，低温多晶硅边框不包含第一有机膜。
对比例2
与实施例1的区别在于，不包含第一有机膜，且第三无机膜、第四无机膜、第五无机膜、第六无机膜和第七无机膜的宽度与聚酰亚胺膜的宽度相同，如图3所示，包括层叠设置的聚酰亚胺膜1、第三无机膜306、第四无机膜307、第五无机膜308、第六无机膜309、第七无机膜300、信号线4、第二无机膜5、阳极6、第二有机膜7、第三有机膜8、第四有机膜9、第五有机膜10、第一薄膜封装无机膜11、薄膜封装有机膜12和第二薄膜封装无机膜13。
性能测试：
观察上述实施例和对比例的低温多晶硅边框经过激光切割后的状态，结果如表2所示。
表2
裂纹 Al凸起
实施例1 无裂纹 无凸起
对比例1 无裂纹 有凸起
对比例2 有裂纹 无凸起
由表2所示的数据可知，本发明提供的低温多晶硅边框既不会在切割之后产生裂纹，也不会在PVD制程中造成Al凸起。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种低温多晶硅边框，其特征在于，所述低温多晶硅边框包括层叠设置的聚酰亚胺膜(1)、第一有机膜(2)、第一无机膜(3)、信号线(4)、第二无机膜(5)、阳极(6)、第二有机膜(7)、第三有机膜(8)、第四有机膜(9)、第五有机膜(10)、第一薄膜封装无机膜(11)、薄膜封装有机膜(12)和第二薄膜封装无机膜(13)，所述第一无机膜(3)设置在所述聚酰亚胺膜(1)之上，且所述聚酰亚胺膜(1)的宽度大于第一无机膜(3)，所述第一有机膜(2)设置在所述聚酰亚胺膜(1)和所述第一无机膜(3)之上。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅边框，其特征在于，所述第一有机膜(2)的边缘厚度为1-1.5μm。
3.根据权利要求1或2所述的低温多晶硅边框，其特征在于，所述第一无机膜(3)包括层叠设置的3～6层无机膜，优选包括层叠设置的5层无机膜。
4.根据权利要求3所述的低温多晶边框，其特征在于，所述低温多晶硅边框包括层叠设置的聚酰亚胺膜(1)、第一有机膜(2)、第三无机膜(301)、第四无机膜(302)、第五无机膜(303)、第六无机膜(304)、第七无机膜(305)、信号线(4)、第二无机膜(5)、阳极(6)、第二有机膜(7)、第三有机膜(8)、第四有机膜(9)、第五有机膜(10)、第一薄膜封装无机膜(11)、薄膜封装有机膜(12)和第二薄膜封装无机膜(13)，所述第三无机膜(301)、第四无机膜(302)、第五无机膜(303)、第六无机膜(304)、第七无机膜(305)依次设置在所述聚酰亚胺膜(1)之上，且宽度均小于所述聚酰亚胺膜(1)，所述第一有机膜(2)设置在所述聚酰亚胺膜(1)和所述第七无机膜(305)之上。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的低温多晶硅边框，其特征在于，所述第一有机膜(2)、第二有机膜(7)、第三有机膜(8)、第四有机膜(9)、第五有机膜(10)和薄膜封装有机膜(12)的制备原料各自独立地选自聚酰亚胺类物质。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的低温多晶边框，其特征在于，所述第一无机膜(3)、第二无机膜(5)、第一薄膜封装无机膜(11)和第二薄膜封装无机膜(13)的制备原料各自独立地选自氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的任意一种或至少两种组合。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的低温多晶边框，其特征在于，所述信号线(4)的制备原料包括钛和铝的组合。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的低温多晶边框，其特征在于，所述阳极(6)的制备原料包括银和氧化铟锡的组合。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的低温多晶边框，其特征在于，所述信号线(4)设置在所述第一无机膜(3)之上；
优选地，所述第二无机膜(5)设置在所述第一无机膜(3)和信号线(4)之上；
优选地，所述阳极(6)设置在所述信号线(4)之上；
优选地，所述第二有机膜(7)设置在所述第二无机膜(5)之上；
优选地，所述第三有机膜(8)设置在所述第二无机膜(5)和第二有机膜(7)之上；
优选地，所述第四有机膜(9)设置在所述第三有机膜(8)之上；
优选地，所述第五有机膜(10)设置在所述阳极(6)之上；
优选地，所述第三有机膜(8)和第五有机膜(10)的制备原料相同，且二者同时蒸镀；
优选地，所述第一薄膜封装无机膜(11)设置在所述第一无机膜(3)、第二无机膜(5)、第三有机膜(8)、第四有机膜(9)和第五有机膜(10)之上；
优选地，所述薄膜封装有机膜(12)设置在所述第一薄膜封装无机膜(11)之上；
优选地，所述第二薄膜封装无机膜(13)设置在所述第一薄膜封装无机膜(11)和薄膜封装有机膜(12)之上。
10.一种OLED屏，其特征在于，所述OLED屏包括权利要求1-9中任一项所述的低温多晶硅边框。
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