CN104541384A - 用于制造光电子器件的方法和用于对有机光电子器件进行结构化的方法 - Google Patents

用于制造光电子器件的方法和用于对有机光电子器件进行结构化的方法 Download PDF

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Abstract

在不同的实施例中提供一种用于制造有机光电子器件(100，200)的方法(300)，方法(300)具有：在基底(410)上或上方形成(304)第一层(402，502，702)，其中基底(410)具有有机光电子器件(100，200)的至少一个接触盘(202)，其中有机光电子器件的至少一个电极(110，114)与至少一个接触盘(202)电连接；在基底(410)上或上方形成(306)第二层(108)；在基底(410)的在至少一个接触盘(202)上或上方具有第一层(402，502，702)的至少一个区域(408)中至少移除(310)第二层(108)。

Description

用于制造光电子器件的方法和用于对有机光电子器件进行结构化的方法
技术领域
在不同的实施方式中，提供一种用于制造光电子器件的方法和用于对有机光电子器件进行结构化的方法。
背景技术
光电子器件、例如有机发光二极管(organic light emitting diode-OLED)能够具有多个电组件和电子组件，例如具有带有发射体层、载流子传输层、电极、接触盘等的有机功能层结构。
OLED的供电能够借助于OLED的接触盘与供电装置的端子电连接来构成。
为了抵御有害物质，光电子器件通常借助薄膜来封装，其中也借助薄膜封装接触盘。
封装通常在没有掩膜的情况下进行。换言之：光电子器件的整个表面被封装。
封装件通常能够具有多个进行封装的层，例如SiN、ZrO2、Al2O3等。
通常借助于化学气相沉积进行薄膜封装件在光电子器件上的构成。
在常规的方法中，通过将薄膜封装件借助于机械地刮掉薄膜封装件或激光剥离薄膜封装件从接触盘移除，露出用于电连接的接触盘。
然而，在将薄膜封装件从接触盘激光剥离或刮掉时，能够部分地损坏接触盘和/或仅能够将薄膜封装件不完全地从接触盘移除。
接触盘的损坏的程度和/或在接触盘上残留的薄膜封装件的份额能够与薄膜封装件的质量相关。
损坏的接触盘或具有残留的薄膜封装件的接触盘能够损害OLED的功能，例如导致接触电压的改变和/或电流电压特征曲线的改变。
在另一种常规的方法中，能够将薄膜封装件借助于掩膜工艺以结构化的方式化学地从气相沉积到光电子器件上。然而，在掩膜工艺期间，能够造成薄膜封装件的颗粒污染和/或薄膜封装件的刮伤。由此，能够损害对有机发光二级管进行保护以抵御有害物质，由此能够降低光电子器件的使用寿命。
在另一种常规的方法中，能够借助于原子层沉积(atomic layerdeposition ALD)薄膜封装件的材料在有机发光二极管上构成薄膜封装件。
借助ALD，在此例如能够构成薄层、例如多层结构。与接触盘的电连接能够借助于穿过薄膜封装件进行接触构成。然而，穿过薄膜封装件进行接触能够导致损坏光电子器件的电特性和/或光电子特性。
发明内容
在不同的实施方式中，提出一种用于制造光电子器件的方法和用于对有机光电子器件进行结构化的方法，借助所述方法可以提高光电子特性的可复现性。
在本说明书的范围中，能够不考虑相应的聚集态将有机材料理解成以化学一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的碳化合物。此外，在本说明书的范围中，能够不考虑相应的聚集态将无机材料理解成以化学一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的不具有碳的化合物或单碳化合物。在本说明书的范围中，能够不考虑相应的聚集态将有机-无机材料(杂化材料)理解成以化学一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的具有包含碳的化合物部分和不具有碳的化合物部分的化合物。在本说明书的范围中，术语“材料”包括全部上述材料，例如有机材料、无机材料和/或杂化材料。此外，在本说明书的范围中，能够如下理解材料混合物：组成部分由两种或更多种不同的材料构成，其组成部分例如非常精细地分布。将由一种或多种有机材料、一种或多种无机材料或一种或多种杂化材料组成的材料混合物或材料理解成作为材料类。术语“物质”能够与术语“材料”同义地应用。
在本说明书的范围内，能够将基底理解成部分完成的有机光电子器件。
在不同的实施例中，提供一种用于制造有机光电子器件的方法。方法能够具有：在基底上或上方形成第一层，其中基底具有有机光电子器件的至少一个接触盘，其中有机光电子器件的至少一个电极与至少一个接触盘电连接；在基底上或上方形成第二层；在基底的在至少一个接触盘上或上方具有第一层的至少一个区域中至少移除第二层。
在一个设计方案中，第一层能够相对于第二层的厚度构成为具有在大约10％(换言之，第一层厚度/第二层厚度＝0.1)至大约400％(换言之，第一层厚度/第二层厚度＝4)的范围中的厚度。
在又一个设计方案中，第一层的材料或材料混合物与基底的粘性小于第二层的材料或材料混合物与基底的粘性。
在又一个设计方案中，能够借助于一种工艺构成第一层与基底的较小的粘性。
在又一个设计方案中，工艺能够具有选自下述工艺步骤组中的至少一个工艺步骤：分离第一层的和/或第二层的区域；用电子、离子、光子等弹道轰击第一层和/或第二层；和/或化学方法，例如湿法化学工艺、干法化学工艺、例如化学机械抛光、刻蚀等。
在本说明书的范围内，能够将分离层的区域理解成借助于弹道轰击或化学方法从层中构成相同或相似材料组分的至少两个区域。分离的区域在分离之后能够更少地具有至少一个物理接触部，例如不再彼此物理连接。
用光子进行弹道轰击例如能够是用电磁辐射、例如UV辐射、红外辐射或微波进行辐照。
UV辐射能够引起有机化合的裂开，由此能够更容易地移除相应的层。
在红外照射的情况下，第一层的材料或材料混合物能够具有与第二层的材料或材料混合物不同的红外波段。吸收的红外辐射在此能够转换成光子，即引起相应的层的加热。加热的层例如能够具有温度相关的溶度积和/或温度相关的表面应力；和/或变得热学不稳定。由此，能够将吸收辐射的层例如相对于不吸收辐射的层分离，例如湿法化学地冲洗。
在又一个设计方案中，能够在移除第二层之后构成第一层的较小的粘性。
在又一个设计方案中，能够在移除第二层之前构成第一层的较小的粘性。
在又一个设计方案中，能够借助于移除至少一个区域中的第一层来移除至少一个区域中的第二层，即能够将第二层连同第一层一起移除，其中第一层与第二层的物理的接触能够稳定构成。
在又一个设计方案中，能够在改变至少一个区域中的第一层之后移除至少一个区域中的第一层和第二层，其中改变至少一个区域中的第一层能够具有用电磁辐射在至少一个区域中辐照第一层。
在又一个设计方案中，第一层在移除第二层时能够是稳定的，即没有由移除第二层的工艺受到损坏。
在又一个设计方案中，在移除第二层时能够移除第一层的一部分。
然而，第一层的这部分应当在至少一个区域中残留在基底上并且构成闭合的表面。第一层与基底的物理接触能够在移除第二层期间稳定地构成。
如果第一层与第二层相比应借助移除第二层的工艺更容易地或更快地移除，那么第一层的厚度应当是相应更大的，以便确保第一层与基底的物理接触的稳定性。
第一层的厚度能够与第一层相对于用于移除第二层的工艺的灵敏性、第二层的厚度和用于移除、例如剥蚀第二层的动力学相关。
在又一个设计方案中，移除第二层能够具有选自下述工艺组的至少一个工艺：弹道移除；机械移除；和/或化学移除。
弹道移除例如能够借助于用颗粒、分子、原子、离子、电子和/或光子轰击要移除的区域来实现。
用光子轰击例如能够作为具有在大约200nm至大约1700nm的范围中的波长的激光辐射进行，例如以聚焦的方式，例如具有在大约10μm至大约2000μm的范围中的聚焦直径，例如以脉冲的方式，例如具有在大约100fs至大约0.5ms的范围中的脉冲持续时间，例如具有大约50mW至大约1000mW的功率，例如具有大约100kW/cm2至大约10GW/cm2的功率密度，并且例如具有在大约100Hz至大约1000Hz的范围中的重复率。
用光子弹道移除例如能够是激光剥离，例如借助波长大约为248nm、聚焦直径大约为400μm、脉冲持续时间大约为15ns并且能量大约为18mJ的激光。
机械移除例如能够具有刮除、磨除、磨蚀或者擦除。
化学移除例如能够具有湿法化学刻蚀或冲洗。
然而，第二层的移除也能够具有各个工艺的组合，例如化学机械抛光。
在又一个设计方案中，第二层能够构成为光电子器件的封装层。
在又一个设计方案中，第二层能够构成为光电子器件的有机功能层结构。
在又一个设计方案中，第一层能够构成为光电子器件的有机功能层结构。
在又一个设计方案中，第一层作为材料能够具有选自下述材料组的一种或多种材料或由其形成：铬、铝、聚酰亚胺、钼、铜。
第一层例如能够构成为光刻胶，其中光刻胶例如能够具有聚酰亚胺(PI)或者由其形成。
在又一个设计方案中，基底能够具有载体或在载体上或上方的至少一个另外的层。
在又一个设计方案中，至少一个另外的层能够构成为电极或有机功能层结构。
在又一个设计方案中，该方法还能够具有在第二层上或上方构成光电子器件的其他的层。
在又一个设计方案中，第一层的材料或材料混合物与第二层的材料或材料混合物构成为是相似的或相同的，其中移除第一层与移除第二层相比具有不同的工艺或不同的工艺参数。
在又一个设计方案中，该方法能够构建用于未损坏地露出光电子器件的至少一个电极。
在不同的实施方式中，提供一种用于对有机光电子器件进行结构化的方法，所述方法具有：在有机光电子器件的有机功能层结构上或上方形成第一层，在第一层上或上方形成第二层；在有机功能层结构上或上方的具有第一层的至少一个区域中至少移除第二层。
在方法的一个设计方案中，第一层相对于第二层的厚度构成为具有在大约10％至大约400％的范围中的厚度。
在方法的一个设计方案中，第一层的材料或材料混合物与有机功能层结构的粘性能够小于第二层的材料或材料混合物与有机功能层结构的粘性。
在方法的一个设计方案中，能够借助于一种工艺构成第一层与有机功能层结构的较小的粘性。
在方法的一个设计方案中，工艺能够具有选自下述工艺步骤组的至少一个工艺步骤：分离第一层的和/或第二层的区域；用电子、离子、光子等轰击第一层和/或第二层。
在方法的一个设计方案中，能够在移除第二层之后构成第一层的较小的粘性。
在方法的一个设计方案中，能够在移除第二层之前构成第一层的较小的粘性。
在方法的一个设计方案中，能够借助于移除至少一个区域中的第一层来移除至少一个区域中的第二层。
在方法的一个设计方案中，能够在改变至少一个区域中的第一层之后移除第二层和第一层，其中改变能够具有用电磁辐射在至少一个区域中辐照第一层。
在方法的一个设计方案中，第一层在移除第二层时能够是稳定的，换言之，在移除第二层之后还完整地存在。
在方法的一个设计方案中，在移除第二层时能够移除第一层的一部分。
在方法的一个设计方案中，移除第二层具有选自下述工艺组的至少一个工艺：弹道移除；机械移除；和/或化学移除。
在方法的一个设计方案中，第二层能够构成为光电子器件的封装层。
在方法的一个设计方案中，第二层能够构成为光电子器件的有机功能层结构的层。
在方法的一个设计方案中，第一层能够构成为光电子器件的有机功能层结构的层。
在方法的一个设计方案中，第一层作为材料能够具有选自下述材料组的一种或多种材料或由其形成：铬、铝、聚酰亚胺、铜、钼。
在方法的一个设计方案中，第一层的材料或材料混合物与第二层的材料或材料混合物构成为是相似的或相同的，其中移除第一层与移除第二层相比具有不同的工艺或不同的工艺参数。
在方法的一个设计方案中，该方法能够构建用于对光电子器件的表面、例如有机发光二极管的光场进行横向的结构化。
有机发光二极管的横向结构化的层能够引起有机发光二极管中的电磁辐射的耦合条件的变化。由此，能够由横向结构化的区域提供具有色规格的电磁辐射，所述色规格能够与未结构化的区域中的电磁辐射的色规格不同。
在一个设计方案中，在生产光电子器件期间，在至少一个区域中在基底上或上方能够移除第一层。
能够在移除的第一层的至少一个区域中电接触基底，例如以便在生产时为了测试目的对光电子器件通电，例如通过将基底构建为接触盘的方式。
换言之：对于对光电子特性进行内联测量，为了电接触光电子器件，在生产时例如能够露出至少一个接触盘。
在一个设计方案中，对于内联测量，例如在移除第一层之前，能够移除、例如分开第一层的一部分。
附图说明
本发明的实施例在附图中示出并且在下文中详细阐述。
附图示出：
图1示出根据不同实施例的光电子器件的示意横截面图；
图2示出根据不同设计方案的光电子器件的示意横截面；
图3示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的图表；
图4示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法中的光电子器件的示意横截面；
图5示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法中的光电子器件的示意横截面；
图6示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法中的光电子器件的示意横截面；
图7示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法中的光电子器件的示意横截面；
图8示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法中的光电子器件和掩膜的示意俯视图；
图9示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法中的光电子器件的示意横截面。
具体实施方式
在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且在所述附图中示出能够实施本发明的具体的实施方式以用于说明。在此方面，相关于所描述的一个(多个)附图的定向而使用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施方式的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语仅用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施方式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在此描述的不同的示例性的实施方式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为受限制的意义，并且本发明的保护范围通过附上的权利要求来限定。
在本说明书的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。在附图中，只要是适当的，相同的或相似的元件就设有相同的附图标记。
图1示出根据不同实施例的光电子器件的横截面。
在本说明书的范围内，能够将光电子器件理解成借助于半导体器件发射或吸收电磁辐射的器件。在不同的实施例中，发射电磁辐射的器件和/或吸收电磁辐射的器件能够构成为发射和/或吸收电磁辐射的半导体器件，和/或构成为发射和/或吸收电磁辐射的二极管，和/或构成为发射电磁辐射的有机二极管，构成为发射电磁辐射的晶体管或构成为发射电磁辐射的有机晶体管，构成为吸收电磁辐射的光电二极管或吸收电磁辐射的太阳能电池。
电磁辐射例如能够是可见范围中的光、UV光和/或红外光。
在本说明书的范围内，能够将发射电磁辐射理解为提供电磁辐射。
在本说明书的范围内，能够将吸收电磁辐射理解为接收电磁辐射。
为了说明，在下面，在没有限制普遍性的情况下将光电子器件作为提供电磁辐射的光电子器件描述。
在另一个设计方案中，光电子器件能够构建为具有相同的或相似的结构的接收电磁辐射的光电子器件。
有机发光二极管100的形式的提供辐射的器件100能够具有载体102。载体102例如能够用作为用于电子元件或层、例如提供辐射的元件的载体元件。例如，载体102能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或任意其他适合的材料或由其形成。此外，载体102能够具有塑料薄膜或具有带有一个或多个塑料薄膜的叠层或者由其形成。塑料能够具有一种或多种聚烯烃(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或者由其形成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者由其形成。载体102能够具有一种或多种上述材料。
在一个设计方案中，载体102能够具有金属或金属化合物或者由其形成，例如钢、铝、铜、银、金、铂等。
在一个设计方案中，具有金属或金属化合物的载体102也能够构成为金属薄膜或金属覆层的薄膜。
在一个设计方案中，载体102能够具有玻璃或玻璃化合物或由其形成，例如SF、LASF、LAF、BASF、BAF、LLF、LF、F、LAK、SSK、SK、PSK、BAK、BALF、PK、BK、K、KF、FK。
在一个设计方案中，具有玻璃或玻璃化合物的载体102也能够构成为玻璃薄膜或玻璃覆层的薄膜。
载体102能够构成为是半透明的或甚至是透明的。
术语“半透明”或“半透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的，例如对于由提供辐射的器件所产生的例如一个或多个波长范围的光是可穿透的，例如对于可见光的波长范围中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的局部范围中)。例如，术语“半透明层”在不同的实施例中理解为：全部的耦合输入到结构(例如层)中的光量基本上也从该结构(例如层)中耦合输出，其中光的一部分在此能够被散射，例如借助于散射层被散射。散射层例如能够具有散射中心，例如颗粒，其构建用于使入射到颗粒上的电磁辐射转向。
术语“透明”或“透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的局部范围中)，其中耦合输入到结构(例如层)中的光基本上在没有散射或光转换的情况下也从该结构(例如层)中耦合输出。因此，“透明”在不同的实施例中能够视作为“半透明”的特殊情况。
对于例如应当提供单色发光的或发射光谱受限的电子器件的情况而言足够的是：光学半透明的层结构至少在期望的单色光的波长范围的局部范围中或者对于受限的发射光谱是半透明的。
在不同的实施例中，有机发光二极管100(或还有根据在上文中或还要在下文中描述的实施例的提供辐射的器件)能够设计成所谓的顶部和底部发射器。顶部和/或底部发射器也能够称作为光学透明器件，例如透明有机发光二级管。
在不同的实施例中，能够可选地在载体102上或上方设置有阻挡层104。阻挡层104能够具有下述材料中的一种或多种或者由其构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。此外，在不同的实施例中，阻挡层104能够具有在大约0.1nm(原子层)至大约5000nm的范围中的层厚度，例如在大约10nm至大约200nm的范围中的层厚度，例如为大约40nm的层厚度。
在阻挡层104上或上方能够设置有提供辐射的器件100的电有源区域106。电有源区域106能够理解为提供辐射的器件100的其中有用于运行提供辐射的器件100的电流流动的区域。在不同的实施例中，电有源区域106能够具有第一电极110、第二电极114和有机功能层系统112，如其在下面更详细阐明。
因此，在不同的实施例中，能够在阻挡层104上或上方(或者，当不存在阻挡层104时，在载体102上或上方)施加(例如第一电极层110的形式的)第一电极110。第一电极110(下面也称为底部电极110)能够由导电材料形成或者是导电材料，例如由金属或透明导电氧化物(transparent conductive oxide,TCO)形成或由相同金属的或不同金属的和/或相同TCO的或不同TCO的多个层的层堆来形成。透明导电氧化物是透明的、导电的材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了二元的金属氧化物例如ZnO、SnO2或In2O3以外，三元的金属氧化物例如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、Mgln2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族并且能够在不同的实施例中使用。此外，TCO不强制符合化学计量的组分并且还能够是p型掺杂的或n型掺杂的。
在不同的实施例中，第一电极110能够具有金属；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或Li、以及这些材料的化合物、组合或合金。
在不同的实施例中，能够由在TCO层上的金属层的组合的层堆形成第一电极110，或者反之。一个示例是施加在铟锡氧化物层(ITO)上的银层(ITO上的Ag)或ITO-Ag-ITO复层。
在不同的实施例中，替选于或附加于上述材料，第一电极110能够设有下述材料中的一种或多种：由例如由Ag构成的金属的纳米线和纳米微粒构成的网络；由碳纳米管构成的网络；石墨微粒和石墨层；由半导体纳米线构成的网络。
此外，第一电极110能够具有导电聚合物或过渡金属氧化物或导电透明氧化物。
在不同的实施例中，第一电极110和载体102能够构成为是半透明的或透明的。在第一电极110具有金属或由金属形成的情况下，第一电极110例如能够具有小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外，第一电极110例如能够具有大于或等于大约10nm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度。在不同的实施例中，第一电极110能够具有在大约10nm至大约25nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约18nm范围内的层厚度、例如在大约15nm至大约18nm范围内的层厚度。
此外，对于第一电极110具有透明导电氧化物(TCO)或由透明导电氧化物(TCO)形成的情况而言，第一电极110例如具有在大约50nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约75nm至大约250nm范围内的层厚度、例如在大约100nm至大约150nm范围内的层厚度。
此外，对于第一电极110例如由如由Ag构成的能够与导电聚合物组合的金属的纳米线构成的网络形成、由能够与导电聚合物组合的碳纳米管构成的网络形成或者由石墨层和复合材料形成的情况而言，第一电极110例如能够具有在大约1nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约400nm范围内的层厚度、例如在大约40nm至大约250nm范围内的层厚度。
第一电极110能够构成为阳极、即构成为注入空穴的电极，或者构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
第一电极110能够具有第一电接触盘，第一电势(由能量源(未示出)、例如由电流源或电压源提供)能够施加到所述第一电接触盘上。替选地，第一电势能够施加到载体102上或者是施加到载体102上的并且然后经由此间接地输送给第一电极110或者是输送给第一电极110的。第一电势例如能够是接地电势或者是不同地预设的参考电势。
此外，提供辐射的器件100的电有源区域106能够具有有机功能层系统112，所述有机功能层系统施加在、或构成在第一电极110上或上方。
有机功能层系统112能够具有一个或多个发射体层118，例如具有发荧光和/或发磷光的发射体，以及一个或多个空穴传导层116(也称作为空穴传输层120)。在不同的实施例中，替选地或附加地，能够设有一个或多个电子传导层116(也称作为电子传输层116)。
在本说明书的范围内，空穴传输层也能够构建和/或理解为电子阻挡层。
在本说明书的范围内，电子传输层也能够构建和/或理解为空穴阻挡层。
能够在根据不同实施例的提供辐射的器件100中用于发射体层118的发射体材料的实例包括：有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-对-亚苯基乙烯撑)；以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))(三[4,4’-二-叔-丁基-(2,2’)-联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射体。这种非聚合物发射体例如能够借助于热蒸镀来沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作Spin Coating)、印刷法、例如丝网印刷、刮涂、移印、喷射、浸涂等来沉积。
发射体材料能够以适合的方式嵌在基体材料中。
需要指出的是，在其他的实施例中同样设有其他适合的发射体材料。
提供辐射的器件100的一个或多个发射体层118的发射体材料例如能够选择为，使得提供辐射的器件100发射白光。一个或多个发射体层118能够具有多种发射不同颜色(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)的发射体材料，替选地，发射体层118也能够由多个子层构成，如发蓝色荧光的发射体层118或发蓝色磷光的发射体层118、发绿色磷光的发射体层118和发红色磷光的发射体层118。通过不同颜色的混合，能够得到具有白色的色彩印象的光的发射。替选地，也能够提出，在通过这些层产生的初级发射的光路中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色彩印象。
有机功能层结构112通常能够具有一个或多个电致发光层。一个或多个电致发光层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的、非聚合物的小的分子(“小分子(small molecules)”)或这些材料的组合。例如，有机功能层结构112能够具有构成为空穴传输层120的一个或多个电致发光层，使得例如在OLED的情况下能够实现将空穴有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。替选地，在不同的实施例中，有机功能层结构112能够具有构成为电子传输层116的一个或多个功能层，使得例如在OLED中能够实现将电子有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。例如能够使用叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作为用于空穴传输层120的材料。在不同的实施例中，一个或多个电致发光层能够构成为进行电致发光的层。
在不同的实施例中，空穴传输层120能够施加、例如沉积在第一电极110上或上方，并且发射体层118能够施加、例如沉积在空穴传输层120上或上方。在不同的实施例中，电子传输层能够施加、例如沉积在发射体层118上或上方。
在不同的实施例中，有机功能层结构112(即例如空穴传输层120和发射体层118和电子传输层116的厚度的总和)具有最大为大约1.5μm的层厚度、例如最大为大约1.2μm的层厚度、例如最大为大约1μm的层厚度、例如最大为大约800nm的层厚度、例如最大为大约500nm的层厚度、例如最大为大约400nm的层厚度、例如最大为大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构112例如能够具有多个直接彼此相叠设置的有机发光二极管(OLED)的堆，其中每个OLED例如能够具有最大为大约1.5μm的层厚度、例如最大为大约1.2μm的层厚度、例如最大为大约1μm的层厚度、例如最大为大约800nm的层厚度、例如最大为大约500nm的层厚度、例如最大为大约400nm的层厚度、例如最大为大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构112例如能够具有两个、三个或四个直接彼此相叠设置的OLED的堆，在此情况下，有机功能层结构112例如能够具有最大为大约3μm的层厚度。
提供辐射的器件100可选地通常能够具有另外的有机功能层，所述另外的有机功能层例如设置在一个或多个发射体层118上或上方或者设置在一个或多个电子传输层116上或上方，用于进一步改进提供辐射的器件100的功能性进而效率。
在有机功能层结构112上或上方或者必要时在一个或多个另外的有机功能层结构上或上方能够施加有第二电极114(例如以第二电极层114的形式)。
在不同的实施例中，第二电极114能够具有与第一电极110相同的材料或者由其形成，其中在不同的实施例中金属是尤其适合的。
在不同的实施例中，第二电极114(例如对于金属的第二电极114的情况而言)例如能够具有例如小于或等于大约50nm的层厚度、例如小于或等于大约45nm的层厚度、例如小于或等于大约40nm的层厚度、例如小于或等于大约35nm的层厚度、例如小于或等于大约30nm的层厚度、例如小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约15nm的层厚度、例如小于或等于大约10nm的层厚度。
第二电极114通常能够以与第一电极110相似的或不同的方式构成或者是这样构成的。第二电极114在不同的实施例中能够由一种或多种材料并且以相应的层厚度构成或者是这样构成的，如在上面结合第一电极110所描述的那样。在不同的实施例中，第一电极110和第二电极114这两者都透明地或半透明地构成。因此，在图1中示出的提供辐射的器件100能够设计成顶部和底部发射器(换言之作为透明的提供辐射的器件100)。
第二电极114能够构成为阳极、即构成为注入空穴的电极，或者构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
第二电极114能够具有第二电端子，由能量源提供的第二电势(所述第二电势与第一电势不同)能够施加到所述第二电端子上。第二电势例如能够具有一定数值，使得与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V范围内的数值、例如在大约2.5V至大约15V范围内的数值、例如在大约3V至大约12V范围内的数值。
在第二电极114上或上方进而在电有源区域106上或上方可选地还能够形成或形成有封装件108，例如以阻挡薄层/薄层封装件108的形式的封装件。
阻挡薄层”108或“阻挡薄膜”108在本申请的范围中例如能够理解成下述层或层结构，所述层或层结构适合于形成相对于化学杂质或大气物质、尤其相对于水(湿气)和氧的阻挡。换言之，阻挡薄层108构成为，使得其不能够或至多极其少部分由损坏OLED的物质例如水、氧或溶剂穿过。
根据一个设计方案，阻挡薄层108能够构成单独的层(换言之，构成为单层)。根据一个替选的设计方案，阻挡薄层108能够具有多个彼此相叠构成的子层。换言之，根据一个设计方案，阻挡薄层108能够构成为层堆(Stack)。阻挡薄层108或阻挡薄层108的一个或多个子层例如能够借助于适合的沉积方法来形成，例如根据一个设计方案借助于原子层沉积方法(Atomic Layer Deposition(ALD))来形成，例如为等离子增强的原子层沉积方法(Plasma Enhanced Atomic LayerDeposition(PEALD))或无等离子的原子层沉积方法(Plasma-lessAtomic Layer Deposition(PLALD))，或根据另一个设计方案借助于化学气相沉积方法(Chemical Vapor Deposition(CVD))来形成，例如为等离子增强的气相沉积方法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition(PECVD))或无等离子的气相沉积方法(Plasma-lessChemical Vapor Deposition(PLCVD))，或者替选地借助于另外适合的沉积方法来形成。
通过应用原子层沉积方法(ALD)能够沉积极其薄的层。特别地，能够沉积层厚度位于原子层范围内的层。
根据一个设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层108中，能够借助于原子层沉积方法形成全部子层。仅具有ALD层的层序列也能够称作为“纳米叠层(Nanolaminat)”。
根据一个替选的设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层108中，能够借助于不同于原子层沉积方法的沉积方法来沉积阻挡薄层108的一个或多个子层，例如借助于气相沉积方法来沉积。
阻挡薄层108根据一个设计方案能够具有大约0.1nm(一个原子层)至大约10000nm的层厚度，例如根据一个设计方案为大约1nm至大约1000nm的层厚度、例如根据一个设计方案为大约10nm至大约100nm的层厚度、例如根据一个设计方案为大约40nm的层厚度。
根据阻挡薄层108具有多个子层的设计方案，全部子层能够具有相同的层厚度。根据另一个设计方案，阻挡薄层108的各个子层能够具有不同的层厚度。换言之，至少一个子层能够具有不同于一个或多个其他子层的层厚度。
根据一个设计方案，阻挡薄层108或阻挡薄层108的各个子层能够构成为半透明的或透明的层。换言之，阻挡薄层108(或阻挡薄层108的各个子层)能够由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料混合物)构成。
根据一个设计方案，阻挡薄层108或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层108的一个或多个子层具有下述材料中的一种材料或由下述材料中的一种材料形成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。在不同的实施例中，阻挡薄层108或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层108的一个或多个子层具有一种或多种高折射率的材料，换言之具有一种或多种具有高折射率的材料，例如具有至少为2的折射率的材料。
在不同的实施例中，能够在阻挡薄层108上或上方设有粘接剂和/或保护漆124，借助于所述粘接剂和/或保护漆例如将覆盖件126(例如玻璃覆盖件126)固定、例如粘贴在阻挡薄层108上。在不同的实施例中，由粘接剂和/或保护漆124构成的光学半透明层能够具有大于1μm的层厚度，例如几μm的层厚度。在不同的实施例中，粘接剂能够具有层压粘接剂或是层压粘接剂。
在不同的实施例中，还能够将散射光的颗粒嵌入到粘接剂的层(也称作粘接层)中，所述散射光的颗粒能够引起进一步改进色角畸变和耦合输出效率。在不同的实施例中，例如能够将介电的散射颗粒设为散射光的颗粒，例如金属氧化物，如氧化硅(SiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)、氧化镓(Ga2Oa)、氧化铝或氧化钛。其他颗粒也能够是适合的，只要其具有与半透明的层结构的基体的有效折射率不同的折射率，例如为气泡、丙烯酸酯或玻璃空心球。此外，例如能够将金属的纳米颗粒，金属如金、银，铁纳米颗粒等设为散射光的颗粒。
在不同的实施例中，在第二电极114和由粘接剂和/或保护漆124构成的层之间还能够施加或施加有电绝缘层(未示出)，例如为SiN、SiOX，例如具有在大约300nm至大约1.5μm范围内的层厚度，例如具有在大约500nm至大约1μm范围内的层厚度，以便例如在湿法化学工艺期间保护电学不稳定的材料。
在不同的实施例中，粘接剂能够构建为，使得其本身具有小于覆盖件126的折射率的折射率。这种粘接剂例如能够是低折射率的粘接剂，例如具有大约1.3折射率的丙烯酸酯。此外，能够设有形成粘接剂层序列的多种不同的粘接剂。
还需要指出的是，在不同的实施例中，也能够完全地弃用粘接剂124，例如在将由玻璃构成的覆盖件126例如借助于等离子喷射施加到阻挡薄层108上的实施例中。
在不同的实施例中，覆盖件126和/或粘接剂124能够具有1.55(例如在633nm波长的情况下)的折射率。
在一个设计方案中，例如由玻璃构成的覆盖件126例如能够借助于玻璃料化合物(英文为glass frit bonding，玻璃熔块接合/glass soldering玻璃焊接/seal glass bonding密封玻璃接合)借助于常规的玻璃焊料施加在具有阻挡薄层108的有机光电子器件100的几何边缘区域中。
在一个设计方案中，能够将例如由玻璃构成的覆盖件126例如借助于腔封装件、例如借助于粘贴叠层薄膜并且借助于粘接剂124固定在腔中，其中有机光电子器件100封装在腔中。
此外，在不同的实施例中，能够在发射辐射的器件100中附加地设有一个或多个抗反射层(例如与封装件108、如薄层封装件108组合)
图2示出根据不同设计方案的光电子器件的示意横截面视图。
示出根据图1的描述的设计方案中的一个设计方案的光电子器件100的示意横截面图，其中在图2中例如还附加地示出用于电接触光电子器件的接触结构。
光电子器件的所示出的横截面在用于制造光电子器件的方法中能够理解为光电子器件100的横截面200。
第一电极100例如能够具有ITO或者由其形成。第二电极114能够具有金属、例如铝或铜或者由其形成。
第一电极110、114能够借助于接触盘202在载体102的几何边缘上移动。
第一电极110能够借助于光刻胶204、例如聚酰亚胺204与第二电极114电绝缘。
第一电极110和第二电极114能够在相同的绘图平面中(示出)构成或者在不同的绘图平面中构成，例如类似于十字形状设置。
在用于制造光电子器件的方法中，接触盘202的露出的区域206能够是未损坏的，即构成为连续的区域206，并且不具有在露出的区域206上或上方的层、例如封装件108的一部分。
图3示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法的图表。
在图3中示出根据图1和/或图2的描述的设计方案中的一个设计方案的用于制造光电子器件的方法的流程。
用于制造光电子器件的方法能够具有在光电子器件的基底上或上方形成304光电子器件的第一层。
形成304第一层例如能够具有选自下述工艺组的工艺：蒸镀、光刻、印刷、例如移印、刻蚀工艺和/或蒸镀、例如化学或物理气相沉积第一层的材料或材料混合物、溅镀等类似的常见的方法。
在一个设计方案中，形成304第一层能够构成为至少部分地与构成光电子器件100的工艺并行(也参见图8的设计方案)。
基底在此至少能够理解为载体102，其中在载体102上或上方能够构成另外的层。在该情况下，另外的层的表面能够形成基底。
另外的层例如能够实现为第一电极110、有机功能层结构112、第二电极114、接触盘202和光刻胶204。换言之，具有另外的层110、112、114、202、204的载体102例如能够理解为用于制造光电子器件100的基底。基底在此能够具有另外的层110、112、114、202、204中的一些并且也还能够具有另外的层108、124、126。
该方法还能够具有在光电子器件的基底和/或光电子器件的第一层上或上方形成306光电子器件的第二层。第二层在此至少能够在光电子器件的第一层上或上方的一个区域中构成。
在一个设计方案中，在第一层上形成306第二层之前或之后，能够降低第一层在基底上的粘性。
降低第一层的粘性例如能够具有用电磁辐射辐照基底的具有第一层和第二层的至少一个区域。
用高能电磁辐射、例如UV辐射辐照由交联的有机材料或材料混合物构成的第一层能够引起有机材料或有机材料混合物的分解。
分解的有机材料或分解的有机材料混合物例如能够具有比未分解的有机材料或未分解的有机材料混合物更高的化学可溶性。
因此，分解的有机材料或分解的有机材料混合物与未分解的有机材料或未分解的有机材料混合物相比稍后能够在该方法中被简单地移除，例如被冲洗。
此外，该方法能够具有形成308又另外的层108、124、126。所述又另外的层108、124、126也还能够被结构化。
该方法还能够具有在所述区域的至少一部分中至少移除第二层。
基底的表面能够在该区域中在移除310第二层之前、期间和之后构成为是稳定的，即基底在具有第一层和第二层的至少一个区域中的表面能够是不改变的。
在一个设计方案中，基底的表面的特性能够不受移除第一层和/或移除第二层影响。
移除310第二层能够具有选自下述工艺组的工艺作为工艺：弹道移除、化学刻蚀和/或物理刻蚀。
弹道移除例如能够借助于用颗粒、分子、原子、离子、电子和/或光子轰击要移除的区域来实现。
用光子轰击例如能够借助于波长在大约200nm至大约1700nm的范围中的激光来实施，例如以聚焦的方式，例如具有在大约10μm至大约2000μm的范围中的聚焦直径，例如以脉冲的方式，例如具有在大约100fs至大约0.5ms的范围中的脉冲持续时间，例如具有大约50mW至大约1000mW的功率，例如具有大约100kW/cm2至大约10GW/cm2的功率密度并且例如具有大约在100Hz至大约1000Hz的范围中的重复率。借助光子进行弹道移除例如能够是激光剥离，例如借助波长大约为248nm、聚焦直径大约为400μm、脉冲持续时间大约为15ns和能量大约为18mJ的激光。
在移除310第二层之后，方法300能够具有从基底移除312第一层。
移除312第一层能够具有下述工艺作为工艺，所述工艺构成为与移除第二层310的工艺是相似的或不同的，例如通过为该工艺应用相似的或不同的参数的方式，例如为激光剥离第一层，然而与在激光剥离第一层上或之上的第二层的情况下相比具有更小的激光功率。
在一个设计方案中，移除312第一层能够与移除310第二层同时或在其之后构成。
同时移除第二层与第一层例如能够具有在至少一个区域中从基底移除312、例如分离312第一层，而在此没有改变第二层的结构。换言之，能够将第一层和第二层作为整体从基底的至少一个区域移除。
在一个设计方案中，第一层在移除310第二层时能够构成为是稳定的，即在移除310第二层时不移除第一层，例如通过第一层的材料或材料混合物对于移除310第二层的工艺而言是不敏感的方式。
在一个设计方案中，第一层在移除310第二层时能够构成为是部分稳定的，即在移除310第二层时部分地移除第一层，即第一层的一部分留在基底上，其中第一层的留下的部分具有闭合的表面。
第一层例如能够具有多个子层，例如有机功能层系统的多个子层。所述子层中的一些子层的材料或材料混合物例如对于移除310第二层的工艺能够是敏感的。然后能够将所述子层连同第二层一起在移除310第二层时移除。
然而，第一层也能够仅具有唯一的层，在移除310第二层时共同移除所述唯一的层的一部分。
第一层的材料或材料混合物能够对于移除310第二层的工艺而言不那么敏感地构成。换言之：第一层的材料或材料混合物关于移除第二层的工艺与第二层的材料或材料混合物相比能够具有更弱的动力学。
在另一个设计方案中，第一层的材料或材料混合物关于移除310第二层的工艺与第二层的材料或材料混合物相比能够是更灵敏的。换言之：移除第一层的材料或材料混合物关于移除310第二层的至少一个工艺与移除第二层的材料或材料混合物相比具有更高的动力学。
在该情况下，第一层在基底的至少一个区域上能够具有比第二层的层厚度的值更大的层厚度的值。第一层的层厚度的具体值能够与移除310第二层的至少一个工艺的具体的设计方案以及与第一层的和第二层的材料和/或材料混合物的物理和化学特性相关。
在又一个设计方案中，移除312第一层在用于制造光电子器件的方法中能够是可选的，即第一层不从基底的至少一个区域移除。
在该设计方案中，光电子器件与外部供电装置的接触能够借助于基底的至少一个区域穿过第一层构成。换言之，例如通过第一层以能导电的方式构成，第一层能够被穿通接触。
在另一个设计方案中，例如通过第一层的材料或材料混合物在物理方面构成为，使得其在构成电连接时由外部的供电装置的端子机械挤压，第一层的穿通接触能够机械地构成。
在一个设计方案中，接触盘202能够与柔性印刷电路板(flexibleprinted circuit board–Flex-PCB)电连接。
露出的接触盘202与损坏的接触盘202或具有封装件108的接触盘202相比能够更简单地与柔性印刷电路板连接。
图4示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法中的光电子器件的示意横截面。
基底例如能够以与图1和/或图2的描述的设计方案中的一个设计方案相同或类似的方式构成并且具有：载体102、第一电极110、有机功能层结构112、第二电极114、至少一个接触盘202和光刻胶204。
在横截面400中示出的虚线410能够理解为基底410的表面，即理解为载体102的和载体102上或上方的层110、112、114、202、204相对于第一层402和第二层(未示出)的界限。
第一层402能够在基底的至少一个区域408、例如两个区域(已示出)上施加到基底上。基底在至少一个区域408中与在基底的其他的区域中相比能够具有更多或更少的在载体102上或上方的层。例如，光电子器件在载体102的几何边缘处与在载体102的几何中央、例如第一层电极110、有机功能层结构112和第二电极114相比能够具有在载体102上或上方的更少的层，例如接触盘202。
在一个设计方案中，第一层402例如能够在接触盘202上方构成。换言之，第一层402能够与接触盘202物理接触并且共享共同的边界面404。
第一层402能够具有一个或多个层，例如有机功能层系统的一个或多个层。第一层402能够具有选自下述材料组的材料作为材料或由其形成：铝、铬、镍、光刻胶、例如聚酰亚胺、和/或有机功能层结构的材料或材料混合物。
例如通过在第一层402和横向相邻的层、例如光刻胶204或第二电极114之间构成间隔部406，第一层402能够在基底的至少一个区域408上以结构化的方式构成。
在一个设计方案中，能够将第一层402在生产光电子器件期间在接触盘202上或上方的至少一个区域中移除，例如在间隔406的区域中。
能够在至少一个区域中、例如在间隔406的区域中对接触盘202进行电接触，例如以便在生产时为了测试目的对光电子器件通电。
换言之：对于内联测量光电子特性，为了电接触光电子器件，在生产时例如能够露出接触盘202。
在一个设计方案中，例如在移除第一层402之前，为了内联测量能够移除、例如分离第一层402的一部分。
图5示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法中的光电子器件的示意横截面。
示出在用于制造光电子器件的方法300的不同步骤之后的光电子器件的示意横截面500、510、520。
基底例如能够构成为与图1和/或图2的描述的设计方案中的一个设计方案是相似的或相同的并且具有：载体102、第一电极110、有机功能层结构112、第二电极114、至少一个接触盘202和光刻胶204。
与图4的描述的设计方案相似地或相同地，能够在基底的至少一个区域408上施加第一层502。
第一层502能够在材料方面例如与光刻胶204相似地或相同地构成。
第一层502例如能够在与光刻胶相同的方法步骤中施加到基底上。
基底在此能够理解为底座，与图4的描述的设计方案中的一个设计方案的边界面404相似地或相同地，第一层502与所述底座共享共同的边界面。基底的表面在不同的区域中能够具有局部不同的材料组分。
方法能够具有在第一层502上或上方构成306第二层108。
第二层108例如能够与图1的描述的设计方案中的一个设计方案的封装件108相似地相同地构建。
第二层108例如能够施加到基底上，使得第二层108能够在基底102上构成闭合的表面。
第二层108能够与第一层502共享至少一个共同的边界面504。
在第一层502上或上方构成306第二层108之后，方法能够具有在第二层108上或上方构成308另外的层124、126。
图6示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法中的光电子器件的示意横截面。
示出在用于制造光电子器件的方法300的不同步骤之后的光电子器件的示意横截面600、610、200。
基底例如能够与图1和/或图2的描述的设计方案中的一个设计方案相似地或相同地构成并且具有：载体102、第一电极110、有机功能层结构112、第二电极114、至少一个接触盘202和光刻胶204。
示意横截面600与图5的描述的设计方案520的横截面相似地或相同地示出光电子器件。
另外的层124、126能够被结构化，例如通过至少部分地露出第二层108的表面602。
方法300能够具有在基底的至少一个区域中移除310第二层108，例如通过在至少一个区域408(未示出，例如参见图4)中露出第一层502。
移除310例如能够具有刻蚀工艺，例如湿法化学的或干法化学的刻蚀；机械移除，例如根据图3的描述的设计方案中的一个设计方案的刮除或弹道移除。
第一层502在至少部分移除310第二层时能够未改变地与基底连接，例如通过第一层502构成为相对于用于移除310第二层108的工艺是惰性的。
能够移除第二层108，使得光电子器件的层、例如光刻胶204和/或第二电极114是横向封装的，例如在第一层502和相邻的层204、114之间的中间区域604中。封装件108例如能够防止有害物质、例如水和/或氧扩散到封装件(114，112，204)之内的层中。
方法300能够具有在从基底(图4为408)的至少一个区域移除310第二层108之后或同时移除312第一层502。
然而，也能够将至少一个区域(408)中的第二层108与第一层502一起移除。
在从基底的至少一个区域移除312第一层502之后，能够露出至少一个区域。
至少一个露出的区域例如能够具有接触盘202，所述接触盘能够构建用于电联接光电子器件100。
第一层502在此能够在至少一个区域408中保护接触盘202免受移除310第二层的工艺影响，例如免受剥离接触盘202的材料或材料混合物的影响。
第一层502能够相对于第二层108从基底移除，使得在移除312第一层502之后，与在从基底的表面移除310第二层108的情况下相比，接触盘202的损坏更小地构成。
由此，在移除310第二层108时在至少一个区域408中保持基底的表面的质量。
从基底的至少一个区域的表面移除312第一层能够具有下述工艺，所述工艺降低第一层502的粘性，例如用电磁辐射、例如UV辐射辐照第一层。
借助于接触盘202，能够在外部供电装置(未示出)和光电子器件200之间构成电连接。
例如当第一层502构成为是能导电的和/或由能够由电端子机械挤压的材料构成时，为了构成外部电端子、例如柔性印刷电路板(未示出)与至少一个接触盘202的物理和/或电接触，能够将第一层502从接触盘202移除或者穿过第一层502构成接触。
图7示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法中的光电子器件的示意横截面。
示出在用于制造光电子器件的方法300的不同步骤之后的光电子器件的示意横截面700、710、200
基底例如能够与图1和/或图2的描述的设计方案中的一个设计方案相似地或相同地构成并且具有：载体102、第一电极110、有机功能层结构112、第二电极114、至少一个接触盘202和光刻胶204。
如果在移除310第二层108时应部分地一起移除第一层702，那么第一层702在基底的至少一个区域中的层厚度能够调节成，使得在移除310第二层108之后，第一层704的至少一部分保留在基底上，在横截面710中示出。
然而，第一层的留在基底上的部分706能够借助下述工艺移除，所述工艺与用于移除310第二层108的工艺相比对基底的表面的特性的影响更小。
第一层702的厚度能够具有在第二层108的厚度的大约10％至大约400％的范围中的数值。
第一层702的具体厚度能够与第一层702的和第二层108的材料组成相关以及与用于移除310第二层的具体工艺相关。
图8示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法中的光电子器件和掩膜的示意俯视图。
在俯视图800中，示出用于构成光电子器件的掩膜802。
掩膜802能够具有多个开口804。多个开口804能够构建用于同时将第一层构成在基底的至少一个区域上并且将光电子器件的至少一个层构成在基底上。
在视图810中，与图4的描述的设计方案中的一个设计方案的横截面图400的设计方案400相似地或相同地示出光电子器件的设计方案的俯视图810。
示出载体102、第二电极114、接触盘202和第一层402。所示出的设计方案能够理解为用于说明的示例。载体102、电有源区域106和基底的具有第一层402的至少一个区域408能够具有任意几何形状，例如圆形、椭圆形、正方形、矩形、六边形和/或四边形。
基底能够具有多个区域408，在所述区域上能够施加第一层402，例如能够具有一个、两个、三个、四个(已示出)、五个、六个或更多个区域。多个区域在此能够是彼此独立的，例如是不连续的。
图9示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法中的光电子器件的示意横截面。
在示意横截面图中，示出在施加第一和第二层之前的根据不同实施方式的部分完成的光电子器件。
在不同的实施方式中，提供一种用于制造光电子器件的方法和一种用于对光电子器件进行结构化的方法，借助所述方法可以借助于未损坏的接触盘制造具有可复现的光电子特性的OLED构件并且可复现地对OLED构件的光场进行结构化。

Claims (12)

1.一种用于制造有机光电子器件(100，200)的方法(300)，所述方法(300)具有：
·在基底(410)上或上方形成(304)第一层(402，502，702)，其中所述基底(410)具有所述有机光电子器件(100，200)的至少一个接触盘(202)，其中所述有机光电子器件的至少一个电极(110，114)与至少一个所述接触盘(202)电连接；
·在所述第一层(402，502，702)上或上方形成(306)第二层(108)；
·在基底(410)的具有接触盘(202)和第一层(402，502，702)的至少一个区域(408)中至少移除(310)所述第二层(108)；
·其中所述第一层(402，502，702)的材料或材料混合物在边界面(404)上与所述基底(410)的粘性小于所述第二层(108)的材料或材料混合物在所述边界面(404)上与所述基底(410)的粘性。
2.根据权利要求1所述的方法(300)，其中借助于一种工艺构成所述第一层(402，502，702)与所述基底(410)的较小的粘性。
3.根据权利要求2所述的方法(300)，其中所述工艺具有选自下述工艺步骤组的至少一个工艺步骤：
·分离所述第一层(402，502，702)的和/或第二层(108)的区域；
·用电子、离子、光子等轰击所述第一层(402，502，702)和/或第二层(108)；
·湿法化学工艺、干法化学工艺、化学机械抛光、刻蚀等。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(300)，其中在移除(310)所述第二层(108)之前或之后，构成所述第一层(402，502，702)的较小的粘性。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法(300)，其中借助于移除(312)所述至少一个区域(408)中的所述第一层(402，502，702)，移除所述至少一个区域(408)中的所述第二层(108)。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法(300)，其中所述第一层(402，502，702)在移除(312)所述第二层(108)时是稳定的。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法(300)，其中在移除所述第二层(108)时，移除所述第一层(402，502，702)的一部分。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法(300)，其中移除(310)所述第二层(108)具有选自下述工艺组的至少一种工艺：
·弹道移除(310)；
·机械移除(310)；和/或
·化学移除(310)。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法(300)，其中所述第二层(108)构成为所述光电子器件(100，200)的封装层(108)。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法(300)，所述方法构建用于露出光电子器件(100，200)的至少一个接触盘(202)。
11.一种用于对有机光电子器件(100，200)进行结构化的方法(300)，所述方法(300)具有：
·在所述有机光电子器件的有机功能层结构(112)上或上方形成(304)第一层(402，502，702)；
·在所述第一层(402，502，702)上或上方形成(306)第二层(108)；
·在所述有机功能层结构(112)上或上方的具有第一层(402，502，702)的至少一个区域(408)中至少移除(310)所述第二层(108)；
·其中所述第一层(402，502，702)的材料或材料混合物在边界面(404)上与所述基底(410)的粘性小于所述第二层(108)的材料或材料混合物在所述边界面(404)上与所述基底(410)的粘性。
12.根据权利要求11所述的方法(300)，所述方法构建用于对光电子器件(100，200)、尤其是有机发光二极管的表面进行横向的结构化。
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