CN109301079A - 封装结构及其制作方法、发光二极管显示面板 - Google Patents
封装结构及其制作方法、发光二极管显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109301079A CN109301079A CN201710607002.0A CN201710607002A CN109301079A CN 109301079 A CN109301079 A CN 109301079A CN 201710607002 A CN201710607002 A CN 201710607002A CN 109301079 A CN109301079 A CN 109301079A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- encapsulating structure
- seal part
- edge seal
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 claims abstract description 70
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 125
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 38
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 37
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 3
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
提供一种封装结构及其制作方法、发光二极管显示面板。该封装结构,包括:衬底基板;在所述衬底基板上的待封装器件;在所述衬底基板上并覆盖所述待封装器件的封装薄膜,以及在所述封装薄膜的边缘上的边缘封装件,并被配置为包裹所述封装薄膜的边缘。该封装结构可以提高发光二极管显示面板的良率和信赖性。
Description
技术领域
本公开至少一实施例涉及一种封装结构及其制作方法、发光二极管显示面板。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)显示器是一种有机电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此,利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
OLED器件的封装技术是影响OLED器件使用寿命的一个重要因素。薄膜封装(ThinFilm Encapsulation)是一种OLED器件封装中常用的封装方式,能够满足OLED器件更轻更薄的要求,所以众多的研究人员将目光转向了薄膜封装。
发明内容
本公开至少一实施例涉及一种封装结构及其制作方法、发光二极管显示面板,以提高发光二极管显示面板的良率和信赖性。
本公开的至少一实施例提供一种封装结构,包括:
衬底基板;
待封装器件,在所述衬底基板上;
封装薄膜,在所述衬底基板上并覆盖所述待封装器件,以及
边缘封装件,在所述封装薄膜的边缘上,并被配置为包裹所述封装薄膜的边缘。
根据本公开一实施例提供的封装结构,所述边缘封装件位于所述待封装器件外围。
根据本公开一实施例提供的封装结构,所述边缘封装件为封闭环型结构。
根据本公开一实施例提供的封装结构,所述边缘封装件材质包括有机材料。
根据本公开一实施例提供的封装结构,所述封装薄膜包括依次远离所述衬底基板的第一薄膜,第二薄膜和第三薄膜,所述第二薄膜夹设在所述第一薄膜和所述第三薄膜之间,且在边缘位置处,所述第一薄膜和所述第三薄膜接触,所述边缘封装件至少覆盖所述第一薄膜和所述第三薄膜的叠层接触部分。
根据本公开一实施例提供的封装结构,在所述边缘位置处,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述边缘封装件和所述第二薄膜具有重叠部分。
根据本公开一实施例提供的封装结构,所述第一薄膜和所述第三薄膜为无机薄膜,所述第二薄膜为有机薄膜。
根据本公开一实施例提供的封装结构,还包括阻挡部,所述阻挡部设置在所述边缘封装件远离所述封装薄膜的一侧。
根据本公开一实施例提供的封装结构,所述阻挡部和所述封装薄膜之间具有间隔。
根据本公开至少一实施例提供一种封装结构的制作方法,包括:
在衬底基板上形成待封装器件;
在所述待封装器件上覆盖封装薄膜,以及在所述封装薄膜的边缘形成边缘封装件,所述边缘封装件被配置为包裹所述封装薄膜的边缘。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,所述边缘封装件位于所述待封装器件外围。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,所述边缘封装件为封闭环型结构。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,所述边缘封装件材质包括有机材料。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,所述封装薄膜包括依次远离所述衬底基板的第一薄膜,第二薄膜和第三薄膜,所述第二薄膜夹设在所述第一薄膜和所述第三薄膜之间,且在边缘位置处,所述第一薄膜和所述第三薄膜接触,所述边缘封装件至少覆盖所述第一薄膜和所述第三薄膜的叠层接触部分。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,在所述边缘位置处,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述边缘封装件和所述第二薄膜具有重叠部分。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,所述第一薄膜和所述第三薄膜为无机薄膜,所述第二薄膜为有机薄膜。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,还包括形成阻挡部,其中,所述阻挡部设置在所述边缘封装件远离所述封装薄膜的一侧。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,所述阻挡部和所述封装薄膜之间具有间隔。
根据本公开至少一实施例提供的一种发光二极管显示面板,包括上述任一封装结构。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为一种OLED显示面板的俯视示意图;
图2A为图1中AB处的剖视示意图(仅示出封装薄膜部分);
图2B示出了颗粒掉落引起叠层接触部分碎裂进而引起封装失效的示意图;
图3A为OLED显示面板中较小长度的叠层接触部分;
图3B为OLED显示面板中较大长度的叠层接触部分;
图4A为OLED显示面板中设置第一阻挡坝的示意图;
图4B为OLED显示面板中第二薄膜的边缘更靠近第一阻挡坝的示意图;
图4C为OLED显示面板还包括第二阻挡坝107的示意图;
图5为图1中CD处以及EF处的剖视示意图;
图6A为本公开一实施例提供的一种OLED显示面板/封装结构的俯视示意图;
图6B为本公开一实施例提供的一种边缘封装件的俯视示意图;
图7A为本公开一实施例提供的图6A中GH处的剖视图(仅示出封装结构部分);
图7B为本公开另一实施例提供的封装结构的示意图(图6A中GH处的剖视图);
图8为本公开另一实施例提供的封装结构的示意图;
图9为图6A中JK处和MN处的剖视示意图;
图10为本公开一实施例提供的OLED显示面板母板/封装结构的示意图;
图11为图10中PQ处的剖视图;
图12为图10中UV处和XY处的剖视图;
图13A为一种OLED显示面板制作方法中,在形成了阵列排布的TFT的衬底基板上形成待封装器件的示意图;
图13B为一种OLED显示面板制作方法中,在待封装器件上形成封装薄膜的示意图;
图13C为一种OLED显示面板制作方法中,在封装薄膜上贴覆上保护膜的示意图;
图13D为一种OLED显示面板制作方法中,采用激光照射支撑基板远离衬底基板的一侧的示意图;
图13E为一种OLED显示面板制作方法中,支撑基板与衬底基板分离后,在衬底基板远离待封装器件的一侧贴覆底膜的示意图;
图13F为一种OLED显示面板制作方法中,将显示面板母板切割为显示面板的示意图;
图14为本公开一实施例提供的封装结构的制作方法的示意图;
图15为本公开一实施例提供的显示面板/封装结构的制作方法的示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1示出了一种OLED显示面板的俯视示意图,如图1所示,OLED显示面板包括封装薄膜覆盖区域(保护区)11、非保护区域12和绑定区域(Bonding Region)13。非保护区域12未覆盖封装薄膜,非保护区域12可位于封装薄膜覆盖区域11的外围,绑定区域可13设置在封装薄膜覆盖区域11的一侧。
图2A示出了图1中AB处的剖视示意图(仅示出封装薄膜部分),如图2所示,封装薄膜1123设置在衬底基板100上,封装薄膜1123包括依次远离衬底基板100的第一薄膜101,第二薄膜102和第三薄膜103,第二薄膜102夹设在第一薄膜101和第三薄膜103之间,且在边缘位置处,第一薄膜101和第三薄膜103接触,图2A中示出了第一薄膜101和第三薄膜103的叠层接触部分(叠层接触处)1013。例如,第一薄膜101和第三薄膜103可为无机薄膜,例如可为SiNx、SiOx、SiCxNy等无机氧化物,但不限于此。例如,第二薄膜102可为有机薄膜,例如,可以为树脂等有机物,但不限于此。树脂例如可为热固性树脂,热固性树脂例如包括环氧树脂,但不限于此。树脂例如可为热塑性树脂,热塑性树脂例如包括亚克力(PMMA)树脂,但不限于此。例如,第一薄膜101和第三薄膜103可采用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition,CVD)方法制作,第二薄膜102可采用喷墨打印(Ink Jet Printing,IJP)的方法制作。第一薄膜101和第三薄膜103均可作为阻水层。例如,第一薄膜101可包括多个叠层设置的子层,第二薄膜102和第三薄膜103也可分别包括多个叠层设置的子层。
如图2B所示,在OLED显示面板制作过程中,可能会有颗粒(particles)001掉落,掉落在叠层接触部分1013的颗粒001容易引起叠层接触部分1013的碎裂。从而,OLED显示面板容易受到水002和氧气003的侵袭,易影响显示区域,影响OLED显示面板的良率和信赖性。例如,当落在边缘的颗粒或者激光切割产生的颗粒在进行压合时可能会导致边缘区域的叠层接触部分1013造成碎裂,从而使得封装失效。
图3A和图3B示出了不同长度的叠层接触部分1013。图3A中示出了叠层接触部分1013的长度L1,如图3B所示,为了提高封装的可靠性,可提高叠层接触部分1013的长度至L2,L2>L1。但因为叠层接触部分1013的长度的增加,也同时增加了颗粒001掉落在叠层接触部分1013上的几率。
如图4A所示,为了利于第二薄膜102的制作和/或增加叠层接触部分1013的有效长度,可设置第一阻挡坝106。有效长度例如是指叠层接触部分1013的实际长度,有效长度的提高可利于延长水氧从边缘渗入的路径。图4A中还示出了第二薄膜102的爬坡距离D,爬坡距离D可为第二薄膜102从边缘处开始到远离边缘处以至达到目标高度的距离。目标高度可为在显示区第二薄膜102可具有的厚度范围。例如,目标高度可为微米量级,例如可为4-15μm,但不限于此。因在爬坡位置,第二薄膜的厚度比较小,若在封装薄膜制作时有颗粒001掉落,则易引起OLED显示面板的不良,并易降低信赖性。
图4B中示出了第二薄膜102的边缘更靠近第一阻挡坝106的情形。此时,可减小爬坡距离。
图4C示出了OLED显示面板还包括第二阻挡坝107的情形。多个阻挡坝的设置,可进一步提高的叠层接触部分1013的有效长度以及延长水氧从边缘渗入的路径。
图5示出了图1中CD处以及EF处的剖视示意图,在一实施例中,在支撑基板200上设置衬底基板100,衬底基板100可为柔性基板,例如,可为聚酰亚胺(Polyimide,PI),但不限于此。支撑基板200可为玻璃基板。衬底基板100上可设置薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)3123阵列,图5中仅示出了一个薄膜晶体管3123。薄膜晶体管3123可包括半导体层、栅极、栅极绝缘层、源极和漏极等。如图5所示,衬底基板100上可依次设置有缓冲层111、半导体层112,栅极绝缘层113、栅极114、层间介电层115和源漏极层116,源漏极层116包括源极1161和漏极1162,源极1161和漏极1162彼此间隔并可分别通过过孔与半导体层112相连。薄膜晶体管3123上可设置平坦层117,平坦层117上可设置待封装器件(OLED)2123,待封装器件(OLED)2123可包括第一电极121,发光功能层122和第二电极123,第一电极121可通过贯穿平坦层117的过孔与漏极1162电连接。第一电极121上可设置像素限定层118以利于形成发光功能层122。第二电极123可通过连接电极1211与电极引线1163电连接。发光功能层122可包括发光层,还可包括其他功能层,例如还可包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等至少之一,但不限于此。例如,电极引线1163可与源漏极层116同层形成。在待封装器件(OLED)2123上可形成封装薄膜1123。封装薄膜1123可如前所述。封装薄膜1123覆盖待封装器件2123。待封装器件(OLED)2123的结构不限于此。
图5中还示出了第一阻挡坝106和第二阻挡坝107。第一阻挡坝106可与像素限定层118同层形成。第二阻挡坝107可包括第一子阻挡坝1071和第二子阻挡坝1072。例如,第一子阻挡坝1071可与平坦层117同层形成,第二子阻挡坝1072可与像素限定层118同层形成。
图6A示出了本公开一实施例提供的一种OLED显示面板/封装结构的俯视示意图。OLED显示面板的封装结构中还包括边缘封装件104,边缘封装件104在封装薄膜1123的边缘上。例如,如图6A所示,边缘封装件104可为封闭环型结构。环型例如可包括矩形环、圆环等,对于环的形状不做限定。例如,边缘封装件104材质(主材)可包括有机材料,有机材料可包括树脂、含硅基的有机胶体等,作为边缘封装件104主材的树脂例如可为热固性树脂,热固性树脂例如包括环氧树脂,但不限于此,作为边缘封装件104主材的树脂例如可为热塑性树脂,热塑性树脂例如包括亚克力(PMMA)树脂,但不限于此。边缘封装件104材质除了上述主材外,还可以包括其他辅材,辅材例如包括固化剂、流平剂等,但不限于此。例如,边缘封装件104的厚度可为4-15μm,但不限于此。
例如,如图6B所示,边缘封装件104具有镂空结构1040。即,边缘封装件104仅位于封装薄膜1123的边缘,仅包裹封装薄膜1123的边缘。
因边缘封装件104的设置,叠层接触部分1013被边缘封装件104包裹,对叠层接触部分1013进行保护,封装薄膜1123的边缘得到保护,从而,即使有颗粒掉落,叠层接触部分1013也不易碎裂。也可以避免压合时受力不均导致边缘位置发生碎裂。从而,可提高OLED显示面板的良率和信赖性。
图7A为图6A中GH处的剖视图(仅示出封装结构部分),根据本公开一实施例提供的封装结构,边缘封装件104在封装薄膜1123的边缘上。封装薄膜1123可包括如前所述的第一薄膜101,第二薄膜102和第三薄膜103,且在边缘位置处,第一薄膜101和第三薄膜103接触,边缘封装件104至少覆盖第一薄膜101和第三薄膜103的叠层接触部分。例如,叠层接触部分1013可包括至少两个用于封装的薄膜。例如,叠层接触部分可被称作第一厚度封装薄膜11231。例如,封装薄膜1123除了叠层接触部分外,可为第二厚度封装薄膜11232。第二厚度封装薄膜11232可包括至少三个用于封装的薄膜。例如,第二厚度封装薄膜11232位于第一厚度封装薄膜11231内侧。例如,第二厚度封装薄膜11232的厚度大于第一厚度封装薄膜11231的厚度。例如,第二厚度封装薄膜11232可在不同位置处具有不同的厚度,例如,在靠近叠层接触部分的厚度可小于靠近显示面板中心处的厚度。例如,边缘封装件104至少覆盖(包裹)第一厚度封装薄膜11231。
如图7A所示,为了利于限定边缘封装件104的位置并利于制作,封装结构还可包括阻挡部105,阻挡部105可设置在边缘封装件104远离封装薄膜1123的一侧。阻挡部105可采用有机材料制作,例如树脂,但不限于此。
图7B中示出了根据本公开另一实施例提供的封装结构,与图7A所示的封装结构相比,其设置了第一阻挡坝106以增加叠层接触部分1013的有效长度。因边缘封装件104的设置,叠层接触部分1013被边缘封装件104包裹,从而,可以设置第一阻挡坝106以获得较大有效长度的叠层接触部分1013,即使有颗粒掉落,叠层接触部分1013也不易碎裂,从而,边缘封装件104和第一阻挡坝106配合可进一步增加封装可靠性。
如图7A和图7B所示,根据本公开一实施例提供的封装结构,为了更好的保护封装薄膜的边缘部分,阻挡部105和封装薄膜1123之间可具有间隔。
图8中示出了根据本公开另一实施例提供的封装结构,该封装结构中没有设置阻挡部,以减少制作工艺。如图8所示,还可以设置第二阻挡坝107,第二阻挡坝107与第一阻挡坝106之间具有间隔,可与第一阻挡坝106同层形成,边缘封装件104、第一阻挡坝106和第二阻挡坝107配合可进一步增加封装可靠性。
图9中示出了图6A中JK处和MN处的剖视示意图,与图5所示的结构相比,还设置了边缘封装件104和阻挡部105。例如,阻挡部105可包括多个子阻挡部,例如可包括第一子阻挡部1051、第二子阻挡部1052和第三子阻挡部1053,但不限于此。例如,第一子阻挡部1051可与平坦层117同层形成,第二子阻挡部1052可与像素限定层118同层形成,第三子阻挡部1053可与盒厚支撑层(PS)同层形成。图9中未示出盒厚支撑层,盒厚支撑层可设置在封装薄膜1123上。
如图7A-7B、图8-图9所示,根据本公开一实施例提供的封装结构,为了更好的保护封装薄膜边缘部分(例如爬坡位置),在边缘位置处,在垂直于衬底基板100的方向上,边缘封装件104和第二薄膜102具有重叠部分41。例如,在边缘位置处,在垂直于衬底基板100的方向上,边缘封装件104和第二厚度封装薄膜11232具有重叠部分41。
如图9所示,根据本公开一实施例提供的封装结构,边缘封装件104位于待封装器件2123外围以利于边缘封装。例如,待封装器件2123可以为多个,图9中仅示出了一个待封装器件2123。位于待封装器件2123外围例如是指在垂直于衬底基板100的方向上,待封装器件2123位于边缘封装件104内边缘所围成的范围内,但不限于此。例如,在垂直于衬底基板100的方向上,待封装器件2123位于镂空结构1040内,但不限于此。
图10示出了根据本公开一实施例提供的OLED显示面板母板/封装结构的示意图,图10中示出了两个显示面板,可通过切割形成单个的OLED显示面板。OLED显示面板中也包括边缘封装件104。
图11中示出了图10中PQ处的剖视图。该种封装结构不需要设置阻挡部,节省工艺,并利于边缘封装件104制作时的流平。可在激光切割工艺进行切割分离。可以不考虑定宽度打印,从而提高边缘包裹厚度。
图12中示出了图10中UV处和XY处的剖视图。与图9相比,没有设置阻挡部105。
例如,如图13A-13F所示,一种柔性显示产品工艺流程可包括如下步骤。
第一步:如图13A所示,在衬底基板100上进行待封装器件2123(OLED器件)制作。例如,待封装器件2123可采用蒸镀或者喷墨打印等方法形成。衬底基板可为柔性衬底基板。
第二步:如图13B所示,由于OLED器件怕水氧侵蚀,水氧侵蚀易导致OLED失效。因此需要进行TFE(Thin Film Encapsulation)工艺形成封装薄膜1123。以封装薄膜1123为三层薄膜为例进行说明。第一薄膜101、第二薄膜102和第三薄膜103可参照之前所述。
第三步:如图13C所示,使用贴膜工艺把上保护膜(Top Protect Film,TPF)131贴合在封装薄膜1123之上。上保护膜131需覆盖整个衬底基板100。TPF131起到保护封装薄膜1123在后续工艺不受损伤的作用。同时起到在进行衬底基板与支撑基板的分离时,衬底基板不会从支撑基板上掉落下来的作用。
第四步:如图13D所示,使用激光从支撑基板200远离衬底基板100一侧入射,使得激光被衬底基板100吸收,在支撑基板200与衬底基板100的接触面衬底基板100发生碳化,使得衬底基板100与支撑基板200分离。
第五步:如图13E所示,为了对衬底基板100进行保护,还可对分离后的衬底基板100远离待封装器件2123的一侧贴覆底膜141以进行保护。
第六步:如图13F所示,显示面板母板切割,从一整张母板上切成小的显示面板。图13F中以形成4个显示面板为例进行说明。
第七步:后续模组工艺。例如,后续模组工艺可包括:去除显示面板上的上保护膜,进行后续的工艺。后续工艺例如可包括贴膜工艺。
本公开至少一实施例提供的封装结构的制作方法中,还包括形成边缘封装件104的步骤。可在封装薄膜1123形成后形成边缘封装件104。再进行贴覆上保护膜的步骤。例如,封装薄膜1123可采用IJP、丝网印刷或边缘涂胶等方式形成。
如图14所示,本公开至少一实施例提供一种封装结构的制作方法,包括:
在衬底基板100上形成待封装器件2123;
在待封装器件2123上覆盖封装薄膜1123,以及
在封装薄膜1123的边缘形成边缘封装件104。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,如图6A和图10所示,边缘封装件104为封闭环型结构。例如,边缘封装件104材质包括有机材料。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,如图7A-7B、图8-图9、图11-图12所示,在边缘位置处,在垂直于衬底基板100的方向上,边缘封装件104和第二薄膜102具有重叠部分。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,如图7A和图7B所示,还可包括形成阻挡部105,阻挡部105设置在边缘封装件104远离封装薄膜1123的一侧以利于边缘封装件104的制作。例如,阻挡部105和封装薄膜1123之间具有间隔。例如,阻挡部105可与OLED显示面板制作时的平坦层117、像素限定层118或盒厚支撑层至少之一同层形成,以减少制作工艺。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,如图9和图12所示,边缘封装件104位于待封装器件2123外围。
根据本公开一实施例提供的封装结构的制作方法,如图9和图12所示,封装薄膜1123包括依次远离衬底基板100的第一薄膜101,第二薄膜102和第三薄膜103,第二薄膜102夹设在第一薄膜101和第三薄膜103之间,且在边缘位置处,第一薄膜101和第三薄膜103接触,边缘封装件104至少覆盖第一薄膜101和第三薄膜103的叠层接触部分。例如,第一薄膜101和第三薄膜103为无机薄膜,第二薄膜102为有机薄膜。
图15示出了本公开一实施例提供的显示面板/封装结构的制作方法的示意图。与图13A-13F中的制作方法相比,多了制作边缘封装件的步骤。
本公开至少一实施例提供一种发光二极管显示面板,包括上述任一封装结构。例如,该发光二极管显示面板可为柔性面板。
本公开的实施例中,以封装薄膜包括三层薄膜为例进行说明,但封装薄膜还可以为其他结构,例如,还可包括更多个薄膜层,例如,在衬底基板和第一薄膜之间还可形成第四薄膜和第五薄膜,第四薄膜比第五薄膜更靠近衬底基板,第四薄膜可为无机薄膜,第五薄膜可为有机薄膜。封装薄膜包括的薄膜层数不限于上述描述。例如,封装薄膜可为多个有机薄膜和无机薄膜交替叠层的结构。
有以下几点需要说明:
(1)除非另作定义,本公开实施例以及附图中,同一附图标记代表同一含义。
(2)本公开实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(3)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域的厚度被放大。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
(4)在不冲突的情况下,本公开的同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种封装结构,包括:
衬底基板;
待封装器件,在所述衬底基板上;
封装薄膜,在所述衬底基板上并覆盖所述待封装器件,以及
边缘封装件,在所述封装薄膜的边缘上,并被配置为包裹所述封装薄膜的边缘。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其中,所述边缘封装件位于所述待封装器件外围。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其中,所述边缘封装件为封闭环型结构。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其中,所述边缘封装件材质包括有机材料。
5.根据权利要求1-4任一项所述的封装结构,其中,所述封装薄膜包括依次远离所述衬底基板的第一薄膜,第二薄膜和第三薄膜,所述第二薄膜夹设在所述第一薄膜和所述第三薄膜之间,且在边缘位置处,所述第一薄膜和所述第三薄膜接触,所述边缘封装件至少覆盖所述第一薄膜和所述第三薄膜的叠层接触部分。
6.根据权利要求5所述的封装结构,其中,在所述边缘位置处,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述边缘封装件和所述第二薄膜具有重叠部分。
7.根据权利要求5所述的封装结构,其中,所述第一薄膜和所述第三薄膜为无机薄膜,所述第二薄膜为有机薄膜。
8.根据权利要求1-4任一项所述的封装结构,还包括设置在所述衬底基板上的阻挡部,其中,所述阻挡部设置在所述边缘封装件远离所述封装薄膜的一侧。
9.根据权利要求8所述的封装结构,其中,所述阻挡部和所述封装薄膜之间具有间隔。
10.一种封装结构的制作方法,包括:
在衬底基板上形成待封装器件;
在所述待封装器件上覆盖封装薄膜,以及
在所述封装薄膜的边缘形成边缘封装件,所述边缘封装件被配置为包裹所述封装薄膜的边缘。
11.根据权利要求10所述的封装结构的制作方法,其中,采用喷墨打印、边缘涂胶或丝网印刷的方法形成所述边缘封装件。
12.一种发光二极管显示面板,包括权利要求1-9任一项所述的封装结构。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710607002.0A CN109301079B (zh) | 2017-07-24 | 2017-07-24 | 封装结构及其制作方法、发光二极管显示面板 |
KR1020187033433A KR102105509B1 (ko) | 2017-07-24 | 2018-01-26 | 캡슐화 구조체, 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
PCT/CN2018/074236 WO2019019580A1 (zh) | 2017-07-24 | 2018-01-26 | 封装结构、显示面板及其制作方法 |
JP2018549471A JP7176954B2 (ja) | 2017-07-24 | 2018-01-26 | 封入構造、表示パネル及びその作成方法 |
EP18765791.1A EP3660938B1 (en) | 2017-07-24 | 2018-01-26 | Encapsulation structure, display panel and manufacturing method therefor |
US16/085,421 US11233217B2 (en) | 2017-07-24 | 2018-01-26 | Encapsulation structure, display panel and manufacturing method thereof each having edge encapsulation member on edge of encapsulation film |
US17/132,208 US11527589B2 (en) | 2017-07-24 | 2020-12-23 | Encapsulation structure, display panel and manufacturing method thereof each having edge encapsulation member on edge of encapsulation film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710607002.0A CN109301079B (zh) | 2017-07-24 | 2017-07-24 | 封装结构及其制作方法、发光二极管显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109301079A true CN109301079A (zh) | 2019-02-01 |
CN109301079B CN109301079B (zh) | 2019-10-25 |
Family
ID=65041027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710607002.0A Active CN109301079B (zh) | 2017-07-24 | 2017-07-24 | 封装结构及其制作方法、发光二极管显示面板 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11233217B2 (zh) |
EP (1) | EP3660938B1 (zh) |
JP (1) | JP7176954B2 (zh) |
KR (1) | KR102105509B1 (zh) |
CN (1) | CN109301079B (zh) |
WO (1) | WO2019019580A1 (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109768184A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-05-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
CN110148679A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和电子设备 |
CN110600631A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN111599933A (zh) * | 2019-02-20 | 2020-08-28 | 株式会社日本显示器 | 显示装置以及显示装置的制造方法 |
CN114079021A (zh) * | 2020-08-20 | 2022-02-22 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种低温多晶硅边框和oled屏 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11271185B2 (en) * | 2019-02-27 | 2022-03-08 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display structure having a dam and gap |
JP7395302B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2023-12-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN110993817B (zh) * | 2019-11-26 | 2020-12-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
KR20220096925A (ko) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치와 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105374946A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-03-02 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示装置及其制备方法 |
CN105374947A (zh) * | 2015-11-25 | 2016-03-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN105914224A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN106601781A (zh) * | 2017-01-25 | 2017-04-26 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
CN106653818A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-05-10 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及该显示面板的制备方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6081071A (en) * | 1998-05-18 | 2000-06-27 | Motorola, Inc. | Electroluminescent apparatus and methods of manufacturing and encapsulating |
JP2001228806A (ja) | 2000-02-21 | 2001-08-24 | Toshiba Corp | 平面表示装置 |
JP2003107519A (ja) | 2001-10-01 | 2003-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 駆動回路内蔵型tft液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2004103337A (ja) | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US7247986B2 (en) * | 2003-06-10 | 2007-07-24 | Samsung Sdi. Co., Ltd. | Organic electro luminescent display and method for fabricating the same |
US20070172971A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Eastman Kodak Company | Desiccant sealing arrangement for OLED devices |
TWI403999B (zh) | 2010-03-23 | 2013-08-01 | Au Optronics Corp | 可撓式顯示器之封裝結構 |
CN102754524B (zh) * | 2010-07-23 | 2015-09-02 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 显示面板及其制造方法 |
KR20130065219A (ko) * | 2011-12-09 | 2013-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2013186984A (ja) | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Panasonic Corp | 複合基板構造及びその作製方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP6142151B2 (ja) | 2012-07-31 | 2017-06-07 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
KR101978783B1 (ko) * | 2012-11-09 | 2019-05-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
KR101980768B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2019-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시 장치 |
JP2014202934A (ja) | 2013-04-05 | 2014-10-27 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
KR101907593B1 (ko) * | 2013-08-13 | 2018-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 |
CN103474561B (zh) * | 2013-09-10 | 2016-08-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件的封装结构 |
KR102462424B1 (ko) | 2014-12-30 | 2022-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102404577B1 (ko) | 2015-03-27 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102477299B1 (ko) | 2015-06-12 | 2022-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102414110B1 (ko) * | 2015-09-07 | 2022-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102531673B1 (ko) * | 2016-04-07 | 2023-05-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20180047536A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
-
2017
- 2017-07-24 CN CN201710607002.0A patent/CN109301079B/zh active Active
-
2018
- 2018-01-26 US US16/085,421 patent/US11233217B2/en active Active
- 2018-01-26 WO PCT/CN2018/074236 patent/WO2019019580A1/zh unknown
- 2018-01-26 EP EP18765791.1A patent/EP3660938B1/en active Active
- 2018-01-26 KR KR1020187033433A patent/KR102105509B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-26 JP JP2018549471A patent/JP7176954B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105374946A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-03-02 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示装置及其制备方法 |
CN105374947A (zh) * | 2015-11-25 | 2016-03-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN105914224A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN106653818A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-05-10 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及该显示面板的制备方法 |
CN106601781A (zh) * | 2017-01-25 | 2017-04-26 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109768184A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-05-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
CN109768184B (zh) * | 2019-02-18 | 2020-10-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
CN111599933A (zh) * | 2019-02-20 | 2020-08-28 | 株式会社日本显示器 | 显示装置以及显示装置的制造方法 |
CN111599933B (zh) * | 2019-02-20 | 2023-10-10 | 株式会社日本显示器 | 显示装置以及显示装置的制造方法 |
CN110148679A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和电子设备 |
CN110600631A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2021036088A1 (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN114079021A (zh) * | 2020-08-20 | 2022-02-22 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种低温多晶硅边框和oled屏 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210175464A1 (en) | 2021-06-10 |
JP2020528156A (ja) | 2020-09-17 |
EP3660938B1 (en) | 2024-03-06 |
KR102105509B1 (ko) | 2020-04-29 |
EP3660938A4 (en) | 2021-04-07 |
WO2019019580A1 (zh) | 2019-01-31 |
CN109301079B (zh) | 2019-10-25 |
KR20190022481A (ko) | 2019-03-06 |
JP7176954B2 (ja) | 2022-11-22 |
EP3660938A1 (en) | 2020-06-03 |
US11233217B2 (en) | 2022-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109301079B (zh) | 封装结构及其制作方法、发光二极管显示面板 | |
CN105144841B (zh) | 发光装置 | |
CN104377223B (zh) | 柔性显示器 | |
TWI649906B (zh) | 有機發光裝置及其製備方法 | |
US7214570B2 (en) | Encapsulating a device | |
CN106711176B (zh) | 一种有机发光显示面板及其制作方法 | |
TWI515937B (zh) | 有機光電元件之封裝結構以及封裝方法 | |
CN106057848A (zh) | 有机发光显示装置 | |
CN104377224B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
CN103872258B (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
CN106328671A (zh) | 柔性有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
KR20070026154A (ko) | 유기 el 소자의 제조 방법, 유기 el 소자 및 유기 el패널 | |
CN105474425B (zh) | 有机发光器件及其制备方法 | |
KR101554763B1 (ko) | 밀폐된 광전 소자 및 그 제조 방법 | |
CN104541384A (zh) | 用于制造光电子器件的方法和用于对有机光电子器件进行结构化的方法 | |
CN106663744A (zh) | 光电子器件和其制造方法 | |
WO2018192169A1 (zh) | Oled封装结构、oled封装方法及显示面板 | |
US20210119180A1 (en) | Encapsulation structure, display panel and manufacturing method thereof | |
KR102209241B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
CN114079020B (zh) | 显示屏及其封装方法、终端 | |
TW201102737A (en) | Display panel | |
CN109585679A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
WO2015114786A1 (ja) | 発光装置 | |
JPWO2015111130A1 (ja) | 発光装置 | |
CN107235469A (zh) | 电子装置封装和其封装方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |