CN105378963A - 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 - Google Patents

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Abstract

在不同的实施例中提供一种光电子器件(100)，光电子器件(100)具有：光学有源结构(150)，所述光学有源结构设立用于接收和/或提供电磁辐射；和至少一个散射结构(110)，所述散射结构在电磁辐射的射束路径上在光学有源结构(150)上或上方构成；其中散射结构(110)构成为，使得电磁辐射的方向特性是可以以电学方式改变的。

Description

光电子器件和用于制造光电子器件的方法
技术领域
在不同的实施方式中提供一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法。
背景技术
有机的光电子器件、例如有机发光二极管(OLED)越来越广泛地应用在普通照明中，例如作为面光源。常规的有机的光电子器件、例如OLED，能够具有阳极和阴极与在其间的有机功能层系统。有机功能层系统能够具有一个或多个发射体层，在所述一个或多个发射体层中产生电磁辐射；分别由两个或更多个载流子对生成层(“chargegeneratinglayer”，CGL)构成的一个或多个载流子对生成层结构用于产生载流子对；以及一个或多个电子阻挡层，也称作为空穴传输层(“holetransportlayer”，HTL)；和一个或多个空穴阻挡层，也称作为电子传输层(“electrontransportlayer”，ETL)，以便指引电流流动。
OLED的面状的的发光印象在多种应用中应尽可能保留。在不同的应用中，OLED的放射特性在运行时能够改变，例如由定向的光射束改变成朗伯辐射器的射束轮廓。
在常规的方法中借助于宏观的光学器件改变光电子器件的放射特性，例如借助于反射器或透镜系统。这种宏观的改型在面光源中是不适合的，因为失去了面印象。
在常规的方法中，借助于微透镜尝试改变有机发光二极管的放射特性。然而，由此使OLED放射特性以不可改变的方式改变。
在另一个常规的方法中，散射结构由嵌入在基体中的微透镜形成，其中微透镜和基体具有不同的与温度相关的折射率。由此，能够根据散射结构的温度改变放射特性。然而，放射特性的受温度控制的改变是缓慢的。此外，这种控制能够是局部不精确的并且产生不均匀的外观。
此外已知的是：使用液晶以改变液晶显示屏和显示器(LiqiudCrystalDisplay，LCD)中的电磁辐射的极化。通常的液晶在光学上是双折射的，这在极化显微镜下可借助于特征性的纹理来识别。在外部电场的影响下，一些液晶的取向能够有针对性地被影响进而例如改变光的极化。
发明内容
在不同的实施方式中，提供一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法，借助所述光电子器件和所述方法可以以电学的方式改变有机发光二极管的放射特性。
在不同的实施方式中提供一种光电子器件，所述光电子器件具有：光学有源结构，所述光学有源结构设立用于接收和/或提供电磁辐射；和至少一个散射结构，所述散射结构在电磁辐射的射束路径中在光学有源结构上或上方构成；其中散射结构构成为，使得电磁辐射的方向特性可以电学的方式改变。
在一个设计方案中，光学有源结构能够具有第一电极，第二电极和有机功能层结构，其中有机功能层结构在第一电极和第二电极之间构成。
在一个设计方案中，光电子器件能够构成为有机发光二极管、有机太阳能电池和/或有机光电检测器。
在一个设计方案中，光电子器件能够构成为面器件。
在一个设计方案中，光电子器件还能够具有载体，其中光学有源结构和散射结构在载体上或上方构成。由此例如能够构成具有单片集成的散射结构的光电子器件，也就是说，光学有源结构和/或散射结构基本上与载体具有相同的尺寸。
在一个设计方案中，在光学有源结构上和/或在载体的背离光学有源结构的一侧上能够构成至少一个散射结构。例如构成为光电子器件的加装装置。
在一个设计方案中，载体能够在电磁辐射方面构成为是透射的。
在一个设计方案中，载体能够在电磁辐射的射束路径中构成。
在一个设计方案中，至少一个散射结构能够具有多个散射结构，所述多个散射结构在光学有源结构的射束路径中构成。
在一个设计方案中，光学有源结构能够在第一散射结构和第二散射结构之间构成。
在一个设计方案中，第一散射结构能够在电磁辐射的射束路径中在光学有源结构和第二散射结构之间构成。
在一个设计方案中，散射结构能够具有第三电极、第四电极和电子光学结构，其中电子光学结构在第三电极和第四电极之间以电学的方式构成。
在一个设计方案中，散射结构关于电磁辐射能够构成为是透射性的。
在一个设计方案中，散射结构和光学有源结构能够具有共同的电极。
在一个设计方案中，散射结构和/或电子光学结构能够具有至少一种双折射的材料。
在一个设计方案中，散射结构和/或电子光学结构能够具有至少一种液晶材料、例如液晶聚合物。
在一个设计方案中，散射结构和/或电子光学结构能够具有微结构，其中微结构构成为，使得形成腔。
在一个设计方案中，双折射的材料能够在腔中构成。
在一个设计方案中，腔能够具有颗粒，其中颗粒是可被电极化的并且具有至少一个进行颜色改变的和/或进行反射的侧。根据所施加的电场，由此光学外观可借助方向特性的改变来改变。
在一个设计方案中，微结构能够构成为，使得所述微结构具有如下折射率，所述折射率小于或等于有机功能层结构的层厚度取平均的折射率。
在一个设计方案中，微结构能够构成为，使得所述微结构具有如下折射率，所述折射率大于或等于载体的折射率。
在一个设计方案中，微结构关于电磁辐射能够构成为，使得在双折射的材料的第一取向中构成非光学散射的边界面而在双折射的材料中的第二取向中构成光学散射的边界面。
在不同的实施方式中，提供一种用于制造光电子器件的方法，所述方法具有：构成用于接收和/或提供电磁辐射的光学有源结构；和在电磁辐射的射束路径中在光学有源结构上或上方构成至少一个散射结构；其中散射结构构成为，使得电磁辐射的方向特性可以电学的方式改变。
在所述方法的一个设计方案中，构成光学有源结构能够具有：构成第一电极；在第一电极上或上方构成有机功能层结构；和在有机功能层结构上或上方构成第二电极。
在所述方法的一个设计方案中，光电子器件能够构成为有机发光二极管、有机太阳能电池和/或有机光电检测器。
在所述方法的一个设计方案中，光电子器件能够构成为面器件。
在所述方法的一个设计方案中，所述方法还能够具有：构成载体，其中光学有源结构和散射结构在载体上或上方构成。
在所述方法的一个设计方案中，至少一个散射结构能够构成在光学有源结构上和/或在载体的背离光学有源结构的一侧上构成。
在所述方法的一个设计方案中，载体关于电磁辐射能够构成为是透射性的。
在所述方法的一个设计方案中，载体能够在电磁辐射的射束路径中构成。
在所述方法的一个设计方案中，构成至少一个散射结构能够具有：构成多个散射结构，所述多个散射结构在光学有源结构的射束路径中构成。
在所述方法的一个设计方案中，光学有源结构能够在第一散射结构和第二散射结构之间构成。
在所述方法的一个设计方案中，第一散射结构能够在电磁辐射的射束路径中在光学有源结构和第二散射结构之间构成，其方式例如是，第一散射结构在光学有源结构上构成并且第二散射结构在第一散射结构上构成；或者以相反的顺序构成。
在所述方法的一个设计方案中，构成散射机构能够具有：构成第三电极；在第三电极上构成电子光学结构；和在电子光学结构上构成第四电极。
在所述方法的一个设计方案中，散射结构关于电磁辐射能够构成为是透射性的。
在所述方法的一个设计方案中，散射结构，和/或散射结构和光学有源结构，能够构成为，使得其具有共同的电极。
在所述方法的一个设计方案中，散射结构和/或电子光学结构能够构成为，使得其具有至少一种双折射的材料。
在所述方法的一个设计方案中，电子光学结构能够构成为，使得其具有至少一种液晶材料、例如液晶聚合物。
在所述方法的一个设计方案中，构成电子光学结构能够具有：构成微结构，使得形成腔。
在所述方法的一个设计方案中，能够将双折射的材料引入到腔中，使得腔部分地、完全地以双折射的材料填充或过度填充。
在所述方法的一个设计方案中，能够将颗粒引入到腔中，其中颗粒是可被电极化的并且具有至少一个进行颜色改变的和/或进行反射的侧。
在所述方法的一个设计方案中，微结构能够构成为，使得其具有如下折射率，所述折射率小于或等于有机功能层结构的层厚度取平均的折射率。
在所述方法的一个设计方案中，微结构能够构成为，使得其具有如下折射率，所述折射率大于或等于载体的折射率。
在所述方法的一个设计方案中，微结构关于电磁辐射能够构成为，使得在双折射的材料的第一取向中构成非光学散射的边界面而在双折射的材料的第二取向中构成光学散射的边界面。
附图说明
本发明的实施例在附图中示出并且在下文中详细阐述。
附图示出
图1A-D示出根据不同实施例的光电子器件的示意图；
图2A、B示出根据不同实施例的光电子器件的示意横截面视图；
图3示出光电子器件的一个实施例的示意横截面视图；以及
图4示出用于制造根据不同实施例的光电子器件的方法的视图。
具体实施方式
在下述详细的描述中参考附图，所述附图形成该描述的一部分，并且其中为了图解说明而示出能够实施本发明的具体的实施方式。在这方面，关于所描述的(多个)附图的取向而使用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“较前”、“较后”等等。因为实施方式的组成部分能够以多个不同的取向来定位，所以方向术语用于图解说明并且不以任何方式受到限制。需理解的是，能够使用其他的实施方式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不脱离本发明的保护范围。需理解的是，只要未具体另外说明，在此所描述的不同的示例性的实施方式的特征就能够互相组合。因此，下述详细的描述不被理解为是受限制的，并且本发明的保护范围通过所附的权利要求来限定。
在该描述的范围中，术语“连接”、“连接上”以及“耦合”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的连接上以及直接的或间接的耦合。在附图中，只要是适当的，相同的或类似的元件就设有相同的附图标记。
在不同的实施方式中描述光电子器件，其中光电子器件具有光学有源区域。光学有源区域能够吸收电磁辐射并且从中构成光电流或借助于施加到光学有源区域上的电压发射电磁辐射。在不同的实施方式中，电磁辐射能够具有具有X射线的、UV辐射(A-C)的、可见光和/或红外辐射(A-C)的波长范围。
具有两个面状的光学有源侧的面状的光电子器件在光学有源侧的连接方向上例如能够构成为是透明的或半透明的，例如构成为透明的或半透明的有机发光二极管。面状的光电子器件也能够构成为平面的光电子器件，例如构成为平面平行的光电子器件。
然而，光学有源区域也能够具有面状的光学有源侧和面状的光学无源侧，例如设立为顶部发射器或底部发射器的有机发光二极管。光学无源侧例如能够是透明的或半透明的，或者设有镜结构和/或不透明的材料或材料混合物，例如用于热分布。光电子器件的射束路径例如能够单侧地定向。
在本说明书的范围中，能够将提供电磁辐射理解为发射电磁辐射。换而言之：能够将提供电磁辐射理解为借助于施加到光学有源区上的电压发射电磁辐射。
在本说明书的范围中，能够将接收电磁辐射能够理解为吸收电磁辐射。换而言之：能够将接收电磁辐射理解为吸收电磁辐射和从吸收的电磁辐射中构成光电流。
发射电磁辐射的结构在不同的设计方案中能够是发射电磁辐射的半导体结构和/或构成为发射电磁辐射的二极管、构成为发射电磁辐射的有机二极管、构成为发射电磁辐射的晶体管或构成为发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如能够是光(在可见范围中)，UV辐射和/或红外辐射。在本文中，发射电磁辐射的器件例如能够构成为发光二极管(lightemittingdiode，LED)、构成为有机发光二极管(organiclightemittingdiode，OLED)、构成为发光晶体管或构成为有机发光晶体管。发射电磁辐射的器件在不同的设计方案中能够集成电路的一部分。此外，能够设有多个发射电磁辐射的器件，例如安装在共同的壳体中。
在不同的实施例中，光电子结构能够构成为有机发光二极管(organiclightemittingdiode，OLED)，有机场效应晶体管(organicfieldeffecttransistor，OFET)和/或有机电子仪器。有机场效应晶体管能够为所谓的“全OFET”(“all-OFET”)，其中全部层是有机的。光电子结构能够具有有机功能层系统，所述有机功能层系统也同义地称为有机功能层结构。有机功能层结构能够具有有机材料或有机材料混合物或者由其形成，所述有机材料或有机材料混合物例如设立用于从所提供的电流中提供电磁辐射。
光电子器件能够构成为有机发光二极管、有机光电检测器或有机太阳能电池。
有机发光二极管能够构成为顶部发射器或底部发射器。在底部发射器的情况下，光从电有源区域中穿过载体发射。在顶部发射器的情况下，光从电有源区的上侧中发射并且不穿过载体。
顶部发射器和/或底部发射器也能够构成为是光学透明的或光学半透明的，下述层或结构中的每个例如能够构成为是透明的或半透明的。
在本说明书的范围中，能够将结构的层厚度取平均的折射率理解为所述结构关于在波导中被引导的并且由光电子器件发射或吸收的电磁辐射的折射率。对取平均的折射率取平均在由材料混合物构成的结构中能够经由材料混合物的材料在该波长范围中的折射率进行。在由材料混合物构成的结构中，取平均能够借助于形成如下折射率的总和来形成，所述折射率是材料混合物的材料的以所述材料混合物占所述结构的相应的体积份额来加权的折射率。
光电子器件的方向特性描述了可吸收的或被发射的电磁辐射的强度的空间角相关性。被发射的电磁辐射的方向特性也能够称作为放射特性。具体的放射特性例如具有线性的、椭圆形的、矩形的、蝙蝠翼形的、棒状的或朗伯强度分布。可切换的或可改变的放射特性也能够称作为可切换的发射方向。放射特性的改变例如能够是朗伯放射特性到蝙蝠翼形的放射特性的改变。
方向特性在构成为光电检测器或太阳能电池的光电子器件中例如能够关于入射的电磁辐射改变灵敏度。由此，能够保护光电子器件免受具有过高强度的电磁辐射。由此例如能够降低或避免有机材料的过热和/或降解。
图1A-D示出根据不同实施例的光电子器件的示意图。
在不同的实施例中，光电子器件100在气密的衬底130上或上方具有光学有源结构150和至少一个散射结构110。
光学有源结构150构成用于接收和/或提供电磁辐射并且例如在图2A中详细描述。
散射结构110在电磁辐射的射束路中在光学有源结构150上或上方构成。
散射结构构成为，使得电磁辐射的方向特性可以电学的方式改变。
借助于液晶和微结构化的表面的组合能够实现散射结构，借助所述散射结构能够改变OLED的放射特性，例如能够调节到期望的放射特性上。散射结构具有双折射的材料，所述双折射的材料在微结构上或上方构成。双折射的材料根据电磁辐射的传播方向和极化具有不同的折射率。由此，在微结构与双折射的材料的边界面处的折射率对比与电磁辐射到该边界面上的入射角有关。
双折射的材料例如是在双折射的相中的液晶、例如液晶聚合物。液晶一方面如液体那样是液态的并且另一方面如晶体那样具有方向相关的(各向异性的)物理特性。
在一个设计方案中，微结构关于双折射的材料的结构构成为，使得在双折射的材料在电场中关于微结构的至少一个取向中，散射结构对于电磁辐射不是散射性的。当微结构与双折射的材料的边界面处的折射率对比沿着电磁辐射的传播方向是可忽略不计的时，能够实现这种非散射性的装置。
气密的衬底130能够具有载体和第一阻挡层。气密的衬底130的设计方案在图2中详细描述。
光学有源结构150能够直接地在气密的衬底130上构成并且散射结构110在光学有源结构150上构成(在图1A中图解说明)或在气密的衬底130的背离光学有源结构150的一侧上构成(在图1B中图解说明)。由此，散射结构110在制造光学有源结构150之后在电磁辐射的射束路径中构成。散射结构110例如能够被粘贴。电磁辐射能够通过气密的衬底130被发射和/或被吸收和/或从光学有源结构150的背离气密的衬底130的一侧被发射和/或被吸收。
然而，散射结构110也能够在光学有源结构150和气密的衬底130之间在电磁辐射的射束路径中构成(在图1C中图解说明)。气密的衬底130在该设计方案中关于电磁辐射能够是反射性的和/或透射性的。光学有源结构150在该设计方案中能够在散射结构110上构成；并且与散射结构110具有共同的电极。
至少一个散射结构110能够具有多个散射结构。光学有源结构150能够构成在第一散射结构110A和第二散射结构110B之间构成(在图1D中图解说明)和/或第一散射结构110A在电磁辐射的射束路径中在光学有源结构150和第二散射结构110B之间构成。由此，能够实现不同的方向特性，例如针对气密的衬底130的不同的侧的不同的放射特性。此外，多个散射结构110A、110B能够不同地构成，例如具有具有不同的、可以电的方式改变的方向特性、具有不同的功能颗粒(参见图2B的描述)和/或不同地被结构化。由此，例如能够示出如下信息，例如表形文字，字标，表意符号和/或预设的方向特性。
在一个设计方案中，在电磁辐射的射束路径中，散射结构110在载体和光学有源结构150之间构成(在图1C中图解说明)。散射结构110能够构成为，使得其具有如下折射率，其折射率的实部的模大于载体的实部的模并且小于光学有源结构150的有机功能层结构的层厚度取平均的折射率的实部的摸。由此，散射结构110能够提高电磁辐射离开光电子器件100的耦合输出。
在一个设计方案中，在电磁辐射的射束路径中，载体能够在散射结构110和光学有源结构150之间构成(在图1B中图解说明)。散射结构110能够构成为，使得其具有如下折射率，其折射率的实部的摸小于载体的折射率的实部的摸。由此，散射结构110能够提高电磁辐射离开光电子器件150的耦合输出。
图2A、B示出根据不同实施例的光电子器件的示意性的横截面视图。
图2A示出根据不同实施例的气密的衬底和光学有源区域的示意性的横截面视图。
光电子器件100具有气密的衬底130和在气密的衬底上或上方的光学有源结构150。光学有源结构150具有有源区域206和封装结构228。
有源区域206是电有源区域206和/或光学有源区域206。有源区域206例如是光电子器件100的如下区域，在所述区域中，电流流动以运行光电子器件100和/或在所述区域中产生和/或吸收电磁辐射。
电有源区域206能够具有第一电极210、有机功能层结构212和第二电极214。
有机功能层结构206能够具有一个、两个或更多个功能层结构单元和一个、两个或更多个在层结构单元之间的中间层结构。有机功能层结构212例如能够具有第一有机功能层结构单元216、中间层结构218和第二有机功能层结构单元220。
封装结构228能够具有第二阻挡层208、配合的连接层222和覆盖部224。
载体202能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或由其形成。此外，载体能够具有塑料薄膜或带有一个或多个塑料薄膜的叠层或由其形成。塑料能够具有一种或多种聚烯烃(例如具有高密度的或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或由其形成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或由其形成。
载体202能够具有金属或由其形成，例如为铜、银、金、铂、铁，例如金属合金、例如钢。
载体202能够构成为是不透明的、半透明的或甚至是透明的。
载体202能够是镜结构的一部分或者形成该镜结构。
载体202能够具有机械刚性区域和/或机械柔性区域或者这样地构成，例如构成为薄膜。
载体202能够构成为用于电磁辐射的波导，例如关于光电子器件100的被发射或被吸收的电磁辐射是透明的或半透明的。
第一阻挡层204能够具有下述材料中的一种或由其形成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂铝的氧化锌、聚对苯二甲酰对苯二胺、尼龙66以及其混合物和合金。
第一阻挡层204能够借助于下述方法中的一种构成：原子层沉积方法(AtomicLayerDeposition(ALD))、例如等离子增强的原子层沉积方法(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition(PEALD))或无等离子的原子层沉积方法(Plasma-lessAtomicLayerDeposition(PLALD))；化学气相沉积方法(ChemicalVaporDeposition(CVD))、例如等离子增强的气相沉积方法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition(PECVD))或无等离子的气相沉积方法(Plasma-lessChemicalVaporDeposition(PLCVD))；或者替选地借助于其他适合的沉积方法。
在具有多个子层的第一阻挡层204中，能够借助于原子层沉积方法形成全部子层。仅具有ALD层的层序列也可以称作为“纳米叠层(Nanolaminat)”。
在具有多个子层的第一阻挡层204中，能够借助于不同于原子层沉积方法的沉积方法来沉积第一阻挡层204的一个或多个子层，例如借助于气相沉积方法来沉积。
第一阻挡层204可以具有大约0.1nm(一个原子层)至大约1000nm的层厚度，例如根据一个设计方案为大约10nm至大约100nm的层厚度、例如根据一个设计方案为大约40nm的层厚度。
第一阻挡层204能够具有一种或多种高折射的材料，例如具有高折射率的一种或多种材料，例如折射率至少为2的材料。
此外需要指出的是：在不同的实施例中，也能够完全弃用第一阻挡层204，例如对于载体202气密地构成，例如所述载体具有玻璃、金属、金属氧化物或由其形成的情况。
第一电极204能够构成为阳极或阴极。
第一电极210能够具有下述能导电的材料中的一种或者由其形成：金属；透明导电氧化物(transparentconductiveoxide，TCO)；由金属纳米线和微粒构成的、例如由Ag构成的网络，，所述金属的纳米线和微粒例如与能传导的聚合物组合；由碳纳米管构成的网络，所述由碳纳米管构成的网络例如与能传导的聚合物组合；石墨微粒和层；由半传导的的纳米线构成的网络；能导电的聚合物；过渡金属氧化物和/或其复合物。由金属构成的或具有金属的第一电极210能够具有下述材料中的一种或由其形成；Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或Li、以及这些材料的化合物、组合或合金。第一电极210能够具有下述材料中的一种作为透明导电氧化物：例如金属氧化物：例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了二元金属氧化物、例如ZnO、SnO2或In2O3以外，三元金属氧化物、例如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、Mgln2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族并且可以在不同的实施例中使用。此外，TCO不强制性地符合化学计量的组分并且还能够是p型掺杂的或n型掺杂的，或者传导空穴的(p型-TCO)或传导电子的(n型-TCO)。
第一电极210能够具有相同材料或不同材料的层或多个层的层堆。第一电极210能够由TCO层上的金属的层的组合的层堆形成，或者反之亦然。一个实例是施加在铟锡氧化物层(ITO)上的银层(ITO上的Ag)或ITO-Ag-ITO复层。
第一电极204例如能够具有在10nm至500nm的范围中的层厚度、例如从小于25nm至250nm、例如从50nm至100nm。
第一电极210能够具有第一电端子，第一电势可以施加到所述第一电端子上。第一电势能够由能量源、例如电流源或电压源提供。替选地，第一电势能够施加到能导电的载体202上并且第一电极210通过载体202间接地输送电。第一电势例如能够是接地电势或者是另一种预设的参考电势。
在图1中，示出具有第一有机功能层结构单元216和第二有机功能层结构单元220的光电子器件100。但是在不同的实施例中，有机功能层结构212也能够具有仅一个或多于两个的有机功能层结构，例如3、4、5、6、7、8、9、10或甚至更多，例如15个或更多，例如70个。
第一有机功能层结构单元216和可选的另外的有机功能层结构单元能够相同地或不同地构成，例如具有相同或不同的发射体材料。第二有机功能层结构单元220或者另外的有机功能层结构单元能够如在下文中所描述的第一有机功能层结构单元216的设计方案那样构成。
第一有机功能层结构单元216能够具有空穴注入层、空穴传输层、发射体层、电子传输层和电子注入层。
在有机功能层结构单元212中，能够设有所提出的层中的一个或多个，其中相同的层能够具有物体接触，仅能够彼此电连接，或者甚至能够彼此电绝缘地构成，例如能够并排设置。所提出的层的各个层能够是可选的。
空穴注入层能够在第一电极210上或者上方构成。空穴注入层能够具有下述材料中的一种或多种或由其形成：HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi(III)pFBz、F16CuPc；NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)；β-NPB(N,N’-双(萘-2-基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)；TPD(N-N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺)；Spiro-TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺)；Spiro-NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-螺环)；DMFL-TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DMFL-NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPFL-TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPEL-NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；Spiro-TAD(2,2’,7,7’-四(n，n-二苯基氨基)-9,9’-螺二芴)；9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N,N’-双-萘-2-基-N,N’-双-苯基-氨基)苯基]-9Η-芴；N,N’-双(萘-9-基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺；2,7-双[N,N-双(9，9-螺二芴-2-基)氨基]-9,9-螺二芴；2,2’-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]9,9-螺二芴；2,2’-双[N,N-双-苯基-氨基]9,9-螺二芴；双-[4-(N,N-联甲苯-氨基)-苯基]环己烷；2,2’,7,7′-四(N,N-双-甲苯基)氨基-螺二芴，和/或N,N,N’,N’-四-萘-2-基-联苯胺。
空穴注入层能够具有在大约10nm至大约1000nm的范围中的、例如在大约30nm至大约300nm的范围中的、例如在大约50nm至大约200nm的范围中的层厚度。
在空穴注入层上或者上方能够构成空穴传输层。空穴传输层能够具有下述材料中的一种或多种或由其构成：NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺)；β-NPB(N,N’-双(萘-2-基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺)；TPD(N-N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺)；Spiro-TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺)；Spiro-NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-螺环)；DMFL-TPDN,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DMFL-NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPFL-TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPEL-NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；Spiro-TAD(2,2’,7,7’-四(n,n-二苯基氨基)-9,9’-螺二芴)；9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N,N’-双-萘-2-基-N,N’-双-苯基-氨基)苯基]-9Η-芴；N,N’-双(萘-9-基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺；2,7-双[N,N-双(9，9-螺二芴-2-基)氨基]-9,9-螺二芴；2,2’-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]9,9-螺二芴；2,2’-双[N,N-双-苯基-氨基]9,9-螺二芴；双-[4-(N,N-联甲苯-氨基)-苯基]环己烷；2,2’,7,7’-四(N,N-双-甲苯基)氨基-螺二芴，和/或N,N,N,N’-四-萘-2-基-联苯胺，叔胺、咔唑衍生物、传导性的聚苯胺和/或聚乙烯二氧噻吩。
空穴传输层能够具有在大约5nm至大约50nm的范围中的、例如在大约10nm至大约30nm的范围中的、例如为大约20nm的层厚度。
在空穴传输层上或者上方能够构成发射体层。有机功能层结构单元216、220中的每个能够分别具有一个或者多个发射体层，例如具有荧光的和/或磷光的发射体。
发射体层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的非聚合物的小分子(“小分子(smallmolecules)”)或这些材料的组合，或者由其形成。
光电子器件100在发射体层中能够具有下述材料中的一种或者多种或者由其形成：有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-对-苯撑亚乙烯)；以及金属络合物、例如铱络合物，如：发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)；发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱III)；发红色磷光的Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))(三[4,4’-二-叔-丁基-(2,2’)-联吡啶]钌(III)络合物)；以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)；发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物的发射体。
这种非聚合物的发射体例如能够借助于热蒸镀来沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体例如可借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作SpinCoating)来沉积。
发射体材料能够以适合的方式嵌入在基体材料中，例如工程陶瓷或者聚合物、例如环氧化物；或者硅酮。
在不同的实施例中，第一发射体层234能够具有在大约5nm至大约50nm的范围中的、例如在大约10nm至大约30nm的范围中的、例如为大约20nm的层厚度。
发射体层能够具有单色地或者不同色地(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)进行发射的发射体材料。替选地，发射体层能够具有多个子层，所述子层发射不同颜色的光。借助不同颜色的混合，能够实现具有白色的色彩印象的光的发射。替选地，也能够提出，在通过这些层产生的初级发射的射束路径中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射中通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色彩印象。
有机功能层结构单元216能够具有构成为空穴传输层的一个或多个发射体层。
此外，有机功能层结构单元216能够具有构成为电子传输层的一个或多个发射体层。
在发射体层上或者上方能够构成、例如沉积电子传输层。
电子传输层能够具有下述材料中的一种或多种或者由其形成：NET-18；2,2’,2”-(1,3,5-苯取代基(-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)-1,3,4-恶二唑，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BCP)；8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3,5-联苯-4H-1,2,4-三唑；1,3-双[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯；4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BPhen)；3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑；双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝；6,6’-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-恶二唑-2-基]-2,2’-双吡啶基；2-苯基-9,10-双(萘-2-基)-蒽；2,7-双[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]-9,9-二甲基芴；1,3-双[2-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯；2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-菲咯啉；2,9-双(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-菲咯啉；三(2,4,6-三甲基-3(吡啶-3-基)苯基)硼烷；1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]菲咯啉；苯基-双芘基膦氧化物；萘四碳酸酐或其酰亚胺；芘四碳酸酐或其酰亚胺；和基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
电子传输层能够具有在大约5nm至大约50nm的范围中的、例如在大约10nm至大约30nm的范围中的、例如为大约20nm的层厚度。
在电子传输层上或者上方能够构成电子注入层。电子注入层能够具有下述材料中的一种或多种或者由其形成：NDN-26、MgAg、Cs2CO3、Cs3PO4、Na、Ca、K、Mg、Cs、Li、LiF；2,2’,2”-(1,3,5-苯取代基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)-1,3,4-恶二唑，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BCP)；8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3,5-联苯-4H-1,2,4-三唑；1,3-双[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯；4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BPhen)；3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑；双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝；6,6’-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-恶二唑-2-基]-2,2’-双吡啶基；2-苯基-9,10-双(萘-2-基)-蒽；2,7-双[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]-9,9-二甲基芴；1,3-双[2-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯；2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-菲咯啉；2,9-双(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-菲咯啉；三(2,4,6-三甲基-3(吡啶-3-基)苯基)硼烷；1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]菲咯啉；苯基-双芘基膦氧化物；萘四碳酸酐或其酰亚胺；芘四碳酸酐或其酰亚胺；和基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
电子注入层能够具有在大约5nm至大约200nm的范围中的、例如在大约20nm至大约50nm的范围中的、例如为大约30nm的层厚度。
在具有两个或者更多个有机功能层结构单元216、220的有机功能层结构212中，第二有机功能层结构单元220能够在第一功能层结构单元216之上或旁边构成。中间层结构218能够在有机功能层结构单元216、220之间以电的方式构成。
在不同的实施例中，中间层结构218能够构成为中间电极218，例如根据第一电极210的设计方案之一构成。中间电极218能够与外部电压源电连接。外部电压源能够在中间电极218处例如提供第三电势。然而，中间电极218也能够不具有外部的电端子，例如通过中间电极具有浮动电势的方式。
在不同的实施例中，中间层结构218能够构成为载流子对生成层结构218(“chargegeneratinglayer，电荷生成层”，CGL)。载流子对生成层结构218能够具有一个或多个传导电子的载流子对生成层和一个或多个传导空穴的载流子对生成层。(多个)传导电子的载流子对生成层和(多个)传导空穴的载流子对生成层能够分别由本征传导性的材料或基体中的掺杂材料形成。载流子对生成层结构218关于(多个)传导电子的载流子对生成层和(多个)传导空穴的载流子对生成层的能级应构成为，使得在传导电子的载流子对生成层与传导空穴的载流子对生成层的边界面处能够进行电子和空穴的分离。载流子对生成层结构218还能够在相邻的层之间具有扩散阻挡部。
每个有机功能层结构单元216、220例如能够具有最大大约3μm的层厚度、例如最大大约1μm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。
光电子器件100能够可选地具有另外的有机功能层，例如设置在一个或多个发射体层上或上方或者设置在一个或多个电子传输层上或上方的另外的有机功能层。另外的有机功能层例如能够是内部的或外部的耦合输入/耦合输出结构，所述耦合输入/耦合输出结构进一步改进光电子器件100的功能性进而改进效率。
在有机功能层结构212上或上方或者必要时能够在一个或多个另外的有机功能层和/或有机功能层结构上或上方构成第二电极214。
第二电极214能够根据第一电极210的设计方案中的一个构成，其中第一电极210和第二电极214能够相同或不同地构成。第二电极214能够构成为阳极、即构成为空穴注入的电极，或构成为阴极、即构成为电子注入的电极。
第二电极214能够具有第二电端子，第二电势可以施加到所述第二电端子上。第二电势与第一电势和/或可选的第三电势相比能够由相同的或不同的能量源提供。第二电势能够与第一电势和/或可选的第三电势不同。第二电势例如能够具有如下值，使得与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V的范围中的值、例如在大约2.5V至大约15V的范围中的值、例如大约3V至大约12V的范围中的值。
在第二电极214上能够构成有第二阻挡层208。
第二阻挡层208也能够称作为薄层封装部(thinfilmencapsulation，TFE)。第二阻挡层208能够根据第一阻挡层204的设计方案中的一个构成。
此外需要指出的是：在不同的实施例中也能够完全地弃用第二阻挡层208。在这种设计方案中，光电子器件100例如能够具有另一个封装结构，由此第二阻挡层208能够变得可选，例如是覆盖部224，例如腔玻璃封装部或金属封装部。
此外，在不同的实施例中还能够附加地在光电子器件100中构成一个或多个耦合输入/耦合输出层，例如在(未示出的)载体202上或上方的外部的耦合输出薄膜，或者在光电子器件100的层横截面中的(未示出的)内部的耦合输出层。耦合输入/耦合输出层能够具有基体和分布在其中的散射中心，其中耦合输入/耦合输出层的平均折射率大于提供电磁辐射的层的平均折射率。此外，在不同的实施例中能够附加地在光电子器件100中设有一个或多个抗反射层(例如与第二阻挡层208组合)。
在不同的实施例中，在第二阻挡层208上或上方能够设有配合的连接层222、例如由塑料或漆构成的连接层。借助于配合的连接层222，覆盖部224能够配合地连接在、例如粘贴在第二阻挡层208上。
由透明材料构成的配合的连接层222例如能够具有散射电磁辐射的颗粒、例如散射光的颗粒。由此，配合的连接层222能够作用为散射层并且引起色角畸变和耦合输出效率的改进。
能够将介电的散射颗粒设为散射光的颗粒，所述介电的散射颗粒例如由金属氧化物，如氧化硅(SiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)、氧化镓(Ga2Ox)、氧化铝或氧化钛构成。其他颗粒也能够是适合的，只要其具有与配合的连接层222的基体的有效折射率不同的折射率，所述基体例如为气泡、丙烯酸酯或玻璃空心球。此外，例如能够将：金属的纳米颗粒；金属、如金、银；铁纳米颗粒等设为散射光的颗粒。
配合的连接层222能够具有大于1μm的层厚度、例如几μm的层厚度。在不同的实施例中，配合的连接层222能够具有复合粘合剂或者是这种复合粘合剂。
配合的连接层222能够设立成，使得其具有折射率小于覆盖部224的折射率的粘合剂。这种粘合剂与例如能够是低折射的粘合剂、例如折射率大约为1.3的丙烯酸酯。然而，粘合剂也能够是高折射的粘合剂，所述高折射的粘合剂例如具有高折射的、非散射性的颗粒并且具有层厚度取平均的折射率，所述层厚度取平均的折射率大约对应于有机功能层结构212的平均的折射率，例如在大约1.7至大约2.0的范围中。此外，能够设有多个不同的、形成粘胶层序列的粘合剂。
在不同的实施例中，在第二电极214和配合的连接层222之间还能够施加电绝缘层(未示出)或者在其间已施加电绝缘层，所述电绝缘层例如是SiN，例如具有在大约300nm至大约1.5μm范围中的层厚度，例如具有在大约500nm至大约1μm范围中的层厚度，以便例如在湿法化学工艺期间保护电不稳定的材料。
在不同的实施例中，例如如果覆盖部224直接在第二阻挡层208上构成，例如借助于等离子喷射由玻璃构成的覆盖部224，那么配合的连接层222能够是可选的。
在电有源区域206上或上方还能够设置有所谓的吸气层或吸气结构、例如横向结构化的吸气层(未示出)。
吸气层能够具有如下材料或由其形成，所述材料吸收并且结合对于电有源区域206有害的物质。吸气层例如能够具有沸石衍生物或由其形成。吸气侧关于在光学有源区域中被发射和/或被吸收的电磁辐射能够构成为是半透明的、透明的或不透明的和/或不可透过的。
吸气层能够具有大于大约1μm的、例如几μm的层厚度。
在不同的实施例中，吸气层能够具有复合粘合剂或者嵌入在配合的连接层222中。
在配合的连接层222上或上方能够构成覆盖部224。覆盖部224能够借助于配合的连接层222与电有源区域206配合地连接并且保护其免受有害物质影响。覆盖部224例如能够是玻璃覆盖部224、金属材料覆盖部224或密封的塑料薄膜覆盖部224。玻璃覆盖部224例如能够借助于玻璃料连接(英文为glassfritbonding/glasssoldering/sealglassbonding)借助于常规的玻璃焊料在有机光电子器件100的几何上的边缘区域中与第二阻挡层208或电有源区域206配合地连接。
覆盖部224和/或配合的连接层222能够具有1.55的折射率(例如在波长为633nm的情况下)。
图2B示出根据不同实施例的散射结构的示意性的横截面视图。
散射结构110能够具有的第三电极252、在第三电极252上的电子光学结构254和在电子光学结构254上的第四电极256。散射结构110关于电磁辐射能够构成为是透射的、例如透明的或半透明的。
电子光学结构254能够具有微结构258。微结构258构成为，使得在电子光学结构110中的微结构258上方构成多个腔260。在图2B中应借助于附图标记为262的点状的限界线来图解说明所述腔。
微结构258关于电磁辐射应当构成为是透射的。微结构258例如能够由透射的工程陶瓷和/或透射的聚合物构成，例如SiO2、Al2O3、硅酮、环氧化物、聚丙烯酸酯、粘合剂(例如根据图2A的描述的一个设计方案)。
微结构258能够构成为，使得其具有如下折射率，所述折射率小于或等于有机功能层结构的层厚度取平均的折射率。
散射结构110的双折射的材料能够引入到借助于微结构258形成的腔260中，使得所述腔部分地、完全地以双折射的材料填充或过度填充。过度填充的腔在图2B中借助于附图标记为264的区域图解说明。
双折射的材料例如能够是液晶材料，其中液晶材料在光电子器件运行时处于双折射的相中并且可以电学的方式调节正常的和异常的折射率的取向的对齐。电学方式的调节例如能够借助于改变第三电极和第四电极之间的电场构成。液晶材料例如能够是常规的液晶聚合物，所述液晶聚合物满足所提出的要求。液晶材料在大约-40℃至大约+120℃的温度范围中例如应处于双折射的相中。
从外，能够将颗粒、例如具有双折射的材料的颗粒引入到腔260中，例如嵌入在基体中。所述颗粒能够是可被电极化的并且具有至少一个进行颜色改变的和/或进行反射的侧。由此能够借助于改变光电子器件100的方向特性同时改变光电子器件100的外观。
图3示出光电子器件的一个实施例的示意性的横截面视图。
光学有源结构150和/或一个散射结构110(在图3中图解说明)或者多个散射结构(参见图1D)能够构成或施加在载体上和/或上方，例如气密的衬底130上和上方。
衬底130关于电磁辐射能够构成为是透射的。由此，例如在作为底部发射器的光电子器件中，载体能够在电磁辐射的射束路径中构成。
在构成为顶部发射器或顶部吸收器的光电子器件100中(在图3中图解说明)，衬底130和/或第一电极210能够构成为是不透明的和/或是反射性的。不透明的和/或反射性的衬底130，所述衬底例如具有第一电极210，能够构成为金属薄膜或覆有金属的薄膜。
光电子器件100能够构成为，使得散射结构110和光学有源结构150能够具有共同的电极306。电子光学结构254例如能够在第二电极214上构成。由此，第二电极214和第三电极252构成为共同的电极306。
在一个设计方案中，通过光学有源区域(参见图2A的描述)在第四电极上构成的方式，第四电极和第一电极能够构成为共同的电极。
共同的电极306例如能够具有接地电势。由此，能够减少待接触的电极的数量并且构成单片地集成在光电子器件100中的散射结构110。
第四电极256能够具有如下电势，所述电势小于第一电极210或整个电极306的电势。因此，共同的电极306对于光学有源结构150而言能够是阴极并且对于散射结构110而言能够是阳极。关于光电子器件100在第一电极210方面，共同的电极因此能够称作为第一阴极306并且第四电极256能够称作为第二阴极(在图3中图解说明)。替选地，第四电极256能够如下电势，所述电势具有大于共同的电极306的电势。因此，共同的电极306对于光学有源结构150而言并且对于散射结构110而言能够是阴极。关于光电子器件100在第一电极210方面，共同的电极因此能够称作为(第一)阴极306并且第四电极256能够称作为第二阳极。
在单侧地进行发射和/或吸收的光电子器件100中，共同的电极306和第四电极256或第一电极210应该当构成为是透射的、例如透明的或半透明的。
在共同的电极306上能够构成微结构、例如微透镜场(micorlensearray，MLA)。微结构能够具有任意的结构。例如，为机构能够具有棱锥状的结构(在图3中图解说明)，所述棱锥状的结构具有直线的或弯曲的、例如凸状的和/或凹状的侧面。由此，能够实现光电子器件的不同的方向特性。微结构能够具有大于1.3的折射率、例如在大约1.5至大约1.8的范围中的折射率。这些微结构也能够称作为耦合输出结构。
在微结构上或上方构成双折射的、可被电极化的材料。该材料例如能够构成为液晶。棱锥状的微结构之间的空穴、即腔能够以液晶材料填充，使得构成平坦的表面。
在液晶材料上构成第四电极256，以便能够影响液晶的取向。
液晶材料具有沿着第一液晶轴线的第一折射率和沿着第二液晶轴向的第二折射率。液晶材料E44在波长为587.6nm的情况下例如具有沿着第一液晶轴线的大约1.527的折射率和沿着第二液晶轴线的大约1.786的折射率。折射率对比因此与液晶材料关于电磁辐射的传播方向的液晶取向相关。
另一种适当的液晶材料例如是E7，其在波长为587.6nm的情况下分别具有沿着第一液晶轴线的大约1.52237的折射率和沿着第二液晶轴线的大约1.73938的折射率。
另一种适当的液晶材料例如是TL-216，其在波长为587.6nm的情况下分别具有沿着第一液晶轴线的大约1.52262折射率和沿着第二液晶轴线的大约1.73132的折射率。
第一液晶轴线能够是关于正常射束的晶体方向，并且第二晶体方向能够是关于双折射的晶体中的电磁辐射的异常射束的晶体方向。
借助于经由共同的电极306和第四电极256改变所施加的电压，能够调节在第一折射率和第二折射率之间的折射率。由此，能够改变微结构和液晶材料之间的折射率对比。折射率对比也能够称作为折射率差。如果折射率差的绝对值大于大约0.05，那么在掠入射的情况下电磁辐射能够在边界面处散射。根据所调节的折射率，微结构和液晶材料之间的边界面在光学上是光滑的(非散射性的)或在光学上是粗糙的(散射性的)。借助于液晶关于电磁辐射传播方向的取向，能够影响OLED的放射特性。
微结构能够光学上对液晶的定向限界。换而言之：散射结构110能够在液晶的取向垂直于电磁辐射的传播方向的情况下散射电磁辐射。这应在下面的考虑中说明：
散射结构构成为，使得液晶在第一液晶方向上关于微机构具有大于0.05的折射率差(散射性的)。在第二液晶方向上，液晶关于微结构具有小于0.05的折射率差(非散射性的)。第一液晶轴线例如能够是液晶的高折射率平面。
在散射结构110的第一驱动中，液晶取向为，使得第一液晶轴线位于竖直取向302中。OLED处于非散射的状态下。不引起散射或附加的耦合输出，例如因为光的一部分由微结构与液晶的边界面反射。
在散射结构110的第二驱动中，液晶取向为，使得第一液晶轴线位于水平取向304中。OLED处于耦合输出模式中。光对称地耦合输出、即微结构作用为耦合输出结构。
在散射结构的第三驱动中，液晶取向成，使得具有第一液晶轴线的液晶从竖直取向302起例如向左倾斜45°。第二液晶轴线于是向右倾斜45°。光现在不对称地耦合输出。更多的光能够在一侧上在第一液晶轴线的方向上从光电子器件中耦合输出。在第二液晶轴线的方向上能够耦合输出较少的光。由此能够改变OLED的放射特性。
在散射结构的第四驱动中，液晶取向成，使得具有第一液晶轴线的液晶例如从竖直取向302起向右倾斜45°。第二液晶轴线于是向左倾斜45°。光如在第三驱动中那样不对称地耦合输出。
在第五驱动中，如在第三驱动和第四驱动中那样驱动控制设备，然而具有中间级。
图4示出关于用于制造根据不同的实施例的光电子器件的方法的视图。
用于制造光电子器件的方法300具有：构成302光学有源结构和在电磁辐射的射束路径中构成304至少一个散射结构。
光学有源结构构成用于接收和/或提供电磁辐射，例如构成为发光二极管、例如面光源；构成为光电检测器、例如面检测器；或太阳能电池。
例如根据图1至图3的描述的设计方案中的一个，构成302光学有源结构能够具有：构成第一电极；在第一电极上或上方构成有机功能层结构；和在有机功能层结构上或上方构成第二电极。光学有源结构例如能够构成为底部反射器和/或顶部发射器。此外，光学有源结构关于电磁辐射能够构成为是透射的、例如半透明的或透明的。此外，光学有源结构的电极中的一个关于电磁辐射能够构成为镜结构。
散射结构构成为，使得电磁辐射的定向特性是可以电学方式改变的。
在一个设计方案中，在构成光学有源结构之后，构成散射结构。散射结构例如能够构成在、例如施加在光学有源结构上或上方。
在一个设计方案中，在构成散射结构之后，构成光学有源结构。光学有源结构例如能够构成在、例如施加在散射结构上或上方。
在一个设计方案中，例如在多侧地进行发射的或吸收的光电子器件中，在电磁辐射的射束路径中，将光学有源结构构成在第一散射结构上或上方，并且将第二散射结构构成在光学有源结构上或上方。
在一个设计方案中，在电磁辐射的射束路径中，将第一散射结构构成在光学有源结构上或上方，并且将第二散射结构构成在第一散射结构上或上方。第一散射结构和第二散射结构能够相同地或不同地构成。
借助于散射结构，在发射电磁辐射的光电子器件中能够表现信息，例如其方式是，将散射结构横向结构化、例如使其具有不同的微结构和/或折射率不同的、双折射的材料。
电子光学结构的构成能够具有：施加双折射的材料。
将微结构施加到第三电极上例如能够是沉积、印制和/或喷镀。微结构在施加微机构的材料期间或之后能够被结构化，例如在施加期间借助于掩模或冲压工艺来结构化；或在施加之后借助于选择性剥离，例如借助于激光烧蚀来结构化。
微结构关于电磁辐射应当构成为，使得在双折射的材料的第一取向中构成在光学上非散射性的边界面而在双折射的材料的第二取向中构成在光学上散射性的边界面。微结构例如能够具有棱锥状的结构，所述棱锥状的结构具有直线或弯曲的侧面。
结构关于电磁辐射的构成能够考虑：电磁辐射的传播方向，波长和极化。
电子光学结构的构成能够具有：将嵌入在基体中的液晶材料以湿法化学的方式施加到微结构上。电子光学结构也能够构成为能够被粘贴的液晶薄膜。
在不同的实施方式中，提供一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法，借助所述光电子器件和所述方法可行的是：以电学方式改变有机发光二极管的放射特性。

Claims (14)

1.一种光电子器件(100)，具有：
·光学有源结构(150)，所述光学有源结构设立用于接收和/或提供电磁辐射；和
·至少一个散射结构(202)，所述散射结构在所述电磁辐射的射束路径中在所述光学有源结构(150)上或上方构成；并且
·其中所述散射结构(202)具有微结构(258)，其中所述微结构(258)构成为，使得形成腔(260)；并且
·其中所述散射结构(202)构成为，使得所述电磁辐射的方向特性是能够以电学方式改变的。
2.根据权利要求1所述的光电子器件(100)，
其中所述光学有源结构(150)具有第一电极(210)，第二电极(214)和有机功能层结构(212)，其中所述有机功能层结构(212)在所述第一电极(210)和所述第二电极(214)之间构成。
3.根据权利要求1或2所述的光电子器件(100)，
其中所述光电子器件(100)构成为有机发光二极管、有机太阳能电池和/或有机光电检测器。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子器件(100)，
其中所述光电子器件(100)构成为面器件。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件(100)，
其中至少一个散射结构(202)在所述光学有源结构(150)上和/或在所述载体(130)的背离所述光学有源结构(150)的一侧上构成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电子器件(100)，
其中所述光学有源结构(150)在第一散射结构(110A)和第二散射结构(110B)之间构成。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电子器件(100)，
其中所述散射结构(202)具有至少一种双折射的材料。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光电子器件(100)，
其中所述散射结构(202)具有至少一种液晶材料、尤其液晶聚合物。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的光电子器件(100)，
其中所述散射结构(202)具有至少一种双折射的材料；
其中所述双折射的材料在所述腔(260)中构成。
10.一种用于制造光电子器件(100)的方法(300)，所述方法(300)具有：
·构成(302)用于接收和/或提供电磁辐射的光学有源结构(150)；和
·在所述电磁辐射的射束路径中在所述光学有源结构(150)上或上方构成(304)至少一个散射结构(202)，
·其中所述散射结构(202)构成有微结构(258)，其中所述微结构(258)构成为，使得形成腔(260)；并且
·其中所述散射结构(202)构成为，使得所述电磁辐射的定向特性是能够以电学方式改变的。
11.根据权利要求10所述的方法(300)，
其中构成(302)所述光学有源结构(150)具有：
·构成第一电极(210)；
·在所述第一电极(210)上或上方构成有机功能层结构(212)；和
·在所述有机功能层结构上或上方构成第二电极(214)。
12.根据权利要求10或11所述的方法(300)，
其中所述光电子器件(100)构成为有机发光二极管、有机太阳能电池和/或有机光电检测器。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法(300)，
其中所述光电子器件(100)构成为面器件。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的方法(300)，
·其中构成(304)至少一个散射结构(202)包括：构成多个散射结构(202)，所述多个散射结构在所述光学有源结构(150)的射束路径中构成；
·其中所述光学有源结构(150)在第一散射结构(110A)和第二散射结构(110B)之间构成。
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